allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений

Обозначение:
ГОСТ 17704-72
Наименование:
Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
Статус:
Действует
Дата введения:
30.06.73
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31 , 31.080

Текст ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений


ГОСТ 17704-72


Группа Э00



МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ



ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ.
ПРИЕМНИКИ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

Классификация и система обозначений

Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy.
Classification and system of designations



МКС 01.040.31
31.080

Дата введения 1973-07-01



Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 11 мая 1972 г. N 952 дата введения установлена 01.07.73

ПЕРЕИЗДАНИЕ.


Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления.

1. КЛАССИФИКАЦИЯ

1. КЛАССИФИКАЦИЯ

1.1. Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, представленной на чертеже.


2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ

2.1. Первый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет группу приемника:

- фоторезисторы неохлаждаемые - ФР;

- фоторезисторы охлаждаемые - ФРО;

- приемники фотомагнитные неохлаждаемые - ФМ;

- приемники фотомагнитные охлаждаемые - ФМО;

- фотоприемники с переходами с внутренним усилением неохлаждаемые - ФУ;

- фотоприемники с переходами с внутренним усилением охлаждаемые - ФУО;

- фотоприемники с переходами без усиления неохлаждаемые - ФД;

- фотоприемники с переходами без усиления охлаждаемые - ФДО.

2.2. Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет материал, из которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно соответствовать указанному в таблице.

Второй элемент обозначения

Материал
фоточувствительного элемента

Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначенного
для приемников широкого применения

Обозначение материала фоточувствительного элемента, предназначенного для приемников специального применения

1. Германий

ГО

10

2. Германий, легированный:

а) бором

ГБ

11

б) золотом

ГЗ

12

в) кадмием

ГА

13

г) медью

ГМ

14

д) ртутью

ГР

15

е) цинком

ГЦ

16

ж) цинком и сурьмой

Г1

17

з) золотом и сурьмой

Г2

18

3. Германиево-кремниевый сплав

ГК

19

4. Кремний

К

20

5. Кремний, легированный:

а) алюминием

КЮ

21

б) бором

КБ

22

в) галлием

КГ

23

6. Антимонид галлия

АГ

31

7. Арсенид галлия

РГ

32

8. Фосфид галлия

ФГ

33

9. Антимонид индия

АИ

41

10. Арсенид индия

РИ

42

11. Фосфид индия

ФИ

43

12. Сульфид свинца

СС

51

13. Селенид свинца

ЕС

52

14. Теллурид свинца

ТС

53

15. Сульфид цинка

СЦ

61

16. Сульфид кадмия

СА

71

17. Селенид кадмия

ЕА

72

18. Теллурид кадмия

ТА

73

19. Теллурид ртути

ТР

83

20. Тройные соединения:

а) CdHgTe

Х1

91

б) PbSnTe

Х2

92

в) PbSnSe

Х3

93



Материал фоточувствительного элемента в обозначении приемника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.

При обозначении двухцветных приемников и приемников с гетеропереходами необходимо указывать оба материала через разделительное тире. Материал с меньшей шириной запрещенной зоны должен записываться первым.

2.3. Третий элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет порядковый номер разработки приемников в подгруппе и обозначается от 001 до 999.

2.4. Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу приемников:

- фоторезисторы многоэлементные - П (одно- и двухэлементные фоторезисторы обозначения подгруппы не имеют);

- фототранзистор униполярный - У;

- фототранзистор биполярный - Б;

- фотодиод лавинный - Л;

- фототиристор - Т;

- фотодиод координатный - К (некоординатные фотодиоды обозначения подгруппы не имеют).

2.5. В технически обоснованных случаях допускается присвоение полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращенных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в стандартах или другой технической документации на приборы конкретных типов, утвержденных в установленном порядке.

2.6. Пример условного обозначения приемника лучистой энергии:

фотодиод неохлаждаемый из германия, легированного золотом, предназначенный для широкого применения, координатный. Номер разработки 001:

ФД-ГЗ-001К


То же фоторезистор охлаждаемый из сульфида свинца, предназначенный для специального применения, многоэлементный. Номер разработки 011:

ФРО-51-011П

2.7. Настоящие обозначения не должны применяться в случаях обязательного применения кодов общесоюзного классификатора продукции.



Электронный текст документа
и сверен по:
официальное издание
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005