allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ 15133-77
Наименование:
Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
06.30.1978
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.080

Текст ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

>

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133—77

(СТ СЭВ 2767—85)

Издание официальное

Цена 15 коп.


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

УДК 001.4 : 621.382 : 006.354


Группа Э00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

Semiconductor devices. Terms and definitions

ОКСТУ 6201

ГОСТ 15133-771 2 (СТ СЭВ 2767—85)

Взамен

ГОСТ 15133—69


Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. М9 1061 срок введения установлен

с 01.07.78

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением терминов, указанных в справочном приложении.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндпэ.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом.

Термин


Определение

Физические элементы полупроводниковых приборов

1. Электрический переход

Переход

  • D. Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)

  • E. Junction

  • F. Jonction


  • 2. Электронно-дырочный переход p-n переход

  • D. pn-Ubergang

  • E. P-N junction

  • F. Jonction P-N

  • 3. Электронно-электронный переход n-n+ переход

  • D. nn+-Ubergang

  • E. N-N+ junction

  • F. Jonction N-N+

  • 4. Дырочно-дырочный переход p-p+ переход

О. pp+-Ubergang

  • E. P-P+ junction

  • F. Jonction P-P+-


5. Резкий переход

  • D. Steiler Ubergang

  • E. Abrupt junction

  • F. Jonction abrupte


  • 6. Плавный переход

  • D. Stetiger Ubergang

  • E. Graded junction

  • F. Jonction graduelle

  • 7. Плоскостной переход

  • D. Flachenubergang

  • E. Surface junction

  • F. Jonction de par surface

  • 8. Точечный переход

  • D. Punktubergang

  • E. Point-contact junction

  • F. Jonction b pointe


Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность я-ти-па, а другая р-типа

Электрический переход между двумя областями полупроводника я-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости Примечание. В терминах 3 и 4 <+> условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительна меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

ГОСТ 15133—77 Сто. 3

Термин


  • 9. Диффузионный переход

  • D. Diffundierter Ubergang

  • E. Diffused junction

  • F. Jonction a diffusion

  • 10. Планарный переход

  • D. Planarubergang

  • E. Planar junction

  • F. Jonction planar

  • 11. Конверсионный переход

  • D. Konversionsubergang

  • E. Conversion junction

  • F. Jonction de conversion

  • 12. Сплавной переход

Ндп. Вплаеной переход

  • D. Legierter Ubergang

  • E. Alloyed junction

  • F. Jonction allie

  • 13. Микросплавной переход

Ндп. Микроеплавной переход

  • D. Mikrolegierter Ubergang

  • E. Micro-alloy junction

  • F. Jonction microallie

  • 14. Выращенный переход

Ндп. Тянутый переход

  • D. Gezogener Ubergang

  • E. Grown junction

  • F. Jonction de croissance

  • 15. Эпитаксиальный переход

  • D. Epitaxieubergang

  • E. Epitaxial junction

  • F. Jonction epitaxiale


  • 16. Гетерогенный переход Гетеропереход

  • D. Heteroubergang

  • E. Heterogenous junction

  • F. Jonction heterogene

  • 17. Гомогенный переход Гомопереход

  • D. Homogener Ubergang

  • E. Homogenous junction

  • F. Jonction homogene

  • 18. Переход Шоттки

  • D. Schottky-Ubergang

  • E. Schottky junction

  • F. Jonction Schottky


Определение

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, -диффузионная длина и т. д. Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси

Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника

Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником

Термин

Определение

  • 19. Выпрямляющий переход

  • D. Gleichrichierubergang

  • E. Rechifying junction

  • F. Jonction redresseuse

  • 20. Омический переход

Ндп. Линейный контакт

О. Ohmischer Ubergang

  • E. Ohmic junction

  • F. Jonction ohmique

  • 21. Эмиттерный переход

  • D. EmitterObergang

  • E. Emitter junction

  • F. Jonction emetteur

  • 22. Коллекторный переход

  • D. Kollektorubergang

  • E. Collector junction

  • F. Jonction collecteur

  • 23. Дырочная область

p-область

  • D. Defektelektronengebiet

  • E. P-region

  • F. Region P

  • 24. Электронная область л-область

  • D. Elektronengebiet

  • E. N-region

  • F. Region N

  • 25. Область собственной электропроводности

/-область

Ндп. Собственная область

  • D. Eigenleitungsgebiet

  • E. Intrinsic region

  • F. Region intrinseque

  • 26. Базовая область

База

  • D. Basisgebiet

  • E. -Base region

  • F. Region de base

  • 27. Эмиттерная область

Эмиттер

  • D. Emittergebiet

  • E. Emitter region

  • F. Region d’emrtteur

  • 28. Коллекторная область

Коллектор

  • D. Kollektorgebiet

  • E. Collector region

  • F. Region de collecteur

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

Электрический переход между эмнт-терной (27)3 и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

Область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области

Термин


Определение

  • 29. Активная часть базовой области

  • D. Aktiver Teil des Basisgebictes eines bipolaren Transistors

  • E. Active part of base region

  • F. Region active de base

  • 30. Пассивная часть базовой области

  • D. Passiver Teil des Basisgebie-tes eines bipolaren Transistors

  • E. Passive part of base region

  • F. Region passive de base

  • 31. Проводящий канал

  • D. Kanal

  • E. Channel

  • F. Canal

  • 32. Исток

  • D. Source (Quelle)

  • E. Source

  • F. Source

  • 33. Сток

  • D. Drain (Senke)

  • E. Drain

  • F. Drain

  • 34. Затвор

  • D. Gate (Tor)

  • E. Gate

  • F. Grille

  • 35. Структура полупроводникового прибора

Структура

  • D. Struktur eines Halbleiterbau-elementes

  • E. Structure

  • F. Structure

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.

Примечания:

  • 1. Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р~п перехода на поверхность кристалла.

  • 2. Проводящий канал может быть р или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника Электрод полевого транзистора (100),

через который в проводящий канал втекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций. Примечания:

  • 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: р-п; р-п-р; р4~п; р-п-р-п и Др.

  • 2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

Термин


Определение



  • 36. Структура металл—диэлектрик—полупроводник

Структура МДП

  • D. Metall-Dielektrikum-Halblei-ter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MlS-structure

F. Structure-MIS

  • 37. Структура—металл—окисел-полупроводник

Структура МОП

  • D. Metall-Oxid-Halbleiter-Struk-tur (MOS-Struktur)

  • E. MOS-structure

  • F. Structure-MOS

  • 38. Мезаструктура

  • D. Mesastruktur

  • E. Mesa-structure

  • F. Structure-mesa

  • 39. Обедненный слой

  • D. Verarmungsschicht

  • E. Depletion layer

  • F. Couche de depletion

  • 40. Запирающий слой

Ндп. Запорный слой

  • D. Sperrschicht

  • E. Barrier region (layer)

  • F. Region de barriere’

  • 41. Обогащенный слой

  • D. Anreicherungsschicht

  • E. Enriched layer

  • F. Couche enrichie

  • 42. Инверсный слой

  • D. Inversionsschicht

  • E. Inversion layer

  • F. Couche d’inversion

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов

Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

Явления в полупроводниковых приборах

  • 43. Прямое направление для р-п перехода

  • D. Durchlassrichtung des pn-Uberganges

  • E. Forward direction (of a P-N junction)

  • F. Sens direct (d’une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наименьшее сопротивление

  • 44. Обратное направление для р-п перехода

  • D. Sperrichtung des pn-Obergan-ges

  • E. Reverse direction (of a P-N junction)

  • F. Sens inverse (d’une jounction P-N)

  • 45. Пробой р-п перехода

  • D. Durchbruch des pn-Ubergan-ges

  • E. Breakdown of a P-N junction

  • F. Claquage (d’une jonction P-N)

  • 46. Электрический пробой р-п перехода

  • D. Elektrischer Durchbruch des pn-Cberganges

  • E. P-N junction electrical breakdown

  • F. Claquage electrique (d’une jonction P-N)

  • 47. Лавинный пробой р-п перехода

  • D. Lawinendurchbruch des pn-Uberganges

  • E. (P-N junction) avalanche

breakdown

  • F. Claquage par avalanche

(d’une jonction P-N)

  • 48. Туннельный пробой р-п перехода

  • D. Tunneldurchbruch des pn-Uberganges

  • E. Zenner (tunnel) breakdown

  • F. Claquage par effet Zenner (tunnel)

  • 49. Тепловой пробой p-n перехода

  • D. Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges

  • E. (P-N junction) thermal breakdown

  • F. Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

  • 50. Модуляция толщины базы

  • D. Modulation der Basisbreite

  • E. Base thickness modulation

F- Modulation d’epaisseur de base

Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наибольшее сопротивление

Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются не-обходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения

Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля

Электрический пробой р-п перехода» вызванный туннельным эффектом

Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равиовесня между выделяемыми в р-п переходе н отводимым от него теплом

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменений значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

  • 51. Эффект смыкания

Пдп. Прокол базы.

  • D. Durchgreifeffekt

  • E. Punch-through

  • F. Penetration

  • 52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

  • D. Speicherung von Oberschuss-ladungstragern in der Basis

  • E. Minority carrier storage (in the base)

  • F. Accumation de porteurs

d’exces dans la base

  • 53. Рассасывание неравновесных

носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

  • D. Abbau von Ubersc’nusslad-ungstragern in der Basis

  • E. Excess carrier resorption (in the base)

  • F. Resorption de porteurs d’ex-ces dans la base

  • 54. Прямое восстановление полупроводникового диода

  • D. Einschwingen des Durchlass-widerstandes einer Halbleit-erdiode

  • E. Forward recovery

  • F. Recouvrement direct

  • 55. Обратное восстановление полупроводникового диода

  • D. Wiederhersteilung des Spcrr-widerstandes einer Halbleiter-diode

  • E. Reverse recovery

  • F. Recouvrement inverse

  • 56. Закрытое состояние тиристора

  • D. Blockierzustand eines Thyristors

  • E. Off-state of a thyristor

  • F. Etat bloque de thyristor

Смыкание обедненного слоя коллек* торного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом «быстрый* в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

  • 57. Открытое состояние тиристора

  • D. - Durchlasszustand eines Thy

ristors

  • E. On-tate of a thyristor

  • F. Etat passant de thyristor

  • 58. Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

  • D. Sperrzustand eines Thyristors

  • E. Reverse blocking state of a thyristor

  • F. Etat bloque dans le sens inverse de thyristor

  • 59. Переключение тиристора

  • D. L'mschalten eines Thyristors

  • E. Switching of a thyristor

  • F. Commutation de thyristor

  • 60. Включение тиристора

  • D. Ztinden eines Thyristors

  • E. Gate triggering of a thyristor

  • F. Amorcage de thyristor

  • 61. Выключение тиристора

  • D. Ausschalten eines Thyristors

  • E. Gate turning-off of a thyristor

  • F. Desamorcage de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики

Состояние тиристора (105), соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

Виды полупроводниковых приборов

  • 62. Полупроводниковый прибор (ПП)

  • D. Halbleiterbauelement

  • E. Semiconductor device

  • F. Dispo^itif a semiconducteurs

  • 63. Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

  • D. Halbleiterleistungsbauele-ment

  • E. Semiconductor power device

  • F. Diode a semiconducteur pour forte puissance

  • 64. Полупроводниковый блок

  • E. Semiconductor assembly

  • F. Assemblage a semiconducteurs

  • 65. Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

Термин


Определение



  • 66. Полупроводниковый ДИОД

Диод

Ндп. Полупроводниковый вентиль

D- Halbleiterdiode

Е- Semiconductor diode

  • F. Diode a semiconducteurs

  • 67. Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод D- Halbleiterspitzendiode Е- Point contact diode F. Diode a pointe

66. Плоскостной диод

  • D. Halbleiterflachendiode

  • E. Junction diode

  • F. Diode a jonction

  • 69. Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D- Halbleiterleichrichterdiode

Е- Semiconductor rectifier diode F. Diode de redressement

69a. Лавинный выпрямительный диод

E. Avalanche rectifier diode

696. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем

Е- Controlled-avaianche rectifier diode

  • 70. Выпрямительный полупроводни-ннковый столб

Выпрямительный столб

  • E. Semiconductor rectifier stack F- Bloc de redressement (a se-

miconducteurs)

  • 71. Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

Ё. Semiconductor rectifier assembly

  • F. Assemblage de redressement (a semiconducteurs)

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер-ной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода Полупроводниковый диод с точечным переходом

Полупроводниковый диод с ПЛОСКОСТНЫМ переходом

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

Выпрямительный полупроводннкозый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

Термин


Определение

  • 72. Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

  • D. Halbleiterimpulsdiode

  • E. Signal diode

  • F. Diode d’impulsion

  • 73. Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

  • 74. Туннельный диод

  • D. Halbleitertunneldiode

  • E. Tunnel diode

  • F. Diode tunnel

  • 75. Обращенный диод

  • D. Halbleiterunitunneldiode

  • E. Unitunnel (backward) diode

  • F. Diode inverse

  • 76. Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

  • D. UHF-Halbleiterdiode

  • E. Microwave diode

  • F. Diode en hyperfrequences

  • 77. Лавинно-пролетный диод

  • D. Halbleiterlawinenlaufzeit-diode

  • E. Impact avalanche-(and-) transit time diode

  • F. Diode a avalance a temps de transit

  • 78. Инжекционно-пролетный диод

  • D. Halbleiterinjektionslaufzeit-diode

  • E. Injection- (and-) transit time diode

  • F. Diode a injection a temps de transit

  • 79. Переключательный диод

  • D. Halbleiterschaltdiode

  • E. Switching diode

  • F. Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором пров.оаи-мость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-

Термин


Определение

  • 80. Смесительный диод

  • D. Halbleitermischdiode

  • E. Semiconductor mixer diode

  • F. Diode melangueuse

  • 81. Диод Ганна

  • D. Gunn-Element

  • E. Gunn diode

  • F. Diode Gunn

  • 82. Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод

  • D. Halbleiter- HF-Schaltdiodc

  • 83. Регулируемый резистивный диод

  • D. PIN-Diode

  • E. PIN diode

  • F. Diode PIN

  • 84. Детекторный полупроводниковый диод

Детекторный диод

  • D. Halbieiterdemoduiatordiode

  • E. Detector diode

  • F. Diode detectrice a semicon-ducteurs

  • 85. Ограничительный полупроводниковый диод

Ограничительный диод

  • D. Halbleiterbegrenzerdiode

  • E. Microwave limiting diode

  • F. Diode de limitation de hvper-frequenccs

  • 86. Умножительный диод

  • D. Halbleitervervielfacherdio le

  • E. eSmiconductor frequency multiplication diode

  • F. Diode pour multiplication de frequence

  • 87. Модуляторный диод

  • D. Halbleitermodulatordiode

  • E. Semiconductor modulator diode

  • F. Diode modulatrice (a semi-conducteurs)

  • 88. Диод Шоттки

  • D. Schottky-Diode

  • F. Schottky (-barrier) diode

  • F. Diode de Schottky каченный для управления уровнем мощности сигнала

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты

Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

Полупроводниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

Полупроводниковый диод, предназна ченный для умножения частоты

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника

ГОСТ 15133—77 Ctd. 13

Термин


Определение

  • 89. Варикап

  • D. Kapazitatsdiode

  • E. Variable capacitance diode

  • F. Diode a capacite variable (varicape)

  • 90. Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

  • D. HaJbleitervaraktordiode

Е- Semiconductor parametric (amplifier) diode

F. Diode parametrique (а ъеггч-conducteurs)

  • 91. Полупроводниковый стабилитрон

Стабилитрон

Иди. Зенеровский диод

D- Halbleiter-Z-Diode

  • E. Voltage reference diode

  • F. Diode de tension de reference

  • 92. (Исключен, Изм. № 2).

  • 93. Полупроводниковый шумовой диод

  • D. Halbleiterrauschdiode

  • E. Semiconductor noise diode

F- Diode de bruit

  • 94. Биполярный транзистор

Транзистор

  • D. Bipolarer Transistor

  • E. Bipolar transistor

F Transistor bipolaire

  • 95. Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

  • D. Diffusionstransistor

  • E. Diffusion transistor

  • F. Transistor a diffusion

  • 96. Дрейфовый транзистор

  • D. Drifttransistor

  • E. Drift (diffused) transistor

  • F. Transistor en derive

  • 97. Точечный транзистор

Ндп. Точечно-контактный диод

  • D. Spitzentransistor

  • E. Point contact transistor

  • F. Transistor a pointe

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью

Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа

Биполярный транзистор с точечными переходами

Термин


Определение


  • 98 Плоскостной транзистор

D Flachentransistor

Е Junction transistor

F Transistor a jonction

  • 99 Лавинный транзистор

D Lawinentransistor

E Avalanche transistor

F Transistor a a\alanche

  • 100 Полевой транзистор

Ндп Кана гьныи транзистор D Feldeffekttransistor (FET) Е Field effect transistor

  • F. Transistor a eHet de champ

  • 101 Полевой транзистор с изолированным затвором

D Feldeffekttransistor nut iso hertem Gate

E Insulated-gate FET

F Transistor a effet de champ a grille isolee

  • 102 Полевой транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник

МДП транзистор

D MIS Feldeffekttransistor (MIS FET)

E MIS transistor

F Transistor MIS

103. Полевой транзистор типа металл—окисел—полупроводник

МОП транзистор

D MOS Feldeflekttransistor (MOS FET)

E MOS trans'stor

F Transistor MOS

  • 104 Симметричный транзистор

D Bidtrektionaltransiotor E Bi-directional transistor F Transistor bi direcbonnel

  • 105 Тиристор

D Thyristor

E Thyristor

F Thyristor

  • 106 Диодный тиристор

Динистор

D Thyristordiode

E Diode thyristor

E Thxristor diode

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе

Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий какал и управляемый электрическим полем

Примечание Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве нзо1я-ционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел

Биполярный и пи полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока

Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий гри или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

Тиристор, имеющий два вывода

Термин


Определение

  • 107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

  • D. Ruckwarts sperrende Thv-ristordiode

  • E. Reverse blocking diode thyristor

  • F. Thyristor diode bloqwe en inverse

  • 108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

  • D. Ruckwarts leiiende Thyristordiode

  • E. Reverse conducting diode thyristor

  • F. Thyristor diode passant en inverse

  • 109. Симметричный диодный тиристор

Диак

  • D. Zweirichtungsthyristordio-de

  • E. Bi-directional diode thyristor

  • F. Thyristor diode bi-direction-nel

ПО. Триодный тиристор

Тринистор

  • D. Thyristordiode

  • E. Triode thyristor

  • F. Thyristor triode

  • 111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

  • D. Ruckwarts sperrende Thv-ristortriode

  • E. Reverse blocking triode thyristor

  • F. Thyristor triode bloque en inverse

  • 112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

  • D. Ruckwarts leitende Th^ri-stortriode

  • E. Reverse conducting triode thyristor

  • F. Thyristor triode passant en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии •

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

Тиристор, имеющий три вывода

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Термин


Определение

  • 113. Симметричный триодный тиристор

Триак

  • D. Zweirichtungsthyristortrio-de

  • E. Bi-directional triode thyristor; Triac

  • F. Thyristor triode bi-direction-nel

  • 114. Запираемый тиристор

  • D. Abschaltbarer Thyristor

  • E. Turn-of! thyristor

  • F. Thyristor biocable

  • 115. (Исключен, Изм. № 2).

  • 116. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

  • D. Katodenseitig gesieuerter Thyristor

  • E. P-gate thyristor

  • F. Thyristor P

  • 117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа

  • D. Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

  • E. N-gate thyristor

  • F. Thyristor N

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е- Avalanche reverse blocking thyristor

1176. Комбинированно-выключае-, мый тиристор

  • 118. Импульсный тиристор

  • E. Pulse thyristor

  • F. Thyristor signal

  • 119. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

  • D. Optoelektronisches Halbleiterbauelement

  • E. Semiconductor optoelectronic device

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с л-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала

Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния

Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы

Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-

Термин


Определение

  • F. Dispositif optoelectronique semiconducteur

  • 120. Полупроводниковый излучатель

  • D. Halbleiterstrahler

  • E. Semiconductor photoemitter

  • F. Photoemettcur a semiconduc-teurs

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

  • E. Semiconductor cnaracter dis-play

  • 121. Оптопара

  • D. Optoelcktronischer Koppler

  • E. Photocouplcr; Optocoupler

  • F. Photocoupleur

121a. Резисторная оптопара

1216. Диодная оптопара

121в. Транзисторная оптопара

121г. Тиристорная оптопара

121д. (Исключен, Изм. № 3).

121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

121а—121е. (Введены дополнительно,

  • 122. Светоизлучающий диод

сид

  • D. Lichtemitterdiode (LED)

  • E. Light-emitting diode (LED)

  • 123. 123a. (Исключены, Изм. № 2).

  • 124. (Исключен, Изм. № 1).

  • 125. (Исключен, Изм. № 2).

  • 126. Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

  • 127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

  • D. Infrarotemitterdiode

(IRED)

  • E. Infra-red-emitting diode

  • F. Diode emittrice en infrarouge лучение для внутреннего взаимодейстзия его элементов

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

По ГОСТ 25066—81

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто-

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототнристора

Изм. № 1).

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для исполыо-вания в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Термин


Определение

Элементы

  • 128. Вывод полупроводникового прибора

Вывод

  • D. Anschluss eines Halbleiterbauelementes

  • E. Terminal (of a semiconductor device)

  • F. Borne

  • 129. Основной вывод полупроводникового прибора

  • D. Basisanschluss eines Hal-bleiterbauelementes

  • E. Main terminal

  • F. Borne principale

  • 130. Катодный вывод полупроводникового прибора

  • D. Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

  • E. Cathode terminal (of a semiconductor device)

  • F. Cathode

  • 131. Анодный вывод полупроводникового прибора

D Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

  • E. Anode terminal (of a semiconductor device)

  • F. Anode

  • 132. Управляющий вывод полупроводникового прибора

  • E. Gate terminal (of a semiconductor device)

  • F. Grille

  • 133. Корпус полупроводникового прибора

Корпус

  • D. Gehause eines Halbleiterbauelementes

  • E. Package (case) (of a semiconductor device)

  • F. Capsule

  • 134. Бескоряусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

  • D. Gehauseloses Halbleiterbau-element

  • E. Beam lead semiconductor device

  • F. Dispositif semiconducteur

sans boitier

конструкции

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток

Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю .электрическую цепь

Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления

Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках н аппаратуре

Термин


Определение

  • 135. Полупроводниковый излучающий элемент

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибооа отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме

Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).

АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на русском языке

База

Блок выпрямительный

Блок полупроводниковый

Блок полупроводниковый выпрямительный

Варикан

Вентиль полупроводниковый

Включение тиристора

Восстановление полупроводникового диода обратное

Восстановление полупроводникового диода прямое

Вывод

Вывод полупроводникового прибора

Вывод полупроводникового прибора анодный

Вывод полупроводникового прибора катодный

Вывод полупроводникового прибора основной

Вывод полупроводникового прибора управляющий

Выключение тиристора

Гетеропереход

Гомопереход

Диак

Динистор

Диод

Диод выпрямительный

Диод выпрямительный лавинный

Диод Ганна

Диод детекторный

Диод Зенеровский

Диод излучающий инфракрасный

Диод импульсный

Диод инжекционно-пролетный

Диод коммутационный

Диод лавинно-пролетный

Диод модуляторный

Диод обращенный

Диод ограничительный

Диод параметрический

Диод переключательный

Диод плоскостной

Диод полупроводниковый

Диод полупроводниковый выпрямительный

Диод полупроводниковый детекторный

Диод полупроводниковым импульсный

Диод полупроводниковый коммутационный

Диод полупроводниковый ограничительный

Диод полупроводниковый параметрический

Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный

Диод резистивный регулируемый

Диод светоизлучающий

Диод смесительный

Диод с накоплением заряда

Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный

Диод точечно-контактный

Диод точечный

Диод туннельный

Диод умножительный

Диод Шоттки

Диод шумовой полупроводниковый

Затвор

Излучатель полупроводниковый

Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый 121с И-К диод

Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый

Исток

Канал проводящий

Коллектор

Контакт линейный

Корпус

Корпус полупроводникового прибора

МДП-транзистор

Мезаструктура

Модуляция толщины базы

МОП-транзистор

Набор полупроводниковых приборов

Накопление заряда в базе

Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Направление для р-п перехода обратное

Направление для р п перехода прямое

Область базовая

Область дырочная

Область коллекторная

Область собственной электропроводности

Область собственная

Область электронная

Область эмиттерная

Область i

Область п

Область р

Оптопара

Оптопара диодная

Оптопара резисторная

Оптопара тиристорная

Оптопара транзисторная

Переключение тиристора

Переход

Переход впяавной

Переход выпрямляющий

Переход выращенный

Переход гетерогенный

Переход гомогенный

Переход диффузионный

Переход дырочно-дырочный

Переход коллекторный

Переход конверсинонный

Переход микровплавной

Переход микросплавной

Переход омический

Переход плавный

Переход планарный

Переход плоскостной

Переход резкий

Переход сплавной

Переход точечный

Переход тянутый

Переход Шоттки

Переход электрический

Переход электронно-дырочный

Переход электронно-электронный

Переход амкттерный

Переход эпитаксиальный

Переход п-п+

Переход р-п

Переход р-р+

Прибор полупроводниковый (ПП)

Прибор полупроводниковый бескорпусный

Прибор полупроводниковый оптоэлектронный

Прибор полупроводниковый силовой (СПП)

Пробой р-п перехода

Пробой р-п перехода лавинный

Пробой р-п перехода тепловой

Пробой р-п перехода туннельный *

Пробой р-п перехода электрический

Прокол базы

Рассасывание заряда в базе

Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

СВЧ-диод

СИД

Слой запирающий

Слой запорный

Слой инверсный

Слой обедненный

Слой обогащенный

Состояние тиристора в обратном направлении непроводящее

Состояние тиристора закрытое

Состояние тиристора открытое

Стабилитрон

Стабилитрон полупроводниковый

Столб выпрямительный

Столб полупроводниковый выпрямительный

Сток

Структура

Структура МДП

Структура металл—диэлектрик—полупроводник

Структура металл—окисел—полупроводник

Структура МОП

Структура полупроводниковая

Структура полупроводникового прибора

Тиристор

Тиристор диодный

Тиристор диодный симметричный

Тиристор запираемый

Тиристор импульсный

Тиристор комбинированно-выключаемый

Тиристор лавинный

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный

Тиристор, проводящий в обратном направлении, диодный

Тиристор, проводящий в обратном направлении, триодный

Тиристор, непроводящий в обратном направлении, триодный лавинный

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

Тиристор с инжектирующим управляющим электродом л-типа

Тиристор триодный

Тиристор триодный симметричный

Транзистор

Транзистор бездрейфовый

Транзистор биполярный

Транзистор диффузионный

Транзистор дрейфовый

Транзистор канальный

Транзистор лавинный

Транзистор типа металл—окисел—полупроводник полевой

Транзистор плоскостной

Транзистор полевой

Транзистор с изолированным затвором полевой

Транзистор симметричный

Транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник полевой

Триод точечно-контактный

Транзистор точечный

Триак

Тринистор

Часть базовой области активная

Часть базовой области пассивная

Элемент излучающий полупроводниковый

Электрод полупроводникового прибора

Эмиттер

Эффект смыкания

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abbau von Dberschussladungstragern in der Basis

Abschaltbarer Thyristor

Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

Anodenseitig gesteuerter Thyristor

Anreicherungsschicht

Auschluss eines Halbleiterbauelementes

Ausschalten eines Thyristors

Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes

Basisgebiet

Bidirektionaltransistor

Bipolarer Transistor

Blockierzustand eines Thyristors

Defektelektronengebiet

Diffundierter Ubergang

Diffusionstransistor

Drain (Senke)

Drifttransistor

Durchbruch des pn-Uberganges

Durchgreifeffekt

Durchlassrichtung des pn-Uberganges

Durchlasszustand eines Thyristors

Eigenleitungsgebiet

Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halbleiterdiode

Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges

Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)

Elektronengebiet

Emittergebiet

EmitterObergang

Epitaxieubergang

Gate (Tor)

Gehause eines Halbleiterbauelementes

Gehauseloses Halbleiterbauelement

Gezogener Ubergang

Gleichrichterubergang

Gunn-Element

Feldeffekttransistor (FET)

Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate

Flachentransistor

Flachenubergang

Halbleiterbauelement

Halbleiterbegrenzerdiode

Halbleiterdemodulatordiode

Halbleiterdiode

Halbleiterfrachendiode

Halbleitergleichrichterdiode

Halbleiter-HF-Schaltdiode

Halbleiterimpulsdiode

Halbleiterinjektionslaufzeitdiode

Halbleilerlawinenlaufzeitdiode

Halbleiterleistungsbauelement

Halbleitermischdiode

Halbleitermodulatordiode

Halbleiterrauschdiode

Halbleiterschaltdiode

Halbleiterspitzendiode

Halbleiterstrahler

Halbleitertunneldiode

Halbleiterunitunneldiode

Halbleitervaraktordiode

Halbleitervervielfacherdiode

Halbleiter-Z-Diode

Heteroubergang

Homogener Ubergang

Infraroternitterdiode (IRED)

Inversionsschicht

Kanal

Kapazitatsdiode

Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

Katodenseitig gesteuerter Thyristor

Kolleklorgebiet

Kollektorubergang

Konvei sionsubergang

Ladungsspeicherdiode

Lawinendurchbruch des pn-Uberganges

Lawinentransistor

Legierler Ubergang

Lichtemitterdiode (LED)

Mesaslruktur

Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MlS-Struktur)

Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur)

Mikrolegierter Ubergang

MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET)

Modulation der Basisbreite

MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

nn+-Ubergang

Ohmischer Ubergang

Optoelektronischer Koppler

Optoelektronisches Halbleiterbauelement

Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

PIN-Diode

Planarubergang

pn-Ubergang

pp*-Ubergang

PunktObergang

Riickwarts leitende Thyristordiode

Ruckwarts leitende Thyristortriode

Riickwarts sperrende Thyristordiode

Riickwarts sperrende Thyristortriode

Schotlky-Diode

Schottky-Ubergang

Source (Quelle)

Speicherung von Uberschussladungstragern in der Basis

Sperrichtung des pn-Uberganges

Sperrschicht

Sperrzustanl eines Thyristors

Spitzentransistor

Steiler Ubergang

Stetiger Ubergang

Steuerelektrode eines Halbleiterbauelementes

Struktur eines Halbleiterbauelementes

Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges

Thyristor

Thyristordiode

Thyristortriode

Tunneldurchbruch des pn-Uberganges

UHF-Halbleiterdiode

Umschalten eines Thyristors

Verarmungsschicht

Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode

Ziinden eines Thyristors

Zweirichtungsthyristordiode

Zweirichtungsthyristortriode

(Введен дополнительно, Изм. № 2)«

алфавитный указатель терминов на английском языке

Abrupt junction

5

Active part of base region

29

Alloyed junction

12

Anode terminal (of a semiconductor device)

131

Avalanche rectifier diode

69 a

Avalanche reverse blocking thyristor

117a

Avalanche transistor

99

Barrier region (layer)

40

Base region

26

Base thickness modulation

50

Beam lead semiconductor device

134

Bi-directional diode thyristor

109

Bi-directional transistor

104

Bi-directional triode thyristor

113

Bipolar transistor

94

Breakdown of a P-N junction

45

Cathode terminal (of a semiconductor device)

130

Channel

31

Collector junction

22

Collector region

28

Controfled-avafanche rectifier diode

69b

Conversion junction

11

Depletion layer

39

Detector diode

84

Diffused junction

9

Diffusion transistor

95

Diode thyristor

106

Drain

33

Drift (diffused) transistor

96

Electrode (of a semiconductor device)

135a

Emitter junction

21

Emitter region

27

Enriched layer

41

Epitaxial junction

15

Excess carrier resorption (in the base)

53

Field-effect transistor

100

Forward direction (of a P-N junction)

43

Forward recovery

54

Gate

34

Gate terminal (of a semiconductor device)

132

Gate triggering of a thyristor

60

Gate turning-oif of a thyristor

61

Graded junction

6

Grown junction

14

Gunn diode

81

Heterogenous junction

16

Homogenous junction

17

Impact avalanche-(and-) transit time diode

77

Infra-red-emitting diode

127

Injection- (and-) transit time diode

78

Insulated-gate FET

101

Intrinsic region

25

Inversion layer

42

Junction

I

Junction diode

68

Junction transistor

Light-emitting diode (LED)

Main terminal

Mesa-structure

Micro-alloy junction

Microwave diode

Microwave limiting diode

Minority carrier storage- (in the base)

MIS-structure

MIS-transistor

MOS-structure

MOS-transistor

N-gate thyristor

N-N+ junction

N-region

Off-state of a thyristor

Ohmic junction

On-state of a thyristor

Optocoupler

Package (case) (of a semiconductor device)

Passive part of base region

P-gate thyristor

Photocoupler

PIN diode

Planar junction

P-N junction

(P-N junction) avalanche breakdown

P N junction electrical breakdown

(P-N junction) thermal breakdown

Point contact diode

Point-contact junction

Point-contact transistor

P-P+ junction

P-region

Pulse thyristor

Punch-through

Rectifying junction

Reverse blocking diode thyristor

Reverse blocking state of a thyristor

Reverse blocking triode thyristor

Reverse conducting diode thyristor

Reverse conducting triode thyristor

Reverse direction (of a P-N junction)

Reverse recovery

Schottky (-barrier) diode

Schottky junction

Semiconductor analog indicator

Semiconductor assembly

Semiconductor assembly set

Semiconductor character display

Semiconductor device

Semiconductor diode

Semiconductor frequency multiplication diode

Semiconductor mixer diode

Semiconductor modulator diode

Semiconductor noise diode

Semiconductor optoelectronic device

Semiconductor optoelectronic display

Semiconductor parametric (amplifier) diode

Semiconductor photoemitter

Semiconductor power device

Semiconductor rectifier assembly

Semiconductor rectifier diode

Semiconductor rectifier stack

Signal diode

Snap-off (step-recovery) diode

Source

Structure

Surface junction

Switching diode

Switching of a thyristor

Terminal (of a semiconductor device)

Thyristor

Triac

Triode thyristor

Tunnel diode

Turn-off thyristor

Unitunnel (backward) diode

Variable capacitance diode

Voltage reference diode

Zenner (tunnel) breakdown

(Измененная редакция, Изм. № 2).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Accumulation de porteurs d’exces dans la base

Amorcage de thyristor

Anode

Assemblage a semiconducteurs

Assemblage de redressement (a semironducteurs)

Bloc de redressement (a semiconducteurs)

Borne

Borne principale

Canal

Capsule

Cathode

Claquage (d’une jonction P*N)

Claquage electrique (d’une jonction P-N)

Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)

Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

Claquage par effet Zenner (tunnel)

Commutation de thyristor

Couche de depletion

Couche d’inversion

Couche enrichie

Desamorcage de thyristor

Diode a avalanche £ temps de transit

Diode a capacite variable (varicape)

Diode a injection a temps de transit

Diode a jonction

Diode A pointe

Diode a semiconducteurs

Diode A semiconducteurs pour forte puissance

Diode de bruit

Diode de commutation

Diode de limitation de hyperfrequences

Diode de redressement

Diode de Schottky

Diode detectrice a semiconducteurs

Diode de tension de reference

Diode d'impulsion

Diode emettrice en infrarouge

Diode en hyperfrequences

Diode Gunn

Diode inverse

Diode melangeuse

Diode modulatrice (a semiconducteurs)

Diode parametnque (a semiconducteurs)

Diode PIN

Diode pour multiplication de frequence

Diode tunnel

Dispositif optoelectronique semiconducteur

Dispositif a semiconducteurs

Dispositif semiconducteur sans boitier

Drain

Etat bloque dans Ie sens inverse de thyristor

Etat bloque de thyristor

Etat passant de thyristor

Grille 34, 132

Jonction

Jonction abrupte

Jonction a diffusion

Jonction allie

Jonction a pointe

Jonction collecteur

Jonction de conversion

Jonction de croissance

Jonction de par surface

Jonction emitteur

Jonction epitaxiale

Jonction graduelle

Jonction heterogene

Jonction homogene

Jonction microalli6

Jonction N-N

Jonction ohmique

Jonction planar

Jonction P-N

Jonction P-P

Jonction redresseuse

Jonction Schottky

Modulation d’epaisseur de base

Penetration

Photocoupler

Photoemetteur a semiconducteurs

Recouvrement direct

Recouvrement inverse

Region active de base

Region de barriere

Region de base

ГОСТ 15133—77 Стр 29

Region de collecteur

28

Region d’emetteur

27

Region intrinseque

25

Region N

24

Region P

23

Region passive de base

30

Resorption de porteurs d’excSs dans la base

53

Sens direct (d’une jonction P-N)

43

Sens inverse (d’une jonction PN)

44

Source

32

Structure

35

Structure-mesa

38

Structure-MIS

36

Structure-MOS

37

Thyristor

105

Thyristor blocable

1 !4

Thyristor dfode

106

Thyristor diode bi-directionnel

109

Thyristor diode blogue en inverse

107

Thyristor diode passant en inverse

108

Thyristor N

117

Thyristor P

116

Thyristor signal

118

Thyristor triode

110

Thyristor triode bi-directionnel

113

Thyristor triode bloque en inverse

11.1

Thyristor triode passant en inverse

112

Transistor a avalanche

99

Transistor a diffusion

95

Transistor a effet de champ

ioa

Transistor a effet de champ a grille isolee

ioi

Transistor a jonction

98

Transistor a pointe

97

Transistor bi-directionnel

104

Transistor bipolaire

94

Transistor en derive

96

Transistor-MlS

102

Transistor-MOS

103

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ПЕРЕЧЕНЬ ТЕРМИНОВ СТ СЭВ 2767—35, НЕ ВКЛЮЧЕННЫХ В НАСТОЯЩИЙ СТАНДАРТ

  • 1. Ф оточу ветвите льный полупроводниковый прибор.

  • 2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения.

  • 3. Фоторезистор

  • 4. Фотодиод

  • 5. Фототранзистор

  • 6. Фототиристор

  • 7. Туннельный эффект

(Введено дополнительно, Изм. № 2, 3).

Редактор В. С. Бабкина Технический редактор Э, В. Митяй Корректор Г. И. Чуйко

Сдано в наб. 23.04.87 Подп. в печ. 08.06.87 2,0 усл. п. л. 2.0 усл. кр.-отт. 2,60 уч.-изд. л. Тираж 6000 Цена 15 кол.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123840. Москва, ГСП, Новопресневскнй пер., д. 3.

Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул. Миндауго, 12/14. Зак. 2270.

Э. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ

Группа Э00 Изменение № 4 ГОСТ 15133—77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23 06.88 № '2193

Дата введения 01,12.88

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом,*’обязательны для приме* нения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767—85 приведена з приложении.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1. (Продолжение см. с. 368)

(Продолжение изменения к ГОСТ 15133—77)

  • 2 Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин Применение терминов синонимов стандартизованного термина не допускается Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп»

21 Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования

2 2 Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте

  • 2 3 В табл 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), и французском (Г) языках

  • 3 Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл 2—5.

  • 4 Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом».

Таблицу дополнить словом: «Таблица 1»;

(Продолжение см с. 369)

368

(Продолжение изменения к ГОСТ 15133—77) графа «Термин». Термин 120 дополнить краткой формой: «Излучатель»; графа «Определение». Для термина 121 заменить слова: «излучающего и фотоприемного элементов» на «излучателя и приемника излучения»;

для терминов 121а — 121г заменить слова: «фотоприемного элемента» на.-«приемником излучения».

Стандарт дополнить терминами — 1206, 121ж, 121з, 127а— 127с н их определениями:

Термин


1206. Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора

Приемник излучения

121ж. Дифференциальная диодная оптопара

121з. Тиристорная оптопара с симметричным выходом 127а. Фотодиод

  • D. Fotodiode

  • E. Photodiode

  • F. Photodiode 1276. Фототранзистор

  • D. Fototransistor

  • E. Phototransistor

  • F. Phototransistor 127в. Фоторезистор

  • D. Fotowiderstand

  • E. Photoconductive cell

  • F. Cellule photoinductive 127г. Фототиристор

  • D. Fotothiristor

  • E. Photothyristor

  • F. Photothyristof

127д. Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала

127е. Оптоэлектронный коммутатор нагрузки


127ж. Оптоэлектронный коммута

тор постоянного тока


127з. Оптоэлектронный коммутатор переменного тока

127и. Оптоэлектронный переклю

чатель логических сигналов


Определение

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним

Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излуча геля

Тиристорная оптопара, с симметричным» диодным или триодным фототиристором

По ГОСТ 21934—83

По ГОСТ 21934—83


По ГОСТ 21934—83


Тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе

Оптоэлектронный ' полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока

Оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя н приемника излучения со схемой логического ключа на выходе

(Продолжение см. с. 370)

Термин


Определение


127к. Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор


127л. Октрон


127м. Отражательный октрон


427н. Щелевой октрон


12/о. Волстрон


127п. Оптопреобразователь


127р. Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

127с. Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов


Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар н предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в коюром оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу

Октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от отражаюльной поверхности, расположенной на определенном расстоянии от излучателя

Октрон, в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу

Примечание и *л\ ча гель и приемник излучения \ioi\r име>ь схемы электронного обрамления

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими р—п переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема опгаческою излучения

Совокупное!ь ош оэлсктронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии

Совокупнее! ь сп гоэлект ронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам


Алфавитный указатель терминов на русском Языке изложить в виде таб лицы 2 со следующей головкой:


Термин


Номер термина


Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):


<Волстрон

Излучатель

Коммутатор аналогового сигнала оптоэлектронный

Коммутатор нагрузки оптоэлектронный

Коммутатор переменного тока оптоэлектронной


(Продолжение см. с. 37!)


Термия


Номер термина

Коммутатор постоянного тока оптоэлектронный

Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Октрон

Октрон отражательный

Октрон щелевой

Оптопара диодная дифференциальная

Оптопара с симметричным выходом тиристорная

Оптопреобразователъ

Переключатель логиФгских сигналов оптоэлектронный

Прибор полупроводниковый оптоэлектронный линейный

Приемник излучения

Приемник излучения оптоэлектронного прибора полупроводниковый

Фотодиод '

Фоторезистор

Фототиристор

Фототранзистор 1276»*,

Алфавитный указатель терминов на немецком языке изложить в виде таб* липы 3 со следующей головкой:

Термин


Номер термина

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

«Fotodiode

Fotothiristor

Fototransistor

Fotowiderstand 127в».

(Продолжение ем, с. 3727

(Продолжение изменения к ГОСТ 15133—77

Алфавитный указатель терминов на английском языке изложить таблицы 4 со следующей головкой;

Термин

Номер термина

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке): -«PhotOconductive cell

Photodiode

Photothyristor

Phetotransistor

127в 127а 127г 1276».

Алфавитный указатель терминов на французском языке изложить в виде таблицы 5 со следующей головкой:

Термин

Номер терыива

Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке):

«Cellule photoinductive Photodiode Photothyristor Phototransistor

127b 127a 127r 1276>.

Приложение изложить в новой редакции:

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ

ГОСТ 15133—77 СТ СЭВ 2767—85

Номер пункта ГОСТ 15133—77 Номер пункта СТ СЭВ 2767—85

2.6

  • 4.61

  • 4.62

(ИУС № 10 1988 г.)

1

(Измененная редакция, Изм. № 2)._____________________

Издание официальное Перепечатка воспрещена

*

2

Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями № 2, 3, утвержденными

в июне 1980 г., июне 1982 г.; Пост. № 2544 от 28.06.82, октябре 1986 г.

(ИУС 9—80, 10—82, 1—87).

© Издательство стандартов, 1987

3

Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.