
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
I p. 10 коп. БЗ 12-89/1048
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 19480-89
(СТ СЭВ 1817 — 88, СТ СЭВ 4755 — 84, СТ СЭВ 4756 — 84)
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ
Москва
УДК 621.382.82:001.4:006.354 Группа ЭОО
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ГОСТ
19480—89
(СТ СЭВ 1817—88,
СТ СЭВ 4755—84,
СТ СЭВ 4756—84)
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
ОКСТУ 6301
Дата введения 01.01 ЛИ
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес1ве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
Издание официальное
★
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение нс приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.
4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом-.
1. Параметр интегральной микросхемы
Параметр
2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы
Номинальное значение параметра
3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы
Диапазон значений параметра
X
Л и<»м
пот
4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы
Допустимый диапазон значений параметра
5. Отклонение параметра интегральной микросхемы
Отклонение параметра
6Хд..
ьх
I Величина, характеризую-J тцая свойства или режимы | работы интегральной микросхемы
Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений
Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности
Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации
Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением
Таблица 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- | между- | ||
венное | народное |
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
6. Относительное отк- | ДХотн | Отношение отклонения | |
лонение параметра ин- | параметра интегральной | ||
тегральной микросхемы | микросхемы к его коми- | ||
Относительное откло- | нальному значению | ||
нение параметра | |||
7. Напряжение (ток) | — | Напряжение (ток) уп- | |
управления интегральной | равляющее функциональ- | ||
микросхемы | ным назначением интег- | ||
Напряжение (ток) уп- | ральной микросхемы | ||
равлення | |||
8. Температурный ко- | ах | «X | Отношение изменения па- |
эффнциент параметра ин- | раметра интегральной мик- | ||
тегральной микросхемы | ; росхемы к вызвавшему его | ||
Температурный коэф- | изменению температуры ок- | ||
фициент параметра | ружающей среды | ||
9. Нестабильность па- | ДХ нет | — | Отношение относительно- |
раметра интегральной | го отклонения параметра | ||
микросхемы | интегральной микросхем ы | ||
Нестабильность пара- | к вызвавшему его днетаби- | ||
метра | лизирующему фактору | ||
10. Максимальное зна- | Хщах | Хшах | Наибольшее значение па- |
чение параметра интег- | раметра интегральной мик- | ||
ральной микросхемы | росхемы, при котором за- | ||
Максимальное значе- | данные параметры соот- | ||
ние параметра | ветствуют заданным значе- | ||
НИЯМ | |||
11. Минимальное зна- | V * mln | X mlo | Наименьшее значение па- |
чение параметра интег- | раметра интегральной мик- | ||
ральной микросхемы | росхемы, при котором за- | ||
Минимальное значение | данные параметры соответ- | ||
параметра | ствуют заданным значениям |
ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
12. Напряжение пита | Un | Ucc | Значение напряжения на |
ния интегральной микро | выводах питания интег | ||
схемы | ральной микросхемы | ||
Напряжение питания | |||
13. Входное напряже | и„ | Ui | Напряжение на входе ин |
ние интегральной микро | тегральной микросхемы в | ||
схемы | заданном режиме | ||
Входное напряжение | |||
14. Выходное напря | Uo | Напряжение на выходе | |
жение интегральной мик | и нтегр ал ь но й мик росхем ы | ||
росхемы | в заданном режиме | ||
Выходное напряжение |
2—1628
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
15. Напряжение сра- | t/срб | Uw + | Наименьшее постоянное |
батывания интегральной | £Лтр | напряжение на входе, при | |
микросхемы | котором происходит пере- | ||
Напряжение срабаты- | ход интегральной микро- | ||
вания | схемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
16. Напряжение отпу- | t/отп | £Лт- | Наибольшее постоянное |
скания интегральной | IT N | напряжение на входе, при | |
микросхемы | котором происходит пере- | ||
Напряжение отпуска- | ход интегральной микро- | ||
НИЯ | схемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
17. Входной ток ин- | /вх | /г | Ток, протекающий во |
■тегральной микросхемы | входной цепи интегральной | ||
Входной ток | микросхемы в заданном режиме | ||
18. Выходной ток ин- | Лых | /о | Ток, протекающий в це- |
тегральной микросхемы | пи нагрузки интегральной | ||
Выходной ток | микросхемы в заданном режиме | ||
19. Ток утечки интег- | / | 4 | Ток в цепи интегральной |
ральной микросхемы | микросхемы при закрытом | ||
Ток утечки | состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах | ||
20. Ток потребления | / пот | /сс | Ток, потребляемый интег- |
интегральной микросхе- | ральной микросхемой от ис- | ||
мы | точников питания в задан- | ||
Ток потребления | ном режиме | ||
21. Ток короткого за- | /кз | /os | Выходной ток интеграль- |
мыкания интегральной | ной микросхемы при зако- | ||
микросхемы | роченном выходе | ||
Ток короткого замы- | |||
канн я | |||
| |||
euit | |||
22. Потребляемая мош- | Р ПОТ | /*сс | Мощность, потребляемая |
ность интегральной мик- | интегральной микросхемой, | ||
росхемы | работающей в заданном ре- | ||
Потребляемая мощ- | жиме, от соответствующего | ||
вость | источника питания | ||
23. Рассеиваемая мощ- | Р рас | ^tot | Мощность, рассеиваемая |
ность интегральной мик- | интегральной микросхемой, | ||
росхемы | работающей в заданном | ||
Рассеиваемая мощ- | режиме | ||
ность |
Термин
24. Входное сопротивление интегральной микросхемы
Входное сопротивление
25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы
Выходное сопротивление
26. Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы
Сопротивление нагрузки
27. Входная емкость интегральной микросхемы
Входная емкость
28. Выходная емкость интегральной микросхемы
Выходная емкость
29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы
Емкость нагрузки
30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы
Время нарастания сигнала
Е. Rise time
G. Temps de croissance
2е
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
Rux
^ИЫ1
Ra
СвХ

Сл
faap
Rr
Ro
c,
Co
Q
G
Определение
Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала
Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала
Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной .микросхемы
Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты
Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты
Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала
Буквенное | обозначение | ||
Термин | отечественное | международное | Определение |
31. Время спада сигнала интегральной микросхемы Время спада сигнала
| ^са |
32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы Длительность фронта входного сигнала | 1 Тф |
33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы Длительность спада входного сигнала | Ten |
34. Чувствительность интегральной микросхемы Чувствительность | 5 |
/г Интервал времени спада
сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала
— Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения
— Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0.0 до уровня 0,1 от номинального значения
— Наименьшее значение входного напряжения, при готором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
35. Входное напряжемте покоя интегральной микросхемы
Входное напряжение покоя
36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы
Выходное напряжение покоя
37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы
Напряжение коммутируемое
UОвх
£А<ом
UlQ
t/oQ
Us
Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом
Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулегым входным сигналом
Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы
Продолжение табл. /
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
38. Напряжение сме- | О см | (До | Постоянное напряжение, |
шення пуля интегральной | которое должно быть при- | ||
микросхемы | ложено ко входу интег- | ||
Напряжение смете- | ральной микросхемы, чтобы | ||
ния нуля | 1 | выходное напряжение было | |
Е. Input offset voltage | равно нулю или другому | ||
F. Tension de decalage | заданному значению | ||
39. Напряжение шума | (Ап.йЫХ | Уоо | Напряжение собственного |
на выходе интегральной | шума на выходе нитеграль- | ||
микросхемы Напряжение шума на выходе
| ной микросхемы | ||
40. Приведенное ко | Ошвх | «Лп | Отношение напряжения |
входу напряжение шу- | собственного шума на вы- | ||
ма интегральной микро- | ходе интегральной микро- | ||
схемы | схемы при заданных уело- | ||
Приведенное ко входу | виях к коэффициенту уси- | ||
напряжение шума | лення напряжения | ||
41. Синфазные вход- | Vсф.. вх | Uic | Напряжения между каж- |
ные напряжения ннтег- | дым из входов интеграль- | ||
ральной микросхемы | ной микросхемы и общим | ||
Синфазные входные | выводом, амплитуды, фазы | ||
напряжения | и временное распределение которых совпадают | ||
42. Входное напряже- | (/огр.вх | (/1 lim | Наименьшее значение |
ние ограничения интег- | входного напряжения ин- | ||
ральной микросхемы | тегральпой микросхемы, при | ||
Входное напряжение | котором отклонение от ли- | ||
ограничения | нейности выходного напряжения превышает установленную величину | ||
43. Остаточное напря- | (/ост | (/ds | Напряжение между вхо- |
жение интегральной мик- | дом и выходом интеграль- | ||
росхемы | ной микросхемы при вклю- | ||
Остаточное напряже- | ченном канале и заданном | ||
ние | значении коммутируемого тока | ||
44. Разность входных | Л/вх | /го | Разность значений токов. |
токов интегральной мик- | протекающих через днффе- | ||
росхемы | ренцналышй вход интег- | ||
Рагность входных то- | ральной микросхемы в за- | ||
ков | данном режиме | ||
45. Средний входной | /вх.ср | Ал v | Среднее квадратическое |
ток интегральной микро- | значение входных токов | ||
схемы | интегральной микросхемы | ||
Средний входной ток |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
46. Коммутируемый | ^КОМ | /ь | Ток, протекающий через |
ток интегральной микро- | коммутирующий элемент | ||
схемы | интегральной микросхемы в | ||
Коммутируемый ток | замкнутом состоянии ключа | ||
47. Выходная мощ- | Ро | Мощность, выделяемая | |
ность интегральной мик- | 1 | на нагрузке интегральной | |
росхемы | микросхемы в заданном ре- | ||
Выходная мощность | жиме | ||
48. Нижняя граничная | fB | (l | Наименьшее значение ча- |
частота полосы пропус- | стоты, на которой i оэсЬфи- | ||
кания интегральной мик- | ниент усиления напряже- | ||
росхемы | ния интегральной микросхе- | ||
Нижняя граничная ча- | мы уменьшается на 3 дБ | ||
стота полосы пропуска- | от значения на заданной | ||
НИЯ | частоте | ||
19 Верхняя граничная | г. | /и | Наибольшее значение ча- |
частота полосы пропус- | стоты, на которой коэффи- | ||
кания интегральной мик- | циент усиления напряжения | ||
росхемы | интегральной микросхемы | ||
Верхняя граничная ча- | уменьшается на 3 дБ от | ||
стота полосы пропуска- | значения на заданной ча- | ||
НИЯ | сто ге | ||
50. Частота коммута- | /ком | /s | Частота, с которой интег- |
цм и интегральной мик- | рялъная микросхема комму- | ||
росхемы | тирует ток | ||
Частота коммутации | |||
51. Центральная часто* | /ц | fc | Частота, равная полу- |
та полосы пропускания | сумме нижней и верхней | ||
интегральной микросхе- | граничных частот полосы | ||
мы | пропускания интегральной | ||
Центральная частота | микросхемы | ||
полосы пропускания | |||
52. Полоса пропуска- | Af | BW | Диапазон частот, в пре- |
ния интегральной микро- | делах которого коэффи- | ||
схемы | циент усиления интеграль- | ||
Полоса пропускания | ной микросхемы не падает | ||
ниже 3 дБ по сравнению | |||
с усилением на заданной | |||
частоте внутри этого диа- | |||
пазона | |||
53. Полоса задержива- | Afd | Диапазон частот меж- | |
ния интегральной микро- | ду верхней и нижней ча- | ||
схемы | стотами полосы задержи- | ||
Полоса задерживания | вания интегральной микро- | ||
схемы |
Буквенное обозначение
Термин
отечест- между-
венное народное
Определение
54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы
Нижняя частота полосы задерживания
55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы
Верхняя частота полосы задерживания
56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы
Частота единичного усиления
Ндп. Полоса единичного усиления
Е Frequency of unity (open loop) amplification
F. Frequence pour famplification unite
57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы
Частота входного сигнала
58. Частота генерирования интегральной микросхемы
Частота генерирования
59. Время успокоения интегральной микросхемы
Время успокоения
E. Ripple time
F. Temps de vacille-ment
60. Время задержки импульса интегральной микросхемы
Время задержки
E. Delay time
F. Temps de delai
/эд.я

/эх
fr
fyeo
ZdL
/d H
h
/l
id
Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте
Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте
Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице
Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию
Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы | К, и | Аи | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному |
Коэффициент усиления напряжения | 1 Кт/ i | 1 | напряжению |
62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы Коэффициент усиления тока | А, | Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току | |
63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы Коэффициент усиления мощности | KJP | А р | Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности |
64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиле ния синфазных входных напряжений
| ^у.еф | Лис | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению |
65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений
| Кос.сф | Кемп | Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений |
66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источ ни-ков питания на напряжение смещения нуля | к.я.. | Ks VR | Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
G7. Коэффициент уси- | A VD | Отношение изменения зна- | |
ления дифференциально- | чения выходного напряже- | ||
го сигнала по иапряжс- | 1 | пия интегральной микро- | |
иию интегральной мик- | схемы к изменению значе- | ||
росхемы | ния напряжения на диффе- | ||
Коэффициент усиления | ренциальном входе в задан- | ||
дифференциального сигнала по напряжению Е. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension cn mode differen-tie! | ном режиме | ||
68. Коэффициент rap- | Кг | Кь | Отношение среднего квад- |
ионик интегральной мик- | ратического напряжения | ||
росхемы | суммы всех, кроме первой. | ||
Коэффициент гармо- | гармоник сигнала интег- | ||
ник | ральнои микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник | ||
69. Диапазон автома- | С АРУ | AGC | Отношение наибольшего |
тической регулировки | значения коэффициента уси- | ||
усиления интегральной | ления напряжения интег- | ||
микросхемы | ральнои микросхемы к наи- | ||
Диапазон АРУ | меньшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах | ||
70. Скорость нараста- | У и ВЫХ | SuOM(SR) | Отношение изменения вы- |
ния выходного напряже- | ходного напряжения с уров- | ||
ния интегральной микро- | ня 0,1 до уровня 0.9 к вре- | ||
схемы | мени его нарастания при | ||
Скорость нарастания | воздействии на вход интег- | ||
выходного напряжения | ральной микросхемы им- | ||
Ндп. Скорость отеле- | пульса напряжения прямо- | ||
живания | угольной формы | ||
71. Коэффициент пря- | Ка | Отношение полосы частот | |
моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольное™ АЧХ | интегральной микросхемы на уровне 0.01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7 | ||
72. Коэффициент пуль- | Квп | Отношение амплитудного | |
саиин интегральной мик- | значения напряжения пуль- | ||
росхемы | саций интегральной микро- | ||
Коэффициент пульса- | 1 | схемы к значению постоян- | |
ций | 1 | ной составляющей напряжения |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
73. Коэффициент ум- | ^Сумя f | Отношение частоты вы- | |
ножения частоты ннтег- | ходкого сигнала интеграль- | ||
ральной микросхемы | ной микросхемы к частоте | ||
Коэффициент умноже- | входного сигнала | ||
ния частоты | |||
74. Коэффициент деле- | Кдел f | — | Отношение частоты вход- |
ния частоты интеграль- | ного сигнала интегральной | ||
ной микросхемы | микросхемы к частоте вы- | ||
Коэффициент деления | ходного сигнала | ||
частоты | |||
75. Крутизна преобра- | «Snp6 | — | Отношение выходного то- |
зования интегральной | ка смесителя к вызвавше- | ||
микросхемы | му его приращению вход- | ||
Крутизна преобразо- | ного напряжения при за- | ||
вания | данном напряжении гетеродина интегральной микросхемы |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ
76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы
Максимальное выходное напряжение
£/вых max

Выходное интегральной при заданном нии нагрузки НИИ входного
напряжение микросхемы сопротивле-и напряже-сигнала, ког
77. Напряжение шума интегральной микросхемы
Напряжение шума
78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы
Эффективное напряжение шума


Um
ш.зфф
да его приращение не вызывает приращения выходного напряжения
Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю
Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной мик
79. Размах шума интегральной микросхемы
Размах шума
Д£/ш

росхемы
Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы,
Буквенное обозначение
Термин | отечественное | международное |
80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы Нормированная ЭД С шума | £ш.н | Fn N |
81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы Нормированный ток шума | Ли.н | AiN |
82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Максимальная скорость нарастания выходного напряжения | V(; вых max | |
83. Частота среза интегральной микросхемы Частота среза
| f ерз | fco |
84. Частота полной мощности интегральной микросхемы Частота полной мощности | fp | fp |
Определение
повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю
Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень нз полосы измеряемого шума
Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума
Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения
Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте
Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы
Термин
Буквенное обозначение
отечест- | между- |
венное | народное |
Определение
85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы
Время успокоения выходного напряжения
86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы
Коэффициент разделения каналов
87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы
Временной коэффициент входного тока
88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы
Временной коэффициент разности входных токов
89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы
Временной коэффициент напряжения смешения нуля
tycuU
Краэд
Тд/вх
Yucm
/tot
CdNC
Yibhib2)
Yuo
Yuio
уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте
Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины
Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала
Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени
Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени
Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы
Диапазон входных напряжений
Е. Input voltage operating range
AUbx.
&U1
Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального
Термин
F. Domaine de foncti-ormcment de la tension d’entrce
91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы
Напряжение АРУ
92. Напряжение задержки автоматической регули ровки усиления интегральной микросхемы
Напояжение задержки j АРУ
93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы
Напряжение пульсаций источника витания i
94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы
Ток АРУ
95. Частота резонанса интегральной микросхемы
Частота резонанса
96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы
Частота квазнрезонан-са
97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы
Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
Определение
&U Л.П
/л РУ
/о
А<0
AKytr ДКу/ ДК>р
t/xGCd
IAGC
/о
ДА и
ДА I ДА р
Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за>-данных 1 ределах
Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным
Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы
Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы н обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах
Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное зна
чение
Частота, эффициент тегральной принимает
на которой ко-усиления ин-микросхемы минимальное
значение
Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала
Термин
98 Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы
Динамический диапазон по напряжению
99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики
Ania
100. Коэффициент неравномерности амплитуд-но-часютной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент неравномерности АЧХ
Арм
101. Коэффициент шу- Кт
ма интегральной микро- i схемы j
Коэффициент шума
102. Коэффициент ии-термодуляционных искажений интегральной микросхемы
Коэффициент интермодуляционных искажений
103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы
Коэффициент полезного действия
104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы
Крутизна проходной характеристики
аа
Str
Буквенное | обозначение | |
отечественное | международное | Определение |
Д^дни
AU dyn
Кал.Л
Кнр. лч
Хн.и

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения
11аи большее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону
Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания. выраженное в де-цибеллах
Отношение сродного квадратического напряжения шумов на выходе интегрально!! микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот
Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах
Отношение вы х од ной
мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности
I
Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
105 Отношение сиг-нал/шум интегральной микросхемы Отношение сигнал/шум | ^с,ш | Нп | Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие. соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот |
106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы Фазовый сдвиг Иди. Сдвиг фаз | фс | Фо | Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА
107. Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы
Диапазон выходных напряжений
E. Output voltage operating range
F. Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie
108. Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы
Напряжение считывания обратной связи
E. Feedback sense voltage
F. Tension de lecture de contre-rcaction
109. Опорное напряжение интегральной микросхемы
Опорное напряжение
E. Reference voltage
F. Tension de reference
Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы
Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы
on
Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечесг-венное | международное | ||
110. Падение напряжения на интегральной микросхеме Падение напряжения | С/ пд | Разность между вход-ным и выходным напряжением интегральном микросхемы в заданном режи- |
Uал min
111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме
Минимальное падение напряжения
112 Ток холостого хода интегральной микросхемы
Ток холостого хода
113. Время готовности интегральной микросхемы
Время готовности
/хх
/го г
tn
ме
Наименьшее значение падения напряжения тегральной при котором тегральной удовлетворяет требованиям
на пн-микросхеме, параметр ин-микросхемы заданным
Ток потребления ральной микросхемы отсутствии нагрузки на ходе
Интервал времени от мента подачи входного пряжения до момента, ле которого параметры тегральной удовлетворяют требованиям
иитог-при вы-
мо-на-нос
ин-
микросхем ы заданным
111 Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы
Время восстановления по напряжению
E. Input transient voltage recovery time
F. ‘ rnent sitoire a Fentree
115. Время восстановления по току интегральной микросхемы
Время восстановления по току
E. Input transient current recovery time
F. Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a Fentrce
Temps de recouvre-dc la tension Iran-
• « • /
116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы
Aioc i
/ru
/rI
Интервал времени от мо-С уЛОНЧЛ ГОТО Ь i.J J-входчого напри же-грьльной Miiiipocxe-
мента нения ния nine мы до чение ния в дит в
мэмента. когда зна-выходного иаяряжс-последний раз вхо-заданный интервал со-
выходных напряжений, держащий в себе конечное значение
Интервал времени от момента ступенчатого п.;мс-неяия выходного тока интегральной микросхемы до момента, выходного
когда значение напряжения в ВХО7ИТ в [ выход-содержа-
последний раз заданный интервал пых напряжений. < huix в себе конечное значение
Относительное изменение значении bi г одного напряжения одного канала многоканальной интегральной
Термин
Взаимная нестабильность по напряжению
117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы
Взаимная нестабильность по току
118. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы
Нестабильность по напряжению
119. Нестабильность по току интегральной микросхемы
Нестабильность по току
120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы
Нестабильность по нагрузке
3—1628
Буквенное обозначение
отечественное
KlNjNS
Ки

К,
международное
Kvj
Kio
Определение
микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение I значения выходного напря-I жения одного канала мно-I гоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного напря-I-жения пли тока интеграль-! ной микросхемы при изме-i нении входного напряже-I ния. приведенное к 1 В из-I менения входного напряжения. при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопро-j тизления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
121. Коэффициент ста- | Кеч t/BX | Ksr | Отношение относительно- |
билизации входного на- | го изменения выходного | ||
пряжения интегральной | напряжения или тока ин- | ||
микросхемы | тегральной микросхемы к | ||
Коэффициент стабили- | заданному относительному | ||
зации входного напря- | изменению входного напря- | ||
жени я | жения при отсутствии дру- | ||
Е. Input stabilization | гих дестабилизирующих | ||
coefficient | факторов | ||
F. Coefficient de stabi- | |||
lisation en fonction de la | |||
tension d’entree | |||
122. Коэффициент ста- | |||
билизация нагрузки ин- | Кет R | Kso | Отношение относительно- |
тегральной микросхемы | го изменения выходного | ||
Коэффициент стабили- | напряжения интегральной | ||
зации нагрузки | микросхемы к заданному | ||
Е. Load stabilization | относительному изменению | ||
coefficient | выходного тока при отсут- | ||
F. Coefficient de sta- | ствни других дестабилизи- | ||
bilisation en fonction de | руюших факторов | ||
la charge | |||
<23. Коэффициент | KCT | *Krr | Отношение амплитудного |
сглаживания пульсаций | значения пульсаций вход- | ||
интегральной мнкросхе- | ного напряжения заданной | ||
мы | частоты интегральной мик- | ||
Коэффициент сглажи- | росхемы к амплитудному | ||
пания пульсаций | значению пульсаций выход- | ||
Е. Ripple rejection га- | ного напряжения той же | ||
tio | частоты | ||
F. Taux de rejection de | |||
Fondulation residuelie | |||
424. Дрейф выходного | &&вых | AZ7o(t) | Наибольшее значение от- |
напряжения интеграль- | носительного изменения вы- | ||
ной микросхемы | ходного напряжения интег- | ||
Дрейф выходного на- | ральной микросхемы в те- | ||
пряжения | чение заданного интервала | ||
Е. Output voltage | времени при отсутствии | ||
drift | других дестабилизирующих | ||
F. Derive de la tension | факторов | ||
de sortie | |||
125. Дрейф выходно- | A/aut t | ДЛхй | Наибольшее значение от- |
го тока интегральной | носительного изменения вы- | ||
микросхемы | ходного тока интегральной | ||
Дрейф выходного тока | микросхемы в течение за- | ||
Е. Output current drift | данного интервала времени | ||
F. Derive du courant | при отсутствии других дес- | ||
de sortie | табилизирующих факторов |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест* венное | международное | ||
126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы Температурный коэффициент выходного тока | (11 ВЫХ | аю | Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизи рующих факторов |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ
127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы
Напряжение гистерезиса
128. напряжение синхронизации интеграл., пй микросхемы
Напряжение синхронизации
О гвст
Осх
129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы Полоса захвата синхронизации | Д/сх |
130. Коммутируемая | Рком |
мощность интегральной | |
микросхемы Коммутируемая мощность |
131 Коэффициент передачи интегральной микросхемы
Коэффициент передачи
Ки р
Uh Разность между напря-
! жением срабатывания и на-} пряжением отпускания интегральной микросхемы
— Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микро-
I схемы равна или кратна | частоте напряжения син-j хронизании
— Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы на частоте синхро-ни пирующего сигнала
_. Значение мощности, оп
ределяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднее квадра тическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхем ы
т , Отношение абсолютного
значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения
3е
Буквенное обозначение | ||||
Термин | отечест- | между- | Определение | |
венное | народное |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ
132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы
Управляющее напряжение низкого уровня
133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы
Управляющее напряжение высокого уровня
134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы
Ток утечки аналогового входа
].:5. Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы
Ток утечки аналогового выхода
13G. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы
Входной ток низкого урозня управляющего напряжения
137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы
Входной ток высокого уровня управляющего напряжения
138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы
Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения
£7упр.н
i/yup.e
/ ут.вх
ут.вых
1вх.в
/ пх П
/пот.в
UIL
ZLD
Ап
^CCL
Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы
Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы
Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)
Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)
Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него -(них) управляющего напряжения низкого уровня
Постоянный ток. протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них): управляющего напряжения высокого уровня
Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня
Термин
139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы
Ток потребления при высоком уройне управляющего напряжения
140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы
Сопротивление в открытом состоянии
141. Время включения интегральной микросхемы
Время включения
142. Время выключения интегральной микросхемы
Время выключения
143. Время переключения интегральной микросхемы
Время переключения
144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы
Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе
145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы
Емкость управляющего входа
Буквенное обозначение
отечественное
1 пот.»
^?отк
^выкд
ucp
вх.упр
международное
^ссн
/?ON
/оп
iott
Уил
Ct
Определение
Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня
Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току пр.ч включенном канале
Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения
Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения
Инхервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральном микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения
Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения
Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через уя-равляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального нанряжония, вызвавшего
Термп | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |||
146. Емкость аналого- | Свх.ан | са | Отношение емкостной ре- |
вого входа ннтеграль- | активной составляющей то- | ||
ной микросхемы | ка, протекающего через | ||
Емкость аналогового | аналоговый вход ннтеграль- | ||
входа | ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот | ||
ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |||
147. Емкость аналого- | С£ых.ац | Cd | Отношение емкостной ре- |
вого выхода ннтеграль- | активной составляющей то- | ||
ной микросхемы | ка, протекающего через ана- | ||
Емкость аналогового | лотовый выход ннтеграль- | ||
выхода | ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой часто- | ||
ты при закрытом канале (каналах) | |||
148, Емкость между | Си ы х/п 1 а и | Cds | Отношение емкостной ре- |
аналоговыми выходом и | активной составляющей то- | ||
входом интегральной | ка. протекающего между | ||
микросхемы | аналоговым выходом и ana- | ||
Емкость между ана- | лотовым входом ннтеграль- | ||
лотовыми выходом и | ной микросхемы, к произве- | ||
входом | дению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | ||
149 Частота управля- | /тир | fl | Частота напряжения на |
ющего напряжения ин- | управляющем вхо.и ин- | ||
тегралыюй микросхемы | тегральной микросхем и при | ||
Часюта управляюще- | заданной скважное ьч, при | ||
го напряжения | которой значения выходного напряжения ниг'ого и высокого уровней утовлет-воряют заданным значениям | ||
150. Коэффициент по- | KnojL К | Koorr | Отношение переменной |
давления сигнала ра- | составляющей выходного | ||
зомкнутым ключом ин- | напряжения закрытого ка- | ||
тегральной микросхемы | нала интегральной микро- | ||
Коэффициент подавле- | схемы к переменной состав- | ||
ния сигнала разомкну- | ляющей коммутируемого на- | ||
тым ключом | пряжения |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала между каналами | Клод | Кооп | Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом Другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения |
152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент передачи по напряжению | Кп | Kv | Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
156. Прямое падение | Uno | t^CDI | Напряжение на входе ин- |
напряжения на днтя- | тегральнон микросхемы при | ||
звонном диоде интег- | заданном значении входно- | ||
ральной микросхемы | го тока через защитный | ||
Прямое падение на- | диод | ||
пряжения на антизвон- | |||
ном диоде | |||
157. Выходное напря- | Uoh | — | |
женне высокого уровня | |||
интегральной микросхе- | |||
мы | |||
Выходное напряжение | |||
высокого уровня | |||
158. Выходное напря- | Г7°„_ | ^OL | — |
жение низкого уровня | |||
интегральной микросхе- | |||
мы | |||
Выходное напряжение | |||
низкого уровня | |||
159. Ток потребления | /пот f | /сш | Ток, потребляемый ин- |
/-го источника питания | тегральной микросхемой от | ||
интегральной микросхе- | i-ro источника питания в | ||
мы | заданном режиме | ||
Ток потребления i-ro | |||
источника питания | |||
16*0 Динамический ток | J пот.дав | /осе | Ток потребления интег- |
потребления интеграль- | ральной микросхемы в ре- | ||
ной микросхемы | жиме переключения | ||
Динамический ток по- | |||
тоебления | |||
161. Входной ток низ- | /° | Al | Входной ток при вход- |
кого уровня интеграль- | вх | ном напряжении низкого | |
ной микросхемы | 1 | уровня интегральной микро- | |
Входной ток низкого | схемы | ||
уровня | |||
162. Входной ток вы- | /1 | Лн | Входной ток при вход- |
сокого уровня интег- | *вх | ном напряжении высокого | |
ральной микросхемы | уровня интегральной микро- | ||
Входной ток высокого | схемы | ||
уровня | |||
163. Выходной ток вы- | /он | Выходной ток при выход- | |
сокого уровня интеграль- | вых | ном напряжении высокого | |
ной микросхемы | уровня интегральной микро- | ||
Выходной ток высоко- | схемы | ||
го уровня | |||
164. Выходной ток низ- | 1° | A)L | Выходной ток при вы- |
кого уровня интеграль- | ходном напряжении низко- | ||
ной микросхемы | го уровня интегральной | ||
Выходной ток низко- | микросхемы | ||
го уровня |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
165. Выходной тОк в | / иых.выкл | /oz | Выходной ток интеграль- |
состоянии «Выключено» | ной микросхемы с тремя | ||
интегральной микросхе- | состояниями на выходе | ||
мы | при выключенном состоя- | ||
Выходной ток в состоянии «Выключено» | нии выхода | ||
166. Выходной ток низ- | /0 | ZOZL | Выходной ток в состоя- |
кого уровня в состоянии | вых.выкл | нии «Выключено» интег- | |
«Выключено» интеграль- | ральной микросхемы при | ||
ной микросхемы | подаче на измеряемым вы- | ||
Выходной ток низко- | ход заданного напряжения | ||
го уровня в состоянии «Выключено» | низкого уровня | ||
167. Выходной ток вы- | /' | ^OZN | Выходном ток в состоя- |
сокого уровня в состоя- | ^вых.выкл | нин «Выключено» интег- | |
нии «Выключено» ин- | ральной микросхемы при | ||
тегральнон микросхемы | подаче на измеряемый вы- | ||
Выходной ток высоко- | ход заданного напряжения | ||
го уровня в состоянии «Выключено» | высокого уровня | ||
Ток утечки на входе
| А’Т.вх | Ль | Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах |
I ут.вых | ZOL | Ток в выходной цепи ин- | |
выходе _ интегральной | тегральнон микросхемы при | ||
микросхемы | закрытом состоянии выхо- | ||
Ток утечки на выходе | да и заданных режимах на остальных выводах | ||
170. Ток утечки низ- | /° | All | Ток утечки во входной |
кого уровня на входе | ' ут.эх | цепи интегральной микро- | |
интегральной микросхе- | схемы при входных напря- | ||
мы | жениях в диапазоне, соот- | ||
Ток утечки низкого | ветствующем низкому уров- | ||
уровня на входе | ню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
171. Ток утечки высо- | /1 | Льн | Ток угечки во входной |
кого уровня на входе | 'ут.вх | цепи интегральной микро- | |
интегральной микросхе- | схемы при входных на- | ||
мы | пряжениях в диапазоне, со- | ||
Ток утечки высокого уровня на входе | ответствуюшем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на выходе | 1° ‘ ут.вых | ^OLL | Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на выходе | /* 'ут.вых | ^OLH | Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
174. Потребляемая мощность (-го источника питания интегральной микросхемы Потребляемая мощ ность t-го источника питания | Р пот< | Pcct | Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от Тго источника питания |
175. Время перехода при включении интегральной микросхемы Время перехода при включении | ,1,0 | *THL | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0.9 или на заданных значениях напряжения |
176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы Время перехода при выключении | г0,1 | *TLH | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и -0,9 или на заданных значениях напряжения |
177. Время выбора интегральной микросхемы Время выбора | fcs | Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
178 Время сохранения | /сх | tv | Интервал времени, в те- |
сигнала интегральной | чение которого выходной | ||
микросхемы | сигнал является достовер- | ||
Время сохранения | яым иля в течение которо- | ||
Е. Valid time | го входной сигнал должен | ||
F. Tx^mps Ка validation | оставаться достоверным | ||
179. Время хранения | fso | Интервал времени, в те- | |
информации интеграль- | чение которого интеграль- | ||
ной микросхемы | ная микросхема в задан- | ||
Время хранения ин- | ном режиме эксплуатации | ||
формации | сохраняет- информацию | ||
180. Время установле- | ts и | Интервал времени меж- | |
ния входных сигналов | ду началом сигнала па за- | ||
интегральной микросхе- | данном выводе входа и по- | ||
мы | следующим активным пере- | ||
Время установления | ходом на другом заданном | ||
входных сигналов | выводе входа | ||
Е. Set-un time | |||
F. Temps de preparati- | |||
on | |||
181. Время цикла ин- | ч | tc.V | Длительность периода |
тегральной микросхемы | сигналов на одном из уп- | ||
Время никла | равляющих входов, в те- | ||
Е. Cycle time | чение которой интеграль- | ||
F. Temps de cycle | ная микросхема выполняет | ||
одну из функций | |||
182. Время восстанов- | /вое | Интервал времени меж- | |
ления интегральной мик- | ду окончанием заданного | ||
росхемы | сигнала на выводе интег- | ||
Время восстановления | ральной микросхемы и на- | ||
чалом заданного сигнала | |||
следующего цикла | |||
183 Время задержки | /’Л | tp fj г | Интервал времени меж- |
распространения при | 4ЗЛ.Р | ду входным и выходным | |
включении интегральной | импульсами при переходе | ||
микросхемы | напряжения на выходе ин- | ||
Время задержки рас- | тегральной микросхемы от | ||
пространения при вклю- | напряжения высокого уров- | ||
ченив | ня к напряжению низкого | ||
уровня. измеренный на | |||
уровне 0.5 или на задан- | |||
них значениях напряжения | |||
184. Время задержки | /0.1 | Интервал времени между | |
распространения при | 4 зд.р | FL П | входным и выходным им- |
выключении интеграль- | пульсами при переходе на- | ||
ной микросхемы | пряжения на выходе ин- | ||
Время задержки рас- | тегральной микросхемы от | ||
пространения при вык- | напряжения низкого уров- | ||
люченик | ня к напряжению высокого |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
,1.0 зд | уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения | ||
185. Время задержки включения интегральной микросхемы Время задержки включения | ZDHL | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения | |
186- Время задержки выключения интегральной микросхемы Время задержки вы-включения | /М зд | *DLH | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения |
187. Длительность сигнала интегральной микросхемы Длительность сигнала | т | Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы | |
188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала низкого уровня | т° | *WL | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения |
189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала высокого уровня | т* | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
190. Частота следова- | /т | 1с | |
ния импульсов тактовых сигналов интегральной | |||
микросхемы | |||
Частота следования | |||
импульсов тактовых сигналов | |||
191. Период следова- | Гт | Те | Интервал времени меж- |
ния импульсов тактовых | ду началами или оконча- | ||
сигналов интегральной | ниями следующих друг за | ||
микросхемы | другом импульсов тактовых | ||
Период следования им- | сигналов интегральной мик- | ||
пульсов тактовых сиг- | росхемы, измеренный на | ||
налов | заданном уровне напряжения | ||
192. Помехоустойчи- | и° '-'пом | Абсолютное значение раз- | |
вость при низком уров- | пости между максимальным | ||
не сигнала интегральной | входным напряжением низ- | ||
микросхемы | кого уровня и максималь- | ||
Помехоустойчивость | ным выходным наяряже- | ||
при низком уровне сиг- | пнем низкого уровня ни- | ||
нала | тсгральной микросхемы | ||
193. Помехоустойчи- | Мп | Абсолютное значение раз- | |
вость при высоком уров- | ПОМ | ности между минимальным | |
не сигнала интегральное | входным напряжением вы- | ||
микросхемы | соксго уровня и минималь- | ||
11омехоустойчивость | ным выходным нанряже- | ||
при высоком уровне сиг- | кием высокого уровня пн- | ||
нала | тегралыюй микросхемы | ||
194. Емкость входа/ | Ср х/и Ы X | СПа | Значение емкости объели- |
выхода интегральной | немного входа/выхода, рав- | ||
микросхемы | нос отношению емкостной | ||
Емкость входа/выхода | реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала |
ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ
195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы
и1 | t/отп |
пор.вых |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе
153. Напряжение х-го | Ua< источника питания интегральной микросхемы
Напряжение х-го источника питания
154. Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы
Входное напряжение низкого уровня
155. Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы
Входное напряжение высокого уровня
Ucci


Uih
Напряжение х-го источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.
Примечание, i — порядковый номер источника. х= 1—4
Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.
Примечание. Напряжение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение
Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.
Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение
Термин
Выходное пороговое напряжение высокого уровня 1
196. Выходное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы
Выходное пороговое напряжение низкого уровня
197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы
Входное пороговое напряжение высокого уровня
498. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегрально»' микросхемы
Входное пороговое напряжение низкого уровня
199. Входное напряжение блокировки ин- ■ тегральной микросхемы I
Входное напряжение 1 блокировки
200. Входной пробив
ной ток интегральной микросхемы |
Входной пробивной ток
201. Ток потребления I выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
'-'пор.вых
нор.вх
if* *' пор.вх
вх.прб
7° жпот
Определение
^OTL
£Лтн
^ITL
Ujk
I IB
ZCCL
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы нз одного устойчивого состояния в другое
Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока
Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме
Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня
П родолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное —---.---- | ||
202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения высокого уровня | 71 пот | 7сси | Ток. потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня |
203. Средний ток потребления интегральной микросхемы Средний ток потребления | 7пот. ср | Aicav | Ток. равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различ. ых устойчивых со-СЧОЯ’П’ЯХ |
204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы Средняя потребляемая мощность | Р ПОТ.СР | T’gcav | Мощность, равная полусумме мощностей, иотреб-л я ем ь: х и итегр а л ы ю й м и к -росхемон от источников питания в двух различных устойчивых состояниях |
205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы Среднее время задержки распространения | ^ад.рср | *PAV | Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы |
206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено» | ZL3 зд.р | ^PHZ | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено» |
207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено» | /0.3 зд.р | fpLZ | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено» |
208. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня | /3,1 4эд.р | fpzn I | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня |
Термин | Буквенное обозначение | Он редиление | |
отечеств венное | международное | ||
209. Время задержки | /3,0 ‘зд.р | fpZL | Интервал времени меж- |
распространения при пе- | ду входным и выходным | ||
реходе из состояния | импульсами при переходе | ||
«Выключено» в состоя- | напряжения на выходе ин- | ||
ние низкого уровня | тегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня | ||
210. Рабочая частота | f | f | Частота сигнала, пода- |
интегральной микросхе- | ваемого на вход интег- | ||
мы | ральной микросхемы при | ||
Рабочая частота | заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные | ||
уровни напряжений | |||
211. Коэффициент раз- | Краз | Число единичных нагру- | |
ветвления по выходу | зок, которое можно одно- | ||
интегральной микросхе- | временно подключить к вы- | ||
мы | ходу интегральной микро- | ||
Коэффициент развет- | схемы. | ||
влення по выходу | Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем | ||
212. Коэффициент объ- | Коб | Ni | Число входов интеграль- |
единения по входу ин- | ной микросхемы, по кото- | ||
тегральной микросхемы | рым реализуется логнчес- | ||
Коэффициент объединения по входу | кая функция |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
213. Напряжение ин- 1 жектора при заданном I токе инжектора интег- j ральной микросхемы
U ипж
Ug
Iктряжение инжектора при заданном токе инжектора
Продолжение табл /
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
214. Максимальное | 7/°.. | ^ILmax | Наибольшее положитель- |
входное напряжение низ- | ное или наименьшее отри- | ||
кого уровня интеграль- | нательное значение напря- | ||
ной микросхемы | жения из допустимого дна- | ||
Максимальное входное | пазона входных напряже- | ||
напряжение низкого | ний низкого уровня интег- | ||
уровня | ральной микросхемы | ||
215. Максимальное | 7/1 | £/ IHmax | Наибольшее положитель- |
входное напряжение вы- | v вх max | ное или наименьшее отрица- | |
сокого уровня интег- | тельное значение напряже- | ||
ральной микросхемы | ния из допустимого диапа- | ||
Максимальное входное | зона входных напряжений | ||
напряжение высокого | высокого уровня интеграль- | ||
уровня | ной микросхемы | ||
216- Минимальное | 7/° . | ^ILinin | Наименьшее положитель- |
входное напряжение низ- | '“'ВХ !П1П | ное или наибольшее отри- | |
кого уровня интеграль- | нательное значение напря- | ||
ной микросхемы | жения из допустимого диа- | ||
Минимальное входное | пазона входных напряжений | ||
на пря жение низкого | низкого уровня интеграль- | ||
уровня | ной микросхемы | ||
217. Минимальное | Z/1 | Ui IImln | Наименьшее положитель- |
входное напряжение вы- | вх пип | ное или наибольшее отрица- | |
сокого уровня интеграль- | тельное значение напряже- | ||
ной микросхемы | ния из допустимого диапа- | ||
Минимальное входное | зона входных напряжений | ||
напояжение высокого | высокого уровня интеграль- | ||
уровня | ной микросхемы | ||
218. Максимальное вы- | 77° | ^OLmax | Наибольшее положитель- |
ходное напряжение низ- | ное или наименьшее отрица- | ||
кого уровня интеграль- | тельное значение напряже- | ||
ной микросхемы | ния из допустимого диапа- | ||
Максимальное выход- | зона выходных напряжений | ||
ное напряжение низкого | низкого уровня ннгеграль- | ||
уровня | ной микросхемы | ||
SI*). Минимальное вы- | //1 | mln | Наименьшее положитель- |
ходное напряжение вы- | иьых min | ное или наибольшее Ътри- | |
сокого уровня интеграль- | нательное значение напря- | ||
ной микросхемы | жения из допустимого диа- | ||
Минимальное выход- | пазона выходных напряже- | ||
ное напряжение высоко. | ний высокого уровня интег- | ||
го уровня | ральной микросхемы | ||
220. Ток инжектора | /ин ж | 1g | Ток в цепи вывода пита- |
интегральной микросхе- | ния, необходимый для ра- | ||
мы | боты интегральной микро- | ||
Ток инжектора | 1 | схемы в заданном режиме |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы Ток потребления в состоянии «Выключено» | /ио т.в ы к л | Zccz | Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода. Примечание. Тер-мин используют для схем с тремя состояниями на выходе |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- | между- | ||
венное | народное |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
234. Напряжение высо- | U[4 | £/rdh | Наименьшее значение на- |
кого уровня сигнала счи- | пряжения высот ого уровня | ||
гывания интегральной | на входе сигнала ечнтыва- | ||
микросхемы | ния. обеспечивающее считы- | ||
Напряжение высокого | вание информации из ин- | ||
уровня сигнала ечнтыва- | тегральной микросхемы | ||
НИЯ | |||
235. Напряжение сиг- | и» | t/cE | Наибольшее или наимснь- |
нала разрешения интег- | шее значение напря>.\сния | ||
ральной микросхемы | на входе сигнала разреше- | ||
Напряжение сигнала | ния, обеспечивающее выпол- | ||
разрешения | некие интегральной микро- | ||
схемой заданной функции | |||
236. Напряжение низ- | ^CEL | Наибольшее значение на- | |
кого уровня сигнала раз- | р | пряжения низкого уровня | |
решения интегральной | на входе сигнала разреше- | ||
микросхемы | ния, обеспечивающее выпол- | ||
Напряжение низкого | неиие интегральной микро- | ||
уровня сигнала разреше- | схемой заданной функции | ||
ния | |||
237. Напряжение высо- | а’ | t/сЕП | Наименьшее значение на- |
кого уровня сигнала раз- | р | пряжения высокого уровня | |
решения интегральной | на входе сигнала разреше- | ||
микросхемы | ния, обеспечивающее выпол- | ||
Н а я р я же ни е в ысокого | нение интегральной микро- | ||
уровня сигнала разреше- | схемой заданной функции | ||
ВИЯ | |||
238. Напряжение сиг- | ил | u* | Наибольшее или наимень- |
нала адреса интеграль- | шее значение напряжения | ||
ной микросхемы | на входе сигнала адреса. | ||
Напряжение сигнала | обеспечивающее обращение | ||
адреса | к определенной ячейке ин- | ||
тегральной микросхем ы | |||
239. Напряжение низ- | и°л | Наибольшее значение на- | |
кого уровня сигнала ад- | пряжения низкого уровня | ||
реса интегральной мик- | на входе сигнала адреса. | ||
росхсмы | обеспечивающее обращение | ||
Напряжение низкого | к определенной ячейке ин- | ||
уровня сигнала адреса | тегральной микросхемы | ||
240. Напряжение высо- | и' | Уан | Наименьшее значение на- |
кого уровня сигнала ад- | пряжения высокого уровня | ||
реса интегральной мик- | на входе сигнала адреса. | ||
росхемы | обеспечивающее обращение | ||
Напряжение высокого | к определенной ячейке ин- | ||
уровня сигнала адреса | тегральной микросхемы |
222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы
Напряжение питания в режиме хранения
223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала входной информации
224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации
225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации
226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выходной информации

U.X
Uccs
Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы

Udi
0 вх .11
^DlL

Un ы х.и
Udo
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации. обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы
227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации
228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации
229 Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы
Напряжение сигнала записи
230 Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной- микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала записи
231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала записи
232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы
Напряжение сигнала считывания
233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала считывания
£7° | ^DOL |
^в’ых.и | £/»оя |
£Лчп | U w п |
^Avrl | |
(/wbh | |
Усч | |
и° ^сч | ^RDL |
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на вход£ сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему
Наименьшее значение напряжения высокого уровня па входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания. обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации нз интегральной .микросхемы
Термин
Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- | между- | |
венное ■ - | народное |
241. Напряжение сиг* нала запись-считывание интегральной микросхемы
Напряжение сигнала запись-считывание
242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание
243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание
244. Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выбора
245. Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выбора
246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выбора
247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы
Напряжение тактового сигнала
^зп/сч | ^WR/RD |
С7° зп/сч | ^WR/RDL |
/71 w зп/сч | ^Avr/rdh |
Ucs | |
^в°м | ^CSL |
i/cSH | |
Ur | Uc |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на вызоде сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания
Наибольшее значение напряжения на г-ыводе сигнала запись-считывание интегральной микросхем ы. обеспечивающее выполнение функции записи или считывания
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на вызоде сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени
Термин | Буквенное обозначение | Определение | ||
отечественное | международное | |||
248. Напряжение сиг- | Ув-.к | ^CAS | Напряжение на | входе |
чала выбора адреса | сигнала выбора | адреса | ||
столбцов интегральной | столбцов интегральной мик- | |||
микросхемы | росхемы | |||
Напряжение сигнала выбора адреса столбцов | ^CASL | |||
249. Напряжение низ- | Напряжение на входе сиг- | |||
кого уровня сигнала вы* | к | нала выбора адреса | столб- | |
бора адреса столбцов | цов интегральной | микро- | ||
интегральной микросхе- | схемы, соответствующее | |||
мы | низкому уровню | |||
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов | ||||
250 Напряжение высо- | £/' л к | C'qasH | Напряжение на | входе |
кого уровня сигнала вы- | сигнала выбора | адреса | ||
бора адреса столбцов | столбцов интегральной мик- | |||
интегральной микросхе- | росхем ы. соответствующее | |||
мы | высокому уровню | |||
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов | ||||
251. Напряжение сиг* | Uв.а.с | Ur as | Напряжение на | входе |
нала выбора адреса | сигнала выбора | адреса | ||
строк интегральной мик- | строк интегральной | микро- | ||
росхемы Напряжение сигнала зыбора адреса строк | схемы | |||
252 Напряжение низ- | ^RASL | Напряжение на | входе | |
кого уровня сигнала вы- | 0 • а. с | сигнала выбора | адреса | |
бора адреса строк интег- | строк интегральной | микро- | ||
ральной микросхемы | схемы. соответствующее | |||
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк | низкому уровню | |||
253. Напряжение вы- | и1в „ _ | t^RASH | Напряжение на | входе |
:окого уровня сигнала | сигнала выбора | адреса | ||
выбора адреса строк ин- | отрок интегральной | микро- | ||
гегральной микросхемы | схемы, соответствующее вы- | |||
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк | сокому уровню | |||
254 Напряжение сиг- | i/ст | ^era | Наибольшее или наимень- | |
чала стирания интеграль- | шее значение напряжения | |||
ной микросхемы | на выводе сигнала | «стира- | ||
Напряжение сигнала | ние» интегральной | микро- | ||
стирания | схемы, обеспечивающее сти- | |||
ранне информации |
Термин
255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы
Напряжение сигнала программирования
256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы
Ток потребления в режиме хранения
257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток сигнала входной информации
258. Ток низкого уров ня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток низкого уровня сигнала входной информации
259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток высокого уровня входной информации
260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Ток сигнала выходной информации
261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Ток низкого уровня сигнала выходной информации
262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интег раль-ной микросхемы
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
С/др
//рц

пот.хр

вх.в
вх.н

я ы х.и
/° 'вых.и

1
вых.и
Определение
/ccs
/di
ZD1L
/dih
/do
ZDO
/doh
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе ст нала программирования ингегра~ъ-ной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием
Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации
Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток в цепи сигнала вход ной информации интеграль ной микросхемы, соответствующий низкому уровню
Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню
Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Ток в цепи сш пала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню
Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому
уровню
Термин | буквенное обозначение | Определение | |
отечест» венное | международное | ||
< Ток высокого уровня сигнала выходной инфор- | |||
мацни | |||
263. Ток сигнала запи- | / зп | /wr | Ток в цепи сигнала запи- |
си интегральной микро- | си интегральной микросхе- | ||
схемы | мы | ||
Ток сигнала записи 264. Ток сигнала счи- | /сч | /rd | Ток в цепи сигнала счи- |
тывания интегральной | * | тывания интегральной мик- | |
микросхемы | росхемы | ||
Ток сигнала считыва- | |||
ния | |||
265. Ток сигнала адре- | /а | /а | Ток в цепи сигнала адре- |
:а интегральной микро- | са интегральной микросхе- | ||
схемы | мы | ||
Ток сигнала адреса 266. Ток сигнала за- | Аа/сч | Avr/rd | Ток в цепи сигнала за- |
пись-считывание ин тег- | пись-считывание интеграль- | ||
ральной микросхемы | ной микросхемы в задан- | ||
Ток сигнала запись- | ном режиме | ||
считывание | |||
267. Ток сигнала вы- | /в.М | 7cs | Ток в цепи сигнала выбо- |
бора интегральной мик- | ра интегральной микросхе- | ||
росхемы | мы | ||
Ток сигнала выбора 268. Ток низкого уров- | /° | /CSL | Ток в цепи сигнала выбо- |
ня по входу выбора ин* | ра интегральной микросхе- | ||
тегральной микросхемы | мы, соответствующий низко- | ||
Ток низкого уровня по входу выбора | му уровню | ||
269. Ток высокого | /csh | Ток в цепи сигнала выбо* | |
уровня по входу выбора | м В.м | ра интегральной микросхе- | |
интегральной микросхе- | мы, соответствующий высо- | ||
мы | кому уровню | ||
Ток высокого уровня по входу выбора | |||
270. Ток сигнала раз- | /р | /се | Ток в цепи сигнала раз- |
решения интегральной | решения интегральной мик- | ||
микросхемы | росхемы | ||
Ток сигнала разреше- | |||
ния | |||
271. Ток сигнала сти- | /стр | /era | Ток в цепи сигнала сти- |
рання интегральной | рання интегральной микро- | ||
микросхемы | схемы | ||
Ток сигнала стирания 272. Ток тактового сиг- | /т | /с | Ток в цепи импульсного |
нала интегральной мик- | питания интегральной мик- | ||
росхемы | росхемы динамических за- | ||
Ток тактового сигнала | поминающих устройств |
Продолжение табл. 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса столбцов | 7 в.а.к | 7cas | Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы |
Ток сигнала выбора адреса строк
Динамическая потребляемая мощность | 7 в.а.с | 7r as | Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы |
7> ПОТ.ДЖН | Pcco | Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме | |
276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы Потребляемая мощ ность в режиме хранения | Р пот.хр | Pees | Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания |
277. Время выборки интегральной микросхемы Время выборки
| tn | tA | Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные " необходимые сигналы поданы |
278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы Время удержания
| ty | tn | Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа |
279. Время цикла записи информаичи интегральной микросхемы Время записи информации | ^ЭП | klV | Интервал времени, рав-ны5! периоду сигнллз на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации |
280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы Время считывания | 1 | fcYR | Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет ст-тывание информации |
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечественное | международное | ||
281. Время регенерации интегральной микросхемы Время регенерации
| /per | /ref | Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения |
Таблица 1
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Гермня
Номер термина
Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы
Время включения
Время включения интегральной микросхемы
Время выключения
Время выключения интегральной микросхемы
Время восстановления
Время восстановления интегральной микросхемы
Время восстановления по напряжению
Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы
Время восстановления по току
Время восстановления по току интегральной микросхемы
Время выбора
Время выбора интегральной микросхемы
Время выборки
Время выборки интегральной микросхемы
Время готовности
Время готовности интегральной микросхемы
Время задержки включения
Время задержки включения интегральной микросхемы
Время задержки выключения
Время задержки выключения интегральной микросхемы Время задержки
Время задержки импульса интегральной микросхемы
Время задержки распространения интегральной микросхемы среднее
Время задержки распространения при включении
Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы
Время задержки распространения при выключении
Время задержки распространения при выключении литеральной микросхемы
Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня
Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня
Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»
Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»
Время задержки распространения среднее
Время записи информации
Время нарастания сигнала
Время нарастания сигнала интегральной микросхемы
Время переключения
Время переключения интегральной микросхемы
144
144
141
141
142
142
182
182
114
114
115
115
177
177
277
277 ИЗ
113
185
185
186
186 $0 60
205
183
183
184
184
209
208
206
207
205
279
30
30
143
143
Термин
Номер термина
Время перехода при включении
Время перехода при включении интегральной микросхемы
Время перехода при выключении
Бремя перехода при выключении интегральной микросхемы
Время регенерации
Время регенерации интегральной микросхемы
Время сохранения
Время сохранения сигнала интегральной микросхемы
Время спада сигнала
Время спада сигнала интегральной микросхемы
Время считывания
Время удержания
Время удержания интегральной микросхемы
Время успокоения
Еремя успокоения интегральной микросхемы
Время успокоения выходного напряжения
Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы
Время установления входных сигналов
Время установления входных сигналов интегральной микросхемы
Время хранения информации
Еремя хранения информации интегральной микросхемы
Время цикла
Время цикла записи информации интегральной микросхемы
Еремя цикла интегральной микросхемы
Время цикла считывания информации интегральной микросхемы
Диапазон азтоматическоГг регулировки усиления интегральной микросхемы
Диапазон АРУ
Диапазон входных напряжений
Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы
Диапазон выходных напряжений
Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы
Диапазон значений параметра
Диапазон значений параметра допустимый
Днапаз'он значений параметра интегральной микросхемы
Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый
Диапазон по напряжению динамический
Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический
Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы
Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы
Диапазон регулировки коэффициента усиления тока
175
175
176
176 28>1
231
178
178
31 '31
280
278
278 ‘59 59
85
85
180
180
179
179
181
279
181
280
69
69
90
90
107
107
3
4
3
4
93
98
97
97
9Т
97
97
Гермма
Номер термина
Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интегральной микросхемы
Длительность сигнала
Длительность сигнала высокого уровня
Длительность сигнала высокого уровня интегральной микро* схемы
Длительность сигнала интегральной микросхемы
Длительность сигнала низкого уровня
Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы
Длительность спала входного сигнала
Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы
Длительность фронта входного сигнала
Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы
Дрейф выходного напряжения
Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы
Дрейф выходного тока 1
Дрейф выходного тока интегральной микросхемы
Емкость аналогового входа
Емкость аналогового входа интегральной микросхемы
Емкость аналогового выхода
Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы
Емкое ь гхода/выхода
Емкость входа/выхода интегральной микросхемы
Емкость входная
Емкость выходная
Емкость интегральной микросхемы входная
Емкость интегральной микросхемы выходная
Емкость нагрузки
Емкость нагрузки интегральной микросхемы
Емкость между аналоговыми выходом и входом
Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы
Емкость управляющего входа
Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Значение параметра интегральной микросхемы максимальное Значение параметра интегральной микросхемы минимальнее Значение параметра интегральной микросхемы номинальное Значение параметра максимальное
Значение параметра минимальное
Значение параметра номинальное
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент входного тока временной
Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной
9’7
187 189
189
187
188
188
33
33
32
32
124
124
125
125 Мб
146
147
147 194 194
27
28
27
28
29
29
1 18
148
145
145
10
11
о
16
11
2
66
66
87
87
Термин
Нэыер термина
Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы тем* пературный
Коэффициент выходного тока температурный
Коэффициент гармоник
Коэффициент гармоник интегральной микросхемы
Коэффициент деления частоты
Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы
Коэффициент интермодуляционных искажений
Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы
Коэффициент напряжения смещения нуля временной
Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы временной
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент неравномерности АЧХ
Коэффициент объединения по входу
Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Коэффициент ослабления синфазных входных напряжении интегральной микросхемы
Коэффициент параметра интегральной микросхемы температурный
Коэффициент параметра температурный
Коэффициент передачи
Коэффициент передачи интегральной микросхемы
Коэффициент передачи по напряжению
Коэффициент передачи по напряжению интегральной млкро-схемы
Коэффициент подавления сигнала между каналами
Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы
Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом ин-те! ральной микросхемы
Коэффициент полезного действия
Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент прямоугольности АЧХ
Коэффициент пульсаций
Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы
Коэффициент разветвления по выходу
Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы
Коэффициент разделения каналов
Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы
Коэффициент разности входных токов временной
126
126
68
68
74
74
102
102
8*9
89
99
99
100
100
212
212
65
65
8
8
131
131
152
152
131
151
150
150
103
71
71
72
72
211
211
86
86
88
Термин
Номер термина

Коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы временной
Коэффициент сглаживания пульсаций
Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы
Коэффициент стабилизации входного напряжения
Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы
Коэффициент стабилизации нагрузки
Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы
Коэффициент умножения частоты
Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению
Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы
Коэффициент усиления мощности
Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы
Коэффициент усиления напряжения
Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы
Коэффициент усиления синфазных входных напряжений
Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент усиления тока
Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы
Коэффициент шума
Коэффициент шума интегральной микросхемы
Крутизна преобразования
Крутизна преобразования интегральной микросхемы
Крутизна проходной характеристики
Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы
Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы потребляемая
Мощность в режиме хранения потребляемая
Мощность выходная
Мошность интегральной микросхемы выходная
Мощность интегральной микросхемы коммутируемая
Мощность интегральной микросхемы потребляемая
Мощность интегральной микросхемы потребляемая динамическая
Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая
Мощность /-го источника питания интегральной микросхемы потребляемая
Мощность /-го источника питания потребляемая
Мощность коммутируемая
Мощность потребляемая
Мощность потребляемая динамическая
88
123
123
121
121
122
122
73
73
67
67
63
63
61
61
64
64
62
62
101
101
75
75
104
104
276
276
47
47
130
22
275
204
23
174
174
130
22
275
Термин
Номер термина
Мощность потребляемая средняя
Мощность рассеиваемая
Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы
Напряжение АРУ
Напряжение блокировки входное
Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное
Напряжение входное
Напряжение высокого уровня входное
Напряжение высокого уровня входное максимальное
Напряжение высокого уровня входное минимальное
Напряжение высокого уровня выходное
Напряжение высокого уровня выходное минимальное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное максимальное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное минимальное
Напряжение высокого уровня интегральном микросхемы выходное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное минимальное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое входное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы управляющее
Напряжение высокого уровня пороговое входное
Напряжение высокого уровня пороговое выходное
Напряжение высокого уровня сигнала адреса
Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выбора
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
204
23
91
91
199
199
13
155
215
217
157
219
155
215
217
157
219
197
195
133
197
195
240
21С
225
225
246
250
250
253
253
246
228
22'8
Термин
Номер термине
Напряжение высокого уровня сигнала записи
Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной схемы
Напряжение высокого уровня сигнала разрешения
Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интеграль
ной микросхемы
Напряжение высокого уровня сигнала считывания
Напряжение высокого уровня сигнала считывания интеграль
ной микросхемы
Напряжение высокого уровня управляющее
Напряжение выходное
Напряжение выходное максимальное
Напряжение гистерезиса
Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы
Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы
Напряжение задержки АРУ
Напряжение инжектора при заданном тоье инжектора
Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы
Напряжение интегральной микросхемы входное
Напряжение интегральной микросхемы выходное
Напряжение интегральной микросхемы выходное максимальное
Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое Напряжение интегральной микросхемы опорное Напряжение интегральной микросхемы остаточное Напряжение i-ro источника питания
Напряжение /-го источника питания интегральной микросхемы
Напряжение коммутируемое
Напряжение низкого уровня входное
Напряжение низкого уровня входное максимальное
Напряжение низкого уровня входное минимальное
Напряжение низкого уровня выходное
Напряжение низкого уровня выходное максимальное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное максимальное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное минимальное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное максимальное
231
231
243
243
237
237
234
234
133
14
76
127
127
92
9'2
213
213
13
14
76
37
109
43
153
153
37
154
214
216
153
218
154
21 1
216
158
218
Термин
Момер термина
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое входное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы управляющее
Напряжение низкого уровня пороговое входное
Напряжение низкого уровня пороговое выходное Напряжение низкого уровня сигнала адреса
Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации Напряжение низкого уровня сигнала входной информации ннте'ральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выбора
Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала записи
Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание ин-
тегральнон микросхемы
Напряжение низкого
Напряжение низкого ной микросхемы
Напряжение низкого
Напряжение низкого ной микросхемы
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение
Напряжение отпускания интегральной микросхемы
Напряжение питания
Напряжение питания в режиме хранения
Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы
уровня уровня
уровня уровня
сигнала разрешения сигнала разрешения интеграль-
сигнала считывания
сигнала считывания интеграль-
уровня управляющее
низкого
ограничения входное
ограничения интегральной микросхемы входное опорное
остаточное
отпускания
198
■196
132
198
196
239
239
224
224
245
245
249
249
252
252
227
227
230
230
242
242
236
236
233
233
132
42
42
109
43
116
16
12
222
222
Гермин
Hovep тер* ина
Напряжение питания интегральной микросхемы
Напряжение покоя входное
Напряжение покоя выходное
Напряжение покоя интегральной микросхемы входное Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное
Напряжение пульсаций источника питания
Напряжение пульсаций источника питания интегральной мик- I росхемы
Напряжение сигнала адреса
Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы
Напряжение сигнала входной информации
Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выбора
Напряжение сигнала выбора адреса столбцов
Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выбора адреса строк
Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной мик- |
росхемы
Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выходной информации
Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала записи
Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы
Напряжение сигнала запись-считывание
Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микро-
схемы
Напряжение сигнала программирования
Напряжение сигнала программирования интегральной микро-
схемы
Напряжение сигнала разрешения
Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания
Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания
Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение синхронизации
Напряжение синхронизации интегральной микросхемы
Напряжение смещения нуля
Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы
Напряжение срабатывания
Напряжение срабатывания интегральной микросхемы Напряжение считывания обратной связи
Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы
Напряжение тактового сигнала
Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы
Напряжение управления
12
35
36
33
36
03
93
2'38
2’38
223
223
244
248
■248
251
251
244
226
226
229
229
241
241
255
255
235
235
254
254
232
232
128
128
38
38
15
15
108
108
247
247
Гермнв
Нойер термина
Напряжение управления интегральной микросхемы
Напряжение шума
Напряжение шума интегральной микросхемы
Напряжение шума интегральной микросхемы эффективное Напряжение шума на выходе
Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы Напряжение шума, приведенное ко входу
Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной микросхемы
Напряжение шума эффективное Напряжения входные синфазные
Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные
Нес обильность параметра
Нестабильность параметра интегральной микросхемы Нестабильность по нагрузке
Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы
Нестабильность по напряжению
Нестабильность по напряжению взаимная
Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы | взаимная
Нестабильность по току
Нестабильность по току взаимная
Нестабильность по току интегральной микросхемы
Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная
Отклонение параметра
Отклонение параметра интегральной микросхемы
Отклонение параметра интегральной микросхемы относительное
Отклонение параметра относительное
Отношение епгнал/шум !
Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы
Падение напряжения
Паление напряжения минимальное
Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы прямое
Падение напряжения на антизвонном диоде прямое
Падение напряжения на интегральной микросхеме
Падение напряжения на интегральной микросхеме минимальное
Параметр
Параметр интегральной микросхемы
Период следования импульсов тактовых сигналов
Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы
Полоса единичного усиления
Полоса задерживания
Полоса задерживания интегральной микросхемы
Полоса захвата синхронизации
Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы
7
77
77
78
39
39
40
40
78
41
41
9
-т
120
120
118
116
118
116 119
117
119
117
6
6
105
105
110
111
156
156
110
111
1
1
Г91
191
56
53
53
129
129
П родолжение табл. 2
Теркин | Нойер термина |
Полоса пропускания | 52 |
Полоса пропускания интегральной микросхемы | 52 |
Помехоустойчивость при высоком уровне | 193 |
Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной мик- | |
росхемы | 193 |
Помехоустойчивость при низком уровне | 192 |
Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микро- | |
схемы | 192 |
Размах шума | 79 |
Размах шума интегральной микросхемы | 79 |
Разность входных токов | 44 |
Разность входных токов интегральной микросхемы | 44 |
Сдвиг интегральной микросхемы фазовый | 106 |
Сдвиг фаз | 106 |
106
в открытом состояния
в открытом состоянии интегральной микро-
входное выходное
Сдвиг фазовый
Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нормированная
Скорое!ь нарастания выходного напряжения
Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы
Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы максимальная
Скорость нарастания выходного напряжения максимальная Скорость отслеживания
Сопротивление
Сопротивление
схемы
Сопротивление
Сопротивление
Сопротивление интегральной микросхемы входное
Сопротивление интегральной микросхемы выходное
Сопротивление нагрузки
Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы
Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы
Ток АРУ
Ток в состоянии «Выключено» выходной
Ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной
Ток
Ток
Ток Ток
Ток
микросхемы выходной
Ток Ток
Ток Ток
Ток
входной
входной пробивной
входной средний высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной высокого уровня в состоянии «Выключено»
интегральной
высокого высокого высокого высокого высокого
уровня уровня уровня уровня уровня
входной выходной интегральной микросхемы интегральной микросхемы по входу выбора
входной выходной
80
70
70
82
82
70
140
140
24
25
24
25
26
26
94
94
1LM
Термин
Номер термина
Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы
Ток высокого уровня сигнала входной информации
Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток высокого уровня сигнала выходной информации
Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Ток высокого уровня управляющего напряжения входной
Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной
Ток. выходной
Ток инжектора
Ток инжектора интегральной микросхемы
Ток интегральной микросхемы входной
Ток интегральной микросхемы входной пробивной
Ток интегральной микросхемы входной средний
Ток интегральной микросхемы выходной
Ток интегральной микросхемы коммутируемый
Ток коммутируемый
Ток короткого замыкания
Ток короткого замыкания интегральной микросхемы
Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной
Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной
Ток низкого уровня входной
Ток низкого уровня выходной
Ток низкого уровня интегральной микросхемы входной
Ток низкого уровня интегральной микросхемы выходной
Ток низкого уровня по входу выбора
Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы
Ток низкого уровня сигнала входной информации
Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Ток низкого уровня сигнала выходной информации
Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Ток низкого уровня управляющего напряжения входной
Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной
Ток ПО1р?бЛСНИЯ
Ток потребления в режиме хранения
Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы
Ток потребления в состоянии «Выключено»
Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы
Ток потребления выходного напряжения высокого уровня
269
259
259
262
262
137
137
18
220
220
17
200
45
18
46
46
21
21
166
}66
161
164
161
164
268
268
258
258
261
261
136
136
20
256
256
221
221
202
Продолжение табл. 2
Термин | Номер термина |
Ток потребления выходного напряжения высокого уровня ин* | |
тегральной микросхемы | 202 |
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня | 2G1 |
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня ин- | |
тегральной микросхемы | 201 |
Ток потребления динамический | 160 |
Ток потребления интегральной микросхемы | 20 |
Тох потребления интегральной микросхемы динамический | ’160 |
Ток потребления i-ro источника питания | 159 |
Ток потребления i-ro источника питания интегральной микро- | |
схемы | 159 |
Ток потребления при высоком уровне управляющего налря- | |
жения | 139 |
Ток потребления при высоком уровне управляющего напря- | |
жения интегральной микросхемы | 139 |
Ток потребления при низком уровне управляющего напряже- | |
НИЯ | 138 |
Ток потребления при низком уровне управляющего напряже- | |
ния интегральной микросхемы | 138 |
Ток потребления средний | 203 |
Ток потребления интегральной микросхемы средний | 203 |
Ток сигнала адреса | 265 |
Ток сигнала адреса интегральной микросхемы | 26? |
Ток сигнала выбора | 267 |
Ток сигнала выбора интегральной микросхемы | 267 |
Ток сигнала выбора адреса столбцов | 273 |
Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микро- | |
схемы | 273 |
Ток сигнала выбора адреса строк | 274 |
Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | 274 |
Ток сигнала входной информации | 257 |
Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы | 257 |
Ток сигнала выходной информации | 260 |
Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 260 |
Ток сигнала записи | 263 |
Ток сигнала записи интегральной микросхемы | 263 |
Ток сигнала запись-считывание | 266 |
Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы | 266 |
Ток сигнала разрешения | 270 |
Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы | «70 |
Ток сигнала стирания | 271 |
Ток сигнала стирания интегральной микросхемы | 27! |
Ток сигнала считывания | 264 |
Ток сигнала считывания интегральной микросхемы | 261 |
Ток тактового сигнала | 272 |
Ток тактового сигнала интегральной микросхемы | 272 |
Ток управления | 7 |
Ток управления интегральной микросхемы | 7 |
Ток утечки | 19 |
Ток утечки аналогового входа | 134 |
Термин
Номер термин»
Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы
'Гек утечки аналогового выхода
Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы
Ток уIочки высокого уровня на входе
Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы
Ток утечки высокого уровня на выходе
Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток утечки интегральной микросхемы
Ток утечки на входе
Ток утечки на сходе интегральной микросхемы
Ток утечки на выходе
Ток утечки на выходе интегральной микросхемы
Ток у точки низкого уровня на входе
Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы
Ток утечки низкого уровня па выходе
Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы
Ток холостого хода
Ток холостою хода интегральной микросхемы
Тох шума нормированный
Тох шума интегральной микросхемы нормированный
Частота входного сигнала
Частота входного сигнала интегральной микросхемы
Частота генерирования
Частота генерирования интегральной микросхемы
Частота единичного усиления
Частота единичного усиления интегральной микросхемы
Частота интегральной микросхемы рабочая
Частота квазирезонанса
Частота квазирезонанса интегральной микросхемы
Частота коммутации
Частота коммутации интегральной микросхемы
Частота полной мощности
Частота полной мощности интегральной микросхемы
Частота полосы задерживания верхняя
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы нижняя
Частота полосы задерживания нижняя
Частота полосы пропускания граничная верхняя
Частота полосы пропускания граничная нижняя
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная верхняя
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя
134
135
135
171
171
173
173
19
168
168
169
169
170
170
172
172
112
112
81
81
57
57
58
58
56
56
210
96
96
50
50
84
84
55
55
54
54
49
48
49
Термин
Номер термина
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы центральная
Частота полосы пропускания центральная
Частота рабочая
Частота резонанса
Частота резонанса интегральной микросхемы
Частота следования импульсов тактовых сигналов
Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы
Частота среза
Частота среза интегральной микросхемы
Частота управляющего напряжения
Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы
Чувствительность
Чувствительность интегральной микросхемы
ЭДС шума нормированная
51
51
210
95
95
190
190
83
83
149
149
31
34
80
алфавитный указатель терминов
НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Гермин
Access time
Common-mode rejection ratio
Common-mode voltage amplification Cycle time
Delay time
Differential-mode voltage amplification Fall time
Feedback sense voltage
Frequency of unity (open loop) amplification Hold time
Input offset voltage
Input stabilization coefficient
Input transient current recovery time
Input transient voltage recovery time
Input voltage operating range
Load stabilization coefficient
Open-loop cut-off freguency
Output current drift
Output noise voltage
Output voltage drift
Output voltage operating range
Reference voltage
Refresh time interval
Ripple rejection ratio
Ripple time
Rise time
Set-up time
Short-circuit current Valid time
Номер термина
277
65
64
181
60
67
31
108
56
278
38
121
115
114
90 ‘•122
80
125
39
124
107
109
281
123
59
30
180
21
178
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
Гермин
Номер термина
Amplification en tension en mode commun
Amplification en tension en mode differentiel
Coefficient de stabilisation en fonction de la charge Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree Courant de court-circuit
Derive de la tension de sortie
Derive du courant de sortie
Domaine de fonctionnement de la tension d'entrce
Domaine de fonctionnement de la tension de sortie Frequence de coupure en boucle ouverte Frequence pour l’amplification unite Intervalle de temps de rafraichissement
Taux de rejection en mode commun
Taux de rejection de fondulation residuelle
Temps d’acces
Temps de croissance
Temps de cycle
Temps de decroissance
Temps de delai
Temps de maintien
Temps de preparation
Temps de recourement de la tension transitoire a Fentree
Temps de recouvrement du courant transitoire a Fentree Temps de vacillement
Temps de validation
Tension de bruit en sortie
Tension de decalage
Tension de lecture de contre-reaction
Tension de reference
64
67
122
121
21
.124
125
90
107
83
56
281
65
123
277
30
181 за
60
278
180
114
115
59
178
39
38
108
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
I. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: Xyi: zj1.
где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;
у. z—подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл. 5;
i, j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, где л —число входов и (или) выходов.
При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: X г; Xу1; Ху; X.
Таблица 5
Наименование направления перехода сигнала | Обозначение | |
отечественное | м еждун а родное | |
Для перехода из состояния низкого уровня | LN | |
в состояние высокого уровня Для перехода из состояния высокого уров- | 01 | |
ня в состояние низкого уровня | 10 | HL |
Таблица 5
Обозначение
Наименование сигнала
отечественное международное
СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
1. Адрес
2. Выбор микросхемы
3. Запись
4. Считывание (чтение)
5. Тактовый
6. Разрешение
7. Запись-считывание
8. Адрес-данные
a
A
B.M
CS
ЗП
WR
СЧ
RD
T
C
p
CE
ЗП.СЧ
IVR/RD
а.д
AD
СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
9. Авария источника питания
10. Авария сети питания
11 Арифметический сдвиг
12. Асинхронный
13. Вектор
I I. Внешний
15. Вывод для подключения кварцевого
резонатора
16. Выход
17. Вход
18. Блокировка
19. Ведомый
20. Ведущий
21. Восстановление
22. Вычитание
23. Генерация
24. Готовность
25. Графический символ
26. Данные
27. Деление
23. Декремент 1
29. Декремент 2
30. Доступ
Л. Запрос
32. Заем
33. Зависание
34. Задатчик
35. Захват
36. Знак
37. Инкремент 1
38. Инкремент 2
39. Инкремент 1/Декремент 1
40. Исполнитель
а.н.п а.с.п а.с.д асх вс вн К1 К2 вых вх бл вдм вдщ вс вч
ГН
ГТ
ГС д дл —1 —2 дс зпр зм звс зд зх зн +1 + 2
+ 1/-1
ксп
PSB
Р\В AS
ASYN
REC EXT BQ1 BQ2 О
I
DE SV MS REC SUB GEN RA GRS D
DIV
DECI
DEC2
AC RQ BR HG DR TR SI INCI INC2
1 NCI/DECI PF
Наименование сигнала
41. Инструкция (команда)
42. Канал (шина)
43. Канал занят
44. Квитирование
45. Конец
46 Код
47. Логический сдвиг
48. Логическая операция
49. Маркер
50. Маскирование
5*1. Микрооперация
52. Микрокоманда
53. Младший
54. Множитель
55. Множимое
56. Максимальный
57. Минимальный
58. Начало исполнения команды
59. Начало исполнения микрокоманды
60. Немаскируемое прерывание
61. Нуль
62. Ожидание
63. Останов
64 Обратный ход
65. Операция
66. Ответ
67. Ошибка
68. Перенос
69. Переполнение
70. Передача
71. Подтверждение
72. Прямой доступ к памяти
73. Повтор
74. Продолжение
75. Предварительный заряд
76. Приоритет
77. Прием
78. Прерывание
79. Пуск
80. Порт
81. Расширение
62. Распространение переноса
83. Равенство нулю
84. Регистр команд
65. Режим
86. Регистр микрокоманд
87. Результат
68. Сброс
89. Сдвиг
Обозначение | |
отечественное | м ежду н ародн ие |
км | INS |
КН | В |
К.ЗТ | BUSY |
кв | АК |
К | END |
код | CODE |
л.с | LSH |
л.о | LOP |
мр | MR |
мс | MK |
МОП | MOP |
мк | MINS |
мл | LSB |
мнж | MPLX |
мже | MPLY |
max | MX |
min | MN |
нк | STINS |
н.мк | NMKINR |
н.пр | NMK |
нул | Z |
жд | WT |
ост | HLT |
об.х | RVM |
оп | OP |
отв | AN |
ОШ | er |
ПС | CR |
пн | CF |
нч | T |
п | ACK |
п.д.п | DMA |
пвт | RP |
прд | CN |
п.з | PSH |
пт | PR |
пм | R |
пр | INR |
ПСК | ST |
п | P |
рш | EX |
рпс | SPCR |
р.м | ZR |
р.к | RGINS |
реж | MO |
р.мк | RGMINS |
рез | RZ |
сбр | SR |
сд | S1I |
Продолжение табл. 6
Наименование сигнала | Обозначение | |
отечественное | междун ародн ое | |
90. Сдвиг влево | сд.л | SHL |
91. Сдвиг вправо | сд.п | SHR |
92. Синхронизация | с | SYN |
93. Состояние | сс | SA |
94 Строб | ст | ST |
95. Сложение | сл | SM |
96. Строка | стр | R |
97. Следующий | сдц | NEXT |
98. Стек | СК | SK |
99. Старший | ср | MSB |
100. Средний | сд | ML |
101, Тактовый вход | т.в | Cl |
102. Тактовый выход | т.вых | CO |
103. Тестирование (проверка) | т | TEST |
104. Условие | усл | CC |
105 Условный бит (флаг) | ус.б | PL |
106. Управление | упр | CN |
107. Ускоренный перенос | уск.п | RCR |
108. Установка в состояние п | уст | Sn |
109. Умножение | VMH | MPL |
110. Управление | у | CO |
111. Цикл | цкл | CY |
112. Циклический сдвиг | ц.сд | CYSH |
113. Чтение | ЧТ | RD |
114. Фаза J | ф | F |
115. Экран i | 3 | RT |
СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
116. Выбор адреса строки | в.а.с. | RAS |
117 Выбор адреса столбца | в.а.к | CAS |
118. Входная информация | вх.и | D |
119. Выходная информация | вых.и | Q |
120. Входная/выходная информация | вх.и/вых.и | DQ |
121. Запись-считывание | зп/сч | WR |
122. Разрешение выхода | р.вых | ОЕ |
123. Программирование | прг | PR |
2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 7.
Та
блица 7
Обозначение
Наименование направления перехода сигнала
между-
отечественное
народное
Для перехода из третьего состояния в состояние
высокого уровня
31
ZN
Для перехода из состояния высокого уровня в
третье состояние
13
HZ
Для перехода из состояния низкого уровня в
третье состояние
0'3
LZ
Для перехода из третьего состояния в состояние
низкого уровня
30
ZL
При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:
fA (B-D): *А (В) ’ ^А-
3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл. 8.
Наименование параметра | X ('а> | (1 | |
отечественно» | международное | отечественное | |
1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания | пр | ||
2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала | Uoh | с.кнЗ | |
3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1 -го разряда | ЦН | max мс1 | |
4. Время установления сигнала квитирования «Принято» относительно сигнала «Выдача» | ^su | (кп-вд) | |
5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных | tfcx | tv | (Д-а) |
Таблица 8
L zj
-D)
между
народное
INR
SYN, B3 max MK1 (TR-RCAK)
(D-A)
Производное обозначение
X л , yt zj
^A(B-Dp
отечественное
У0 ax.np
^!вых.скнЗ
max MCI
Gc(kb *>Д)
t , i сх(д-а)
международное
^IL INR
УОНSYND3
max MK1
*SU(TR-RCAK)
*U(DA)
ГОСТ 19480—а» С. 67
С. 68 ГОСТ 19480—89
Таблица 9
Режим работы | Буквенное обозначение | |
отечественное | международное | |
Запись | ЗП | WR |
Считывание | СЧ | RD |
Считывание-запись | сч/зп | RD/XVR |
Запись-считывание | зп/сч | WR/RD |
Считывание по страницам | СЧ.С1Р | Р |
Слоговый режим | сл.р | V |
Запись по страницам | зп.стр | PW |
Счнтывание-модификация-запись | сч м.зп | RMW |
Регенерация | рг | REF |
Программирование | прг | PR |
Стирание | г г | ER |
гост 19480—ав а в*
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
Л. Р. Хворостьян, В. Ф. Марушкин, Е. Ф. Мещанкнн, Ю. В. Назаров, Л. С. Жирякова
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 № 3960
3. Срок первой проверки— 1996 г., периодичность проверки — 5 лет
4. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748—1, МЭК 748—2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84, СТ СЭВ 4756—84
5. ВЗАМЕН ГОСТ 19480—74
Редактор Л. Д. Курочкина ТехническиГ! редактор О. //. Никитина Корректор Л/. С. Кабашсвп
Сдано в наб. 14.02.90 Подп. в печ. 22.05.90 4,5 усл ri. л. 4,5 усл. кр.-отч. 5.73 уч.-нзд. л. Тир. 19000 Цена 1р. 10 ч.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123557. Москва. ГСП, Новопресненский пер.. 3 Тип. «Московский печатних». Москва. Лялин пер. 6. Зак. 1628
1
Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.
Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: /А1(ВС—DE)P,
где 1л. — вид временного параметра;
i—порядковый номер параметра (1,2..,л);
В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6, состояние которого изменяется первым;
С — направление перехода сигнала В;
D — наименование сигнала в соответствия с перечнем, приведенным в табл. 6, состояние которого изменяется последним, т. е. в конце временного интервала;
Е — направление перехода сигнала D;
F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 9.
Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 5.
При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала С и Е опускать.