Цена 15 коп.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
ГОСТ 15133—77 |СТ СЭВ 2767—85]
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
Группа Э00
ГОСУДАРСТВЕННЫ» СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ГОСТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
77*
Semiconductor devices. Terms and definitions ______ж
|СТ СЭВ 2767—85)
Взамен
ОКСТУ 6201 ГОСТ 15133—69
Термины и определения
15133-
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. N9 1061 срок введения установлен
с 01.07.73
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением терминов, указанных в справочном приложении.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом.
(Измененная редакция, Изм. № 2).____
Издание официальное Перепечатка воспрещена
* Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными в июне 1980 гиюне 1982 г.; Пост. № 2544 от 28,05.82, октябре 1986 г.
(МУС 9—80, 10—82, 1—87).
© Издательство стандартов, 1987
Физические элементы полупроводниковых приборов
1. Электрический переход
Переход
D. Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)
E. Junction
F. Jonotion
2. Электронно-дырочный переход
р-п переход
D. pn-Ubergang
E. P-N junction
F. Jonction P-N
3. Электронно-электронный переход
переход
D. nn+-Ubergang
E. N-N+ junction
F. Jonction N-N4*
4. Дырочно-дырочный переход p-p+ переход
D. pp+-Ubergang
E. P-P+ junction
F. Jonction P-P^
5. Резкий переход
D. Steiler Ubergang
E. Abrupt junction
F. Jonction abrupte
6. Плавный переход
D. Stetiger Ubergang
E. Graded junction
F. Jonction graduelle
7. Плоскостной переход
D. Flacheniibergang
E. Surface junction
F. Jonction de par surface
8. Точечный переход
D. Ponktubergang
E. Point-contact junction
F. Jonction h pointe
Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. Одна из областей может быть металлом
Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность п-ти-па, а другая р-типа
Электрический переход между двумя областями полупроводника я-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости
Электрический переход между двумя областями полупроводника р-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости
Примечание. В терминах 3 и 4 «+> условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью
Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси
Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда
Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины
Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
9. Диффузионный переход
D. Diffundierter Ubergang
E. Diffused junction
F. Jonction a diffusion
10. Планарный переход
D. Planarubergang
E. Planar junction
F. Jonction planar
11. Конверсионный переход
D. Konversionsiibergang
E. Conversion junction
F. Jonction de conversion
12. Сплавной переход Ндп. Вплавной переход
D. Legierter Ubergang
E. Alloyed junction
F. Jonction allie
13. Микросплавной переход Ндп. Микровплавной переход
D. Mikrolegierter Ubergang
E. Micro-alloy junction
F. Jonction microallie
14. Выращенный переход Ндп. Тянутый переход
D. Gezogener Ubergang
E. Grown junction
F. Jonction de croissance
Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т. д.
Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике
Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника
Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси
Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника
Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава
15. Эпитаксиальный переход
D. Epitaxieiibergang
E. Epitaxial junction
F. Jonction epitaxiale
16. Гетерогенный переход
Гетеропереход
D. Heteroubergang
E. Heterogenous junction
F. Jonction heterogene
17. Гомогенный переход Гомопереход
D. Homogener Ubergang
E. Homogenous junction
F. Jonction homogene
18. Переход Шоттки
D. Schottky-Ubergang
E. Sohottky junction
F. Jonction Schottky
Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.
Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокри-сталлической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны
Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны
Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником
Термин
Определение
19. Выпрямляющий переход
D. Gleichrichtertibergang
E. Rechifying junction
F. Jonction redresseuse
20. Омический переход Ндп. Линейный контакт
D. Ohmischer Dbergang
E. Ohmic junction
F. Jonction ohmique
21. Эмиттеркый переход
D. Emitterubergang
E. Emitter junction
F. Jonction emetteur
22. Коллекторный переход
D. Kollektorubergang
E. Collector junction
F. Jonction coilecteur
23. Дырочная область ^-область
D. Defektelektronengebiet
E. P-region
F. Region P
24. Электронная область
/z-область
D. Elektronengebiet
E. N-region
F. Region N
25. Область собственной электропроводности
i-область
Ндп. Собственная область
D. Eigenleitungsgebiet
E. Intrinsic region
F. Region intrinseque
26. Базовая область База
D. Basisgebiet
E. Base region
F. Region de base
27. Эмиттерная область Эмиттер
D. Emittergebiet
E. Emitter region
F. Region d’emMteur
28. Коллекторная область Коллектор
D. Kollektorgebiet
E. Collector region
F. Region de coilecteur
Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом
Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов
Электрический переход между эмит-терной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)
Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)
Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью
Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью
Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника
Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда
Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область
Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области
* Числа в. скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.
Термин
29. Активная часть базовой области
D. Aktiver Teil des Basisgebietes ernes bipolaren Transistors
E. Active part of base region
F. Region active de base
30. Пассивная часть базовой области
D. Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors
E. Passive part of base region
F. Region passive de base
3L Проводящий канал
D. Kanal
E. Channel
F. Canal
32. Исток
D. Source (Quelle)
E. Source
F. Source
33. Сток
D. Drain (Senke)
E. Drain
F. Drain
34. Затвор
D. Gate (Tor)
E. Gate
F. Grille
35. Структура полупроводникового прибора
Структура
D. Struktur eines Halbleiterbau-elementes
E. Structure
F. Structure
Определение
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу
Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу
Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.
Примечания:
1. Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.
2, Проводящий канал может быть ц или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника
Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда
Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда
Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал
Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций.
Примечания:
1. Примеры структур полупроводниковых приборов: р-n; р-л-р; p-i-я; р-л-р-л и др.
2, В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик
36- Структура металл—диэлек
трик-полупроводник
Структура МДП
D. Metall-Dielektrikum-Halblei-ter-Struktur (MIS-Struktur)
F. MIS-structure F. Structure-MIS
37. Структура—металл—окисел-полупроводник
Структура МОП
D. Metall-Oxid-Halbleiter-Struk. tur (MOS-Struktur)
E. MGS-structure
F. Structure-MOS
38. Мезаструктура
D. Mesastruktur
E. Mesa-structure
F. Structure-mesa
39. Обедненный слой
D. Verarmungsschicht
E. Depletion layer
F. Couche de depletion
40. Запирающий слой Ндп. Запорный слой
D. Sperrschicht
E. Barrier region (layer)
F. Region de barriere
41. Обогащенный слой
D. Anreicherungsschicht
E. Enriched layer
F. Couche enridiie
42. Инверсный слой
D. Inversmnsschieht
E. Inversion layer
F. Couche d’inversion
Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника
Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника н полупроводника
Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов
Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом
Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров н акцепторов Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов
Явления в полупроводниковых приборах
43. Прямое направление для р-п перехода
D. Durchlassrichtung des рп-Oberganges
E. Forward direction (of a P-N junction)
F. Sens direct (d’une jonction P-N)
Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наименьшее сопротивление
44. Обратное направление для р-п перехода
D. Sperrichtung des pn-Ubergan-ges
E. Reverse direction (of a P-N junction)
F. Sens inverse (d’une jounction P.N)
45. Пробой р-п перехода
D. Durchbruch des pn-Ubergan-
ges
E. Breakdown of a P-N function
F. Claquage (d’une jonction P-N)
46. Электрический пробой р-п перехода
D. Elektrischer Durchbruch des pn-Dberganges
E. P-N junction electrical breakdown
F. Claquage eledrique (d’une jonction P-N)
47. Лавинный пробой р-п перевода
D. Lawinendurchbruch des pn-Dberganges
E. (P-N junction) avalanche breakdown
F. Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)
48. Туннельный пробой р-п перехода
D. Tunneldurchbruch des ря-Uberganges
E. Zenner (tunnel) breakdown
F. Claquage par effet Zenner (tunnel)
49. Тепловой пробой р-п перехода
D. Thermischer Durchbruch des pr\-Uber gauges
E. (P-N junction) thermal breakdown
F. Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)
50. Модуляция толщины базы
D. Modulation der Basisbreite
E. Base thickness modulation
F- Modulation d’epaisseur de base
Направление постоянного тока, в к<ь тором р-п переход имеет наибольшее со* противление
Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.
Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения
Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического ноля
Электрический пробой р-п перехода* вызванный туннельным эффектом
Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом
Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу
|
Термин |
Определение |
|
51. Эффект смыкания Пдп. Прокол базы D. Durchgreifeffekt E. Punch-through F. Penetration |
Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода |
|
52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе Накопление заряда в базе D. Speicherung von Uberschuss-ladungstragern in der Basis E. Minority carrier storage (in the base) F. Accumation de porteurs d’exces dans la base |
Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда |
|
53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе Рассасывание заряда в базе D. Abbau von Oberschusslad-ungstragern in der Basis E. Excess carrier resorption (in the base) F. Resorption de porteurs d’exces dans la base |
Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинаций |
|
54. Прямое восстановление полупроводникового диода D. Einschwingen des Durchlass-widerstandes einer Halbleit-erdiode E. Forward recovery F. Recouvrement direct |
Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении. Примечание. Под словом «быстрый» в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления |
|
55. Обратное восстановление полупроводникового диода D. Wiederherstellung des Sperr-widerstandes einer Halbleiter-diode E. Reverse recovery F. Recouvrement inverse |
Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное |
|
56. Закрытое состояние тиристора D. Blockierzustand eines Thyristors E. Off-state of a thyristor F. Etat bloque de thyristor |
Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения |
57. Открытое состояние тиристора
D. ‘ Durchlasszustand eines Thy
ristors
E. On-tate of a thyrisior
R Etat passant de thyristor
58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении
D. Sperrzustand eines Thyristors
E. Reverse blocking state of a thyristor
F. Etat bloque dans le sens inverse de thyristor
59. Переключение тиристора
D. Umschalten eines Thyristors
E. Switching of a thyristor
F. Commutation de thyristor
60. Включение тиристора
D. Zunden eines Thyristors
E. Gate triggering of a thyristor
F. Amorcage de thyristor
61. Выключение тиристора
D. Ausschalten eines Thyristors
E. Gate turning-off of a thyristor
F. Desamorcage de thyristor
Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики
Состояние тиристора (Юб), соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя
Переход тиристора (106) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе
Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления
Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления
Виды полупроводниковых приборов
62. Полупроводниковый прибор (ПП)
D. Halbleiterbauelement
E. Semiconductor device
F. Dispolsitif a semiconducteurs
63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП)
D. Halbieiterleistungsbauele-ment
E. Semiconductor power device
F. Diode a semicouducteur pour forte puissance
64. Полупроводниковый блок
E. Semiconductor assembly
F. Assemblage a semieonduue-urs
65. Набор полупроводниковых приборов
E. Semiconductor assembly set
Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника
Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств
Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов
Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам
*
Термин
66. Полупроводниковый ДИОД
Диод
Идп. Полупроводниковый вентиль
D. Halbleiterdiode
E. Semiconductor diode
F* Diode a semiconducteurs
67. Точечный диод
Ндп. Точечно-контактный диод D- Halbleiterspitzendiode Е. Point contact diode F- Diode a pointe
68. Плоскостной диод
D. Haibleiterflachendiode
E. Junction diode F- Diode a jonction
69. Выпрямительный полупроводниковый диод
Выпрямительный диод
D. Halbleiterleichrichterdiode
Е- Semiconductor rectifier diode
F. Diode de redressement
69a. Лавинный выпрямительный диод
E. Avalanche rectifier diode
696. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем
Е- Controlled-avalanche rectifier diode
70. Выпрямительный полупроводни-никовый столб
Выпрямительный столб
E. Semiconductor rectifier stack
F. Bloc de redressement (a se-micondueteurs)
71. Выпрямительный полупроводниковый блок
Выпрямительный блок
E. Semiconductor rectifier as*-sembly
F. Assemblage de redressement (a semiconducteurs)
Определение
Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер-ной характеристикой.
Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода
Полупроводниковый диод с точечным переходом
Полупроводниковый диод с плоскостным переходом
Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое
Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер-ной характеристики
Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики
Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода
Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов
72. Импульсный полупроводниковый диод
Импульсный диод
D. Halbleiterimpulsdiode
E. Signal diode
F. Diode d’impulsion
73. Диод с накоплением заряда
Е. Snap-off (step-recovery) diode
74. Туннельный диод
D. Halbleitertunneldiode
E. Tunnel diode
F. Diode tunnel
75. Обращенный диод
D. Halbleiterunitunneldiode
E. Unitunnel (backward) diode
F. Diode inverse
76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод
СВЧ-диод
D. UHF-Halbleiterdiode
E. Microwave diode
F. Diode en hyperfrequences
77. Лавинно-пролетный диод
D. Halbleiterlawinenlaufzeit-diode
E. Impact avalanche-(and-) transit time diode
F. Diode a avalance a temps de transit
78. Инжекционно-пролетный диод
D. Halbleiterinjektionslaufzeit-diode
E. Injection- (and-) transit time diode
F. Diode a injection a temps de transit
79. Переключательный диод
D. Halbleiterschaltdiode
E. Switching diode
F. Diode de commutation
Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы
Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания
Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости
Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором пров.о оц-мость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны
Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала
Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний
Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний
Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-
80. Смесительный диод
D. Halbleitermischdiode
E. Semiconductor mixer diode
F. Diode melangueuse
81. Диод Ганна
D. Gunn-EIement
E. Gunn diode
F. Diode Gunn
82. Коммутационный полупроводниковый диод
Коммутационный диод
D. Halbleiter- HF-Schaltdiode
83. Регулируемый резистивный диод
D. PIN-Diode
E. PIN diode
F. Diode PIN
84. Детекторный полупроводниковый диод
Детекторный диод
D. Halbleiterdemodulatordiode
E. Detector diode
F. Diode deteetrice a semicon-ducteurs
85. Ограничительный полупроводниковый диод
Ограничительный диод
D. Halbleiterbegrenzerdiode
E. Microwave limiting diode
F. Diode de limitation de hyper-frequences
86. Умножительный диод
D, Halbleitervervielfacherdio le
E, eSmiconductor frequency multiplication diode
F, Diode pour multiplication de frequence
87. Модуляторный диод
D. Halbleitermodulatordiode
E. Semiconductor modulator diode
F. Diode modulatrice (a semi-conducteurs)
88. Диод Шоттки
D. Schottky-Diode
F. Schottky (-barrier) diode
F. Diode de Schottky
наченный для управления уровнем мощности сигнала
Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты
Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний
Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей
Полупроводниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения
Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала
Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения
Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты
Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала
Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника
89. Варикап
D. Kapazitatsdiode
E. Variable capacitance diode
F. Diode a capacite variable (varicape)
90. Параметрический полупроводниковый диод
Параметрический диод
D. Halbleitervaraktordiode Е- Semiconductor parametric (amplifier) diode
F. Diode paranietrique (a serrd-conducteurs)
91. Полупроводниковый стабилитрон
Стабилитрон
Иди, Зенеровский диод
D. Halhleiter-Z-Diode
E. Voltage reference diode
F. Diode de tension de reference
92. (Исключен, Изм. № 2).
93. Полупроводниковый шумовой диод
D. Halbleiterrauschdiode
E. Semiconductor rvoise diode
F. Diode de bruit
94. Биполярный транзистор Транзистор
D. Bipolarer Transistor
E. Bipolar transistor F Transistor bipolaire
95. Бездрейфовый транзистор
Ндп. Диффузионный транзистор
D. Diffusionstransistor
E. Diffusion transistor
F. Transistor a diffusion
96. Дрейфовый транзистор
D. Drifttransistor
E. Drift (diffused) transistor
F. Transistor en derive
97. Точечный транзистор
Ндп. Точечно-контактный диод
D. Spitzentransistor
E. Point contact transistor
F. Transistor a pointe
Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью
Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях
Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения
Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной епек-тральн ой пл отн остью в определенном диапазоне частот
Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание, работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии
Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа
Биполярный транзистор с точечными переходами
Термин
98 Плоскостной транзистор
D Flachentransistor Е Junction transistor F Transistor a jonction
99 Лавинный транзистор D Lawmentransistor
E Avalanche transistor F Transistor a a\alanche
100 Полевой транзистор
Ндп Канагьныи транзистор D Feldeffekttransistor (FET) Е Field effect transistor
F. Transistor a effet de champ
101 Полевой транзистор с изолированным затвором
D Feldeffekttransistor nnt iso liertem Gate E Insulated-gate FET F Transistor a effet de champ a grille isolee
102 Полевой транзистор типа металл ^ диэлектрик—полупроводник
МДП транзистор D MIS Feldeffekttransistor (MIS FET)
E MIS transistor F Transistor MIS
103. Полевой транзистор типа металл-окисел—полупроводник
МОП транзистор D MOS FeldeflekttransiMor CMOS FET)
Е MOS trans’stor F Transistor MOS
104 Симметричный транзистор D Bidirektionaltransutor E Bi-directional transistor F Transistor bi direct*onnel
105 Тиристор
D Thyristor E Thyristor F Thyristor
106 Диодный тиристор
Динистор D Thyristordiode E Diode thyristor E Thxristor diode
Определение
Биполярный транзистор с плоскостными переходами
Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим нолем
Примечание Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изогя-ционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел
Биполярный ипи полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока
Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий гри или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот
Тиристор, имеющий два вывода
|
Термин |
Определение |
|
107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении D. Riickwarts sperrende Thv-ristordiode E. Reverse blocking diode thyristor F. Thyristor diode bloque en inverse |
Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии - |
|
108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении D. Ruckwarts leitende Thyristordiode E. Reverse conducting diode thyristor F. Thyristor diode passant en inverse |
Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, з проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии |
|
109. Симметричный диодный тиристор Диак D. Zweirichtungsthyristordio-de E. Bi-directional diode thyris-tor F. Thyristor diode bi-direction-net |
Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях |
|
110. Триодный тиристор Трикистор D. Thyristordiode E. Triode thyristor F. Thyristor triode |
Тиристор, имеющий три вывода |
|
111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении D. Riickwarts sperrende Thv-ristortriode E. Reverse blocking triode thyristor F. Thyristor triode bloque en inverse |
Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования |
|
112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении D. Riickwarts leitende Th^ri-stortriode E. Reverse conducting triode thyristor F. Thyristor triode passant en inverse |
Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии |
Термин
Определение
113. Симметричный триодный тиристор
Триак
D. Zweirichtungsthyristortrio-de
E. Bi-directional triode thyristor; Triac
F. Thyristor triode bi-direction-nel
114. Запираемый тиристор
D. Abschaltbarer Thyristor
E. Turn-oH thyristor
F. Thyristor blocable
115. (Исключен, Изм. № 2).
116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа
D. Katodenseitig gesteuerter Thyristor
E. P-gate thyristor
F. Thyristor P
117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа
D. Anodenseiltig gesteuerter
Thyristor
E. N-gate thyristor
F. Thyristor N
117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении
Лавинный тиристор
Е. Avalanche reverse blocking thyristor
1176. Комбинированно-выключае-. мый тиристор
118. Импульсный тиристор
E. Pulse thyristor
F. Thyristor signal
119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор
D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement
E. Semiconductor optoelectronic device
Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях
Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.
Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы
Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала
Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с л-областыо, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала
Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер ной характеристики обратного непроводящего состояния Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения
Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы
Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-
F. Dispositif oploelectronique semiconducteur
120. Полупроводниковый излучатель
D. Halbleiterstrahler
E. Semiconductor photoemitter
F. Photoemetteur a semiconducteur s
120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор
E. Semiconductor character dis-play
121. Оптопара
D. Optoelektronischer Koppler
E. Photocoupler; Optocoupler
F. Photocoupleur
121a. Резисторная оптопара 1216. Диодная оптопара 121в. Транзисторная оптопара
121г. Тиристорная оптопара
121д. (Исключен, Изм. № 3).
121е, Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником
121а—121е. (Введены дополнительно,
122. Светоизлучающий диод СИД
D, Lichtemitterdiode (LED)
E. Light-emitting diode (LED)
123. 123a. (Исключены, Изм. № 2).
124. (Исключен, Изм. № 1).
125. (Исключен, Изм. № 2).
126. Полупроводниковый экран
Е. Semiconductor analog indicator
127. Инфракрасный излучающий диод
И-К диод
D. Infrarotemitterdiode (IRED)
E. Infra-red-emitting diode
F. Diode emittrice en infrarouge
лучение для внутреннего взаимодействуя его элементов
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения
По ГОСТ 25066—81
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция
Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто-ра
Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототиристора
Изм. № 1).
Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок
Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для исполъ ю-вания в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок
Элементы
128. Вывод полупроводникового прибора
Вывод
D. Anschluss eines Halbleiter-bauelementes
E. Terminal (of a semiconductor device)
F. Borne
129. Основной вывод полупроводникового прибора
D. Baslsanschluss eines Hal-bleiierbauelementes
E. Main terminal
F. Borne principale
130. Катодный вывод полупроводникового прибора
D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes
E. Cathode terminal (of a semiconductor device)
F. Cathode
131. Анодный вывод полупроводникового прибора
D Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes
E. Anode terminal (of a semiconductor device)
F. Anode
132. Управляющий вывод полупроводникового прибора
E. Gate terminal (of a semiconductor device)
F. Grille
133. Корпус полупроводникового прибора
Корпус
D. Gehause eines Halbleiterbauelementes
E. Package (case) (of a semiconductor device)
F. Capsule
134. Бескорпусный полупроводниковый прибор
Ндп. Полупроводниковая структура
D. Gehauseloses Halbleiterbau-element
E. Beam lead semiconductor device
F. Dispositif semiconducteur
sans boitier
конструкции
Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью
Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток
Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю .электрическую цепь
Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи
Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления
Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов
Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре
135. Полупроводниковый излучающий элемент
135а. Электрод полупроводникового прибора
Е. Electrode (of a semiconductor device)
Часть полупроводникового прибоца отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический конта сг между определенной областью полупроводникового прибора и выводом
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).
АЛФАВИТНЫЙ! УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
База 26
Блок выпрямительный 71
Блок полупроводниковый 64
Блок полупроводниковый выпрямительный 71
Варикан 89
Вентиль полупроводниковый 66
Включение тиристора 60
Восстановление полупроводникового диода обратное 35
Восстановление полупроводникового диода прямое 54
Вывод 128
Вывод полупроводникового прибора 128
Вывод полупроводникового прибора анодный 131
Вывод полупроводникового прибора катодный 130
Вывод полупроводникового прибора основной 129
Вывод полупроводникового прибора управляющий 132
Выключение тиристора 61
Гетеропереход 16
Гомопереход 17
Диак 109
Динистор 106
Диод 66
Диод выпрямительный 69
Диод выпрямительный лавинный 69а
Диод Ганна 81
Диод детекторный 84
Диод Зенеровский 91
Диод излучающий инфракрасный 127
Диод импульсный 72
Диод инжекционно-пролетный 78
Диод коммутационный 82
Диод лавинно-пролетный 77
Диод модуляторный 37
Диод обращенный 75
Диод ограничительный 85
Диод параметрический 90
Диод переключательный /9
Диод плоскостной 68
Диод полупроводниковый 66
Диод полупроводниковый выпрямительный 69 Диод полупроводниковый детекторный 84 Диод полупроводниковый импульсный 72 Диод полупроводниковый коммутационный 82 Диод полупроводниковый ограничительный 85 Диод полупроводниковый параметрический 90 Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный 76 Диод резистивный регулируемый 83 Диод светоизлучающий 122 Диод смесительный 80 Диод с накоплением заряда 73 Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый
выпрямительный 696 Диод точечко-контактный 67 Диод точечный 37 Диод туннельный 74 Диод умножительный 86 Диод Шоттки 88 Диод шумовой полупроводниковый 93 Затвор 33 Излучатель полупроводниковый 120 Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый 121е И-К диод 127 Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый 120а Исток 32 Канал проводящий 31 Коллектор 28 Контакт линейный 20 Корпус 133 Корпус полупроводникового прибора 133 МДП-транзистор 102 Мезаструктура 38 Модуляция толщины базы 50 МОП-транзистор 103 Набор полупроводниковых приборов 65 Накопление заряда в базе 52 Накопление неравновесных носителей заряда в базе 52 Направление для р-п перехода обратное 44 Направление для р п перехода прямое 43 Область базовая 26 Область дырочная 23 Область коллекторная 28 Область собственной электропроводности 25 Область собственная 25 Область электронная 24 Область змиттерная 27 Область i 25 Область п 24 Область р 23 Оптопара 121 Оптопара диодная 121 Оптопара резисторная 121а Оптопара тиристорная 1216 Оптопара транзисторная 121в Переключение тиристора 59 Переход 1 Переход вплавной 12
Переход выпрямляющий 19
Переход выращенный 14
Переход гетерогенный 16
Переход гомогенный 17
Переход диффузионный 9
Переход дырочно-дырочный 4
Переход коллекторный 22
Переход конверсинонный Н
Переход микровплавной 13
Переход микросплавной 13
Переход омический 20
Переход плавный 6
Переход планарный 10
Переход плоскостной 7
Переход резкий 6
Переход сплавной 12
Переход точечный В
Переход тянутый 14
Переход Шоттки 18
Переход электрический 1
Переход электронно-дырочный 2
Переход электронно-электронный 3
Переход эмкттерный 21
Переход эпитаксиальный 16
Переход п-п+ 3
Переход р-п 2
Переход р-р+ ^4
Прибор полупроводниковый (ПП) 62
Прибор полупроводниковый бескорпусный 134
Прибор полупроводниковый оптоэлектронный П9
Прибор полупроводниковый силовой (СПП) 63
Пробой р-п перехода 45
Пробой р-п перехода лавинный 47
Пробой р-п перехода тепловой 49
Пробой р-п перехода туннельный ^8
Пробой р-п перехода электрический 46
Прокол базы 61
Рассасывание заряда в базе 63
Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе 53
СВЧ-диод 76
СИД 122
Слой запирающий 40
Слой запорный 40
Слой инверсный 42
Слой обедненный 39
Слой обогащенный 41
Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее 58
Состояние тиристора закрытое 56
Состояние тиристора открытое 57
Стабилитрон 91
Стабилитрон полупроводниковый 91
Столб выпрямительный 70
Столб полупроводниковый выпрямительный 70
Сток 33
Структура 35
Структура МДП 36
Структура металл—диэлектрик—полупроводник 36
Структура металл—окисел—полупроводник 37
Структура МОП 37
Структура полупроводниковая 134
Структура полупроводникового прибора 35
Тиристор 105
Тиристор диодный 106
Тиристор диодный симметричный 109
Тиристор запираемый 114
Тиристор импульсный 118
Тиристор комбинированно-выключаемый 1176
Тиристор лавинный 117а
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный 107
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, трнодный 111
Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный 108
Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный 112
Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный 117а
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом /?-типа 116
Тиристор с инжектирующим управляющим электродом я-типа 117
Тиристор триодный ПО
Тиристор триодный симметричный 113
Транзистор 94
Транзистор бездрейфовый 95
Транзистор биполярный 94
Транзистор диффузионный 95
Транзистор дрейфовый 96
Транзистор канальный 100
Транзистор лавинный 99
Транзистор типа металл—окисел—полупроводник полевой 103
Транзистор плоскостной 98
Транзистор полевой 100
Транзистор с изолированным затвором полевой 101
Транзистор симметричный 104
Транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник полевой 102
Триод точечно-контактный 97
Транзистор точечный 97
Триак 113
Тринистор ПО
Часть базовой области активная 29
Часть базовой области пассивная 30
Элемент излучающий полупроводниковый 135
Электрод полупроводникового прибора 135а
Эмиттер 27
Эффект смыкания 51
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abbau von Uberschussladiingstragern in der Basis 53
Abschaltbarer Thyristor 114
Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors 29
Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes 131
Anodenseitig gesteuerter Thyristor J17
Anreicherungsschicht 41
Auschluss eines Halbleiterbauelementes 128
Ausschalten eines Thyristors 61
Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes 129
Basisgeblet 26
Bidirektionaltransistor 104
Bipolarer Transistor Э4
Blockierzustand eines Thyristors 56
Defektelektronengebiet 23
Diffundierter Dbergang 9
Diffusionstransistor 95
Drain (Senke) 33
Drifttransistor 96
Durchbruch des pn-Dberganges 45
Durchgreifeffekt 51
Durchlassrichtung des pn-Dberganges 43
Durchlasszustand eines Thyristors 57
Eigenleitungsgebiet 25
Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode 54
Elektrischer Durchbruch des pn-Dberganges 46
Elektrischer Dbergang (Sperrschicht) 1
Elektronengebiet 24
Emittergebiet 27
Emitterubergang 21
Epitaxieiibergang 15
Gate (Tor) 34
Gehause eines Halbleiterbauelementes 133
Gehauseloses Halbleiterbauelement 134
Gezogener Dbergang 14
Gleichrichterubergang 19
Gunn-Element 81
Feldeffekttransistor (FET) 100
Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate 101
Flachentransistor 98
Flachenubergang 7
Halbleiterbauelement 62
Halbleiterbegrenzerdiode 85
Halbleiterdemodulatordiode 84
Halbleiterdiode 66
Halbleiterfrachendiode 68
Halbleitergleichrichterdiode 69
Halbleiter-HF-Schaltdiode 82
Halbleiterimpulsdiode 72
Halbleiterinjektionslaufzeitdiode /8
Halbleilerlawinenlaufzeitdiode 77
Halbleiterleistungsbauelement 63
Halbleitermischdiode SO
Halbleitermodulatordiode 87
Halbleiterrauschdiode 93
Halbleiterschaltdiode 79
Halbleiterspitzendiode 67
Halbleiterstrahler 120
Halbleitertunneldiode 74
Halbleiterunitunneldiode 75
Halbleitervaraktordiode 90
Halbleitervervielfacherdiode 86
Halbleiter-Z-Diode 91
Heteroiibergang 16
Homogener Dbergang 17
Infrarotemitterdiode (IRED) 127
Inversionsschicht 42
Kanal 31
Kapazitatsdiode 39
Katodenanschluss ernes Halbleiterbauelementes 130
Katodenseitig gesteuerter Thyristor 116
Kollektorgebiet 28
Kollektortibergang 22
Konveisionsubergang 11
Ladungsspeicherdiode 73
Lawinendurchbruch des pn-Dberganges 47
Lawinentransistor 99
Legierter Dbergang 12
Lichtemitterdiode (LED) 122
Mesasiruktur 38
Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MlS-Struktur) 36
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur) 37
Mikrolegierter Dbergang 13
MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET) 192
Modulation der Basisbreite 50
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) 103
nn+-LTbergang 3
Ohmischer Dbergang 20
Optoelektronischer Koppler «21
Optoelektronisches Halbleiterbauelement 119
Passiver Tell des Basisgebietes eines bipolaren Transistors 30
PIN-Diode S3
Planariibergang 10
pn-Dbergang 2
pp+-Dbergang 4
Punkttibergang 8
Riickwarts leitende Thyristordiode 108
Riickwarts leitende Thyristortriode 112
Riickwarts sperrende Thyristordiode iQ7
Riickwarts sperrende Thyristortriode 111
Schottky-Diode 88
Schottky-Dbergang 18
Source (Quelle) 32
Speicherung von Dberschussladungstragern in der Basis 32
Sperrichtung des pn-Dberganges 14
Sperrschicht 40
Sperrzustanl eines Thyristors 38
Spitzen transistor 97
Steiler Dbergang 5
Stetiger Dbergang 6
Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes 132
Struktur eines Halbleiterbauelementes 35
Therm ischer Durchbruch des pn-Dberganges 49
Thyristor 105
Thyristordiode 106
Thyristortriode 110
Tunneldurchbruch des pn-Dberganges 48
UHF-Halbleiterdiode 76
Umschalten eines Thyristors 59
Verarmungsschicht 39
Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode 55
Ziinderi eines Thyristors 60
Zweirichtungsthyristordiode 109
Zweirichtungsthyristortriode 113
(Введен дополнительно, Изм. № 2).
алфавитный указатель терминов на английском языке
Abrupt junction 5
Active part of base region 29
Alloyed junction 12
Anode terminal (of a semiconductor device) 131
Avalanche rectifier diode 09a
Avalanche reverse blocking thyristor Ц7а
Avalanche transistor 99
Barrier region (layer) 40
Base region 26
Base thickness modulation 50
Beam lead semiconductor device 134
Bi-directional diode thyristor 109
Bi-directional transistor 104
Bi-directional triode thyristor 113
Bipolar transistor 94
Breakdown of a P-N junction 45
Cathode terminal (of a semiconductor device) 130
Channel 31
Collector junction 22
Collector region 28
ControlTed-avafanche rectifier diocfe 69b
Conversion junction Ц
Depletion layer 39
Detector diode 84
Diffused junction 9
Diffusion transistor 95
Diode thyristor 106
Drain 33
Drift (diffused) transistor 96
Electrode (of a semiconductor device) 135a
Emitter junction 21
Emitter region 27
Enriched layer 41
Epitaxial junction 15
Excess carrier resorption (in the base) 53
Field-effect transistor 100
Forward direction (of a P-N junction) 43
Forward recovery 54
Gate 34
Gate terminal (of a semiconductor device) 132
Gate triggering of a thyristor 60
Gate turning-olf of a thyristor 61
Graded junction 6
Grown junction 14
Gunn diode SI
Heterogenous junction 16
Homogenous junction 17
Impact avalanche-(and-) transit time diode 77
Infra-red-emitting diode 127
Injection- (and-) transit time diode 78
Insulated-gate FET 101
Intrinsic region 25
Inversion layer 42
Junction 1
Junction diode 68
Junction transistor 98
Light-emitting diode (LED) 122
Main terminal ;29
Mcsa-structure 38
Micro-alloy junction 13
Microwave diode 76
Microwave limiting diode 85
Minority carrier storage* (in the base) 52
MIS-structure 36
MIS-transistor 102
MOS-structure 37
MOS-transistor 103
N-gate thyristor 117
N-N+ junction 3
N-region 24
Off-state of a thyristor 56
Ohmic junction 20
On-state of a thyristor 57
Optocoupler 121
Package (case) (of a semiconductor device) 133
Passive part of base region 30
P-gate thyristor 116
Photocoupler J21
PIN diode 83
Planar junction 10
P-N junction 2
(P-N junction) avalanche breakdown 47
P-N junction electrical breakdown 46
(P-N junction) thermal breakdown 49
Point contact diode 67
Point-contact junction 8
Point-contact transistor 97
P-P+ junction 4
P-region 23
Pulse thyristor 118
Punch-through 51
Rectifying junction 19
Reverse blocking diode thyristor 107
Reverse blocking state of a thyristor 58
Reverse blocking triode thyristor 111
Reverse conducting diode thyristor 108
Reverse conducting triode thyristor 112
Reverse direction (of a P-N junction) 44
Reverse recovery 55
Schottky (-barrier) diode 88
Schottky junction 18
Semiconductor analog indicator 126
Semiconductor assembly 64
Semiconductor assembly set 65
Semiconductor character display 120a
Semiconductor device 52
Semiconductor diode 66
Semiconductor frequency multiplication diode 86
Semiconductor mixer diode 80
Semiconductor modulator diode 87
Semiconductor noise diode 93
Semiconductor optoelectronic device 119
Semiconductor optoelectronic display 126
Semiconductor parametric (amplifier) diode 90
Semiconductor photoemitter 120
Semiconductor power device 63
Semiconductor rectifier assembly 71
Semiconductor rectifier diode C9
Semiconductor rectifier stack 70
Signal diode 72
Snap-off (step-recovery) diode 73
Source 32
Structure 35
Surface junction 7
Switching diode 79
Switching of a thyristor 59
Terminal (of a semiconductor device) 128
Thyristor 105
Triac 113
Triode thyristor 110
Tunnel diode 74
Turn-off thyristor 114
Unitunnel (backward) diode 75
Variable capacitance diode 89
Voltage reference diode 91
Zenner (tunnel) breakdown 48
(Измененная редакция, Изм. № 2).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Accumulation de porteurs d’exces dans la base 52
Amorcage de thyristor 60
Anode 131
Assemblage a semiconducteurs 64
Assemblage de redressement (a semironducteurs) 71
Bloc de redressement (a semiconducteurs) 70
Borne 128
Borne principale 129
Canal 31
Capsule 133
Cathode 13Q
Claquage (d’une jonction P-N) 45
Claquage electrique (d’une jonction P-N) 46
Claquage par avalanche (d’une jonction P-N) 47
Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N) 49
Claquage par effet Zenner (tunnel) 4g
Commutation de thyristor 59
Couche de depletion 39
Couche d’inversion 42
Couche enrichie 41
Desamorcage de thyristor 61
Diode a avalanche a temps de transit 77
Diode a capacite variable (varicape) 39
Diode a injection a temps de transit 78
Diode a jonction 63
Diode к pointe 67
Diode a semiconducteurs 86
Diode к semiconducteurs pour forte puissance 63
Diode de bruit 93
Diode de commutation 79
Diode de limitation de hyperfrequences 85
Diode de redressement b9
Diode de Schottky 88
Diode detectrice a semiconducteurs 84
Diode de tension de reference 91
Diode d’impulsion 72
Diode emettrice en infrarouge 127
Diode en hyperfrequences /6
Diode Gunn 81
Diode inverse 75
Diode melangeuse 80
Diode modulatnce (a semiconducteurs) 87
Diode parametrique (a semiconducteurs) 90
Diode PIN S3
Diode pour multiplication de frequence 86
Diode tunnel 74
Dispositif optoelectromque semiconducteur 119
Dispositif a semiconducteurs 62
Dispositif semiconducteur sans boitier 134
Dram 33
Etat bloque dans le sens inverse de thyristor 58
Etat bloque de thyristor 56
Etat passant de thyristor 57
Grille 34, 132
Jonction 1
Jonction abrupte 5
Jonction a diffusion 9
Jonction allie 12
Jonction a pomte 8
Jonction cotlecteur 22
Jonction de conversion 11
Jonction de croissance 14
Jonction de par surface 7
Jonction emitteur 21
Jonction epitaxiale 15
Jonction graduelle 6
Jonction heterogene 16
Jonction homogene 17
Jonction microallie 13
Jonction N-N 3
Jonction ohmique 20
Jonction planar 10
Jonction P-N 2
Jonction P-P 4
Jonction redresseuse 19
Jonction Schottky 18
Modulation d’epaisseur de base 50
Penetration 51
Photocoupler 121
Photoemetteur a semiconducteurs 120
Recouvrement direct 54
Recouvrement inverse 55
Region active de base 29
Region de barriere 40
Region de base 26
|
Region de collecteur |
28 |
|
Region d’emetteur |
27 |
|
Region intrinseque |
25 |
|
Region N |
24 |
|
Region P |
23 |
|
Region passive de base |
30 |
|
Resorption de porteurs d’exc£s dans la base |
53 |
|
Sens direct (d’une jonction P-N) |
43 |
|
Sens inverse (d’une jonction PN) |
Л4 |
|
Source |
32 |
|
Structure |
35 |
|
Structure-mesa |
38 |
|
Structure-MIS |
36 |
|
Structure-MOS |
37 |
|
Thyristor |
105 |
|
Thyristor biocable |
1 14 |
|
Thyristor dfcde |
306 |
|
Thyristor diode bi-directionnel |
109 |
|
Thyristor diode blogue en inverse |
107 |
|
Thyristor diode passant en inverse |
108 |
|
Thyristor N |
117 |
|
Thyristor P |
116 |
|
Thyristor signal |
118 |
|
Thyristor triode |
110 |
|
Thyristor triode bi-directionnel |
113 |
|
Thyristor triode bloque en inverse |
11.1 |
|
Thyristor triode passant en inverse |
112 |
|
Transistor a avalanche |
99 |
|
Transistor a diffusion |
95 |
|
Transistor a effet de champ |
100 |
|
Transistor a effet de champ a grille isolee |
101 |
|
Transistor a jonction |
98 |
|
Transistor a pointe |
97 |
|
Transistor bi-directionnel |
104 |
|
Transistor bipolaire |
94 |
|
Transistor en derive |
96 |
|
Transistor-MIS |
102 |
|
Transistor-MOS |
103 |
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ПЕРЕЧЕНЬ ТЕРМИНОВ СТ СЭВ 3767—85, НЕ ВКЛЮЧЕННЫХ В НАСТОЯЩИЙ
СТАНДАРТ
1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор.
2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.
3. Фоторезистор
4. Фотодиод
5. Фототранзистор
6. Фототиристор
7. Туннельный эффект
(Введено дополнительно, Изм. № 2, 3).
Редактор В. С. Бабкина Технический редактор 3. Б. Митяй Корректор Г. Я. Чуйко
Сдано в наб. 23.04.87 Подп. в печ. 08.06.87 2,0 уел. п. л. 2,0 уел. кр.-отт. 2,60 уч.-изд. л.
Тираж 6000 Цена 15 коп.
Ордена «Знак" Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП.
Новопресненский пер., д. 3.
Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул. Миндауго, 12/14. Зак. 2270.
Э. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ
Группа Э00
Изменение № 4 ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23 06.88 JV® 2193
Дата введения 01.12.88
Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом'^обязательны для приме* нения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767-—85 приведена а приложении.
1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.
(Продолжение см, с. 368)
2 Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин Применение терминов синонимов стандартизованного термина не допускается Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп»
2 1 Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования
2 2 Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте
2 3 В табл 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), и французском (F) языках
3 Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл 2—5.
4 Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы —■ курсивом».
Таблицу дополнить словом: «Таблица 1»;
(Продолжение см с. 369}
графа «Термин». Термин 120 дополнить краткой формой: «Излучатель»; графа «Определение». Для термина 121 заменить слова: «излучающего и фотоприемного элементов» на «излучателя и приемника излучения»;
для терминов ,121а — 121 г заменить слова: «фотоприемного элемента» н&> «приемником излучения».
Стандарт дополнить терминами — 1206, 121ж, 121з, 127а— 127с и их определениями:
Термин
Определение
1206. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора
Приемник излучения
121ж. Дифференциальная диодная оптопара
121 з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом 127а. Фотодиод
D. Fotodiode
E. Photodiode
F. Photodiode 1276. Фототранзистор
D. Fototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor 127в, Фоторезистор
D. Fotowiderstand
E. Photoconductive cell
F. Cellule photoinductive 127г. Фототиристор
D. Fotothiristor
E. Photothymtor
F. Photothyristo#
127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала
127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки
127ж. Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока
127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока
127и. Оптоэлектронный переключатель логических сигналов
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергшо от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним
Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя
Тиристорная оптопара, с симметричным) диодным или триодным фототиристором
По ГОСТ 21934—83
По ГОСТ 21934—83 По ГОСТ 21934—83
Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Оптозлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе
Оптозлектронный ' полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе
Оптозлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока
Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока
Оптоэлектр онный полупроводников ый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе
(Продолжение см. с. 370)
Термин
Определение
127к\ Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор
127л. Октрон
127м. Отражательный октрон
£27н. Щелевой октрон
127о. Волстрон
127п. Оптопреобразователь
127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов
127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов
Оптоэлектронный пол> проводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в KOI ороч оптическая связь междл излучателем и приемником излучения ос> -ществляется по открытому оптическому каналу
Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражательной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя
Октрон, в котором между излучателем ч приемником излечения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу
Примечание чагель и приемник
изл) чения чо1 \ i име1Ь схемы электронного обрамления
Опт оэлек! ройный полупроводниковый прибор с одним или несколькими р—п переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема онгчческо! о излучения
Совокупность отоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линчи
Совокупное!ь сп гоэлект ронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам
Алфавитный указатель терминов на русском языке изложить в виде таблицы 2 со следующей головкой:
Термин
Помер термина
Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):
«Волстрон 127о
Излучатель 120
Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный 127д
Коммутатор нагрузки оптоэлектронный 127с
Коммутатор переменного тока оптоэлектронн&й 127з
(Продолжение см. с. 371)
Термин
Номер термина
Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный 127ж
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов 127р
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов 127с
Октрон 127 л
Октрон отражательный 127м
Октрон щелевой 127н
Оптопара диодная дифференциальная 121 ж
Оптопара с симметричным выходом тиристорная 121 з
Оптопреобразователь 127п
Переключатель логи^ских сигналов оптоэлектронный 127и
Прибор полупроводниковый оятоэлектронный линейный 127к
Приемник излучения _ 1206
Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый 1206
Фотодиод ' 127а
Фоторезистор 127в
Фототиристор 127г
Фогогранзистор 127б>.
Алфавитный указатель терминов на немецком языке изложить в виде
лиды 3 со следующей головкой:
Термин
Номер термина
Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):
«Fotodiode 127а
Fotothiristor 127 г
Fototransistor 1276
Fotowiderstand 127в»,
(Продолжение см. с. 372у
(Продолжение изменения к ГОСТ 15188—77
Алфавитный указатель терминов на английском языке изложить таблицы 4 со следующей головкой:
Теркин
Номер термине
Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):
■«PhotOconductive cell 127в
Photodiode 127 а
Photothyristor 127г
Phetotransistor 1276»*
Алфавитный указатель терминов на французском языке изложить в виде таблицы 5 со следующей головкой:
Термин
Номер термина
Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):
-«Cellule photoinductive 127в
Photodiode 127 а
Photofhyristor 127r
Phototransistor 1276».
Приложение изложить в новой редакции:
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 15133—77 СТ СЭВ 2767—85
|
Номер пункта ГОСТ 15133—77 |
Номер пункта СТ СЭВ 2767—85 |
|
_ |
2.6 |
|
— |
4.61 |
|
— |
4.62 |
(ИУС № 10 198S г,)