ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Обозначение:

ГОСТ 19480-89

Наименование:

Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Статус:

Утратил силу в РФ

Дата введения:

01/01/1991

Дата отмены:

Заменен на:

Код ОКС:

01.040.31, 31.200

Скачать:

ГОСТ 19480-89.pdf ГОСТ 19480-89.doc

Текст ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

БЗ 12—89/1048

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19480—89

(СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84, СТ СЭВ 4756—84)

Издание официальное

а,

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.82:001.4:006.354 Группа Э00

Г О С У Д А Р СТВЕННЫИ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения

электрических параметров

Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКСТУ 6301

гост

19480—89

(CT СЭВ 1817—88, CT СЭВ 4755—84, CT СЭВ 4756—84)

Дата введения Ol.Ol.ltt

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные Настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах докумен-таиии и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих резулЬ'Гат'ы этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес!ве справочных и обозначены пометой «Ндп».

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

(6) Издательство стандарте, 1990

2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.

3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом*.

Таблица 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
	ОБЩИЕ	понятия
1. Параметр интегральной микросхемы Параметр	X	Л'	Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы
2. Номинальное значение параметра интегральной декросхемы Номинальное значение параметра	X и ом	V пот	Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений
3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра	6Х		Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности
4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы Допустимый диапазон значений параметра	6Х_ДХ1		Разброс значений пара-: метра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации
5. Отклонение параметра интегральной микросхемы Отклонение параметра	ЛХ		Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением

Буквенное обозначение

Термин

отечест- м ежду-

венное народное

Определение

6. Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы

Относительное откло-нение параметра

7. Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы

Напряжение (ток) управления

8. Температурный коэффициент параметра интегральной микросхемы

Температурный коэффициент параметра

9. Нестабильность параметра интегральной микросхемы

Нестабильность параметра

10. Максимальное значение параметра интегральной микросхемы

Максимальное значение параметра

11. Минимальное значение параметра интегральной микросхемы

Минимальное значение параметра

отн

>пр

а_х

нет

шах

\г

¹ min

Пж

шах

min

Отношение отклонения парам етр а и нтег р альной микросхемы к его номинальному значению

Напряжение (ток) управляющее функциональным назначением интегральной микросхемы

Отношение изменения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

Отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхем ы к вызвавшему его дистаби-лизирующему фактору

Наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

Наименьшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12. Напряжение питания интегральной микросхемы

Напряжение питания

13. Входное напряжение интегральной микросхемы

Входное напряжение

14. Выходное напряжение интегральной микросхемы

Выходное напряжение

и_п	и СО
и„	Ui
(^вых	Uo

Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы

Напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме

2—1628

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы Напряжение срабатывания		t/lT + 6/iTP	Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое
16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы Напряжение отпускания	^Лэтп	Ui т_ t^ITN	Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое
17. Входной ток интегральной микросхемы Входной ток	/в*	/г	Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме
18. Выходной ток интегральной микросхемы Выходной ток	^ВЫХ	/о	Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме
19. Ток утечки интегральной микросхемы Ток утечки	? УТ	4	Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах
20. Ток потребления интегральной микросхемы Ток потребления	/ дот	/ сс	Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме
21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы Ток короткого замыкания E. Short-circuit current F. Courant de court-circuit	[КЗ	Ads	Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе
22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы Потребляемая мощность	Р пот	Рсс	Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания
23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы Рассеиваемая мощность	Р рас	Р tot	Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме

Буквенное обозначение

Термин

отечест- между-

венное народное

Определение

24. Входное сопротивление интегральной микросхемы

Входное сопротивление

25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление

26. Сопротивление на- R_H

грузки интегральной

микросхемы

Сопротивление нагрузки

27. Входная емкость С_вхинтегральной микросхемы

Входная емкость

28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкость

С„

Ы1

29. Емкость нагрузки С_нинтегральной микросхемы

Емкость нагрузки

30. Время нарастания /_и*р сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания сигнала

Е. Rise time

G. Temps de croissance

R i

R о

C_L

Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к в ыходу и нтегр альной

микросхемы

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
31. Время спада сигнала интегральной микросхемы Время спада сигнала E. Fall time F. Temps de decrois-sance	II	it	Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала
32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы Длительность фронта входного сигнала	Тф		Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения
33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы Длительность спада входного сигнала	Ten		Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от номинального значения
34. Чувствительность интегральной микросхемы Чувствительное гь	5 I		Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покоя

36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы

Выходное напряжение покоя

37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

Оных

и

ном

UlQ

Vo Q

Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом

Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключен-ным входом или с нулевым входным сигналом Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы

Продолжение табл. I

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
38. Напряжение смещения пуля интегральной микросхемы Напряжение смещения нуля E. Input offset voltage F. Tension de decalage	Ucu		Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению
39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы Напряжение шума на выходе E. Output noise voltage F. Tension de bruit en sortie	£Лп.вых	с: р о	Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы
40. Приведенное ко входу напряжение шу ■ ма интегральной микросхемы Приведенное ко входу напряжение шума	С/ III БТС	и щ	Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения
4 К Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы Синфазные входные напряжения	Псф., ВХ	Uic	Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают
42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы Входное напряжение ограничения	Ногр.ВХ	&1 Иш	Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину
43, Остаточное напряжение интегральной микросхемы Остаточное напряжение		f^DS	Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока
44. Разность входных токов интегральной микросхемы Разность входных токов	А/вХ	ho	Разность значений токов, протекающих через диффе-р енци альн ый вход и нтег-ральной микросхемы в заданном режиме
45. Средний входной ток интегральной микросхемы Средний входной ток	jвх.ср	IlAV	Среднее квадратическое значение входных токов интегральной микросхемы

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
46. Коммутируемый ток интегральной микросхемы Коммутируемый ток	7коМ	/ь	Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа
47. Выходная мощность интегральной микросхемы Выходная мощность	р * иы\	Ро	Мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режиме
48. Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Нижняя граничная частота полосы пропускания	{.	к	Наименьшее значение частоты, на которой ) оэФфи-циент усилергия напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте
49. Верхняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Верхняя граничная частота полосы пропускания	L	/и	Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегра льнон микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте
50. Частота коммутации интегральной микросхемы	/ком	fs	Частота, с которой интегральная микросхема коммутирует ток
Частота коммутации		fc	Частота, равная полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной микросхемы
51. Центральная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Центральная частота	fa	fc
полосы пропускания		BW	Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления интегральной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диапазона
52. Полоса пропускания интегральной микросхемы Полоса пропускания	Л/	BW
53. Полоса задерживания интегральной микросхемы Полоса задерживания	А/.,	Af<	Диапазон частот между верхней и нижней частотами полосы задерживания интегральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

отечест- между-

венное народное

Определение

54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задерживания

56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Ндп. Полоса единичного усиления

E. Frequency of unity (open loop) amplification

F. Frequence pour I’amplification unite

57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота входного сигнала

58. Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

59. Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

E. Ripple time

F. Temps de vacille-ment

/зд.н

ад.в

-yen

60. Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки

E. Delay time

F. Temps de delai

'ЗД

/dL

/ d H

f 1

Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице

Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию

t_cip Интервал времени с мо

мента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня

id Интервал времени между

нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы Коэффициент усиления напряжения	К,в	А и	Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению
62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы Коэффициент усиления тока	Кп	At	Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току
63, Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы Коэффициент усиления мощности	К? р	А р	Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности
64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиления синфазных входных напряжений E. Common-mode voltage amplification F. Amplification en tensios en mode commun	^у.сф	А ис	Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению
65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений E. Common-mode rejection ratio F. Taux de rejection en mode commun	Кос.сф	Кемп	Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений
66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля	Квя.п.п	Ksvn	Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
07. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент усиления Дифференциального сигнала по напряжению Е. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension cn mode differen-tiel	Ауидиф	A VD	Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме
68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы Коэффициент гармоник	К,	Къ	Отношение среднего квадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник
69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Диапазон АРУ	и АТУ	AGC	Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах
70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Скорость нарастания выходного напряжения Ндп. Скорость отслеживания	V и ВЫ1	Sv OM(SR)	Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы
71. Коэффициент пря-моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент прямо-угольности АЧХ	Кп		Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7
72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент пульсаций	Кип		Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхем ы к анач ени ю постоян-ной составляющей напряжения

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
73. Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент умножения частоты	Кумн /	—	Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала
74. Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы Коэффициент деления частоты	Кпел f		Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала
75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы Крутизна преобразования	5ц_Рб		Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение	^вых max	Uо max
77. Напряжение шума интегральной микросхемы Напряжение шума	■Um	U_n
78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы Эффективное напряжение шума	Пш.ъфф	Un eff
79. Размах шума ин-тегр ал ьной микросх емы Размах шума	AU_m	L/npp

Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивле^ нии нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю

Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы

Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы,

Буквенное обозначение

80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭДС

шума

III. н

81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы

Нормированный ток шума

ШИ

Е nN

In N

повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

и вых шах:

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения

83. Частота среза интегральной микросхемы

Частота среза

E. Open-loop cut-off frequency

F. Frequence de coupu-re en boucle ouverte

срз

/со

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цели обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте

84. Частота полной мощности интегральной микросхемы

Частота полной мощности

Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
			уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте
85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы Время успокоения выходного напряжения	fyc п и	ft ot	Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины
86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы Коэффициент разделения каналов	Краэд	С dNC	Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала
87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы Временной коэффициент входного тока	И п «■ч >	Yibi(IB2)	Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени
88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы Временной коэффициент разности входных токов	Тд/ах	Yiio	Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени
89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы Временной коэффициент напряжения смещения нуля	Yvcm	Yuio	Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ

И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон входных напряжений

Е. Input voltage operating range

ДС/и

MJ1

Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального

Термин

F. Domaine de foncti-onnement de la tension d’entrce

91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

£/ару

U AGC

92. Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Н ап р я жени е задер ж к и

АРУ

93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение пульсаций истопника питания

94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток АРУ

(7 зд АРУ

U л. п

^ АРУ

U AGCd

и

с сг

/agc

95. Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота резонанса

96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота квазирезонан-са

97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)

кО

ДАу17 AKyi А Аур

f о

ДА и ДА / ДА_Р

Определение

Н а п ряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за* данных гределах

Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным

Значение переменной составляющей напряжения и с т о ч н и к а питания на выводах питания интегральной микросхемы

Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы н обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное значение

Частота, на которой коэффициент усиления ив-тегральной микросхемы принимает минимальное значение

Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала

Термин

Буквенное обозначение

отечест- между-

венное народное

Определение

98. Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы

Динамический диапазон по напряжению

99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

100. Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффи ци ент иер а в но -мерности АЧХ

101. Коэффициент шума интегральной микросхемы

Коэффициент шума

ЛП д_Ин

н л. А

К и р. Л Ч

К.

102. Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент интер-модуляционных искажений

103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики

К и. и

S П

Ли dyn

A nla

аа

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения

11 а и 6 о л ь ш с е от к л о н е н и е

значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в де-цибеллах

Отношение среднего квадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот

Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к п о т р е бл я е м он мощности

Str

Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме и нтегр а ль н о й микросхемы

Продолжение табл. 1

	Буквенное	обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
105 Отношение сиг-нал/шум интегральной микросхемы Отношение сигнал/шум	■^с'ш	Wn	Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот
106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы Фазовый сдвиг Ндп. Сдвиг фаз	Фс	Фо	Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

107. Диапазон выход- Д£/_Вых ных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

E. Output voltage operating range

F. Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie

108. Напряжение счи- — тыванин обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

E. Feedback sense voltage

F. Tension dc lecture de contre-reaction

109. Опорное напря- U_onжение интегральной микросхемы

Опорное напряжение

E. Reference voltage

F. Tension de reference

Uon n Интервал значений вы

ходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения да максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

Ufb Напряжение, являющееся

функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы

U REF

Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест

венное

между

народное

110. Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения

П пд

—

Разность между вход ным и выходным напря жением интегральной мик росхемы в заданном режи

111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме

Минимальное падение напряжения

112 Ток холостого хода интегральной микросхемы

Ток холостого хода 113. Время готовности интегральной микросхе-

Врем я готовнооти

114 Время восстановления но иапря жеикю интегральной микросхемы

Время восста новлемия по напряжению

E. input transient voltage recovery time

F. Temps dc recouvre-ment de la tension tran-sitoire a I’entree

115. Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время восстановления по току

E. Input transient current recovery time

F. Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a Tentrce

116. Взаимная нестабильность по напряженнее интегральной микросхемы

од min

^ ГОГ

'St

кос Г

tn и

К V N 1 N 2

^RI

ме

Наименьшее значение па дени я напряжения па ин тегральной микросхеме при котором параметр ин тегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям

Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе

Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям

Интервал времени от момента е : учетытого изменения входного напряжения интегральной микросхемы д о м о м е нт а, к о г д а значение вы х од и о го I; а *; ря ж е -ния в последний раз входит в заданный интерн?ал выходных напряжении, содержащий в себе конечное значение

Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в зсданный интервал выход-и ых н а п р я ж ени й, со л q > ж а -тих в себе конечное значение

Относительное изменение з н а ч ени я вы х од s к> г о напряжен и я (> д того к а н а л а м и о -гоканальноа интегральной

Буквенное обозначение

Термин

между

народное

Взаимная нестабильность по напряжению

117, Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по току

KlNlN3

118, Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению

Ки

И9. Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току

120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по нагрузке

Кв

KlNlN2

Kvj

Кю

микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тона, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
121. Коэффициент ста-	Kcr UBX	Ksi	Отношение относительно
бнлизации входного напряжения интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации входного напряжения E. Input stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree 122. Коэффициент ста-	it I ^CTt/BX		го изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Филизация нагрузки интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации нагрузки E. Load stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la charge	Кет R	Kso	Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов
123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент сглаживания пульсаций Е- Ripple rejection ratio F. Taux de rejection de Fondulation residuelle	*0»	Krb.	Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты
Д24. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы Дрейф выходного напряжения E. Output voltage drift F. Derive de la tension de sortie	AL Bbix	A£/₀(t)	Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов
125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы Дрейф выходного тока ^fE. Output current drift F. Derive du courant de sortie	А/BHZ t	A/o(t>	Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест*	между	Определение
	венное	народное

126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

Ctj вых

а ю

Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизи рующих факторов

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ

127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение гистерезиса

128. Напряжение синхронизации интеграл., ой микросхемы

Напряжение синхронизации

ГИСТ

и сх

129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

А/сх

130. Коммутируемая Р ком

мощность интегральной микросхемы

Коммутируемая мощ-носз ь

131 Коэффициент пе- Кир редачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи

Uh , Разность между напря-! жением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы

— Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна частоте напряжения синхронизации

— Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы IIа частоте синхро -ни пирующего сигнала

_ Значение мощности, оп

ределяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднее квадра тическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы

_ Отношение абсолютного

значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения

	Буквенное обозначение
Термин	отечест	между	Определение
	венное	народное

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ

132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение низкого уровня

133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение высокого уровня

134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового входа

13,3. Ток утечки ана-лоювого выхода интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового выхода

13G. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток низкого урозня управляющего напряжения

137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения

138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения

£7упр,1

уир.в

ут.вт

ут.вых

вх.н

пх л

SOT.H

^LD

Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него .(них) управляющего напряжения низкого уровня

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них): управляющего напряжения высокого уровня

*CCL

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при пода-' че на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения	^пог.в	/ссн	Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня
140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы Сопротивление в открытом состоянии	Rotk	Ron	Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале
141. Время включения интегральной микросхемы Время включения	^вкл	ton	Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения
142. Время выключения интегральной микросхемы Время выключения	t выкл	tott	Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения
143. Время переключения интегральной микросхемы Время переключения	^нер	^tran	Ин1ервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения
144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе	А	Ud a	Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения
145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Емкость управляющего входа	Свг.упр	Ci	Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через уя-равляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего

Терния

Буквенное обозначение
отечест	между	Определение
венное	народное

146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

вх.ан

147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

вых.ан

148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом

С и ы х/в хан

149 Частота управля- /_унрющего напряжения интегральной микросхемы

Частота управляющего напряжения

150. Коэффициент по- /(_{поя> к}давления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом

С S

Cds

КооГГ

этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального на» пряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

Частота напряжения на управляющем вхо,ц интегральной микросхем ы при заданной с к в а ж и о с; и, при которой значения выходного напряжения ни ого и высокого уровней у ювлстворяют заданным значениям

Отношение переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала между каналами	^Спод	К Don	Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения
152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент передачи по напряжению	Кп	Ки	Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

153. Напряжение i-го 1 Uni источника питания интегральной микросхемы

Напряжение t-ro источника питания

154. Входное напря-ж*ние низкого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение Узкого уровня

155. Входное напря- (у¹жение высокого уровня ^вх

интегральной микросхемы

Входное напряжение высокого уровня

U GGI

и

U in

Напряжение i-ro источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.

Примечание, i — порядковый номер источника. i=l—4

Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
156. Прямое падение напряжения на анти-звонном диоде интегральной микросхемы Прямое падение напряжения на антизвон-ном диоде	1/пр	Усы	Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод
157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение высокого уровня		Уоп
158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение низкого уровня		^OL
159. Ток потребления f-ro источника питания интегральной микросхемы Ток потребления i-ro источника питания	Iпот f	/ СС1	Ток, потребляемый интегральной микросхемой от t-го источника питания в заданном режиме
160. Динамический гок потребления интегральной микросхемы Динамический ток по-тоебления	I пот.двн	/осс	Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения
161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы Входной ток низкого уровня	б’х	Ль	Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы
162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня	б	^1Н	Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхем ы
163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня	бы*	/он	Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы
164. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня		A)L	Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест-	между	Определение
	венное	народное
165. Выходной ток в	7вых.в ыкл	/oz	Выходной ток интеграль
состоянии «Выключено			ной микросхемы с тремя
интегральной микросхе-			состояниями на выходе
мы			при выключенном состоя
Выходной ток в состоянии «Выключено»			нии выхода
166. Выходной ток низ-	/° _	Adzl	Выходной ток в состоя
кого уровня в состоянии	'вых.выкл	Adzl	нии «Выключено» интег
«Выключено» интеграль-			ральной микросхемы при
ной микросхемы			подаче на измеряемый вы
Выходной ток низко-			ход заданного напряжения
го уровня в состоянии «Выключено»			низкого уровня
167. Выходной ток вы-	/'	/ OZ N	Выходной ток в состоя
сокого уровня в состоя-	'вы^.выкл	/ OZ N	нии «Выключено» интег
нии «Выключено» ин-			ральной микросхемы при
тегральной микросхемы			подаче на измеряемый вы
Выходной ток высоко			ход заданного напряжения
го уровня в состоянии «Выключено»			высокого уровня
168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы Ток утечки на входе 169. Ток утечки на выходе интегральной	^УТ.БХ	Ль	Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

	7ут.вЫХ	Лэь	Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при
микросхемы			закрытом состоянии выхо
Ток утечки на выходе			да и заданных режимах на остальных выводах
170. Ток утечки низ	/°	Льь	Ток утечки во входной
кого уровня на входе	¹ ут.вх	Льь	цепи интегральной микро
интегральной микросхе			схемы при входных напря
мы			жениях в диапазоне, соот
Ток утечки низкого			ветствующем низкому уров
уровня на входе			ню, и при заданных режимах на остальных выводах
171. Ток утечки высо	/1	Льн	Ток утечки во входной
кого уровня на входе	'ут.вх	Льн	цепи интегральной микро
интегральной микросхе			схемы при входных на
мы			пряжениях в диапазоне, со
Ток утечки высокого			ответствующем высокому
уровня на входе			уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Буквенное обозначение

Т«рыив

отечест- между-

венное народное

Определение

172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе

ут.вых

173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

Г¹

'ут.вых

174. Потребляемая мощность /-го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая мощность i-го источника пи-

пот<

*oll

Adlh

Ток утечки интег ральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от i-ro источника питания

тания

175. Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении

1,0

176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

,0,1

177. Время выбора интегральной микросхемы

Время выбора

*THL

*TLH

fcs

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения

Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
178 Время сохранения сигнала интегральной микросхемы Время сохранения E. Valid time F. Temps de validation	i сх	t V	Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным
179. Время хранения информации интегральной микросхемы Время хранения информации		fsG	Интервал времени, в течение которого интегральная микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет- информацию
180. Время установления входных сигналов интегральной микросхемы Время установления входных сигналов F. Set-up time F. Temps de preparation	is ст	tsu	Интервал времени между началом сигнала па заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа
181. Время цикла интегральной микросхемы Время цикла F. Cycle time F. Temps de cycle	^ гт	t с г	Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций
182. Время восстановления интегральной микросхемы Время восстановления	tna с	t В ЕС,	Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе интегральной микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла
183. Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы Время задержки распространения при включении	,1,0 ЗД.р	*PHL	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения
184. Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы Время задержки распространения при выключении.	,0,1 зд.р	*PLH	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого

	Буквенное обозначение
Термин	отечест-	между	Определение
	венное	народное
	зд		уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения
185. Время задержки		*DHL	Интервал времени между
включения интегральной			входным и выходным им
микросхемы			пульсами при переходе на
Время задержки вклю-			пряжения на выходе ин
чення			тегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого
			уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных
			значениях напряжения
186. Время задержки	/>.1 зд	*DLH	Интервал времени между
выключения интеграль-	/>.1 зд	*DLH	входным и выходным им
ной микросхемы			пульсами при переходе на
Время задержки вы-			пряжения на выходе ин
включения			тегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения
187. Длительность сиг	т	tw	Интервал времени меж
нала интегральной мик			ду заданными контрольны
росхемы			ми точками по фронтам им
Длительность сигнала			пульса интегральной микросхемы
188. Длительность сиг	т°	*WL	Интервал времени от мо
нала низкого уровня ин		*WL	мента перехода сигнала ин
тегральной микросхемы			тегральной микросхемы из
Длительность сигнала			состояния высокого уровня
низкого уровня			в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения
189. Длительность сиг	т¹	^тгн	Интервал времени от мо
нала высокого уровня			мента перехода сигнала ин
интегральной микросхе			тегральной микросхемы из
мы			состояния низкого уровня
Длительность сигнала			в состояние высокого уров
высокого уровня			ня до момента перехода его из состояния высокого
			уровня в состояние низкого уровня, измеренный на
			заданном уровне напряжения

Продолжение табл. 1

	Буквенное	обозначение
Термшг	отечест венное	между народное	Определение
190. Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Частота следования импульсов тактовых сигналов	и	fc
191. Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Период следования импульсов тактовых сигналов	к	Тс	Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения
192. Помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы Пом ехоустончивость при низком уровне сигнала	и⁰ ^пом		Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы
193. Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала	и^х пом	Мп	Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напря же-нием высокого уровня интегральной микросхемы
] 94. Емкость входа/ выхода интегральной микросхемы Емкость входа/выхода	Пгх/в Ы X	С\/о	Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ

195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

и¹ _п	£/отн
пор.вых

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

Буквенное обозначение

Термин

отечест- между-

венное народное

Выходное пороговое напряжение высокого уровня

196. Выходное поро- /у⁰

'-'пор.вых

говое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение низкого уровня

197'. Входное порого- f/¹

вое напряжение высоко- ^110р‘^вхго уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение высокого уровня

ел

OTL

Ui тн

198. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение низкого уровня

и\

пор.вх

UITL

199. Входное напря- и_ах.бл жение блокировки интегральной микросхемы

Входное напряжение блокировки

200. Входной пробив- /вх.прб ной ток интегральной микросхемы

Входной пробивной ток

I IB

201. Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

^CCL

Определение

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

Наименьшее значение напряжения высокого урозня на входе и нтегр а ль ной

микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

Наибольшее значение напряжения низкого урозня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в Другое

Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока

Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня

Продолжение габл. /

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения высокого уровня	/1 пот	Л:сн V	Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого урозня
203. Средний ток потребления интегральной микросхемы Средний ток потребления	^ пот.ср	** CCA V	Ток, равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух разлив, :лх устойчивых со-сюяппях
204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы Средняя потребляемая мощность	Р пот.ср	Р CCAV	Мощность, равная полусумме мощностей, потребляем ых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состожтиях
205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы Среднее время задержки распространения	^ЗД.р.СР	^РА V	Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы
206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»	зд.р		Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»
207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»	,0, 3 *зд.р	*PLZ	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»
208. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня	/3,1 зд.р	^FZH	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
209. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня	/3,0 *зд.р	*PZL	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня
210. Рабочая частота интегральной микросхемы Рабочая частота	/	/	Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на в ыходе обеспечиваются заданные уровни напряжений
211. Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы Коэффициент разветвления по выходу	К раз	N	Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы. Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем
212. Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы Коэффициент объединения по входу	Коб	Ni	Число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

213. Напряжение инжектора при задам ном токе инжектора интегральной микросхемы

I Ешряженис инжектора при заданном токе инжектора

инж

и о

Буквенное обозначение

Термин

214. Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение низкого уровня

215. Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Максимальное входное напряжение высокого уровня

216 Минимальное

входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напр я жение низкого уровня

217, Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Минимальное входное напряжение высокого уровня

218, Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение низкого уровня

249. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

.Минимальное выходное напряжение высокого уровня

220,. Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток инжектора

отечест	между
венное	народное

Определение

£7°

^ вх шах

и.

вх max

и:

вх min

и

вх min

иых max

и

ьых min

НИ Ш

^ILmax

max

и

ILmin

III m in

OLmax

О II min

/ G

Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы

Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Н а им еныцее положитель-ное или наибольшее Ътри-цательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток птребленпя в состоянии «Выключено»

/пот.в ы к л

/ CCZ

Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Термин используют для схем с тремя сос i ояниямл на выходе

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы

Напряжение питания в режиме хранения

223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации

224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уроаня сигнала входной информации

226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации

Un.x

II V ,и

вх.п

и

ВХ-И

и

В Ы1.И

П ccs

Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы

Udi

DIL

U DIH

Пло

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее

ввод информации в интегральную микросхему

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации	и⁰	^DOL	Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню
228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение в ысокого уровня сигнала выходной информации	вых.и	U vo я г 1	Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню
229 Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение сигнала записи	Н зп	U wn k\vRL	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входб сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему
230 Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной' микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала записи	и°_за	U wn k\vRL	Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему
231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала записи		U WRH	Наименьшее значение напряжения высокого уровня иа входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему
232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания	и _сч	J/RD	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы
233. Капряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала считывания	сг° сч	^RDL	Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала считывания	^сч	£7rdh	Наименьшее значение напряжения высо] ого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы
235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала разрешения		£/се	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции
236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала разрешения		^CEL	Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции
237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала разрешения	ф	П с Е Н	Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции
238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение сигнала адреса	П_а	U_A	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы
239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала адреса	Ul	^AL	Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин-гегр альной микросхем ы
240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала адреса		Пап	Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест-	между	Определение
	венное	народное
241. Напряжение сиг-	^зп/сч	WWR/RD	Наибольшее или наимень
нала запись-считывание	^зп/сч		шее значение напряжения
интегральной микросхе-			на выводе сигнала запись-
мы			считывание интегральной
Напряжение сигнала			микросхемы, обеспечиваю
запись-считывание			щее выполнение функции
		^WR/RDL	записи или считывания
242. Напряжение низ-	£7° зп/сч		Наибольшее значение на
кого уровня сигнала за-	£7° зп/сч		пряжения на выводе сигна
пись-считывание интег-			ла запись-считывание ин
ральной микросхемы			тегральной микросхемы.
Напряжение низкого			обеспечивающее выполнение
уровня сигнала запись-			функции записи или считы
считывание			вания
243. Напряжение высо-	и¹ ^ зп/сч	^WR/RDH	Наименьшее значение на
кого уровня сигнала за-	и¹ ^ зп/сч	^WR/RDH	пряжения высокого уровня
пись-считывание интег-			на выводе сигнала запись-
ральной микросхемы			считывание интегральной
Напряжение высокого			микросхемы, обеспечиваю
уровня сигнала запись-			щее выполнение функции
считывание			записи или считывания
244. Напряжение сиг		Ucs	Наибольшее или наимень
нала выбора интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора 245. Напряжение низ			шее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы
		^CSL	Наибольшее значение на
кого уровня сигнала выбора интегральной мик	в.м	^CSL	пряжения низкого уровня на входе сигнала выбора
росхемы			интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала выбора
246. Напряжение вы	и\ _м	f/cSH	Наименьшее значение на
сокого уровня сигнала			пряжения высокого уровня
выбора интегральной			на входе сигнала выбора
микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора			интегральной микросхемы
247. Напряжение так	Uj	Uc	Наибольшее или наимень
тового сигнала интег			шее значение напряжения
ральной микросхемы			на входе тактового сигнала,
Напряжение тактового			обеспечивающее работу ин
сигнала			тегральной микросхемы в определенный интервал времени

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса столбцов	^■в.а.к	&СА$	Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы
249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов	Д°.а._К	^UC ASL	Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхем ы, соответствующее низкому уровню
250 Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов		k^rC ASH	Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню
251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение сигнала зыбора адреса строк	^в.а.с	Un AS	Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы
252 Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк	^е.а.с	ASL	Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню
253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк	^.а.с	f^RASH	Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню
254 Напряжение сиг-зала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания	U ОТ	f^ERA	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала «стирание» интегральной микросхем ы, обеспечивающее стирание информации

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы Напряжение сигнала программирования	U пр	U рн	Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сшнала программирования ин гегра дь-ной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием
256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы Ток потребления в режиме хранения	/пот.хр	/ CCS	Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации
257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток сигнала входной информации	/вх.и	IDI	Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы
258. Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала входной информации	/° ^JBX.H	^DIL	Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню
259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток высокого уровня входной информации	/¹ ^л в ч, и	/шн	Ток в непи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню
260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток сигнала выходной информации	7в ы х,и	/do	Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы
261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала выходной информации	/° -*ВЫХ.И	^DO	Ток в цепи сш нала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низком у уровню
262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интег раль-ной микросхемы	/1 ¹ вых.и	/ DOH	Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

Буквенное обозначение

Термин

Ток высокого уровня сигнала выходной информации

263. Ток сигнала записи интегральной микросхемы

Ток сигнала записи

264. Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

Ток сигнала считывания

265. Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

Ток сигнала адреса

266. Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Ток сигнала запись-считывание

267. Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора

268. Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня по входу выбора

269. Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня по входу выбора

270. Ток сигнала разрешения интегральной

микросхемы

Ток сигнала разрешения

271. Ток сигнала стирания интегральной

микросхемы

Ток сигнала стирания

272. Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

Ток тактового сигнала

отечест- между-

венное народное

Определение

I зп	/WR	Ток в цепи сигнала записи интегральной микросхемы
/ СП	/ri>	Ток в цепи сигнала считывания интегральной микросхемы
/а	/а	Ток в цепи сигнала адреса интегральной микросхемы
^Зц/сч	^WR/RD	Ток в цепи сигнала запись-считывание интегральной микросхемы в заданном режиме
/в.м	/с S	Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы
/° 'в.м	^CSL	Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню
П.и	/csh	Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню
	/се	Ток в цепи сигнала разрешения интегральной микросхемы
/сгр	/era	Ток в цепи сигнала стирания интегральной микросхемы
и	/с	Ток в цепи импульсного

питания интегральной микросхемы динамических запоминающих устройств

Продолжение табл. 1

	Буквенное обозначение
Термин	отечест венное	между народное	Определение
273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интеграл ьной микросхемы Ток сигнала выбора адреса столбцов	/в.а.к	/ GAS	Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы
274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса строк	7в.а.е	/К AS	Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы
275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы Динамическая потребляемая мощность	Р пот,дин	Fcco	Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме
276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы Потребляемая мощность в режиме хранения	Р по т,хр	Fees	Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания
277. Время выборки интегральной микросхемы Время выборки E. Access time F. Temps d’acces		*A	Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы
278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы Время удержания E. Hold time F. Temps de maintien	/ у		Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа
279. Время цикла записи информации интегральной микросхемы Время записи информации	^ЗП	tc Y W	Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации
280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы Время считывания		^CTR	Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

281. Время регенерации интегральной микросхемы

Время регенерации

E, Refresh lime interval

F. Intervatle de temps de rafraichissement

^рег

t REP

Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения

Таблица %

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Термин	Номер термина
Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе ин-	144
тегральной микросхемы	144
Время включения	141
Время включения интегральной микросхемы	141
Время выключения	142
Время выключения интегральной микросхемы	142
Время восстановления	182
Время восстановления интегральной микросхемы	182
Время восстановления по напряжению Время восстановления по напряжению интегральной микро-	114
схемы	114
Время восстановления по току	115
Время восстановления по току интегральной микросхемы	115
Время выбора	177
Время выбора интегральной микросхемы	177
Время выборки	277
Время выборки интегральной микросхемы	277
Время готовности	113
Время готовности интегральной микросхемы	113
Время задержки включения	185
Время задержки включения интегральной микросхемы	185
Время задержки выключения	186
Время задержки выключения интегральной микросхемы	186
Время задержки	6jQ
Время задержки импульса интегральной микросхемы Время задержки распространения интегральной микросхемы	60
среднее	205
Время задержки распространения при включении Время задержки распространения при включении интеграль	183
ной микросхемы	183
Время задержки распространения при выключении Время задержки распространения при выключении литераль	184
ной микросхемы Время задержки распространения при переходе из состояния	184
«Выключено» в состояние низкого уровня Время Задержки распространения при переходе из состояния	209
«Выключено» в состояние высокого уровня Время задержки распространения при переходе из состояния	208
высокого уровня в состояние «Выключено» Время задержки распространения при переходе из состояния	206
низкого уровня в состояние «Выключено»	207
Время задержки распространения среднее	205
Время записи информации	279
Время нарастания сигнала	30
Время нарастания сигнала интегральной микросхемы	30
Время переключения	143
Время переключения интегральной микросхемы	143

Термин

Номер термина

Время перехода при включении

Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время регенерации

Время регенерации интегральной микросхемы

Время сохранения

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время считывания Время удержания

Время удержания интегральной микросхемы

Время успокоения

Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

Время успокоения выходного напряжения интегральной мик

росхемы

Время установления входных сигналов

Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

Время хранения информации

Время хранения информации интегральной микросхемы

Время цикла

Время цикла записи информации интегральной микросхемы Время цикла интегральной микросхемы

Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

Диапазон входных напряжений

Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы Диапазон значений параметра /Диапазон значений параметра допустимый Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый

Диапазон по напряжению динамический

Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока

175

176 176 284 Ш 178 178

'31

2В0

278

'59

159

8-5

180

179

181

279

181

230

107

Продолжение табл. 2

Термин	Номер термина
Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интег-
ральной микросхемы	9\|7
Длительность сигнала	187
Длительность сигнала высокого уровня	189
Длительность сигнала высокого уровня интегральной микро*
схемы	189
Длительность сигнала интегральной микросхемы	187
Длительность сигнала низкого уровня	188
Длительность сигнала низкого уровня интегральной микро
схемы	188
Длительность спада входного сигнала	33
Длительность спада входного сигнала интегральной микро
схемы	33
Длительность фронта входного сигнала	32
Длительность фронта входного сигнала интегральной микро
схемы	32
Дрейф выходного напряжения	124
Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы	124

Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкое ь вчода/выхода

Емкость входа/выхода интегральной микросхемы

125

116

146

147 147 194 194

Емкость входная Емкость выходная

Емкость интегральной микросхемы входная Емкость интегральной микросхемы выходная

Емкость нагрузки

Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом Емкость между аналоговыми выходом и входом интегрзльном микросхемы

Емкость управляющего входа

Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Знамение параметра интегральном микросхемы максимальное Значение параметра интегральной микросхемы минимальное Значение параметра интегральной микросхемы номинальное

Значение параметра максимальное ЗначсЕше параметра минимальное Значение параметра номинальное

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Коэффициент входного тока временной

Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной

27 23 29 29 1 Ш

148

145

И)

термин	Номер термина
Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы тем-
пературный	126
Коэффициент выходного тока температурный	126
Коэффициент гармоник	68
Коэффициент гармоник интегральной микросхемы	68
Коэффициент деления частоты	74
Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы	74
Коэффициент интермодуляционных искажений Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной	102
микросхемы	102
Коэффициент напряжения смещения нуля временной Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной мик-	89
росхемы временной	89
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики ин-	99
тегральной микросхемы Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной харак-	99
теристики интегральной микросхемы	100
Коэффициент неравномерности АЧХ	100
Коэффициент объединения по входу	212
Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы	212
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений	65
интегральной микросхемы Коэффициент параметра интегральной микросхемы темпера	65
турный	8
Коэффициент параметра температурный	8
Коэффициент передачи	131
Коэффициент передачи интегральной микросхемы	131
Коэффициент передачи по напряжению Коэффициент передачи по напряжению интегральной микро	15-2
схемы	132
Коэффициент подавления сигнала между каналами Коэффициент подавления сигнала между каналами интег	151
ральной микросхемы	151
Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом ки	150
те! ральной микросхемы	150
Коэффициент полезного действия	мЧ
Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной харак	103
теристики интегральной микросхемы	71
Коэффициент прямоугольности АЧХ	71
Коэффициент пульсаций	72
Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы	72
Коэффициент разветвления по выходу Коэффициент разветвления по выходу интегральной микро	211
схемы	211
Коэффициент разделения каналов	вб
Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы	86
Коэффициент разности входных токов временной	88

Продолжение табл, 2

Термин	Номер термина
Коэффициент разности входных токов интегральной микро-	88
схемы временной	88
Коэффициент сглаживания пульсаций^ Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микро-	123
схемы	123
Коэффициент стабилизации входного напряжения Коэффициент стабилизации входного напряжения интеграль-	Г21
ной микросхемы	121
Коэффициент стабилизации нагрузки Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микро-	122
схемы	122
Коэффициент умножения частоты	73
Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напря-	73
жению Коэффициент усиления дифференциального сигнала по на-	67
пряжению интегральной микросхемы	67
Коэффициент усиления мощности	63
Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы	63
Коэффициент усиления напряжения Коэффициент усиления напряжения интегральной микро	61
схемы	61
Коэффициент усиления синфазных входных напряжений Коэффициент усиления синфазных входных напряжений ин	64
тегральной микросхемы	64
Коэффициент усиления тока	62
Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы	62
Коэффициент шума	101
Коэффициент шума интегральной микросхемы	101
Крутизна преобразования	75
Крутизна преобразования интегральной микросхемы	75
Крутизна проходной характеристики Крутизна проходной характеристики интегральной микро	104
схемы Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы по	104
требляемая	276
Мощность в режиме хранения потребляемая	276
Мощность выходная	47
Мошность интегральной микросхемы выходная	47
Мощность интегральной микросхемы коммутируемая	130
Мощность интегральной микросхемы потребляемая Мощность интегральной микросхемы потребляемая динами	22
ческая	275
Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя	204
Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая Мощность i-го источника питания интегральной микросхемы	[23
потребляемая	174
Мощность /-го источника питания потребляемая	174
Мощность коммутируемая	130
Мощность потребляемая	22
Мощность потребляемая динамическая	275

Термин	Номер термина
Мощность потребляемая средняя	204
Мощность рассеиваемая Напряжение автоматической регулировки усиления интеграль-	23
ной микросхемы	91
Напряжение АРУ	Ш
Напряжение блокировки входное	190
Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное	199
Напряжение входное	13
Напряжение высокого уровня входное	155
Напряжение высокого уровня входное максимальное	215
Напряжение высокого уровня входное минимальное	217
Напряжение высокого уровня выходное	157
Напряжение высокого уровня выходное минимальное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы	219
входное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вход-	155
ное максимальное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вход-	215
ное минимальное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вы-	217
ходное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы вы	157
ходное минимальное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы по	219
роговое сходное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы поро	1S7
говое выходное Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы уп	195
равляющее	133
Напряжение высокого уровня пороговое входное	197
Напряжение высокого уровня пороговое выходное	195
Напряжение высокого уровня сигнала адреса Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной	240
микросхемы	21C
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации Напряжение высокого уровня сигнала входной информации	225
интегральной микросхемы	225
Напряжение высокого уровня сигнала выбора Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столб	246
цов Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столб	250
цов интегральной микросхемы	250
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк	253 {“V г* л
интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной	253 л 1 П
микросхемы	246
Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации	22*8
интегральной микросхемы	228

Продолжение табл. 2

Термин	Номер термина
Напряжение высокого уровня сигнала записи Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной	231
микросхемы	231
Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание ин-	243
тегральной схемы	243
Напряжение высокого уровня сигнала разрешения Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интеграль-	237
ной микросхемы	237
Напряжение высокого уровня сигнала считывания Напряжение высокого уровня сигнала считывания интеграль-	234
ной микросхемы	234
Напряжение высокого уровня управляющее	133
Напряжение выходное	14
Напряжение выходное максимальное	76
Напряжение гистерезиса	127
Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы Напряжение задержки автоматической регулировки усиления	127
интегральной микросхемы	92
Напряжение задержки АРУ	92
Напряжение инжектора при заданном токе инжектора Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интег	213
ральной микросхемы	213
Напряжение интегральной микросхемы входное	13
Напряжение интегральной микросхемы выходное Напряжение интегральной микросхемы выходное максималь	14
ное	76
Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое	37
Напряжение интегральной микросхемы опорное	109
Напряжение интегральной микросхемы остаточное	43
Напряжение i-ro источника питания Напряжение г'-го источника питания интегральной микро	153
схемы	153
Напряжение коммутируемое	37
Напряжение низкого уровня входное	154
Напряжение низкого уровня входное максимальное	24 4
Напряжение низкого уровня входное минимальное	216
Напряжение низкого уровня выходное	158
Напряжение низкого уровня выходное максимальное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход	218
ное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход	154
ное максимальное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вход	21 4
ное минимальное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вы	216
ходное Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы вы	158
ходное максимальное	218

Термин	Номер термина
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы поре-
говое входное	198
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы поро-
говое выходное	'19-6
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы уп-
равляющее	132
Напряжение низкого уровня пороговое входное	198
Напряжение низкого уровня пороговое выходное	196
Напряжение низкого уровня сигнала адреса	239
Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной
микросхемы	239
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации	294
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации
интегральной микросхемы	224
Напряжение низкого уровня сигнала выбора	245
Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной
микросхемы	245
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столб-
цов	249
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столб-
цов интегральной микросхемы	249
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк	252
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк
интегральной микросхемы	252
Напряжение низкого уровня сигнала выхолной информации	227
Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации
интегральной микросхемы	227
Напряжение низкого уровня сигнала записи	230
Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной
микросхемы	230
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание	242
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание ин
тегральной микросхемы	242
Напряжение низкого уровня сигнала разрешения	236
Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интеграль
ной микросхемы	236
Напряжение низкого уровня сигнала считывания	233
Напряжение низкого уровня сигнала считывания интеграль
ной микросхемы	233
Напряжение низкого уровня управляющее	132
Напряжение ограничения входное	42
Напряжение ограничения интегральной микросхемы входное	42
Напряжение опорное	109
Напряжение остаточное	43
Напряжение отпускания	116
Напряжение отпускания интегральной микросхемы	16
Напряжение питания	12
Напряжение питания в режиме хранения	222
Напряжение питания в режиме хранения интегральной мик
росхемы	222

Продолжение табл. 2

Термин	Номер repiv ина
Напряжение питания интегральной микросхемы	12
Напряжение покоя входное	35
Напряжение покоя выходное	36
Напряжение покоя интегральной микросхемы входное	35
Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное	36
Напряжение пульсаций источника питания Напряжение пульсаций источника питания интегральной мик-	93
росхемы	93
Напряжение сигнала адреса	2'38
Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы	238
Напряжение сигнала входной информации Напряжение сигнала входной информации интегральной мик-	223
росхемы	22Э
Напряжение сигнала выбора	244
Напряжение сш нала выбора адреса столбцов Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной	248
микросхемы	‘248
Напряжение сигнала выбора адреса строк Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной мик-	251
росхемы	251
Напряжение сигнала выбора инте1ральной микросхемы	244
Напряжение сигнала выходной информации Напряжение сигнала выходной информации интегральной	226
микросхемы	226
Напряжение сигнала записи	229
Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы	229
Напряжение сигнала запись-считывание Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микро	241
схемы	241
Напряжение сигнала программирования Напряжение сигнала программирования интегральной микро	255
схемы	255
Напряжение сигнала разрешения	235
Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы	235
Напряжение сигнала стирания	254
Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы	254
Напряжение сигнала считывания	232
Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы	232
Напряжение синхронизации	128
Напряжение синхронизации интегральной микросхемы	126
Напряжение смещения нуля	38
Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы	38
Напряжение срабатывания	15
Напряжение срабатывания интегральной микросхемы	15
Напряжение считывания обратной связи Напряжение считывания обратной связи интегральной микро	198
схемы	108
Напряжение тактового сигнала	247
Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы	247
Напряжение управления	7

Термин	Номер термина
Напряжение управления интегральной микросхемы	7
Напряжение шума	77
Напряжение шума интегральной микросхемы	77
Напряжение шума интегральной микросхемы аффективное	78
Напряжение шума на выходе	39
Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы	39
Напряженке шума, приведенное ко входу Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной мик-	40
росхемы	40
Напряжение шума эффективное	7 Я
Напряжения входные синфазные	41
Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные	41
Нес обильность параметра	9
Нестабильность параметра интегральной микросхемы	0
Нестабильность по нагрузке	120
Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы	120
Нестабильность по напряжению	118
Нестабильность по напряжению взаимная	116
Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы	118
взаимная	116
Нестабильность по току	119
Нестабильность по току взаимная	117
Нестабильность по току интегральной микросхемы	119
Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная	117
Отклонение параметра	г и
Отклонение параметра интегральной микросхемы Отклонение параметра интегральной микросхемы относи	5
тельное	\|6
Отклонение параметра относительное	(5
Отношение сигнал/шум	105
Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы	105
Падение напряжения	ПО
Паление напряжения минимальное Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной	111
микросхемы прямое	156
Падение напряжения на антизвонном диоде прямое	156
Падение напряжения на интегральной микросхеме Падение напряжения на интегральной микросхеме минималь	ПО
ное	111
Параметр	1
Параметр интегральной микросхемы	1
Период следования импульсов тактовых сигналов Период следования импульсов тактовых сигналов интеграль	191
ной микросхемы	191
Полоса единичного усиления	56
Полоса задерживания	53
Полоса задерживания интегральной микросхемы	53
Полоса захвата синхронизации	129
Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы	129

Продолжение табл. 2

Термин	Номер термина
Полоса пропускания	52
Полоса пропускания интегральной микросхемы	52
Помехоустойчивость при высоком уровне Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной мик-	193
росхемы	193
Помехоустойчивость при низком уровне Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микро-	192
схемы	192
Размах шума	79
Размах шума интегральной микросхемы	79
Разность входных токов	44
Разность входных токов интегральной микросхемы	44
Сдвиг интегральной микросхемы фазовый	106
Сдвиг фаз	106
Сдвиг фазовый Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нор	106
мированная	80
Скоросгь нарастания выходного напряжения Скорость нарастания выходного напряжения интегральной	70
микросхемы Скорость нарастания выходного напряжения интегральной	70
микросхемы максимальная	82
Скорость нарастания выходного напряжения максимальная	82
Скорость отслеживания	70
Сопротивление в открытом состоянии Сопротивление в открытом состоянии интегральной микро	140
схемы	140
Сопротивление входное	24
Сопротивление выходное	25
Сопротивление интегральной микросхемы входное	24
Сопротивление интегральной микросхемы выходное	,25
Сопротивление нагрузки	26
Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы Ток автоматической регулировки усиления интегральной мик	26
росхемы	94
Ток АРУ	94
Ток в состоянии «Выключено» выходной Ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы вы	165
ходной	165
Ток входной	17
Ток входной пробивной	200

Ток входной средний

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» интегральной

микросхемы выходной

Ток высокого уровня входной

Ток высокого уровня выходной

Ток высокого уровня интегральной микросхемы входной

Ток высокого уровня интегральной микросхемы выходной

Ток высокого уровня по входу выбора

167

1 07 162 163 1>62 163 269

Термин

Номер термина

Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала входной информации Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала выходной информации Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня управляющего напряжения входной Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной

Ток выходной Ток инжектора

Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток интегральной микросхемы входной

Ток интегральной микросхемы входной пробивной

Ток интегральной микросхемы входной средний

Ток интегральной микросхемы выходной

Ток интегральной микросхемы коммутируемый

Ток коммутируемый

Ток короткого замыкания

Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной

Ток низкого уровня входной

Ток низкого уровня выходной

Ток низкого уровня интегральной микросхемы входной

Ток низкого уровня интегральной микросхемы выходной

Ток низкого уровня по входу выбора

Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня управляющего напряжения входной Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной

Ток ПОфЛблПШЯ

Ток потребления в режиме хранения

Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии «Выключено»

Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

269

259

262

137

220

17 200

46 46 21 21

166

166 161 164 1Ы 164 268

268

258

268

261

136

256

2-56

221

202

Продолжение табл. 2

Термин		Номер термина
■ — — ----——---^--- Ток потребления выходного напряжения высокого уровня ин-
тегральной микросхемы	202
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня	201
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня мн-
тегральной микросхемы	201
Ток потребления динамический	160
Ток потребления интегральной микросхемы	20
Ток потребления интегральной микросхемы динамический	'160
Ток потребления i-ro источника питания	150
Ток потребления i-го источника питания интегральной микро-
схемы	159
Ток потребления при высоком уровне управляющего напря-
жения	159
Ток потребления при высоком уровне управляющего напря-
жения интегральной микросхемы	1Э9
Ток потребления при низком уровне управляющего на пряже-
ния	138
Ток потребления при низком уровне управляющего напряже-
ния интегральной микросхемы	138
Ток потребления средний	203
Ток потребления интегральной микросхемы средний	203
Ток сигнала адреса	265
Ток сигнала адреса интегральной микросхемы	265
Ток сигнала выбора	267
Ток сигнала выбора интегральной микросхемы	267
Ток сигнала выбора адреса столбцов	273
Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микро
схемы	273
Ток сигнала выбора адреса строк	274
Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы	274
Ток сигнала входной информации	257
Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы	257
Ток сигнала выходной информации	260
Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы	260
Ток сигнала записи	263
Ток сигнала записи интегральной микросхемы	263
Ток сигнала запись-считывание	266
Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы	266
Ток сигнала разрешения	570
Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы	570
Ток сигнала стирания	271
Ток сигнала стирания интегральной микросхемы	271
Ток сигнала считывания	264
Ток сигнала считывания интегральной микросхемы	261
Ток тактового сигнала	272
Ток тактового сигнала интегральной микросхемы	272
Ток управления	7
Ток управления интегральной микросхемы	7
Ток утечки	19
Ток утечки аналогового входа	134

Термин	Номер термине
Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы	134
Ток утечки аналогового выхода	135
Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы	135
Ток у 1 очки высокого уровня на входе Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микро-	171
схемы	171
Ток утечки высокого уровня на выходе Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микро-	173
схемы	173
Ток утечки интегральной микросхемы	19
Гок утечки на входе	168
Ток утечки на входе интегральной микросхемы	168
Ток утечки на выходе	169
Ток утечки на выходе интегральной микросхемы	169
Ток угечки низкого уровня на входе Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхе-	170
мы	170
Ток утечки низкого уровня па выходе Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микро-	172
схемы	172
Ток холостого хода	112
Ток холостою хода интегральной микросхемы	112
Ток шума нормированный	81
Ток шума интегральной микросхемы нормированный	81
Частота входного сигнала	57
Частота входного сигнала интегральной микросхемы	57
Частота генерирования	58
Частота генерирования интегральной микросхемы	5'8
Частота единичного усиления	(56
Частота единичного усиления интегральной микросхемы	56
Частота интегральной микросхемы рабочая	210
Частота квазирезонанса	96
Частота квазирезонанса интегральной микросхемы	96
Частота коммутации	50
Частота коммутации интегральной микросхемы	50
Частота полной мощности	84
Частота полной мощности интегральной микросхемы	84
Частота полосы задерживания верхняя Частота полосы задерживания интегральной микросхемы	55
верхняя Частота полосы задерживания интегральной микросхемы	55
нижняя	54
Частота полосы задерживания нижняя	54
Частота полосы пропускания граничная верхняя	49
Частота полосы пропускания граничная нижняя Частота полосы пропускания интегральной микросхемы гра	48
ничная верхняя Частота полосы пропускания интегральной микросхемы гра	49
ничная нижняя	48

Продолжение табл. 2

Термин	Номер термина
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы цент-
ральная	51
Частота полосы пропускания центральная	51
Частота рабочая	210
Частота резонанса	95
Частота резонанса интегральной микросхемы	95
Частота следования импульсов тактовых сигналов	190
Частота следования импульсов тактовых сигналов интеграль
ной микросхемы	190
Часюта среза	t83
Частота среза интегральной микросхемы	83
Частота управляющего напряжения	149
Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы	149
Чувствительность	31
Чувствительность интегральной микросхемы	34
ЭДС шума нормированная	80

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ

НА английском языке	Таблица 3
Термин	Номер термина
Access time Common-mode rejection ratio Common-mode voltage amplification Cycle time Delay time Differential-mode voltage amplification Fall time Feedback sense voltage Frequency of unity (open loop) amplification Hold time	277 ©5 64 181 60 67 31 108 56 278
Input offset voltage Input stabilization coefficient Input transient current recovery time Input transient voltage recovery time Input voltage operating range Load stabilization coefficient Open-loop cut-off freguency Output current drift Output noise voltage Output voltage drift Output voltage operating range Reference voltage Refresh time interval Ripple rejection ratio Ripple time Rise time Set-up time Short-circuit current Valid time	38 121 115 114 ЭД И122 № 125 39 124 107 109 281 123 59 30 180 21 178

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4

Термин

Номер термина

Amplification en tension en mode commun

Amplification en tension en mode differentiel

Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree

Courant de court-circuit

Derive de la tension de sortie

Derive du courant de sortie

Domaine de fonctionnement de la tension d’entree

Domaine de fonctionnement de la tension de sortie

Frequence de coupure en boucle ouverte

Frequence pour l’amplification unite

Intervalle de temps de rafraichissement

Taux de rejection en mode commun

Taux de rejection de Tondulation residuelle

Temps a’acces

Temps de croissance

Temps de cycle

Temps de decroissance

Temps de delai

Temps de maintien

Temps de preparation

Temps de recoupment de la tension transitoire a Tentree

Temps de recouvrement du courant transitoire a l’entree

Temps de vacillement

Temps de validation

Tension de bruit en sortie

Tension de decalage

Tension de lecture de contre-reaction

Tension de reference

*67

12»2

121

.124

125

9;0

Ш7

281

^J65

123

277 30

131

278 180

114

115 59

178 39 38 1Q8 109

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

I. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: X_yi_{; Z}j*,

где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;

у, z — подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл, 5; i, j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, З...п, где п — число входов и (или) выходов.

При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: Х_у^ _г\ X_yl; Х_у; X.

Таблица 5

	Обозначение
Наименование направления перехода сигнала	отечественное	международное
Для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня	01	LH
Для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня	10	HL

* Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.

Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: /_А (вс—DE)F,

где t_A — вид временного параметра;

i—порядковый номер параметра (1,2...л);

В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6, состояние которого изменяется первым;

С — направление перехода сигнала В;

D — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 6„ состояние которого изменяется последним, т. е. в конце временного интервала;

Е — направление перехода сигнала D;

F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 9.

Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл, 5.

При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала С и Е опускать.

Таблица 5

	Обозначение
Наименование сигнала	отечественное	международное

СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

1. Адрес	а	А
2. Выбор микросхемы	в.м	CS
3. Запись	зп	WR
4. Считывание (чтение)	сч	RD
5. Тактовый	т	С
6. Разрешение	р	СЕ
7. Запись-считывание	зп.сч	IVR/RD
8. Адрес-данные	а.Д	AD

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

9. Авария источника питания

10. Авария сети питания 11 Арифметический сдвиг

12. Асинхронный

13. Вектор

14. Внешний

15. Вывод для подключения кварцевого резонатора

16. Выход

17. Вход

18. Блокировка

19. Ведомый

20. Ведущий

21. Восстановление

22. Вычитание

23. Генерация

24. Готовность

25. Графический символ

26. Данные

27. Деление

28. Декремент 1

29. Декремент 2

30. Доступ Л. Запрос

32. Заем

33. Зависание

34. Задатчик

35. Захват

36. Знак

37. Инкремент 1

38. Инкремент 2

39. Инкремент 1/Декремент 1

40. Исполнитель

а.и.п	PSB
а.с.п	PNB
а.с.д	AS
асх	ASYN
вс	REC
вн	EXT
К1	BQ1
К2	BQ2
вых	О
вх	1
б л	DE
вдм	SY
вдщ	MS
ВС	REC
вч	SUB
ги	GEN
гт	RA
ГС	GRS
д	D
дл	DIV
— 1	DEC1
—2	DEC2
дс	AC
зпр	RQ
зм	BR
звс	HG
зд	DR
зх	TR
зн	SI
+ 1	ШС1
+ 2	INC2
+ i;-i	INC 1/DEC 1
И СП	PF

Наименование сигнала

41. Инсфукция (команда)

42. Канал (шина)

43. Канал занят

44. Квитирование

45. Конец 46 Код

47. Логический сдвиг

48. Логическая операция

49. Маркер

50. Маскирование

54. Микрооперация

52. Микрокоманда

53. Младший

54. Множитель

55. Множимое

56. Максимальный

57. Минимальный

58. Начало исполнения команды

59. Начало исполнения микрокоманды

60. Немаскируемое прерывание

61. Нуль

62. Ожидание

63. Останов

64 Обратный ход

65. Операция

66. Ответ

67. Ошибка

68. Перенос

69. Переполнение

70. Передача

71. Подтверждение

72. Прямой доступ к памяти

73. Повтор

74. Продолжение

75. Предварительный заряд

76. Приоритет

77. Прием

78. Прерывание

79. Пуск

80. Порт

81. Расширение

62. Распространение переноса

83. Равенство нулю

84. Регистр команд 6'5, Режим

86. Регистр микрокоманд

87. Результат

88. Сброс

89. Сдвиг

Продолжение табл. 6

Обозначение

отечественное

КМ

КН

к. зт кв

код

л. с л.о мр мс

МОП

мк

мл

мнж

мже

max

min

нк

н.мк

н.пр

пул

жд

ост

об.х

оп

отв

ОШ

ПС

пп II ч

П.Д.П

пвт

прд

п. з пт пм пр пск п

рш

рпс

р. н р.к реж р.мк рез сбр СД

международное

INS

BUSY

АК

END

CODE

LSH

LOP

MOP

MINS

LSB

MPLX

MPLY

STINS

NMKINR

NMK

HLT

RVM

ACK

DMA

PSH

INR

SPCR

RGINS

RGMINS

Продолжение табл. 6

	Обозначение
Наименование сигнала
	отечественное	международное
90. Сдвиг влево	сд.л	SHL
91. Сдвиг вправо	сд.п	SHR
92. Синхронизация	с	SYN
93. Состояние	сс	SA
94 Строб	ст	ST
95. Сложение	сл	SM
96. Строка	стр	R
97. Следующий	сдд	NEXT
98. Стек	ск	SK
99. Старший	ср	MSB
100. Средний	сд	ML
10U Тактовый вход	т.в	Cl
102. Тактовый выход	т.вых	СО
Ш3>. Тестирование (проверка)	т	TEST
104. Условие	уел	СС
] 05 Условный бит (флаг)	ус.б	PL
106. Управление	упр	CN
107. Ускоренный перенос	уск.п	RCR
108. Установка в состояние п	уст	Sn
109. Умножение	умн	MPL
110. Управление	У	CO
111. Цикл	цкл	CY
112. Циклический сдвиг	ц.сд	CYSH
113. Чтение	чт	RD
114. Фаза *	ф	F
115. Экран 1	э	RT

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

116. Выбор адреса строки	в.а.с.	RAS
117 Выбор адреса столбца	в.а.к	CAS
118. Входная информация	вх.и	D
119. Выходная информация	вых.и	Q
120. Входная/выходная информация	вх.и/вых.и	DQ
121. Запись-считывание	зп/сч	WR
122. Разрешение выхода	р.вых	ОЕ
123. Программирование	прг	PR

2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 7.

Таблица 7 Обозначение

Наименование направления перехода сигнала	отечественное	между народное
Для перехода из третьего состояния в состояние
высокого уровня	31	ZN
Для перехода из состояния высокого уровня в
третье состояние	13	HZ
Для перехода из состояния низкого уровня в
третье состояние	03	LZ
Для перехода из третьего состояния в состояние
низкого уровня	30	ZL

При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:

^А ( В — D)* *А (В) *

3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл. 8.

Наименование параметра	д	г 1>
	отечествен но*	между народное
1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания	£/°.х	^1.
2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала	и\ ЫХ	и on
3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1-го разряда
4. Время установления сигнала квитирования сПринято» относительно сигнала «Выдача>	/ус	ho
5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных	/сх	tv

yi. zj (B-D)

отечествен

ное

между

народное

пр

с.кнЗ

INR

SYN,ВЗ

шах мс1

шах МК1

Производное обозначение

V А

(В—D

отечественное

международное

вх.пр

^'вых. С.КНЗ

^*вх max мс1

(кп-вд)

(TR-RCAK)

(Д-а)

(D-A)

^ус(кц -вд)

сх(д-а)

и

IL INR

ОН SYN-B3

t/,

IH max МК1

SV(TR-RCAK)

U(D-A)

ГОСТ 19480—89 С. 67

Таблица 9

Режи^ работы	Буквенное обозначение
Режи^ работы	отечественное	междун ародное
Запись	зп	W R
Считывание	СЧ	RD
Считывание-запись	сч/зп	RD/WR
Запись-считывание	зп/сч	WR/RD
Считывание по страницам	сч.стр	Р
Слоговый режим	сл.р	N
Запись по страницам	зп.стр	PW
Счнтывание-модификация-запись	сч м.зп	RMAV
Регенерация	рг	REF
Программирование	Т1рг	PR
Стирание	г г	ER

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной иро-мышленности СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

Л. Р. Хворостьян, В. Ф. Марушкин, Е. Ф. Мещанкин, Ю, В. Назаров, Л, С. Жирякова

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением

Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 № 3960

3. Срок первой проверки— 1996 г., периодичность проверки — 5 лет

4. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748—1, МЭК 748—2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозна~ чений параметров и СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84_#СТ СЭВ 4756—84

5. ВЗАМЕН ГОСТ 19480—74

Сдано в наб. Тир. 19000

Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор О. /У. Никитина Корректор М. С. Кабашова

14.02.90 Подп. в печ, 22.05.90 4,5 уел п. л. 4,5 уел. кр.~отт. 5,73 уч.-изд. л.

Цена I jj. 10 к.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва, ГСП, Новогтресненский пер., 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер. 6. Зак. 1628