НАЦИОНАЛЬНЫЕ
СТАНДАРТЫ
ЭЛЕКТРОНИКА
Термины и определения
Часть 2
Издание официальное
Москва
Стандартинформ
2005
УДК 001.4:621:006.354
ОТ ИЗДАТЕЛЬСТВА
Сборник «Электроника. Термины и определения. Часть 2» содержит стандарты, утвержденные до 1 мая 2005 г.
В стандарты внесены изменения, принятые до указанного срока.
Текущая информация о вновь утвержденных и пересмотренных стандартах, а также о принятых к ним изменениях публикуется в выпускаемом ежемесячно информационном указателе «Национальные стандарты».
© Стандартинформ, 2005
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ
Группа Э00 СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
ГОСТ
20003-74
МКС 01.040.31 31.080.30 ОКСТУ 6201
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена
01.07.75
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770—80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины — курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ?вкл ст; время включения биполярного транзистора ?вкл б. т; время включения полевого транзистора ?вкл п.т.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
Издание с Изменениями № 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985г. (ИУС12—82, 9—85).
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei ofFenem Emitter) E. Collector cut-off current F. Courant residue! du collecteur |
Лево |
^сво |
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор — база и разомкнутом выводе эмиттера |
|
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) E. Emitter cut-off current F. Courant residue! de 1 ’’emetteur |
^ЭБО |
4во |
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер —база и разомкнутом выводе коллектора |
|
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора D. Kollektor- Emitter- Reststrom E. Collector-emitter cut-off current F. Courant residue! du collecteur-emetteur |
rl УКЭ |
Ток в цепи коллектор — эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора—эмиттер | |
|
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom E. Base cut-off current F. Courant residue! de la base |
^БЭХ |
^ВЕХ |
Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор—эмиттер и эмиттер — база |
|
5. Критический ток биполярного транзистора |
Значение тока коллектора, при достижении которого значение f (I /г21э 1) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор—эмиттер | ||
|
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
^КЭОгр |
^(L)CEO |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
|
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Sattigungsspamiung E. Saturation collector-emitter voltage F. Tension de saturation collecteur-emetteur |
^КЭнас |
^СЕ sat |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
|
8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter-Sattigungsspamiung E. Saturation baseemitter voltage F. Tension de saturation base-emetteur |
^БЭ нас |
^ВЕ sat |
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
|
9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage F. Tension flottante emetteur-base |
^ЭБ пл |
^EBfl |
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор—база и при токе эмиттера, равном нулю |
|
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de penetration (tension de persage) |
^емк |
Urt |
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор—база |
1 При разомкнутом выводе базы /кэо, /С10; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы /кэк, /СЕ8; при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер /кэк, /С1К; при заданном обратном напряжении эмиттер — база /кэх, Icvx-
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown emitter-base voltage F. Tension de claquage emetteur-base |
^ЭБО проб |
^(BR) ЕВО |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю |
|
12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown collector-base voltage F. Tension de claquage collecteur-base |
^КБО проб |
^(BR) СВО |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю |
|
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector-emitter voltage F. Tension de claquage collecteur-emetteur |
^КЭпроК |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора | |
|
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand E. Small-signal value of the short-circuit input impedance F. Valeur de Г impedance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
hn |
hi |
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
|
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalspannungsriickwirkung E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux |
1\2 |
hi |
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
|
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalstromverstarkung E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
hi |
hi |
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току |
|
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте D. Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio F. Module du rapport de transfert direct du courant |
1 ^21э 1 |
1 ^21e 1 |
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
1 При токе базы, равном нулю, U^, цвов, f/(BR)CE0; при заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер, UK3Riwo6, 1/(BR)CER; при коротком замыкании в цепи база—эмиттер UKэк ^g, 1/(BR)CES; при заданном обратном напряжении база—эмиттер UK3X ^g, 1/(BR)CEX.
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsldtwert E. Small-signal value of the open-circuit output admittance F. Valeur de Г admittance de sortie, entree en circuit ouvert pour de petits signaux |
hi |
hi |
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току |
|
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la resistance d’entree |
hm |
h\E |
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер в схеме с общим эмиттером |
|
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung E. Static value of the forward current transfer ratio F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
hm |
hiE |
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
|
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit input admittance F. Valeur de radmittance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
* I'll |
Гп |
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
|
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalriickwirkungsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance F. Valeur de radmittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux |
* У12 |
Уп |
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе |
|
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalubertragungs-leitwert vorwarts E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance F. Valeur de radmittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
У21 |
Ун |
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
|
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора D. Betrag des Ubertragungsleitwerts vorwarts E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de radmittance de transfert direct |
l-lblj |
l-lblj |
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsldtwert E. Small-signal value of the short-circuit output admittance F. Valeur de Г admittance de sortie, entree en court-circuit pour de petits signaux |
* У 22 |
Уп |
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе |
|
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики D. Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung E. Static value of the forward transconductance F. Pente statique de transfert direct |
Упэ |
УцЕ |
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база—эмиттер при заданном напряжении коллектор—эмиттер |
|
27. Входная емкость биполярного транзистора D. Eingangskapazitat E. Input capacitance F. Capacite d’entree |
Си |
Си |
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала |
|
28. Выходная емкость биполярного транзистора D. Ausgangskapazitat E. Output capacitance F. Capacite de sortie |
С2*2 |
Cl 2 |
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала |
|
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. Riickwirkungskapazitat E. Feedback capacitance F. Capacite de couplage a reaction |
Cl*2 |
Cl 2 |
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала |
|
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der Stromverstarkung E. Cut-off frequency F. Frequence de conpure |
ftai |
Л21 |
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
|
30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz) E. Transition frequency F. Frequence de transition |
/гр |
Л |
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву |
|
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора E. Maximum frequency of oscillation F. Frequence maximale d’oscillation |
/ •'max |
/ •'max |
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
|
32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl E. Noise figure F. Facteur de bruit |
F |
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl E. Minimal noise figure F. Facteur de bruit minimum |
min |
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума | |
|
326. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Aquivalente Rauschspannung E. Equivalent noise voltage F. Tension de bruit equivalente |
иш |
ип |
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным |
|
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора Ндп. Степень насыщения E. Saturation coefficient F. Coefficient de saturation |
*нас |
*sat |
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения |
|
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstarkung E. Power gain F. Gain en puissance |
Ср |
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения | |
|
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale Leistungsverstarkung E. Optimal power gain F. Gain de puissance optimum |
^ Ропгп |
opt |
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума |
|
35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad E. Collector efficiency F. Efficacite du collocteur |
% |
fic |
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания |
|
36. Время задержки для биполярного транзистора D. Verzogerungszeit E. Delay time F. Retard a la croissance |
4ц |
ч |
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды |
|
37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance |
4р |
4 |
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды |
|
38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit E. Carrier storage time F. Retard a la decroissance |
t рас |
4 |
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
|
39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de decroissance |
ч |
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды | |
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
40. Время включения биполярного транзистора D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total d’etablissement |
t ЕКЛ |
^on |
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания |
|
41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure |
t выкл |
iff |
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения |
|
42. Сопротивление базы биполярного транзистора D. Basisbahnwiderstand E. Base intrinsic resistance F. Resistance intrinseque de base |
'к |
rbb |
Сопротивление между выводом базы и переходом база—эмиттер |
|
43. Емкость эмиттерного перехода D. Kapazitat der Emittersperrschicht E. Emitter capacitance F. Capacity emetteur |
Сэ |
Ce |
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер—база и разомкнутой коллекторной цепи |
|
44. Емкость коллекторного перехода D. Kapazitat der Kollektorsperrschicht E. Collector capacitance F. Capacite collecteur |
Ск |
Cc |
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор—база и раз-мкнутой эмиттерной цепи |
|
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора D. HF-Ruckwirkungszeitkonstante E. Collector-base time constant |
\ |
Tc |
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
|
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor |
Sn |
Sn |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
|
47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. Spannungsubertragungsfaktorriickwarts |
sh |
Sn |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
|
48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. Spannungsiibertragungsfaktor vorwatrs |
S21 |
S*n |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
|
49. Коэффициент отражения выходной |
cl |
cl |
Отношение комплексных амплитуд |
|
цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor |
J22 |
J22 |
напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
50. Постоянный ток коллектора D. Kollektorgleichstrom E. Collector (d. с.) current F. Courant continu de collecteur |
Ik |
1с |
Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
|
51. Постоянный ток эмиттера D. Emittergleichstrom E. Emitter (d. c.) current F. Courant continu d’emetteur |
h |
1е |
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
|
52. Постоянный ток базы D. Basisgleichstrom E. Base (d. c.) current F. Courant continu de base |
h |
1в |
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
|
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Saturation collector current F. Courant de saturation collecteur |
нас |
^Csat | |
|
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения E. Saturation base current F. Courant de saturation base |
Б нас |
sat | |
|
55. Импульсный ток коллектора |
I\С,и |
Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса | |
|
56. Импульсный ток эмиттера |
^Э,и |
Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса | |
|
57. Постоянное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis- Spannung E. Emitter-base (d. с.) voltage F. Tension continue emetteur-base |
&ЭБ |
Ueb |
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы |
|
58. Постоянное напряжение коллектор- |
тт2 |
Una |
Постоянное напряжение между вы- |
|
база D. Kollektor-Basis-Spannung E. Collector-base (d. c.) voltage F. Tension continue collecteur-base |
‘■'КБ |
UCB |
водами коллектора и базы |
|
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Collector-emitter (d. c.) voltage F. Tension continue collecteur-emetteur |
ulЭ |
и се |
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера |
|
60. Выходная мощность биполярного транзистора D. Ausgangsleistung E. Output power |
Р вых |
Р0иг |
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, {/ЭБ0, UEB0.
2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, U^, UCB0.
3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, (/кэо, Ucm;
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, f/K3R, t/cl;R;
при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмитгер, f/K3K, UCBS;
при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмитгер-база UKэх, Ucvx.
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Gesamtverlustleistung E. Total input power (d. c.) to all electrodes F. Puissance totale d’entree (continue) de toutes les electrodes |
р |
Рш |
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
|
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора D Mittlere Verlustleistung E. Total input power (average) to all electrodes F. Puissance totale d’entree (moyenne) de toutes les electrodes |
^СР |
Рау |
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
|
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Impulsverlustleistung F. Peak power dissipation F. Puissance dissipee de Crete |
р, |
Рм | |
|
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung E. Collector (d. c.) power dissipation F. Puissance dissipee (continue) au collecteur |
Рк |
Рс |
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
|
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора D. Mittlere Kollektorverlustleistung E. Collector (average) power dissipation F. Ruissance dissipee (moyenne) au collecteur |
Ру., ср |
Рс(АУ) |
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
|
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е Peak envelope power |
Р вых, П. О |
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами | |
|
656. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е Third order intermodulation products factor |
щ |
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |
|
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** |
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | ||
И
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора D. Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom E. Maximum collector (d. c.) current F. Courant continu de collecteur maximal |
Ac max |
A: max | |
|
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера D. Maximal zulassiger Emittergleichstrom E. Maximum emitter (d. c.) current F. Courant continu d’emetteur maximal |
A) max |
h E max | |
|
68. Максимально допустимый постоянный ток базы D. Maximal zulassiger Basisgleichstrom E. Maximum base (d. c.) current F. Courant continu de base maximal |
L Б max |
Amax | |
|
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора D. Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom E. Maximum peak collector current F. Courant de crete de collecteur maximal |
Ac, и max |
Am max | |
|
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера D. Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom E. Maximum peak emitter current F. Courant de crete d’emetteur maximal |
Аэ, и max |
4мшах | |
|
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Maximum saturation collector current F. Courant de saturation collecteur maximal |
Ac нас max |
A sat max | |
|
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения E. Maximum saturation base current F. Courant de saturation base maximal |
/c Б нас max |
A sat max | |
|
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база D. Maximal zulassige Emitter-Basis-Glei-chspannung E. Maximum emitter-base (d. c.) voltage F. Tension continue emetteur-base maximale |
АэБ max |
AiB max | |
|
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база D. Maximal zulassige Kollektor-Basic-Gleichspannung E. Maximum collector-base (d. c.) voltage F. Tension continue collecteur-base maximale |
^ КБ max |
^CB max | |
|
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер D. Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung E. Maximum collector-emitter (d. c.) voltage F. Tension continue collecteur- emetteur maximale |
АсЭтах |
Азе max | |
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение | |
|
отечествен ное |
междуна родное | ||
|
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер D. Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Impulsspannung E. Maximum peak collector-emitter voltage F. Tension de Crete collecteur-emetteur maximale |
^КЭ, и max |
^СЕМ шах | |
|
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база D Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung E. Maximum peak collector-base voltage F. Tension de Crete collector-base maximale |
КБ, и шах |
^ВМ шах | |
|
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Maximal zulassige Kollektorverlustlei-stung E. Maximum collector power dissipation (d. c.) F. Puissance dissipee au collecteur (continue) maximale |
р К max |
р С шах | |
|
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора E. Maximum collector power dissipation (average) F. Puissance dissipee au collecteur (moy-enne) maximale |
р К, ср max | ||
|
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Maximal zulassige Impulsverlustleistung E. Maximum peak power dissipation F. Puissance dissipee de Crete maximale |
Р и шах |
р М max | |
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «Ь» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «тах».
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения биполярного транзистора 40
Время выключения биполярного транзистора 41
Время задержки для биполярного транзистора 36
Время нарастания для биполярного транзистора 37
Время рассасывания для биполярного транзистора 38
Время спада для биполярного транзистора 39
Емкость биполярного транзистора входная 27
Емкость биполярного транзистора выходная 28
Емкость коллекторного перехода 44
Емкость обратной связи биполярного транзистора 28а
Емкость эмиттерного перехода 43
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора 65в
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора 656
Коэффициент насыщения биполярного транзистора 33
Коэффициент обратной передачи напряжения 47
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала 15
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора 46
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора 49
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала 16
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический 20
Коэффициент полезного действия коллектора 35
Коэффициент прямой передачи напряжения 48
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора 34
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный 34а
Коэффициент шума биполярного транзистора 32
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный 32а
Крутизна передаточной характеристики статическая 26
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая 26
Крутизна характеристики статическая 26
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте 17
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора 24
Мощность биполярного транзистора выходная 60
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная 63
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая 80
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная 61
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя 62
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная 65а
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная 64
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая 78
Мощность коллектора рассеиваемая средняя 65
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая 79
Напряжение биполярного транзистора граничное 6
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое 77
Напряжение коллектор-база постоянное 58
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое 74
Напряжение коллектор-база пробивное 12
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое 76
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное 59
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое 75
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное 13
Напряжение насыщения база-эмиттер 8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 7
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера 6
Напряжение смыкания биполярного транзистора 10
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное 326
Напряжение эмиттер-база плавающее 9
Напряжение эмиттер-база постоянное 57
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое 73
Напряжение эмиттер-база пробивное 11
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора 45
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная 21
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная 18, 25
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная 22
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная 23
Сопротивление базы биполярного транзистора 42
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное 19 Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное 14
Степень насыщения 33
Ток базы обратный 4
Ток базы постоянный 52
Ток базы постоянный в режиме насыщения 54
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый 72
Ток базы постоянный максимально допустимый 68
Ток биполярного транзистора критический 5
Ток коллектора закрытого транзистора 3
Ток коллектора импульсный 55
Ток коллектора импульсный максимально допустимый 69
Ток коллектора начальный 3
Ток коллектора обратный 1
Ток коллектора постоянный 50
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения 53
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый 71
Ток коллектора постоянный максимально допустимый 66
Ток коллектор-эмиттер обратный 3
Ток эмиттера импульсный 56
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый 70
Ток эмиттера обратный 2
Ток эмиттера постоянный 51
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый 67
Частота генерации биполярного транзистора максимальная 31
Частота коэффициента передачи тока граничная 30
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная 29
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit 39
Anstiegszeit 37
Aquivalente Rauschspannung 326
Ausgangskapazitat 28
Ausgangsleistung 60
Ausgangsreflexionsfaktor 49
Ausschaltzeit 41
Basisbahnwiderstand 42
Basis-Emitter-Reststrom 4
Basis- Emitter- Sattigungsspannung 8
Basisgleichstrom 52
Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF 17
Betrag des Ubertragungsleitwertes vorwarts 24
Eingangskapazitat 27
Eingangsreflexionsfaktor 46
Einschaltzeit 40
Emitter-Basis-Durchbruchspannung 11
Emitter-Basis-Spannung 57
Emittergleichstrom 51
Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) 2
Gesamtverlustleistung 61
Gleichstrom-Kollektorverlustleistung 64
Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung 20
Grenzfrequenz der Stromverstarkung 29
HF-Riickwirkungszeitkonstante 45
Impulsverlustleistung 63
Innerer Warmewiderstand 65a
Kapazitat der Emittersperrschicht 43
Kapazitat der Kollektorsperrschicht 44
Kleinsignalausgangsleitwert 18
Kleinsignaleingangswiderstand 14
Kleinsignalspannungsruckwirkung 15
Kleinsignalstromverstarkung 16
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung 12
Kollektor-Basis-Spannung 58
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) 13
Kollektor-Emitter-Reststrom 3
Kollektor-Emitter- Sattigungsspannung 7
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) 59
Kollektorgleichstrom 50
Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) 1
Kollektorwirkungsgrad 35
Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert 25
Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert 21
Komplexer Kleinsignalriickwirkwungsleitwert 22
Komplexer Kleinsignaliibertragungsleitwert vorwarts 23
Leistungsverstarkung 34
Maximal zulassige Emitter-Basis-Gleichspannung 73
Maximal zulassige Impulsverlustleistung 80
Maximal zulassige Kollektor-Basis-Gleichspannung 74
Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung 77
Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung 75
Maximal zulassige Kollektor- Emitter- Impulsspannung 76
Maximal zulassige Kollektorverlustleistung 78
Maximal zulassiger Basisgleichstrom 68
Maximal zulassiger Emittergleichstrom 67
Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom 70
Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom 66
Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom 69
Minimale Rauschzahl 32a
Mittlere Kollektorverlustleistung 65
Mittlere Verlustleistung 62
Optimale Leistungsverstarkung 34a
Rauschzahl 32
Riickwirkungskapazitat 28a
Spannungsubertragungsfaktor riickwarts 47
Spannungsiibertragungsfaktor vorwarts 48
Speicherzeit 38
Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung 26
Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz) 30
Verzogerungszeit 36
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Base cut-off current 4
Base (d. c.) current 52
Base intrinsic resistance 42
Breakdown collector-base voltage 12
Breakdown collector-emitter voltage 13
Breakdown emitter-base voltage 11
Carrier storage time 38
Collector (average) power dissipation 65
Collector-base (d. c.) voltage 58
Collector-base time constant 45
Collector capacitance 44
Collector cut-off current 1
Collector (d. c.) current 50
Collector (d.c.) power dissipation 64
Collector efficiency 35
Collector-emitter cut-off current 3
Collector-emitter (d. c.) voltage 59
Cut-off frequency 29
Delay time 36
Emitter-base (d. c.) voltage 57
Emitter capacitance 43
Emitter cut-off current 2
Emitter (d. c.) current 51
Equivalent noise voltage 326
Fall time 39
Feedback capacitance 28a
Fifth order intermodulation products factor 65a
Floating emitter-base voltage 9
Input capacitance 27
Maximum base (d. c.) current 68
Maximum collector-base (d. c.) voltage 74
Maximum collector (d. c.) current 66
Maximum collector-emitter (d. c.) voltage 75
Maximum collector power dissipation (average) 79
Maximum collector power dissipation (d.c.) 78
Maximum emitter-base (d. c.) voltage 73
Maximum emitter (d. c.) current 67
Maximum frequency of oscillation 31
Maximum peak collector-base voltage 77
Maximum peak collector current 69
Maximum peak collector-emitter voltage 76
Maximum peak emitter current 70
Maximum peak power dissipation 80
Maximum saturation base current 72
Maximum saturation collector current 71
Minimal noise figure 32a
Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio 17
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance 24
Noise figure 32
Optimal power gain 34a
Output capacitance 28
Output power 60
Peak envelope power 65a
Peak power dissipation 63
Power gain 34
Punch-through (penetration) voltage 10
Rise time 37
Saturation base current 54
Saturation base-emitter voltage 8
Saturation coefficient 33
Saturation collector current 53
Saturation collector-emitter voltage 7
Small-signal value of the open-circuit output admittance 18
Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio 15
Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio 16
Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance 23
Small-signal value of the short-circuit input admittance 21
Small-signal value of the short-circuit input impedance 14
Small-signal value of the short-circuit output admittance 25
Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance 22
Static value of the forward current transfer ratio 20
Static value of the forward transconductance 26
Static value of the input resistance 19
Third order intermodulation products factor 656
Total input power (average) to all electrodes 62
Total input power (d. c.) to all electrodes 61
Transition frequency 30
Turn-off time 41
Tum-on time 40
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Capacity collecteur 44
Capacity emetteur 43
Capacity de couplage a reaction 28a
Capacity d’entree 27
Capacity de sortie 28
Coefficient de saturation 33
Courant continu de base 52
Courant continu de base maximal 68
Courant continu de collecteur 50
Courant continu de collecteur maximal 66
Courant continu d'’emetteur 51
Courant continu d'’emetteur maximal 67
Courant de crete de collecteur maximal 69
Courant de crete d”emetteur maximal 70
Courant de saturation base 54
Courant de saturation base maximal 72
Courant de saturation collecteur 53
Courant de saturation collecteur maximal 71
Courant residue! de la base 4
Courant residue! de 1’emetteur 2
Courant residue! du collecteur 1
Courant residue! du collecteur-emetteur 3
Efficacite du collecteur 35
Facteur de bruit 32
Facteur de bruit minimum 32a
Frequence de coupure 29
Frequence de transition 30
Frequence maximale d’escillation 31
Gain de puissance optimum 34a
Gain en puissance 34
Module de l’admittance de transfert direct 24
Module de rapport de transfert direct du courant 17
Pente statique de transfert direct 26
Retard a la croissance 36
Retard a la decroissance 38
Pesistance intrinseque de base 42
Puissage dissipee au collecteur (continue) maximale 78
Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale 79
Puissance dissipee (continue) au collecteur 64
Puissance dissipee de Crete 63
Puissance dissipee de Crete maximale 80
Puissance dissipee (moyenne) au collecteur 65
Puissance totale d’entree (continue) de toutes les electrodes 61
Puissance totale d’entree (moyenne) de toutes les electrodes 62
Temps de croissance 37
Temps de decroissance 39
Temps total de coupure 41
Temps total d’etablissement 40
Tension continue collecteur-base 58
Tension continue collecteur-base maximale 74
Tension continue collecteur-emetteur 59
Tension continue collecteur-emetteur maximale 75
Tension continue emetteur-base 57
Tension continue emetteur-base maximale 73
Tension de bruit equivalente 326
Tension de claquage collecteur-base 12
Tension de claquage collecteur-emetteur 13
Tension de claquage emetteur-base 11
Tension de Crete collecteur-base maximale 77
Tension de Crete collecteur-emetteur maximale 76
Tension de penetration (tension de persage) 10
Tension de saturation base-emetteur 8
Tension de saturation collecteur-emetteur 7
Tension flottante emetteur-base 9
Valeur de T’admittance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux 21
Valeur de T’admittance de sortie, entree en circuit ouvert pour de petits signaux 18
Valeur de Г’admittance de sortie, entree en courant-citcuit pour de petits signaux 25
Valeur le Г’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux 23
Valeur de T’admittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux 22
Valeur de Г’impedance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux 14
Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux 16
Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux 15
Valeur statique de la resistance d’entree 19
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant 20
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).