База ГОСТовallgosts.ru » 01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ » 01.040. Словари

ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение: ГОСТ 18177-81
Наименование: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения
Статус: Действует
Дата введения: 01/01/1983
Дата отмены: -
Заменен на: -
Код ОКС: 01.040.17, 17.240
Скачать PDF: ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения.pdf
Скачать Word:ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения.doc

Текст ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения



Цена 5 коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 18177-81

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА Группа Ф00

к ГОСТ 18177—81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

В каком месте

Напечатано

Должно быть

Таблица. Графа «Термин». Пункт 36. Эквивалент на французском языке

Courrant

Courant

Алфавитный указатель ерминов на немецком язы-е. Для термина 17

Halbleiterdetector

Halbleiterdetektor

для термина 30

ernes

einem

Алфавитный указатель ерминов на английском *зыке. Для термина 5

Analougue

Analogue

Алфавитный указатель

d’ebscurite

d’obscurite

терминов на французском языке. Для термина 36

semi-son ducteur

semi-conducteur

Приложение. Таблица. Графа «Определение», для термина 10

(45 еКл/кэВ)

(45 аКл/кэВ)

(ИУС № 6 1983 г.)

УДК 001.4:539.1.07.55:006.354    Группа Ф00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor detectors of ionizing radiation Terms and definitions

ГОСТ

18177-81

Взамен

ГОСТ 18177—72

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1981 г. № 4455 срок введения установлен

с 01.01. 1983 г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве основные понятия полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.

Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется справочное приложение, содержащее общие понятия, используемые в полупроводниковых детекторах ионизирующих излучений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Издание официальное

Перепечатка воспрещена СО Издательство стандартов, 1982 г.

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

1. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

ППД

D.    Halbleiterdetektor

E.    Semiconductor detector

F Detecteur semi-conducteur

2    Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Импульсный ППД

D. Impulshalbleiterdetektor

Е Pulse semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions

3    Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Пропорциональный импульсный ППД

D.    Linearer Impulshalbleiterdetektor

E.    Linear pulse semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions, lineaire

4    Непропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Непропорциональный импульсный ППД

О. Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor

E.    Non-linear pulse semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions, non lineaire

5    Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Аналоговый ППД

D.    Analoger Halbleiterdetektor

E.    Analogue semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur analogique

По ГОСТ 14105—76

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является совокупность электрических импульсов, причем каждой ионизирующей частице, провзаимодействовавшей с материалом чувствительной области детектора, соответствует один импульс выходного сигнала

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала пропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала непропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является электрический ток или заряд, причем указанные физические величины являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирующего излучения, в котором находится детектор

G Токовый полупроводниковый детектор ионизирующего излуче ния

Токовый ППД D Strom Halbleiterdetektor Е Current semiconductor detec tor

F Detecteur semi conducteur a com nnt

7 Спектрометрический полупроводниковый детектор ионизирую щего излучения

Спектрометрический ППД

8 Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего излуче ния

Счетный ППД

9    Временной полупроводниковым детектор ионизирующего излучения

Временной ППД

10    Пролетный полупроводни новый детектор ионизирующего из лучения

Пролетный ППД

D Durchschuss-Halbleiterdetektor

Е Transmission semiconductor

detector

F Detecteur semi-conducteur a ti ansmission

11    Позиционный полупроводни новый детектор ионизирующего излучения

Позиционный ППД

12    Полупроводниковый дстек тор ионизирующего излучения с р—п структурой

ППД с р—п структурой

13    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения с р—г—п структурой

ППД с р / п структурой

Аналоговый попу проводниковый детектор ионизиру ющего излучения, применяемый при измерении или решетрации физи некой величины, характеризующей плотноеib потока или перенос анергии ионизирующею излучения

Проиорциоиатьный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излу чеши, применяемый при и.мерении опер гни ионизирующих частиц ичи зтргетпче ского распределения ионизирующего излу пенни

Импульсный попу проводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемым при измерении потока, плотности потока или переноса ионизирующих частиц, мощности зкепозициошюи дозы или жепозици-ониоч дозы фотонною излучения

По ti\ проводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении моментов взаимодействия ионпзи рующих частиц с веществом чувствительной облоги детектора

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяв мый при измерении удельных потерь энер гии заря лепных частиц в веществе чувст витсльной области детектора

Импульсный полупрш одниковый деюктор ионизирующего из 1\гчспия, применяемый при определении координат места регистрации заряженной частицы в чувствительной области детектора

ЕЕолупроводниковый детектор ионизирую щею излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой р—п пе рехода

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого ЯР1ЯЫСЯ / область р—i—n струк туры

14 Поверхностно-барьерный по лупроводниковый детектор ионизирующего излучении

Поверхностно-барьерный

ППД

D Oberflachensperrschichtdetek-

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода Шоттки

tor

Е Surface barrier semi-conductor detector

F Detecteur semi-conducteur a barriere de surface

15    Однородный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Однородный ППД

16    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения с поверхностным барьером

ППД с поверхностным барьс

ром

1 7 Усиливающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Усиливающий ППД

О Н dblciierdetektor mit mnerer Ycrstarkung

F Amplifying semiconductor de-cctor

F Detecteur semi conducteur a imphficdtion interne

18    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения из особо чистого германия

ППД 04 г

19    Диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Диффузионный ППД

D Ilalbleiterdetektor mit diffun-dieiter Sperrschicht

C Diffused junction semiconduc tor detector

Г DUecteur semi conducteur a jonction diffusce

20    Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Дрен ]хшый ППД

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий омические переходы, чувствительной областью которого является однородный по типу электропроводности полупроводниковый материал Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий переход Шот-J к и

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит размножение зарядов, образованных ионизирующей частицей в чувствительной области детектора

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается из особо чистого германия с концентрацией атомов электрически активных примесей не более 3* 1010 см 3 Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, ч^ вствительпая область которого создается в резу 1ьтате дрейфа ионов легирующей примеси в поп\ право \~ пиковый магериап

21    Диффузионно-дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Диффузионно-дрейфовый

ППД

22    Радиационный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Радиационный ППД

23    Планарный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Планарный ППД

24    Коаксиальный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Коаксиальный ППД

25    Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Составной ППД

26    Мозаичный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Мозаичный ППД

27    Монолитный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Монолитный ППД

28    Конверторный полупровод-кикозый детектор ионизирующего излучения

Конверторный ППД

Пр имечание Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит дрейф ионов лтия, называется литий-дрейфо-вым

Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в полупроводниковый материал которого легирующая примесь введена в резулы а ге диффузии

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в резулы ате технологической обработки полупроводникового материала ионизирующим излучением

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его центральной оси

Полупроводниковый детек юр ионизирующего излу чения, в котором в единую конструкцию объединены несколько полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувстви-тельных областей отдельных полупроводниковых детекторов ионизирующего из пучения

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивно технологическое исполнение которого обеспечивает отсутствие внутренних пустот

Полупроводников ли детектор ионизирующего излучения, констрзжтивньге элементы которого содержат вещества, преобразующие первичное излучение гак, что регистрация этого излучения проводится с большей эффективностью

ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

29 Чувствительная область полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительная область ППД

Часть объема полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом

D limpfindliches Volumen ernes На lbleiterdetektors

E.    Sensitive volume of a semiconductor detector

F.    Volume utile d’un detecteur semi-conducteur

30 Мертвый слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Мертвый слой ППД

D. Verarmungschicht in einem Halbleiterdetector

E Dead layer of a semi-conductor detector

F Zone morte d’un detecteur semi-conducteur

31. Входное окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения

Входное окно ППД

D Fenster einer Halbleiterdetek-

tors

E Window of a semi-conductor detector

F renetrc d’un detecteur semi-conducleur

приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора.

Примечание Для конверторного полупроводникового детектора ионизирующего излучения данное определение относится ко вторичному ионизирующему излучению

Часть полупроводникового детектора ионизирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувствительной областью детектора, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с веществом не приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора

Часть наружной поверхности полупроводникового детектора ионизирующего излучения, через которую репзтрнруемое непосредственно ионизирующее излучение попадает в чувсгвигсльн>ю область детектора

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

С 2 Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Диапазон рабочих напряжений ППД

33 Максимально допустимое напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Максимально допустимое напряжение ППД

34. Оптимальное напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Оптимальное напряжение спектрометрического ППД 35 Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Емкость ППД

Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным выводам полупроводникового детектора пони шрующего излучения, в котором один или несколько параметров детектора находятся в заданных пределах

Наибольшее значение электрического напряжения, приложенного к сигнальным выводам полупроводникового детек!ора ионизирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров детектора

Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором достигается наименьшее значение энергетического разрешения детектора

Электрическая емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора

36. Темновой ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Темновой ток ППД D Dunkelstrom eines Halbleiter-

deteklors

E. Dark current of a semi-conductor detector

F Courrant d’obscurite d’un de-tecteur semi-conducteur

37 Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Шум ППД

38 Энергетический эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Энергетический эквивалент шума ППД

39. Средняя частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Средняя частота следования фоновых импульсов ППД

Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора

Среднее квадратическое значение флуктуации электрического заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора

Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения, выраженный в энергетических единицах, то есть умноженный на 2 355 и деленный на коэффициент преобразования материала детектора

Усредненное во времени число импульсов на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного значения и не связанных с регистрацией внешних ионизирующих излучений

ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

40 Чусстьигельнаг н> полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительность ППД

D.    Empfmdlichkeit eines Halblei-teidetektors

E.    Sensitivity of a semi-conductor detector

F Sensibilitte d’un detecteur semi-conducteur

41. Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная чувствительность

ППД

Отношение изменения информативного параметра выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к изменению физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излучения за время набора указанных импульсов

Термин

Определение

42 Аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Аналоговая чувствительность ППД

43 Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительность спектрометрического ППД

44    Абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Абсолютная эффективность

спектрометрического ППД

D Totalabsorptions-Nachwei-swahrscheinlichkeit

Е Total absorption detection ef-fiency

F Rendement d’absorption tota Je de detection

45    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения

ПШПВ ППД

Г> Halbwertbreite ernes Halblei-Lcrdctektors

i Full width at half maximum (FWHM) of a semi-conductor detector

Г Largeur a mit-hauteur (LMH) d’un dctecteur semi-conducteur

46    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на одной десятой высоты распределения

ПШДВ ППД

Чувствительность полупроводниковою детектора ионизирующего получения, у кото рого информативным параметром выходного сигнала является электрический ток или заряд, а физическом величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является физическая величина, характеризующая плотность потока или перенос энергии

Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов в пике полною поглощения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос ионизирующих частиц данной энергии за время набора указанных импульсов

Отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к количеству ионизирующих частиц, испускаемых точечным источником, установленш im на определенном расстоянии ог дтектора, в угле 4л;

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупровод никового детектора ионизирующего излучения, измеренная на полувысоте этого рас пределения, соответствующего полному поглощению регистрируемо! о моно энергетического излучения в чувствительной обп сти детектора

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на одной десятой высоты этого распре деления, соответствующего полному погло щению регистрируемого моноэнергетическо-го излучения в чувствительной области де тектора

Термин

\1 Относительное энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора но низирующего излучения

Относительное энергетическое разрешение слсктрометричсско го ППД

48 Отношение пик-комптон спектрометрического полупровод никового детектора фотонного из лучения

Отношение пик комптон ППД

49 Временное разрешение полупроводникового детектора ионизи рующего излучения*

Временное разрешение ППД

50    Время нарастания импульса наряда или напряжения выходному сигнала полупроводникового де тек гора ионизирующего излучения

Время нарастания импульса заряда или напряжения выход ного сигнала ППД D Anstiegzeit ernes Halbluter detektors

E Kise time of a serm conductor detector

Г Temps de montce d un de +eeteur semi conducteur

51    Радиационная помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиационная помсхоустои читюегь ППД

Е> Selektivitat eir^ Halbleitcr deiektoi s

h Selectivity of a semi conductor defector

Г Selectivite d un detecteur se mi conducteur

52 Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя полу про водникового детектора ионизи рующего излучения

Энергетический эквивалент толщины мертвою слоя ППД

Определение

Oiношение лшргсгического разре icиия спектрометрического по iy проводит л ого детектора ионизирующею изтучення i i по лувысоте распределения к значению нср гии, соответствующсме максимуму инк i распределения амп штуд выходного сш та i j детектора, по которому опреде юно j о оз ношение

Отношение числа отсчетов в \пыиму\е пика ночного noi ющения распредт тения амплитуд импульсов выходною сип га но лулроводникового детектора ионнзирмоще го излучения к усредненному числу юче тов, соответствующих плато комп гоновско го распределения данной энергии

Ширина распределения интервалов вре мени от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полу проводникового детектора ионизире юищго излучения до момента, когда а ш пнут* импульса выходного сигнала детектор i юс тигает заданного значения, измеренн 1я на полувысотс этого распредетения

Интерват времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ио низирующего излучения изменяется от 1C до 90% or его максимального зна кипя

О ношение эффекзивносш или чувсгви ютыюети полупроводникового тс гсктор 1 При регистртции иошпирующего 1Ю 1С11ИЯ для опре деления харакгсрис! ич которого он предназначен, к эффективности и ш чув ствителыюсти дстск орт при per к гр i ии юпу гсгвующего н iyqt иия

Поюрн онер! ни ионизирующего ю! ie иия определенного шла и днергин в мер г вом слое полупроводниковою детектора при нормальном падении ионизирующего нзлу чения на входное окно дел екдора

Термнн

Определение

53 Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Эффективность собирания заряда ППД

Отношение заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового де-текюра к заряду, создаваемому ионизирующей частицей в чувствительной области детектора

Пр имечание. Термин не распространяется на усиливающие полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения    50

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнал.) ППД    '    50

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый    I

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый аналоговый    5

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый временной    9

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый    диффузионный 19

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый дрейфовый    20

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый диффузионно-

дрейфовый    21

Детектор ионизирутшего излучения полупроводниковый из особо чистою юрмания    18

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный 2

Деюктср    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный

непропорциональный    4

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный

азропорциональный    3

Деюктор иопизир'чошсЕо и изучения полупроводниковый ко ксиальный    24

Детек юр ионизирующего    и 5 лучения    полупроводниковый конверторный    28

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый мозаичный    26

Детектор ионизирующего    излучения    полупроводниковый монолитный    27

Деюктор ионизирующего    излучения    полупроводниковый однородный    15

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый планарный    23

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    поверхносг-

но-барьерный    14

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый позиционный    11

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый пролетный    10

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый радиационный    22

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый составной    25

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с р—п структурой    12

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с р—i—п структурой    13

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый спектрометрический    7

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с поверхностным барьером    16

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый счетный    8

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый токовый    6

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый усиливающий 17 Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения    32

Диапазон рабочих напряжений ПГ1Д    32

Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения    35

Емкость ППД    35

Напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения максимально допустимое    33

Напряжение ППД максимально допустимое    33

Напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения оптимальное    34

Напряжение спектрометрического ППД ошимадыюе    34

Область полупроводникового детектора ионизирующего излучения чувствительная    29

Область ППД чувствительная    29

Окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирукицего излучения входное    31

Окно ППД входное    31

Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения    48

Отношение пик-комптон ППД    48

Помехоустойчивость полупроводниковою детектора ионизирующего излучения радиационная    51

Помехоустойчивость ППД радии ■ нюнив я    51

ППД    1

ППД аналоговый    о

ППД временной    9

ППД диффузионный    19

ППД диффузионно-дрейфов ып    21

ППД дрейфовый    20

ППД ОЧГ    J8

ППД импульсный    2

ППД импульсный непропорциональный    4

ППД импульсный пропорциональный    3

ППД коаксиальный    24

ППД конверторный    28

ППД мозаичный    26

ППД монолитный    27

ППД однородный    15

ППД ОЧГ    18

ППД планарный    23

ППД поверхностно-барьсриьгй    14

ППД позиционный    И

ППД пролетный    10

ППД радиационный    22

ППД составной    25

ППД с р—п структурой    12

ППД с p—i—n структурой    13

ППД спектрометрический    7

ППД с поверхностным барьером    16

ППД счетный    &

ППД токовый    6

ППД усиливающий    17

ПШДВ    ППД    46

ПШГШ    ППД    45

Разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения временное    49

Разрешение ППД временное    49

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на одной десятой высоты распределения    46

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на полувысоте распределения    45

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое относительное    47

Разрешение спето рометричсского ППД энергетическое относительное    47

Слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения мертвый    30

Слой ППД мертвый    30

Ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения темновой 36 Ток ППД темновой    36

Частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения средняя    39

Частота следования ((тоновых импульсов ППД средняя    39

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения    40

Чувствительность ППД    40

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения аналоговая    42

Чувствительность ППД аналоговая    42

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения дискретная    41

Чувствительность ППД дискретная    41

Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения    43

Чувспштслыюсть спею рометрического ППД    43

IUvm полупроводникового детектора ионизирующего излучения    37

Шум ППД    37

-Эквивалент толщины мертвого слоя    полупроводникового детектора

ионизирующего излучения энергетический    52

Эквивалент толщины мертвого слоя ППД энергетический    52

Эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения эиер! етический    38

Эквивалент шума ППД энергетический    38

Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения    53

Эффективность собирания заряда ППД    53

Эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения абсолютная    44

Эффективность спек i рометрического ППД абсолютная    4ч

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Analogcr I lalbleiterdetektor AnsUeg/eit canes Halbleiterdetektors Dunkelstrom eincs Halbleiterdetektors Durchschuss-I lalbleiterdetektor Fmpfindlichkeit eincs Halbleiterdetektors limpfindliches Volumen eincs Halbleiterdetektors Fenster ciner Halbleiterdetektors 1 lalbleiterdetektor

Halbleiterdetektor in it di Fundi enter Sperrschichi IIalblcitcrdetcctor mit innerer Verstarkung

5

50

36

10

40

29 ■2 1

19

17

Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors    45

Impulshalbleiterdetektor    2

Linearer Imp ulsha lbleiterdetektor    3

N ichtlinearer Impulshalbleiterdetektor    4

Oberf lachensperrschichtdetektor    14

Selektivitat eines Halbleiterdetektors    51

Strom-Halbleiterdetektor    6

Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit    44

Verarmungschicht in eines Halbleiterdetektor    30

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Amplifying semiconductor detector Analougue semiconductor detector Current semiconductor detector Dark current of a semiconductor detector Dead layer of a semiconductor detector Diffused junction semiconductor detector

Full width at half maximum (FWHM) of a semiconductor detector

Linear pulse semiconductor detector

Non-linear pulse semiconductor detector

Pulse semiconductor detector

Rise time of a semiconductor detector

Selectivity of a semiconductor detector

Semiconductor detector

Sensitive volume of a semiconductor detector Sensitivity of a semiconductor detector Surface-barrier semiconductor detector Transmission semiconductor detector Total absorption detection effiency Window of a semiconductor detector

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Courrant d’ebscurite d’un detecteur semi-son ducteur    3G

Detecteur semi-conducteur    1

Detecteur semi-conducteur    a amplification interne    17

Detecteur semi-icanducteur    a barriere de surface    14

Detecteur semi-conducteur    a courant    6

Detecteur semi-conducteur    a impulsions    2

Detecteur semi-conducteur    a impulsions, lineaire    3

Detecteur semi-conducteur    a impulsions, non lineaire    4

Detecteur semi-conducteur    a jonction diffusee    19

Detecteur semi-conducteur    analogique    5

Detecteur semi-conducteur    a transmission    10

Fenetre d’un detecteur semi-conducteur    31

Largeur a mit-hauteur (LMN) d’un detecteur semi-conducteur    45

Rendement d’absorption totale de detection    44

Selectivite d’un detecteur semi-conducteur    51

Sensibilitte d’un detecteur semi-conducteur    40

Temps de montee d’un detecteur semi-conducteur    50

Volume utile d’un detecteur semi-conducteur    29

Zone morte d’un detecteur semi-conducteur    50

17

5

6

36

30 19 45

3

1

2

50

51 1

29

40

14

10

44

31

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИИ

Термин

Определение

1    Контрольный параметр полу-проводникового детектора ионизирующего излучения

Контрольный параметр ППД

2    Справочный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Справочный параметр ППД

3    Радиометрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиометрический параметр ППД

4    Электрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Электрический параметр ППД

5    Номинальная характеристика преобразования полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Номинальная характеристика преобразования ППД

6    Спектральная характеристика полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Спектральная характеристика ППД

7    Радиационная стойкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиационная стойкость ППД

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый н достаточный для достоверного контроля качества изготовления детектора

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый потребителю для расчетов электронной ре-1истрирующей аппаратуры, который приводится в технических условиях, обеспечивается конструкцией и технологией изготовления детектора и гарантируется изготовителем на основании измерений или расчетов

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в поле ионизирующего излучения

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в отсутствии поля ионизирующего излучения

Номинально приписываемая полупроводниковому детектору ионизирующего излучения зависимость информативного параметра его выходного сигнала от значения физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующих излучений, в котором находится детектор

Зависимость чувствительности полупроводникового детектора ионизирующего излучения от энергии ионизирующих частиц падающего на детектор моноэнергетическо-го излучения

Свойство полупроводникового детектор» ионизирующего излучения сохранять свои параметры в пределах установленных норм после воздействия ионизирующего излучения, для регистрации которого детектор не предназначен

Термин

Определение

8. Предельно допустимое облучение полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Предельно допустимое облучение ппд

9    Сигнальный вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Сигнальный вывод ППД

10    Коэффициент преобразования материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Коэффициент преобразования материала ППД

Максимальная плотность потока ионизирующих частиц или мощность экспозиционной дозы фотонного излучения, при которых параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохраняются в пределах, установленных з технической документации на конкретный тип детектора Вывод полупроводникового декжтора ионизирующего излучения, электрически связанный с его чувствительной областью

Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в определенном объеме полупроводникового материала полупроводнико; ого детектора ионизирующего излучения ионизирующей частицей, к энергии, теряемой частицей в этом объеме

Примечание Для германия коэффициент преобразования принят равным 0,37 Кл/Дж (59 аКл/кэВ), для кремния— 0,22 Кл/Дж (45 еКл/кэВ)

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА Группа ФОО

Изменение № 1 ГОСТ 18177—81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета ГГ ГР по стандартам от 06.07.87 № 3036

Дата введения 01.01.88

Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанав-лиьает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторе]: ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применение во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия сган-дагтизации или использующих результаты этой деятельности.

1.    Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятая установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допуска-

S' п

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. I приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2 2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в ш± производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны щрушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2 3. В табл. 1 в качест ве справочных приведены иноязычные эквиваленты для стандартизованных терминов па немецком (D), английском (Е) и французски м (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов па русском з > и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

4.    Термины и определения общих понятий, используемых в области полупро-ь‘ знаковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном приза J С НИИ.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая 4и т ма — светлым, а недопустимые синонимы курсивом.

Таблицу дополнить номером — I

(Продолжение см. с. 410}

Таблица 1 Иноязычные эквиваленты для па. 30, 36, 45 и 50 изложить в повой редакции

«30. D Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

E Total detector dead layer of a semiconductor detector F Zone morte totale d’un detecteur semi-conducteur

36 E Leakage current of a semiconductor detector F Courant de fuite d un detecteur semi conductcur

45 E Energy resolution (PWHM) of a semiconductor detector

F Resolution cn energie (LMH) d’un detecteur semi conduLteur

50 E Semiconductor detector electrical use time

F Tempo de montce electrique d'un detecteur semi conducteur»

Графа «Определение» Для термина 44 заменить слово «количеству» на «числу»,

дополнить терминами — 28а, 54

Iермин

Опреде киие

28а Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Запоминающий ППд

54 Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная эффективность ППд

Полупроводниковый детектор ионизирующею излучения, информационным параметром которого является долговременное из* менение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизиру* ющего излучения с полупроводниковым материалом детектора

Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора

Алфавитный указа теть терминов па русском языке оформить та Спицей 2 и дополнить терминами в алфавитном порядке

(Продолжение с ч с 411)

Т ермин

Номер

термина

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий

ПП 1 запоминающий

Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего

28а

28а

излучения дискретная

Эффективность ППд дискретная

54

54

\лфавитный указатель терминов на немецком языке оформить таблицей 3, термин 30 изложить в новой редакции

Г ермин

Номер

термина

Untinpfmdliche Schicht eines Halblutcrdciekiors

30

Алфавитный указатель терминов на английском языке оформить таблицей 4, термины 30, 36, 45, 50 изложить в повой редакции

T ермин

H омер термина

Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector Leakage current of a semiconductor detector Semiconductor detector electrical rise time Total detector dead layer of a semiconductor detector

45

36

50

30

(Продолжение см. с. 412)

Алфавитный указатель терминов на французском языке оформить таблицей 5,

термины 30, 36, 45., 50 изложить в повой редакции

] ермпп

Н омер термина

Courant de fuUc d’un detecleur semi tonduc^eur Resolution en energte (LAVH) d’un dctcctcur semi conducteur Tempo de montee electriquc d’un detectcur semi conducteur Zone morte totale d*un detectcur semi conducteur

Справочное приложение Графа «Определение» Термин 10 Пр менять единицу еКл/кэВ на аКл/кэВ, дополнить терминами — 11, 12.

36

45

50

30

>имечание За-

Термин

Определение

11 Длительность фронта нарастания сигнала детектора

12 Радиационный ресурс

Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электрода х полупроводникового детекто -ра ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимальнога значения

Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки

(ИУС № И 1987 г)

Редактор Т. В. Смыка Технический редактор В И. Прусакова Корректор Е. И Евтеева

Сдано в наб 09 10 81 Подп к печ. 24 12 81 1,0 п л 1,38 уч-изд л Тир. 8000 Цена 5 коп".

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва, Новопресненский пер , 3 Тип. Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 1430