МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
| ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения параметров Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols | ГОСТ |
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена
01.07.75
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона tвкл.ст; время включения биполярного транзистора tвкл.б.т; время включения полевого транзистора tвкл.п.т.
| Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
| отечественное | международное | ||
| 1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) E. Collector cut-off current F. Courant résiduel du collecteur | IКБО | IСВО | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
| 2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) E. Emitter cut-off current F. Courant résiduel de l’émetteur | IЭБО | IЕВО | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора |
| 3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора D. Kollektor- Emitter- Reststrom E. Collector-emitter cut-off current F. Courant résiduel du collecteur-émetteur |
| - | Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер |
| 1 При разомкнутом выводе базы IКЭО, IСЕO; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER; при заданном обратном напряжении эмиттер-база Iкэх, IСЕХ. | |||
| 4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom E. Base cut-off current F. Courant résiduel de la base | IБЭХ | IВЕХ | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база |
| 5. Критический ток биполярного транзистора | Iкр | Значение тока коллектора, при достижении которого значение fгр (|h21э|) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |
| 6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | UКЭОгр | U(L)CEO | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
| 7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung E. Saturation collector-emitter voltage F. Tension de saturation collecteur-émetteur | UКЭнас | UCЕsat | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
| 8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung E. Saturation baseemitter voltage F. Tension de saturation base-émetteur | UБЭнас | UВЕsat | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
| 9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage F. Tension flottante émetteur-base | UЭБпл | UЕВfl | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю |
| 10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de pénétration (tension de persage) | Ucмк | Upt | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база |
| 11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown emitter-base voltage F. Tension de claquage émetteur-base | UЭБОпроб | U(BR)ЕВО | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю |
| 12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown collector-base voltage F. Tension de claquage collecteur-base | UКБОпроб | U(BR)СВО | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю |
| 13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector-emitter voltage F. Tension de claquage collecteur-émetteur |
| - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора |
| 1 При токе базы, равном нулю, UКЭОпроб, U(BR)СВО; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭRпроб, U(BR)СER; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер UКЭКпроб, U(BR)СES; при заданном обратном напряжении база-эмиттер UКЭXпроб, U(BR)СEX. | |||
| 14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand E. Small-signal value of the short-circuit input impedance F. Valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux | h*11 | h11 | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
| 15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalspannungsrückwirkung E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux | h*12 | h12 | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
| 16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalstromverstärkung E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | h*21 | h21 | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току |
| 17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio F. Module du rapport de transfert direct du courant | |h21э| | |h21е| | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
| 18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert E. Small-signal value of the open-circuit output admittance F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux | h*22 | h22 | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току |
| 19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la résistance d’entrée | h11Э | h11Е | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером |
| 20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung E. Static value of the forward current transfer ratio F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | h21Э | h21Е | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
| 21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit input admittance F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux | y*11 | y11 | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
| 22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux | y*12 | y12 | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе |
| 23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | y*21 | y21 | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
| 24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de l’admittance de transfert direct | |y21э| | |y21е| | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
| 25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit output admittance F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux | y*22 | y22 | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе |
| 26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung E. Static value of the forward transconductance F. Pente statique de transfert direct | y21Э | y21Е | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
| 27. Входная емкость биполярного транзистора D. Eingangskapazität E. Input capacitance F. Capacité d’entrée | С*11 | С11 | Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала |
| 28. Выходная емкость биполярного транзистора D. Ausgangskapazität E. Output capacitance F. Capacité de sortie | С*22 | С22 | Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала |
| 28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. Rückwirkungskapazität E. Feedback capacitance F. Capacité de couplage à réaction | С*12 | С*12 | Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала |
| 29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung E. Cut-off frequency F. Fréquence de conpure | fh21 | fh21 | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
| 30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) E. Transition frequency F. Fréquence de transition | fгр | fт | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву |
| 31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора E. Maximum frequency of oscillation F. Fréquence maximale d’oscillation | fmax | fmax | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
| 32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl E. Noise figure F. Facteur de bruit | Kш | F | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
| 32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl E. Minimal noise figure F. Facteur de bruit minimum | Kшmin | Fmin | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума |
| 32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Äquivalente Rauschspannung E. Equivalent noise voltage F. Tension de bruit équivalente | Uш | Un | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным |
| 33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора Ндп. Степень насыщения E. Saturation coefficient F. Coefficient de saturation | Кнас | Кsat | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения |
| 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance | КyP | GP | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения |
| 34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale Leistungsverstärkung E. Optimal power gain F. Gain de puissance optimum | КyPonm | GPopt | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума |
| 35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad E. Collector efficiency F. Efficacité du collocteur | ηK | ηC | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания |
| 36. Время задержки для биполярного транзистора D. Verzögerungszeit E. Delay time F. Retard à la croissance | tзд | td | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды |
| 37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance | tнр | tr | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды |
| 38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit E. Carrier storage time F. Retard à la décroissance | tрас | ts | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
| 39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de décroissance | tсп | tf | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды |
| 40. Время включения биполярного транзистора D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total d'établissement | tвкл | ton | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания |
| 41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure | tвыкл | toff | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения |
| 42. Сопротивление базы биполярного транзистора D. Basisbahnwiderstand E. Base intrinsic resistance F. Résistance intrinséque de base | r'K | r'bb | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер |
| 43. Емкость эмиттерного перехода D. Kapazität der Emittersperrschicht E. Emitter capacitance F. Capacité émetteur | Cэ | Cе | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи |
| 44. Емкость коллекторного перехода D. Kapazität der Kollektorsperrschicht E. Collector capacitance F. Capacité collecteur | Cк | Cс | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи |
| 45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора D. HF-Rückwirkungszeitkonstante E. Collector-base time constant | ts | tc | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
| 46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor | S*11 | S*11 | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts | S*12 | S*12 | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. Spannungsübertragungsfaktor vorwätrs | S*21 | S*21 | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor | S*22 | S*22 | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 50. Постоянный ток коллектора D. Kollektorgleichstrom E. Collector (d.с.) current F. Courant continu de collecteur | IK | IC | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
| 51. Постоянный ток эмиттера D. Emittergleichstrom E. Emitter (d.c.) current F. Courant continu d’emetteur | IЭ | IЕ | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
| 52. Постоянный ток базы D. Basisgleichstrom E. Base (d.c.) current F. Courant continu de base | IБ | IВ | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
| 53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Saturation collector current F. Courant de saturation collecteur | IKнас | ICsat | - |
| 54. Постоянный ток базы в режиме насыщения E. Saturation base current F. Courant de saturation base | IБнас | IBsat | - |
| 55. Импульсный ток коллектора | IK,и | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса |
| 56. Импульсный ток эмиттера | IЭ,и | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса |
| 57. Постоянное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Spannung E. Emitter-base (d.с.) voltage F. Tension continue émetteur-base | U1ЭБ | U1ЕБ | Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы |
| 58. Постоянное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Spannung E. Collector-base (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-base | U2КБ | U2СВ | Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы |
| 59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Collector-emitter (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-émetteur | U3КЭ | U3СЕ | Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера |
| 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0. 3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UKЭR, UCЕR. при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UкэК, UCЕS; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база UКЭХ, UCЕX. | |||
| 60. Выходная мощность биполярного транзистора D. Ausgangsleistung E. Output power | Рвых | Рout | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
| 61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Gesamtverlustleistung E. Total input power (d.c.) to all electrodes F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes | Р | Рtot | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
| 62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора D Mittlere Verlustleistung E. Total input power (average) to all electrodes F. Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes | Рср | РAV | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
| 63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Impulsverlustleistung E. Peak power dissipation F. Puissance dissipée de crète | Ри | РМ | - |
| 64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung E. Collector (d.c.) power dissipation F. Puissance dissipée (continue) au collecteur | РК | РС | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
| 65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора D. Mittlere Kollektorverlustleistung E. Collector (average) power dissipation F. Ruissance dissipée (moyenne) au collecteur | РК.ср | Рс(AV) | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
| 65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е Peak envelope power | Рвых,п.о | Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами | |
| 65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е Third order intermodulation products factor | М3 | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |
| 65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** | М5 | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |
| 66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора D. Maximal zulässiger Kollektorgleichstrom E. Maximum collector (d.с.) current F. Courant continu de collecteur maximal | IКmax | IСmax | - |
| 67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom E. Maximum emitter (d.c.) current F. Courant continu d’emetteur maximal | IЭmax | IЕmax | - |
| 68. Максимально допустимый постоянный ток базы D. Maximal zulässiger Basisgleichstrom E. Maximum base (d.c.) current F. Courant continu de base maximal | IБmax | IВmax | - |
| 69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора D. Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom E. Maximum peak collector current F. Courant de crête de collecteur maximal | IК,и max | IСМmax | - |
| 70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom E. Maximum peak emitter current F. Courant de crête d’emetteur maximal | IЭ,и max | IЕМmax | - |
| 71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Maximum saturation collector current F. Courant de saturation collecteur maximal | IК нас max | IС sat max | - |
| 72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения E. Maximum saturation base current F. Courant de saturation base maximal | IБ нас max | IВ sat max | - |
| 73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage F. Tension continue émetteur-base maximale | IЭБ max | IЕВ max | - |
| 74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung E. Maximum collector-base (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-base maximale | UКБ max | UСВ max | - |
| 75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-émetteur maximale | UКЭ max | UСЕ max | - |
| 76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung E. Maximum peak collector-emitter voltage F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale | UКЭ, и max | UСЕМ max | - |
| 77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung E. Maximum peak collector-base voltage F. Tension de crête collector-base maximale | UКБ, и max | UСВМ max | - |
| 78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung E. Maximum collector power dissipation (d.c.) F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale | РК max | РC max | - |
| 79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора E. Maximum collector power dissipation (average) F. Puissance dissipée au collecteur (moyenne) maximale | РК, ср max | - | - |
| 80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung E. Maximum peak power dissipation F. Puissance dissipée de crête maximale | Ри max | РМ max | - |
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
| Время включения биполярного транзистора | 40 |
| Время выключения биполярного транзистора | 41 |
| Время задержки для биполярного транзистора | 36 |
| Время нарастания для биполярного транзистора | 37 |
| Время рассасывания для биполярного транзистора | 38 |
| Время спада для биполярного транзистора | 39 |
| Емкость биполярного транзистора входная | 27 |
| Емкость биполярного транзистора выходная | 28 |
| Емкость коллекторного перехода | 44 |
| Емкость обратной связи биполярного транзистора | 28а |
| Емкость эмиттерного перехода | 43 |
| Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора | 65в |
| Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора | 65б |
| Коэффициент насыщения биполярного транзистора | 33 |
| Коэффициент обратной передачи напряжения | 47 |
| Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 15 |
| Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора | 46 |
| Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора | 49 |
| Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 16 |
| Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический | 20 |
| Коэффициент полезного действия коллектора | 35 |
| Коэффициент прямой передачи напряжения | 48 |
| Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | 34 |
| Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный | 34а |
| Коэффициент шума биполярного транзистора | 32 |
| Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный | 32а |
| Крутизна передаточной характеристики статическая | 26 |
| Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая | 26 |
| Крутизна характеристики статическая | 26 |
| Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | 17 |
| Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | 24 |
| Мощность биполярного транзистора выходная | 60 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная | 63 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 80 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная | 61 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя | 62 |
| Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная | 65а |
| Мощность коллектора рассеиваемая постоянная | 64 |
| Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 78 |
| Мощность коллектора рассеиваемая средняя | 65 |
| Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая | 79 |
| Напряжение биполярного транзистора граничное | 6 |
| Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое | 77 |
| Напряжение коллектор-база постоянное | 58 |
| Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое | 74 |
| Напряжение коллектор-база пробивное | 12 |
| Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое | 76 |
| Напряжение коллектор-эмиттер постоянное | 59 |
| Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое | 75 |
| Напряжение коллектор-эмиттер пробивное | 13 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 8 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 7 |
| Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | 6 |
| Напряжение смыкания биполярного транзистора | 10 |
| Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное | 32б |
| Напряжение эмиттер-база плавающее | 9 |
| Напряжение эмиттер-база постоянное | 57 |
| Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое | 73 |
| Напряжение эмиттер-база пробивное | 11 |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | 45 |
| Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная | 21 |
| Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная | 18, 25 |
| Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 22 |
| Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 23 |
| Сопротивление базы биполярного транзистора | 42 |
| Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное | 19 |
| Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное | 14 |
| Степень насыщения | 33 |
| Ток базы обратный | 4 |
| Ток базы постоянный | 52 |
| Ток базы постоянный в режиме насыщения | 54 |
| Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 72 |
| Ток базы постоянный максимально допустимый | 68 |
| Ток биполярного транзистора критический | 5 |
| Ток коллектора закрытого транзистора | 3 |
| Ток коллектора импульсный | 55 |
| Ток коллектора импульсный максимально допустимый | 69 |
| Ток коллектора начальный | 3 |
| Ток коллектора обратный | 1 |
| Ток коллектора постоянный | 50 |
| Ток коллектора постоянный в режиме насыщения | 53 |
| Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 71 |
| Ток коллектора постоянный максимально допустимый | 66 |
| Ток коллектор-эмиттер обратный | 3 |
| Ток эмиттера импульсный | 56 |
| Ток эмиттера импульсный максимально допустимый | 70 |
| Ток эмиттера обратный | 2 |
| Ток эмиттера постоянный | 51 |
| Ток эмиттера постоянный максимально допустимый | 67 |
| Частота генерации биполярного транзистора максимальная | 31 |
| Частота коэффициента передачи тока граничная | 30 |
| Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная | 29 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
| Abfallzeit | 39 |
| Anstiegszeit | 37 |
| Aquivalente Rauschspannung | 32б |
| Ausgangskapazität | 28 |
| Ausgangsleistung | 60 |
| Ausgangsreflexionsfaktor | 49 |
| Ausschaltzeit | 41 |
| Basisbahnwiderstand | 42 |
| Basis-Emitter-Reststrom | 4 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung | 8 |
| Basisgleichstrom | 52 |
| Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF | 17 |
| Betrag des Übertragungsleitwertes vorwärts | 24 |
| Eingangskapazität | 27 |
| Eingangsreflexionsfaktor | 46 |
| Einschaltzeit | 40 |
| Emitter-Basis-Durchbruchspannung | 11 |
| Emitter-Basis- Spannung | 57 |
| Emittergleichstrom | 51 |
| Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) | 2 |
| Gesamtverlustleistung | 61 |
| Gleichstrom-Kollektorverlustleistung | 64 |
| Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung | 20 |
| Grenzfrequenz der Stromverstärkung | 29 |
| HF-Rückwirkungszeitkonstante | 45 |
| Impulsverlustleistung | 63 |
| Innerer Wärmewiderstand | 65а |
| Kapazität der Emittersperrschicht | 43 |
| Kapazität der Kollektorsperrschicht | 44 |
| Kleinsignalausgangsleitwert | 18 |
| Kleinsignaleingangswiderstand | 14 |
| Kleinsignalspannungsrückwirkung | 15 |
| Kleinsignalstromverstärkung | 16 |
| Kollektor-Basis-Durchbrachspannung | 12 |
| Kollektor-Basis-Spannung | 58 |
| Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | 13 |
| Kollektor-Emitter-Reststrom | 3 |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung | 7 |
| Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | 59 |
| Kollektorgleichstrom | 50 |
| Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) | 1 |
| Kollektorwirkungsgrad | 35 |
| Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert | 25 |
| Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert | 21 |
| Komplexer Kleinsignalrückwirkwungsleitwert | 22 |
| Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts | 23 |
| Leistungsverstärkung | 34 |
| Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung | 73 |
| Maximal zulässige Impulsverlustleistung | 80 |
| Maximal zulässige Kollektor-Basis-Gleichspannung | 74 |
| Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung | 77 |
| Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung | 75 |
| Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung | 76 |
| Maximal zulässige Kollektorverlustleistung | 78 |
| Maximal zulässiger Basisgleichstrom | 68 |
| Maximal zulässiger Emittergleichstrom | 67 |
| Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom | 70 |
| Maximal zulässiger Kollektorgleichstrom | 66 |
| Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom | 69 |
| Minimale Rauschzahl | 32а |
| Mittlere Kollektorverlustleistung | 65 |
| Mittlere Verlustleistung | 62 |
| Optimale Leistungsverstärkung | 34а |
| Rauschzahl | 32 |
| Rückwirkungskapazität | 28а |
| Spannungsübertragungsfaktor rückwärts | 47 |
| Spannungsübertragungsfaktor vorwärts | 48 |
| Speicherzeit | 38 |
| Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung | 26 |
| Ubergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) | 30 |
| Verzögerungszeit | 36 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
| Base cut-off current | 4 |
| Base (d.с.) current | 52 |
| Base intrinsic resistance | 42 |
| Breakdown collector-base voltage | 12 |
| Breakdown collector-emitter voltage | 13 |
| Breakdown emitter-base voltage | 11 |
| Carrier storage time | 38 |
| Collector (average) power dissipation | 65 |
| Collector-base (d.c.) voltage | 58 |
| Collector-base time constant | 45 |
| Collector capacitance | 44 |
| Collector cut-off current | 1 |
| Collector (d.c.) current | 50 |
| Collector (d.c.) power dissipation | 64 |
| Collector efficiency | 35 |
| Collector-emitter cut-off current | 3 |
| Collector-emitter (d.c.) voltage | 59 |
| Cut-off frequency | 29 |
| Delay time | 36 |
| Emitter-base (d.c.) voltage | 57 |
| Emitter capacitance | 43 |
| Emitter cut-off current | 2 |
| Emitter (d.c.) current | 51 |
| Equivalent noise voltage | 32а |
| Fall time | 39 |
| Feedback capacitance | 28а |
| Fifth order intermodulation products factor | 65а |
| Floating emitter-base voltage | 9 |
| Input capacitance | 27 |
| Maximum base (d.c.) current | 68 |
| Maximum collector-base (d.c.) voltage | 74 |
| Maximum collector (d.c.) current | 66 |
| Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | 75 |
| Maximum collector power dissipation (average) | 79 |
| Maximum collector power dissipation (d.c.) | 78 |
| Maximum emitter-base (d.c.) voltage | 73 |
| Maximum emitter (d.c.) current | 67 |
| Maximum frequency of oscillation | 31 |
| Maximum peak collector-base voltage | 77 |
| Maximum peak collector current | 69 |
| Maximum peak collector-emitter voltage | 76 |
| Maximum peak emitter current | 70 |
| Maximum peak power dissipation | 80 |
| Maximum saturation base current | 72 |
| Maximum saturation collector current | 71 |
| Minimal noise figure | 32а |
| Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | 17 |
| Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | 24 |
| Noise figure | 32 |
| Optimal power gain | 34а |
| Output capacitance | 28 |
| Output power | 60 |
| Peak envelope power | 65а |
| Peak power dissipation | 63 |
| Power gain | 34 |
| Punch-through (penetration) voltage | 10 |
| Rise time | 37 |
| Saturation base current | 54 |
| Saturation base-emitter voltage | 8 |
| Saturation coefficient | 33 |
| Saturation collector current | 53 |
| Saturation collector-emitter voltage | 7 |
| Small-signal value of the open-circuit output admittance | 18 |
| Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | 15 |
| Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | 16 |
| Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | 23 |
| Small-signal value of the short-circuit input admittance | 21 |
| Small-signal value of the short-circuit input impedance | 14 |
| Small-signal value of the short-circuit output admittance | 25 |
| Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | 22 |
| Static value of the forward current transfer ratio | 20 |
| Static value of the forward transconductance | 26 |
| Static value of the input resistance | 19 |
| Third order intermodulation products factor | 65б |
| Total input power (average) to all electrodes | 62 |
| Total input power (d.c.) to all electrodes | 61 |
| Transition frequency | 30 |
| Turn-off time | 41 |
| Turn-on time | 40 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
| Capacité collecteur | 44 |
| Capacité émetteur | 43 |
| Capacité de couplage à réaction | 28а |
| Capacité d’entrée | 27 |
| Capacité de sortie | 28 |
| Coefficient de saturation | 33 |
| Courant continu de base | 52 |
| Courant continu de base maximal | 68 |
| Courant continu de collecteur | 50 |
| Courant continu de collecteur maximal | 66 |
| Courant continu d’émetteur | 51 |
| Courant continu d’émetteur maximal | 67 |
| Courant de crête de collecteur maximal | 69 |
| Courant de crête d’émetteur maximal | 70 |
| Courant de saturation base | 54 |
| Courant de saturation base maximal | 72 |
| Courant de saturation collecteur | 53 |
| Courant de saturation collecteur maximal | 71 |
| Courant résiduel de la base | 4 |
| Courant résiduel de l’émetteur | 2 |
| Courant residuel du collecteur | 1 |
| Courant résiduel du collecteur-émetteur | 3 |
| Efficacité du collecteur | 35 |
| Facteur de bruit | 32 |
| Facteur de bruit minimum | 32а |
| Fréquence de coupure | 29 |
| Fréquence de transition | 30 |
| Fréquence maximale descillation | 31 |
| Gain de puissance optimum | 34а |
| Gain en puissance | 34 |
| Module de l’admittance de transfert direct | 24 |
| Module de rapport de transfert direct du courant | 17 |
| Pente statique de transfert direct | 26 |
| Retard à la croissance | 36 |
| Retard à la décroissance | 38 |
| Pésistance intrinséque de base | 42 |
| Puissage dissipée au collecteur (continue) maximale | 78 |
| Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale | 79 |
| Puissance dissipée (continue) au collecteur | 64 |
| Puissance dissipée de crête | 63 |
| Puissance dissipée de crête maximale | 80 |
| Puissance dissipée (moyenne) au collecteur | 65 |
| Puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes | 61 |
| Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes | 62 |
| Temps de croissance | 37 |
| Temps de décroissance | 39 |
| Temps total de coupure | 41 |
| Temps total d’établissement | 40 |
| Tension continue collecteur-base | 58 |
| Tension continue collecteur-base maximale | 74 |
| Tension continue collecteur-émetteur | 59 |
| Tension continue collecteur-émetteur maximale | 75 |
| Tension continue émetteur-base | 57 |
| Tension continue émetteur-base maximale | 73 |
| Tension de bruit équivalente | 32б |
| Tension de claquage collecteur-base | 12 |
| Tension de claquage collecteur-émetteur | 13 |
| Tension de claquage émetteur-base | 11 |
| Tension de crête collecteur-base maximale | 77 |
| Tension de crête collecteur-émetteur maximale | 76 |
| Tension de pénétration (tension de persage) | 10 |
| Tension de saturation base-émetteur | 8 |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 7 |
| Tension flottante émetteur-base | 9 |
| Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 21 |
| Valeur de l’admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux | 18 |
| Valeur de l’admittance de sortie, entrée en courant-citcuit pour de petits signaux | 25 |
| Valeur le l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 23 |
| Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux | 22 |
| Valeur de l’impedance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 14 |
| Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | 16 |
| Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux | 15 |
| Valeur statique de la résistance d’entrée | 19 |
| Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | 20 |
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).