ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест-

между-

венное

народное

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

6. Относительное отк-

ДХотн

Отношение отклонения

лонение параметра ин-

параметра интегральной

тегральной микросхемы

микросхемы к его коми-

Относительное откло-

нальному значению

нение параметра

7. Напряжение (ток)

—

Напряжение (ток) уп-

управления интегральной

равляющее функциональ-

микросхемы

ным назначением интег-

Напряжение (ток) уп-

ральной микросхемы

равлення

8. Температурный ко-

а_х

«X

Отношение изменения па-

эффнциент параметра ин-

раметра интегральной мик-

тегральной микросхемы

; росхемы к вызвавшему его

Температурный коэф-

изменению температуры ок-

фициент параметра

ружающей среды

9. Нестабильность па-

ДХ нет

—

Отношение относительно-

раметра интегральной

го отклонения параметра

микросхемы

интегральной микросхем ы

Нестабильность пара-

к вызвавшему его днетаби-

метра

лизирующему фактору

10. Максимальное зна-

Хщах

Х_шах

Наибольшее значение па-

чение параметра интег-

раметра интегральной мик-

ральной микросхемы

росхемы, при котором за-

Максимальное значе-

данные параметры соот-

ние параметра

ветствуют заданным значе-

НИЯМ

11. Минимальное зна-

V

* mln

X mlo

Наименьшее значение па-

чение параметра интег-

раметра интегральной мик-

ральной микросхемы

росхемы, при котором за-

Минимальное значение

данные параметры соответ-

параметра

ствуют заданным значениям

12. Напряжение пита

Un

Ucc

Значение напряжения на

ния интегральной микро

выводах питания интег

схемы

ральной микросхемы

Напряжение питания

13. Входное напряже

и„

Ui

Напряжение на входе ин

ние интегральной микро

тегральной микросхемы в

схемы

заданном режиме

Входное напряжение

14. Выходное напря

Uo

Напряжение на выходе

жение интегральной мик

и нтегр ал ь но й мик росхем ы

росхемы

в заданном режиме

Выходное напряжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

15. Напряжение сра-

t/срб

Uw +

Наименьшее постоянное

батывания интегральной

£Лтр

напряжение на входе, при

микросхемы

котором происходит пере-

Напряжение срабаты-

ход интегральной микро-

вания

схемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпу-

t/отп

£Лт-

Наибольшее постоянное

скания интегральной

IT N

напряжение на входе, при

микросхемы

котором происходит пере-

Напряжение отпуска-

ход интегральной микро-

НИЯ

схемы из одного устойчивого состояния в другое

17. Входной ток ин-

/вх

/г

Ток, протекающий во

■тегральной микросхемы

входной цепи интегральной

Входной ток

микросхемы в заданном режиме

18. Выходной ток ин-

Лых

/о

Ток, протекающий в це-

тегральной микросхемы

пи нагрузки интегральной

Выходной ток

микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интег-

/

4

Ток в цепи интегральной

ральной микросхемы

микросхемы при закрытом

Ток утечки

состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах

20. Ток потребления

/ пот

/сс

Ток, потребляемый интег-

интегральной микросхе-

ральной микросхемой от ис-

мы

точников питания в задан-

Ток потребления

ном режиме

21. Ток короткого за-

/кз

/os

Выходной ток интеграль-

мыкания интегральной

ной микросхемы при зако-

микросхемы

роченном выходе

Ток короткого замы-

канн я

• E. Short-circuit current

• F. Courant de court-cir-

euit

22. Потребляемая мош-

Р ПОТ

/*сс

Мощность, потребляемая

ность интегральной мик-

интегральной микросхемой,

росхемы

работающей в заданном ре-

Потребляемая мощ-

жиме, от соответствующего

вость

источника питания

23. Рассеиваемая мощ-

Р рас

^tot

Мощность, рассеиваемая

ность интегральной мик-

интегральной микросхемой,

росхемы

работающей в заданном

Рассеиваемая мощ-

режиме

ность

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

38. Напряжение сме-

О см

(До

Постоянное напряжение,

шення пуля интегральной

которое должно быть при-

микросхемы

ложено ко входу интег-

Напряжение смете-

ральной микросхемы, чтобы

ния нуля

1

выходное напряжение было

Е. Input offset voltage

равно нулю или другому

F. Tension de decalage

заданному значению

39. Напряжение шума

(Ап.йЫХ

Уоо

Напряжение собственного

на выходе интегральной

шума на выходе нитеграль-

микросхемы

Напряжение шума на выходе

• E. Output noise voltage

• F. Tension de bruit en sortie

ной микросхемы

40. Приведенное ко

Ошвх

«Л_п

Отношение напряжения

входу напряжение шу-

собственного шума на вы-

ма интегральной микро-

ходе интегральной микро-

схемы

схемы при заданных уело-

Приведенное ко входу

виях к коэффициенту уси-

напряжение шума

лення напряжения

41. Синфазные вход-

Vсф.. вх

Uic

Напряжения между каж-

ные напряжения ннтег-

дым из входов интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы и общим

Синфазные входные

выводом, амплитуды, фазы

напряжения

и временное распределение которых совпадают

42. Входное напряже-

(/огр.вх

(/1 lim

Наименьшее значение

ние ограничения интег-

входного напряжения ин-

ральной микросхемы

тегральпой микросхемы, при

Входное напряжение

котором отклонение от ли-

ограничения

нейности выходного напряжения превышает установленную величину

43. Остаточное напря-

(/ост

(/ds

Напряжение между вхо-

жение интегральной мик-

дом и выходом интеграль-

росхемы

ной микросхемы при вклю-

Остаточное напряже-

ченном канале и заданном

ние

значении коммутируемого тока

44. Разность входных

Л/вх

/го

Разность значений токов.

токов интегральной мик-

протекающих через днффе-

росхемы

ренцналышй вход интег-

Рагность входных то-

ральной микросхемы в за-

ков

данном режиме

45. Средний входной

/вх.ср

Ал v

Среднее квадратическое

ток интегральной микро-

значение входных токов

схемы

интегральной микросхемы

Средний входной ток

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

46. Коммутируемый

^КОМ

/ь

Ток, протекающий через

ток интегральной микро-

коммутирующий элемент

схемы

интегральной микросхемы в

Коммутируемый ток

замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощ-

Ро

Мощность, выделяемая

ность интегральной мик-

1

на нагрузке интегральной

росхемы

микросхемы в заданном ре-

Выходная мощность

жиме

48. Нижняя граничная

f_B

(l

Наименьшее значение ча-

частота полосы пропус-

стоты, на которой i оэсЬфи-

кания интегральной мик-

ниент усиления напряже-

росхемы

ния интегральной микросхе-

Нижняя граничная ча-

мы уменьшается на 3 дБ

стота полосы пропуска-

от значения на заданной

НИЯ

частоте

19 Верхняя граничная

г.

/и

Наибольшее значение ча-

частота полосы пропус-

стоты, на которой коэффи-

кания интегральной мик-

циент усиления напряжения

росхемы

интегральной микросхемы

Верхняя граничная ча-

уменьшается на 3 дБ от

стота полосы пропуска-

значения на заданной ча-

НИЯ

сто ге

50. Частота коммута-

/ком

/s

Частота, с которой интег-

цм и интегральной мик-

рялъная микросхема комму-

росхемы

тирует ток

Частота коммутации

51. Центральная часто*

/ц

fc

Частота, равная полу-

та полосы пропускания

сумме нижней и верхней

интегральной микросхе-

граничных частот полосы

мы

пропускания интегральной

Центральная частота

микросхемы

полосы пропускания

52. Полоса пропуска-

Af

BW

Диапазон частот, в пре-

ния интегральной микро-

делах которого коэффи-

схемы

циент усиления интеграль-

Полоса пропускания

ной микросхемы не падает

ниже 3 дБ по сравнению

с усилением на заданной

частоте внутри этого диа-

пазона

53. Полоса задержива-

Afd

Диапазон частот меж-

ния интегральной микро-

ду верхней и нижней ча-

схемы

стотами полосы задержи-

Полоса задерживания

вания интегральной микро-

схемы

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

К, и

Аи

Отношение выходного напряжения интегральной

микросхемы к входному

Коэффициент усиления напряжения

1

Кт/

i

1

напряжению

62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент усиления тока

А,

Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току

63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

K_JP

А р

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент усиле

ния синфазных входных напряжений

• E. Conimon-niode voltage amplification

• F. Amplification en tension en mode commua

^у.еф

Лис

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному

входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных

входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

• E. Common-inode rejection ratio

• F. Taux de rejection en mode commun

Кос.сф

Кемп

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления

синфазных входных напряжений

66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения

нуля интегральной микросхемы

Коэффициент влияния нестабильности источ ни-ков питания на напряжение смещения нуля

к._я..

Ks VR

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

G7. Коэффициент уси-

A VD

Отношение изменения зна-

ления дифференциально-

чения выходного напряже-

го сигнала по иапряжс-

1

пия интегральной микро-

иию интегральной мик-

схемы к изменению значе-

росхемы

ния напряжения на диффе-

Коэффициент усиления

ренциальном входе в задан-

дифференциального сигнала по напряжению

Е. Differential-mode voltage amplification

F. Amplification en

tension cn mode differen-tie!

ном режиме

68. Коэффициент rap-

Кг

Кь

Отношение среднего квад-

ионик интегральной мик-

ратического напряжения

росхемы

суммы всех, кроме первой.

Коэффициент гармо-

гармоник сигнала интег-

ник

ральнои микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник

69. Диапазон автома-

С АРУ

AGC

Отношение наибольшего

тической регулировки

значения коэффициента уси-

усиления интегральной

ления напряжения интег-

микросхемы

ральнои микросхемы к наи-

Диапазон АРУ

меньшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах

70. Скорость нараста-

У и ВЫХ

SuOM(SR)

Отношение изменения вы-

ния выходного напряже-

ходного напряжения с уров-

ния интегральной микро-

ня 0,1 до уровня 0.9 к вре-

схемы

мени его нарастания при

Скорость нарастания

воздействии на вход интег-

выходного напряжения

ральной микросхемы им-

Ндп. Скорость отеле-

пульса напряжения прямо-

живания

угольной формы

71. Коэффициент пря-

К_а

Отношение полосы частот

моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольное™ АЧХ

интегральной микросхемы на уровне 0.01 или 0,001 к полосе пропускания на

уровне 0,7

72. Коэффициент пуль-

Квп

Отношение амплитудного

саиин интегральной мик-

значения напряжения пуль-

росхемы

саций интегральной микро-

Коэффициент пульса-

1

схемы к значению постоян-

ций

1

ной составляющей напряжения

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

73. Коэффициент ум-

^Сумя f

Отношение частоты вы-

ножения частоты ннтег-

ходкого сигнала интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы к частоте

Коэффициент умноже-

входного сигнала

ния частоты

74. Коэффициент деле-

Кдел f

—

Отношение частоты вход-

ния частоты интеграль-

ного сигнала интегральной

ной микросхемы

микросхемы к частоте вы-

Коэффициент деления

ходного сигнала

частоты

75. Крутизна преобра-

«Snp6

—

Отношение выходного то-

зования интегральной

ка смесителя к вызвавше-

микросхемы

му его приращению вход-

Крутизна преобразо-

ного напряжения при за-

вания

данном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

105 Отношение сиг-нал/шум интегральной

микросхемы

Отношение сигнал/шум

^_с,_ш

Нп

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие. соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот

106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фазовый сдвиг

Иди. Сдвиг фаз

фс

Фо

Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

121. Коэффициент ста-

Кеч t/BX

Ksr

Отношение относительно-

билизации входного на-

го изменения выходного

пряжения интегральной

напряжения или тока ин-

микросхемы

тегральной микросхемы к

Коэффициент стабили-

заданному относительному

зации входного напря-

изменению входного напря-

жени я

жения при отсутствии дру-

Е. Input stabilization

гих дестабилизирующих

coefficient

факторов

F. Coefficient de stabi-

lisation en fonction de la

tension d’entree

122. Коэффициент ста-

билизация нагрузки ин-

Кет R

Kso

Отношение относительно-

тегральной микросхемы

го изменения выходного

Коэффициент стабили-

напряжения интегральной

зации нагрузки

микросхемы к заданному

Е. Load stabilization

относительному изменению

coefficient

выходного тока при отсут-

F. Coefficient de sta-

ствни других дестабилизи-

bilisation en fonction de

руюших факторов

la charge

<23. Коэффициент

K_CT

*Krr

Отношение амплитудного

сглаживания пульсаций

значения пульсаций вход-

интегральной мнкросхе-

ного напряжения заданной

мы

частоты интегральной мик-

Коэффициент сглажи-

росхемы к амплитудному

пания пульсаций

значению пульсаций выход-

Е. Ripple rejection га-

ного напряжения той же

tio

частоты

F. Taux de rejection de

Fondulation residuelie

424. Дрейф выходного

&&вых

AZ7o(t)

Наибольшее значение от-

напряжения интеграль-

носительного изменения вы-

ной микросхемы

ходного напряжения интег-

Дрейф выходного на-

ральной микросхемы в те-

пряжения

чение заданного интервала

Е. Output voltage

времени при отсутствии

drift

других дестабилизирующих

F. Derive de la tension

факторов

de sortie

125. Дрейф выходно-

A/aut t

ДЛхй

Наибольшее значение от-

го тока интегральной

носительного изменения вы-

микросхемы

ходного тока интегральной

Дрейф выходного тока

микросхемы в течение за-

Е. Output current drift

данного интервала времени

F. Derive du courant

при отсутствии других дес-

de sortie

табилизирующих факторов

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест* венное

международное

126. Температурный

коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

(11 ВЫХ

аю

Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизи рующих факторов

129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

Д/сх

130. Коммутируемая

Рком

мощность интегральной

микросхемы

Коммутируемая мощность

Термп

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

146. Емкость аналого-

Свх.ан

с_а

Отношение емкостной ре-

вого входа ннтеграль-

активной составляющей то-

ной микросхемы

ка, протекающего через

Емкость аналогового

аналоговый вход ннтеграль-

входа

ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот

ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

147. Емкость аналого-

С_£ых.ац

Cd

Отношение емкостной ре-

вого выхода ннтеграль-

активной составляющей то-

ной микросхемы

ка, протекающего через ана-

Емкость аналогового

лотовый выход ннтеграль-

выхода

ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой часто-

ты при закрытом канале (каналах)

148, Емкость между

Си ы х/п 1 а и

Cds

Отношение емкостной ре-

аналоговыми выходом и

активной составляющей то-

входом интегральной

ка. протекающего между

микросхемы

аналоговым выходом и ana-

Емкость между ана-

лотовым входом ннтеграль-

лотовыми выходом и

ной микросхемы, к произве-

входом

дению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

149 Частота управля-

/тир

fl

Частота напряжения на

ющего напряжения ин-

управляющем вхо.и ин-

тегралыюй микросхемы

тегральной микросхем и при

Часюта управляюще-

заданной скважное ьч, при

го напряжения

которой значения выходного напряжения ниг'ого и высокого уровней утовлет-воряют заданным значениям

150. Коэффициент по-

KnojL К

Koorr

Отношение переменной

давления сигнала ра-

составляющей выходного

зомкнутым ключом ин-

напряжения закрытого ка-

тегральной микросхемы

нала интегральной микро-

Коэффициент подавле-

схемы к переменной состав-

ния сигнала разомкну-

ляющей коммутируемого на-

тым ключом

пряжения

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами

Клод

Кооп

Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом Другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения

152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

Кп

Kv

Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

156. Прямое падение

Uno

t^CDI

Напряжение на входе ин-

напряжения на днтя-

тегральнон микросхемы при

звонном диоде интег-

заданном значении входно-

ральной микросхемы

го тока через защитный

Прямое падение на-

диод

пряжения на антизвон-

ном диоде

157. Выходное напря-

Uoh

—

женне высокого уровня

интегральной микросхе-

мы

Выходное напряжение

высокого уровня

158. Выходное напря-

Г7°„_

^OL

—

жение низкого уровня

интегральной микросхе-

мы

Выходное напряжение

низкого уровня

159. Ток потребления

/пот f

/сш

Ток, потребляемый ин-

/-го источника питания

тегральной микросхемой от

интегральной микросхе-

i-ro источника питания в

мы

заданном режиме

Ток потребления i-ro

источника питания

16*0 Динамический ток

J пот.дав

/осе

Ток потребления интег-

потребления интеграль-

ральной микросхемы в ре-

ной микросхемы

жиме переключения

Динамический ток по-

тоебления

161. Входной ток низ-

/°

Al

Входной ток при вход-

кого уровня интеграль-

вх

ном напряжении низкого

ной микросхемы

1

уровня интегральной микро-

Входной ток низкого

схемы

уровня

162. Входной ток вы-

/1

Лн

Входной ток при вход-

сокого уровня интег-

*вх

ном напряжении высокого

ральной микросхемы

уровня интегральной микро-

Входной ток высокого

схемы

уровня

163. Выходной ток вы-

/он

Выходной ток при выход-

сокого уровня интеграль-

вых

ном напряжении высокого

ной микросхемы

уровня интегральной микро-

Выходной ток высоко-

схемы

го уровня

164. Выходной ток низ-

1°

A)L

Выходной ток при вы-

кого уровня интеграль-

ходном напряжении низко-

ной микросхемы

го уровня интегральной

Выходной ток низко-

микросхемы

го уровня

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

165. Выходной тОк в

/ иых.выкл

/oz

Выходной ток интеграль-

состоянии «Выключено»

ной микросхемы с тремя

интегральной микросхе-

состояниями на выходе

мы

при выключенном состоя-

Выходной ток в состоянии «Выключено»

нии выхода

166. Выходной ток низ-

/0

^ZOZL

Выходной ток в состоя-

кого уровня в состоянии

вых.выкл

нии «Выключено» интег-

«Выключено» интеграль-

ральной микросхемы при

ной микросхемы

подаче на измеряемым вы-

Выходной ток низко-

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

низкого уровня

167. Выходной ток вы-

/'

^OZN

Выходном ток в состоя-

сокого уровня в состоя-

^вых.выкл

нин «Выключено» интег-

нии «Выключено» ин-

ральной микросхемы при

тегральнон микросхемы

подаче на измеряемый вы-

Выходной ток высоко-

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

высокого уровня

• 168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

• 169. Ток утечки на

А’Т.вх

Ль

Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

I ут.вых

^ZOL

Ток в выходной цепи ин-

выходе _ интегральной

тегральнон микросхемы при

микросхемы

закрытом состоянии выхо-

Ток утечки на выходе

да и заданных режимах на остальных выводах

170. Ток утечки низ-

/°

All

Ток утечки во входной

кого уровня на входе

' ут.эх

цепи интегральной микро-

интегральной микросхе-

схемы при входных напря-

мы

жениях в диапазоне, соот-

Ток утечки низкого

ветствующем низкому уров-

уровня на входе

ню, и при заданных режимах на остальных выводах

171. Ток утечки высо-

/¹

Льн

Ток угечки во входной

кого уровня на входе

'ут.вх

цепи интегральной микро-

интегральной микросхе-

схемы при входных на-

мы

пряжениях в диапазоне, со-

Ток утечки высокого уровня на входе

ответствуюшем высокому

уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе

1°

‘ ут.вых

^OLL

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем

низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

/*

'ут.вых

^OLH

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем

высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

174. Потребляемая

мощность (-го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая мощ

ность t-го источника питания

Р пот<

Pcct

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от Тго источника питания

175. Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении

,1,0

*THL

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на

уровнях 0,1 и 0.9 или на заданных значениях напряжения

176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

_г0,1

*TLH

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на

уровнях 0,1 и -0,9 или на заданных значениях напряжения

177. Время выбора интегральной микросхемы

Время выбора

fcs

Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

178 Время сохранения

/сх

tv

Интервал времени, в те-

сигнала интегральной

чение которого выходной

микросхемы

сигнал является достовер-

Время сохранения

яым иля в течение которо-

Е. Valid time

го входной сигнал должен

F. Tx^mps Ка validation

оставаться достоверным

179. Время хранения

fso

Интервал времени, в те-

информации интеграль-

чение которого интеграль-

ной микросхемы

ная микросхема в задан-

Время хранения ин-

ном режиме эксплуатации

формации

сохраняет- информацию

180. Время установле-

ts и

Интервал времени меж-

ния входных сигналов

ду началом сигнала па за-

интегральной микросхе-

данном выводе входа и по-

мы

следующим активным пере-

Время установления

ходом на другом заданном

входных сигналов

выводе входа

Е. Set-un time

F. Temps de preparati-

on

181. Время цикла ин-

ч

tc.V

Длительность периода

тегральной микросхемы

сигналов на одном из уп-

Время никла

равляющих входов, в те-

Е. Cycle time

чение которой интеграль-

F. Temps de cycle

ная микросхема выполняет

одну из функций

182. Время восстанов-

/вое

Интервал времени меж-

ления интегральной мик-

ду окончанием заданного

росхемы

сигнала на выводе интег-

Время восстановления

ральной микросхемы и на-

чалом заданного сигнала

следующего цикла

183 Время задержки

/’Л

tp fj г

Интервал времени меж-

распространения при

⁴ЗЛ.Р

ду входным и выходным

включении интегральной

импульсами при переходе

микросхемы

напряжения на выходе ин-

Время задержки рас-

тегральной микросхемы от

пространения при вклю-

напряжения высокого уров-

ченив

ня к напряжению низкого

уровня. измеренный на

уровне 0.5 или на задан-

них значениях напряжения

184. Время задержки

/0.1

Интервал времени между

распространения при

⁴ зд.р

FL П

входным и выходным им-

выключении интеграль-

пульсами при переходе на-

ной микросхемы

пряжения на выходе ин-

Время задержки рас-

тегральной микросхемы от

пространения при вык-

напряжения низкого уров-

люченик

ня к напряжению высокого

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

,1.0

зд

уровня, измеренный на

уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

185. Время задержки включения интегральной микросхемы

Время задержки включения

^ZDHL

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на

уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения

186- Время задержки выключения интегральной микросхемы

Время задержки вы-включения

/М

зд

*DLH

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения

187. Длительность сигнала интегральной микросхемы

Длительность сигнала

т

Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы

188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала низкого уровня

т°

*WL

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала высокого уровня

т*

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

190. Частота следова-

/т

1с

ния импульсов тактовых сигналов интегральной

микросхемы

Частота следования

импульсов тактовых сигналов

191. Период следова-

Гт

Те

Интервал времени меж-

ния импульсов тактовых

ду началами или оконча-

сигналов интегральной

ниями следующих друг за

микросхемы

другом импульсов тактовых

Период следования им-

сигналов интегральной мик-

пульсов тактовых сиг-

росхемы, измеренный на

налов

заданном уровне напряжения

192. Помехоустойчи-

и° '-'пом

Абсолютное значение раз-

вость при низком уров-

пости между максимальным

не сигнала интегральной

входным напряжением низ-

микросхемы

кого уровня и максималь-

Помехоустойчивость

ным выходным наяряже-

при низком уровне сиг-

пнем низкого уровня ни-

нала

тсгральной микросхемы

193. Помехоустойчи-

М_п

Абсолютное значение раз-

вость при высоком уров-

ПОМ

ности между минимальным

не сигнала интегральное

входным напряжением вы-

микросхемы

соксго уровня и минималь-

11омехоустойчивость

ным выходным нанряже-

при высоком уровне сиг-

кием высокого уровня пн-

нала

тегралыюй микросхемы

194. Емкость входа/

Ср х/и Ы X

СПа

Значение емкости объели-

выхода интегральной

немного входа/выхода, рав-

микросхемы

нос отношению емкостной

Емкость входа/выхода

реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при

заданном значении частоты сигнала

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

—---.----

202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

7¹

пот

7сси

Ток. потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня

203. Средний ток потребления интегральной микросхемы

Средний ток потребления

7пот. ср

Aicav

Ток. равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различ. ых устойчивых со-СЧОЯ’П’ЯХ

204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы

Средняя потребляемая мощность

Р ПОТ.СР

T’gcav

Мощность, равная полусумме мощностей, иотреб-л я ем ь: х и итегр а л ы ю й м и к -росхемон от источников питания в двух различных устойчивых состояниях

205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы

Среднее время задержки распространения

^ад.рср

*PAV

Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения

сигнала при включении и выключении интегральной

микросхемы

206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»

_ZL3

зд.р

^PHZ

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

/0.3

зд.р

fpLZ

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

208. Время задержки распространения при переходе из состояния

«Выключено» в состояние высокого уровня

/3,1

⁴эд.р

fpzn

I

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня

Термин

Буквенное обозначение

Он редиление

отечеств венное

международное

209. Время задержки

/3,0

‘зд.р

fpZL

Интервал времени меж-

распространения при пе-

ду входным и выходным

реходе из состояния

импульсами при переходе

«Выключено» в состоя-

напряжения на выходе ин-

ние низкого уровня

тегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня

210. Рабочая частота

f

f

Частота сигнала, пода-

интегральной микросхе-

ваемого на вход интег-

мы

ральной микросхемы при

Рабочая частота

заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные

уровни напряжений

211. Коэффициент раз-

Краз

Число единичных нагру-

ветвления по выходу

зок, которое можно одно-

интегральной микросхе-

временно подключить к вы-

мы

ходу интегральной микро-

Коэффициент развет-

схемы.

влення по выходу

Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем

212. Коэффициент объ-

Коб

Ni

Число входов интеграль-

единения по входу ин-

ной микросхемы, по кото-

тегральной микросхемы

рым реализуется логнчес-

Коэффициент объединения по входу

кая функция

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

214. Максимальное

7/°..

^ILmax

Наибольшее положитель-

входное напряжение низ-

ное или наименьшее отри-

кого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого дна-

Максимальное входное

пазона входных напряже-

напряжение низкого

ний низкого уровня интег-

уровня

ральной микросхемы

215. Максимальное

7/¹

£/ IHmax

Наибольшее положитель-

входное напряжение вы-

^v вх max

ное или наименьшее отрица-

сокого уровня интег-

тельное значение напряже-

ральной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Максимальное входное

зона входных напряжений

напряжение высокого

высокого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

216- Минимальное

7/° .

^ILinin

Наименьшее положитель-

входное напряжение низ-

'“'ВХ !П1П

ное или наибольшее отри-

кого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого диа-

Минимальное входное

пазона входных напряжений

на пря жение низкого

низкого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

217. Минимальное

Z/¹

Ui IImln

Наименьшее положитель-

входное напряжение вы-

вх пип

ное или наибольшее отрица-

сокого уровня интеграль-

тельное значение напряже-

ной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Минимальное входное

зона входных напряжений

напояжение высокого

высокого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

218. Максимальное вы-

77°

^OLmax

Наибольшее положитель-

ходное напряжение низ-

ное или наименьшее отрица-

кого уровня интеграль-

тельное значение напряже-

ной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Максимальное выход-

зона выходных напряжений

ное напряжение низкого

низкого уровня ннгеграль-

уровня

ной микросхемы

SI*). Минимальное вы-

//1

mln

Наименьшее положитель-

ходное напряжение вы-

^иьых min

ное или наибольшее Ътри-

сокого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого диа-

Минимальное выход-

пазона выходных напряже-

ное напряжение высоко.

ний высокого уровня интег-

го уровня

ральной микросхемы

220. Ток инжектора

/ин ж

1g

Ток в цепи вывода пита-

интегральной микросхе-

ния, необходимый для ра-

мы

боты интегральной микро-

Ток инжектора

1

схемы в заданном режиме

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии «Выключено»

/ио т.в ы к л

Zccz

Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Тер-мин используют для схем с тремя состояниями на выходе

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест-

между-

венное

народное

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

234. Напряжение высо-

U[₄

£/rdh

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала счи-

пряжения высот ого уровня

гывания интегральной

на входе сигнала ечнтыва-

микросхемы

ния. обеспечивающее считы-

Напряжение высокого

вание информации из ин-

уровня сигнала ечнтыва-

тегральной микросхемы

НИЯ

235. Напряжение сиг-

и»

t/cE

Наибольшее или наимснь-

нала разрешения интег-

шее значение напря>.\сния

ральной микросхемы

на входе сигнала разреше-

Напряжение сигнала

ния, обеспечивающее выпол-

разрешения

некие интегральной микро-

схемой заданной функции

236. Напряжение низ-

^CEL

Наибольшее значение на-

кого уровня сигнала раз-

р

пряжения низкого уровня

решения интегральной

на входе сигнала разреше-

микросхемы

ния, обеспечивающее выпол-

Напряжение низкого

неиие интегральной микро-

уровня сигнала разреше-

схемой заданной функции

ния

237. Напряжение высо-

а’

t/сЕП

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала раз-

р

пряжения высокого уровня

решения интегральной

на входе сигнала разреше-

микросхемы

ния, обеспечивающее выпол-

Н а я р я же ни е в ысокого

нение интегральной микро-

уровня сигнала разреше-

схемой заданной функции

ВИЯ

238. Напряжение сиг-

и_л

u*

Наибольшее или наимень-

нала адреса интеграль-

шее значение напряжения

ной микросхемы

на входе сигнала адреса.

Напряжение сигнала

обеспечивающее обращение

адреса

к определенной ячейке ин-

тегральной микросхем ы

239. Напряжение низ-

и°_л

Наибольшее значение на-

кого уровня сигнала ад-

пряжения низкого уровня

реса интегральной мик-

на входе сигнала адреса.

росхсмы

обеспечивающее обращение

Напряжение низкого

к определенной ячейке ин-

уровня сигнала адреса

тегральной микросхемы

240. Напряжение высо-

и'

Уан

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала ад-

пряжения высокого уровня

реса интегральной мик-

на входе сигнала адреса.

росхемы

обеспечивающее обращение

Напряжение высокого

к определенной ячейке ин-

уровня сигнала адреса

тегральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

248. Напряжение сиг-

Ув-.к

^CAS

Напряжение на

входе

чала выбора адреса

сигнала выбора

адреса

столбцов интегральной

столбцов интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

^CASL

249. Напряжение низ-

Напряжение на входе сиг-

кого уровня сигнала вы*

к

нала выбора адреса

столб-

бора адреса столбцов

цов интегральной

микро-

интегральной микросхе-

схемы, соответствующее

мы

низкому уровню

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

250 Напряжение высо-

£/' л к

C'qasH

Напряжение на

входе

кого уровня сигнала вы-

сигнала выбора

адреса

бора адреса столбцов

столбцов интегральной мик-

интегральной микросхе-

росхем ы. соответствующее

мы

высокому уровню

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

251. Напряжение сиг*

Uв.а.с

Ur as

Напряжение на

входе

нала выбора адреса

сигнала выбора

адреса

строк интегральной мик-

строк интегральной

микро-

росхемы

Напряжение сигнала зыбора адреса строк

схемы

252 Напряжение низ-

^RASL

Напряжение на

входе

кого уровня сигнала вы-

0 • а. с

сигнала выбора

адреса

бора адреса строк интег-

строк интегральной

микро-

ральной микросхемы

схемы. соответствующее

Напряжение низкого

уровня сигнала выбора адреса строк

низкому уровню

253. Напряжение вы-

и¹_в „ _

t^RASH

Напряжение на

входе

:окого уровня сигнала

сигнала выбора

адреса

выбора адреса строк ин-

отрок интегральной

микро-

гегральной микросхемы

схемы, соответствующее вы-

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

сокому уровню

254 Напряжение сиг-

i/ст

^era

Наибольшее или наимень-

чала стирания интеграль-

шее значение напряжения

ной микросхемы

на выводе сигнала

«стира-

Напряжение сигнала

ние» интегральной

микро-

стирания

схемы, обеспечивающее сти-

ранне информации

Термин

буквенное обозначение

Определение

отечест» венное

международное

<

Ток высокого уровня сигнала выходной инфор-

мацни

263. Ток сигнала запи-

/ зп

/wr

Ток в цепи сигнала запи-

си интегральной микро-

си интегральной микросхе-

схемы

мы

Ток сигнала записи

264. Ток сигнала счи-

/сч

/rd

Ток в цепи сигнала счи-

тывания интегральной

*

тывания интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Ток сигнала считыва-

ния

265. Ток сигнала адре-

/а

/а

Ток в цепи сигнала адре-

:а интегральной микро-

са интегральной микросхе-

схемы

мы

Ток сигнала адреса 266. Ток сигнала за-

Аа/сч

Avr/rd

Ток в цепи сигнала за-

пись-считывание ин тег-

пись-считывание интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы в задан-

Ток сигнала запись-

ном режиме

считывание

267. Ток сигнала вы-

/в.М

7cs

Ток в цепи сигнала выбо-

бора интегральной мик-

ра интегральной микросхе-

росхемы

мы

Ток сигнала выбора 268. Ток низкого уров-

/°

/CSL

Ток в цепи сигнала выбо-

ня по входу выбора ин*

ра интегральной микросхе-

тегральной микросхемы

мы, соответствующий низко-

Ток низкого уровня по входу выбора

му уровню

269. Ток высокого

/csh

Ток в цепи сигнала выбо*

уровня по входу выбора

_м

В.м

ра интегральной микросхе-

интегральной микросхе-

мы, соответствующий высо-

мы

кому уровню

Ток высокого уровня по входу выбора

270. Ток сигнала раз-

/р

/се

Ток в цепи сигнала раз-

решения интегральной

решения интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Ток сигнала разреше-

ния

271. Ток сигнала сти-

/стр

/era

Ток в цепи сигнала сти-

рання интегральной

рання интегральной микро-

микросхемы

схемы

Ток сигнала стирания

272. Ток тактового сиг-

/т

/с

Ток в цепи импульсного

нала интегральной мик-

питания интегральной мик-

росхемы

росхемы динамических за-

Ток тактового сигнала

поминающих устройств

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса столбцов

7 в.а.к

7cas

Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

• 274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса строк

• 275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы

Динамическая потребляемая мощность

7 в.а.с

7r as

Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

7^> ПОТ.ДЖН

Pcco

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме

276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы

Потребляемая мощ

ность в режиме хранения

Р пот.хр

Pees

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания

277. Время выборки

интегральной микросхемы

Время выборки

• E. Access time

• F. Temps d’acces

tn

tA

Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные " необходимые сигналы поданы

278. Время удержания сигнала интегральной

микросхемы

Время удержания

• E. Hold time

• F. Temps de maintien

ty

tn

Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа

279. Время цикла записи информаичи интегральной микросхемы

Время записи информации

^ЭП

klV

Интервал времени, рав-ны5! периоду сигнллз на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации

280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Время считывания

1

fcYR

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет ст-тывание информации

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

281. Время регенерации интегральной микросхемы

Время регенерации

• E. Refresh time interval

• F. Intervalle de temps de rafraichissement

/per

/ref

Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения