allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Обозначение:
ГОСТ 19480-89
Наименование:
Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
01/01/1991
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.200

Текст ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров



БЗ 12—89/1048

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19480—89

(СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84, СТ СЭВ 4756—84)

Издание официальное

Е

О

о

а,

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.82:001.4:006.354    Группа Э00

Г О С У Д А Р СТВЕННЫИ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения

электрических параметров

Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКСТУ 6301

гост

19480—89

(CT СЭВ 1817—88, CT СЭВ 4755—84, CT СЭВ 4756—84)

Дата введения Ol.Ol.ltt

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные Настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах докумен-таиии и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих резулЬ'Гат'ы этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

1.    Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес!ве справочных и обозначены пометой «Ндп».

2.1.    Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2.    Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

(6) Издательство стандарте, 1990

2.3.    В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

2.4.    В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

4.    Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом*.

Таблица 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

ОБЩИЕ

понятия

1. Параметр интегральной микросхемы

Параметр

X

Л'

Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы

2. Номинальное значение параметра интегральной декросхемы

Номинальное значение параметра

X и ом

V

пот

Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений

3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра

Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности

4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Допустимый диапазон значений параметра

ДХ1

Разброс значений пара-: метра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации

5. Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра

ЛХ

Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением

Буквенное обозначение

Термин

отечест-    м ежду-

венное    народное

Определение

6.    Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы

Относительное откло-нение параметра

7.    Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы

Напряжение (ток) управления

8.    Температурный коэффициент параметра интегральной микросхемы

Температурный коэффициент параметра

9.    Нестабильность параметра интегральной микросхемы

Нестабильность параметра

10.    Максимальное значение параметра интегральной микросхемы

Максимальное значение параметра

11.    Минимальное значение параметра интегральной микросхемы

Минимальное значение параметра

XX

отн

X

>пр

ах

нет

шах

1 min

Пж

X

шах

X

min

Отношение отклонения парам етр а и нтег р альной микросхемы к его номинальному значению

Напряжение (ток) управляющее функциональным назначением интегральной микросхемы

Отношение изменения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

Отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхем ы к вызвавшему его дистаби-лизирующему фактору

Наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

Наименьшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12.    Напряжение питания интегральной микросхемы

Напряжение питания

13.    Входное напряжение интегральной микросхемы

Входное напряжение

14.    Выходное напряжение интегральной микросхемы

Выходное напряжение

ип

и СО

и„

Ui

(^вых

Uo

Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы

Напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме

2—1628

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

Напряжение срабатывания

t/lT + 6/iTP

Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы

Напряжение отпускания

^Лэтп

Ui т_ t^ITN

Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

17. Входной ток интегральной микросхемы

Входной ток

/в*

Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме

18. Выходной ток интегральной микросхемы

Выходной ток

^ВЫХ

Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интегральной микросхемы

Ток утечки

? УТ

4

Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах

20. Ток потребления интегральной микросхемы

Ток потребления

/ дот

/ сс

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме

21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток короткого замыкания

E.    Short-circuit current

F.    Courant de court-circuit

[КЗ

Ads

Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе

22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы

Потребляемая мощность

Р пот

Рсс

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания

23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы

Рассеиваемая мощность

Р рас

Р tot

Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме

Буквенное обозначение

Термин

отечест-    между-

венное    народное

Определение

24. Входное сопротивление интегральной микросхемы

Входное сопротивление

R

25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление

26. Сопротивление на-    RH

грузки    интегральной

микросхемы

Сопротивление нагрузки

27. Входная емкость    Свх интегральной микросхемы

Входная емкость

28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкость

С„

Ы1

29. Емкость нагрузки    Сн интегральной микросхемы

Емкость нагрузки

30. Время нарастания    /и*р сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания сигнала

Е. Rise time

G. Temps de croissance

R i

R о

c

I

Co

CL

u

Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к    в ыходу    и нтегр альной

микросхемы

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

31. Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

E.    Fall time

F.    Temps de decrois-sance

II

it

Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Тф

Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения

33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

Ten

Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от номинального значения

34. Чувствительность интегральной микросхемы

Чувствительное гь

5

I

Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

35.    Входное напряжение покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покоя

36.    Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы

Выходное напряжение покоя

37.    Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

U

Оных

и

ном

UlQ

Vo Q

Vs

Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом

Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключен-ным входом или с нулевым входным сигналом Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы

Продолжение табл. I

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

38. Напряжение смещения пуля интегральной микросхемы

Напряжение смещения нуля

E.    Input offset voltage

F.    Tension de decalage

Ucu

Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению

39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

Напряжение шума на выходе

E.    Output noise voltage

F.    Tension de bruit en sortie

£Лп.вых

с:

р

о

Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы

40. Приведенное ко входу напряжение шу ■ ма интегральной микросхемы

Приведенное ко входу напряжение шума

С/ III БТС

и щ

Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения

4 К Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы

Синфазные входные напряжения

Псф., ВХ

Uic

Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают

42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы

Входное напряжение ограничения

Ногр.ВХ

&1 Иш

Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину

43, Остаточное напряжение интегральной микросхемы

Остаточное напряжение

f^DS

Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока

44. Разность входных токов интегральной микросхемы

Разность входных токов

А/вХ

ho

Разность значений токов, протекающих через диффе-р енци альн ый вход и нтег-ральной микросхемы в заданном режиме

45. Средний входной ток интегральной микросхемы

Средний входной ток

jвх.ср

IlAV

Среднее квадратическое значение входных токов интегральной микросхемы

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

46. Коммутируемый ток интегральной микросхемы

Коммутируемый ток

7коМ

Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощность интегральной микросхемы

Выходная мощность

р

* иы\

Ро

Мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режиме

48. Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Нижняя граничная частота полосы пропускания

{.

к

Наименьшее значение частоты, на которой ) оэФфи-циент усилергия напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

49. Верхняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Верхняя граничная частота полосы пропускания

L

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегра льнон микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

50. Частота коммутации интегральной микросхемы

/ком

fs

Частота, с которой интегральная микросхема коммутирует ток

Частота коммутации

fc

Частота, равная полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной микросхемы

51. Центральная частота полосы пропускания интегральной микросхемы

Центральная частота

fa

полосы пропускания

BW

Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления интегральной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диапазона

52. Полоса пропускания интегральной микросхемы

Полоса пропускания

Л/

53. Полоса задерживания интегральной микросхемы

Полоса задерживания

А/.,

Af<

Диапазон частот между верхней и нижней частотами полосы задерживания интегральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

отечест-    между-

венное    народное

Определение

54.    Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

55.    Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задерживания

56.    Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Ндп. Полоса единичного усиления

E.    Frequency of unity (open loop) amplification

F.    Frequence pour I’amplification unite

57.    Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота входного сигнала

58.    Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

59.    Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

E.    Ripple time

F.    Temps de vacille-ment

/зд.н

ад.в

/1

и

fr

-yen

60. Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки

E.    Delay time

F.    Temps de delai

'ЗД

/dL

/ d H

f 1

Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице

h

Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию

tcip    Интервал времени с мо

мента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня

id    Интервал времени между

нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления напряжения

К,в

А и

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению

62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент усиления тока

Кп

At

Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току

63, Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

К? р

А р

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений

E.    Common-mode voltage amplification

F.    Amplification en tensios en mode commun

^у.сф

А ис

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

E.    Common-mode rejection ratio

F.    Taux de rejection en mode commun

Кос.сф

Кемп

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений

66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

Квя.п.п

Ksvn

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

07. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент усиления Дифференциального сигнала по напряжению Е. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension cn mode differen-tiel

Ауидиф

A VD

Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме

68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

Коэффициент гармоник

К,

Къ

Отношение среднего квадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник

69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

и АТУ

AGC

Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах

70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Скорость нарастания выходного напряжения Ндп. Скорость отслеживания

V и ВЫ1

Sv OM(SR)

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы

71. Коэффициент пря-моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямо-угольности АЧХ

Кп

Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7

72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент пульсаций

Кип

Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхем ы к анач ени ю постоян-ной составляющей напряжения

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

73. Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

Коэффициент умножения частоты

Кумн /

Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала

74. Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

Коэффициент деления частоты

Кпел f

Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала

75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы

Крутизна преобразования

Рб

Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение

^вых max

Uо max

77. Напряжение шума интегральной микросхемы

Напряжение шума

■Um

Un

78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы

Эффективное напряжение шума

Пш.ъфф

Un eff

79. Размах шума ин-тегр ал ьной микросх емы

Размах шума

AUm

L/npp

Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивле^ нии нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю

Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы

Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы,

Буквенное обозначение

80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭДС

шума

Е

III. н

81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы

Нормированный ток шума

ШИ

Е nN

In N

повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

V

и вых шах:

SR

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения

83. Частота среза интегральной микросхемы

Частота среза

E.    Open-loop cut-off frequency

F.    Frequence de coupu-re en boucle ouverte

срз

/со

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цели обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте

84. Частота полной мощности интегральной микросхемы

Частота полной мощности

fp

fp

Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

fyc п и

ft ot

Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины

86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

Краэд

С dNC

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала

87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы

Временной коэффициент входного тока

И

п

«■ч

>

Yibi(IB2)

Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы

Временной коэффициент разности входных токов

Тд/ах

Yiio

Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Временной коэффициент напряжения смещения нуля

Yvcm

Yuio

Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ

И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон входных напряжений

Е. Input voltage operating range

ДС/и

MJ1

Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального

Термин

F. Domaine de foncti-onnement de la tension d’entrce

91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

£/ару

U AGC

92.    Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Н ап р я жени е задер ж к и

АРУ

93.    Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение пульсаций истопника питания

94.    Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток АРУ

(7 зд АРУ

U

U л. п

^ АРУ

U AGCd

и

с сг

/agc

95.    Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота резонанса

96.    Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота квазирезонан-са

97.    Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)

fo

кО

ДАу17 AKyi А Аур

f о

ДА и ДА / ДАР

Определение

Н а п ряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за* данных гределах

Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным

Значение переменной составляющей напряжения и с т о ч н и к а питания на выводах питания интегральной микросхемы

Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы н обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное значение

Частота, на которой коэффициент усиления ив-тегральной микросхемы принимает минимальное значение

Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала

Термин

Буквенное обозначение

отечест-    между-

венное    народное

Определение

98.    Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы

Динамический диапазон по напряжению

99.    Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

100.    Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффи ци ент иер а в но -мерности АЧХ

101.    Коэффициент шума интегральной микросхемы

Коэффициент шума

ЛП дИн

К

н л. А

К и р. Л Ч

К.

ш

102.    Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент интер-модуляционных искажений

103.    Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

104.    Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики

К и. и

п

S П

Ли dyn

A nla

Fn

аа

Л

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения

11 а и 6 о л ь ш с е    от к л о н е н и е

значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в де-цибеллах

Отношение среднего квадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот

Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к п о т р е бл я е м он мощности

Str

Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме и нтегр а ль н о й микросхемы

Продолжение табл. 1

Буквенное

обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

105 Отношение сиг-нал/шум интегральной микросхемы

Отношение сигнал/шум

■^с'ш

Wn

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот

106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фазовый сдвиг Ндп. Сдвиг фаз

Фс

Фо

Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

107.    Диапазон выход- Д£/Вых ных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

E.    Output voltage operating range

F.    Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie

108. Напряжение счи-    — тыванин обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

E.    Feedback sense voltage

F.    Tension dc lecture de contre-reaction

109. Опорное напря-    Uon жение интегральной микросхемы

Опорное напряжение

E.    Reference voltage

F.    Tension de reference

Uon n    Интервал значений вы

ходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения да максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

Ufb    Напряжение, являющееся

функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы

U REF

Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест

венное

между

народное

110. Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения

П пд

Разность между вход ным и выходным напря жением интегральной мик росхемы в заданном режи

111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме

Минимальное падение напряжения

112 Ток холостого хода интегральной микросхемы

Ток холостого хода 113. Время готовности интегральной микросхе-

Врем я готовнооти

114 Время восстановления но иапря жеикю интегральной микросхемы

Время восста новлемия по напряжению

E.    input transient voltage recovery time

F.    Temps dc recouvre-ment de la tension tran-sitoire a I’entree

115.    Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время восстановления по току

E.    Input transient current recovery time

F.    Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a Tentrce

116.    Взаимная нестабильность по напряженнее интегральной микросхемы

U

од min

XX

^ ГОГ

'St

кос Г

tn и

К V N 1 N 2

^RI

ме

Наименьшее значение па дени я напряжения па ин тегральной микросхеме при котором параметр ин тегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям

Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе

Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям

Интервал времени от момента е : учетытого изменения входного напряжения интегральной микросхемы д о м о м е нт а, к о г д а значение вы х од и о го I; а *; ря ж е -ния в последний раз входит в заданный интерн?ал выходных напряжении, содержащий в себе конечное значение

Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в зсданный интервал выход-и ых н а п р я ж ени й, со л q > ж а -тих в себе конечное значение

Относительное изменение з н а ч ени я вы х од s к> г о напряжен и я (> д того к а н а л а м и о -гоканальноа интегральной

Буквенное обозначение

Термин

между

народное

Взаимная нестабильность по напряжению

117, Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по току

KlNlN3

118, Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению

Ки

Ки

И9. Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току

120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по нагрузке

Ki

Кв

KlNlN2

Kvj

Кю

микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тона, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

121. Коэффициент ста-

Kcr UBX

Ksi

Отношение относительно

бнлизации входного напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения

E.    Input stabilization coefficient

F.    Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree

122. Коэффициент ста-

it I

^CTt/BX

го изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Филизация нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

E.    Load stabilization coefficient

F.    Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

Кет R

Kso

Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов

123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент сглаживания пульсаций

Е- Ripple rejection ratio

F. Taux de rejection de Fondulation residuelle

*0»

Krb.

Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты

Д24. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

E.    Output voltage drift

F.    Derive de la tension de sortie

AL Bbix

A£/0(t)

Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Дрейф выходного тока fE. Output current drift F. Derive du courant de sortie

А/BHZ t

A/o(t>

Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест*

между

Определение

венное

народное

126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

Ctj вых

а ю

Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизи рующих факторов

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ

127.    Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение гистерезиса

128.    Напряжение синхронизации интеграл., ой микросхемы

Напряжение синхронизации

U

ГИСТ

и сх

129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

А/сх

130. Коммутируемая    Р ком

мощность интегральной микросхемы

Коммутируемая мощ-носз ь

131 Коэффициент пе- Кир редачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи

Uh , Разность между напря-! жением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы

—    Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна частоте напряжения синхронизации

—    Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы IIа частоте синхро -ни пирующего сигнала

_    Значение мощности, оп

ределяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднее квадра тическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы

_    Отношение абсолютного

значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения

Буквенное обозначение

Термин

отечест

между

Определение

венное

народное

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ

132.    Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение низкого уровня

133.    Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение высокого уровня

134.    Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового входа

13,3. Ток утечки ана-лоювого выхода интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового выхода

13G. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток низкого урозня управляющего напряжения

137.    Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения

138.    Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения

£7упр,1

U

уир.в

/

ут.вт

/

ут.вых

1

вх.н

/

пх л

SOT.H

LS

^LD

IL

Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него .(них) управляющего напряжения низкого уровня

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них): управляющего напряжения высокого уровня

*CCL

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при пода-' че на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения

^пог.в

/ссн

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня

140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы

Сопротивление в открытом состоянии

Rotk

Ron

Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале

141. Время включения интегральной микросхемы

Время включения

^вкл

ton

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения

142. Время выключения интегральной микросхемы

Время выключения

t выкл

tott

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения

143. Время переключения интегральной микросхемы

Время переключения

^нер

^tran

Ин1ервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения

144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе

А

Ud a

Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения

145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы

Емкость управляющего входа

Свг.упр

Ci

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через уя-равляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего

Терния

Буквенное обозначение

отечест

между

Определение

венное

народное

146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

С

вх.ан

147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

С

вых.ан

148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом

С и ы х/в хан

149 Частота управля- /унр ющего напряжения интегральной микросхемы

Частота управляющего напряжения

150. Коэффициент по- /(поя> к давления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом

С S

Cd

Cds

h

КооГГ

этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального на» пряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Частота напряжения на управляющем вхо,ц интегральной микросхем ы при заданной с к в а ж и о с; и, при которой значения выходного напряжения ни ого и высокого уровней у ювлстворяют заданным значениям

Отношение переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами

^Спод

К Don

Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения

152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

Кп

Ки

Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

153. Напряжение i-го 1 Uni источника питания интегральной микросхемы

Напряжение t-ro источника питания

154. Входное напря-ж*ние низкого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение Узкого уровня

155. Входное напря- (у1 жение высокого уровня    вх

интегральной микросхемы

Входное напряжение высокого уровня

U GGI

и

IL

U in

Напряжение i-ro источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.

Примечание, i — порядковый номер источника. i=l—4

Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

156. Прямое падение напряжения на анти-звонном диоде интегральной микросхемы

Прямое падение напряжения на антизвон-ном диоде

1/пр

Усы

Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод

157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение высокого уровня

Уоп

158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение низкого уровня

^OL

159. Ток потребления f-ro источника питания интегральной микросхемы

Ток потребления i-ro источника питания

Iпот f

/ СС1

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от t-го источника питания в заданном режиме

160. Динамический гок потребления интегральной микросхемы

Динамический ток по-тоебления

I пот.двн

/осс

Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения

161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы

Входной ток низкого уровня

б’х

Ль

Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня

б

^1Н

Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхем ы

163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Выходной ток высокого уровня

бы*

/он

Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы

164. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы

Выходной ток низкого уровня

A)L

Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между

Определение

венное

народное

165. Выходной ток в

7вых.в ыкл

/oz

Выходной ток интеграль

состоянии «Выключено

ной микросхемы с тремя

интегральной микросхе-

состояниями на выходе

мы

при выключенном состоя

Выходной ток в состоянии «Выключено»

нии выхода

166. Выходной ток низ-

/° _

Adzl

Выходной ток в состоя

кого уровня в состоянии

'вых.выкл

нии «Выключено» интег

«Выключено» интеграль-

ральной микросхемы при

ной микросхемы

подаче на измеряемый вы

Выходной ток низко-

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

низкого уровня

167. Выходной ток вы-

/'

/ OZ N

Выходной ток в состоя

сокого уровня в состоя-

'вы^.выкл

нии «Выключено» интег

нии «Выключено» ин-

ральной микросхемы при

тегральной микросхемы

подаче на измеряемый вы

Выходной ток высоко

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

высокого уровня

168.    Ток утечки на входе интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

169.    Ток утечки на выходе интегральной

^УТ.БХ

Ль

Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

7ут.вЫХ

Лэь

Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при

микросхемы

закрытом состоянии выхо

Ток утечки на выходе

да и заданных режимах на остальных выводах

170. Ток утечки низ

Льь

Ток утечки во входной

кого уровня на входе

1 ут.вх

цепи интегральной микро

интегральной микросхе

схемы при входных напря

мы

жениях в диапазоне, соот

Ток утечки низкого

ветствующем низкому уров

уровня на входе

ню, и при заданных режимах на остальных выводах

171. Ток утечки высо

/1

Льн

Ток утечки во входной

кого уровня на входе

'ут.вх

цепи интегральной микро

интегральной микросхе

схемы при входных на

мы

пряжениях в диапазоне, со

Ток утечки высокого

ответствующем высокому

уровня на входе

уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Буквенное обозначение

Т«рыив

отечест-    между-

венное    народное

Определение

172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе

I

о

ут.вых

173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

Г1

'ут.вых

174. Потребляемая мощность /-го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая мощность i-го источника пи-

Р

пот<

*oll

Adlh

Ток утечки интег ральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от i-ro источника питания

тания

175. Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении

t

1,0

176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

,0,1

177. Время выбора интегральной микросхемы

Время выбора

*THL

*TLH

fcs

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

178 Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время сохранения

E.    Valid time

F.    Temps de validation

i сх

t V

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным

179. Время хранения информации интегральной микросхемы

Время хранения информации

fsG

Интервал времени, в течение которого интегральная микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет- информацию

180. Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

Время установления входных сигналов F. Set-up time F. Temps de preparation

is ст

tsu

Интервал времени между началом сигнала па заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа

181. Время цикла интегральной микросхемы

Время цикла F. Cycle time F. Temps de cycle

^ гт

t с г

Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций

182. Время восстановления интегральной микросхемы

Время восстановления

tna с

t В ЕС,

Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе интегральной микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла

183. Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при включении

,1,0

ЗД.р

*PHL

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

184. Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при выключении.

,0,1

зд.р

*PLH

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого

Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между

Определение

венное

народное

зд

уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

185. Время задержки

*DHL

Интервал времени между

включения интегральной

входным и выходным им

микросхемы

пульсами при переходе на

Время задержки вклю-

пряжения на выходе ин

чення

тегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого

уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных

значениях напряжения

186. Время задержки

/>.1

зд

*DLH

Интервал времени между

выключения интеграль-

входным и выходным им

ной микросхемы

пульсами при переходе на

Время задержки вы-

пряжения на выходе ин

включения

тегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения

187. Длительность сиг

т

tw

Интервал времени меж

нала интегральной мик

ду заданными контрольны

росхемы

ми точками по фронтам им

Длительность сигнала

пульса интегральной микросхемы

188. Длительность сиг

т°

*WL

Интервал времени от мо

нала низкого уровня ин

мента перехода сигнала ин

тегральной микросхемы

тегральной микросхемы из

Длительность сигнала

состояния высокого уровня

низкого уровня

в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

189. Длительность сиг

т1

^тгн

Интервал времени от мо

нала высокого уровня

мента перехода сигнала ин

интегральной микросхе

тегральной микросхемы из

мы

состояния низкого уровня

Длительность сигнала

в состояние высокого уров

высокого уровня

ня до момента перехода его из состояния высокого

уровня в состояние низкого уровня, измеренный на

заданном уровне напряжения

Продолжение табл. 1

Буквенное

обозначение

Термшг

отечест

венное

между

народное

Определение

190. Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Частота следования импульсов тактовых сигналов

и

fc

191. Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Период следования импульсов тактовых сигналов

к

Тс

Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения

192. Помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы

Пом ехоустончивость при низком уровне сигнала

и0

^пом

Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы

193. Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы

Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала

их

пом

Мп

Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напря же-нием высокого уровня интегральной микросхемы

] 94. Емкость входа/ выхода интегральной микросхемы

Емкость входа/выхода

Пгх/в Ы X

С\/о

Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ

195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

и1 п

£/отн

пор.вых

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

Буквенное обозначение

Термин

отечест-    между-

венное    народное

Выходное пороговое напряжение высокого уровня

196. Выходное поро-    /у0

'-'пор.вых

говое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение низкого уровня

197'. Входное порого-    f/1

вое напряжение высоко- 110рвх го уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение высокого уровня

ел

OTL

Ui тн

198. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение низкого уровня

и\

о

пор.вх

UITL

199. Входное напря-    иах.бл жение блокировки интегральной микросхемы

Входное напряжение блокировки

200. Входной пробив-    /вх.прб ной ток интегральной микросхемы

Входной пробивной ток

I IB

201. Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

^CCL

Определение

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

Наименьшее значение напряжения высокого урозня на входе    и нтегр а ль ной

микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

Наибольшее значение напряжения низкого урозня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в Другое

Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока

Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня

Продолжение габл. /

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

/1

пот

Л:сн

V

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого урозня

203. Средний ток потребления интегральной микросхемы

Средний ток потребления

^ пот.ср

** CCA V

Ток, равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух разлив, :лх устойчивых со-сюяппях

204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы

Средняя потребляемая мощность

Р пот.ср

Р CCAV

Мощность, равная полусумме мощностей, потребляем ых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состожтиях

205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы

Среднее время задержки распространения

^ЗД.р.СР

^РА V

Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы

206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»

зд.р

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

,0, 3 *зд.р

*PLZ

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

208. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня

/3,1

зд.р

^FZH

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

209. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня

/3,0

*зд.р

*PZL

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня

210. Рабочая частота интегральной микросхемы

Рабочая частота

/

/

Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на в ыходе обеспечиваются заданные уровни напряжений

211. Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы

Коэффициент разветвления по выходу

К раз

N

Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы.

Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем

212. Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы

Коэффициент объединения по входу

Коб

Ni

Число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

213. Напряжение инжектора при задам ном токе инжектора интегральной микросхемы

I Ешряженис инжектора при заданном токе инжектора

V

инж

и о

Буквенное обозначение

Термин

214.    Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение низкого уровня

215.    Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение высокого уровня

216    Минимальное

входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напр я жение низкого уровня

217,    Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напряжение высокого уровня

218,    Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение низкого уровня

249. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

.Минимальное выходное напряжение высокого уровня

220,. Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток инжектора

отечест

между

венное

народное

Определение

£7°

^ вх шах

и.

вх max

и:

о

вх min

и

1

вх min

и

о

иых max

и

I

ьых min

/

НИ Ш

^ILmax

Um

max

и

ILmin

U

III m in

OLmax

U

О II min

/ G

Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы

Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Н а им еныцее положитель-ное или наибольшее Ътри-цательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток птребленпя в состоянии «Выключено»

/пот.в ы к л

/ CCZ

Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Термин используют для схем с тремя сос i ояниямл на выходе

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

222.    Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы

Напряжение питания в режиме хранения

223.    Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации

224.    Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

225.    Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уроаня сигнала входной информации

226.    Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации

Un.x

V

U

II V ,и

и

О

вх.п

и

1

ВХ-И

и

В Ы1.И

П ccs

Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы

Udi

U

DIL

U DIH

Пло

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации,    обеспечивающее

ввод информации в интегральную микросхему

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации

и0

^DOL

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню

228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение в ысокого уровня сигнала выходной информации

вых.и

U vo я

г 1

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

229 Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение сигнала записи

Н зп

U wn k\vRL

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входб сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

230 Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной' микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала записи

и°за

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала записи

U WRH

Наименьшее значение напряжения высокого уровня иа входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему

232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала считывания

и сч

J/RD

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

233. Капряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала считывания

сг°

сч

^RDL

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала считывания

^сч

£7rdh

Наименьшее значение напряжения высо] ого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение сигнала разрешения

£/се

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения

^CEL

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения

ф

П с Е Н

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции

238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение сигнала адреса

Па

UA

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

Ul

^AL

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин-гегр альной микросхем ы

240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Пап

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между

Определение

венное

народное

241. Напряжение сиг-

^зп/сч

WWR/RD

Наибольшее или наимень

нала запись-считывание

шее значение напряжения

интегральной микросхе-

на выводе сигнала запись-

мы

считывание интегральной

Напряжение сигнала

микросхемы, обеспечиваю

запись-считывание

щее выполнение функции

^WR/RDL

записи или считывания

242. Напряжение низ-

£7°

зп/сч

Наибольшее значение на

кого уровня сигнала за-

пряжения на выводе сигна

пись-считывание интег-

ла запись-считывание ин

ральной микросхемы

тегральной микросхемы.

Напряжение низкого

обеспечивающее выполнение

уровня сигнала запись-

функции записи или считы

считывание

вания

243. Напряжение высо-

и1

^ зп/сч

^WR/RDH

Наименьшее значение на

кого уровня сигнала за-

пряжения высокого уровня

пись-считывание интег-

на выводе сигнала запись-

ральной микросхемы

считывание интегральной

Напряжение высокого

микросхемы, обеспечиваю

уровня сигнала запись-

щее выполнение функции

считывание

записи или считывания

244. Напряжение сиг

Ucs

Наибольшее или наимень

нала выбора интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

245. Напряжение низ

шее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

^CSL

Наибольшее значение на

кого уровня сигнала выбора интегральной мик

в.м

пряжения низкого уровня на входе сигнала выбора

росхемы

интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

246. Напряжение вы

и\ м

f/cSH

Наименьшее значение на

сокого уровня сигнала

пряжения высокого уровня

выбора интегральной

на входе сигнала выбора

микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

интегральной микросхемы

247. Напряжение так

Uj

Uc

Наибольшее или наимень

тового сигнала интег

шее значение напряжения

ральной микросхемы

на входе тактового сигнала,

Напряжение тактового

обеспечивающее работу ин

сигнала

тегральной микросхемы в определенный интервал времени

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

^■в.а.к

&СА$

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Д°.а.К

UC ASL

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхем ы, соответствующее низкому уровню

250 Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

krC ASH

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение сигнала зыбора адреса строк

^в.а.с

Un AS

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

252 Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

^е.а.с

ASL

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню

253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

^.а.с

f^RASH

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

254 Напряжение сиг-зала стирания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала стирания

U ОТ

f^ERA

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала «стирание» интегральной микросхем ы, обеспечивающее стирание информации

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы

Напряжение сигнала программирования

U пр

U рн

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сшнала программирования ин гегра дь-ной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием

256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в режиме хранения

/пот.хр

/ CCS

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации

257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала входной информации

/вх.и

IDI

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы

258. Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации

JBX.H

^DIL

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня входной информации

/1

л в ч, и

/шн

Ток в непи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала выходной информации

7в ы х,и

/do

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы

261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

-*ВЫХ.И

^DO

Ток в цепи сш нала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низком у уровню

262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интег раль-ной микросхемы

/1

1 вых.и

/ DOH

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

Буквенное обозначение

Термин

Ток высокого уровня сигнала выходной информации

263.    Ток сигнала записи интегральной микросхемы

Ток сигнала записи

264.    Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

Ток сигнала считывания

265.    Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

Ток сигнала адреса

266.    Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Ток сигнала запись-считывание

267.    Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора

268.    Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня по входу выбора

269.    Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня по входу выбора

270.    Ток сигнала разрешения    интегральной

микросхемы

Ток сигнала разрешения

271.    Ток сигнала стирания    интегральной

микросхемы

Ток сигнала стирания

272.    Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

Ток тактового сигнала

отечест-    между-

венное    народное

Определение

I зп

/WR

Ток в цепи сигнала записи интегральной микросхемы

/ СП

/ri>

Ток в цепи сигнала считывания интегральной микросхемы

Ток в цепи сигнала адреса интегральной микросхемы

^Зц/сч

^WR/RD

Ток в цепи сигнала запись-считывание интегральной микросхемы в заданном режиме

/в.м

/с S

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы

'в.м

^CSL

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

П.и

/csh

Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

/се

Ток в цепи сигнала разрешения интегральной микросхемы

/сгр

/era

Ток в цепи сигнала стирания интегральной микросхемы

и

Ток в цепи импульсного

питания интегральной микросхемы динамических запоминающих устройств

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интеграл ьной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса столбцов

/в.а.к

/ GAS

Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса строк

7в.а.е

/К AS

Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы

Динамическая потребляемая мощность

Р пот,дин

Fcco

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме

276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы

Потребляемая мощность в режиме хранения

Р по т,хр

Fees

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания

277. Время выборки интегральной микросхемы

Время выборки

E.    Access time

F.    Temps d’acces

*A

Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы

278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы

Время удержания

E.    Hold time

F.    Temps de maintien

/ у

Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа

279. Время цикла записи информации интегральной микросхемы

Время записи информации

^ЗП

tc Y W

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации

280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Время считывания

^CTR

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

281. Время регенерации интегральной микросхемы

Время регенерации

E,    Refresh lime interval

F.    Intervatle de temps de rafraichissement

^рег

t REP

Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения

Таблица %

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Термин

Номер термина

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе ин-

144

тегральной микросхемы

144

Время включения

141

Время включения интегральной микросхемы

141

Время выключения

142

Время выключения интегральной микросхемы

142

Время восстановления

182

Время восстановления интегральной микросхемы

182

Время восстановления по напряжению

Время восстановления по напряжению интегральной микро-

114

схемы

114

Время восстановления по току

115

Время восстановления по току интегральной микросхемы

115

Время выбора

177

Время выбора интегральной микросхемы

177

Время выборки

277

Время выборки интегральной микросхемы

277

Время готовности

113

Время готовности интегральной микросхемы

113

Время задержки включения

185

Время задержки включения интегральной микросхемы

185

Время задержки выключения

186

Время задержки выключения интегральной микросхемы

186

Время задержки

6jQ

Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки распространения интегральной микросхемы

60

среднее

205

Время задержки распространения при включении

Время задержки распространения при включении интеграль

183

ной микросхемы

183

Время задержки распространения при выключении

Время задержки распространения при выключении литераль

184

ной микросхемы

Время задержки распространения при переходе из состояния

184

«Выключено» в состояние низкого уровня

Время Задержки распространения при переходе из состояния

209

«Выключено» в состояние высокого уровня

Время задержки распространения при переходе из состояния

208

высокого уровня в состояние «Выключено»

Время задержки распространения при переходе из состояния

206

низкого уровня в состояние «Выключено»

207

Время задержки распространения среднее

205

Время записи информации

279

Время нарастания сигнала

30

Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

30

Время переключения

143

Время переключения интегральной микросхемы

143

Термин

Номер термина

Время перехода при включении

Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время регенерации

Время регенерации интегральной микросхемы

Время сохранения

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время считывания Время удержания

Время удержания интегральной микросхемы

Время успокоения

Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

Время успокоения выходного напряжения интегральной мик

росхемы

Время установления входных сигналов

Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

Время хранения информации

Время хранения информации интегральной микросхемы

Время цикла

Время цикла записи информации интегральной микросхемы Время цикла интегральной микросхемы

Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

Диапазон входных напряжений

Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы Диапазон значений параметра /Диапазон значений параметра допустимый Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый

Диапазон по напряжению динамический

Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока

175

175

176 176 284 Ш 178 178

31

'31

2В0

278

278

'59

159

85

8-5

180

180

179

179

181

279

181

230

69

09

90

90

107

107

3

4

3

4

93

98

97

97

9f

97

97

Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интег-

ральной микросхемы

9|7

Длительность сигнала

187

Длительность сигнала высокого уровня

189

Длительность сигнала высокого уровня интегральной микро*

схемы

189

Длительность сигнала интегральной микросхемы

187

Длительность сигнала низкого уровня

188

Длительность сигнала низкого уровня интегральной микро

схемы

188

Длительность спада входного сигнала

33

Длительность спада входного сигнала интегральной микро

схемы

33

Длительность фронта входного сигнала

32

Длительность фронта входного сигнала интегральной микро

схемы

32

Дрейф выходного напряжения

124

Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

124

Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкое ь вчода/выхода

Емкость входа/выхода интегральной микросхемы

125

125

116

146

147 147 194 194

Емкость входная Емкость выходная

Емкость интегральной микросхемы входная Емкость интегральной микросхемы выходная

Емкость нагрузки

Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом Емкость между аналоговыми выходом и входом интегрзльном микросхемы

Емкость управляющего входа

Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Знамение параметра интегральном микросхемы максимальное Значение параметра интегральной микросхемы минимальное Значение параметра интегральной микросхемы номинальное

Значение параметра максимальное ЗначсЕше параметра минимальное Значение параметра номинальное

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Коэффициент входного тока временной

Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной

27

28

27 23 29 29 1 Ш

148

145

145

И)

11

о

10

И

2

66

66

87

термин

Номер термина

Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы тем-

пературный

126

Коэффициент выходного тока температурный

126

Коэффициент гармоник

68

Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

68

Коэффициент деления частоты

74

Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

74

Коэффициент интермодуляционных искажений Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной

102

микросхемы

102

Коэффициент напряжения смещения нуля временной Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной мик-

89

росхемы временной

89

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики ин-

99

тегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной харак-

99

теристики интегральной микросхемы

100

Коэффициент неравномерности АЧХ

100

Коэффициент объединения по входу

212

Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы

212

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

65

интегральной микросхемы

Коэффициент параметра интегральной микросхемы темпера

65

турный

8

Коэффициент параметра температурный

8

Коэффициент передачи

131

Коэффициент передачи интегральной микросхемы

131

Коэффициент передачи по напряжению

Коэффициент передачи по напряжению интегральной микро

15-2

схемы

132

Коэффициент подавления сигнала между каналами Коэффициент подавления сигнала между каналами интег

151

ральной микросхемы

151

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом ки

150

те! ральной микросхемы

150

Коэффициент полезного действия

мЧ

Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной харак

103

теристики интегральной микросхемы

71

Коэффициент прямоугольности АЧХ

71

Коэффициент пульсаций

72

Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

72

Коэффициент разветвления по выходу

Коэффициент разветвления по выходу интегральной микро

211

схемы

211

Коэффициент разделения каналов

вб

Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

86

Коэффициент разности входных токов временной

88

Продолжение табл, 2

Термин

Номер термина

Коэффициент разности входных токов интегральной микро-

88

схемы временной

Коэффициент сглаживания пульсаций^

Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микро-

123

схемы

123

Коэффициент стабилизации входного напряжения Коэффициент стабилизации входного напряжения интеграль-

Г21

ной микросхемы

121

Коэффициент стабилизации нагрузки

Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микро-

122

схемы

122

Коэффициент умножения частоты

73

Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напря-

73

жению

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по на-

67

пряжению интегральной микросхемы

67

Коэффициент усиления мощности

63

Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

63

Коэффициент усиления напряжения

Коэффициент усиления напряжения интегральной микро

61

схемы

61

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений Коэффициент усиления синфазных входных напряжений ин

64

тегральной микросхемы

64

Коэффициент усиления тока

62

Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

62

Коэффициент шума

101

Коэффициент шума интегральной микросхемы

101

Крутизна преобразования

75

Крутизна преобразования интегральной микросхемы

75

Крутизна проходной характеристики

Крутизна проходной характеристики интегральной микро

104

схемы

Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы по

104

требляемая

276

Мощность в режиме хранения потребляемая

276

Мощность выходная

47

Мошность интегральной микросхемы выходная

47

Мощность интегральной микросхемы коммутируемая

130

Мощность интегральной микросхемы потребляемая Мощность интегральной микросхемы потребляемая динами

22

ческая

275

Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя

204

Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая Мощность i-го источника питания интегральной микросхемы

[23

потребляемая

174

Мощность /-го источника питания потребляемая

174

Мощность коммутируемая

130

Мощность потребляемая

22

Мощность потребляемая динамическая

275

Термин

Номер термина

Мощность потребляемая средняя

204

Мощность рассеиваемая

Напряжение автоматической регулировки усиления интеграль-

23

ной микросхемы

91

Напряжение АРУ

Ш

Напряжение блокировки входное

190

Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное

199

Напряжение входное

13

Напряжение высокого уровня входное

155

Напряжение высокого уровня входное максимальное

215

Напряжение высокого уровня входное минимальное

217

Напряжение высокого уровня выходное

157

Напряжение высокого уровня выходное минимальное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

219

входное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вход-

155

ное максимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вход-

215

ное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вы-

217

ходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вы

157

ходное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы по

219

роговое сходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы поро

1S7

говое выходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы уп

195

равляющее

133

Напряжение высокого уровня пороговое входное

197

Напряжение высокого уровня пороговое выходное

195

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной

240

микросхемы

21C

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации Напряжение высокого уровня сигнала входной информации

225

интегральной микросхемы

225

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столб

246

цов

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столб

250

цов интегральной микросхемы

250

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

253

{“V г* л

интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной

253

л 1 П

микросхемы

246

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации

22*8

интегральной микросхемы

228

Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

Напряжение высокого уровня сигнала записи

Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной

231

микросхемы

231

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание ин-

243

тегральной схемы

243

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интеграль-

237

ной микросхемы

237

Напряжение высокого уровня сигнала считывания Напряжение высокого уровня сигнала считывания интеграль-

234

ной микросхемы

234

Напряжение высокого уровня управляющее

133

Напряжение выходное

14

Напряжение выходное максимальное

76

Напряжение гистерезиса

127

Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы Напряжение задержки автоматической регулировки усиления

127

интегральной микросхемы

92

Напряжение задержки АРУ

92

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интег

213

ральной микросхемы

213

Напряжение интегральной микросхемы входное

13

Напряжение интегральной микросхемы выходное Напряжение интегральной микросхемы выходное максималь

14

ное

76

Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое

37

Напряжение интегральной микросхемы опорное

109

Напряжение интегральной микросхемы остаточное

43

Напряжение i-ro источника питания

Напряжение г'-го источника питания интегральной микро

153

схемы

153

Напряжение коммутируемое

37

Напряжение низкого уровня входное

154

Напряжение низкого уровня входное максимальное

24 4

Напряжение низкого уровня входное минимальное

216

Напряжение низкого уровня выходное

158

Напряжение низкого уровня выходное максимальное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход

218

ное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход

154

ное максимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход

21 4

ное минимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вы

216

ходное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вы

158

ходное максимальное

218

Термин

Номер термина

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы поре-

говое входное

198

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы поро-

говое выходное

'19-6

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы уп-

равляющее

132

Напряжение низкого уровня пороговое входное

198

Напряжение низкого уровня пороговое выходное

196

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

239

Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной

микросхемы

239

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

294

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

интегральной микросхемы

224

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

245

Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной

микросхемы

245

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столб-

цов

249

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столб-

цов интегральной микросхемы

249

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

252

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

интегральной микросхемы

252

Напряжение низкого уровня сигнала выхолной информации

227

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации

интегральной микросхемы

227

Напряжение низкого уровня сигнала записи

230

Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной

микросхемы

230

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание

242

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание ин

тегральной микросхемы

242

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения

236

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интеграль

ной микросхемы

236

Напряжение низкого уровня сигнала считывания

233

Напряжение низкого уровня сигнала считывания интеграль

ной микросхемы

233

Напряжение низкого уровня управляющее

132

Напряжение ограничения входное

42

Напряжение ограничения интегральной микросхемы входное

42

Напряжение опорное

109

Напряжение остаточное

43

Напряжение отпускания

116

Напряжение отпускания интегральной микросхемы

16

Напряжение питания

12

Напряжение питания в режиме хранения

222

Напряжение питания в режиме хранения интегральной мик

росхемы

222

Продолжение табл. 2

Термин

Номер repiv ина

Напряжение питания интегральной микросхемы

12

Напряжение покоя входное

35

Напряжение покоя выходное

36

Напряжение покоя интегральной микросхемы входное

35

Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное

36

Напряжение пульсаций источника питания

Напряжение пульсаций источника питания интегральной мик-

93

росхемы

93

Напряжение сигнала адреса

2'38

Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

238

Напряжение сигнала входной информации

Напряжение сигнала входной информации интегральной мик-

223

росхемы

22Э

Напряжение сигнала выбора

244

Напряжение сш нала выбора адреса столбцов

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной

248

микросхемы

‘248

Напряжение сигнала выбора адреса строк

Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной мик-

251

росхемы

251

Напряжение сигнала выбора инте1ральной микросхемы

244

Напряжение сигнала выходной информации

Напряжение сигнала выходной информации интегральной

226

микросхемы

226

Напряжение сигнала записи

229

Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

229

Напряжение сигнала запись-считывание

Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микро

241

схемы

241

Напряжение сигнала программирования

Напряжение сигнала программирования интегральной микро

255

схемы

255

Напряжение сигнала разрешения

235

Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

235

Напряжение сигнала стирания

254

Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы

254

Напряжение сигнала считывания

232

Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

232

Напряжение синхронизации

128

Напряжение синхронизации интегральной микросхемы

126

Напряжение смещения нуля

38

Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

38

Напряжение срабатывания

15

Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

15

Напряжение считывания обратной связи

Напряжение считывания обратной связи интегральной микро

198

схемы

108

Напряжение тактового сигнала

247

Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

247

Напряжение управления

7

Термин

Номер термина

Напряжение управления интегральной микросхемы

7

Напряжение шума

77

Напряжение шума интегральной микросхемы

77

Напряжение шума интегральной микросхемы аффективное

78

Напряжение шума на выходе

39

Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

39

Напряженке шума, приведенное ко входу

Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной мик-

40

росхемы

40

Напряжение шума эффективное

7 Я

Напряжения входные синфазные

41

Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные

41

Нес обильность параметра

9

Нестабильность параметра интегральной микросхемы

0

Нестабильность по нагрузке

120

Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

120

Нестабильность по напряжению

118

Нестабильность по напряжению взаимная

116

Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

118

взаимная

116

Нестабильность по току

119

Нестабильность по току взаимная

117

Нестабильность по току интегральной микросхемы

119

Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная

117

Отклонение параметра

г

и

Отклонение параметра интегральной микросхемы Отклонение параметра интегральной микросхемы относи

5

тельное

|6

Отклонение параметра относительное

(5

Отношение сигнал/шум

105

Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы

105

Падение напряжения

ПО

Паление напряжения минимальное

Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной

111

микросхемы прямое

156

Падение напряжения на антизвонном диоде прямое

156

Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения на интегральной микросхеме минималь

ПО

ное

111

Параметр

1

Параметр интегральной микросхемы

1

Период следования импульсов тактовых сигналов

Период следования импульсов тактовых сигналов интеграль

191

ной микросхемы

191

Полоса единичного усиления

56

Полоса задерживания

53

Полоса задерживания интегральной микросхемы

53

Полоса захвата синхронизации

129

Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

129

Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

Полоса пропускания

52

Полоса пропускания интегральной микросхемы

52

Помехоустойчивость при высоком уровне

Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной мик-

193

росхемы

193

Помехоустойчивость при низком уровне

Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микро-

192

схемы

192

Размах шума

79

Размах шума интегральной микросхемы

79

Разность входных токов

44

Разность входных токов интегральной микросхемы

44

Сдвиг интегральной микросхемы фазовый

106

Сдвиг фаз

106

Сдвиг фазовый

Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нор

106

мированная

80

Скоросгь нарастания выходного напряжения

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной

70

микросхемы

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной

70

микросхемы максимальная

82

Скорость нарастания выходного напряжения максимальная

82

Скорость отслеживания

70

Сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в открытом состоянии интегральной микро

140

схемы

140

Сопротивление входное

24

Сопротивление выходное

25

Сопротивление интегральной микросхемы входное

24

Сопротивление интегральной микросхемы выходное

,25

Сопротивление нагрузки

26

Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы

Ток автоматической регулировки усиления интегральной мик

26

росхемы

94

Ток АРУ

94

Ток в состоянии «Выключено» выходной

Ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы вы

165

ходной

165

Ток входной

17

Ток входной пробивной

200

Ток входной средний

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» интегральной

микросхемы выходной

Ток    высокого    уровня    входной

Ток    высокого    уровня    выходной

Ток    высокого    уровня    интегральной микросхемы    входной

Ток    высокого    уровня    интегральной микросхемы    выходной

Ток    высокого    уровня    по входу выбора

45

167

1 07 162 163 1>62 163 269

Термин

Номер термина

Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала входной информации Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала выходной информации Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня управляющего напряжения входной Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной

Ток выходной Ток инжектора

Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток интегральной микросхемы входной

Ток интегральной микросхемы входной пробивной

Ток интегральной микросхемы входной средний

Ток интегральной микросхемы выходной

Ток интегральной микросхемы коммутируемый

Ток коммутируемый

Ток короткого замыкания

Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной

Ток низкого    уровня входной

Ток низкого    уровня    выходной

Ток низкого    уровня    интегральной    микросхемы    входной

Ток низкого    уровня    интегральной    микросхемы    выходной

Ток низкого    уровня    по входу выбора

Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня управляющего напряжения входной Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной

Ток ПОфЛблПШЯ

Ток потребления в режиме хранения

Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии «Выключено»

Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

269

269

259

262

262

137

137

18

220

220

17 200

45

18

46 46 21 21

166

166 161 164 1Ы 164 268

268

258

268

261

261

136

136

20

256

2-56

221

221

202

Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

■ — — ----——------

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня ин-

тегральной микросхемы

202

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

201

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня мн-

тегральной микросхемы

201

Ток потребления динамический

160

Ток потребления интегральной микросхемы

20

Ток потребления интегральной микросхемы динамический

'160

Ток потребления i-ro источника питания

150

Ток потребления i-го источника питания интегральной микро-

схемы

159

Ток потребления при высоком уровне управляющего напря-

жения

159

Ток потребления при высоком уровне управляющего напря-

жения интегральной микросхемы

1Э9

Ток потребления при низком уровне управляющего на пряже-

ния

138

Ток потребления при низком уровне управляющего напряже-

ния интегральной микросхемы

138

Ток потребления средний

203

Ток потребления интегральной микросхемы средний

203

Ток сигнала адреса

265

Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

265

Ток сигнала выбора

267

Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

267

Ток сигнала выбора адреса столбцов

273

Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микро

схемы

273

Ток сигнала выбора адреса строк

274

Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

274

Ток сигнала входной информации

257

Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

257

Ток сигнала выходной информации

260

Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

260

Ток сигнала записи

263

Ток сигнала записи интегральной микросхемы

263

Ток сигнала запись-считывание

266

Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

266

Ток сигнала разрешения

570

Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы

570

Ток сигнала стирания

271

Ток сигнала стирания интегральной микросхемы

271

Ток сигнала считывания

264

Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

261

Ток тактового сигнала

272

Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

272

Ток управления

7

Ток управления интегральной микросхемы

7

Ток утечки

19

Ток утечки аналогового входа

134

Термин

Номер термине

Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

134

Ток утечки аналогового выхода

135

Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

135

Ток у 1 очки высокого уровня на входе

Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микро-

171

схемы

171

Ток утечки высокого уровня на выходе

Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микро-

173

схемы

173

Ток утечки интегральной микросхемы

19

Гок утечки на входе

168

Ток утечки на входе интегральной микросхемы

168

Ток утечки на выходе

169

Ток утечки на выходе интегральной микросхемы

169

Ток угечки низкого уровня на входе

Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхе-

170

мы

170

Ток утечки низкого уровня па выходе

Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микро-

172

схемы

172

Ток холостого хода

112

Ток холостою хода интегральной микросхемы

112

Ток шума нормированный

81

Ток шума интегральной микросхемы нормированный

81

Частота входного сигнала

57

Частота входного сигнала интегральной микросхемы

57

Частота генерирования

58

Частота генерирования интегральной микросхемы

5'8

Частота единичного усиления

(56

Частота единичного усиления интегральной микросхемы

56

Частота интегральной микросхемы рабочая

210

Частота квазирезонанса

96

Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

96

Частота коммутации

50

Частота коммутации интегральной микросхемы

50

Частота полной мощности

84

Частота полной мощности интегральной микросхемы

84

Частота полосы задерживания верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы

55

верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы

55

нижняя

54

Частота полосы задерживания нижняя

54

Частота полосы пропускания граничная верхняя

49

Частота полосы пропускания граничная нижняя

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы гра

48

ничная верхняя

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы гра

49

ничная нижняя

48

Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы цент-

ральная

51

Частота полосы пропускания центральная

51

Частота рабочая

210

Частота резонанса

95

Частота резонанса интегральной микросхемы

95

Частота следования импульсов тактовых сигналов

190

Частота следования импульсов тактовых сигналов интеграль

ной микросхемы

190

Часюта среза

t83

Частота среза интегральной микросхемы

83

Частота управляющего напряжения

149

Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы

149

Чувствительность

31

Чувствительность интегральной микросхемы

34

ЭДС шума нормированная

80

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ

НА английском языке

Таблица 3

Термин

Номер термина

Access time

Common-mode rejection ratio Common-mode voltage amplification Cycle time Delay time

Differential-mode voltage amplification Fall time

Feedback sense voltage

Frequency of unity (open loop) amplification

Hold time

277 ©5 64

181

60

67

31

108

56

278

Input offset voltage

Input stabilization coefficient

Input transient current recovery time

Input transient voltage recovery time

Input voltage operating range

Load stabilization coefficient

Open-loop cut-off freguency

Output current drift

Output noise voltage

Output voltage drift

Output voltage operating range

Reference voltage

Refresh time interval

Ripple rejection ratio

Ripple time

Rise time

Set-up time

Short-circuit current

Valid time

38 121 115 114

ЭД И122 № 125

39 124 107 109 281 123

59

30

180

21

178

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4

Термин

Номер термина

Amplification en tension en mode commun

Amplification en tension en mode differentiel

Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree

Courant de court-circuit

Derive de la tension de sortie

Derive du courant de sortie

Domaine de fonctionnement de la tension d’entree

Domaine de fonctionnement de la tension de sortie

Frequence de coupure en boucle ouverte

Frequence pour l’amplification unite

Intervalle de temps de rafraichissement

Taux de rejection en mode commun

Taux de rejection de Tondulation residuelle

Temps a’acces

Temps de croissance

Temps de cycle

Temps de decroissance

Temps de delai

Temps de maintien

Temps de preparation

Temps de recoupment de la tension transitoire a Tentree

Temps de recouvrement du courant transitoire a l’entree

Temps de vacillement

Temps de validation

Tension de bruit en sortie

Tension de decalage

Tension de lecture de contre-reaction

Tension de reference

64

*67

12»2

121

21

.124

125

9;0

Ш7

83

56

281

J65

123

277 30

131

m

60

278 180

114

115 59

178 39 38 1Q8 109

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

I. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: Xyi; Zj*,

где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;

у, z — подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл, 5; i, j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, З...п, где п — число входов и (или) выходов.

При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: Ху^ г\ Xyl; Ху; X.

Таблица 5

Обозначение

Наименование направления перехода сигнала

отечественное

международное

Для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня

01

LH

Для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня

10

HL

* Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.

Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: /А (вс—DE)F,

где tA — вид временного параметра;

i—порядковый номер параметра (1,2...л);

В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6, состояние которого изменяется первым;

С — направление перехода сигнала В;

D — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 6„ состояние которого изменяется последним, т. е. в конце временного интервала;

Е — направление перехода сигнала D;

F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 9.

Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл, 5.

При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала С и Е опускать.

Таблица 5

Обозначение

Наименование сигнала

отечественное

международное

СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

1. Адрес

а

А

2. Выбор микросхемы

в.м

CS

3. Запись

зп

WR

4. Считывание (чтение)

сч

RD

5. Тактовый

т

С

6. Разрешение

р

СЕ

7. Запись-считывание

зп.сч

IVR/RD

8. Адрес-данные

а.Д

AD

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

9.    Авария источника питания

10.    Авария сети питания 11 Арифметический сдвиг

12.    Асинхронный

13.    Вектор

14.    Внешний

15.    Вывод для подключения кварцевого резонатора

16.    Выход

17.    Вход

18.    Блокировка

19.    Ведомый

20.    Ведущий

21.    Восстановление

22.    Вычитание

23.    Генерация

24.    Готовность

25.    Графический символ

26.    Данные

27.    Деление

28.    Декремент 1

29.    Декремент 2

30.    Доступ Л. Запрос

32.    Заем

33.    Зависание

34.    Задатчик

35.    Захват

36.    Знак

37.    Инкремент 1

38.    Инкремент 2

39.    Инкремент 1/Декремент 1

40.    Исполнитель

а.и.п

PSB

а.с.п

PNB

а.с.д

AS

асх

ASYN

вс

REC

вн

EXT

К1

BQ1

К2

BQ2

вых

О

вх

1

б л

DE

вдм

SY

вдщ

MS

ВС

REC

вч

SUB

ги

GEN

гт

RA

ГС

GRS

д

D

дл

DIV

— 1

DEC1

—2

DEC2

дс

AC

зпр

RQ

зм

BR

звс

HG

зд

DR

зх

TR

зн

SI

+ 1

ШС1

+ 2

INC2

+ i;-i

INC 1/DEC 1

И СП

PF

Наименование сигнала

41.    Инсфукция (команда)

42.    Канал (шина)

43.    Канал занят

44.    Квитирование

45.    Конец 46 Код

47.    Логический сдвиг

48.    Логическая операция

49.    Маркер

50.    Маскирование

54. Микрооперация

52.    Микрокоманда

53.    Младший

54.    Множитель

55.    Множимое

56.    Максимальный

57.    Минимальный

58.    Начало исполнения команды

59.    Начало исполнения микрокоманды

60.    Немаскируемое прерывание

61.    Нуль

62.    Ожидание

63.    Останов

64 Обратный ход

65.    Операция

66.    Ответ

67.    Ошибка

68.    Перенос

69.    Переполнение

70.    Передача

71.    Подтверждение

72.    Прямой доступ к памяти

73.    Повтор

74.    Продолжение

75.    Предварительный заряд

76.    Приоритет

77.    Прием

78.    Прерывание

79.    Пуск

80.    Порт

81.    Расширение

62. Распространение переноса

83.    Равенство нулю

84.    Регистр команд 6'5, Режим

86.    Регистр микрокоманд

87.    Результат

88.    Сброс

89.    Сдвиг

Продолжение табл. 6

Обозначение

отечественное

КМ

КН

к. зт кв

к

код

л. с л.о мр мс

МОП

мк

мл

мнж

мже

max

min

нк

н.мк

н.пр

пул

жд

ост

об.х

оп

отв

ОШ

ПС

пп II ч

п

П.Д.П

пвт

прд

п. з пт пм пр пск п

рш

рпс

р. н р.к реж р.мк рез сбр СД

международное

INS

В

BUSY

АК

END

CODE

LSH

LOP

MR

MK

MOP

MINS

LSB

MPLX

MPLY

MX

MN

STINS

NMKINR

NMK

2

WT

HLT

RVM

OP

AN

HR

CR

CE

T

ACK

DMA

RP

CN

PSH

PR

R

INR

ST

P

EX

SPCR

7p

RGINS

MO

RGMINS

RZ

SR

SH

Продолжение табл. 6

Обозначение

Наименование сигнала

отечественное

международное

90. Сдвиг влево

сд.л

SHL

91. Сдвиг вправо

сд.п

SHR

92. Синхронизация

с

SYN

93. Состояние

сс

SA

94 Строб

ст

ST

95. Сложение

сл

SM

96. Строка

стр

R

97. Следующий

сдд

NEXT

98. Стек

ск

SK

99. Старший

ср

MSB

100. Средний

сд

ML

10U Тактовый вход

т.в

Cl

102. Тактовый выход

т.вых

СО

Ш3>. Тестирование (проверка)

т

TEST

104. Условие

уел

СС

] 05 Условный бит (флаг)

ус.б

PL

106. Управление

упр

CN

107. Ускоренный перенос

уск.п

RCR

108. Установка в состояние п

уст

Sn

109. Умножение

умн

MPL

110. Управление

У

CO

111. Цикл

цкл

CY

112. Циклический сдвиг

ц.сд

CYSH

113. Чтение

чт

RD

114. Фаза *

ф

F

115. Экран 1

э

RT

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

116. Выбор адреса строки

в.а.с.

RAS

117 Выбор адреса столбца

в.а.к

CAS

118. Входная информация

вх.и

D

119. Выходная информация

вых.и

Q

120. Входная/выходная информация

вх.и/вых.и

DQ

121. Запись-считывание

зп/сч

WR

122. Разрешение выхода

р.вых

ОЕ

123. Программирование

прг

PR

2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 7.

Таблица 7 Обозначение

Наименование направления перехода сигнала

отечественное

между

народное

Для перехода из третьего состояния в состояние

высокого уровня

31

ZN

Для перехода из состояния высокого уровня в

третье состояние

13

HZ

Для перехода из состояния низкого уровня в

третье состояние

03

LZ

Для перехода из третьего состояния в состояние

низкого уровня

30

ZL

При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:

^А ( В — D)* *А (В) *

3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл. 8.

Наименование параметра

д

г

1>

отечествен

но*

между

народное

1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания

£/°.х

^1.

2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала

и\ ЫХ

и on

3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1-го разряда

4. Время установления сигнала квитирования сПринято» относительно сигнала «Выдача>

/ус

ho

5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных

/сх

tv

yi. zj (B-D)

отечествен

ное

между

народное

пр

с.кнЗ

INR

SYN,ВЗ

шах мс1

шах МК1

Производное обозначение

V А

(В—D

отечественное

международное

IP

вх.пр

^'вых. С.КНЗ

^*вх max мс1

(кп-вд)

(TR-RCAK)

(Д-а)

(D-A)

^ус(кц -вд)

сх(д-а)

и

IL INR

а

ОН SYN-B3

t/,

IH max МК1

SV(TR-RCAK)

U(D-A)

ГОСТ 19480—89 С. 67

Таблица 9

Режи^ работы

Буквенное обозначение

отечественное

междун ародное

Запись

зп

W R

Считывание

СЧ

RD

Считывание-запись

сч/зп

RD/WR

Запись-считывание

зп/сч

WR/RD

Считывание по страницам

сч.стр

Р

Слоговый режим

сл.р

N

Запись по страницам

зп.стр

PW

Счнтывание-модификация-запись

сч м.зп

RMAV

Регенерация

рг

REF

Программирование

Т1рг

PR

Стирание

г г

ER

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1.    РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной иро-мышленности СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

Л. Р. Хворостьян, В. Ф. Марушкин, Е. Ф. Мещанкин, Ю, В. Назаров, Л, С. Жирякова

2.    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением

Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 № 3960

3.    Срок первой проверки— 1996 г., периодичность проверки — 5 лет

4.    Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748—1, МЭК 748—2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозна~ чений параметров и СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84СТ СЭВ 4756—84

5.    ВЗАМЕН ГОСТ 19480—74

Сдано в наб. Тир. 19000

Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор О. /У. Никитина Корректор М. С. Кабашова

14.02.90 Подп. в печ, 22.05.90 4,5 уел п. л. 4,5 уел. кр.~отт. 5,73 уч.-изд. л.

Цена I jj. 10 к.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва, ГСП, Новогтресненский пер., 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер. 6. Зак. 1628