allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Обозначение:
ГОСТ 20003-74
Наименование:
Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Статус:
Действует
Дата введения:
06/30/1975
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.080.30

Текст ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров



НАЦИОНАЛЬНЫЕ

СТАНДАРТЫ

ЭЛЕКТРОНИКА

Термины и определения

Часть 2

Издание официальное

Москва

Стандартинформ

2005

УДК 001.4:621:006.354

ОТ ИЗДАТЕЛЬСТВА

Сборник «Электроника. Термины и определения. Часть 2» содержит стандарты, утвержденные до 1 мая 2005 г.

В стандарты внесены изменения, принятые до указанного срока.

Текущая информация о вновь утвержденных и пересмотренных стандартах, а также о принятых к ним изменениях публикуется в выпускаемом ежемесячно информационном указателе «Национальные стандарты».

© Стандартинформ, 2005

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ

Группа Э00 СТАНДАРТ

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols

ГОСТ

20003-74

МКС 01.040.31 31.080.30 ОКСТУ 6201

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена

01.07.75

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770—80.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.

В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины — курсивом.

Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ?вкл ст; время включения биполярного транзистора ?вкл б. т; время включения полевого транзистора ?вкл п.т.

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

Издание с Изменениями № 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985г. (ИУС12—82, 9—85).

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

1. Обратный ток коллектора

D.    Kollektorreststrom (bei ofFenem Emitter)

E.    Collector cut-off current

F.    Courant residue! du collecteur

Лево

^сво

Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор — база и разомкнутом выводе эмиттера

2. Обратный ток эмиттера

D.    Emitterreststrom (bei offenem Kollektor)

E.    Emitter cut-off current

F.    Courant residue! de 1 ’’emetteur

^ЭБО

4во

Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер —база и разомкнутом выводе коллектора

3. Обратный ток коллектор-эмиттер

Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора

D.    Kollektor- Emitter- Reststrom

E.    Collector-emitter cut-off current

F.    Courant residue! du collecteur-emetteur

rl

УКЭ

Ток в цепи коллектор — эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора—эмиттер

4. Обратный ток базы

D.    Basis-Emitter-Reststrom

E.    Base cut-off current

F.    Courant residue! de la base

^БЭХ

^ВЕХ

Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор—эмиттер и эмиттер — база

5. Критический ток биполярного транзистора

Значение тока коллектора, при достижении которого значение f (I /г21э 1) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор—эмиттер

6. Граничное напряжение биполярного транзистора

Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера

^КЭОгр

^(L)CEO

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера

7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

D.    Kollektor-Emitter-Sattigungsspamiung

E.    Saturation collector-emitter voltage

F.    Tension de saturation collecteur-emetteur

^КЭнас

^СЕ sat

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

8. Напряжение насыщения база-эмиттер

D.    Basis-Emitter-Sattigungsspamiung

E.    Saturation baseemitter voltage

F.    Tension de saturation base-emetteur

^БЭ нас

^ВЕ sat

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

9. Плавающее напряжение эмиттер-база

E.    Floating emitter-base voltage

F.    Tension flottante emetteur-base

^ЭБ пл

^EBfl

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор—база и при токе эмиттера, равном нулю

10. Напряжение смыкания биполярного транзистора

E.    Punch-through (penetration) voltage

F.    Tension de penetration (tension de persage)

^емк

Urt

Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор—база

1 При разомкнутом выводе базы /кэо, /С10; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы /кэк, /СЕ8; при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер /кэк, /С1К; при заданном обратном напряжении эмиттер — база /кэх, Icvx-

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

11. Пробивное напряжение эмиттер-база

D.    Emitter-Basis-Durchbruchspannung

E.    Breakdown emitter-base voltage

F.    Tension de claquage emetteur-base

^ЭБО проб

^(BR) ЕВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D.    Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

E.    Breakdown collector-base voltage

F.    Tension de claquage collecteur-base

^КБО проб

^(BR) СВО

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер

D.    Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen

Bedingungen)

E.    Breakdown collector-emitter voltage

F.    Tension de claquage collecteur-emetteur

^КЭпроК

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора

14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Kleinsignaleingangswiderstand

E.    Small-signal value of the short-circuit input impedance

F.    Valeur de Г impedance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

hn

hi

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора

15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Kleinsignalspannungsriickwirkung

E.    Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio

F.    Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux

1\2

hi

Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току

16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Kleinsignalstromverstarkung

E.    Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio

F.    Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux

hi

hi

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току

17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

D.    Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF

E.    Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio

F.    Module du rapport de transfert direct du courant

1 ^21э 1

1 ^21e 1

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте

1 При токе базы, равном нулю, U^, цвов, f/(BR)CE0; при заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер, UK3Riwo6, 1/(BR)CER; при коротком замыкании в цепи база—эмиттер UKэк ^g, 1/(BR)CES; при заданном обратном напряжении база—эмиттер UK3X ^g, 1/(BR)CEX.

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Kleinsignalausgangsldtwert

E.    Small-signal value of the open-circuit output admittance

F.    Valeur de Г admittance de sortie, entree

en circuit ouvert pour de petits signaux

hi

hi

Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току

19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

E.    Static value of the input resistance

F.    Valeur statique de la resistance d’entree

hm

h\E

Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер в схеме с общим эмиттером

20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора

D.    Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung

E.    Static value of the forward current transfer ratio

F.    Valeur statique du rapport de transfert direct du courant

hm

hiE

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером

21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert

E.    Small-signal value of the short-circuit input admittance

F.    Valeur de radmittance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux

*

I'll

Гп

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Komplexer

Kleinsignalriickwirkungsleitwert

E.    Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

F.    Valeur de radmittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux

*

У12

Уп

Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе

23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Komplexer Kleinsignalubertragungs-leitwert vorwarts

E.    Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

F.    Valeur de radmittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux

У21

Ун

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе

24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора

D.    Betrag des Ubertragungsleitwerts vorwarts

E.    Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F.    Module de radmittance de transfert direct

l-lblj

l-lblj

Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Komplexer Kleinsignalausgangsldtwert

E.    Small-signal value of the short-circuit output admittance

F.    Valeur de Г admittance de sortie, entree en court-circuit pour de petits signaux

*

У 22

Уп

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики

D.    Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung

E.    Static value of the forward transconductance

F.    Pente statique de transfert direct

Упэ

УцЕ

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база—эмиттер при заданном напряжении коллектор—эмиттер

27. Входная емкость биполярного транзистора

D.    Eingangskapazitat

E.    Input capacitance

F.    Capacite d’entree

Си

Си

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D.    Ausgangskapazitat

E.    Output capacitance

F.    Capacite de sortie

С2*2

Cl 2

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора

D.    Riickwirkungskapazitat

E.    Feedback capacitance

F.    Capacite de couplage a reaction

Cl*2

Cl 2

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

D.    Grenzfrequenz der Stromverstarkung

E.    Cut-off frequency

F.    Frequence de conpure

ftai

Л21

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D.    Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz)

E.    Transition frequency

F.    Frequence de transition

/гр

Л

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора

E.    Maximum frequency of oscillation

F.    Frequence maximale d’oscillation

/

•'max

/

•'max

Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D.    Rauschzahl

E.    Noise figure

F.    Facteur de bruit

F

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора

D.    Minimale Rauschzahl

E.    Minimal noise figure

F.    Facteur de bruit minimum

min

Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума

326. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора

D.    Aquivalente Rauschspannung

E.    Equivalent noise voltage

F.    Tension de bruit equivalente

иш

ип

Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора

Ндп. Степень насыщения

E.    Saturation coefficient

F.    Coefficient de saturation

*нас

*sat

Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения

34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D.    Leistungsverstarkung

E.    Power gain

F.    Gain en puissance

Ср

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора

D.    Optimale Leistungsverstarkung

E.    Optimal power gain

F.    Gain de puissance optimum

^ Ропгп

opt

Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума

35. Коэффициент полезного действия коллектора

D.    Kollektorwirkungsgrad

E.    Collector efficiency

F.    Efficacite du collocteur

%

fic

Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания

36. Время задержки для биполярного транзистора

D.    Verzogerungszeit

E.    Delay time

F.    Retard a la croissance

ч

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D.    Anstiegszeit

E.    Rise time

F.    Temps de croissance

4

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

38. Время рассасывания для биполярного транзистора

D.    Speicherzeit

E.    Carrier storage time

F.    Retard a la decroissance

t

рас

4

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня

39. Время спада для биполярного транзистора

D.    Abfallzeit

E.    Fall time

F.    Temps de decroissance

ч

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

40. Время включения биполярного транзистора

D.    Einschaltzeit

E.    Turn-on time

F.    Temps total d’etablissement

t

ЕКЛ

^on

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

41. Время выключения биполярного транзистора

D.    Ausschaltzeit

E.    Turn-off time

F.    Temps total de coupure

t

выкл

iff

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения

42. Сопротивление базы биполярного транзистора

D.    Basisbahnwiderstand

E.    Base intrinsic resistance

F.    Resistance intrinseque de base

rbb

Сопротивление между выводом базы и переходом база—эмиттер

43. Емкость эмиттерного перехода

D.    Kapazitat der Emittersperrschicht

E.    Emitter capacitance

F.    Capacity emetteur

Сэ

Ce

Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер—база и разомкнутой коллекторной цепи

44. Емкость коллекторного перехода

D.    Kapazitat der Kollektorsperrschicht

E.    Collector capacitance

F.    Capacite collecteur

Ск

Cc

Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор—база и раз-мкнутой эмиттерной цепи

45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора

D.    HF-Ruckwirkungszeitkonstante

E.    Collector-base time constant

\

Tc

Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода

46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

D. Eingangsreflexionsfaktor

Sn

Sn

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

47. Коэффициент обратной передачи напряжения

D. Spannungsubertragungsfaktorriickwarts

sh

Sn

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

48. Коэффициент прямой передачи напряжения

D. Spannungsiibertragungsfaktor vorwatrs

S21

S*n

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

49. Коэффициент отражения выходной

cl

cl

Отношение комплексных амплитуд

цепи биполярного транзистора

D. Ausgangsreflexionsfaktor

J22

J22

напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

50. Постоянный ток коллектора

D.    Kollektorgleichstrom

E.    Collector (d. с.) current

F.    Courant continu de collecteur

Ik

Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход

51. Постоянный ток эмиттера

D.    Emittergleichstrom

E.    Emitter (d. c.) current

F.    Courant continu d’emetteur

h

Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход

52. Постоянный ток базы

D.    Basisgleichstrom

E.    Base (d. c.) current

F.    Courant continu de base

h

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод

53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E.    Saturation collector current

F.    Courant de saturation collecteur

нас

^Csat

54. Постоянный ток базы в режиме насыщения

E.    Saturation base current

F.    Courant de saturation base

Б нас

sat

55. Импульсный ток коллектора

I\С,и

Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

^Э,и

Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

D.    Emitter-Basis- Spannung

E.    Emitter-base (d. с.) voltage

F.    Tension continue emetteur-base

&ЭБ

Ueb

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

58. Постоянное напряжение коллектор-

тт2

Una

Постоянное напряжение между вы-

база

D.    Kollektor-Basis-Spannung

E.    Collector-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur-base

‘■'КБ

UCB

водами коллектора и базы

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

D.    Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E.    Collector-emitter (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur-emetteur

ulЭ

и се

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

60. Выходная мощность биполярного транзистора

D.    Ausgangsleistung

E.    Output power

Р

вых

Р0иг

Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте

1    При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, {/ЭБ0, UEB0.

2    При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, U^, UCB0.

3    При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, (/кэо, Ucm;

при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, f/K3R, t/cl;R;

при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмитгер, f/K3K, UCBS;

при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмитгер-база UKэх, Ucvx.

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D.    Gesamtverlustleistung

E.    Total input power (d. c.) to all electrodes

F.    Puissance totale d’entree (continue) de toutes les electrodes

р

Рш

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе

62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D Mittlere Verlustleistung

E.    Total input power (average) to all electrodes

F.    Puissance totale d’entree (moyenne) de toutes les electrodes

^СР

Рау

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Impulsverlustleistung F. Peak power dissipation F. Puissance dissipee de Crete

р,

Рм

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D.    Gleichstrom Kollektorverlustleistung

E.    Collector (d. c.) power dissipation

F.    Puissance dissipee (continue) au collecteur

Рк

Рс

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора

D.    Mittlere Kollektorverlustleistung

E.    Collector (average) power dissipation

F.    Ruissance dissipee (moyenne) au collecteur

Ру., ср

Рс(АУ)

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора

Е Peak envelope power

Р

вых, П. О

Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.

Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами

656. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

Е Third order intermodulation products factor

щ

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора

Е Fifth order intermodulation products factor

Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

И

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора

D.    Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom

E.    Maximum collector (d. c.) current

F.    Courant continu de collecteur maximal

Ac max

A: max

67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

D.    Maximal zulassiger Emittergleichstrom

E.    Maximum emitter (d. c.) current

F.    Courant continu d’emetteur maximal

A) max

h

E max

68. Максимально допустимый постоянный ток базы

D.    Maximal zulassiger Basisgleichstrom

E.    Maximum base (d. c.) current

F.    Courant continu de base maximal

L

Б max

Amax

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

D.    Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom

E.    Maximum peak collector current

F.    Courant de crete de collecteur maximal

Ac, и max

Am max

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

D.    Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom

E.    Maximum peak emitter current

F.    Courant de crete d’emetteur maximal

Аэ, и max

4мшах

71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E.    Maximum saturation collector current

F.    Courant de saturation collecteur maximal

Ac нас max

A sat max

72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения

E.    Maximum saturation base current

F.    Courant de saturation base maximal

/c

Б нас max

A sat max

73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

D.    Maximal zulassige Emitter-Basis-Glei-chspannung

E.    Maximum emitter-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue emetteur-base maximale

АэБ max

AiB max

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D.    Maximal zulassige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E.    Maximum collector-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur-base maximale

^ КБ max

^CB max

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D.    Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

E.    Maximum collector-emitter (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur- emetteur maximale

АсЭтах

Азе max

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен

ное

междуна

родное

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D.    Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E.    Maximum peak collector-emitter voltage

F.    Tension de Crete collecteur-emetteur maximale

^КЭ, и max

^СЕМ шах

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E.    Maximum peak collector-base voltage

F.    Tension de Crete collector-base maximale

КБ, и шах

^ВМ шах

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D.    Maximal zulassige Kollektorverlustlei-stung

E.    Maximum collector power dissipation (d. c.)

F.    Puissance dissipee au collecteur (continue) maximale

р

К max

р

С шах

79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора

E.    Maximum collector power dissipation (average)

F.    Puissance dissipee au collecteur (moy-enne) maximale

р

К, ср max

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D.    Maximal zulassige Impulsverlustleistung

E.    Maximum peak power dissipation

F.    Puissance dissipee de Crete maximale

Р

и шах

р

М max

* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «Ь» и «е» для международных обозначений.

** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «тах».

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения биполярного транзистора    40

Время выключения биполярного транзистора    41

Время задержки для биполярного транзистора    36

Время нарастания для биполярного транзистора    37

Время рассасывания для биполярного транзистора    38

Время спада для биполярного транзистора    39

Емкость биполярного транзистора входная    27

Емкость биполярного транзистора выходная    28

Емкость коллекторного перехода    44

Емкость обратной связи биполярного транзистора    28а

Емкость эмиттерного перехода    43

Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора    65в

Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора    656

Коэффициент насыщения биполярного транзистора    33

Коэффициент обратной передачи напряжения    47

Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала    15

Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора    46

Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора    49

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала    16

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический    20

Коэффициент полезного действия коллектора    35

Коэффициент прямой передачи напряжения    48

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора    34

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный    34а

Коэффициент шума биполярного транзистора    32

Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный    32а

Крутизна передаточной характеристики статическая    26

Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая    26

Крутизна характеристики статическая    26

Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте    17

Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора    24

Мощность биполярного транзистора выходная    60

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная    63

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая    80

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная    61

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя    62

Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная    65а

Мощность коллектора рассеиваемая постоянная    64

Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая    78

Мощность коллектора рассеиваемая средняя    65

Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая    79

Напряжение биполярного транзистора граничное    6

Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое    77

Напряжение коллектор-база постоянное    58

Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое    74

Напряжение коллектор-база пробивное    12

Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое    76

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное    59

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое    75

Напряжение коллектор-эмиттер пробивное    13

Напряжение насыщения база-эмиттер    8

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер    7

Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера    6

Напряжение смыкания биполярного транзистора    10

Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное    326

Напряжение эмиттер-база плавающее    9

Напряжение эмиттер-база постоянное    57

Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое    73

Напряжение эмиттер-база пробивное    11

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора    45

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная    21

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная    18, 25

Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная    22

Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная    23

Сопротивление базы биполярного транзистора    42

Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное 19 Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное    14

Степень насыщения    33

Ток базы обратный    4

Ток базы постоянный    52

Ток базы постоянный в режиме насыщения    54

Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый    72

Ток базы постоянный максимально допустимый    68

Ток биполярного транзистора критический    5

Ток коллектора закрытого транзистора    3

Ток коллектора импульсный    55

Ток коллектора импульсный максимально допустимый    69

Ток коллектора начальный    3

Ток коллектора обратный    1

Ток коллектора постоянный    50

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения    53

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый    71

Ток коллектора постоянный максимально допустимый    66

Ток коллектор-эмиттер обратный    3

Ток эмиттера импульсный    56

Ток эмиттера импульсный максимально    допустимый    70

Ток эмиттера обратный    2

Ток эмиттера постоянный    51

Ток эмиттера постоянный максимально    допустимый    67

Частота генерации биполярного транзистора максимальная    31

Частота коэффициента передачи тока граничная    30

Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная    29

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit    39

Anstiegszeit    37

Aquivalente Rauschspannung    326

Ausgangskapazitat    28

Ausgangsleistung    60

Ausgangsreflexionsfaktor    49

Ausschaltzeit    41

Basisbahnwiderstand    42

Basis-Emitter-Reststrom    4

Basis- Emitter- Sattigungsspannung    8

Basisgleichstrom    52

Betrag der Kurzschlussstromverstarkung in Emitterschaltung bei HF    17

Betrag des Ubertragungsleitwertes vorwarts    24

Eingangskapazitat    27

Eingangsreflexionsfaktor    46

Einschaltzeit    40

Emitter-Basis-Durchbruchspannung    11

Emitter-Basis-Spannung    57

Emittergleichstrom    51

Emitterrestrom (bei offenem Kollektor)    2

Gesamtverlustleistung    61

Gleichstrom-Kollektorverlustleistung    64

Gleichstromverstarkung in Emitterschaltung    20

Grenzfrequenz der Stromverstarkung    29

HF-Riickwirkungszeitkonstante    45

Impulsverlustleistung    63

Innerer Warmewiderstand    65a

Kapazitat der Emittersperrschicht    43

Kapazitat der Kollektorsperrschicht    44

Kleinsignalausgangsleitwert    18

Kleinsignaleingangswiderstand    14

Kleinsignalspannungsruckwirkung    15

Kleinsignalstromverstarkung    16

Kollektor-Basis-Durchbruchspannung    12

Kollektor-Basis-Spannung    58

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)    13

Kollektor-Emitter-Reststrom    3

Kollektor-Emitter- Sattigungsspannung    7

Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)    59

Kollektorgleichstrom    50

Kollektorreststrom (bei offenen Emitter)    1

Kollektorwirkungsgrad    35

Komplexer    Kleinsignalausgangsleitwert    25

Komplexer    Kleinsignaleingangsleitwert    21

Komplexer    Kleinsignalriickwirkwungsleitwert    22

Komplexer    Kleinsignaliibertragungsleitwert    vorwarts    23

Leistungsverstarkung    34

Maximal zulassige Emitter-Basis-Gleichspannung    73

Maximal zulassige Impulsverlustleistung    80

Maximal zulassige Kollektor-Basis-Gleichspannung    74

Maximal zulassige Kollektor-Basis-Impulsspannung    77

Maximal zulassige Kollektor-Emitter-Gleichspannung    75

Maximal zulassige Kollektor- Emitter- Impulsspannung    76

Maximal zulassige Kollektorverlustleistung    78

Maximal zulassiger Basisgleichstrom    68

Maximal zulassiger Emittergleichstrom    67

Maximal zulassiger Emitterimpulsstrom    70

Maximal zulassiger Kollektorgleichstrom    66

Maximal zulassiger Kollektorimpulsstrom    69

Minimale Rauschzahl    32a

Mittlere Kollektorverlustleistung    65

Mittlere Verlustleistung    62

Optimale Leistungsverstarkung    34a

Rauschzahl    32

Riickwirkungskapazitat    28a

Spannungsubertragungsfaktor riickwarts    47

Spannungsiibertragungsfaktor vorwarts    48

Speicherzeit    38

Statische Vorwartssteilheit in Emitterschaltung    26

Ubergangsfrequenz der Stromverstarkung (Transitfrequenz)    30

Verzogerungszeit    36

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Base cut-off current    4

Base (d. c.) current    52

Base intrinsic resistance    42

Breakdown collector-base voltage    12

Breakdown collector-emitter voltage    13

Breakdown emitter-base voltage    11

Carrier storage time    38

Collector (average) power dissipation    65

Collector-base (d. c.) voltage    58

Collector-base time constant    45

Collector capacitance    44

Collector cut-off current    1

Collector (d. c.) current    50

Collector (d.c.) power dissipation    64

Collector efficiency    35

Collector-emitter cut-off current    3

Collector-emitter (d. c.) voltage    59

Cut-off frequency    29

Delay time    36

Emitter-base (d. c.) voltage    57

Emitter capacitance    43

Emitter cut-off current    2

Emitter (d. c.) current    51

Equivalent noise voltage    326

Fall time    39

Feedback capacitance    28a

Fifth order intermodulation products factor    65a

Floating emitter-base voltage    9

Input capacitance    27

Maximum base (d. c.) current    68

Maximum collector-base (d. c.) voltage    74

Maximum collector (d. c.) current    66

Maximum collector-emitter (d. c.) voltage    75

Maximum collector power dissipation (average)    79

Maximum collector power dissipation (d.c.)    78

Maximum emitter-base (d. c.) voltage    73

Maximum emitter (d. c.) current    67

Maximum frequency of oscillation    31

Maximum peak collector-base voltage    77

Maximum peak collector current    69

Maximum peak collector-emitter voltage    76

Maximum peak emitter current    70

Maximum peak power dissipation    80

Maximum saturation base current    72

Maximum saturation collector current    71

Minimal noise figure    32a

Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio    17

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance    24

Noise figure    32

Optimal power gain    34a

Output capacitance    28

Output power    60

Peak envelope power    65a

Peak power dissipation    63

Power gain    34

Punch-through (penetration) voltage    10

Rise time    37

Saturation base current    54

Saturation base-emitter voltage    8

Saturation coefficient    33

Saturation collector current    53

Saturation collector-emitter voltage    7

Small-signal value of the open-circuit output admittance    18

Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio    15

Small-signal value of the    short-circuit forward current transfer    ratio    16

Small-signal value of the    short-circuit forward transfer admittance    23

Small-signal value of the    short-circuit input admittance    21

Small-signal value of the    short-circuit input impedance    14

Small-signal value of the short-circuit output admittance    25

Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance    22

Static value of the forward current transfer ratio    20

Static value of the forward transconductance    26

Static value of the input resistance    19

Third order intermodulation products factor    656

Total input power (average) to all electrodes    62

Total input power (d. c.) to all electrodes    61

Transition frequency    30

Turn-off time    41

Tum-on time    40

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Capacity collecteur    44

Capacity emetteur    43

Capacity de couplage a reaction    28a

Capacity d’entree    27

Capacity de sortie    28

Coefficient de saturation    33

Courant continu de base    52

Courant continu de base maximal    68

Courant continu de collecteur    50

Courant continu de collecteur maximal    66

Courant continu d'’emetteur    51

Courant continu d'’emetteur maximal    67

Courant de crete de collecteur maximal    69

Courant de crete d”emetteur maximal    70

Courant de saturation base    54

Courant de saturation base maximal    72

Courant de saturation collecteur    53

Courant de saturation collecteur maximal    71

Courant residue! de la base    4

Courant residue! de 1’emetteur    2

Courant residue! du collecteur    1

Courant residue! du collecteur-emetteur    3

Efficacite du collecteur    35

Facteur de bruit    32

Facteur de bruit minimum    32a

Frequence de coupure    29

Frequence de transition    30

Frequence maximale d’escillation    31

Gain de puissance optimum    34a

Gain en puissance    34

Module de l’admittance de transfert direct    24

Module de rapport de transfert direct    du    courant    17

Pente statique de transfert direct    26

Retard a la croissance    36

Retard a la decroissance    38

Pesistance intrinseque de base    42

Puissage dissipee au collecteur (continue) maximale    78

Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale    79

Puissance dissipee (continue) au collecteur    64

Puissance dissipee de Crete    63

Puissance dissipee de Crete maximale    80

Puissance dissipee (moyenne) au collecteur    65

Puissance totale d’entree (continue) de toutes les electrodes    61

Puissance totale d’entree (moyenne) de toutes les electrodes    62

Temps de croissance    37

Temps de decroissance    39

Temps total de coupure    41

Temps total d’etablissement    40

Tension continue    collecteur-base    58

Tension continue    collecteur-base maximale    74

Tension continue    collecteur-emetteur    59

Tension continue    collecteur-emetteur maximale    75

Tension continue    emetteur-base    57

Tension continue    emetteur-base maximale    73

Tension de    bruit equivalente    326

Tension de    claquage collecteur-base    12

Tension de    claquage collecteur-emetteur    13

Tension de    claquage emetteur-base    11

Tension de    Crete collecteur-base maximale    77

Tension de    Crete collecteur-emetteur maximale    76

Tension de    penetration (tension de persage)    10

Tension de    saturation base-emetteur    8

Tension de    saturation collecteur-emetteur    7

Tension flottante emetteur-base    9

Valeur de T’admittance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux    21

Valeur de T’admittance de sortie, entree en circuit ouvert pour de petits signaux    18

Valeur de Г’admittance de sortie, entree en courant-citcuit pour de petits signaux    25

Valeur le Г’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux    23

Valeur de T’admittance de transfert inverse, entree en court-circuit pour de petits signaux    22

Valeur de Г’impedance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits signaux    14

Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux    16

Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entree en circuit ouvert de petits signaux    15

Valeur statique de la resistance d’entree    19

Valeur statique du rapport de transfert direct du courant    20

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).