ГОСТ 15133-77
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Термины и определения
Semiconductor devices. Terms and definitions
МКС 01.040.31
31.080
ОКСТУ 6201
Дата введения 1978-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27.04.77 N 1061
2. Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767-85, за исключением терминов, указанных в приложении
3. ВЗАМЕН ГОСТ 15133-69
4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка | Номер пункта, подпункта |
ГОСТ 21934-83 | Табл.1, п.п.127а, 127б, 127в |
ГОСТ 25066-91 | Табл.1, п.120а |
5. ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июне 1980 г., июне 1982 г., октябре 1986 г., июне 1988 г. (ИУС 9-80, 10-82, 1-87, 10-88)
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767-85 приведена в приложении.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов - синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
(Измененная редакция, Изм. N 4).
Таблица 1
Термин | Определение |
ФИЗИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВФИЗИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | |
1. Электрический переход | Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости. |
2. Электронно-дырочный переход | Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность |
3. Электронно-электронный переход | Электрический переход между двумя областями полупроводника |
4. Дырочно-дырочный переход | Электрический переход между двумя областями полупроводника |
5. Резкий переход | Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. |
6. Плавный переход | Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда |
7. Плоскостной переход | Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины |
8. Точечный переход | Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. |
9. Диффузионный переход | Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике |
10. Планарный переход | Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника |
11. Конверсионный переход | Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси |
12. Сплавной переход | Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси |
13. Микросплавной переход | Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника |
14. Выращенный переход | Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава |
15. Эпитаксиальный переход | Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. |
16. Гетерогенный переход | Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны |
17. Гомогенный переход | Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны |
18. Переход Шоттки | Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником |
19. Выпрямляющий переход | Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом |
20. Омический переход | Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов |
21. Эмиттерный переход | Электрический переход между эмиттерной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62) |
________________ * Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте. | |
22. Коллекторный переход | Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62) |
23. Дырочная область | Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью |
24. Электронная область | Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью |
25. Область собственной электропроводности | Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника |
26. Базовая область | Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда |
27. Эмиттерная область | Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область |
28. Коллекторная область | Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области |
29. Активная часть базовой области | Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу |
30. Пассивная часть базовой области | Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу |
31. Проводящий канал | Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда. |
32. Исток | Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда |
33. Сток | Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда |
34. Затвор | Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал |
35. Структура полупроводникового прибора | Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций. |
36. Структура металл-диэлектрик-полупроводник | Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника |
37. Структура металл-окисел-полупроводник | Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника |
38. Мезаструктура | Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием |
39. Обедненный слой | Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов |
40. Запирающий слой | Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом |
41. Обогащенный слой | Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов |
42. Инверсный слой | Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов |
ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ | |
43. Прямое направление для | Направление постоянного тока, в котором |
44. Обратное направление для | Направление постоянного тока, в котором |
45. Пробой | Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости |
46. Электрический пробой | Пробой |
47. Лавинный пробой | Электрический пробой |
48. Туннельный пробой | Электрический пробой |
49. Тепловой пробой | Пробой |
50. Модуляция толщины базы | Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу |
51. Эффект смыкания | Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода |
52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе | Увеличение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда |
53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе | Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованные неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации |
54. Прямое восстановление полупроводникового диода | Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении. |
55. Обратное восстановление полупроводникового диода | Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное |
56. Закрытое состояние тиристора | Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения |
57. Открытое состояние тиристора | Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольт-амперной характеристики |
58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении | Состояние тиристора (105), соответствующие участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя |
59. Переключение тиристора | Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе |
60. Включение тиристора | Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления |
61. Выключение тиристора | Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления |
ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | |
62. Полупроводниковый прибор (ПП) | Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника |
63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП) | Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств |
64. Полупроводниковый блок | Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов |
65. Набор полупроводниковых приборов | Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам |
66. Полупроводниковый диод | Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтамперной характеристикой. |
67. Точечный диод | Полупроводниковый диод с точечным переходом |
68. Плоскостной диод | Полупроводниковый диод с плоскостным переходом |
69. Выпрямительный полупроводниковый диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое |
69а. Лавинный выпрямительный диод | Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики |
69б. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем | Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики |
70. Выпрямительный полупроводниковый столб | Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода |
71. Выпрямительный полупроводниковый блок | Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов |
72. Импульсный полупроводниковый диод | Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы |
73. Диод с накоплением заряда | Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания |
74. Туннельный диод | Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости |
75. Обращенный диод | Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны |
76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала |
77. Лавинно-пролетный диод | Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний |
78. Инжекционно-пролетный диод | Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний |
79. Переключательный диод | Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление - при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала |
80. Смесительный диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты |
81. Диод Ганна | Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний |
82. Коммутационный полупроводниковый диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей |
83. Регулируемый резистивный диод | Полупроводниковый |
84. Детекторный полупроводниковый диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала |
85. Ограничительный полупроводниковый род | Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения |
86. Умножительный диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты |
87. Модуляторный диод | Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала |
88. Диод Шоттки | Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника |
89. Варикап
| Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью |
90. Параметрический полупроводниковый диод | Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях |
91. Полупроводниковый стабилитрон | Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения |
92. (Исключен, Изм. N 2). | |
93. Полупроводниковый шумовой диод | Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот |
94. Биполярный транзистор | Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. |
95. Бездрейфовый транзистор | Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии |
96. Дрейфовый транзистор | Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа |
97. Точечный транзистор | Биполярный транзистор с точечными переходами |
98. Плоскостной транзистор | Биполярный транзистор с плоскостными переходами |
99. Лавинный транзистор | Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе |
100. Полевой транзистор | Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. |
101. Полевой транзистор с изолированным затвором | Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала |
102. Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник | Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик |
103. Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник | Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел |
104. Симметричный транзистор | Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока |
105. Тиристор | Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот |
106. Диодный тиристор | Тиристор, имеющий два вывода |
107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении | Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии |
108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении | Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии |
109. Симметричный диодный тиристор | Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях |
110. Триодный тиристор | Тиристор, имеющий три вывода |
111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении | Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. |
112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении | Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии |
113. Симметричный триодный тиристор | Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях |
114. Запираемый тиристор | Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности. |
115. (Исключен, Изм. N 2). | |
116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом | Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала |
117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом | Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала |
117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении | Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния |
117б. Комбинированно-выключаемый тиристор | Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения |
118. Импульсный тиристор | Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы |
119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор | Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов |
120. Полупроводниковый излучатель | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения |
120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор | По ГОСТ 25066 |
120б. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним |
(Введен дополнительно, Изм. N 4). | |
121. Оптопара | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция |
121а. Резисторная оптопара | Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора |
121б. Диодная оптопара | Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода |
121в. Транзисторная оптопара | Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора |
121г. Тиристорная оптопара | Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора |
121д. (Исключен, Изм. N 3). | |
121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником | - |
121а-121е. (Введены дополнительно, Изм N 1). | |
121ж. Дифференциальная диодная оптопара | Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя |
121з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом | Тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором |
121ж, 121з. (Введены дополнительно, Изм N 4). | |
122. Светоизлучающий диод | Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок |
123, 123a. (Исключены, Изм. N 2). | |
124. (Исключен, Изм. N 1). | |
125. (Исключен, Изм. N 2). | |
126. Полупроводниковый экран | Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих |
127. Инфракрасный излучающий диод | Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок |
127a. Фотодиод | По ГОСТ 21934 |
127б. Фототранзистор | По ГОСТ 21934 |
127в. Фоторезистор | По ГОСТ 21934 |
127г. Фототиристор | Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект |
127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе |
127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе |
127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока | Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока |
127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока | Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока |
127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе |
127к. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции |
127л. Октрон | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу |
127м. Отражательный октрон | Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя |
127н. Щелевой октрон | Октрон в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают свето-непроницаемую заслонку |
127о. Волстрон | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу. |
127п. Оптопреобразователь | Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими |
127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов | Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии |
127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов | Совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам |
127а-127с. (Введены дополнительно, Изм 4). | |
ЭЛЕМЕНТЫ КОНСТРУКЦИИ | |
128. Вывод полупроводникового прибора | Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью |
129. Основной вывод полупроводникового прибора | Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток |
130. Катодный вывод полупроводникового прибора | Вывод полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь |
131. Анодный вывод полупроводникового прибора | Вывод полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи |
132. Управляющий вывод полупроводникового прибора | Вывод полупроводникового прибора, через который течет только ток управления |
133. Корпус полупроводникового прибора | Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов |
134. Бескорпусный полупроводниковый прибор | Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре |
135. Полупроводниковый излучающий элемент | Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме |
135а. Электрод полупроводникового прибора | Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом |
(Sperrschicht)
переход
-типа, а другая 
-типа 
переход
junction
переход
pointe
-область 
de base 
d'emitteur 
de collecteur 
active de base 
passive de base 
; 
; 
и др.
(d'une jonction P-N)
de base
in der Basis
dans la base
in der Basis
de porteurs 
dans la base
de thyristor
dans le sens inverse de thyristor
eines Thyristots
de thyristor
диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения
semiconducteurs
(varicape)
(
sperrende Thyristordiode
en inverse
leitende Thyristordiode
sperrende Thyristortriode
en inverse
leitende Thyristortriode
semiconducteur
eines Halbleiterbauelementes
Halbleiterbauelement
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2, 3, 4).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин | Номер термина |
База | 26 |
Блок выпрямительный | 71 |
Блок полупроводниковый | 64 |
Блок полупроводниковый выпрямительный | 71 |
Варикап | 89 |
Вентиль полупроводниковый | 66 |
Включение тиристора | 60 |
Волстрон | 127о |
Восстановление полупроводникового диода обратное | 55 |
Восстановление полупроводникового диода прямое | 54 |
Вывод | 128 |
Вывод полупроводникового прибора | 128 |
Вывод полупроводникового прибора анодный | 131 |
Вывод полупроводникового прибора катодный | 130 |
Вывод полупроводникового прибора основной | 129 |
Вывод полупроводникового прибора управляющий | 132 |
Выключение тиристора | 61 |
Гетеропереход | 16 |
Гомопереход | 17 |
Диак | 109 |
Динистор | 106 |
Диод | 66 |
Диод выпрямительный | 69 |
Диод выпрямительный лавинный | 69а |
Диод Ганна | 81 |
Диод детекторный | 84 |
Диод Зенеровский | 91 |
Диод излучающий инфракрасный | 127 |
Диод импульсный | 72 |
Диод инжекционно-пролетный | 78 |
Диод коммутационный | 82 |
Диод лавинно-пролетный | 77 |
Диод модуляторный | 87 |
Диод обращенный | 75 |
Диод ограничительный | 85 |
Диод параметрический | 90 |
Диод переключательный | 79 |
Диод плоскостной | 68 |
Диод полупроводниковый | 66 |
Диод полупроводниковый выпрямительный | 69 |
Диод полупроводниковый детекторный | 84 |
Диод полупроводниковый импульсный | 72 |
Диод полупроводниковый коммутационный | 82 |
Диод полупроводниковый ограничительный | 85 |
Диод полупроводниковый параметрический | 90 |
Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный | 76 |
Диод резистивный регулируемый | 83 |
Диод светоизлучающий | 122 |
Диод смесительный | 80 |
Диод с накоплением заряда | 73 |
Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный | 69б |
Диод точечно-контактный | 67 |
Диод точечный | 67 |
Диод туннельный | 74 |
Диод умножительный | 86 |
Диод Шоттки | 88 |
Диод шумовой полупроводниковый | 93 |
Затвор | 33 |
Излучатель | 120 |
Излучатель полупроводниковый | 120 |
Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый | 121е |
И-К диод | 127 |
Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый | 120а |
Исток | 32 |
Канал проводящий | 31 |
Коллектор | 28 |
Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный | 127д |
Коммутатор нагрузки оптоэлектронный | 127е |
Коммутатор переменного тока оптоэлектронный | 127з |
Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный | 127ж |
Контакт линейный | 20 |
Корпус | 133 |
Корпус полупроводникового прибора | 133 |
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов | 127р |
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов | 127с |
МДП-транзистор | 102 |
Мезаструктура | 38 |
Модуляция толщины базы | 50 |
МОП-транзистор | 103 |
Набор полупроводниковых приборов | 65 |
Накопление заряда в базе | 52 |
Накопление неравновесных носителей заряда в базе | 52 |
Направление для | 44 |
Направление для | 43 |
Область базовая | 26 |
Область дырочная | 23 |
Область коллекторная | 28 |
Область собственной электропроводности | 25 |
Область собственная | 25 |
Область электронная | 24 |
Область эмиттерная | 27 |
Область | 25 |
Область | 24 |
Область | 23 |
Октрон | 127л |
Октрон отражательный | 127м |
Октрон щелевой | 127н |
Оптопара | 121 |
Оптопара диодная | 121 |
Оптопара диодная дифференциальная | 121ж |
Оптопара резисторная | 121а |
Оптопара с симметричным выходом тиристорная | 121з |
Оптопара тиристорная | 121б |
Оптопара транзисторная | 121в |
Оптопреобразователь | 127п |
Переключение тиристора | 59 |
Переключатель логических сигналов оптоэлектронный | 127и |
Переход | 1 |
Переход вплавной | 12 |
Переход выпрямляющий | 19 |
Переход выращенный | 14 |
Переход гетерогенный | 16 |
Переход гомогенный | 17 |
Переход диффузионный | 9 |
Переход дырочно-дырочный | 4 |
Переход коллекторный | 22 |
Переход конверсионный | 11 |
Переход микровплавной | 13 |
Переход микросплавной | 13 |
Переход омический | 20 |
Переход плавный | 6 |
Переход планарный | 10 |
Переход плоскостной | 7 |
Переход резкий | 5 |
Переход сплавной | 12 |
Переход точечный | 8 |
Переход тянутый | 14 |
Переход Шоттки | 18 |
Переход электрический | 1 |
Переход электронно-дырочный | 2 |
Переход электронно-электронный | 3 |
Переход эмиттерный | 21 |
Переход эпитаксиальный | 15 |
Переход | 3 |
Переход | 2 |
Переход | 4 |
Прибор полупроводниковый (ПП) | 62 |
Прибор полупроводниковый бескорпусный | 134 |
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный | 119 |
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный линейный | 127к |
Прибор полупроводниковый силовой (СПП) | 63 |
Приемник излучения | 120б |
Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый | 120б |
Пробой | 45 |
Пробой | 47 |
Пробой | 49 |
Пробой | 48 |
Пробой | 46 |
Прокол базы | 51 |
Рассасывание заряда в базе | 53 |
Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе | 53 |
СВЧ-диод | 76 |
СИД | 122 |
Слой запирающий | 40 |
Слой запорный | 40 |
Слой инверсный | 42 |
Слой обедненный | 39 |
Слой обогащенный | 41 |
Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее | 58 |
Состояние тиристора закрытое | 56 |
Состояние тиристора открытое | 57 |
Стабилитрон | 91 |
Стабилитрон полупроводниковый | 91 |
Столб выпрямительный | 70 |
Столб полупроводниковый выпрямительный | 70 |
Сток | 33 |
Структура | 35 |
Структура МДП | 36 |
Структура металл-диэлектрик-полупроводник | 36 |
Структура металл-окисел-полупроводник | 37 |
Структура МОП | 37 |
Структура полупроводниковая | 134 |
Структура полупроводникового прибора | 35 |
Тиристор | 105 |
Тиристор диодный | 106 |
Тиристор диодный симметричный | 109 |
Тиристор запираемый | 114 |
Тиристор импульсный | 118 |
Тиристор комбинированно-выключаемый | 117б |
Тиристор лавинный | 117а |
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный | 107 |
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный | 111 |
Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный | 108 |
Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный | 112 |
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный | 117а |
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом | 116 |
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом | 117 |
Тиристор триодный | 110 |
Тиристор триодный симметричный | 113 |
Транзистор | 94 |
Транзистор бездрейфовый | 95 |
Транзистор биполярный | 94 |
Транзистор диффузионный | 95 |
Транзистор дрейфовый | 96 |
Транзистор канальный | 100 |
Транзистор лавинный | 99 |
Транзистор типа металл-окисел-полупроводник полевой | 103 |
Транзистор плоскостной | 98 |
Транзистор полевой | 100 |
Транзистор с изолированным затвором полевой | 101 |
Транзистор симметричный | 104 |
Транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник полевой | 102 |
Триод точечно-контактный | 97 |
Транзистор точечный | 97 |
Триак | 113 |
Тринистор | 110 |
Фотодиод | 127а |
Фоторезистор | 127d |
Фототиристор | 127г |
Фототранзистор | 127б |
Часть базовой области активная | 29 |
Часть базовой области пассивная | 30 |
Элемент излучающий полупроводниковый | 135 |
Элемент полупроводникового прибора | 135а |
Эмиттер | 27 |
Эффект смыкания | 51 |
(Измененная редакция, Изм. N 1, 2, 4).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин | Номер термина |
Abbau von | 53 |
Abschaltbarer Thyristor | 114 |
Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors | 29 |
Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes | 131 |
Anodenseitig gesteuerter Thyristor | 117 |
Anreicherungsschicht | 41 |
Auschluss eines Halbleiterbauelementes | 128 |
Ausschalten eines Thyristors | 61 |
Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes | 129 |
Basisgebiet | 26 |
Bidirektionaltransistor | 104 |
Bipolarer Transistor | 94 |
Blockierzustand eines Thyristors | 56 |
Defektelektronengebiet | 23 |
Diffundierter | 9 |
Diffusionstransistor | 95 |
Drain (Senke) | 33 |
Drifttransistor | 96 |
Durchbruch des | 45 |
Durchgreifeffekt | 51 |
Durchlassrichtung des | 43 |
Durchlasszusfand eines Thyristors | 57 |
Eigenleitungsgebiet | 25 |
Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode | 54 |
Elektrischer Durchbruch des | 46 |
Elektrischer | 1 |
Elektronengebiet | 24 |
Emittergebiet | 27 |
| 21 |
| 15 |
Gate (Tor) | 34 |
| 133 |
| 134 |
Gezogener | 14 |
| 19 |
Gunn-Element | 81 |
Feldeffekttransistor (FET) | 100 |
Feldetffekttransistor mit isoliertem Gate | 101 |
| 98 |
| 7 |
Fotodiode | 127а |
Fotothyristor | 127г |
Fototransistor | 127б |
Fotowiderstand | 127в |
Halbleiterbauelement | 62 |
Halbleiterbegrenzerdiode | 85 |
Halbleiterdemodulatordiode | 84 |
Halbleiterdiode | 66 |
| 68 |
Halbleitergleichrichterdiode | 69 |
Halbleiter-HF-Schaltdiode | 82 |
Halbleiterimpulsdiode | 72 |
Halbleiterinjektionslaufzeitdiode | 78 |
Halbleiterlawinenlaufzeitdiode | 77 |
| 63 |
Halbleitermischdiode | 80 |
Halbleitermodulatoridiode | 87 |
Halbleiterrauschdiode | 93 |
Halbleiterschaltdiode | 79 |
Halbleiterspitzendiode | 67 |
Halbleiterstrahler | 120 |
Halbleitertunneidiode | 74 |
Halbleiterunitunneldiode | 75 |
Halbleitervaraktordiode | 90 |
Halbleitervervielfacherdiode | 86 |
Halbleiter-Z-Diode | 91 |
| 16 |
Homogener | 17 |
Infrarotemitterdiode (IRED) | 127 |
Inversionsschicht | 42 |
Kanal | 31 |
| 89 |
Katodenanschluss eines Halbleiterbauelements | 130 |
Katodenseitig gesteuerter Thyristor | 116 |
Kollektorgebiet | 28 |
| 22 |
| 11 |
Ladungsspeicherdiode | 73 |
Lawinendurchbruch des | 47 |
Lawinentransistor | 99 |
Legierter | 12 |
Lichtemitterdiode (LED) | 122 |
Mesastruktur | 38 |
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur) | 36 |
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur) | 37 |
Mikrolegierter | 13 |
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET) | 102 |
Modulation der Basisbreite | 50 |
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) | 103 |
| 3 |
Ohmischer | 20 |
Optoelektronischer Koppler | 121 |
Optoelektronischer Halbleiterbauelement | 119 |
Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors | 30 |
PIN-Diode | 83 |
| 10 |
| 2 |
| 4 |
| 8 |
| 108 |
| 112 |
| 107 |
| 111 |
Schottky-Diode | 88 |
| 18 |
Source (Quelle) | 32 |
Speicherung von | 52 |
Sperrichtung des | 44 |
Sperrschicht | 40 |
Sperrzustand eines Thyristors | 58 |
Spitzentransistor | 97 |
Steiler | 5 |
Stetiger | 6 |
Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes | 132 |
Struktur eines Halbleiterbauelementes | 35 |
Thermischer Durchbruch des | 49 |
Thyristor | 105 |
Thyristordiode | 106 |
Thyristordiode | 110 |
Tunneldurchbruch des | 48 |
UHF-Halbleiterdiode | 76 |
Umschalten eines Thyristors | 59 |
Verarmungsschicht | 39 |
Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode | 55 |
| 60 |
Zweirichtungsthyristordiode | 109 |
Zweirichtungsthyristortriode | 113 |
in der Basis
(Sperrschicht)
eines Halbleiterbauelementes
Halbleiterbauelement
leitende Thyristordiode
Ieitende Thyristordiode
sperrende Thyristordiode
sperrende Thyristordiode
in der Basis
eines Thyristors
(Введен дополнительно, Изм. N 2).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
Термин | Номер термина |
Abrupt junction | 5 |
Active part of base region | 29 |
Alloyed junction | 12 |
Anode terminal (of a semiconductor device) | 131 |
Avalanche rectifier diode | 69a |
Avalanche reverse blocking thyristor | 117a |
Avalanche transistor | 99 |
Barrier region (layer) | 40 |
Base region | 26 |
Base thickness modulation | 50 |
Beam lead semiconductor device | 134 |
Bi-directional diode thyristor | 109 |
Bi-directional transistor | 104 |
Bi-directional triode thyristor | 113 |
Bipolar transistor | 94 |
Breakdown of a P-N junction | 45 |
Cathode terminal (of a semiconductor device) | 130 |
Channel | 31 |
Collector junction | 22 |
Collector region | 28 |
Controlled-avalanche rectifier diode | 69б |
Conversion junction | 11 |
Depletion layer | 39 |
Detector diode | 84 |
Diffused junction | 9 |
Diffusion transistor | 95 |
Diode thyristor | 106 |
Drain | 33 |
Drift (diffused) transistor | 96 |
Electrode (of a semiconductor device) | 135а |
Emitter junction | 21 |
Emitter region | 27 |
Enriched layer | 41 |
Epitaxial junction | 15 |
Excess carrier resorption (in the base) | 53 |
Field-effect transistor | 100 |
Forward direction (of a P-N junction) | 43 |
Forward recovery | 54 |
Gate | 34 |
Gate terminal (of a semiconductor device) | 132 |
Gate triggering of a thyristor | 60 |
Gate turning-off of a thyristor | 61 |
Graded junction | 6 |
Grown junction | 14 |
Gunn diode | 81 |
Heterogenous junction | 16 |
Homogenous junction | 17 |
Impact avalanche-(and-) transit time diode | 77 |
Infra-red-emitting diode | 127 |
Injection-(and-) transit time diode | 78 |
Insulated-gate FET | 101 |
Intrinsic region | 25 |
Inversion layer | 42 |
Junction | 1 |
Junction diode | 68 |
Junction transistor | 98 |
Light-emitting diode (LED) | 122 |
Main terminal | 129 |
Mesa-structure | 38 |
Micro-alloy junction | 13 |
Microwave diode | 76 |
Microwave limiting diode | 85 |
Minority carrier storage (in the base) | 52 |
MIS-structure | 36 |
MIS-transistor | 102 |
MOS-structure | 37 |
MOS-transistor | 103 |
N-gate thyristor | 117 |
N-N+ junction | 3 |
N-region | 24 |
Off-state of a thyristor | 56 |
Ommic junction | 20 |
On-state of a thyristor | 57 |
Optocoupler | 121 |
Package (case) (of a semiconductor device) | 133 |
Passive part of base region | 30 |
P-gate thyristor | 116 |
Photocoupler | 121 |
Photoconductive cell | 127в |
Photodiode | 127а |
Photothyristor | 127г |
Phototransistor | 127б |
PIN diode | 83 |
Planar junction | 10 |
P-N junction | 2 |
(P-N junction) avalanche breakdown | 47 |
P-N junction electrical breakdown | 46 |
(P-N junction) thermal breakdown | 49 |
Point-contact diode | 67 |
Point-contact junction | 8 |
Point-contact transistor | 97 |
P-P | 4 |
P-region | 23 |
Pulse thyristor | 118 |
Punch-through | 51 |
Rectifying junction | 19 |
Reverse blocking diode thyristor | 107 |
Reverse blocking state of a thyristor | 58 |
Reverse blocking triode thyristor | 111 |
Reverse conducting diode thyristor | 108 |
Reverse conducting triode thyristor | 112 |
Reverse direction (of a P-N junction) | 44 |
Reverse recovery | 55 |
Schottky (-barrier) diode | 88 |
Schottky junction | 18 |
Semiconductor analog indicator | 126 |
Semiconductor assembly | 64 |
Semiconductor assembly set | 65 |
Semiconductor character display | 120а |
Semiconductor device | 62 |
Semiconductor diode | 66 |
Semiconductor frequency multiplication diode | 86 |
Semiconductor mixer diode | 80 |
Semiconductor modulator diode | 87 |
Semiconductor noise diode | 93 |
Semiconductor optoelectronic device | 119 |
Semiconductor optoelectronic display | 126 |
Semiconductor parametric (amplifier) diode | 90 |
Semiconductor photoemitter | 120 |
Semiconductor power device | 63 |
Semiconductor rectifier assembly | 71 |
Semiconductor rectifier diode | 69 |
Semiconductor rectifier stack | 70 |
Signal diode | 72 |
Snap-off (stec-recovery) diode | 73 |
Source | 32 |
Structure | 35 |
Surface junction | 7 |
Switching diode | 79 |
Switching of a thyristor | 59 |
Terminal (of a semiconductor device) | 128 |
Thyristor | 105 |
Triac | 113 |
Triode thyristor | 110 |
Tunnel diode | 74 |
Turn-off thyristor | 114 |
Unitunnel (backward) diode | 75 |
Variable capacitance diode | 89 |
Voltage reference diode | 91 |
Zenner (tunnel) breakdown | 48 |
junction
(Измененная редакция, Изм. N 2, 4).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 5
Термин | Номер термина |
Accumulation de porteurs | 52 |
Amorcage de thyristor | 60 |
Anode | 131 |
Assemblage | 64 |
Assemblage de redressement ( | 71 |
Bloc de redressement ( | 70 |
Borne | 128 |
Borne principale | 129 |
Canal | 31 |
Capsule | 133 |
Cathode | 130 |
Cellule photoinductive | 127в |
Claquage (d'une jonction P-N) | 45 |
Claquage | 46 |
Claquage par avalanche (d'une jonction P-N) | 47 |
Claquage par effet thermique (d'une jonction P-N) | 49 |
Claquage par effet Zenner (tunnel) | 48 |
Commutation de thyristor | 59 |
Couche de | 39 |
Couche d'inversion | 42 |
Couche enrichie | 41 |
| 61 |
Diode | 77 |
Diode | 89 |
Diode | 78 |
Diode | 68 |
Diode | 67 |
Diode | 66 |
Diode | 63 |
Diode de bruit | 93 |
Diode de commutation | 79 |
Diode de limitation de | 85 |
Diode de redressement | 69 |
Diode de Schottky | 88 |
Diode | 84 |
Diode de tension de | 91 |
Diode d'impulsion | 72 |
Diode | 127 |
Diode in | 76 |
Diode Gunn | 81 |
Diode | 75 |
Diode | 80 |
Diode modulatrice ( | 87 |
Diode | 90 |
Diode PIN | 83 |
Diode pour multiplication de | 86 |
Diode tunnel | 74 |
Dispositif | 119 |
Dispositif | 62 |
Dispositif semiconducteur sans boitier | 134 |
Drain | 33 |
Etat | 58 |
Etat | 56 |
Etat passant de thyristor | 57 |
Grille | 34, 132 |
Jonction | 1 |
Jonction abrupte | 5 |
Jonction | 9 |
Jonction | 12 |
Jonction | 8 |
Jonction collecteur | 22 |
Jonction de conversion | 11 |
Jonction de croissance | 14 |
Jonction de par surface | 7 |
Jonction | 21 |
Jonction | 15 |
Jonction graduelle | 6 |
Jonction | 16 |
Jonction | 17 |
Jonction | 13 |
Jonction N-N | 3 |
Jonction ohmique | 20 |
Jonction planar | 10 |
Jonction P-N | 2 |
Jonction P-P | 4 |
Jonction redresseuse | 19 |
Jonction Schottky | 18 |
Modulation | 50 |
| 51 |
Photocoupleur | 121 |
Photodiode | 127а |
| 120 |
Photothyristor | 127г |
Phototransistor | 127б |
Recouvrement direct | 54 |
Recouvrement inverse | 55 |
| 29 |
| 40 |
| 26 |
| 28 |
| 27 |
| 25 |
| 24 |
| 23 |
| 30 |
| 53 |
Sens direct (d'une jonction P-N) | 43 |
Sens inverse (d'une jonction PN) | 44 |
Source | 32 |
Structure | 35 |
| 38 |
Structure-MIS | 36 |
Structure-MOS | 37 |
Thyristor | 105 |
Thyristor blocable | 114 |
Thyristor diode | 106 |
Thyristor diode bi-directionnel | 109 |
Thyristor diode | 107 |
Thyristor diode passant en inverse | 108 |
Thyristor N | 117 |
Thyristor Р | 116 |
Thyristor signal | 118 |
Thyristor triode | 110 |
Thyristor triode bi-directionnel | 113 |
Thyristor triode | 111 |
Thyristor triode passant en inverse | 112 |
Transistor | 99 |
Transistor | 95 |
Transistor | 100 |
Transistor | 101 |
Transistor | 98 |
Transistor | 97 |
Transistor bi-directionnel | 104 |
Transistor bipolaire | 94 |
Transistor en | 96 |
Transistor-MIS | 102 |
Transistor-MOS | 103 |
dans la base
(d'une jonction P-N)
de thyristor
temps de transit
variable (varicape)
temps de transit
semiconducteurs
en infrarouge
(
semiconducteur
dans le sens inverse de thyristor
de thyristor
semiconducteurs
active de base
de 
de base
de collecteur
d'emetteur
N
Р
passive de base
de porteurs 
dans la base
en inverse
en inverse
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3, 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ. ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 15133-77 СТ СЭВ 2767-85
ПРИЛОЖЕНИЕ
Номер пункта ГОСТ 15133-77 | Номер пункта СТ СЭВ 2767-85 |
- | 2.6 |
- | 4.61 |
- | 4.62 |
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. N 4).
Электронный текст документа
и сверен по
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005