База ГОСТовallgosts.ru » 01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ » 01.040. Словари

ГОСТ Р 57441-2017 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Обозначение: ГОСТ Р 57441-2017
Наименование: Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Статус: Действует
Дата введения: 08/01/2017
Дата отмены: -
Заменен на: -
Код ОКС: 01.040.01, 31.200
Скачать PDF: ГОСТ Р 57441-2017 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров.pdf
Скачать Word:ГОСТ Р 57441-2017 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров.doc

Текст ГОСТ Р 57441-2017 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров



ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ

СТАНДАРТ

РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

ГОСТР

57441—

2017

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Издание официальное

Москва

Стандартииформ

2017

ГОСТ Р 57441—2017

Предисловие

1    РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт») и Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон)

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ ПриказомФедеральногоагентствало техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 257-ст

4    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об измене-ниях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по соспюянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано е ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()

© Стандартинформ.2017

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

ГОСТ Р 57441—2017

Содержание

1 Область применения...................................................1

2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров..............1

Алфавитный указатель терминов на русском языке.................................9

in

ГОСТ Р 57441—2017

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки. раскрывая значения используемых в нихтерминов. указывая объекты, входящие вобъем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

Вслучаях. когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений — отечественную или международную.

IV

ГОСТ Р 57441—2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

integrated circuits.

Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

Дата введения — 2017—08—01

1    Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее — микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения ао всех видах документации и литературы, входящих е сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

2    Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Параметры напряжения

1    напряжение питания; Unl (UCCI): Напряжение Аго источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.

Примечание — t — порядковый номер источнике питания.

2    напряжение питания в режиме хранения; Un кр (Uccs): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.

3    напряжение питания в режиме ожидания; Un оя [Uccw): —

4    входное напряжение; 0вх (У,): —

5    входное напряжение низкого уровня; Uat нл): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.

в входное напряжение высокого уровня; Ua% л (UM): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.

7 входное пороговое напряжение; Unav йх (tf,r): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния е другое, в входное пороговое напряжение низкого уровня; (/лор e«. M(UITt): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в Другое.

9    входное пороговое напряжение высокого уровня; 1Уяор ,к „ (U(TH): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния е другое.

10    напряжение сигнала стирания; UC1 (UeftA)' Напряжение на выводе «Стирание», обеспечивающее удаление информации.

11    напряжение сигнала программирования; Unp {(/яя): Напряжение на выводе «Программирование», обеспечивающее изменение информации.

Иэдение официальное

1

ГОСТ Р 57441—2017

12    напряжение срабатывания; t/cp# {UITP): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

13    напряжение отпускания; Uatn ((/„„): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.

14    напряжение гистерезиса; (/гаст Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.

15    напряжение смещения нуля; исию): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.

16    входное напряжение синфазное; (/еф вх Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.

17    входное напряжение дифференциальное; Удфйж {Ui0): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.

16 входное напряжение ограничения; (/огр йх    Входное напряжение, при котором отклонение

от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.

19    входное напряжение покоя; и0аж (Цо): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

20    выходное напряжение; (Уаых (U0): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.

21    выходное напряжение низкого уровня; 1/аых. „ (t/ol): —

22    выходное напряжение высокого уровня; илиж    —

23    напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено»; (У т ((УОГ1): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии «Выключено».

Применение — Термин используют для схем с тремя состояниями не выходе

24    напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено»; U„uut , (UOZH): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии «Выключено».

Применение — Термин используют для схем с тремя состояниями не выходе

25    выходное дифференциальное напряжение; 1/дф вых [UOD): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.

26    выходное напряжение покоя; 1Уваы, (t/OQ): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.

27    коммутируемое напряжение; (/>ом (Us): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.

28    опорное напряжение; Uotl{U„ePy. Постоянноенапряжениесзаданнымитребованиямипо точности и стабильности его значения.

29    остаточное напряжение; U^(U0Sy Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирую* щем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.

30    напряжение шума; (/ш ((/„): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.

31    напряжение автоматической регулировки усиления; 1/дру (1/ЛСС): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

32    напряжение задержки автоматической регулировки усиления; {/м друАвсаУ Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.

33    напряжение изоляции; Uui (U,so): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.

34    напряжение пульсаций источника питания; UMtm ((/<<г): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах литания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.

35    падение напряжения; Una(Uoly. Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.

36    минимальное падение напряжения; Una иии (С/ОМ9Ап); Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.

37    нестабильность по напряжению; лии {dUу): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.

38    нестабильность по току; MJ, (dU,): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.

2

ГОСТ Р 57441—2017

Параметры тока

59 ток потребления; /п0, (/сс): Ток. потребляемый микросхемой от источника питания.

40    ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; /ЛФТ и (/cct): Ток. потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.

41    ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; /пог „ (/ссн): Ток. потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.

42    ток потребления в состоянии «Выключено»; /лву выкл (/ссг): Ток. потребляемый микросхемой в состоянии «Выключено» на выходе.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями не выходе.

43    динамический ток потребления; /пот Д|М (/ссо): Ток. потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.

44    ток потребления в режиме хранения; /пот>хр (/ccs): Ток. потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.

45    ток стирания; /сгр 0£ЯАУ- Ток. протекающий в цепи вывода «Стирание» микросхемы.

46    входной ток; /ах (/,): Ток. протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.

47    входной ток низкого уровня; /„, „ (lIL): Ток. протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.

48    входной ток высокого уровня; / а (/ш): Ток. протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.

49    разность входных токов; А/аа(/ю): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.

50    входной пробивной ток; /ах пр6 (/,0): Входной ток при максимальном напряжении на входе микро* схемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.

51    выходной ток; /вых (/0): Ток. протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.

52    выходной ток низкого уровня; /аых „ (/ot): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня.

53    выходной ток высокого уровня; /аых а (/он): Ток. протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня.

54    выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено»; /аыхп н (/ozt): Выходной ток микросхемы. выход которой находится в состоянии «Выключено», при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

55    выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено»; / ш^огнУ' Выходной ток микросхемы. выход которой находится в состоянии «Выключено», при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

56    ток короткого замыкания; /„ (/os): Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод литания).

57    ток утечки; (/L): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.

58    ток утечки на входе; ах (/): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.

59    ток утечки низкого уровня на входе; /уг ах м (lILL): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

60    ток утечки высокого уровня на входе; а, а Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

61    ток утечки на выходе;/^ aux(/ot): Токввыходнойцепимикросхемыпризакрытомсостояниивыхо-да и заданных режимах на остальных выводах.

62    ток утечки низкого уровня на выходе;/ут аых    Ток утечки при закрытом состоянии выхода,

при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

з

ГОСТ Р 57441—2017

63    ток /течки высокого уровня на выходе; /yt вы> в (/olH): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

64    ток автоматической регулировки усиления; /дру (/Л0С): Ток. протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

65    режимный ток; /р (1Я): Постоянный ток. устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.

Параметры мощности

66    потребляемая мощность; РМ1сс)‘ Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.

67    входная мощность; Рах (Р,): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.

68    выходная мощность; Раих0): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.

69    рассеиваемая мощность; Рркш): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.

70    динамическая потребляемая мощность; Рпог дииссо)' Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.

71    потребляемая мощность в режиме хранения; Рпм хрсс$): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.

Параметры сопротивления

72    входное сопротивление; Rax (/?,): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.

73    выходное сопротивление; RBidX (ffc): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.

74    сопротивление нагрузки; Лн {Rt): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

75    сопротивление в открытом состоянии; fi01, (R0H)\ Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.

76    сопротивление изоляции; Аиа (RJSO): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.

Параметры емкости

77    входная емкость; Свк(С,): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток. и его круговой частоты.

78    выходная емкость; Свы, (С0): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.

79    емкость нагрузки; Сн (CL): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

80    емкость входа/выхода; CexJeuxго): Значение емкости объединенного входа/выхода. равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.

81    емкость аналогового входа; Слх 1н (Cs): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

82    емкость аналогового выхода; CBW)I ви0): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

ГОСТ Р 57441—2017

83    емкость управляющего входа; Сак упр): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

84    емкость между аналоговыми выходом и входом; Свых,м м (Cos): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы. к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

Временные параметры

85    время включения; f (fpn): Интервал времени между уровнем 0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.

86    время выключения; 1,ыкп0„): Интервал времени между уровнем 0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.

87    время переключения; fn#p ((,„„}: Интервал времени между уровнем0.5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.

88    время задержки включения; twKn(tOHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровняхО.1 или на заданном уровне напряжения.

89    время задержки выключения; Гдд омхй (fotH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0.9 или на заданном уровне напряжения.

90    время задержки распространения при включении; р. (fPwt): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровнякнапряжениюнизкогоуровня. измеренный на уровнеО.били на заданном уровне напряжения.

91    время задержки распространения при выключении; 1ДД рвЫ1Я (<PliW): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0.5 или на заданном уровне напряжения.

92    время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»; рП ((рнг): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено». измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

93    время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня; р31ргн): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

94    время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»; 1ДД р0, (fPtz): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемыот напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено». измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем стремя состояниями на выходе.

95    время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня; tu рМ {fp2L): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

96    время нарастания входного сигнала; (nep вх (ftH): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0.1 до 0.9 от заданного значения.

97    время спада входного сигнала; fcnх (fMl): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0.1 от заданного значения.

S

ГОСТ Р 57441—2017

98    время нарастания выходного сигнала; <иар аыхг): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0.1 до уровня 0.9 от заданного значения.

99    время спада выходного сигнала; fcn вмх ((,): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0.9 до уровня 0.1 от заданного значения.

100    времяцикла;^(fcy): Длительностьпериодасигналовнаодномизупраеляющихеходов.втечение которого микросхема выполняет одну из функций.

101    время цикла записи информации; (fcm): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.

102    время цикла считывания информации; t (ТСУЯ): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.

103    время выборки; fe (Г,): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

104 время установления входных сигналов;    (fsu): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.

105    время удержания; ^ (fH): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на задан* ном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.

106    время восстановления; Грск. (tAEC): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.

107    время сохранения сигнала; (сх (fv): Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.

108    время хранения информации; tip (t5e): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.

109    время установления выходного напряжения; t(/ (fs): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0.9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.

110    время преобразования; fnpe (f£): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.

111    время успокоения выходного напряжения; tycnU (f[(M): Интервал времени смомвнта достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.

112    время регенерации; tpe, (<Я£Р): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.

113    длительность сигнала; t(fw): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.

114    длительность сигнала низкого уровня; ^ (tWL): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

115    длительность сигнала высокого уровня; та {(*„): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

116    период следования тактовых импульсов; Гтс): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.

Коэффициенты

117    коэффициент усиления напряжения; Куиу): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.

118    коэффициент усиления тока; Ку, (А,): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.

119    коэффициент усиления мощности; КуРр): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.

120    коэффициент усиления синфазных входных напряжений; Ку сфис): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.

6

ГОСТ Р 57441—2017

121    коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля; Квл и п (KSVR): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.

122    коэффициент умножения частоты; К , (KVPVf): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.

123    коэффициент деления частоты; Кд<л, (Ком): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.

124    коэффициент подавления сигнала между каналами; Клоя0ол): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.

125    коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; Кос сфсмя): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.

126    коэффициент гармоник; К, (К„): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.

127    коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; Кнл д (А„,в): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.

128    коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; Кир дч (AfM): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.

129    коэффициент полезного действия; п (п)* Отношение выходной мощности микросхемы кпотреб-ляемой мощности.

130    коэффициент разделения каналов; Крд]даыс): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).

131    коэффициент передачи; Кпсрур): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.

132    коэффициент шума; Км (FJ: Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднекоадратичоскому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.

133    коэффициентпреобразования; Knpe (G): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.

134    температурный коэффициент входного тока; и1иж («/,): Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

135    температурный коэффициент разности входных токов; иД/ах(а/ю): Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

136    температурный коэффициент напряжения смещения нуля; иО (аУю): Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

137    температурный коэффициент опорного напряжения; uUoa (uUKgF): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

138    температурный коэффициент выходного напряжения; а(/амх («(/0): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

139    коэффициент стоячей волны на входе; Kct ex (SWR,): Отношение напряженности электрического поля в максимуме кнапряженностиэлектричесхогополя в минимуме стоячей волны входного сигнала.

140    коэффициент стоячей волны на выходе; Кет вых (SWR0): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля а минимуме стоячей волны выходного сигнала.

141    коэффициент сглаживания пульсаций; Kc,(/fRR): Отношениеамплитудногозначения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.

Параметры частоты

142    частота входного сигнала; /ах (/,): —

143    частота выходного сигнала; feux (f0)‘. —

144    частотагенерирования;/г(/в): —

145    частота следования импульсов тактовых сигналов; fT(/c): —

7

ГОСТ Р 57441—2017

146    частота коммутации; Г (fs): —

147    частота единичного усиления; f, (/,): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.

148    частота полной мощности; (Р (fP): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

149    полоса пропускания; {BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнениюс коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона.

150    центральная частота полосы пропускания; Гц (74): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.

151    нижняя граничная частота полосы пропускания; f„ (fL): Наименьшее значение частоты, некоторой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

152    верхняя граничная частота полосы пропускания; fa (fH): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

153    частота среза; fcp> (fco): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.

154    диапазон частот; д/(.}/): Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.

Прочие параметры

155    динамический диапазон по напряжению;    Отношение максимального значения

напряжения к минимальному значению напряжения.

156    дрейф выходного напряжения;    (aUow): Наибольшее значение относительного измене

ния выходного напряжения в течение заданного интервала времени.

157    дрейф опорного напряжения; лУв(И (лУЛЕР^): Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.

158    дрейфвыходноготока; Уйых10Наибольшеезначениеотноситепьногоизмененияеыходно-го тока в течение заданного интервала времени.

159    скорость нарастания выходного напряжения; VUaux (Sfi): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0.9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.

160    максимальная скорость нарастания выходного напряжения;    #ке (S8    ): Отношение

изменения выходного напряжения от уровня 0.1 до уровня 0.9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.

161    нормированная электродвижущая сила шума; „ (£„*): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.

162    диапазон автоматической регулировки усиления; UAPY (4GC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.

163    порог чувствительности; S (S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.

164    индукция срабатывания; 8ев (8^): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

165    индукция отпускания; 8отп (8,р): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

168 крутизна проходной характеристики; Sn (SrR): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.

167    отношение сигнал/шум; Nclm (N„): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.

168    фазовый сдвиг интегральной микросхемы; <рв0): Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.

169    фазовая ошибка; <poe (<pw): Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.

8

ГОСТ Р 57441—2017

Алфавитный указатель терминов на русском языке

время включения    85

время восстановления    106

время выборки    103

время выключения    86

время задержки включения    88

время задержки выключения    89

время задержки раслростраиения при включении    90

время задержки распространения при выключении    91

время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня    93

время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня    95

время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»    92

время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»    94

время нарастания входного сигнала    96

время нарастания выходного сигнала    98

время переключения    87

время преобразования    110

время регенерации    112

время сохранения сигнала    107

время спада входного сигнала    97

время спада выходного сигнала    99

время удержания    105

время успокоения выходного напряжения    111

время установления входных сигналов    104

время установления выходного напряжения    109

время хранения информации    108

время цикла    100

время цикла записи информации    101

время цикла считывания информации    102

диапазон автоматической регулировки усиления    162

диапазон по напряжению динамический    1S5

диапазон частот    154

длительность сигнала    113

длительность сигнала высокого уровня    115

длительность сигнала низкого уровня    114

дрейф выходного напряжения    156

дрейф выходного тока    158

дрейф опорного напряжения    157

емкость аналогового входа    81

емкость аналогового выхода    82

емкость входа^выхода    80

емкость входная    77

емкость выходная    78

емкость между аналоговыми выходом и входом    84

емкость нагрузки    79

емкость управляющего входа    83

индукция отпускания    165

индукция срабатывания    164

коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля    121

коэффициент входного тока температурный    134

коэффициент выходного напряжения температурный    138

коэффициентгармоник    126

коэффициент деления частоты    123

коэффициентнапряжения смещения нуля температурный    136

9

ГОСТ Р 57441—2017

коэффициент нелинейности амплитудной характеристики    127

коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики    128

коэффициентопорного напряжения температурный    137

коэффициент ослабления синфазных входных напряжений    125

коэффициент передачи    131

коэффициент подавления сигнала между каналами    124

коэффициентполеэногодействия    129

коэффициент преобразования    133

коэффициент разделения каналов    130

коэффициент разности входных токов температурный    135

коэффициент сглаживания пульсаций    141

коэффициентстоячей волны на входе    139

коэффициент стоячей волны на выходе    140

коэффициентумножения частоты    122

коэффициент усиления мощности    119

коэффициент усиления напряжения    117

коэффициент усиления синфазных входных напряжений    120

коэффициент усиления тока    118

коэффициент шума    132

крутизна проходной характеристики    166

мощность в режиме хранения потребляемая    71

мощность входная    67

мощность выходная    68

мощность потребляемая    66

мощность потребляемая динамическая    70

мощность рассеиваемая    69

напряжение автоматической регулировки усиления    31

напряжение входное    4

напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено»    24

напряжение высокого уровня входное    6

напряжение высокого уровня выходное    22

напряжение высокого уровня пороговое входное    9

напряжение выходное    20

напряжение гистерезиса    14

напряжение дифференциальное входное    17

напряжение дифференциальное выходное    25

напряжение задержки автоматической регулировки усиления    32

напряжение изоляции    33

напряжение коммутируемое    27

напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено»    23

напряжение низкого уровня входное    5

напряжение низкого уровня выходное    21

напряжение низкого уровня пороговое входное    8

напряжение ограничения входное    18

напряжение опорное    28

напряжение остаточное    29

напряжение отпускания    13

напряжение питания    1

напряжение литания в режиме ожидания    3

напряжение питания в режиме хранения    2

напряжение покоя входное    19

напряжение покоя выходное    26

напряжение пороговое входное    7

напряжение пульсаций источника питания    34

напряжение сигнала программирования    11

напряжение сигнала стирания    10

напряжение синфазное входное    16

напряжение смещения нуля    15

напряжение срабатывания    12

10

ГОСТ Р 57441—2017

напряжение шуме    30

нестабильность по напряжению    37

нестабильность по току    38

отношение сигнал/шум    167

ошибка фазовая    169

падение напряжения    35

падение напряжения минимальное    36

период следования тактовых импульсов    116

полоса пропускания    149

порог чувствительности    163

разность входных токов    49

сдвигинтегральиой микросхемы фазовый    168

сила шума электродвижущая нормированная    161

скорость нарастания выходного напряжения    1S9

скорость нарастания выходного напряжения максимальная    160

сопротивление в открытом состоянии    75

сопротивление входное    72

сопротивление выходное    73

сопротивление изоляции    76

сопротивление нагрузки    74

ток автоматической регулировки усиления    64

ток входной    46

ток высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной    55

ток высокого уровня входной    48

ток высокого уровня выходной    S3

ток выходной    51

ток короткого замыкания    S6

ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной    54

ток низкого уровня входной    47

ток низкого уровня выходной    52

ток потреблений    39

ток потребления в режиме хранения    44

ток потреблений в состоянии «Выключено»    42

ток потреблений динамический    43

ток потребления при выходном напряжении высокого уровня    41

ток потребления при выходном напряжении низкого уровня    40

ток пробивной входной    S0

ток режимный    65

ток стирания    45

ток утечки    S7

ток утечки высокого уровня на входе    60

ток утечки высокого уровня на выходе    63

ток утечки на входе    58

ток утечки на выходе    61

ток утечки низкого уровня на входе    59

ток утечки низкого уровня на выходе    62

частота входного сигнала    142

частота выходного сигнала    143

частота генерирования    144

частотаединичногоусиления    147

частота коммутации    146

частота полной мощности    148

частота полосы пропускания граничная верхняя    152

частота полосы пропускания граничная нижняя    151

частота полосы пропускания центральная    150

частота следования импульсов тактовых сигналов    145

частота среза    153

11

ГОСТ Р 57441—2017

УДК 001.4:621.382.8:006.354    ОКС 01.040.01

31.200

Ключевые слова: микросхемы интегральные, параметры, термины, определения, буквенные обозначения

63 3—2017/29

Редактор Я.В. Кояаропова Техническим редактор В Н. Прусакова Корректор EJ]. Дупъмвва Компьютерная верстка И. А Налей киной

Сдано а набор 05.04.2017.    Подписано е печать 24.04.2017. Формат 60 » 84Г арии тура Ариел.

Уел. печ л. 1.66. Уч.-иэд. л. 1.66. Тираж 33 экэ. Зак. 638.

Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта

Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАР ТИМ ФОРМ». 123995 Москва, Гранатный лер.. 4.     mfogposUifo.ru