allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ 15133-77
Наименование:
Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
06/30/1978
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.080

Текст ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения



Цена 15 коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133—77 |СТ СЭВ 2767—85]

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

Группа Э00

ГОСУДАРСТВЕННЫ» СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

77*

Semiconductor devices. Terms and definitions    ______ж

|СТ СЭВ 2767—85)

Взамен

ОКСТУ 6201    ГОСТ 15133—69

Термины и определения

15133-

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. N9 1061 срок введения установлен

с 01.07.73

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением терминов, указанных в справочном приложении.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом.

(Измененная редакция, Изм. № 2).____

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

* Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными в июне 1980 гиюне 1982 г.; Пост. № 2544 от 28,05.82, октябре 1986 г.

(МУС 9—80, 10—82, 1—87).

© Издательство стандартов, 1987

Физические элементы полупроводниковых приборов

1. Электрический переход

Переход

D.    Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)

E.    Junction

F.    Jonotion

2.    Электронно-дырочный переход

р-п переход

D.    pn-Ubergang

E.    P-N junction

F.    Jonction P-N

3.    Электронно-электронный переход

переход

D.    nn+-Ubergang

E.    N-N+ junction

F.    Jonction N-N4*

4.    Дырочно-дырочный переход p-p+ переход

D.    pp+-Ubergang

E.    P-P+ junction

F.    Jonction P-P^

5. Резкий переход

D.    Steiler Ubergang

E.    Abrupt junction

F.    Jonction abrupte

6.    Плавный переход

D.    Stetiger Ubergang

E.    Graded junction

F.    Jonction graduelle

7.    Плоскостной переход

D.    Flacheniibergang

E.    Surface junction

F.    Jonction de par surface

8.    Точечный переход

D.    Ponktubergang

E.    Point-contact junction

F.    Jonction h pointe

Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность п-ти-па, а другая р-типа

Электрический переход между двумя областями полупроводника я-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Электрический переход между двумя областями полупроводника р-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Примечание. В терминах 3 и 4 «+> условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

9.    Диффузионный переход

D.    Diffundierter Ubergang

E.    Diffused junction

F.    Jonction a diffusion

10.    Планарный переход

D.    Planarubergang

E.    Planar junction

F.    Jonction planar

11.    Конверсионный переход

D.    Konversionsiibergang

E.    Conversion junction

F.    Jonction de conversion

12.    Сплавной переход Ндп. Вплавной переход

D.    Legierter Ubergang

E.    Alloyed junction

F.    Jonction allie

13.    Микросплавной переход Ндп. Микровплавной переход

D.    Mikrolegierter Ubergang

E.    Micro-alloy junction

F.    Jonction microallie

14.    Выращенный переход Ндп. Тянутый переход

D.    Gezogener Ubergang

E.    Grown junction

F.    Jonction de croissance

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т. д.

Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси

Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника

Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

15. Эпитаксиальный переход

D.    Epitaxieiibergang

E.    Epitaxial junction

F.    Jonction epitaxiale

16.    Гетерогенный переход

Гетеропереход

D.    Heteroubergang

E.    Heterogenous junction

F.    Jonction heterogene

17.    Гомогенный переход Гомопереход

D.    Homogener Ubergang

E.    Homogenous junction

F.    Jonction homogene

18.    Переход Шоттки

D.    Schottky-Ubergang

E.    Sohottky junction

F.    Jonction Schottky

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокри-сталлической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником

Термин

Определение

19.    Выпрямляющий переход

D.    Gleichrichtertibergang

E.    Rechifying junction

F.    Jonction redresseuse

20.    Омический переход Ндп. Линейный контакт

D.    Ohmischer Dbergang

E.    Ohmic junction

F.    Jonction ohmique

21.    Эмиттеркый переход

D.    Emitterubergang

E.    Emitter junction

F.    Jonction emetteur

22.    Коллекторный переход

D.    Kollektorubergang

E.    Collector junction

F.    Jonction coilecteur

23.    Дырочная область ^-область

D.    Defektelektronengebiet

E.    P-region

F.    Region P

24.    Электронная область

/z-область

D.    Elektronengebiet

E.    N-region

F.    Region N

25.    Область собственной электропроводности

i-область

Ндп. Собственная область

D.    Eigenleitungsgebiet

E.    Intrinsic region

F.    Region intrinseque

26.    Базовая область База

D.    Basisgebiet

E.    Base region

F.    Region de base

27.    Эмиттерная область Эмиттер

D.    Emittergebiet

E.    Emitter region

F.    Region d’emMteur

28.    Коллекторная область Коллектор

D.    Kollektorgebiet

E.    Collector region

F.    Region de coilecteur

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

Электрический переход между эмит-терной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области

* Числа в. скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.

Термин

29.    Активная часть базовой области

D.    Aktiver Teil des Basisgebietes ernes bipolaren Transistors

E.    Active part of base region

F.    Region active de base

30.    Пассивная часть базовой области

D.    Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

E.    Passive part of base region

F.    Region passive de base

3L Проводящий канал

D.    Kanal

E.    Channel

F.    Canal

32.    Исток

D.    Source (Quelle)

E.    Source

F.    Source

33.    Сток

D.    Drain (Senke)

E.    Drain

F.    Drain

34.    Затвор

D.    Gate (Tor)

E.    Gate

F.    Grille

35.    Структура полупроводникового прибора

Структура

D.    Struktur eines Halbleiterbau-elementes

E.    Structure

F.    Structure

Определение

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.

Примечания:

1.    Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.

2,    Проводящий канал может быть ц или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника

Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций.

Примечания:

1.    Примеры структур полупроводниковых приборов: р-n; р-л-р; p-i-я; р-л-р-л и др.

2,    В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

36- Структура    металл—диэлек

трик-полупроводник

Структура МДП

D. Metall-Dielektrikum-Halblei-ter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure F. Structure-MIS

37.    Структура—металл—окисел-полупроводник

Структура МОП

D.    Metall-Oxid-Halbleiter-Struk. tur (MOS-Struktur)

E.    MGS-structure

F.    Structure-MOS

38.    Мезаструктура

D.    Mesastruktur

E.    Mesa-structure

F.    Structure-mesa

39.    Обедненный слой

D.    Verarmungsschicht

E.    Depletion layer

F.    Couche de depletion

40.    Запирающий слой Ндп. Запорный слой

D.    Sperrschicht

E.    Barrier region (layer)

F.    Region de barriere

41.    Обогащенный слой

D.    Anreicherungsschicht

E.    Enriched layer

F.    Couche enridiie

42.    Инверсный слой

D.    Inversmnsschieht

E.    Inversion layer

F.    Couche d’inversion

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника н полупроводника

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров н акцепторов Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

Явления в полупроводниковых приборах

43. Прямое направление для р-п перехода

D.    Durchlassrichtung des рп-Oberganges

E.    Forward direction (of a P-N junction)

F.    Sens direct (d’une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наименьшее сопротивление

44.    Обратное направление для р-п перехода

D.    Sperrichtung des pn-Ubergan-ges

E.    Reverse direction (of a P-N junction)

F.    Sens inverse (d’une jounction P.N)

45.    Пробой р-п перехода

D.    Durchbruch des pn-Ubergan-

ges

E.    Breakdown of a P-N function

F.    Claquage (d’une jonction P-N)

46.    Электрический пробой р-п перехода

D.    Elektrischer Durchbruch des pn-Dberganges

E.    P-N junction electrical breakdown

F.    Claquage eledrique (d’une jonction P-N)

47.    Лавинный пробой р-п перевода

D.    Lawinendurchbruch des pn-Dberganges

E.    (P-N junction) avalanche breakdown

F.    Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)

48.    Туннельный пробой р-п перехода

D.    Tunneldurchbruch des ря-Uberganges

E.    Zenner (tunnel) breakdown

F.    Claquage par effet Zenner (tunnel)

49.    Тепловой пробой р-п перехода

D.    Thermischer Durchbruch des pr\-Uber gauges

E.    (P-N junction) thermal breakdown

F.    Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

50.    Модуляция толщины базы

D.    Modulation der Basisbreite

E.    Base thickness modulation

F- Modulation d’epaisseur de base

Направление постоянного тока, в к<ь тором р-п переход имеет наибольшее со* противление

Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения

Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического ноля

Электрический пробой р-п перехода* вызванный туннельным эффектом

Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

Термин

Определение

51. Эффект смыкания

Пдп. Прокол базы

D.    Durchgreifeffekt

E.    Punch-through

F.    Penetration

Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

D.    Speicherung von Uberschuss-ladungstragern in der Basis

E.    Minority carrier storage (in the base)

F.    Accumation de porteurs d’exces dans la base

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

D.    Abbau von Oberschusslad-ungstragern in der Basis

E.    Excess carrier resorption (in the base)

F.    Resorption de porteurs d’exces dans la base

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинаций

54. Прямое восстановление полупроводникового диода

D.    Einschwingen des Durchlass-widerstandes einer Halbleit-erdiode

E.    Forward recovery

F.    Recouvrement direct

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом «быстрый» в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

55. Обратное восстановление полупроводникового диода

D.    Wiederherstellung des Sperr-widerstandes einer Halbleiter-diode

E.    Reverse recovery

F.    Recouvrement inverse

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

56. Закрытое состояние тиристора

D.    Blockierzustand eines Thyristors

E.    Off-state of a thyristor

F.    Etat bloque de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

57.    Открытое состояние тиристора

D. ‘ Durchlasszustand eines Thy

ristors

E.    On-tate of a thyrisior

R Etat passant de thyristor

58.    Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

D.    Sperrzustand eines Thyristors

E.    Reverse blocking state of a thyristor

F.    Etat bloque dans le sens inverse de thyristor

59.    Переключение тиристора

D.    Umschalten eines Thyristors

E.    Switching of a thyristor

F.    Commutation de thyristor

60.    Включение тиристора

D.    Zunden eines Thyristors

E.    Gate triggering of a thyristor

F.    Amorcage de thyristor

61.    Выключение тиристора

D.    Ausschalten eines Thyristors

E.    Gate turning-off of a thyristor

F.    Desamorcage de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики

Состояние тиристора (Юб), соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

Переход тиристора (106) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

Виды полупроводниковых приборов

62.    Полупроводниковый прибор (ПП)

D.    Halbleiterbauelement

E.    Semiconductor device

F.    Dispolsitif a semiconducteurs

63.    Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

D.    Halbieiterleistungsbauele-ment

E.    Semiconductor power device

F.    Diode a semicouducteur pour forte puissance

64.    Полупроводниковый блок

E.    Semiconductor assembly

F.    Assemblage a semieonduue-urs

65.    Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

*

Термин

66.    Полупроводниковый ДИОД

Диод

Идп. Полупроводниковый вентиль

D.    Halbleiterdiode

E.    Semiconductor diode

F* Diode a semiconducteurs

67.    Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод D- Halbleiterspitzendiode Е. Point contact diode F- Diode a pointe

68.    Плоскостной диод

D.    Haibleiterflachendiode

E.    Junction diode F- Diode a jonction

69.    Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D.    Halbleiterleichrichterdiode

Е- Semiconductor rectifier diode

F.    Diode de redressement

69a. Лавинный выпрямительный диод

E.    Avalanche rectifier diode

696. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем

Е- Controlled-avalanche rectifier diode

70.    Выпрямительный полупроводни-никовый столб

Выпрямительный столб

E.    Semiconductor rectifier stack

F.    Bloc de redressement (a se-micondueteurs)

71.    Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

E.    Semiconductor rectifier as*-sembly

F.    Assemblage de redressement (a semiconducteurs)

Определение

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер-ной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода

Полупроводниковый диод с точечным переходом

Полупроводниковый диод с плоскостным переходом

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер-ной характеристики

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

72.    Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

D.    Halbleiterimpulsdiode

E.    Signal diode

F.    Diode d’impulsion

73.    Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

74. Туннельный диод

D.    Halbleitertunneldiode

E.    Tunnel diode

F.    Diode tunnel

75. Обращенный диод

D.    Halbleiterunitunneldiode

E.    Unitunnel (backward) diode

F.    Diode inverse

76.    Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

D.    UHF-Halbleiterdiode

E.    Microwave diode

F.    Diode en hyperfrequences

77.    Лавинно-пролетный диод

D.    Halbleiterlawinenlaufzeit-diode

E.    Impact avalanche-(and-) transit time diode

F.    Diode a avalance a temps de transit

78.    Инжекционно-пролетный диод

D.    Halbleiterinjektionslaufzeit-diode

E.    Injection- (and-) transit time diode

F.    Diode a injection a temps de transit

79.    Переключательный диод

D.    Halbleiterschaltdiode

E.    Switching diode

F.    Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором пров.о оц-мость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-

80.    Смесительный диод

D.    Halbleitermischdiode

E.    Semiconductor mixer diode

F.    Diode melangueuse

81.    Диод Ганна

D.    Gunn-EIement

E.    Gunn diode

F.    Diode Gunn

82.    Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод

D. Halbleiter- HF-Schaltdiode

83.    Регулируемый резистивный диод

D.    PIN-Diode

E.    PIN diode

F.    Diode PIN

84.    Детекторный полупроводниковый диод

Детекторный диод

D.    Halbleiterdemodulatordiode

E.    Detector diode

F.    Diode deteetrice a semicon-ducteurs

85.    Ограничительный полупроводниковый диод

Ограничительный диод

D.    Halbleiterbegrenzerdiode

E.    Microwave limiting diode

F.    Diode de limitation de hyper-frequences

86.    Умножительный диод

D,    Halbleitervervielfacherdio le

E,    eSmiconductor frequency multiplication diode

F,    Diode pour multiplication de frequence

87.    Модуляторный диод

D.    Halbleitermodulatordiode

E.    Semiconductor modulator diode

F.    Diode modulatrice (a semi-conducteurs)

88.    Диод Шоттки

D. Schottky-Diode

F. Schottky (-barrier) diode

F. Diode de Schottky

наченный для управления уровнем мощности сигнала

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты

Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

Полупроводниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника

89.    Варикап

D.    Kapazitatsdiode

E.    Variable capacitance diode

F.    Diode a capacite variable (varicape)

90.    Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

D. Halbleitervaraktordiode Е- Semiconductor parametric (amplifier) diode

F. Diode paranietrique (a serrd-conducteurs)

91.    Полупроводниковый стабилитрон

Стабилитрон

Иди, Зенеровский диод

D.    Halhleiter-Z-Diode

E.    Voltage reference diode

F.    Diode de tension de reference

92.    (Исключен, Изм. № 2).

93.    Полупроводниковый шумовой диод

D.    Halbleiterrauschdiode

E.    Semiconductor rvoise diode

F.    Diode de bruit

94.    Биполярный транзистор Транзистор

D.    Bipolarer Transistor

E.    Bipolar transistor F Transistor bipolaire

95.    Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

D.    Diffusionstransistor

E.    Diffusion transistor

F.    Transistor a diffusion

96.    Дрейфовый транзистор

D.    Drifttransistor

E.    Drift (diffused) transistor

F.    Transistor en derive

97.    Точечный транзистор

Ндп. Точечно-контактный диод

D.    Spitzentransistor

E.    Point contact transistor

F.    Transistor a pointe

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью

Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной епек-тральн ой пл отн остью в определенном диапазоне частот

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание, работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа

Биполярный транзистор с точечными переходами

Термин

98    Плоскостной транзистор

D Flachentransistor Е Junction transistor F Transistor a jonction

99    Лавинный транзистор D Lawmentransistor

E Avalanche transistor F Transistor a a\alanche

100    Полевой транзистор

Ндп Канагьныи транзистор D Feldeffekttransistor (FET) Е Field effect transistor

F. Transistor a effet de champ

101    Полевой транзистор с изолированным затвором

D Feldeffekttransistor nnt iso liertem Gate E Insulated-gate FET F Transistor a effet de champ a grille isolee

102    Полевой транзистор типа металл ^ диэлектрик—полупроводник

МДП транзистор D MIS Feldeffekttransistor (MIS FET)

E MIS transistor F Transistor MIS

103. Полевой транзистор типа металл-окисел—полупроводник

МОП транзистор D MOS FeldeflekttransiMor CMOS FET)

Е MOS trans’stor F Transistor MOS

104    Симметричный транзистор D Bidirektionaltransutor E Bi-directional transistor F Transistor bi direct*onnel

105    Тиристор

D Thyristor E Thyristor F Thyristor

106    Диодный тиристор

Динистор D Thyristordiode E Diode thyristor E Thxristor diode

Определение

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим нолем

Примечание Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изогя-ционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел

Биполярный ипи полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока

Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий гри или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

Тиристор, имеющий два вывода

Термин

Определение

107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Riickwarts sperrende Thv-ristordiode

E.    Reverse blocking diode thyristor

F.    Thyristor diode bloque en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии -

108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts leitende Thyristordiode

E.    Reverse conducting diode thyristor

F.    Thyristor diode passant en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, з проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

109. Симметричный диодный тиристор

Диак

D.    Zweirichtungsthyristordio-de

E.    Bi-directional diode thyris-tor

F.    Thyristor diode bi-direction-net

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

110. Триодный тиристор

Трикистор

D.    Thyristordiode

E.    Triode thyristor

F.    Thyristor triode

Тиристор, имеющий три вывода

111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Riickwarts sperrende Thv-ristortriode

E.    Reverse blocking triode thyristor

F.    Thyristor triode bloque en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования

112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Riickwarts leitende Th^ri-stortriode

E.    Reverse conducting triode thyristor

F.    Thyristor triode passant en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Термин

Определение

113.    Симметричный триодный тиристор

Триак

D.    Zweirichtungsthyristortrio-de

E.    Bi-directional triode thyristor; Triac

F.    Thyristor triode bi-direction-nel

114.    Запираемый тиристор

D.    Abschaltbarer Thyristor

E.    Turn-oH thyristor

F.    Thyristor blocable

115.    (Исключен, Изм. № 2).

116.    Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

D.    Katodenseitig gesteuerter Thyristor

E.    P-gate thyristor

F.    Thyristor P

117.    Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа

D.    Anodenseiltig gesteuerter

Thyristor

E.    N-gate thyristor

F.    Thyristor N

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

1176. Комбинированно-выключае-. мый тиристор

118.    Импульсный тиристор

E.    Pulse thyristor

F.    Thyristor signal

119.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

D.    Optoelektronisches Halbleiterbauelement

E.    Semiconductor optoelectronic device

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с л-областыо, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала

Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер ной характеристики обратного непроводящего состояния Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы

Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-

F. Dispositif oploelectronique semiconducteur

120.    Полупроводниковый излучатель

D.    Halbleiterstrahler

E.    Semiconductor photoemitter

F.    Photoemetteur a semiconducteur s

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

E. Semiconductor character dis-play

121.    Оптопара

D.    Optoelektronischer Koppler

E.    Photocoupler; Optocoupler

F.    Photocoupleur

121a. Резисторная оптопара 1216. Диодная оптопара 121в. Транзисторная оптопара

121г. Тиристорная оптопара

121д. (Исключен, Изм. № 3).

121е, Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

121а—121е. (Введены дополнительно,

122.    Светоизлучающий диод СИД

D,    Lichtemitterdiode (LED)

E.    Light-emitting diode (LED)

123.    123a. (Исключены, Изм. № 2).

124. (Исключен, Изм. № 1).

125. (Исключен, Изм. № 2).

126.    Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

D.    Infrarotemitterdiode (IRED)

E.    Infra-red-emitting diode

F.    Diode emittrice en infrarouge

лучение для внутреннего взаимодействуя его элементов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

По ГОСТ 25066—81

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто-ра

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототиристора

Изм. № 1).

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для исполъ ю-вания в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Элементы

128.    Вывод полупроводникового прибора

Вывод

D.    Anschluss eines Halbleiter-bauelementes

E.    Terminal (of a semiconductor device)

F.    Borne

129.    Основной вывод полупроводникового прибора

D.    Baslsanschluss eines Hal-bleiierbauelementes

E.    Main terminal

F.    Borne principale

130.    Катодный вывод полупроводникового прибора

D.    Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Cathode terminal (of a semiconductor device)

F.    Cathode

131.    Анодный вывод полупроводникового прибора

D Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Anode terminal (of a semiconductor device)

F.    Anode

132.    Управляющий вывод полупроводникового прибора

E.    Gate terminal (of a semiconductor device)

F.    Grille

133.    Корпус полупроводникового прибора

Корпус

D.    Gehause eines Halbleiterbauelementes

E.    Package (case) (of a semiconductor device)

F.    Capsule

134.    Бескорпусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D.    Gehauseloses Halbleiterbau-element

E.    Beam lead semiconductor device

F.    Dispositif semiconducteur

sans boitier

конструкции

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток

Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю .электрическую цепь

Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления

Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре

135. Полупроводниковый излучающий элемент

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибоца отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический конта сг между определенной областью полупроводникового прибора и выводом

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).

АЛФАВИТНЫЙ! УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

База    26

Блок выпрямительный    71

Блок полупроводниковый    64

Блок полупроводниковый выпрямительный    71

Варикан    89

Вентиль полупроводниковый    66

Включение тиристора    60

Восстановление полупроводникового    диода    обратное    35

Восстановление полупроводникового    диода    прямое    54

Вывод    128

Вывод полупроводникового прибора    128

Вывод полупроводникового    прибора анодный    131

Вывод полупроводникового    прибора катодный    130

Вывод полупроводникового    прибора основной    129

Вывод полупроводникового    прибора управляющий    132

Выключение тиристора    61

Гетеропереход    16

Гомопереход    17

Диак    109

Динистор    106

Диод    66

Диод выпрямительный    69

Диод выпрямительный лавинный    69а

Диод Ганна    81

Диод детекторный    84

Диод Зенеровский    91

Диод излучающий инфракрасный    127

Диод импульсный    72

Диод инжекционно-пролетный    78

Диод коммутационный    82

Диод лавинно-пролетный    77

Диод модуляторный    37

Диод обращенный    75

Диод ограничительный    85

Диод параметрический    90

Диод переключательный    /9

Диод плоскостной    68

Диод полупроводниковый    66

Диод полупроводниковый выпрямительный 69 Диод полупроводниковый детекторный 84 Диод полупроводниковый импульсный 72 Диод полупроводниковый коммутационный 82 Диод полупроводниковый ограничительный 85 Диод полупроводниковый параметрический 90 Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный 76 Диод резистивный регулируемый 83 Диод светоизлучающий 122 Диод смесительный 80 Диод с накоплением заряда 73 Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый

выпрямительный 696 Диод точечко-контактный 67 Диод точечный 37 Диод туннельный 74 Диод умножительный 86 Диод Шоттки 88 Диод шумовой полупроводниковый 93 Затвор 33 Излучатель полупроводниковый 120 Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый 121е И-К диод 127 Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый 120а Исток 32 Канал проводящий 31 Коллектор 28 Контакт линейный 20 Корпус 133 Корпус полупроводникового прибора 133 МДП-транзистор 102 Мезаструктура 38 Модуляция толщины базы 50 МОП-транзистор 103 Набор полупроводниковых приборов 65 Накопление заряда в базе 52 Накопление неравновесных носителей заряда в базе 52 Направление для р-п перехода обратное 44 Направление для р п перехода прямое 43 Область базовая 26 Область дырочная 23 Область коллекторная 28 Область собственной электропроводности 25 Область собственная 25 Область электронная 24 Область змиттерная 27 Область i 25 Область п 24 Область р 23 Оптопара 121 Оптопара диодная 121 Оптопара резисторная 121а Оптопара тиристорная 1216 Оптопара транзисторная 121в Переключение тиристора 59 Переход 1 Переход вплавной 12

Переход выпрямляющий    19

Переход выращенный    14

Переход гетерогенный    16

Переход гомогенный    17

Переход диффузионный    9

Переход дырочно-дырочный    4

Переход коллекторный    22

Переход конверсинонный    Н

Переход микровплавной    13

Переход микросплавной    13

Переход омический    20

Переход плавный    6

Переход планарный    10

Переход плоскостной    7

Переход резкий    6

Переход сплавной    12

Переход точечный    В

Переход тянутый    14

Переход Шоттки    18

Переход электрический    1

Переход электронно-дырочный    2

Переход электронно-электронный    3

Переход эмкттерный    21

Переход эпитаксиальный    16

Переход п-п+    3

Переход р-п    2

Переход р-р+    ^4

Прибор полупроводниковый    (ПП)    62

Прибор полупроводниковый    бескорпусный    134

Прибор полупроводниковый    оптоэлектронный    П9

Прибор полупроводниковый    силовой (СПП)    63

Пробой р-п перехода    45

Пробой р-п    перехода лавинный    47

Пробой р-п    перехода тепловой    49

Пробой р-п    перехода туннельный    ^8

Пробой р-п    перехода электрический    46

Прокол базы    61

Рассасывание заряда в базе    63

Рассасывание неравновесных    носителей заряда в базе    53

СВЧ-диод    76

СИД    122

Слой запирающий    40

Слой запорный    40

Слой инверсный    42

Слой обедненный    39

Слой обогащенный    41

Состояние тиристора в обратном    направлении    непроводящее    58

Состояние тиристора закрытое    56

Состояние тиристора открытое    57

Стабилитрон    91

Стабилитрон полупроводниковый    91

Столб выпрямительный    70

Столб полупроводниковый выпрямительный    70

Сток    33

Структура    35

Структура МДП    36

Структура металл—диэлектрик—полупроводник    36

Структура металл—окисел—полупроводник    37

Структура МОП    37

Структура полупроводниковая    134

Структура полупроводникового прибора    35

Тиристор    105

Тиристор диодный    106

Тиристор диодный симметричный    109

Тиристор запираемый    114

Тиристор импульсный    118

Тиристор комбинированно-выключаемый    1176

Тиристор лавинный    117а

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный    107

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, трнодный    111

Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный    108

Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный    112

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный    117а

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом /?-типа    116

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом я-типа    117

Тиристор триодный    ПО

Тиристор триодный симметричный    113

Транзистор    94

Транзистор бездрейфовый    95

Транзистор биполярный    94

Транзистор диффузионный    95

Транзистор дрейфовый    96

Транзистор канальный    100

Транзистор лавинный    99

Транзистор типа металл—окисел—полупроводник полевой    103

Транзистор плоскостной    98

Транзистор полевой    100

Транзистор с изолированным    затвором полевой    101

Транзистор симметричный    104

Транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник полевой    102

Триод точечно-контактный    97

Транзистор точечный    97

Триак    113

Тринистор    ПО

Часть базовой области активная    29

Часть базовой области пассивная    30

Элемент излучающий полупроводниковый    135

Электрод полупроводникового прибора    135а

Эмиттер    27

Эффект смыкания    51

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abbau von Uberschussladiingstragern in der Basis    53

Abschaltbarer Thyristor    114

Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors    29

Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes    131

Anodenseitig gesteuerter Thyristor    J17

Anreicherungsschicht    41

Auschluss eines Halbleiterbauelementes    128

Ausschalten eines Thyristors    61

Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes    129

Basisgeblet    26

Bidirektionaltransistor    104

Bipolarer Transistor    Э4

Blockierzustand eines Thyristors    56

Defektelektronengebiet    23

Diffundierter Dbergang    9

Diffusionstransistor    95

Drain (Senke)    33

Drifttransistor    96

Durchbruch des pn-Dberganges    45

Durchgreifeffekt    51

Durchlassrichtung des pn-Dberganges    43

Durchlasszustand eines Thyristors    57

Eigenleitungsgebiet    25

Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode    54

Elektrischer Durchbruch des pn-Dberganges    46

Elektrischer Dbergang (Sperrschicht)    1

Elektronengebiet    24

Emittergebiet    27

Emitterubergang    21

Epitaxieiibergang    15

Gate (Tor)    34

Gehause eines Halbleiterbauelementes    133

Gehauseloses Halbleiterbauelement    134

Gezogener Dbergang    14

Gleichrichterubergang    19

Gunn-Element    81

Feldeffekttransistor (FET)    100

Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate    101

Flachentransistor    98

Flachenubergang    7

Halbleiterbauelement    62

Halbleiterbegrenzerdiode    85

Halbleiterdemodulatordiode    84

Halbleiterdiode    66

Halbleiterfrachendiode    68

Halbleitergleichrichterdiode    69

Halbleiter-HF-Schaltdiode    82

Halbleiterimpulsdiode    72

Halbleiterinjektionslaufzeitdiode    /8

Halbleilerlawinenlaufzeitdiode    77

Halbleiterleistungsbauelement    63

Halbleitermischdiode    SO

Halbleitermodulatordiode    87

Halbleiterrauschdiode    93

Halbleiterschaltdiode    79

Halbleiterspitzendiode    67

Halbleiterstrahler    120

Halbleitertunneldiode    74

Halbleiterunitunneldiode    75

Halbleitervaraktordiode    90

Halbleitervervielfacherdiode    86

Halbleiter-Z-Diode    91

Heteroiibergang    16

Homogener Dbergang    17

Infrarotemitterdiode (IRED)    127

Inversionsschicht    42

Kanal    31

Kapazitatsdiode    39

Katodenanschluss ernes Halbleiterbauelementes    130

Katodenseitig gesteuerter Thyristor    116

Kollektorgebiet    28

Kollektortibergang    22

Konveisionsubergang    11

Ladungsspeicherdiode    73

Lawinendurchbruch des pn-Dberganges    47

Lawinentransistor    99

Legierter Dbergang    12

Lichtemitterdiode (LED)    122

Mesasiruktur    38

Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MlS-Struktur)    36

Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)    37

Mikrolegierter Dbergang    13

MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)    192

Modulation der Basisbreite    50

MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)    103

nn+-LTbergang    3

Ohmischer Dbergang    20

Optoelektronischer Koppler    «21

Optoelektronisches Halbleiterbauelement    119

Passiver Tell des Basisgebietes eines bipolaren Transistors    30

PIN-Diode    S3

Planariibergang    10

pn-Dbergang    2

pp+-Dbergang    4

Punkttibergang    8

Riickwarts leitende Thyristordiode    108

Riickwarts leitende Thyristortriode    112

Riickwarts sperrende Thyristordiode    iQ7

Riickwarts sperrende Thyristortriode    111

Schottky-Diode    88

Schottky-Dbergang    18

Source (Quelle)    32

Speicherung von Dberschussladungstragern in der Basis    32

Sperrichtung des pn-Dberganges    14

Sperrschicht    40

Sperrzustanl eines Thyristors    38

Spitzen transistor    97

Steiler Dbergang    5

Stetiger Dbergang    6

Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes    132

Struktur eines Halbleiterbauelementes    35

Therm ischer Durchbruch des pn-Dberganges    49

Thyristor    105

Thyristordiode    106

Thyristortriode    110

Tunneldurchbruch des pn-Dberganges    48

UHF-Halbleiterdiode    76

Umschalten eines Thyristors    59

Verarmungsschicht    39

Wiederherstellung des Sperrwiderstandes    einer Halbleiterdiode    55

Ziinderi eines Thyristors    60

Zweirichtungsthyristordiode    109

Zweirichtungsthyristortriode    113

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

алфавитный указатель терминов на английском языке

Abrupt junction    5

Active part of base region    29

Alloyed junction    12

Anode terminal (of a semiconductor device)    131

Avalanche rectifier diode    09a

Avalanche reverse blocking    thyristor    Ц7а

Avalanche transistor    99

Barrier region (layer)    40

Base region    26

Base thickness modulation    50

Beam lead semiconductor device    134

Bi-directional diode thyristor    109

Bi-directional transistor    104

Bi-directional triode thyristor    113

Bipolar transistor    94

Breakdown of a P-N junction    45

Cathode terminal (of a semiconductor device)    130

Channel    31

Collector junction    22

Collector region    28

ControlTed-avafanche rectifier diocfe    69b

Conversion junction    Ц

Depletion layer    39

Detector diode    84

Diffused junction    9

Diffusion transistor    95

Diode thyristor    106

Drain    33

Drift (diffused) transistor    96

Electrode (of a semiconductor device)    135a

Emitter junction    21

Emitter region    27

Enriched layer    41

Epitaxial junction    15

Excess carrier resorption (in the    base)    53

Field-effect transistor    100

Forward direction (of a P-N junction)    43

Forward recovery    54

Gate    34

Gate terminal (of a semiconductor device)    132

Gate triggering of a thyristor    60

Gate turning-olf of a thyristor    61

Graded junction    6

Grown junction    14

Gunn diode    SI

Heterogenous junction    16

Homogenous junction    17

Impact avalanche-(and-) transit    time diode    77

Infra-red-emitting diode    127

Injection- (and-) transit time diode    78

Insulated-gate FET    101

Intrinsic region    25

Inversion layer    42

Junction    1

Junction diode    68

Junction transistor    98

Light-emitting diode (LED)    122

Main terminal    ;29

Mcsa-structure    38

Micro-alloy junction    13

Microwave diode    76

Microwave limiting diode    85

Minority carrier storage* (in the base)    52

MIS-structure    36

MIS-transistor    102

MOS-structure    37

MOS-transistor    103

N-gate thyristor    117

N-N+ junction    3

N-region    24

Off-state of a thyristor    56

Ohmic junction    20

On-state of a thyristor    57

Optocoupler    121

Package (case) (of a semiconductor device)    133

Passive part of base region    30

P-gate thyristor    116

Photocoupler    J21

PIN diode    83

Planar junction    10

P-N junction    2

(P-N junction) avalanche breakdown    47

P-N junction electrical breakdown    46

(P-N junction) thermal breakdown    49

Point contact diode    67

Point-contact junction    8

Point-contact transistor    97

P-P+ junction    4

P-region    23

Pulse thyristor    118

Punch-through    51

Rectifying junction    19

Reverse blocking diode thyristor    107

Reverse blocking state of a thyristor    58

Reverse blocking triode thyristor    111

Reverse conducting diode thyristor    108

Reverse conducting triode thyristor    112

Reverse direction (of a P-N junction)    44

Reverse recovery    55

Schottky (-barrier) diode    88

Schottky junction    18

Semiconductor analog indicator    126

Semiconductor assembly    64

Semiconductor assembly set    65

Semiconductor character display    120a

Semiconductor device    52

Semiconductor diode    66

Semiconductor frequency multiplication diode    86

Semiconductor mixer diode    80

Semiconductor modulator diode    87

Semiconductor noise diode    93

Semiconductor optoelectronic device    119

Semiconductor optoelectronic display    126

Semiconductor parametric (amplifier) diode    90

Semiconductor photoemitter    120

Semiconductor power device    63

Semiconductor rectifier assembly    71

Semiconductor rectifier diode    C9

Semiconductor rectifier stack    70

Signal diode    72

Snap-off (step-recovery) diode    73

Source    32

Structure    35

Surface junction    7

Switching diode    79

Switching of a thyristor    59

Terminal (of a semiconductor device)    128

Thyristor    105

Triac    113

Triode thyristor    110

Tunnel diode    74

Turn-off thyristor    114

Unitunnel (backward) diode    75

Variable capacitance diode    89

Voltage reference diode    91

Zenner (tunnel) breakdown    48

(Измененная редакция, Изм. № 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Accumulation de porteurs d’exces dans la base    52

Amorcage de thyristor    60

Anode    131

Assemblage a semiconducteurs    64

Assemblage de redressement (a semironducteurs)    71

Bloc de redressement (a semiconducteurs)    70

Borne    128

Borne principale    129

Canal    31

Capsule    133

Cathode    13Q

Claquage (d’une jonction P-N)    45

Claquage electrique (d’une jonction P-N)    46

Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)    47

Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)    49

Claquage par effet Zenner (tunnel)    4g

Commutation de thyristor    59

Couche de depletion    39

Couche d’inversion    42

Couche enrichie    41

Desamorcage de thyristor    61

Diode a    avalanche a temps de transit    77

Diode a    capacite variable (varicape)    39

Diode a    injection a temps de transit    78

Diode a    jonction    63

Diode к    pointe    67

Diode a    semiconducteurs    86

Diode к    semiconducteurs pour forte puissance    63

Diode de bruit    93

Diode de commutation    79

Diode de limitation de hyperfrequences    85

Diode de redressement    b9

Diode de Schottky    88

Diode detectrice a semiconducteurs    84

Diode de tension de reference    91

Diode d’impulsion    72

Diode emettrice en infrarouge    127

Diode en hyperfrequences    /6

Diode Gunn    81

Diode inverse    75

Diode melangeuse    80

Diode modulatnce (a semiconducteurs)    87

Diode parametrique (a semiconducteurs)    90

Diode PIN    S3

Diode pour multiplication de frequence    86

Diode tunnel    74

Dispositif optoelectromque semiconducteur    119

Dispositif a semiconducteurs    62

Dispositif semiconducteur sans boitier    134

Dram    33

Etat bloque dans le sens inverse    de    thyristor    58

Etat bloque de thyristor    56

Etat passant de thyristor    57

Grille    34, 132

Jonction    1

Jonction abrupte    5

Jonction a diffusion    9

Jonction allie    12

Jonction a pomte    8

Jonction cotlecteur    22

Jonction de conversion    11

Jonction de croissance    14

Jonction de par surface    7

Jonction emitteur    21

Jonction epitaxiale    15

Jonction graduelle    6

Jonction heterogene    16

Jonction homogene    17

Jonction microallie    13

Jonction N-N    3

Jonction ohmique    20

Jonction planar    10

Jonction P-N    2

Jonction P-P    4

Jonction redresseuse    19

Jonction Schottky    18

Modulation d’epaisseur de base    50

Penetration    51

Photocoupler    121

Photoemetteur a semiconducteurs    120

Recouvrement direct    54

Recouvrement inverse    55

Region active de base    29

Region de barriere    40

Region de base    26

Region de collecteur

28

Region d’emetteur

27

Region intrinseque

25

Region N

24

Region P

23

Region passive de base

30

Resorption de porteurs d’exc£s dans la base

53

Sens direct (d’une jonction P-N)

43

Sens inverse (d’une jonction PN)

Л4

Source

32

Structure

35

Structure-mesa

38

Structure-MIS

36

Structure-MOS

37

Thyristor

105

Thyristor biocable

1 14

Thyristor dfcde

306

Thyristor diode bi-directionnel

109

Thyristor diode blogue en inverse

107

Thyristor diode passant en inverse

108

Thyristor N

117

Thyristor P

116

Thyristor signal

118

Thyristor triode

110

Thyristor triode bi-directionnel

113

Thyristor triode bloque en inverse

11.1

Thyristor triode passant en inverse

112

Transistor a avalanche

99

Transistor a diffusion

95

Transistor a effet de champ

100

Transistor a effet de champ a grille isolee

101

Transistor a jonction

98

Transistor a pointe

97

Transistor bi-directionnel

104

Transistor bipolaire

94

Transistor en derive

96

Transistor-MIS

102

Transistor-MOS

103

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ПЕРЕЧЕНЬ ТЕРМИНОВ СТ СЭВ 3767—85, НЕ ВКЛЮЧЕННЫХ В НАСТОЯЩИЙ

СТАНДАРТ

1.    Фоточувствительный полупроводниковый прибор.

2.    Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.

3.    Фоторезистор

4.    Фотодиод

5.    Фототранзистор

6.    Фототиристор

7.    Туннельный эффект

(Введено дополнительно, Изм. № 2, 3).

Редактор В. С. Бабкина Технический редактор 3. Б. Митяй Корректор Г. Я. Чуйко

Сдано в наб. 23.04.87 Подп. в печ. 08.06.87 2,0 уел. п. л. 2,0 уел. кр.-отт. 2,60 уч.-изд. л.

Тираж 6000 Цена 15 коп.

Ордена «Знак" Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП.

Новопресненский пер., д. 3.

Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул. Миндауго, 12/14. Зак. 2270.

Э. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ

Группа Э00

Изменение № 4 ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23 06.88 JV® 2193

Дата введения 01.12.88

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом'^обязательны для приме* нения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767-—85 приведена а приложении.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

(Продолжение см, с. 368)

2 Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин Применение терминов синонимов стандартизованного термина не допускается Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп»

2 1 Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования

2 2 Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте

2    3 В табл 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), и французском (F) языках

3    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл 2—5.

4    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы —■ курсивом».

Таблицу дополнить словом: «Таблица 1»;

(Продолжение см с. 369}

графа «Термин». Термин 120 дополнить краткой формой: «Излучатель»; графа «Определение». Для термина 121 заменить слова: «излучающего и фотоприемного элементов» на «излучателя и приемника излучения»;

для терминов ,121а — 121 г заменить слова: «фотоприемного элемента» н&> «приемником излучения».

Стандарт дополнить терминами — 1206, 121ж, 121з, 127а— 127с и их определениями:

Термин

Определение

1206. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора

Приемник излучения

121ж. Дифференциальная диодная оптопара

121 з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом 127а. Фотодиод

D.    Fotodiode

E.    Photodiode

F.    Photodiode 1276. Фототранзистор

D.    Fototransistor

E.    Phototransistor

F.    Phototransistor 127в, Фоторезистор

D.    Fotowiderstand

E.    Photoconductive cell

F.    Cellule photoinductive 127г. Фототиристор

D.    Fotothiristor

E.    Photothymtor

F.    Photothyristo#

127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала

127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки

127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока

127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока

127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергшо от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним

Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя

Тиристорная оптопара, с симметричным) диодным или триодным фототиристором

По ГОСТ 21934—83

По ГОСТ 21934—83 По ГОСТ 21934—83

Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект

Оптозлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе

Оптозлектронный ' полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе

Оптозлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока

Оптоэлектр онный полупроводников ый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе

(Продолжение см. с. 370)

Термин

Определение

127к\ Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор

127л. Октрон

127м. Отражательный октрон

£27н. Щелевой октрон

127о. Волстрон

127п. Оптопреобразователь

127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Оптоэлектронный пол> проводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в KOI ороч оптическая связь междл излучателем и приемником излучения ос> -ществляется по открытому оптическому каналу

Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя

Октрон, в котором между излучателем ч приемником излечения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу

Примечание    чагель и приемник

изл) чения чо1 \ i име1Ь схемы электронного обрамления

Опт оэлек! ройный полупроводниковый прибор с одним или несколькими р—п переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема онгчческо! о излучения

Совокупность отоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линчи

Совокупное!ь сп гоэлект ронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам

Алфавитный указатель терминов на русском языке изложить в виде таблицы 2 со следующей головкой:

Термин

Помер термина

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

«Волстрон    127о

Излучатель    120

Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный    127д

Коммутатор нагрузки оптоэлектронный    127с

Коммутатор переменного тока оптоэлектронн&й    127з

(Продолжение см. с. 371)

Термин

Номер термина

Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный    127ж

Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов    127р

Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов    127с

Октрон    127 л

Октрон отражательный    127м

Октрон щелевой    127н

Оптопара диодная дифференциальная    121 ж

Оптопара с симметричным выходом тиристорная    121 з

Оптопреобразователь    127п

Переключатель логи^ских сигналов оптоэлектронный    127и

Прибор полупроводниковый оятоэлектронный линейный    127к

Приемник излучения    _    1206

Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый    1206

Фотодиод    '    127а

Фоторезистор    127в

Фототиристор    127г

Фогогранзистор    127б>.

Алфавитный указатель терминов на немецком языке изложить в виде

лиды 3 со следующей головкой:

Термин

Номер термина

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

«Fotodiode    127а

Fotothiristor    127 г

Fototransistor    1276

Fotowiderstand    127в»,

(Продолжение см. с. 372у

(Продолжение изменения к ГОСТ 15188—77

Алфавитный указатель терминов на английском языке изложить таблицы 4 со следующей головкой:

Теркин

Номер термине

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

■«PhotOconductive cell    127в

Photodiode    127 а

Photothyristor    127г

Phetotransistor    1276»*

Алфавитный указатель терминов на французском языке изложить в виде таблицы 5 со следующей головкой:

Термин

Номер термина

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

-«Cellule photoinductive    127в

Photodiode    127 а

Photofhyristor    127r

Phototransistor    1276».

Приложение изложить в новой редакции:

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 15133—77 СТ СЭВ 2767—85

Номер пункта ГОСТ 15133—77

Номер пункта СТ СЭВ 2767—85

_

2.6

4.61

4.62

(ИУС № 10 198S г,)