allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров

Обозначение:
ГОСТ 22622-77
Наименование:
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров
Статус:
Действует
Дата введения:
06/30/1978
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.29, 29.045

Текст ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров



Группа ЕОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения основных электрофизических параметров

Semiconductor materials.

Terms and definitions of

ГОСТ

22622-77

МКС 01.040.29 29.045

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 18 июля 1977 г. № 1755 дата введения установлена

01.07.78

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

В стандарте приведен алфавитный указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

В стандарте приведено приложение, содержащее общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам.

Термин

Определение

1. Проводниковый материал

Материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств

2. Полупроводник

По ГОСТ 19880—74* *

ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3. Простой полупроводник

Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента

4. Сложный полупроводник

Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов

5. Электронный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости

*    На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002—2003 (здесь и далее).

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

Издание с Изменением № 1, утвержденным в мае 1982 г.

(ИУС9-82).

6.    Дырочный полупроводник

7.    Примесный полупроводник

8.    Собственный полупроводник

9.    Вырожденный полупроводник

10.    Невырожденный полупроводник

11.    Частично компенсированный полупроводник

12.    Скомпенсированный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости

Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями

Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ

Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей

Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

13.    Носитель заряда

14.    Дырка проводимости

Дырка

15.    Основные носители заряда полупроводника

Основные носители

16.    Неосновные носители заряда полупроводника

Неосновные носители

17.    Равновесные носители заряда полупроводника

Равновесные носители Ндп. Тепловые носители

18.    Неравновесные носители заряда полупроводника

Неравновесные носители

19.    Горячие носители заряда

20.    Электронная электропроводность полупроводника

Электронная электропроводность Ндп. Электронная проводимость

21.    Дырочная электропроводность Ндп. Дырочная проводимость

22.    Собственная электропроводность Ндп. Собственная проводимость

23.    Примесная электропроводность полупроводника

Примесная электропроводность

24.    Фотопроводимость

25.    Собственная концентрация носителей заряда полупроводника

Собственная концентрация

26.    Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника

Равновесная концентрация

По ГОСТ 19880-74

Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда

Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия

Носители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению

Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости

Электропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости при любом способе возбуждения

Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акцепторной примесей при любом способе возбуждения

Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторе-зистивным эффектом

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия

27.

28. 29.

30.

31.

32.

33.

34.

35.

36.

37.

38.

39.

40.

41.

42.

Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника

Неравновесная концентрация Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов

Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника

Критическая концентрация дырок Эффективная масса носителя заряда полупроводника

Эффективная масса носителя заряда Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника

Эффективное сечение захвата

Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

Диффузионная длина

Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Объемное время жизни Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Поверхностное время жизни Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Эффективное время жизни Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника

Длина дрейфа

Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника

Скорость поверхностной рекомбинации

Энергия активации примесей полупроводника

Энергия активации Концентрация вырождения полупроводника

Концентрация вырождения Степень компенсации полупроводника

Степень компенсации

Инверсионный слой полупроводника

Инверсионный слой

Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной

Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда

Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости

Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны

Величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля

Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата

Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз

Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника

Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации

Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности

Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника

Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре

Отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника

Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев

ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Освобождение носителя заряда полу- Возникновение электрона проводимости или дырки проводи-проводника    мости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника

Освобождение носителя

44.    Захват носителя заряда полупроводника

Захват носителя

45.    Инжекция носителей заряда

Инжекция

46.    Экстракция носителей заряда

Экстракция

47.    Генерация носителей заряда полупроводника

Генерация

48.    Генерация пары носителей заряда

Генерация пары

49.    Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника

Монополярная световая генерация

50.    Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника Биполярная световая генерация

51.    Рекомбинация носителей заряда полупроводника

Рекомбинация

52.    Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Межзонная рекомбинация Ндп. Прямая рекомбинация

53.    Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Фотонная рекомбинация

54.    Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Фотонная рекомбинация

55.    Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника Поверхностная рекомбинация

56.    Диффузионный ток

57.    Дрейфовый ток

58.    Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника

Биполярная диффузия

59.    Прямой переход в полупроводнике

Прямой переход

Ндп. Вертикальный переход

Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника

Введение носителя заряда в полупроводник

Выведение носителя заряда из полупроводника

Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом

Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости — дырка проводимости в результате энергетического воздействия

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков

Нейтрализация пары электрон проводимости — дырка проводимости

Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону

Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением фотона

Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке

Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника

Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда

Направленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля

Совместная диффузия неравновесных электронов и дырок при наличии электрического поля

Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора

ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

60. Фоторезистивный эффект

61.    Кристалл-фотоэффект

62.    Эффект поля в полупроводнике

Эффект поля

63.    Фотомагнитоэлектрический эффект

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием

Возникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике

Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля

Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения

64.    Термомагнитный эффект

Ндп. Эффект Риги-Ледюка

65.    Электротермический эффект

Ндп. Эффект Томсона

66.    Термогальванический эффект

Ндп. Эффект Нернста-Эттингсхаузе-на

67.    Поперечный термогалька немагнитный

эффект

Ндп. Эффект Эттингсхаузена

68.    Продольный термогальваномагнитный эффект

Эффект Нернста

69.    Магниторезистивный эффект

70.    Эффект Холла

71. Эффект Ганна

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля

Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник

Возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля

Возникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле

Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля

ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

72.    Энергетическая зона полупроводника

Энергетическая зона

73.    Разрешенная зона полупроводника

Разрешенная зона

74.    Запрещенная зона полупроводника

Запрещенная зона

75.    Свободная зона полупроводника

76.    Зона проводимости полупроводника

Зона проводимости

77.    Заполненная зона полупроводника

Заполненная зона

78.    Валентная зона полупроводника

Валентная зона

79.    Ширина запрещенной зоны полупроводника

Ширина запрещенной зоны

80.    Локальный энергетический уровень полупроводника

Локальный уровень

81.    Примесный уровень полупроводника Примесный уровень

82.    Демаркационный уровень полупроводника

Демаркационный уровень

83.    Примесная зона полупроводника

Примесная зона

Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника

Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла

Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике

Разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры

Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости

Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами

Верхняя из заполненных зон полупроводника

Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника

Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь

Локальный энергетический уровень полупроводника обусловленный примесью

Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны

Энергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника

(Измененная редакция, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника объемное 34 Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное 35 Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное 36

Время жизни объемное 34 Время жизни поверхностное 35 Время жизни эффективное 36 Генерация 47 Генерация носителей заряда полупроводника 47 Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная 50 Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная 49 Генерация пары 48 Генерация пары носителей заряда 48 Генерация световая биполярная 50 Генерация световая монополярная 49 Диффузия биполярная 58 Диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная 58 Длина диффузионная 33 Длина дрейфа 37 Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника 37 Длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная 33 Дырка 14 Дырка проводимости 14 Захват носителя 22 Захват носителя заряда полупроводника 44 Зона валентная 78 Зона заполненная 77 Зона запрещенная 74 Зона полупроводника валентная 78 Зона полупроводника заполненная 77 Зона полупроводника запрещенная 74 Зона полупроводника примесная 83 Зона полупроводника разрешенная 73 Зона полупроводника свободная 75 Зона полупроводника энергетическая 72 Зона примесная 83 Зона проводимости 76 Зона проводимости полупроводника 76 Зона разрешенная 73 Зона свободная 75 Зона энергетическая 72 Инжекция 45 Инжекция носителей заряда 45 Концентрация вырождения 40 Концентрация вырождения полупроводника 40 Концентрация дырок критическая 30 Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая 30 Концентрация избыточная 28 Концентрация неравновесная 27 Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника 27 Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная 28 Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная 26 Концентрация носителей заряда полупроводника собственная 25 Концентрация равновесная 26 Концентрация собственная 25 Концентрация электронов критическая 29 Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая 29 Кристалл-фотоэффект 61 Масса носителя заряда полупроводника эффективная 31 Масса носителя заряда эффективная 31

Материал полупроводниковый    1

Носитель заряда    13

Носители заряда горячие    19

Носители заряда полупроводника неосновные    16

Носители заряда полупроводника неравновесные    18

Носители заряда полупроводника основные    15

Носители заряда полупроводника равновесные    17

Носители неосновные    16

Носители неравновесные    18

Носители основные    15

Носители равновесные    17

Носители тепловые    17

Освобождение носителя    43

Освобождение носителя заряда полупроводника    43

Переход вертикальный    59

Переход в полупроводнике прямой    59

Переход прямой    59

Полупроводник    2

Полупроводник вырожденный    9

Полупроводник дырочный    6

Полупроводник компенсированный частично    11

Полупроводник невырожденный    10

Полупроводник примесный    7

Полупроводник простой    3

Полупроводник скомпенсированный    12

Полупроводник сложный    4

Полупроводник собственный    8

Полупроводник электронный    5

Проводимость дырочная    21

Проводимость собственная    22

Проводимость электронная    20

Рекомбинация    51

Рекомбинация межзонная    52

Рекомбинация носителей заряда полупроводника    51

Рекомбинация носителей заряда полупроводника межзонная    52

Рекомбинация носителей заряда полупроводника поверхностная    55

Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная    54

Рекомбинация носителей заряда полупроводника фотонная    53

Рекомбинация поверхностная    55

Рекомбинация прямая    52

Рекомбинация фотонная    54

Рекомбинация фотонная    53

Сечение захвата носителя заряда полупроводника эффективное    32

Сечение захвата эффективное    32

Степень компенсации    41

Степень компенсации полупроводника    41

Скорость поверхностной рекомбинации    38

Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника    38

Слой инверсионный    42

Слой полупроводника инверсионный    42

Ток диффузионный    56

Ток дрейфовый    57

Уровень демаркационный    82

Уровень локальный    72

Уровень полупроводника демаркационный    82

Уровень полупроводника примесный    81

Уровень полупроводника энергетический локальный    80

Уровень примесный    81

Фотопроводимость    24

Ширина запрещенной зоны    79

Ширина запрещенной зоны полупроводника    79

Экстракция    46

Экстракция носителей заряда    46

Электропроводность дырочная    21

Электропроводность полупроводника примесная    23

Электропроводность полупроводника электронная    20

Электропроводность примесная    23

Электропроводность собственная    22

Электропроводность электронная    20

Энергия активации    39

Энергия активации примесей полупроводника    39

Эффект Ганна    71

Эффект магниторезистивный    69

Эффект Нернста    68

Эффект Нернста-Эттингсхаузена    66

Эффект поля    62

Эффект поля в полупроводнике    62

Эффект Риги-Ледюка    64

Эффект термогальваномагнитный    66

Эффект термогальваномагнитный поперечный    67

Эффект термогальваномагнитный продольный    68

Эффект термомагнитный    64

Эффект Томсона    65

Эффект фотомагнитоэлектрический    63

Эффект фоторезистивный    60

Эффект Холла    70

Эффект электротермический    65

Эффект Эттингсхаузена    67

АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на немецком языке

(Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ (Исключен, Изм. № 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ (Исключен, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

Общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам

1.

2.

3.

Термин

Определение

Электрон проводимости Полярон

Экситон

Электрон, создающий электропроводность Квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации

Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости

4.    Дефект решетки

5.    Примесный дефект решетки

Примесный дефект

6.    Стехиометрический дефект решетки Стехиометрический дефект

7.    Точечный дефект решетки

8.    Поверхностный дефект решетки

9.    Ловушка захвата

Ловушка

10.    Рекомбинационная ловушка

Ндп. Центр рекомбинации

11.    Акцептор

12.    Донор

13.    Акцепторная примесь

14.    Донорная примесь

15.    Подвижность носителей заряда

Подвижность

16.    Среднее время свободного пробега носителя зарцда

Время пробега

17.    Средняя длина свободного пробега носителей заряда

Длина свободного пробега

18.    Коэффициент диффузии носителей заряда

19.    Оптическое возбуждение

Ндп. Оптическая накачка

20.    Инверсия населенностей

21.    Электрическое возбуждение

22.    Собственное поглощение света

Собственное поглощение

23.    Экситонное поглощение

24.    Примесное поглощение

25.    Фотоэлектрическое поглощение

26. Уровень Ферми

Нарушение периодичности решетки кристалла

Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента

Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки

Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки

Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением

Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда

Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны

Дефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости

Примесь, атомы которой являются акцепторами.

Примесь, атомы которой являются донорами Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего

Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда

Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда

Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей

Генерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника

Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля

Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости

Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона

Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов

Изменение поглощения оптического излучения в результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля

Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).