allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Обозначение:
ГОСТ 19480-89
Наименование:
Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
01.01.1991
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.200

Текст ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

>

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

I p. 10 коп. БЗ 12-89/1048


МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19480-89

(СТ СЭВ 1817 — 88, СТ СЭВ 4755 — 84, СТ СЭВ 4756 — 84)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.82:001.4:006.354 Группа ЭОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ГОСТ

19480—89


(СТ СЭВ 1817—88,

СТ СЭВ 4755—84,

СТ СЭВ 4756—84)


Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКСТУ 6301

Дата введения 01.01 ЛИ

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

  • 1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.

  • 2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес1ве справочных и обозначены пометой «Ндп».

  • 2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

  • 2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Издание официальное

  • 2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение нс приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

  • 2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.

  • 3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

  • 4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

  • 5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом-.

    • 1. Параметр интегральной микросхемы

    Параметр

    • 2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы

    Номинальное значение параметра

    • 3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

    Диапазон значений параметра


    X

    Л и<»м


    пот


    • 4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы

    Допустимый диапазон значений параметра

    • 5. Отклонение параметра интегральной микросхемы

    Отклонение параметра


    6Хд..


    ьх


    I Величина, характеризую-J тцая свойства или режимы | работы интегральной микросхемы

    Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений

    Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности

    Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации

    Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением


Таблица 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест-

между-

венное

народное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

6. Относительное отк-

ДХотн

Отношение отклонения

лонение параметра ин-

параметра интегральной

тегральной микросхемы

микросхемы к его коми-

Относительное откло-

нальному значению

нение параметра

7. Напряжение (ток)

Напряжение (ток) уп-

управления интегральной

равляющее функциональ-

микросхемы

ным назначением интег-

Напряжение (ток) уп-

ральной микросхемы

равлення

8. Температурный ко-

ах

«X

Отношение изменения па-

эффнциент параметра ин-

раметра интегральной мик-

тегральной микросхемы

; росхемы к вызвавшему его

Температурный коэф-

изменению температуры ок-

фициент параметра

ружающей среды

9. Нестабильность па-

ДХ нет

Отношение относительно-

раметра интегральной

го отклонения параметра

микросхемы

интегральной микросхем ы

Нестабильность пара-

к вызвавшему его днетаби-

метра

лизирующему фактору

10. Максимальное зна-

Хщах

Хшах

Наибольшее значение па-

чение параметра интег-

раметра интегральной мик-

ральной микросхемы

росхемы, при котором за-

Максимальное значе-

данные параметры соот-

ние параметра

ветствуют заданным значе-

НИЯМ

11. Минимальное зна-

V

* mln

X mlo

Наименьшее значение па-

чение параметра интег-

раметра интегральной мик-

ральной микросхемы

росхемы, при котором за-

Минимальное значение

данные параметры соответ-

параметра

ствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12. Напряжение пита

Un

Ucc

Значение напряжения на

ния интегральной микро

выводах питания интег

схемы

ральной микросхемы

Напряжение питания

13. Входное напряже

и„

Ui

Напряжение на входе ин

ние интегральной микро

тегральной микросхемы в

схемы

заданном режиме

Входное напряжение

14. Выходное напря

Uo

Напряжение на выходе

жение интегральной мик

и нтегр ал ь но й мик росхем ы

росхемы

в заданном режиме

Выходное напряжение

2—1628

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

15. Напряжение сра-

t/срб

Uw +

Наименьшее постоянное

батывания интегральной

£Лтр

напряжение на входе, при

микросхемы

котором происходит пере-

Напряжение срабаты-

ход интегральной микро-

вания

схемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпу-

t/отп

£Лт-

Наибольшее постоянное

скания интегральной

IT N

напряжение на входе, при

микросхемы

котором происходит пере-

Напряжение отпуска-

ход интегральной микро-

НИЯ

схемы из одного устойчивого состояния в другое

17. Входной ток ин-

/вх

Ток, протекающий во

■тегральной микросхемы

входной цепи интегральной

Входной ток

микросхемы в заданном режиме

18. Выходной ток ин-

Лых

Ток, протекающий в це-

тегральной микросхемы

пи нагрузки интегральной

Выходной ток

микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интег-

/

4

Ток в цепи интегральной

ральной микросхемы

микросхемы при закрытом

Ток утечки

состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах

20. Ток потребления

/ пот

/сс

Ток, потребляемый интег-

интегральной микросхе-

ральной микросхемой от ис-

мы

точников питания в задан-

Ток потребления

ном режиме

21. Ток короткого за-

/кз

/os

Выходной ток интеграль-

мыкания интегральной

ной микросхемы при зако-

микросхемы

роченном выходе

Ток короткого замы-

канн я

  • E. Short-circuit current

  • F. Courant de court-cir-

euit

22. Потребляемая мош-

Р ПОТ

/*сс

Мощность, потребляемая

ность интегральной мик-

интегральной микросхемой,

росхемы

работающей в заданном ре-

Потребляемая мощ-

жиме, от соответствующего

вость

источника питания

23. Рассеиваемая мощ-

Р рас

^tot

Мощность, рассеиваемая

ность интегральной мик-

интегральной микросхемой,

росхемы

работающей в заданном

Рассеиваемая мощ-

режиме

ность

Термин


24. Входное сопротивление интегральной микросхемы

Входное сопротивление


25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление


  • 26. Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы

Сопротивление нагрузки

  • 27. Входная емкость интегральной микросхемы

Входная емкость


28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкость


  • 29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость нагрузки

  • 30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания сигнала

Е. Rise time

G. Temps de croissance


2е


Буквенное обозначение


отечест- между-

венное народное


Rux


^ИЫ1


Ra

СвХ



Сл

faap


Rr

Ro

c,

Co

Q

G


Определение


Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной .микросхемы

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала


Буквенное

обозначение

Термин

отечественное

международное

Определение


31. Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

  • E. Fall time

  • F. Temps de decrois-eance

^са

32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

1

Тф

33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

Ten

34. Чувствительность интегральной микросхемы

Чувствительность

5


/г Интервал времени спада

сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

  • — Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения

  • — Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0.0 до уровня 0,1 от номинального значения

  • — Наименьшее значение входного напряжения, при готором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

  • 35. Входное напряжемте покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покоя

  • 36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы

Выходное напряжение покоя

  • 37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое


UОвх


£А<ом


UlQ


t/oQ

Us


Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом

Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулегым входным сигналом

Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы


Продолжение табл. /

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

38. Напряжение сме-

О см

(До

Постоянное напряжение,

шення пуля интегральной

которое должно быть при-

микросхемы

ложено ко входу интег-

Напряжение смете-

ральной микросхемы, чтобы

ния нуля

1

выходное напряжение было

Е. Input offset voltage

равно нулю или другому

F. Tension de decalage

заданному значению

39. Напряжение шума

(Ап.йЫХ

Уоо

Напряжение собственного

на выходе интегральной

шума на выходе нитеграль-

микросхемы

Напряжение шума на выходе

  • E. Output noise voltage

  • F. Tension de bruit en sortie

ной микросхемы

40. Приведенное ко

Ошвх

«Лп

Отношение напряжения

входу напряжение шу-

собственного шума на вы-

ма интегральной микро-

ходе интегральной микро-

схемы

схемы при заданных уело-

Приведенное ко входу

виях к коэффициенту уси-

напряжение шума

лення напряжения

41. Синфазные вход-

Vсф.. вх

Uic

Напряжения между каж-

ные напряжения ннтег-

дым из входов интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы и общим

Синфазные входные

выводом, амплитуды, фазы

напряжения

и временное распределение которых совпадают

42. Входное напряже-

(/огр.вх

(/1 lim

Наименьшее значение

ние ограничения интег-

входного напряжения ин-

ральной микросхемы

тегральпой микросхемы, при

Входное напряжение

котором отклонение от ли-

ограничения

нейности выходного напряжения превышает установленную величину

43. Остаточное напря-

(/ост

(/ds

Напряжение между вхо-

жение интегральной мик-

дом и выходом интеграль-

росхемы

ной микросхемы при вклю-

Остаточное напряже-

ченном канале и заданном

ние

значении коммутируемого тока

44. Разность входных

Л/вх

/го

Разность значений токов.

токов интегральной мик-

протекающих через днффе-

росхемы

ренцналышй вход интег-

Рагность входных то-

ральной микросхемы в за-

ков

данном режиме

45. Средний входной

/вх.ср

Ал v

Среднее квадратическое

ток интегральной микро-

значение входных токов

схемы

интегральной микросхемы

Средний входной ток

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

46. Коммутируемый

^КОМ

Ток, протекающий через

ток интегральной микро-

коммутирующий элемент

схемы

интегральной микросхемы в

Коммутируемый ток

замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощ-

Ро

Мощность, выделяемая

ность интегральной мик-

1

на нагрузке интегральной

росхемы

микросхемы в заданном ре-

Выходная мощность

жиме

48. Нижняя граничная

fB

(l

Наименьшее значение ча-

частота полосы пропус-

стоты, на которой i оэсЬфи-

кания интегральной мик-

ниент усиления напряже-

росхемы

ния интегральной микросхе-

Нижняя граничная ча-

мы уменьшается на 3 дБ

стота полосы пропуска-

от значения на заданной

НИЯ

частоте

19 Верхняя граничная

г.

Наибольшее значение ча-

частота полосы пропус-

стоты, на которой коэффи-

кания интегральной мик-

циент усиления напряжения

росхемы

интегральной микросхемы

Верхняя граничная ча-

уменьшается на 3 дБ от

стота полосы пропуска-

значения на заданной ча-

НИЯ

сто ге

50. Частота коммута-

/ком

/s

Частота, с которой интег-

цм и интегральной мик-

рялъная микросхема комму-

росхемы

тирует ток

Частота коммутации

51. Центральная часто*

fc

Частота, равная полу-

та полосы пропускания

сумме нижней и верхней

интегральной микросхе-

граничных частот полосы

мы

пропускания интегральной

Центральная частота

микросхемы

полосы пропускания

52. Полоса пропуска-

Af

BW

Диапазон частот, в пре-

ния интегральной микро-

делах которого коэффи-

схемы

циент усиления интеграль-

Полоса пропускания

ной микросхемы не падает

ниже 3 дБ по сравнению

с усилением на заданной

частоте внутри этого диа-

пазона

53. Полоса задержива-

Afd

Диапазон частот меж-

ния интегральной микро-

ду верхней и нижней ча-

схемы

стотами полосы задержи-

Полоса задерживания

вания интегральной микро-

схемы

Буквенное обозначение

Термин


отечест- между-

венное народное


Определение


  • 54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

  • 55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задерживания

  • 56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Ндп. Полоса единичного усиления

Е Frequency of unity (open loop) amplification

F. Frequence pour famplification unite

  • 57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота входного сигнала

  • 58. Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

  • 59. Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

  • E. Ripple time

  • F. Temps de vacille-ment

  • 60. Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки

  • E. Delay time

  • F. Temps de delai


/эд.я



/эх

fr

fyeo


ZdL

/d H

h

/l

id


Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице


Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию


Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня

Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока


Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

К, и

Аи

Отношение выходного напряжения интегральной

микросхемы к входному

Коэффициент усиления напряжения

1

Кт/

i

1

напряжению

62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент усиления тока

А,

Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току

63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

KJP

А р

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент усиле

ния синфазных входных напряжений

  • E. Conimon-niode voltage amplification

  • F. Amplification en tension en mode commua

^у.еф

Лис

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному

входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных

входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

  • E. Common-inode rejection ratio

  • F. Taux de rejection en mode commun

Кос.сф

Кемп

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления

синфазных входных напряжений

66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения

нуля интегральной микросхемы

Коэффициент влияния нестабильности источ ни-ков питания на напряжение смещения нуля

к.я..

Ks VR

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

G7. Коэффициент уси-

A VD

Отношение изменения зна-

ления дифференциально-

чения выходного напряже-

го сигнала по иапряжс-

1

пия интегральной микро-

иию интегральной мик-

схемы к изменению значе-

росхемы

ния напряжения на диффе-

Коэффициент усиления

ренциальном входе в задан-

дифференциального сигнала по напряжению

Е. Differential-mode voltage amplification

F. Amplification en

tension cn mode differen-tie!

ном режиме

68. Коэффициент rap-

Кг

Кь

Отношение среднего квад-

ионик интегральной мик-

ратического напряжения

росхемы

суммы всех, кроме первой.

Коэффициент гармо-

гармоник сигнала интег-

ник

ральнои микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник

69. Диапазон автома-

С АРУ

AGC

Отношение наибольшего

тической регулировки

значения коэффициента уси-

усиления интегральной

ления напряжения интег-

микросхемы

ральнои микросхемы к наи-

Диапазон АРУ

меньшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах

70. Скорость нараста-

У и ВЫХ

SuOM(SR)

Отношение изменения вы-

ния выходного напряже-

ходного напряжения с уров-

ния интегральной микро-

ня 0,1 до уровня 0.9 к вре-

схемы

мени его нарастания при

Скорость нарастания

воздействии на вход интег-

выходного напряжения

ральной микросхемы им-

Ндп. Скорость отеле-

пульса напряжения прямо-

живания

угольной формы

71. Коэффициент пря-

Ка

Отношение полосы частот

моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольное™ АЧХ

интегральной микросхемы на уровне 0.01 или 0,001 к полосе пропускания на

уровне 0,7

72. Коэффициент пуль-

Квп

Отношение амплитудного

саиин интегральной мик-

значения напряжения пуль-

росхемы

саций интегральной микро-

Коэффициент пульса-

1

схемы к значению постоян-

ций

1

ной составляющей напряжения

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

73. Коэффициент ум-

^Сумя f

Отношение частоты вы-

ножения частоты ннтег-

ходкого сигнала интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы к частоте

Коэффициент умноже-

входного сигнала

ния частоты

74. Коэффициент деле-

Кдел f

Отношение частоты вход-

ния частоты интеграль-

ного сигнала интегральной

ной микросхемы

микросхемы к частоте вы-

Коэффициент деления

ходного сигнала

частоты

75. Крутизна преобра-

«Snp6

Отношение выходного то-

зования интегральной

ка смесителя к вызвавше-

микросхемы

му его приращению вход-

Крутизна преобразо-

ного напряжения при за-

вания

данном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряжение


£/вых max



Выходное интегральной при заданном нии нагрузки НИИ входного

напряжение микросхемы сопротивле-и напряже-сигнала, ког

  • 77. Напряжение шума интегральной микросхемы

Напряжение шума

  • 78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы

Эффективное напряжение шума



Um


ш.зфф


да его приращение не вызывает приращения выходного напряжения

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю

Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной мик

79. Размах шума интегральной микросхемы

Размах шума


Д£/ш



росхемы

Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы,

Буквенное обозначение

Термин

отечественное

международное

80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭД С шума

£ш.н

Fn N

81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы

Нормированный ток

шума

Ли.н

AiN

82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

V(; вых max

83. Частота среза интегральной микросхемы

Частота среза

  • E. Open-loop cut-off frequency

  • F. Frequence de coupu-re en boucle ouverte

f ерз

fco

84. Частота полной

мощности интегральной микросхемы

Частота полной мощности

fp

fp


Определение


повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень нз полосы измеряемого шума

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте

Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы


Термин


Буквенное обозначение

отечест-

между-

венное

народное


Определение


85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения


86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов


  • 87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы

Временной коэффициент входного тока

  • 88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы

Временной коэффициент разности входных токов

  • 89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Временной коэффициент напряжения смешения нуля


tycuU


Краэд


Тд/вх


Yucm


/tot


CdNC


Yibhib2)


Yuo


Yuio


уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала

Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени


Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени


ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ


90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон входных напряжений

Е. Input voltage operating range


AUbx.


&U1


Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального


Термин


F. Domaine de foncti-ormcment de la tension d’entrce

  • 91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

  • 92. Напряжение задержки автоматической регули ровки усиления интегральной микросхемы

Напояжение задержки j АРУ

  • 93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение пульсаций источника витания i

  • 94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток АРУ

  • 95. Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота резонанса

  • 96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота квазнрезонан-са

  • 97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)


Буквенное обозначение


отечест- между-

венное народное


Определение


&U Л.П


/л РУ



А<0


AKytr ДКу/ ДК>р


t/xGCd


IAGC



ДА и

ДА I ДА р


Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за>-данных 1 ределах

Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным

Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы


Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы н обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное зна


чение

Частота, эффициент тегральной принимает


на которой ко-усиления ин-микросхемы минимальное


значение

Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала


Термин


98 Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы

Динамический диапазон по напряжению

  • 99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

Ania


  • 100. Коэффициент неравномерности амплитуд-но-часютной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности АЧХ

Арм


101. Коэффициент шу- Кт

ма интегральной микро- i схемы j

Коэффициент шума


  • 102. Коэффициент ии-термодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент интермодуляционных искажений

  • 103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

  • 104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики

аа


Str


Буквенное

обозначение

отечественное

международное

Определение

Д^дни

AU dyn


Кал.Л


Кнр. лч


Хн.и



Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения

11аи большее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону

Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания. выраженное в де-цибеллах

Отношение сродного квадратического напряжения шумов на выходе интегрально!! микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот

Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах

Отношение вы х од ной

мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности

I

Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

105 Отношение сиг-нал/шум интегральной

микросхемы

Отношение сигнал/шум

^с,ш

Нп

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие. соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот

106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фазовый сдвиг

Иди. Сдвиг фаз

фс

Фо

Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

  • 107. Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

  • E. Output voltage operating range

  • F. Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie

  • 108. Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

  • E. Feedback sense voltage

  • F. Tension de lecture de contre-rcaction

  • 109. Опорное напряжение интегральной микросхемы

Опорное напряжение

  • E. Reference voltage

  • F. Tension de reference

Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы

on


Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечесг-венное

международное

110. Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения

С/ пд

Разность между вход-ным и выходным напряжением интегральном микросхемы в заданном режи-

Uал min


111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме

Минимальное падение напряжения


112 Ток холостого хода интегральной микросхемы

Ток холостого хода

113. Время готовности интегральной микросхемы

Время готовности


/хх


/го г


tn


ме

Наименьшее значение падения напряжения тегральной при котором тегральной удовлетворяет требованиям


на пн-микросхеме, параметр ин-микросхемы заданным


Ток потребления ральной микросхемы отсутствии нагрузки на ходе

Интервал времени от мента подачи входного пряжения до момента, ле которого параметры тегральной удовлетворяют требованиям


иитог-при вы-


мо-на-нос

ин-


микросхем ы заданным


111 Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы

Время восстановления по напряжению

  • E. Input transient voltage recovery time

  • F. ‘ rnent sitoire a Fentree

115. Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время восстановления по току

  • E. Input transient current recovery time

  • F. Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a Fentrce


Temps de recouvre-dc la tension Iran-

• « • /


116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы


Aioc i


/ru


/rI


Интервал времени от мо-С уЛОНЧЛ ГОТО Ь i.J J-входчого напри же-грьльной Miiiipocxe-


мента нения ния nine мы до чение ния в дит в


мэмента. когда зна-выходного иаяряжс-последний раз вхо-заданный интервал со-


выходных напряжений, держащий в себе конечное значение

Интервал времени от момента ступенчатого п.;мс-неяия выходного тока интегральной микросхемы до момента, выходного


когда значение напряжения в ВХО7ИТ в [ выход-содержа-


последний раз заданный интервал пых напряжений. < huix в себе конечное значение

Относительное изменение значении bi г одного напряжения одного канала многоканальной интегральной


Термин


Взаимная нестабильность по напряжению


117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по току


118. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению


119. Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току


120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по нагрузке


3—1628


Буквенное обозначение


отечественное


KlNjNS


Ки


К,


международное


Kvj


Kio


Определение


микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение I значения выходного напря-I жения одного канала мно-I гоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напря-I-жения пли тока интеграль-! ной микросхемы при изме-i нении входного напряже-I ния. приведенное к 1 В из-I менения входного напряжения. при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопро-j тизления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов


Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

121. Коэффициент ста-

Кеч t/BX

Ksr

Отношение относительно-

билизации входного на-

го изменения выходного

пряжения интегральной

напряжения или тока ин-

микросхемы

тегральной микросхемы к

Коэффициент стабили-

заданному относительному

зации входного напря-

изменению входного напря-

жени я

жения при отсутствии дру-

Е. Input stabilization

гих дестабилизирующих

coefficient

факторов

F. Coefficient de stabi-

lisation en fonction de la

tension d’entree

122. Коэффициент ста-

билизация нагрузки ин-

Кет R

Kso

Отношение относительно-

тегральной микросхемы

го изменения выходного

Коэффициент стабили-

напряжения интегральной

зации нагрузки

микросхемы к заданному

Е. Load stabilization

относительному изменению

coefficient

выходного тока при отсут-

F. Coefficient de sta-

ствни других дестабилизи-

bilisation en fonction de

руюших факторов

la charge

<23. Коэффициент

KCT

*Krr

Отношение амплитудного

сглаживания пульсаций

значения пульсаций вход-

интегральной мнкросхе-

ного напряжения заданной

мы

частоты интегральной мик-

Коэффициент сглажи-

росхемы к амплитудному

пания пульсаций

значению пульсаций выход-

Е. Ripple rejection га-

ного напряжения той же

tio

частоты

F. Taux de rejection de

Fondulation residuelie

424. Дрейф выходного

&&вых

AZ7o(t)

Наибольшее значение от-

напряжения интеграль-

носительного изменения вы-

ной микросхемы

ходного напряжения интег-

Дрейф выходного на-

ральной микросхемы в те-

пряжения

чение заданного интервала

Е. Output voltage

времени при отсутствии

drift

других дестабилизирующих

F. Derive de la tension

факторов

de sortie

125. Дрейф выходно-

A/aut t

ДЛхй

Наибольшее значение от-

го тока интегральной

носительного изменения вы-

микросхемы

ходного тока интегральной

Дрейф выходного тока

микросхемы в течение за-

Е. Output current drift

данного интервала времени

F. Derive du courant

при отсутствии других дес-

de sortie

табилизирующих факторов

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест* венное

международное

126. Температурный

коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

(11 ВЫХ

аю

Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизи рующих факторов

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ

  • 127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение гистерезиса

  • 128. напряжение синхронизации интеграл., пй микросхемы

Напряжение синхронизации

О гвст


Осх


129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

Д/сх

130. Коммутируемая

Рком

мощность интегральной

микросхемы

Коммутируемая мощность

131 Коэффициент передачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи

Ки р


Uh Разность между напря-

! жением срабатывания и на-} пряжением отпускания интегральной микросхемы

  • — Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микро-

I схемы равна или кратна | частоте напряжения син-j хронизании

  • — Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы на частоте синхро-ни пирующего сигнала

_. Значение мощности, оп

ределяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднее квадра тическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхем ы

т , Отношение абсолютного

значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения

3е


Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между-

Определение

венное

народное

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ


  • 132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение низкого уровня

  • 133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение высокого уровня

  • 134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового входа

].:5. Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового выхода

13G. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток низкого урозня управляющего напряжения

  • 137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения

  • 138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения


£7упр.н


i/yup.e


/ ут.вх


ут.вых


1вх.в


/ пх П


/пот.в


UIL


ZLD


Ап


^CCL


Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы

Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах)

Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него -(них) управляющего напряжения низкого уровня

Постоянный ток. протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них): управляющего напряжения высокого уровня

Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня


Термин


  • 139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при высоком уройне управляющего напряжения

  • 140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы

Сопротивление в открытом состоянии


141. Время включения интегральной микросхемы

Время включения


142. Время выключения интегральной микросхемы

Время выключения


143. Время переключения интегральной микросхемы

Время переключения


  • 144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе

  • 145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы

Емкость управляющего входа


Буквенное обозначение


отечественное


1 пот.»


^?отк


^выкд


ucp


вх.упр


международное


^ссн


/?ON


/оп


iott


Уил


Ct


Определение


Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня

Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току пр.ч включенном канале

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения

Инхервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральном микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения

Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения

Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через уя-равляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального нанряжония, вызвавшего


Термп

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

146. Емкость аналого-

Свх.ан

са

Отношение емкостной ре-

вого входа ннтеграль-

активной составляющей то-

ной микросхемы

ка, протекающего через

Емкость аналогового

аналоговый вход ннтеграль-

входа

ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот

ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

147. Емкость аналого-

С£ых.ац

Cd

Отношение емкостной ре-

вого выхода ннтеграль-

активной составляющей то-

ной микросхемы

ка, протекающего через ана-

Емкость аналогового

лотовый выход ннтеграль-

выхода

ной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой часто-

ты при закрытом канале (каналах)

148, Емкость между

Си ы х/п 1 а и

Cds

Отношение емкостной ре-

аналоговыми выходом и

активной составляющей то-

входом интегральной

ка. протекающего между

микросхемы

аналоговым выходом и ana-

Емкость между ана-

лотовым входом ннтеграль-

лотовыми выходом и

ной микросхемы, к произве-

входом

дению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

149 Частота управля-

/тир

fl

Частота напряжения на

ющего напряжения ин-

управляющем вхо.и ин-

тегралыюй микросхемы

тегральной микросхем и при

Часюта управляюще-

заданной скважное ьч, при

го напряжения

которой значения выходного напряжения ниг'ого и высокого уровней утовлет-воряют заданным значениям

150. Коэффициент по-

KnojL К

Koorr

Отношение переменной

давления сигнала ра-

составляющей выходного

зомкнутым ключом ин-

напряжения закрытого ка-

тегральной микросхемы

нала интегральной микро-

Коэффициент подавле-

схемы к переменной состав-

ния сигнала разомкну-

ляющей коммутируемого на-

тым ключом

пряжения

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами

Клод

Кооп

Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом Другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения

152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

Кп

Kv

Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

156. Прямое падение

Uno

t^CDI

Напряжение на входе ин-

напряжения на днтя-

тегральнон микросхемы при

звонном диоде интег-

заданном значении входно-

ральной микросхемы

го тока через защитный

Прямое падение на-

диод

пряжения на антизвон-

ном диоде

157. Выходное напря-

Uoh

женне высокого уровня

интегральной микросхе-

мы

Выходное напряжение

высокого уровня

158. Выходное напря-

Г7°„_

^OL

жение низкого уровня

интегральной микросхе-

мы

Выходное напряжение

низкого уровня

159. Ток потребления

/пот f

/сш

Ток, потребляемый ин-

/-го источника питания

тегральной микросхемой от

интегральной микросхе-

i-ro источника питания в

мы

заданном режиме

Ток потребления i-ro

источника питания

16*0 Динамический ток

J пот.дав

/осе

Ток потребления интег-

потребления интеграль-

ральной микросхемы в ре-

ной микросхемы

жиме переключения

Динамический ток по-

тоебления

161. Входной ток низ-

Al

Входной ток при вход-

кого уровня интеграль-

вх

ном напряжении низкого

ной микросхемы

1

уровня интегральной микро-

Входной ток низкого

схемы

уровня

162. Входной ток вы-

/1

Лн

Входной ток при вход-

сокого уровня интег-

*вх

ном напряжении высокого

ральной микросхемы

уровня интегральной микро-

Входной ток высокого

схемы

уровня

163. Выходной ток вы-

/он

Выходной ток при выход-

сокого уровня интеграль-

вых

ном напряжении высокого

ной микросхемы

уровня интегральной микро-

Выходной ток высоко-

схемы

го уровня

164. Выходной ток низ-

A)L

Выходной ток при вы-

кого уровня интеграль-

ходном напряжении низко-

ной микросхемы

го уровня интегральной

Выходной ток низко-

микросхемы

го уровня

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

165. Выходной тОк в

/ иых.выкл

/oz

Выходной ток интеграль-

состоянии «Выключено»

ной микросхемы с тремя

интегральной микросхе-

состояниями на выходе

мы

при выключенном состоя-

Выходной ток в состоянии «Выключено»

нии выхода

166. Выходной ток низ-

/0

ZOZL

Выходной ток в состоя-

кого уровня в состоянии

вых.выкл

нии «Выключено» интег-

«Выключено» интеграль-

ральной микросхемы при

ной микросхемы

подаче на измеряемым вы-

Выходной ток низко-

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

низкого уровня

167. Выходной ток вы-

/'

^OZN

Выходном ток в состоя-

сокого уровня в состоя-

^вых.выкл

нин «Выключено» интег-

нии «Выключено» ин-

ральной микросхемы при

тегральнон микросхемы

подаче на измеряемый вы-

Выходной ток высоко-

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии «Выключено»

высокого уровня

  • 168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

  • 169. Ток утечки на

А’Т.вх

Ль

Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

I ут.вых

ZOL

Ток в выходной цепи ин-

выходе _ интегральной

тегральнон микросхемы при

микросхемы

закрытом состоянии выхо-

Ток утечки на выходе

да и заданных режимах на остальных выводах

170. Ток утечки низ-

All

Ток утечки во входной

кого уровня на входе

' ут.эх

цепи интегральной микро-

интегральной микросхе-

схемы при входных напря-

мы

жениях в диапазоне, соот-

Ток утечки низкого

ветствующем низкому уров-

уровня на входе

ню, и при заданных режимах на остальных выводах

171. Ток утечки высо-

/1

Льн

Ток угечки во входной

кого уровня на входе

'ут.вх

цепи интегральной микро-

интегральной микросхе-

схемы при входных на-

мы

пряжениях в диапазоне, со-

Ток утечки высокого уровня на входе

ответствуюшем высокому

уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе

‘ ут.вых

^OLL

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем

низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

/*

'ут.вых

^OLH

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем

высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах

174. Потребляемая

мощность (-го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая мощ

ность t-го источника питания

Р пот<

Pcct

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от Тго источника питания

175. Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении

,1,0

*THL

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на

уровнях 0,1 и 0.9 или на заданных значениях напряжения

176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

г0,1

*TLH

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на

уровнях 0,1 и -0,9 или на заданных значениях напряжения

177. Время выбора интегральной микросхемы

Время выбора

fcs

Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

178 Время сохранения

/сх

tv

Интервал времени, в те-

сигнала интегральной

чение которого выходной

микросхемы

сигнал является достовер-

Время сохранения

яым иля в течение которо-

Е. Valid time

го входной сигнал должен

F. Tx^mps Ка validation

оставаться достоверным

179. Время хранения

fso

Интервал времени, в те-

информации интеграль-

чение которого интеграль-

ной микросхемы

ная микросхема в задан-

Время хранения ин-

ном режиме эксплуатации

формации

сохраняет- информацию

180. Время установле-

ts и

Интервал времени меж-

ния входных сигналов

ду началом сигнала па за-

интегральной микросхе-

данном выводе входа и по-

мы

следующим активным пере-

Время установления

ходом на другом заданном

входных сигналов

выводе входа

Е. Set-un time

F. Temps de preparati-

on

181. Время цикла ин-

ч

tc.V

Длительность периода

тегральной микросхемы

сигналов на одном из уп-

Время никла

равляющих входов, в те-

Е. Cycle time

чение которой интеграль-

F. Temps de cycle

ная микросхема выполняет

одну из функций

182. Время восстанов-

/вое

Интервал времени меж-

ления интегральной мик-

ду окончанием заданного

росхемы

сигнала на выводе интег-

Время восстановления

ральной микросхемы и на-

чалом заданного сигнала

следующего цикла

183 Время задержки

/’Л

tp fj г

Интервал времени меж-

распространения при

4ЗЛ.Р

ду входным и выходным

включении интегральной

импульсами при переходе

микросхемы

напряжения на выходе ин-

Время задержки рас-

тегральной микросхемы от

пространения при вклю-

напряжения высокого уров-

ченив

ня к напряжению низкого

уровня. измеренный на

уровне 0.5 или на задан-

них значениях напряжения

184. Время задержки

/0.1

Интервал времени между

распространения при

4 зд.р

FL П

входным и выходным им-

выключении интеграль-

пульсами при переходе на-

ной микросхемы

пряжения на выходе ин-

Время задержки рас-

тегральной микросхемы от

пространения при вык-

напряжения низкого уров-

люченик

ня к напряжению высокого

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

,1.0

зд

уровня, измеренный на

уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения

185. Время задержки включения интегральной микросхемы

Время задержки включения

ZDHL

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на

уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения

186- Время задержки выключения интегральной микросхемы

Время задержки вы-включения

зд

*DLH

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения

187. Длительность сигнала интегральной микросхемы

Длительность сигнала

т

Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы

188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала низкого уровня

т°

*WL

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала высокого уровня

т*

Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

190. Частота следова-

ния импульсов тактовых сигналов интегральной

микросхемы

Частота следования

импульсов тактовых сигналов

191. Период следова-

Гт

Те

Интервал времени меж-

ния импульсов тактовых

ду началами или оконча-

сигналов интегральной

ниями следующих друг за

микросхемы

другом импульсов тактовых

Период следования им-

сигналов интегральной мик-

пульсов тактовых сиг-

росхемы, измеренный на

налов

заданном уровне напряжения

192. Помехоустойчи-

и° '-'пом

Абсолютное значение раз-

вость при низком уров-

пости между максимальным

не сигнала интегральной

входным напряжением низ-

микросхемы

кого уровня и максималь-

Помехоустойчивость

ным выходным наяряже-

при низком уровне сиг-

пнем низкого уровня ни-

нала

тсгральной микросхемы

193. Помехоустойчи-

Мп

Абсолютное значение раз-

вость при высоком уров-

ПОМ

ности между минимальным

не сигнала интегральное

входным напряжением вы-

микросхемы

соксго уровня и минималь-

11омехоустойчивость

ным выходным нанряже-

при высоком уровне сиг-

кием высокого уровня пн-

нала

тегралыюй микросхемы

194. Емкость входа/

Ср х/и Ы X

СПа

Значение емкости объели-

выхода интегральной

немного входа/выхода, рав-

микросхемы

нос отношению емкостной

Емкость входа/выхода

реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при

заданном значении частоты сигнала

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ

195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

и1

t/отп

пор.вых


Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе

153. Напряжение х-го | Ua< источника питания интегральной микросхемы

Напряжение х-го источника питания


154. Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение низкого уровня


155. Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение высокого уровня


Ucci




Uih


Напряжение х-го источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.

Примечание, i — порядковый номер источника. х= 1—4

Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение


Термин


Выходное пороговое напряжение высокого уровня 1

  • 196. Выходное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение низкого уровня

  • 197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение высокого уровня

498. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегрально»' микросхемы

Входное пороговое напряжение низкого уровня


  • 199. Входное напряжение блокировки ин- ■ тегральной микросхемы I

Входное напряжение 1 блокировки

  • 200. Входной пробив

ной ток интегральной микросхемы |

Входной пробивной ток


201. Ток потребления I выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня


Буквенное обозначение


отечест- между-

венное народное


'-'пор.вых


нор.вх


if* *' пор.вх


вх.прб


жпот


Определение


^OTL


£Лтн


^ITL


Ujk


I IB


ZCCL


Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе


Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы нз одного устойчивого состояния в другое

Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока

Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня


П родолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

—---.----

202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

71

пот

7сси

Ток. потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня

203. Средний ток потребления интегральной микросхемы

Средний ток потребления

7пот. ср

Aicav

Ток. равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различ. ых устойчивых со-СЧОЯ’П’ЯХ

204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы

Средняя потребляемая мощность

Р ПОТ.СР

T’gcav

Мощность, равная полусумме мощностей, иотреб-л я ем ь: х и итегр а л ы ю й м и к -росхемон от источников питания в двух различных устойчивых состояниях

205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы

Среднее время задержки распространения

^ад.рср

*PAV

Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения

сигнала при включении и выключении интегральной

микросхемы

206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»

ZL3

зд.р

^PHZ

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

/0.3

зд.р

fpLZ

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено»

208. Время задержки распространения при переходе из состояния

«Выключено» в состояние высокого уровня

/3,1

4эд.р

fpzn

I

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня

Термин

Буквенное обозначение

Он редиление

отечеств венное

международное

209. Время задержки

/3,0

‘зд.р

fpZL

Интервал времени меж-

распространения при пе-

ду входным и выходным

реходе из состояния

импульсами при переходе

«Выключено» в состоя-

напряжения на выходе ин-

ние низкого уровня

тегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня

210. Рабочая частота

f

f

Частота сигнала, пода-

интегральной микросхе-

ваемого на вход интег-

мы

ральной микросхемы при

Рабочая частота

заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные

уровни напряжений

211. Коэффициент раз-

Краз

Число единичных нагру-

ветвления по выходу

зок, которое можно одно-

интегральной микросхе-

временно подключить к вы-

мы

ходу интегральной микро-

Коэффициент развет-

схемы.

влення по выходу

Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем

212. Коэффициент объ-

Коб

Ni

Число входов интеграль-

единения по входу ин-

ной микросхемы, по кото-

тегральной микросхемы

рым реализуется логнчес-

Коэффициент объединения по входу

кая функция

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

213. Напряжение ин- 1 жектора при заданном I токе инжектора интег- j ральной микросхемы

U ипж


Ug


Iктряжение инжектора при заданном токе инжектора

Продолжение табл /

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

214. Максимальное

7/°..

^ILmax

Наибольшее положитель-

входное напряжение низ-

ное или наименьшее отри-

кого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого дна-

Максимальное входное

пазона входных напряже-

напряжение низкого

ний низкого уровня интег-

уровня

ральной микросхемы

215. Максимальное

7/1

£/ IHmax

Наибольшее положитель-

входное напряжение вы-

v вх max

ное или наименьшее отрица-

сокого уровня интег-

тельное значение напряже-

ральной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Максимальное входное

зона входных напряжений

напряжение высокого

высокого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

216- Минимальное

7/° .

^ILinin

Наименьшее положитель-

входное напряжение низ-

'“'ВХ !П1П

ное или наибольшее отри-

кого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого диа-

Минимальное входное

пазона входных напряжений

на пря жение низкого

низкого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

217. Минимальное

Z/1

Ui IImln

Наименьшее положитель-

входное напряжение вы-

вх пип

ное или наибольшее отрица-

сокого уровня интеграль-

тельное значение напряже-

ной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Минимальное входное

зона входных напряжений

напояжение высокого

высокого уровня интеграль-

уровня

ной микросхемы

218. Максимальное вы-

77°

^OLmax

Наибольшее положитель-

ходное напряжение низ-

ное или наименьшее отрица-

кого уровня интеграль-

тельное значение напряже-

ной микросхемы

ния из допустимого диапа-

Максимальное выход-

зона выходных напряжений

ное напряжение низкого

низкого уровня ннгеграль-

уровня

ной микросхемы

SI*). Минимальное вы-

//1

mln

Наименьшее положитель-

ходное напряжение вы-

иьых min

ное или наибольшее Ътри-

сокого уровня интеграль-

нательное значение напря-

ной микросхемы

жения из допустимого диа-

Минимальное выход-

пазона выходных напряже-

ное напряжение высоко.

ний высокого уровня интег-

го уровня

ральной микросхемы

220. Ток инжектора

/ин ж

1g

Ток в цепи вывода пита-

интегральной микросхе-

ния, необходимый для ра-

мы

боты интегральной микро-

Ток инжектора

1

схемы в заданном режиме

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии «Выключено»

/ио т.в ы к л

Zccz

Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Тер-мин используют для схем с тремя состояниями на выходе

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест-

между-

венное

народное

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

234. Напряжение высо-

U[4

£/rdh

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала счи-

пряжения высот ого уровня

гывания интегральной

на входе сигнала ечнтыва-

микросхемы

ния. обеспечивающее считы-

Напряжение высокого

вание информации из ин-

уровня сигнала ечнтыва-

тегральной микросхемы

НИЯ

235. Напряжение сиг-

и»

t/cE

Наибольшее или наимснь-

нала разрешения интег-

шее значение напря>.\сния

ральной микросхемы

на входе сигнала разреше-

Напряжение сигнала

ния, обеспечивающее выпол-

разрешения

некие интегральной микро-

схемой заданной функции

236. Напряжение низ-

^CEL

Наибольшее значение на-

кого уровня сигнала раз-

р

пряжения низкого уровня

решения интегральной

на входе сигнала разреше-

микросхемы

ния, обеспечивающее выпол-

Напряжение низкого

неиие интегральной микро-

уровня сигнала разреше-

схемой заданной функции

ния

237. Напряжение высо-

а’

t/сЕП

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала раз-

р

пряжения высокого уровня

решения интегральной

на входе сигнала разреше-

микросхемы

ния, обеспечивающее выпол-

Н а я р я же ни е в ысокого

нение интегральной микро-

уровня сигнала разреше-

схемой заданной функции

ВИЯ

238. Напряжение сиг-

ил

u*

Наибольшее или наимень-

нала адреса интеграль-

шее значение напряжения

ной микросхемы

на входе сигнала адреса.

Напряжение сигнала

обеспечивающее обращение

адреса

к определенной ячейке ин-

тегральной микросхем ы

239. Напряжение низ-

и°л

Наибольшее значение на-

кого уровня сигнала ад-

пряжения низкого уровня

реса интегральной мик-

на входе сигнала адреса.

росхсмы

обеспечивающее обращение

Напряжение низкого

к определенной ячейке ин-

уровня сигнала адреса

тегральной микросхемы

240. Напряжение высо-

и'

Уан

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала ад-

пряжения высокого уровня

реса интегральной мик-

на входе сигнала адреса.

росхемы

обеспечивающее обращение

Напряжение высокого

к определенной ячейке ин-

уровня сигнала адреса

тегральной микросхемы

  • 222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы

Напряжение питания в режиме хранения

  • 223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации

  • 224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

  • 225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации

  • 226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации


U.X


Uccs


Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы



Udi


0 вх .11


^DlL



Un ы х.и


Udo


Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации. обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы


  • 227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации

  • 228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации

  • 229 Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение сигнала записи

  • 230 Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной- микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала записи

  • 231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала записи

  • 232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала считывания

  • 233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала считывания


£7°

^DOL

^в’ых.и

£/»оя

£Лчп

U w п

^Avrl

(/wbh

Усч

и° ^сч

^RDL


Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню


Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на вход£ сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему

Наименьшее значение напряжения высокого уровня па входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания. обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации нз интегральной .микросхемы


Термин


Буквенное обозначение

Определение

отечест-

между-

венное

■ -

народное


  • 241. Напряжение сиг* нала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение сигнала запись-считывание

  • 242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание

  • 243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание

  • 244. Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

  • 245. Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

  • 246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

  • 247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

Напряжение тактового сигнала

^зп/сч

^WR/RD

С7° зп/сч

^WR/RDL

/71 w зп/сч

^Avr/rdh

Ucs

^в°м

^CSL

i/cSH

Ur

Uc


Наибольшее или наименьшее значение напряжения на вызоде сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

Наибольшее значение напряжения на г-ыводе сигнала запись-считывание интегральной микросхем ы. обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на вызоде сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

248. Напряжение сиг-

Ув-.к

^CAS

Напряжение на

входе

чала выбора адреса

сигнала выбора

адреса

столбцов интегральной

столбцов интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

^CASL

249. Напряжение низ-

Напряжение на входе сиг-

кого уровня сигнала вы*

к

нала выбора адреса

столб-

бора адреса столбцов

цов интегральной

микро-

интегральной микросхе-

схемы, соответствующее

мы

низкому уровню

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

250 Напряжение высо-

£/' л к

C'qasH

Напряжение на

входе

кого уровня сигнала вы-

сигнала выбора

адреса

бора адреса столбцов

столбцов интегральной мик-

интегральной микросхе-

росхем ы. соответствующее

мы

высокому уровню

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

251. Напряжение сиг*

Uв.а.с

Ur as

Напряжение на

входе

нала выбора адреса

сигнала выбора

адреса

строк интегральной мик-

строк интегральной

микро-

росхемы

Напряжение сигнала зыбора адреса строк

схемы

252 Напряжение низ-

^RASL

Напряжение на

входе

кого уровня сигнала вы-

0 • а. с

сигнала выбора

адреса

бора адреса строк интег-

строк интегральной

микро-

ральной микросхемы

схемы. соответствующее

Напряжение низкого

уровня сигнала выбора адреса строк

низкому уровню

253. Напряжение вы-

и1в „ _

t^RASH

Напряжение на

входе

:окого уровня сигнала

сигнала выбора

адреса

выбора адреса строк ин-

отрок интегральной

микро-

гегральной микросхемы

схемы, соответствующее вы-

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

сокому уровню

254 Напряжение сиг-

i/ст

^era

Наибольшее или наимень-

чала стирания интеграль-

шее значение напряжения

ной микросхемы

на выводе сигнала

«стира-

Напряжение сигнала

ние» интегральной

микро-

стирания

схемы, обеспечивающее сти-

ранне информации

Термин


255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы

Напряжение сигнала программирования


  • 256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в режиме хранения

  • 257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала входной информации

  • 258. Ток низкого уров ня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации

  • 259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня входной информации

  • 260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала выходной информации

  • 261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

  • 262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интег раль-ной микросхемы


Буквенное обозначение


отечест- между-

венное народное


С/др


//рц


пот.хр


вх.в


вх.н



я ы х.и


/° 'вых.и



1

вых.и


Определение


/ccs


/di


ZD1L


/dih


/do


ZDO


/doh


Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе ст нала программирования ингегра~ъ-ной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы


Ток в цепи сигнала вход ной информации интеграль ной микросхемы, соответствующий низкому уровню


Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток в цепи сш пала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню


Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому

уровню


Термин

буквенное обозначение

Определение

отечест» венное

международное

<

Ток высокого уровня сигнала выходной инфор-

мацни

263. Ток сигнала запи-

/ зп

/wr

Ток в цепи сигнала запи-

си интегральной микро-

си интегральной микросхе-

схемы

мы

Ток сигнала записи

264. Ток сигнала счи-

/сч

/rd

Ток в цепи сигнала счи-

тывания интегральной

*

тывания интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Ток сигнала считыва-

ния

265. Ток сигнала адре-

Ток в цепи сигнала адре-

:а интегральной микро-

са интегральной микросхе-

схемы

мы

Ток сигнала адреса 266. Ток сигнала за-

Аа/сч

Avr/rd

Ток в цепи сигнала за-

пись-считывание ин тег-

пись-считывание интеграль-

ральной микросхемы

ной микросхемы в задан-

Ток сигнала запись-

ном режиме

считывание

267. Ток сигнала вы-

/в.М

7cs

Ток в цепи сигнала выбо-

бора интегральной мик-

ра интегральной микросхе-

росхемы

мы

Ток сигнала выбора 268. Ток низкого уров-

/CSL

Ток в цепи сигнала выбо-

ня по входу выбора ин*

ра интегральной микросхе-

тегральной микросхемы

мы, соответствующий низко-

Ток низкого уровня по входу выбора

му уровню

269. Ток высокого

/csh

Ток в цепи сигнала выбо*

уровня по входу выбора

м

В.м

ра интегральной микросхе-

интегральной микросхе-

мы, соответствующий высо-

мы

кому уровню

Ток высокого уровня по входу выбора

270. Ток сигнала раз-

/се

Ток в цепи сигнала раз-

решения интегральной

решения интегральной мик-

микросхемы

росхемы

Ток сигнала разреше-

ния

271. Ток сигнала сти-

/стр

/era

Ток в цепи сигнала сти-

рання интегральной

рання интегральной микро-

микросхемы

схемы

Ток сигнала стирания

272. Ток тактового сиг-

Ток в цепи импульсного

нала интегральной мик-

питания интегральной мик-

росхемы

росхемы динамических за-

Ток тактового сигнала

поминающих устройств

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса столбцов

7 в.а.к

7cas

Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

  • 274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Ток сигнала выбора адреса строк

  • 275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы

Динамическая потребляемая мощность

7 в.а.с

7r as

Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

7> ПОТ.ДЖН

Pcco

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме

276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы

Потребляемая мощ

ность в режиме хранения

Р пот.хр

Pees

Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания

277. Время выборки

интегральной микросхемы

Время выборки

  • E. Access time

  • F. Temps d’acces

tn

tA

Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные " необходимые сигналы поданы

278. Время удержания сигнала интегральной

микросхемы

Время удержания

  • E. Hold time

  • F. Temps de maintien

ty

tn

Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа

279. Время цикла записи информаичи интегральной микросхемы

Время записи информации

^ЭП

klV

Интервал времени, рав-ны5! периоду сигнллз на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации

280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Время считывания

1

fcYR

Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет ст-тывание информации

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

281. Время регенерации интегральной микросхемы

Время регенерации

  • E. Refresh time interval

  • F. Intervalle de temps de rafraichissement

/per

/ref

Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения

Таблица 1


АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ


Гермня


Номер термина


Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

Время включения

Время включения интегральной микросхемы

Время выключения

Время выключения интегральной микросхемы

Время восстановления

Время восстановления интегральной микросхемы

Время восстановления по напряжению

Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы

Время восстановления по току

Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время выбора

Время выбора интегральной микросхемы

Время выборки

Время выборки интегральной микросхемы

Время готовности

Время готовности интегральной микросхемы

Время задержки включения

Время задержки включения интегральной микросхемы

Время задержки выключения

Время задержки выключения интегральной микросхемы Время задержки

Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки распространения интегральной микросхемы среднее

Время задержки распространения при включении

Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при выключении

Время задержки распространения при выключении литеральной микросхемы

Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня

Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня

Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»

Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

Время задержки распространения среднее

Время записи информации

Время нарастания сигнала

Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время переключения

Время переключения интегральной микросхемы


144

144

141

  • 141

  • 142

142

182

182

114


  • 114

  • 115

115

177

177

277

277 ИЗ

113

185

  • 185

  • 186

186 $0 60


205

183


  • 183

  • 184


184


209


208

206


207

205

279

30

30

143

143


Термин


Номер термина


Время перехода при включении

Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении

Бремя перехода при выключении интегральной микросхемы

Время регенерации

Время регенерации интегральной микросхемы

Время сохранения

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время считывания

Время удержания

Время удержания интегральной микросхемы

Время успокоения

Еремя успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время установления входных сигналов

Время установления входных сигналов интегральной микросхемы

Время хранения информации

Еремя хранения информации интегральной микросхемы

Время цикла

Время цикла записи информации интегральной микросхемы

Еремя цикла интегральной микросхемы

Время цикла считывания информации интегральной микросхемы

Диапазон азтоматическоГг регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

Диапазон входных напряжений

Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра

Диапазон значений параметра допустимый

Днапаз'он значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый

Диапазон по напряжению динамический

Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока

175

  • 175

  • 176

176 28>1

231

178

  • 178

31 '31

280

278

  • 278 ‘59 59

85

85

180

180

  • 179

179

181

  • 279

181

  • 280

69

69

90

90

107

107

  • 3

  • 4

  • 3

  • 4

93

98

97

97

97

97


Гермма


Номер термина


Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интегральной микросхемы

Длительность сигнала

Длительность сигнала высокого уровня

Длительность сигнала высокого уровня интегральной микро* схемы

Длительность сигнала интегральной микросхемы

Длительность сигнала низкого уровня

Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы

Длительность спала входного сигнала

Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного тока 1

Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы

Емкое ь гхода/выхода

Емкость входа/выхода интегральной микросхемы

Емкость входная

Емкость выходная

Емкость интегральной микросхемы входная

Емкость интегральной микросхемы выходная

Емкость нагрузки

Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом и входом

Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость управляющего входа

Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Значение параметра интегральной микросхемы максимальное Значение параметра интегральной микросхемы минимальнее Значение параметра интегральной микросхемы номинальное Значение параметра максимальное

Значение параметра минимальное

Значение параметра номинальное

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент входного тока временной

Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной

9’7

187 189

189

  • 187

  • 188

188

33

33

32

32

124

  • 124

  • 125

125 Мб

  • 146

  • 147

  • 147 194 194

  • 27

  • 28

  • 27

  • 28

29

29

1 18

  • 148

145

145

10

11

о

16

11

2

66

66

87

87


Термин


Нэыер термина


Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы тем* пературный

Коэффициент выходного тока температурный

Коэффициент гармоник

Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

Коэффициент деления частоты

Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

Коэффициент интермодуляционных искажений

Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент напряжения смещения нуля временной

Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы временной

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности АЧХ

Коэффициент объединения по входу

Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Коэффициент ослабления синфазных входных напряжении интегральной микросхемы

Коэффициент параметра интегральной микросхемы температурный

Коэффициент параметра температурный

Коэффициент передачи

Коэффициент передачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

Коэффициент передачи по напряжению интегральной млкро-схемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами

Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом ин-те! ральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольности АЧХ

Коэффициент пульсаций

Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент разветвления по выходу

Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разности входных токов временной

126

126

68

68

74

74

102

102

8*9

89

99

  • 99

  • 100

100

212

212

65

65

8

8

131

131

152

152

131

151

150

150

103


71

  • 71

  • 72

72

211

211

86

86

88


Термин


Номер термина



Коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы временной

Коэффициент сглаживания пульсаций

Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения

Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент умножения частоты

Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления напряжения

Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

коэффициент усиления тока

Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент шума

Коэффициент шума интегральной микросхемы

Крутизна преобразования

Крутизна преобразования интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики

Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы потребляемая

Мощность в режиме хранения потребляемая

Мощность выходная

Мошность интегральной микросхемы выходная

Мощность интегральной микросхемы коммутируемая

Мощность интегральной микросхемы потребляемая

Мощность интегральной микросхемы потребляемая динамическая

Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая

Мощность /-го источника питания интегральной микросхемы потребляемая

Мощность /-го источника питания потребляемая

Мощность коммутируемая

Мощность потребляемая

Мощность потребляемая динамическая

88

123

123

121

121

122

122

73

73

67

67

63

  • 63

61

61

  • 64

64

62

62

101

101

75

75

104

104

276

276

47

47

130

22

275

204

23

174

174

130

22

275


Термин


Номер термина


Мощность потребляемая средняя

Мощность рассеиваемая

Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

Напряжение блокировки входное

Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное

Напряжение входное

Напряжение высокого уровня входное

Напряжение высокого уровня входное максимальное

Напряжение высокого уровня входное минимальное

Напряжение высокого уровня выходное

Напряжение высокого уровня выходное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральном микросхемы выходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое входное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы управляющее

Напряжение высокого уровня пороговое входное

Напряжение высокого уровня пороговое выходное

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

204

23

91

91

199

199

13

155

215

217

157

219

155

215

217

157

219

197

195

133

197

195

240

21С

225

225

246

250

250

253

253

246

228

22'8


Термин


Номер термине


Напряжение высокого уровня сигнала записи

Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной схемы

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интеграль

ной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала считывания

Напряжение высокого уровня сигнала считывания интеграль

ной микросхемы

Напряжение высокого уровня управляющее

Напряжение выходное

Напряжение выходное максимальное

Напряжение гистерезиса

Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение задержки АРУ

Напряжение инжектора при заданном тоье инжектора

Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы

Напряжение интегральной микросхемы входное

Напряжение интегральной микросхемы выходное

Напряжение интегральной микросхемы выходное максимальное

Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое Напряжение интегральной микросхемы опорное Напряжение интегральной микросхемы остаточное Напряжение i-ro источника питания

Напряжение /-го источника питания интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

Напряжение низкого уровня входное

Напряжение низкого уровня входное максимальное

Напряжение низкого уровня входное минимальное

Напряжение низкого уровня выходное

Напряжение низкого уровня выходное максимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное максимальное


231

231

243

243

237


237

234


234

133

14

76

127

127


92

9'2

213

213

  • 13

  • 14


76

37

109

43

153

  • 153

37

  • 154

214

216

  • 153

218

  • 154


21 1

216


158

218


Термин


Момер термина


Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое входное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы управляющее

Напряжение низкого уровня пороговое входное

Напряжение низкого уровня пороговое выходное Напряжение низкого уровня сигнала адреса

Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации Напряжение низкого уровня сигнала входной информации ннте'ральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала записи

Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание ин-


тегральнон микросхемы

Напряжение низкого

Напряжение низкого ной микросхемы

Напряжение низкого

Напряжение низкого ной микросхемы

Напряжение

Напряжение

Напряжение

Напряжение

Напряжение

Напряжение

Напряжение отпускания интегральной микросхемы

Напряжение питания

Напряжение питания в режиме хранения

Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы


уровня уровня


уровня уровня


сигнала разрешения сигнала разрешения интеграль-


сигнала считывания

сигнала считывания интеграль-


уровня управляющее


низкого

ограничения входное

ограничения интегральной микросхемы входное опорное

остаточное

отпускания


198

■196

132

198

196

239

239

224

224

245

245

249

249

252

252

227

227

230

230

242

242

236

236

233

233

132

42

  • 42

109

  • 43

116

16

12

222

222


Гермин


Hovep тер* ина


Напряжение питания интегральной микросхемы

Напряжение покоя входное

Напряжение покоя выходное

Напряжение покоя интегральной микросхемы входное Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное

Напряжение пульсаций источника питания

Напряжение пульсаций источника питания интегральной мик- I росхемы

Напряжение сигнала адреса

Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации

Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса строк

Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной мик- |

росхемы

Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации

Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала записи

Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы

Напряжение сигнала запись-считывание

Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микро-

схемы

Напряжение сигнала программирования

Напряжение сигнала программирования интегральной микро-

схемы

Напряжение сигнала разрешения

Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания

Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания

Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение синхронизации

Напряжение синхронизации интегральной микросхемы

Напряжение смещения нуля

Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Напряжение срабатывания

Напряжение срабатывания интегральной микросхемы Напряжение считывания обратной связи

Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение тактового сигнала

Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

Напряжение управления

12

  • 35

  • 36

33

36

03

93

2'38

2’38

223

223

244

248

■248

251

251

244

226

226

229

229

241

241

255

255

235

235

254

254

232

232

128

128

38

38

15

15

108

108

247

247


Гермнв


Нойер термина


Напряжение управления интегральной микросхемы

Напряжение шума

Напряжение шума интегральной микросхемы

Напряжение шума интегральной микросхемы эффективное Напряжение шума на выходе

Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы Напряжение шума, приведенное ко входу

Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной микросхемы

Напряжение шума эффективное Напряжения входные синфазные

Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные

Нес обильность параметра

Нестабильность параметра интегральной микросхемы Нестабильность по нагрузке

Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению

Нестабильность по напряжению взаимная

Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы | взаимная

Нестабильность по току

Нестабильность по току взаимная

Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная

Отклонение параметра

Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра интегральной микросхемы относительное

Отклонение параметра относительное

Отношение епгнал/шум !

Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы

Падение напряжения

Паление напряжения минимальное

Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы прямое

Падение напряжения на антизвонном диоде прямое

Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения на интегральной микросхеме минимальное

Параметр

Параметр интегральной микросхемы

Период следования импульсов тактовых сигналов

Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Полоса единичного усиления

Полоса задерживания

Полоса задерживания интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

7

77

  • 77

  • 78

39

  • 39

  • 40


  • 40

78

  • 41

41

9

120

120

118

116

118


116 119

117

119

117


6

6

105

105

110

111

156

156

110

111

1

1

Г91

191

56

53

53

129

129


П родолжение табл. 2

Теркин

Нойер термина

Полоса пропускания

52

Полоса пропускания интегральной микросхемы

52

Помехоустойчивость при высоком уровне

193

Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной мик-

росхемы

193

Помехоустойчивость при низком уровне

192

Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микро-

схемы

192

Размах шума

79

Размах шума интегральной микросхемы

79

Разность входных токов

44

Разность входных токов интегральной микросхемы

44

Сдвиг интегральной микросхемы фазовый

106

Сдвиг фаз

106

106


в открытом состояния

в открытом состоянии интегральной микро-


входное выходное


Сдвиг фазовый

Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нормированная

Скорое!ь нарастания выходного напряжения

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы максимальная

Скорость нарастания выходного напряжения максимальная Скорость отслеживания

Сопротивление

Сопротивление

схемы

Сопротивление

Сопротивление

Сопротивление интегральной микросхемы входное

Сопротивление интегральной микросхемы выходное

Сопротивление нагрузки

Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы

Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток АРУ

Ток в состоянии «Выключено» выходной

Ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной

Ток

Ток

Ток Ток

Ток

микросхемы выходной

Ток Ток

Ток Ток

Ток

входной

входной пробивной

входной средний высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной высокого уровня в состоянии «Выключено»


интегральной


высокого высокого высокого высокого высокого


уровня уровня уровня уровня уровня


входной выходной интегральной микросхемы интегральной микросхемы по входу выбора


входной выходной


80

70


70


82

82

70

140


140

  • 24

  • 25

  • 24

  • 25

  • 26

26


94

94

1LM


Термин


Номер термина


Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала входной информации

Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала выходной информации

Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня управляющего напряжения входной

Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной

Ток. выходной

Ток инжектора

Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток интегральной микросхемы входной

Ток интегральной микросхемы входной пробивной

Ток интегральной микросхемы входной средний

Ток интегральной микросхемы выходной

Ток интегральной микросхемы коммутируемый

Ток коммутируемый

Ток короткого замыкания

Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной

Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной

Ток низкого уровня входной

Ток низкого уровня выходной

Ток низкого уровня интегральной микросхемы входной

Ток низкого уровня интегральной микросхемы выходной

Ток низкого уровня по входу выбора

Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации

Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня управляющего напряжения входной

Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной

Ток ПО1р?бЛСНИЯ

Ток потребления в режиме хранения

Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в состоянии «Выключено»

Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня

269

259

259

262

262

137

137

18

220

220

  • 17

200

  • 45

  • 18

  • 46

46

21

21

166

}66

161

164

161

164

268

268

258

258

261

261

136

136

20

256

256

221

221

202


Продолжение табл. 2

Термин

Номер термина

Ток потребления выходного напряжения высокого уровня ин*

тегральной микросхемы

202

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

2G1

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня ин-

тегральной микросхемы

201

Ток потребления динамический

160

Ток потребления интегральной микросхемы

20

Тох потребления интегральной микросхемы динамический

’160

Ток потребления i-ro источника питания

159

Ток потребления i-ro источника питания интегральной микро-

схемы

159

Ток потребления при высоком уровне управляющего налря-

жения

139

Ток потребления при высоком уровне управляющего напря-

жения интегральной микросхемы

139

Ток потребления при низком уровне управляющего напряже-

НИЯ

138

Ток потребления при низком уровне управляющего напряже-

ния интегральной микросхемы

138

Ток потребления средний

203

Ток потребления интегральной микросхемы средний

203

Ток сигнала адреса

265

Ток сигнала адреса интегральной микросхемы

26?

Ток сигнала выбора

267

Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

267

Ток сигнала выбора адреса столбцов

273

Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микро-

схемы

273

Ток сигнала выбора адреса строк

274

Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

274

Ток сигнала входной информации

257

Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы

257

Ток сигнала выходной информации

260

Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы

260

Ток сигнала записи

263

Ток сигнала записи интегральной микросхемы

263

Ток сигнала запись-считывание

266

Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

266

Ток сигнала разрешения

270

Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы

«70

Ток сигнала стирания

271

Ток сигнала стирания интегральной микросхемы

27!

Ток сигнала считывания

264

Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

261

Ток тактового сигнала

272

Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

272

Ток управления

7

Ток управления интегральной микросхемы

7

Ток утечки

19

Ток утечки аналогового входа

134

Термин


Номер термин»


Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

'Гек утечки аналогового выхода

Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

Ток уIочки высокого уровня на входе

Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы

Ток утечки высокого уровня на выходе

Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

Ток утечки на сходе интегральной микросхемы

Ток утечки на выходе

Ток утечки на выходе интегральной микросхемы

Ток у точки низкого уровня на входе

Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы

Ток утечки низкого уровня па выходе

Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток холостого хода

Ток холостою хода интегральной микросхемы

Тох шума нормированный

Тох шума интегральной микросхемы нормированный

Частота входного сигнала

Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота генерирования

Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота интегральной микросхемы рабочая

Частота квазирезонанса

Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота коммутации

Частота коммутации интегральной микросхемы

Частота полной мощности

Частота полной мощности интегральной микросхемы

Частота полосы задерживания верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы нижняя

Частота полосы задерживания нижняя

Частота полосы пропускания граничная верхняя

Частота полосы пропускания граничная нижняя

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная верхняя

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя

  • 134

  • 135

135

171

  • 171

173

173

19

168

168

169

  • 169

  • 170

170

  • 172

172

112

112

81

81

57

  • 57

  • 58

58

56

56

210

96

96

50

50

84

84

55

55

54

54

49

  • 48

  • 49


Термин


Номер термина


Частота полосы пропускания интегральной микросхемы центральная

Частота полосы пропускания центральная

Частота рабочая

Частота резонанса

Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота следования импульсов тактовых сигналов

Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы

Частота среза

Частота среза интегральной микросхемы

Частота управляющего напряжения

Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы

Чувствительность

Чувствительность интегральной микросхемы

ЭДС шума нормированная

51

51

210

95

95

190

190

83

83

149

149

31

34

80


алфавитный указатель терминов

НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ


Гермин


Access time

Common-mode rejection ratio

Common-mode voltage amplification Cycle time

Delay time

Differential-mode voltage amplification Fall time

Feedback sense voltage

Frequency of unity (open loop) amplification Hold time

Input offset voltage

Input stabilization coefficient

Input transient current recovery time

Input transient voltage recovery time

Input voltage operating range

Load stabilization coefficient

Open-loop cut-off freguency

Output current drift

Output noise voltage

Output voltage drift

Output voltage operating range

Reference voltage

Refresh time interval

Ripple rejection ratio

Ripple time

Rise time

Set-up time

Short-circuit current Valid time


Номер термина


  • 277

65

64

181

60

67

31

108

56

  • 278


  • 38

121

115

114

90 ‘•122

80

125

  • 39

124

107

109

281

123

59

30

180

21

178


АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4

Гермин


Номер термина

Amplification en tension en mode commun

Amplification en tension en mode differentiel

Coefficient de stabilisation en fonction de la charge Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree Courant de court-circuit

Derive de la tension de sortie

Derive du courant de sortie

Domaine de fonctionnement de la tension d'entrce

Domaine de fonctionnement de la tension de sortie Frequence de coupure en boucle ouverte Frequence pour l’amplification unite Intervalle de temps de rafraichissement

Taux de rejection en mode commun

Taux de rejection de fondulation residuelle

Temps d’acces

Temps de croissance

Temps de cycle

Temps de decroissance

Temps de delai

Temps de maintien

Temps de preparation

Temps de recourement de la tension transitoire a Fentree

Temps de recouvrement du courant transitoire a Fentree Temps de vacillement

Temps de validation

Tension de bruit en sortie

Tension de decalage

Tension de lecture de contre-reaction

Tension de reference

64

67

122

121


21

.124

125

90

  • 107

83

56

281

65

123

  • 277

30

181 за

60

  • 278

180

  • 114

  • 115

59

178

39

38

  • 108


ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

  • I. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи: Xyi: zj1.

где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;

у. z—подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл. 5;

  • i, j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1, 2, где л —число входов и (или) выходов.

При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи: X г; Xу1; Ху; X.

Таблица 5

Наименование направления перехода сигнала

Обозначение

отечественное

м еждун а родное

Для перехода из состояния низкого уровня

LN

в состояние высокого уровня

Для перехода из состояния высокого уров-

01

ня в состояние низкого уровня

10

HL

Таблица 5

Обозначение

Наименование сигнала


отечественное международное

СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

  • 1. Адрес

  • 2. Выбор микросхемы

  • 3. Запись

  • 4. Считывание (чтение)

  • 5. Тактовый

  • 6. Разрешение

  • 7. Запись-считывание

  • 8. Адрес-данные

    a

    A

    B.M

    CS

    ЗП

    WR

    СЧ

    RD

    T

    C

    p

    CE

    ЗП.СЧ

    IVR/RD

    а.д

    AD

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

  • 9. Авария источника питания

  • 10. Авария сети питания

11 Арифметический сдвиг

  • 12. Асинхронный

  • 13. Вектор

I I. Внешний

  • 15. Вывод для подключения кварцевого

резонатора

  • 16. Выход

  • 17. Вход

  • 18. Блокировка

  • 19. Ведомый

  • 20. Ведущий

  • 21. Восстановление

  • 22. Вычитание

  • 23. Генерация

  • 24. Готовность

  • 25. Графический символ

  • 26. Данные

  • 27. Деление

23. Декремент 1

  • 29. Декремент 2

  • 30. Доступ

Л. Запрос

  • 32. Заем

  • 33. Зависание

  • 34. Задатчик

  • 35. Захват

  • 36. Знак

  • 37. Инкремент 1

  • 38. Инкремент 2

  • 39. Инкремент 1/Декремент 1

  • 40. Исполнитель

    а.н.п а.с.п а.с.д асх вс вн К1 К2 вых вх бл вдм вдщ вс вч

    ГН

    ГТ

    ГС д дл —1 —2 дс зпр зм звс зд зх зн +1 + 2

    + 1/-1

    ксп


    PSB

    Р\В AS

    ASYN

    REC EXT BQ1 BQ2 О

    I

    DE SV MS REC SUB GEN RA GRS D

    DIV

    DECI

    DEC2

    AC RQ BR HG DR TR SI INCI INC2

    1 NCI/DECI PF


Наименование сигнала

  • 41. Инструкция (команда)

  • 42. Канал (шина)

  • 43. Канал занят

  • 44. Квитирование

  • 45. Конец

46 Код

  • 47. Логический сдвиг

  • 48. Логическая операция

  • 49. Маркер

  • 50. Маскирование

5*1. Микрооперация

  • 52. Микрокоманда

  • 53. Младший

  • 54. Множитель

  • 55. Множимое

  • 56. Максимальный

  • 57. Минимальный

  • 58. Начало исполнения команды

  • 59. Начало исполнения микрокоманды

  • 60. Немаскируемое прерывание

  • 61. Нуль

  • 62. Ожидание

  • 63. Останов

64 Обратный ход

  • 65. Операция

  • 66. Ответ

  • 67. Ошибка

  • 68. Перенос

  • 69. Переполнение

  • 70. Передача

  • 71. Подтверждение

  • 72. Прямой доступ к памяти

  • 73. Повтор

  • 74. Продолжение

  • 75. Предварительный заряд

  • 76. Приоритет

  • 77. Прием

  • 78. Прерывание

  • 79. Пуск

  • 80. Порт

  • 81. Расширение

62. Распространение переноса

  • 83. Равенство нулю

  • 84. Регистр команд

65. Режим

  • 86. Регистр микрокоманд

  • 87. Результат

68. Сброс

89. Сдвиг

Обозначение

отечественное

м ежду н ародн ие

км

INS

КН

В

К.ЗТ

BUSY

кв

АК

К

END

код

CODE

л.с

LSH

л.о

LOP

мр

MR

мс

MK

МОП

MOP

мк

MINS

мл

LSB

мнж

MPLX

мже

MPLY

max

MX

min

MN

нк

STINS

н.мк

NMKINR

н.пр

NMK

нул

Z

жд

WT

ост

HLT

об.х

RVM

оп

OP

отв

AN

ОШ

er

ПС

CR

пн

CF

нч

T

п

ACK

п.д.п

DMA

пвт

RP

прд

CN

п.з

PSH

пт

PR

пм

R

пр

INR

ПСК

ST

п

P

рш

EX

рпс

SPCR

р.м

ZR

р.к

RGINS

реж

MO

р.мк

RGMINS

рез

RZ

сбр

SR

сд

S1I

Продолжение табл. 6

Наименование сигнала

Обозначение

отечественное

междун ародн ое

90. Сдвиг влево

сд.л

SHL

91. Сдвиг вправо

сд.п

SHR

92. Синхронизация

с

SYN

93. Состояние

сс

SA

94 Строб

ст

ST

95. Сложение

сл

SM

96. Строка

стр

R

97. Следующий

сдц

NEXT

98. Стек

СК

SK

99. Старший

ср

MSB

100. Средний

сд

ML

101, Тактовый вход

т.в

Cl

102. Тактовый выход

т.вых

CO

103. Тестирование (проверка)

т

TEST

104. Условие

усл

CC

105 Условный бит (флаг)

ус.б

PL

106. Управление

упр

CN

107. Ускоренный перенос

уск.п

RCR

108. Установка в состояние п

уст

Sn

109. Умножение

VMH

MPL

110. Управление

у

CO

111. Цикл

цкл

CY

112. Циклический сдвиг

ц.сд

CYSH

113. Чтение

ЧТ

RD

114. Фаза J

ф

F

115. Экран i

3

RT

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

116. Выбор адреса строки

в.а.с.

RAS

117 Выбор адреса столбца

в.а.к

CAS

118. Входная информация

вх.и

D

119. Выходная информация

вых.и

Q

120. Входная/выходная информация

вх.и/вых.и

DQ

121. Запись-считывание

зп/сч

WR

122. Разрешение выхода

р.вых

ОЕ

123. Программирование

прг

PR

  • 2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 7.

    Та

    блица 7

    Обозначение

    Наименование направления перехода сигнала

    между-

    отечественное

    народное

    Для перехода из третьего состояния в состояние

    высокого уровня

    31

    ZN

    Для перехода из состояния высокого уровня в

    третье состояние

    13

    HZ

    Для перехода из состояния низкого уровня в

    третье состояние

    0'3

    LZ

    Для перехода из третьего состояния в состояние

    низкого уровня

    30

    ZL

При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:

fA (B-D): *А (В) ’ ^А-

  • 3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл. 8.

Наименование параметра

X ('а>

(1

отечественно»

международное

отечественное

1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания

пр

2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала

Uoh

с.кнЗ

3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1 -го разряда

ЦН

max мс1

4. Время установления сигнала квитирования «Принято» относительно сигнала «Выдача»

^su

(кп-вд)

5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных

tfcx

tv

(Д-а)

Таблица 8


L zj

-D)

между

народное

INR

SYN, B3 max MK1 (TR-RCAK)


(D-A)


Производное обозначение

X л , yt zj

^A(B-Dp


отечественное

У0 ax.np

^!вых.скнЗ

max MCI

Gc(kb *>Д)

t , i сх(д-а)


международное


^IL INR

УОНSYND3


max MK1


*SU(TR-RCAK)


*U(DA)


ГОСТ 19480—а» С. 67


С. 68 ГОСТ 19480—89

Таблица 9

Режим работы

Буквенное обозначение

отечественное

международное

Запись

ЗП

WR

Считывание

СЧ

RD

Считывание-запись

сч/зп

RD/XVR

Запись-считывание

зп/сч

WR/RD

Считывание по страницам

СЧ.С1Р

Р

Слоговый режим

сл.р

V

Запись по страницам

зп.стр

PW

Счнтывание-модификация-запись

сч м.зп

RMW

Регенерация

рг

REF

Программирование

прг

PR

Стирание

г г

ER

гост 19480—ав а в*

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

  • 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

Л. Р. Хворостьян, В. Ф. Марушкин, Е. Ф. Мещанкнн, Ю. В. Назаров, Л. С. Жирякова

  • 2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 № 3960

  • 3. Срок первой проверки— 1996 г., периодичность проверки — 5 лет

  • 4. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748—1, МЭК 748—2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817—88, СТ СЭВ 4755—84, СТ СЭВ 4756—84

  • 5. ВЗАМЕН ГОСТ 19480—74

Редактор Л. Д. Курочкина ТехническиГ! редактор О. //. Никитина Корректор Л/. С. Кабашсвп

Сдано в наб. 14.02.90 Подп. в печ. 22.05.90 4,5 усл ri. л. 4,5 усл. кр.-отч. 5.73 уч.-нзд. л. Тир. 19000 Цена 1р. 10 ч.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123557. Москва. ГСП, Новопресненский пер.. 3 Тип. «Московский печатних». Москва. Лялин пер. 6. Зак. 1628

1

Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.

Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: /А1(ВС—DE)P,

где 1л. — вид временного параметра;

i—порядковый номер параметра (1,2..,л);

В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6, состояние которого изменяется первым;

С — направление перехода сигнала В;

D — наименование сигнала в соответствия с перечнем, приведенным в табл. 6, состояние которого изменяется последним, т. е. в конце временного интервала;

Е — направление перехода сигнала D;

F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приведенным в табл. 9.

Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 5.

При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала С и Е опускать.