allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ Р 56662-2015 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ Р 56662-2015
Наименование:
Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения
Статус:
Отменен
Дата введения:
04/01/2016
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.07, 07.030

Текст ГОСТ Р 56662-2015 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения



ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ


НАЦИОНАЛЬНЫЙ

СТАНДАРТ

РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ


ГОСТР

56662-

2015/ISO/TS 80004-8: 2013

НАНОТЕХНОЛОГИИ

Часть 8

Процессы нанотехнологического производства Термины и определения

(ISO/TS 80004-8:2013, ЮТ)

Издание официальное

Москва

Стенда ртинформ 2016


Предисловие

1    ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении» (ВНИИНМАШ)наосновесобственного перевода на русскийязыканглоязычной версии международного документа, указанного в пункте 4

2    8НЕСЕНТехническимкомитетомпостакдартиэацииТК441 «Нанотехнологии»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 21 октября 2015 г. № 1612-ст

4    Настоящий стандарт идентичен международному документу ИСО/ТС 80004*8:2013 «Нанотехнологии. Словарь. Часть 8. Процессы нанопроизводства» (ISO/TS 80004-8:2013 «Nanotechnologies — Vocabulary — Part 8: Nanomanufacturing processes». IDT).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р1.5—2012 (пункт 3.5)

5    8ВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в ГОСТ Р 1.0—2012 (раздел 8). Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (ло состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — е ежемесячном информационном указателе «Национальные стан• дарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано е ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и люксты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()

© Стандартинформ. 2016

Настоящий стандарт не может быть воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

и

Содержание

3    Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического проиэ*

6.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой

6.2    Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой

6.3    Термины и определения понятий, относящихся кфиэичвским методам синтеза в жидкой фазе . 6

6.4    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в жидкой фазе . 7

6.5    Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе 7

6.6    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в твердой фазе 9

7.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в нанодиапазоне ... 9

7.4    Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения покрытий . . 16 Приложение А (справочное) Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исход*

ных наноматериалов или нанообъекгов. применяемых для производства конечной

in

Введение

Нанотехнологическое производство — это применение научных открытий и новых знаний в области нанотехнологий для изготовления продукции наноиндустрии.

Продвижение нанотехнологий из научных лабораторий в массовое производство требует тщательного изучения стадий жизненного цикла продукции наноиндустрии, включая разработку и лостанов-кулродукции на производство, ее надежность и качество, управление производственными процессами и их контроль, а также вопросов обеспечения безопасности при производстве, поставке, применении и утилизации продукции наноиндустрии для сотрудников предприятий, потребителей и окружающий среды. В рамках нанотехнологического производства осуществляют освоение в промышленных масштабах процессов самосборки и направленной самосборки, синтеза наноматериалов и изготовления на ихосно-ее продукции, напримерслрименением литографии илибиологических процессов. В нанотехнологическом производстве применяют технологии «снизу-вверх» и «сверху-вниз», позволяющие изготавливать объекты или системы объектов на молекулярном уровне с последующим их встраиванием в более крупные объекты или системы объектсв.

Объекты и материалы при их преобразовании с помощью нанотехнологий изменяют свои свойства. Свойства конечной продукции наноиндустрии зависят от совокупности свойств нанообъектов и наноматериалов, использованных при ее изготовлении.

В настоящий стандарт не включены термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства, основанным на применении законов биологии в нанотехнологиях. Однако, учитывая быстрое развитие канобиотехнологий. в дальнейшем настоящий стандарт будет дополнен новыми терминами или будет разработан отдельный стандарт серии ИСО 80004. включающий терминыиопределения понятий, относящихся кпроцвссам обработки биологических наноматериалов и применению законов биологии при производстве новых каноматериалов. Также будут установлены термины и определения понятий, относящихся к другим развивающимся отраслям наноиндустрии. например к изготовлению нанокомпозиционных материалов и электронных устройств на рулонах из гибкого пластика или металлической фольги (изготовление «roll-to-roll»).

Понятие «нанотехнологическое производство» следует отличать от понятия «наноизготовление», т. к. понятие «нанотехнологическое производство» включает не только способы изготовления наноматериалов. в т. ч. синтез, но и методы их обработки.

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий, относящихся к процессам, применяемым на стадиях разработки и постановки продукции на производство, например к синтезу накоматериалов с заданными свойствами. Наноматериалы изготавливают как продукцию производственно-технического назначения для выпуска конечной продукции, например: наноматериалы приме-няют при производстве композиционных материалов или в качестве компонентов различных систем или устройств. Процессы нанотехнологического производства являются большой и разнообразной группой производственных процессов, применяемых в следующих отраслях:

-    полупроводниковая промышленность (цель которой — создание микропроцессоров меньшего размера, более эффективных и быстродействующих, с элементами размером менее 100 нм);

•    производство электроники и телекоммуникационного оборудования;

-    аэрокосмическая и оборонная промышленность;

•    энергетика и транспорт;

-    химическая промышленность, включая производство пластмассы и керамики;

-    лесная, деревообрабатывающая и целлюлозно-бумажная промышленность:

-    пищевая промышленность и производство упаковки для пищевых продуктов;

•    биомедицина, биотехнологии и фармацевтическая промышленность;

-    биологическая рекультивация;

•    легкая и парфюмерно-косметическая промышленность, включая производство одежды и товаров личной гигиены.

Ежегодно в обращение на мировой рынок поступают тысячи тонн наноматериалов, применяемых в вышеуказанных отраслях, например технический углерод и коллоидный диоксид кремния. В ближайшем будущем будут разработаны новые наноматериалы. которые внесут существенные изменения в развитие таких отраслей, как биотехнологии, технологии очистки воды и энергетика.

В настоящем стандарте термины и определения понятий объединены в разделы и подразделы, относящиеся к определенной группе или подгруппе процессов нанотехнологического производства. Раздел 6 состоит из подразделов, включающих термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства вэависимостиотагрегатногосостояния исходного материала.

Например, на этапе, предшествующем изготовлению наночастиц, исходный материал находится в газо-вой/жидкой/твердой фазе, при этом агрегатное состояние материала лодложки и вспомогательных материалов в данной классификации процессов не учитывают. В качестве примера можно привести тер-мин «формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл», который в настоящем стандарте помещен в подраздел 6.2 «Термины и определения понятий, относящихся к процессам химическогоосаждения из газовой фазы», т. к. исходным материалом в данном процессе является газообразное углеродное вещество. Вспомогательный материал — частицы железа, содержащиеся в растворе (жидкий катализатор), адсорбируют на своей поверхности исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, формируя углеродные нановолокна. Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции, приведена в приложении А.

Стандартизованные термины, относящиеся к процессам нанотехнологического производства, позволят обеспечить взаимопонимание между организациями и отдельными специалистами из разных стран, будут способствовать скорейшему переходу нанотехнологий из научно-исследовательских лабораторий к серийному выпуску и коммерциализации продукции наноиндустрии.

Сведения о ранее разработанной терминологии, относящейся к нанотехнологическому производству. представлены в библиографии (1).

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессам нанотехнологического производства.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Помета, указывающая на область применения многозначного термина, приведена в круглых скобках светлым шрифтом после термина. Помета не является частью термина.

Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них произвольные признаки. раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся копределен-ному понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

в стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

8 стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке, а также алфавитный указатель терминов на английском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, и иноязычные эквиваленты — светлым, синонимы — курсивом.

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

НАНОТЕХНОЛОГИИ Часть 8

Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения

Nanotechnologies. Pert 8. Nenomenufactunng processes. Terms end definitions

Дате введения — 2016—04—01

1 Область применения

Настоящийстандартявляется частью серии стандартов ИСО/ТС 80004 и устанавливает термины и определения понятий вобласти нанотехнологий, относящихся кпроцессами нанотехнологического производства.

Не все процессы, термины и определения которых установлены в настоящем стандарте, осуществляют в нанодиапазоне. В зависимости от возможностей управления такими процессами для изготовления продукции в качестве исходных материалов применяюти наноматериалы, иобычные материалы.

Настоящий стандарт не распространяется на оборудование, вспомогательные материалы и методы контроля, применяемые в процессах нанотехнологического производства.

2 Термины и определения понятий, установленные в других стандартах серии ИСО/ТС 80004

В настоящем разделе приведены термины и определения, установленные в других стандартах серии ИСО/ТС 80004. необходимые для понимания текста настоящего стандарта.

2.1

углеродная какотрубка; УНТ: Нанотрубка (2.9). состоящая из углерода.    carbon

nanotube;

CNT

Примечание — Углеродные нвнотрубки обычно состоят из свернутых слоев графена, в том числе одностенные углеродные нвнотрубки и многостенные углеродные нвнотрубки.

(ИСО/ТС 80004-3:2010, статья 4.3)

2.2

нанокомпоэиционный материал; нанокомпозит: Твердое вещество, состоящее nanocomposite из двух или более разделенных фаз, из которых одна или более являются нанофазами.

Примечания

1    Нвнокомлоэит не содержит газовую ивнофвзу. Газовую нанофазу содержит канопористый материал.

2    Материал, нвнофаза которого получена только методом осаждения, не является нвнокомпоэиционным.

(ИСОЯС 80004-4:2011, статья 3.2)


Издание официальное

нановолокно: Нанообъект, линейные размеры которого по двум измерениям nanofibre находятся в нанодиапазоне (2.7), а по третьему измерению значительно больше.

Примечания

1    Нановолокно может быть гибким или жестким.

2    Два сходных линейных размера по двум измерениям не должны отличаться друг от друга более чем в три раза, в размеры по третьему измерению должны превосходить размеры по первым двум измерениям более чем в три раза.

3    Наибольший линейный размер может находиться вне нанодиапазона (2.7).

1ИСО/ТС 27687:2008. статья 4.3]_

2А_

наноматериал: Твердый или жидкий материал, полностью или частично состоя* nanomaterial щий из структурных элементов, размеркоторыххотябылоодномуизмерениюнахо* дится в нанодиапазоне (2.7).

Примечания

1    Наноматериал является общим термином для таких понятий, как «совокупность нанообъектоа» (2.5) и «нано-структурированный материал» (2.6).

2    См. также «технический наноматериал*. «промышленный наноматериал» и «побочный наноматериал».

[ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.4]_

23_

наиообъект: Материальный объект, линейные размеры которого по одному, двум nano*object или трем измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — Данный термин распространяется на все дискретные объекты, линейные размеры которых находятся в нвнодивпазоне.

(ИСО/ТС 80004*1:2010, статья 2.5]_

23_

накочастица: Нанообъект (2.5). линейные размеры которого по всем трем измере-    nanoparticle

ниям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — Если по одному или двум измерениям размеры нанообъектв (2.S) значительно больше, чем по третьему измерению (как правило, более чем в три раза), то вместо термина «нвночастицв* можно использовать термины «наковолокно» (2.3) или «пенопластика».

(ИСОЯС 27687:2008, статья 4.1]_

27_

нанодиапазон: Диапазон линейных размеров приблизительно от 1 до 100 нм.    nanoscale

Примечания

1    Верхнюю границу этого диапазона принято считать приблизительной, так как. а основном, уникальные свойства нанообъектоа за ней не проявляются.

2    Нижнее предельное значение а этом определении (приблизительно 1 нм) введено для того, чтобы исключить из рассмотрения в качестве нанообъектоа (2.5) или элементов наноструктур отдельные атомы или небольшие группы атомов.

(ИСО/ТС 80004-1:2010. статья 2.1]_

2^8_

наноструктурироваимый материал:    Материал, имеющий внутреннюю или nanostructured

поверхностную наноструктуру.    material

Примечание — Настоящее определение не исключает наличия у нанообъектв (2.5) внутренней или поверхностной структуры. Рекомендуется применять термин «нвнообъект* к элементу наноструктурироевнкого материала, если его линейные размеры по одному, двум или трем измерениям находятся а нанодиапазоне.

(ИСОЯС 80004-4:2011. статья 2.11]

2.9

нанотрубка: Полое нановолокно (2.3). (ИСОЯС 27687:2008. статья 4.4)

nanotube


3 Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства

3.1    нанотехнологическое производство «снизу-вверх»: Технология, основан- bottom up

ная на применении атомов, молекул к/или нанообъектов в качестве исходного мате- nanomanufactu-риала для формирования более крупных и функционально сложных структур или ring конструкций различных объектов.

3.2    соосаждение: Осаждение одновременно двух или более исходных материа- co-deposition лов.

Примечание — К основным методам соосаждения относят: вакуумное напыление, термическое напыление, электроосаждение и осаждение твердых частиц суспензии.

communition directed assembly

directed

self-assembly


3.3    истирание: Процесс дробления или измельчения исходного материала с целью уменьшения размеров его частиц.

3.4    направленная сборка (нанотехнологии): Процесс формирования конструкций объекта в соответствиисэаданным шаблоном, основанный на применении управляемых внешних воздействий к исходным нанообъектам.

3.5    направленная самосборка: Процесс самосборки (3.11) в соответствии с заданным шаблоном, происходящий под управляемыми внешними воздействиями.

Примечание — Процесс направленной самосборки может происходить под действием приложенного силового поля, сил потока жидкости, введенногое исходное вещество химического реагента или по заданному шаблону.

3.6    литография: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изо- lithography бражения путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

Примечание — Шаблон изготавливают из материала, чувствительного к излучению, и осуществляют его перенос на подложку для формирования нужной структуры методами контактной печати или прямой записи.

3.7    многослойное осаждение: Процесс получения композиционных материалов multilayer со слоистой структурой путем последовательного осаждения на подложку двух или deposition более исходных материалов.

3.8    нанотехнологическое изготовление: Совокупность действий, направленных nanofabrication на преднамеренное изготовление объектов, устройств или их элементов, размеры

которых находятся в нанодиапаэоне (2.7). для коммерческих целей.

3.9

нанотехнологическое производство: Преднамеренный синтез, изготовление nanomanufactu-или контроль наноматериалов, а также отдельные этапы процесса изготовления е ring нанодиапаэоне (2.7) для коммерческих целей.

(ИСОЯС 80004-1:2010, статья 2.11]_

3.10

процесс нанотехнологического производства: Совокупность мероприятий, nanomanufactu-направленных на преднамеренный синтез, изготовление или контроль наномате- ring process риалов (2.4), а также отдельные этапы процесса изготовления е нанодиапаэоне (2.7) для коммерческих целей.

(ИСОЯС 80004-1:2.010. статья 2.12)


3.11    самосборка: Автономный процесс формирования структуры объекта в self-assembly результате взаимодействия компонентов исходной структуры объекта.

3.12    функционализация поверхности: Процесс придания поверхности объекта surface заданных химических или физических свойств путем химического или физико-хими- functionalization ческого воздействия.

3.13    нанотехнологическое производство «сверху-вниз»: Технология получения top-down

нанообъектов из макроскопических объектов.    nanomanufactu-

ring

4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки

electrostatic driven assembty

fluidic alignment


hierarchical

assembly

magnetic driven assembly

shape-based

assembly

supramolecuiar

assembly


4.1    сборка в электростатическом поле (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил электростатического поля.

4.2    распределение в потоке жидкости (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов. являющихся элементами устройства или материала, под действием сил потока жидкости.

4.3    иерархическая сборка (нанотехнологии): Технология, основанная на примене* нии более одного процесса нанотехнологического производства (3.9) для управления сборкой объекта, осуществляемой в любой последовательности.

4.4    сборка в магнитном поле (нанотехнологии): Процесс изготовления объектов в соответствии с заданным шаблоном в нанодиалаэоне (2.7) под действием сил магнитного поля.

4.5    сборка с учетом формы наночастиц (нанотехнологии): Процесс получения заданной структуры или конфигурации объекта, основанный на применении наночастиц (2.6) определенной геометрической формы.

4.6    супрамолекуляриая сборка: Процесс сборки объекта из молекул или наночастиц (2.6) за счет нековалентных связей.

4.7 перенос «поверхность — поверхность» (нанотехнологии): Процесс переме- surface-to-surface щения наночастиц (2.6) или объектов с поверхности одной подложки, на которой они transfer были сформированы или собраны, на поверхность другой подложки.

5 Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки

5.1    коллоидная кристаллизация (нанотехнологии): Процесс получения вещества, colloidal состоящего из плотно расположенных по отношению друг к другу элементов, упоря- crystallization доченных в периодические пространственные структуры, путемседиментации наночастиц (2.8) из раствора собраэованием твердого осадка.

5.2    графоэпитаксия (нанотехнологии): Процесс направленной самосборки (3.5) на graphioepitaxy поверхности объектов, имеющей неоднородности, размеры которых находятся в нанодиалаэоне (2.7).

Примечание - К понятию «графоэпитвксия» относят процессы последовательного формирования пленок с одинаковой или отличной структурой на поверхности одной и той же кристаллической подложки.

ion beam surface reconstruction

Langmuir-Blod-

gett

film formation

Langmuir-Blodgett film transfer


5.3    ионно-лучевое модифицирование поверхности (нанотехнологии): Процесс изменения поверхности объекта пучком ускоренных ионов с целью формирования на ней неоднородностей, в т. ч. размерами в нанодиапазоне (2.7).

5.4    формирование пленки Ленгмюра-блоджетт: Процесс получения молекулярного монослоя на границе раздела двух сред (газовой и жидкой) с помощью специальной кюветы, разработанный Ирвингом Ленгмюром и Катариной Блоджетт.

5.5    перекос пленки Ленгмюра-Блоджетт: Процесс перемещения молекулярного монослоя, сформированного на границе раздела двух сред (газовой и жидкой), на твердую поверхность путем погружения в жидкость сданным монослоем и последующего извлечения из нее твердой подложки.

5.6    послойное электростатическое осаждение: Процесс последовательного нанесения на поверхность подложки слоев полимерных материалов с противоположными знаками электрических зарядов.

layer-by-layer

deposition;

LbL deposition

modulated

elemental

reacted method

self-assembled

monolayer

formation;

SAM formation Stranski-Krasta-now growth


5.7    модулированное осаждение веществ: Процесс формирования чередующихся слоев двух или более веществ путем последовательного осаждения из газовой фазы каждого из исходных веществ на заданных участках подложки.

5.8    самосборка монослоя: Процессформирования упорядоченного молекулярного слоя вещества, осаждаемого на твердую подложку из жидкой или газовой фазы под воздействием сил молекулярного сцепления с поверхностью подложки и сил слабого межмолекулярного взаимодействия.

5.9    механизм роста пленки Странского-Крастанова; механизм «послойно-гсьплюс-островкооого» роста пленки: Процесс формирования пленки на подложке. начинающийся собразования двумерного слоя и завершающийся образованием на нем групп связанных между собой атомов (островков).

6 Термины и определения понятий, относящихся к процессам синтеза наноматериалов

6.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой фазы

6.1.1    холодное газодинамическое напыление: Процесс получения покрытия из cold gas dynamic холодных и ускоренных частиц или наночастиц напыляемого порошка, при соударе- spraying

нии которых с подложкой происходит их соединение, с применением сверхзвуковой струи инертного газа.

6.1.2    электронно-лучевое испарение: Процесс получения материала путем пре- electron-beam образования исходного материала в газообразное состояние под воздействием evaporation потока электронов в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего осаждения материала на подложку.

6.1.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам электроискрового осаждения

6.1.3.1 электроискровое осаждение: Процесс получения покрытий импуль- electro-spark сно-дуговой микросэаркой. основанный на изменении физико-химических свойств deposition поверхности под воздействием импульсных искровых разрядов, сопровождаемых отделением от обрабатывающего электрода вещества и переходом его на обрабатываемую поверхность (катод).

6.1.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам высушивания вещества

freeze drying


spray drying


supercritical

expansion

suspension combustion thermal spray wire electric explosion


vaporization


6.1.4.1    сублимационная сушка: Процесс обезвоживания вещества или удаления из него растворителя путем быстрого замораживания вещества и дальнейшего выпаривания затвердевших воды или растворителя в условиях вакуума.

6.1.4.2    распылительная сушка: Процесс получения сухого порошка из жидкости или суспензии, основанный на впрыскивании капель жидкости или суспензии в лоток нагретого до необходимой температуры газа и последующем осаждении твердых частиц.

6.1.5    быстрое расширение сверхкритических растворов: Процесс извлечения вещества, основанный на распылении исходного вещества при температуре и давлении выше критических точек и последующем осаждении нанообъектов (2.5).

6.1.6    суспензионное термическое напыление: Процесс получения покрытия термическим напылением (7.2.16), в котором в качестве исходного материала применяют суспензию.

6.1.7    электрический еэрыв проволоки: Процесс получения наночастиц (2.6) путем испарения исходного полупроводникового или проводникового материала в виде проволоки под действием импульса электрического тока высокой плотности с последующей конденсацией наночастиц.

6.1.8    испарение: Процесс перехода вещества из твердой или жидкой фазы в газовую или плазменную фазы.

s

Примечания

1    Процесс испарений применяют для осаждения материала на подложку. Процесс испарения лежите основе процессов физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ) (7}.

2    Процессы ФОГФ в условиях высокого вакууме происходят при давлении а диапазоне от 10"* до 10"*торр. в условиях сверхвысокого вакуума — при давлении ниже 10*9торр.

6.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы

6.2.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения в условиях воздействия пламени

6.2.1.1

экзотермическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твердого liquid precursor агрегированного материала, в т. ч. наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку combustion в результате экзотермической реакции окисления раствора исходного материала.

[ИСО 19353. статья 3.3. определение термина изменено]

8.2.1.2    плазменное распыление: Процесс получения твердого агрегированного материала, в т. ч. наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку, с применением плазменной струи, образованной источником ионизированного газа.

6.2.1.3    пиролиз аэрозоля: Процесс получения твердого агрегированного материала. в т. ч. наноматериала (2.4). осаждаемого на подложку в результате сжигания или нагревания до заданной температуры распыляемого исходного материала в виде аэрозоля.

6.2.1.4    плазменное распыление жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в т. ч. наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате воздействия струи термической (равновесной) плазмы на распыляемый раствор исходного материала и его последующего охлаждения.

6.2.1.5    термическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, вт. ч. наноматериала (2.4). осаждаемого на подложку в результате нагревания до заданной температуры распыляемого исходного жидкого материала.

6.2.2    термическое разложение в трубчатой печи: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3), осуществляемое в трубчатой печи при заданной и контролируемой температуре поверхности подложки с исходным материалом.

6.2.3    термическое разложение инфракрасным излучением: Процесс получения твердого материала, состоящего в т. ч. из наночастиц (2.6). осаждаемого на подложку в результате нагревания инфракрасным излучением до заданной температуры исходного газообразного вещества.

6.2.4    формирование нановолокон по механизму роста «пар-жидкость-крис-

тал л»; ПЖК: Процесс получения на подложке нановолокон (2.3) из исходного газообразного материала с применением жидкого катализатора.


plasma spray


pyrogenesis


solution precursor plasma spray


thermal spray pyrolysis


hot wall

tubular reaction

photothermal

synthesis


vapour-liquid-solid

nanofibre

synthesis:

VLS


Примечание — Формирование нановолокон no механизму роста «пар—жидкость—кристалл* происходит при наличии на кончиках формирующихся нановолокон капель жидкого катализатора, адсорбирующего исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, из которого а дальнейшем происходит рост нановолокон.

6.3 Термины иопределения понятий, относящихся к физическим методам синтеза вжидкой фазе


6.3.1    электропрядение: Процесс вытягивания волокон из исходного жидкого материала под действием сил электрического поля.

6.3.2    интеркаляционная полимеризация ln-sltu: Процесс получения намокомпо-эита (2.2). основанный на введении мономера в исходный слоистый неорганический материал и последующей его полимеризации.


electrospinning


in-situ

intercalate

polymerization


6.3.3 диспергирование канодисперсной системы: Процесс получения наносус- nanoparticle лензии, основанный на предотвращении или замедлении скорости осаждения dispersion наночастиц (2.6) за счет внутреннего или внешнего воздействия (например, сил 6


молекулярного взаимодействия, электрического поля или наличия лиганд) на исход* ный материал.

6.3.4 литье керамической ленты: Процесс получения керамической ленты путем tape casting заполнения поверхности подложки, имеющей заданные формы и размеры, макро* сколическим слоем суспензии из керамического материала.

Примечание — Макроскопический слой может содержать наночастицы (2.6).

6.3.5 мокрый помол в шаровой мельнице: Процесс получения суспензии измель- wet ball milling чением (6.5.6) исходного материала под действием ударов движущихся шаров, изго* товленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и с добавлением жидкости.

6.4 Термины и определения понятий, относящихся кхимическим методам синтеза вжидкой фазе

acid hydrolysis of cellulose

nanoparticle

precipitation

prompt inorganic condensation


reverse micelle process


sol-gel processing


surfactant

temptating


6.4.1    кислотный гидролиз целлюлозы: Химическая реакция с применением кислоты, в процессе которой происходит извлечение нанокристаллической целлюлозы из целлюлозы.

6.4.2    осаждение наночастиц из раствора: Процесс получения наночастиц (2.6) в результате протекания химических реакций в растворе с возможностью влияния на размеры получаемых частиц за счет кинетических факторов.

6.4.3    быстрая конденсация неорганических материалов: Процесс получения атомарно гладкой и плотной пленки из исходного металлоорганического материала методом центробежного осаждения (7.2.17) и последующего отверждения на подложке при заданной температуре.

6.4.4    синтез в обратных мицеллах: Процесс формирования наночастиц (2.6) требуемых размеров и формы в растворе исходного материала с применением соответствующего реагента, основанный на образовании в ядре мицеллы наночастиц, рост которых ограничен оболочкой мицеллы.

6.4.5    золь-гель технология: Процесс получения материалов путем преобразования исходного раствора или суспензии (золя) в коллоидную систему (гель), состоящую^) из жидкой дисперсионной среды, заключенной в пространственную сетку, образованную соединившимися частицами дисперсной фазы.

6.4.6    матричный синтез; темплатный синтез: Процесс получения наноматериала путем самосборки, происходящий с добавлением е исходный материал поверхностно-активного вещества, молекулы которого выступают е качестве структурообразующего агента, и формирования структурных элементов размерами в нанодиапазоне (2.7) при последующем отверждении этого материала.

Пример — Силикатные и алюмосиликатные материалы с •самоформирующеОся структурой» (структурой типа МСМ-41).

6.4.7 метод Стобера: Процесс получения накочастиц силикатного материала из Stober process тетраалкилортосиликата. который подвергают гидролизу путем его обработки спиртом и аммиаком.

Примечание — Термин «метод Стобера» — ото наименование золь-гель технологии (6.4.5), применяемой для получения диоксида кремния.

6.5 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе

6.5.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам блок-сополимеризации

block copolymer phase segregation

block copolymer templating


6.5.1.1    блок-сополимеризация: Процесс получения блок-солопимерного материала, основанный на формироеаниичередующихсядвухмерных(20)или трехмерных (3D) структур из блоков различных несовместимых полимерных цепей.

6.5.1.2    наноструктурирование блок-сополимера: Процесс формирования наноструктур в блок-сополимерном материале путем добавления в его определенную фазу соответствующего вещества.

6.5.2    диспергирование глины в жидкой полимерной матрице: Процесс получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания частиц глины с жидким полимерным материалом и его последующего отверждения.

6.5.3    холодное прессование (нанотехнологии): Процесс обработки материала давлением с целью его уплотнения за счет уменьшения расстояния между частицами материала до размеров нанодиапазона (2.7), происходящий без нагревания.

6.5.4    непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом; НОППС: Процесс улучшения механических свойств металла за счет изменения размеров его зерен в результате интенсивного пластического деформирования при вальцовке со сдвигом, происходящий без значительных изменений габаритных размеров исходного материала.


clay dispersion


cold pressing


conshearing continuous confined strip shearing; C2S2


Примечание — Метод НОППС позволяет получать материалы и изделия из них с улучшенными механическими свойствами.

6.5.5    расстекловывание (нанотехнологии): Процесс кристаллизации исходного материала, имеющего стекловидную консистенцию, происходящий с образованием в нем нанообъектов и/или пустот, размеры которых находятся в нанодиапаэоне (2.7).

6.5.6    измельчение (нанотехнологии): Процесс получения наночастиц (2.6) механическим истиранием исходного вещества с применением материала, имеющего более высокий показатель твердости.

6.5.7    высокоскоростная микрообработка: Процесс изготовления двухмерного или трехмерного прецизионного изделия путем отделения изделия в качестве части от исходной заготовки или вырезания изделия на поверхности исходной заготовки с помощью специального инструмента при скорости вращения шпинделя более 30 000 об/мин.


devitrification


grinding


high-speed

micromachining


Примечания

1    Прецизионные изделия получают в процессе микрообработки за счет высокой скорости (от 30 000 до 100 000 об/мин) вращения шпинделя.

2    виды высокоскоростной микрообработки: лазерная, электронно-лучевая, ультразвуковая, фрезерование, обработка ионным пучком. Для выполнения высокоскоростной микрообработки применяют оборудование с числовым программным управлением (ЧПУ).

3    Скорость вращения шпинделя устанавливают в зависимости от применяемого вида микрообработки.

6.5.8 ионная имплантация: Процесс изменения свойств поверхности объекта ion implantation путем ее разрушения или перекристаллизации под воздействием ионного пучка.

6.5.9 Термины и определения понятий, относящихся к процессам измельчения

6.5.9.1    криогенное измельчение: Измельчение (6.5.6) при криогенной температу- cryogenic milling ре (т. е. при температуре ниже-150 *Сили 123 К).

6.5.9.2

сухой помол в шаровой мельнице (нанотехнологии): Процесслолучения матери- dry ball milling ала. содержащего наночастицы (2.6). измельчением и смешиванием исходных материалов различного химического и гранулометрическогосоставов под действием ударов движущихся шаров, изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и последующим нагреванием до температуры спекания.

(ИСО 11074:2005. статья 4.6.2, ИСО 3252:1999. статья 1303. определение и наименование термина изменены]


multi-pass coin forging


nanotemplated

growth


6.5.10    многократная штамповка скрученном: Процесс улучшения свойств металла за счет уменьшения его зерен до размеров нанодиапазока (2.7) в результате интенсивного пластического деформирования, происходящего при неоднократном последовательном повторении операций сжатия заготовки в виде листового проката между двумя пуансонами, имеющими рельефную поверхность, и вращения пуансонов на заданный угол, споследующей обработкой заготовки ковкой или вальцовкой.

6.5.11    осаждение в соответствии с наношаблоном: Процесс формирования объекта заданной формы, в т. ч. с замкнутым внутренним пространством, путемосажде-ния исходных наноструктурированных материалов (2.8) или наночастиц (2.6) из жид* кой или газовой фазы на подложку.

6.5.12 диспергирование наночастиц а жидкой полимерной матрице: Процесс polymer получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания nanoparticle наночастиц (2.6) исходного вещества с жидким полимерным материалом и его dispersion последующего отверждения.

6.5.13 Термины и определения понятий, относящихся к процессам спекания

6.5.13.1    горячее прессование: Процесс получения металлического материала hot pressing формованием металлического порошка в пресс-форме под воздействием давления

и температуры, превышающей температуру рекристаллизации основного компонента.

Примечание — Процесс горячего прессования проводят при дввпении выше S0 МПв и температуре 2400 'С.

6.5.13.2 спекание наночастиц: Процесс соединения наночастиц путем термической обра- nanoparticie ботки исходного материала, в процессе которой происходит активизация взаимо- sintering действия наночастиц вследствие движения атомов внутри и между наночастицами.

[ИСО 836:2001. определение термина приведено из статьи 120)_

6.5.13.3 электрэимпульсное плазменное спекание: Процесс уплотнения порош- spark plasma ка проводникового или полупроводникового материала, помещенного в пресс-фор- sintering му под воздействием давления, нагреванием со скоростью до 1000 К/мин путем пропускания через него импульса постоянного тока и последующим охлаждением со скоростью до 1000 К/мин. без изменения размеров зерен.

6.6 Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в твердой фазе

6.6.1    прививочная блок-сополимериэация; двриватизация блок-сополимерое: block copolymer Процесс модификации твердого блок-сололимерного материала путем добавления chemical соответствующего вещества, атомы или молекулы которого взаимодействуют толь- derivatization ко с одной фазой модифицируемого материала.

6.6.2    анодноеокисление металла (нанотехнологии): Процесс получения неметал- electrochemical лического неорганического покрытия на металлической подложке (аноде) электро- anodization химическим способом с контролем образования нанопор.

Примечание — Термин «анодное окисление металла» является синонимом термине «анодное травление».

6.6.3    интеркалирование: Процесс обратимого встраивания атомов или молекул intercalation одного вещества в кристаллическую структуру другого вещества.

6.6.4    синтез двухфазных нанокомпоэиционных материалов: Процесс получе- two-phase кия нанокомпоэиционного материала, состоящего из двух разделенных фаз. путем methods нагревания и быстрого охлаждения до заданных температур исходной смеси из двух компонентов.

7 Термины и определения понятий, относящихся к процессам изготовления продукции

7.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в нанодиапаэоне

7.1.1    трехмерная литография: ЗО-литография: Процесс формирования структу- 30 lithography ры объекта, линейные размеры которой или ее составных частей по одному, двум

или трем измерениям могут находиться в нанодиапазоне (2.7), путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

7.1.2    аддитивная печать: Процесс формирования рельефного изображения additive послойным нанесением материала на подложку в соответствии с заданным шабло- processing ком.

Примечание—В случае применения резисте в качестве шаблона различают два вида аддитивной печати: обратная литография и аддитивная печать с применением трафарета. 8 процессе обратной питогрвфии на резист наносят слой материала, из которого необходимо сформировать рисунок, а затем удаляют резист таким образом, чтобы нанесенный материал остался вотверстиях. не защищенных резистом, а материал, лопавший на резист, убирается вместе с ним. 8 процессе аддитивной печати с применением шаблона материал только добавляют в отверстия. не защищенные резистом [допускается применять совместно с процессом электроосаждения (7.2.7)).

biock copolymer lithography


colloidal crystal

template

lithography

deep ultraviolet

lithography;

DUV


7.1.3 блок-сополимерная литография: Процесс формирования рельефного изображения из наночастиц материала, оставшихся на подложке после удаления полимерного шаблона, полученного за счет микрофазного расслоения диблоксополимерое.

7.1 .4 литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процесс формирования заданного объекта методами осаждения или травления в соответствии с шаблоном. представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структуру из частиц коллоидного кристалла.

7.1.5    фотолитография в глубоком ультрафиолете; ФГУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин волн от 100 до280нм.

7.1.6

перьевая нанолитография: Процесс формирования рельефного изображения dip-pen размерами менее 100 нм в соответствии с заданным шаблоном путем переноса nanolithography специального материала на подложку с помощью зонда атомно-силового микроскопа, происходящегоэа счет диффузии через водный мениск между поверхностью подложки и зондом.

Примечания

1    Не острие зонда атомно-силового микроскопа наносят мопекулы или наночастицы (2.6) специального материала и переносят их не подложку, формируя рельефное изображение, состоящее из одного или нескольких слоев наносимого материала.

2    .Dip-Pen Nanohthography» — торговая марка чернил, выпускаемых компанией Nanolnk Inc. Данные сведения приведены как пример для правильного понимания содержания настоящего стандарта. 8 стандартах Международной организации по стандартизации (ИСО) термин .dip-pen nanolrtftogrephy» не обозначает понятие кчерни-ла». Термин «перьевая нанолитография» допускается применять для обозначения аналогичной продукции.

[ИСО 18115-2:2010, статья 6.40)_

7.1.7    электронно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изо- electron-beam бражения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью lithography фокусированного электронного пучка.

7.1.8    фотолитография в экстремальном ультрафиолете; ФЭУ: Процесс форми- extreme ultraviolet рования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения lithography: заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин EUV

волн от 10 до 20 нм.

Примечание — В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют системы специальных зеркал.

focused ion-beam lithography;

FIB

immersion optics


interference

lithography


7.1.9    ионно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированного ионного пучка.

7.1.10    иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного промежутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жидкостью с соответствующим показателем преломления.

7.1.11    интерференционная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки облученного резиста, на поверхности которого с помощью дифракционных решеток получена интерференционная картина.

7.1.12    ионнО"СТимулироваиное осаждение: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул

осаждаемого материала на заданных участках подложки с помощью фокусирован* ion induced кого ионного пучка.    deposition

ion induced etching


ion projection lithography

micro-contact

printing


7.1.13    ионно-стимулированное травление: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем уменьшения концентрации молекул на заданных участках обрабатываемого материала, покрывающего подложку, с помощью фокусированного ионного пучка.

7.1.14    ионно-проекционная литография: Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью пучка ускоренных ионов.

7.1.15    микрококтактная печать: Вид мягкой литографии (7.1.25). в которой шаблон после нанесения на него чернил вдавливают в слой материала, покрывающего подложку.

Примечание — Точность воспроизведения изображения зависит от особенностей поверхности подложки и мвтеривла. используемого в качестве чернил.

microfluidic

deposition


nano-embossing


7.1.16    микрожидкостная печать: Процесс получения рельефного изображения путем нанесения жидкого материала на поверхность подложки с помощью печатной головки сканалами, размеры которых находятся в микро- или накодиапаэонв (2.7). и последующего его отверждения при заданной температуре.

7.1.17    нанотиснение: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком, размеры которого находятся в нанодиапазоне (2.7). в слой резиста, покрывающего подложку.

Примечания

1    Термин «нанотиснение» также распространяется на процесс формирования трехмерных наноструктур.

2    При нанотиснении физические свойства материале резиста не изменяются. Процесс ненотиснения отличается от процесса нвнолечатной литографии тем. что получаемое изображение в слое резиста не требует дополнительной обработки.

7.1.18 нанопечатная литография; НПЧ: Процесс получения рельефного иэобра- nano-imprint жения путем вдавливания шаблона (обычно называемого клише, штамп, маска или lithography; NIL трафарет) с заданным рисунком, размеры элементов которого находятся в нанодиапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающего подложку, и последующего его отверждения при заданной температуре или под воздействием светового излучения.

Примечания

1    Нанопечатную литографию относят к процессам печати, а не к процессам литографии (3.6). т. к. получаемое изображение зависит от формы и рельефа шаблона.

2    Нанопечатную литографию различают по видам материалов, используемых в качестве резиста. Резист из термопластичного полимерного материала сначала нагревают до температуры плавления, в затем надавливают на него шаблоном. Резист из термореактивного мвтеривла сначала используют в жидком виде, прикладывая к нему шаблон, в потом нагревают до температуры его отверждения. На негативном фоторезисте изображение формируют с помощью светового излучения и прозрачного шаблоне. Процессы нанопечатной литографии с использованием фоторезистов некоторые специалисты называют «оптический импринтинг», «оптический наноимлринтинг* или «печатная литография «шаг—вспышка*.

7.1.19 естественная литография: Процесс формирования структуры объекта или natural lithography рельефного изображения путем воспроизведения шаблона, происходящий в природе.

Пример — Полосы, обрезовенные не коллаеановых волокнах соединительной ткани, или структуры, сформированные из нитей рибонуклеиновой кислоты (РНК).

Примечание — Термин «естественная литография» относят к процессам, в которых воспроизведение изображения происходит с помощью шаблона без применения фокусированного пучка излучения |12].

7.1.20 фотолитография; оптическая литография: Процесс получения изображе- photolithography; ния на подложке путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электро- optical lithography магнитным излучением через заданный шаблон.

Примечание — Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

7.1.21    фазоконтрастная фотолитография: Процесс получения изображения раз* мерами е нанодиалазоне (2.7) и улучшенным разрешением путем облучения фото* резиста, покрывающего подпожку. электромагнитным излучением через шаблон (фотошаблон) со структурой, сдвигающей фазу проходящего излучения.

7.1.22    плазмонная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиалазоне (2.7) путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой металлическую плазменную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполевого возбуждения. вызывающего изменения в фоторезисте.

7.1.23    рисование с помощью сканирующего эондового микроскопа: Процесс получения рельефного изображения, заключающийся е изменении заданных участков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) с чернилами или без них.

7.1.24    химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего туннельного микроскопа; ХОГФ СТМ; Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиалазоне (2.7) спомощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). в котором нанесение материала на подложку происходит за счет химического осаждения из газовой фазы, происходящего под действием электрического напряжения.

7.1.25    мягкая литография: Процесс получения изображения, заключающийся в нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов (например, эластомерных материалов).

7.1.26    субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключающийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с заданным шаблоном.

7.1.27    рентгеновская литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью рентгеновского излучения.

Примечание — Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого находятся в нанодиалазоне (2.7) [в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.6)1. поэтому термин «рентгеновская литография» применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального шаблоне с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на нее изображением из мвтеривлвс высоким поглощением рентгеновского излучения, например из металла. Как правило. для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения

7.2.1


phase-contrast photolithography


plasmonic

lithography


scanning force probe writing


scanning tunneling microscope chemical vapour deposition;

STM CVD soft lithography


subtractive

processing

x-ray lithography


адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества поверхностным слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за счет физических или химических взаимодействий.

|ИСО 14532:2001. статья 2.2.2.7J

adsorption

7.2.2 атомно-слоевое осаждение; АСО: Процесс получения однородных конформных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на подложку в ходе самоограниченных химических реакций, позволяющих контролировать толщину нанесенного слоя.

atomic layer

deposition;

ALD

Примечание—В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включать не менее двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины

7.2.3

химическое осаждение из газовой фазы; ХОГФ: Процесс получения пленок или порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.

chemical

vapour

deposition:

CVD

{ИСО 2080:2008. статья 2.2. определение термина изменено]


7.2.4 каталитическое химическое осаждение из газовой фазы; КХОГФ: Процесс catalytic chemical ХОГВ (7.2.3), основанный на термическом разложении газообразных веществ с при- vapour deposition; менением катализатора.    CCVD

Примечания

1    Процесс КХОГФ применяют длй получения углеродных нанотрубок (2.В) из исходных углеводородных материалов (например, метан) с использованием катализаторов, например железо Fe. никель Ni или кобвльт Со.

2    Термин «каталитическое химическое осаждение из газовойфазы» относят к терминам, обозначающим процессы катализа.

duster beam coating

dip coating


electrodeposition:

electroplating

electroless

deposition

electro-spray


evaporation


focused

electron-beam

deposition

focused ion-beam deposition;

FIB


7.2.5    нанесение покрытия кластерным лучком: Процесс получения структурированной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использованием источника кластерного пучка.

7.2.6    нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки путем погружения подложки в специальный раствор и ее последующего извлечения из него.

7.2.7    электроосаждение; электролитическое осаждение: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода е специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

7.2.8    осаждение методом химического восстановления: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

7.2.9    электрораспыление: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к которому приложено напряжение.

7.2.10    выпаривание: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до заданной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего охлаждения.

7.2.11    осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентрированного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

7.2.12    осаждение фокусированным ионным пучком; ОФИП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионое для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

Примечание — ОФИП применяют, например, длй осаждения газообразного карбонила вольфрама №(00^. в вакуумной камере под воздействием ионного пучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и нелетучие компоненты; нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на подложку. ОФИП применяют также для осажденийдругих металлических материалов, например платины. Осажденный таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты объекта от разрушающего воздействия ионного пучка.

7.2.13 молекулярно-лучевая эпитаксия: Процесс получения монокристалличес- molecular beam кой пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исход- epitaxy кого(ых) материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1    Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.

2    Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия ШАв и подложку из арсенида галлия GaAs. получают структуры размером в нанодиапазоне (2.7).

3    См. библиографию |1Э].

7.2.14__

физическое осаждение из газовой фазы; ФОГФ: Процесс нанесения покрытия physical vapour испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в deposition; условиях вакуума.    PVD

(ИСО 2080. статья 2.12)

7.2.15    послойное электростатическое осаждение полиэлектролитов: Процесс получения покрытия путем последовательного нанесения на поверхность подложки слоев полиэлектролитов с противоположными знаками электрических зарядов.

polyelectrolyte

layer-by-layer;

LbL

thermal spray


spin coating spray deposition


sputter deposition


surface

polymerization


7.2.16    термическое напыление (нанотехнологии): Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6) напыляемого материала, при соударении которыхслодложкой про* исходит их соединение, с применением плазменной струи или в результате сгорания примесей напыляемого материала.

7.2.17    центробежное осаждение: Процесс получения пленки осаждением из жид* кого исходного материала твердой дисперсный фазы на вращающуюся подложку под действием центробежных сил.

7.2.18    осаждение распылением: Процесс получения покрытия из исходного жидкого материала, преобразованного соплом в аэрозоль и нанесенного на поверхность подложки.

7.2.19    осаждение напылением: Физическое осаждение из тазовой фазы (7.2.14) с применением источника высокоэнергичных частиц, бомбардирующих исходный материал (мишень), для перемещения атомов исходного материала на поверхность подложки.

7.2.20    полимеризация на поверхности: Процесс получения полимерной пленки на поверхности подложки из газовой или жидкой фазы исходного мономера.

7.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления

anisotropic

etching

Bosch etching


chemical etching


7.3.1    анизотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий в вертикальном направлении со скорое* тью выше, чем в горизонтальном направлении.

7.3.2    Бош-травленио; пассиеационное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки неоднократным чередованием циклов травления и пассивации, обеспечивающих формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

7.3.3    химическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки под действием химических веществ.

Примечание — В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газообразные (сухое травление) химические вещества.

7.3.4    химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления chemically поверхностного слоя материала сподложки пучком ионов химически активного газа, assisted

ion beam etching

7.3.5    криогенное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного cryogenic etching слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже.

при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание — Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материале ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объекта

crystallographic

etching

deep reactive ion etching;

DRIE


7.3.6    кристаллографическое травление:    Процесс управляемого удаления

поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по различным кристаллографическим направлениям.

7.3.7    глубокое реактивное ионное травление; ГРИТ: Процесс анизотропного травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.

Пример — Отверстия и канавки с вертикальными станками.

Примечание—К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-трвелвние (7.3.2) и криогенное травление (7.3.S).

7.3.8 сухое озолеиие: Вид химического травления (7.3.3) с применением газооб- dry-ashing разных химических веществ, в процессе которого происходит преобразование материала вобласти. подвергаемой травлению, в летучее удаляемое соединение.

Пример — Удаление с подложки шаблона из фоторезиста с применением кислорода.

7.3.9    сухое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя dry-etching материала с подложки с применением частично ионизированных газов.

7.3.10    травление фокусированным ионным пучком; ТФИП: Процесс управляв- focused ion-beam

мого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокуси- etching; рованным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.    FIB

Примечания

1    Травление осуществляют распылением материала с веданных участков подложки ионным пучком, воздействуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.

2    ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.

7.3.11 травление плазмой высокой плотности: Плазменное травление (7.3.18) high-density потоком ионов ппотностью от 1011 до 1012 ион/см^с применением источника ионое на plasma etching основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы.

Примечание — 8 зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осаждение. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу.

inductive coupled plasma:

ЮР

ion beam etching; ion beam milling

isotropic etching


laser ablation


7.3.12    травление индуктивно связанной плазмой; ТИСП: Плазменное травление (7.3.18)с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля.

7.3.13    ионно-лучевое травление; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, полученным с помощью источника плазмы.

7.3.14    изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям.

7.3.15    лазерная абляция: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки лазерным импульсом.

Примечание — Лазерную абляцию применяют для формирования неоднородностей размерами в нанодиапазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку.

7.3.16 травление световым излучением; фотохимическое /правление: Процесс light-assisted управляемого удаления поверхностного слоя мэтериаласлодложки световым нэпу- etching; чением.    photochemical

etching

Примечание — Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют. например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами

7.3.17    физическое травление; травление распылением: Процесс управляемого physical etching; удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под sputter etching действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).

Примечание — Физическое травление относят к анизотропным и неизбирательным процессам травления.

7.3.18    плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плаз- plasma etching мы — ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда

в газовой среде.

Примечания

1    К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами. в который помещают материал, подлежащий травлению.

2    В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.

7.3.19    травление по трекам излучения: Процесс управляемого удаления поверх* radiation track костного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования etching узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами.

Пример — Пористые полимеры, е которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем.

7.3.20    реактивное ионное травление; РИТ; Плазменное травление (7.3.18) лото* reactive ion ком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом налряже- etching; ния. возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена RIE подложка, высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.

Примечание — Поток заряженных ионоа плазмы генерируют а специальных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материале подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое относят к изотропным процессам травления. РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью.

7.3.21    избирательное травление: Процесс управляемого удаления поверхнос- selective etching тного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных

участках поверхности с различным химическим составом.

Пример — водные растворы под воздействием высокочастотных з лектромаенитмых полей удаляют с подложки оксид кремния SI02 и не удаляют кремний.

7.3.22 жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного wetetching слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ.

7.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения покрытий

7.4.1 тиснение; импринтинг: Процесс получения рельефного изображения путем embossing; вдавливания шаблона с заданным рисунком в слой обрабатываемого материала.    imprinting

multilayer film process

nanofibre

precipitation


7.4.2    формирование многослойной пленки (нанотехнологии); Процесс получения многослойной пленки путем соединения вальцовкой нескольких отдельных пленок на подложке.

7.4.3    осаждение нановолокон: Процесс получения покрытия или структуры объекта осаждением нановолокон (2.3) израствора на подложку или ее заданные участки.

7.4.4 напыление наночастиц: Процесс получения покрытия из каночастиц (2.6), nanoparticle spray при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением coating распыляемого раствора, плазмы, кластерного пучка или из другого источника наночастиц.

Приложение А (справочное)

Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции

Таблица А.1

Группа

процессов

Подгруппа

процессов

Процесс

Процесс с применением иамосбъ-екюе

Процесс нано' структурирование материала

Физическое осажде-ние из газовой фазы

Холодное газодинамическое напыление

v

Электронно-лучевое испарение

V

Электроискровое осаждение

Электроискровое осаждение

V

Термическое разложение инфракрасным излучением

V

Плазменное распыление жидкого вещества

я

Напыление

V

Высушивание вещества

Сублимационная сушка

V

Высушивание вещества

Распылительная сушка

V

Быстрое расширение свврхкритических растворов

V

Суспензионное термическое напыление

V

Электрический взрыв проволоки

V

Испарение

\

Химическое осажде-ние из газовой фазы

Атомно-слоевое осаждение (АСО)

v

Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ)

V

Каталитическое химическое осаждение из газовой фазы (КХОГФ)

V

Осаждение в условиях воздействия пламени

Экзотермическое разложение жидкого вещества

V

V

Осаждение в условиях воздействия пламени

Плазменное распыление

V

Осаждение в условиях воздействия пламени

Пиролиз аэрозоля

V

V

Осаждение в условиях воздействия пламени

Термическое разложение жидкого вещества

V

Продолжений таблицы А. 1

Группа

процессов

Подгруппа

процессов

Процесс

Процесс с применением манообь-ектое

Процесс нано-структурировав мия ыатсрмала

Химичес-кое осаждение из газовой фазы

Графозпитаксия

1

\

Термическое разложение в трубчатой печи

s'

V

Термическое разложение инфракрасным излучением

Ч1

Термическое распыление жидкого вещества

ч!

V

Формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл* (ПЖК>

Ч1

Физичес-кие методы синтеза а жид-кой фазе

Истирание

ч'

V

Электролрядение

ч'

V

Интеркаляционная полимеризация ln-sltu

ч<

V

Диспергирование нвнодис-персной системы

ч'

Питье керамической ленты

V

Мокрое измельчение

Мокрый помол а шаровой мельнице

\'

V

Химические методы синтеза а жидкой фазе

Кислотный гидролиз целлюлозы

ч'

Осаждение нвкочастиц из раствора

ч!

Быстрая конденсация неорганических материалов

ч;

Синтез а обратных мицел-

Л8Х

ч'

V

Золь-гель технология

ч1

V

Матричный синтез

ч'

Метод Стобера

ч‘

V

Физические методы синтезе а твердой фазе

Интенсивное пластическое деформирование

Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом

V

Блок-со полимеризация

Прививочная блок-сополи-меризация

V

Блок-со полимеризация

Блок-сополимеризация

ч1

Блок-со полимеризация

Наноструктурирование

блок-сополимера

ч/

Холодное прессование

1

Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом

Окончание таблицы А.1

Группе

процессов

Подгруппа

процессов

Процесс

Процесс с применением иаиообь-екюв

Процесс нано-структурирования материала

Оизичес-кие методы синтеза в твердой фазе

Расствклоаыввние

V

Измельчение

Ч

Высокоскоростная микро-обработка

V

Ионная имплантация

V

Измельчение

Криогенное измельчение

V

Сухой помол а шаровой мельнице

V

Многократная штамповка с кручением

V

Осаждение а соответствии с наношабпоном

V

<

Спекание

Горячее прессование

V

Спекание наночастиц

V

Электроимлульсное плазменное спекание

V

4

Химические методы синтеза е твердой фазе

Диспергирование глины в жидкой полимерной матрице

V

Анодное окисление металла

V

Интеркалирование

V

V

Диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице

V

Синтез двухфазных нано-композиционных материалов

V

Алфавитный указатель терминов на русском языке

абляция лазерная    7.3.15

блок-сополимеризация    6.5.1.1

выпаривание    7.2.10

диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице    6.S.12

измельчение криогенное    6.S.9.1

литография естественная    7.1.19

литография интерференционная    7.1.11

литография ионно-проекционная    7.1.14

литография мягкая    7.1.25

литография нанопечатная    7.1.18

литография оптическая    7.1.20

литография оптическая иммерсионная    7.1.10

литография плазменная    7.1.22

литография рентгеновская    7.1.27

наносгруктурирование блок-сополимера    6.5.1.2

нанотиснекие    7.1.17

напыление термическое    7.2.16

НПЧ    7.1.18

обработка субтрактивная    7.1.26

осаждение в соответствии с наношаблоном    6.5.11

осаждение из газовой фазы физическое    7.2.14

осаждение из газовой фазы химическое с применением сканирующего туннельного микроскопа    7.1.24

осаждение ионно-сгимулироввнное    7.1.12

осаждение напылением    7.2.19

осаждение распылением    7.2.18

осаждение фокусированным ионным лучком    7.2.12

осаждение фокусированным электронным пучком    7.2.11

осаждение центробежное    7.2.17

осаждение электроискровое    6.1.3.1

осаждение электролитическое    7.2.7

осаждение электростатическое послойное

5.6

осаждение электростатическое полиэлектролитов послойное

7.2.15

ОФИП

7.2.12

ОФЭП

7.2.11

перенос пленки Ленгмюра-Блоджетт

5.5

перенос «поверхность — поверхность»

4.7

печать вддитивная

7.1.2

печать микрожидкостная

7.1.16

печать микроконтактная

7.1.15

пжх

6.2.4

пиролиз аэрозоля

6.2.1.3

полимеризация интеркаляционная ln-eltu

6.3.2

полимеризация на поверхности

7.2.20

помол в шаровой мельнице мокрый

6.3.5

помол в шаровой мельнице сухой

6.5.9.2

прессование горячее

6.5.13.1

прессование холодное

6.5.3

производство нанотехнологическое

3.9

производство нанотехнологическое «сверху-вниз»

3.13

производство нанотехнологическое «снизу-вверх»

3.1

процесс нанотехнологического производства

3.10

разложение в трубчатой печи термическое

6.2.2

разложение жидкого вещества термическое

6.2.1.5

разложение жидкого вещества экзотермическое

6.2.1.1

разложение инфракрасным излучением термическое

6.2.3

распределение в потоке жидкости

4.2

распыление плазменное

6.2.1.2

распыление жидкого вещества плазменное

6.2.1.4

расстекловывание

6.5.5

расширение сверхкритических растворов быстрое

6.1.5

рисование с помощью сканирующего эондового микроскопа

7.1.23

РИТ

7.3.20

самосборке

3.11

самосборка монослоя

5.8

самосборка направленная

3.5

сборка иерархическая

4.3

сборка в магнитном поле

4.4

сборка в электростатическом поле

4.1

сборка направленная

3.4

сборка сулрамолекулярная

4.6

сборка с учетом формы наночастиц

4.5

синтез в обратных мицеллах

6.4.4

синтез двухфазных наногомпоэиционных материалов

6.6.4

синтез матричный

6.4.6

синтез теиппетный

6.4.6

соосаждеиие

3.2

спекание наночастиц    6.5.13.2

спекание плазменное электроимпульсное    6.5.13.3

сушка сублимационная    6.1.4.1

сушка распылительная    6.1.4.2

тиснение    7.4.1

ТИСП    7.3.12

травление анизотропное    7.3.1

травление жидкостное    7.3.22

травление избирательное    7.3.21

травление изотропное    7.3.14

травление индуктивно связанной плазмой    7.3.12

травление ионное реактивное    7.3.20

травление ионно-лучевое    7.3.13

травление ионно-стимулированное    7.1.13

травление плазменное    7.3.16

травление плазмой высокой плотности    7.3.11

травление по трекам излучения    7.3.19

травление распылением    7.3.17

травление световым излучением    7.3.16

травление физическое    7.3.17

травление фокусированным ионным пучком    7.3.10

травление фотохимическое    7.3.16

ТФИЛ    7.3.10

ФОГФ    7.2.14

фотолитография    7.1.20

фотолитография фазоконтрастная    7.1.21

фрезерование ионно-лучевое    7.3.13

ХОГФСТМ    7.1.24

штамповка с кручением многократная    6.5.10

эпитаксия молекулярно-лучевая    7.2.13

Алфавитный указатель терминов на английском языке

block copolymer phase segregation    6.5.1.1

block copolymer templatmg    6.5.1.2

cryogenic milmg    6.5.9.1

dtp-pen nanolithography

7.1.6

directed assembly

3.4

directed self-assembly

3.5

DRIE

7.3.7

dry-sshlng

7.3.8

dry ball milling

6.S.9.2

dry-etching

7.3.9

OUV

7.1.5

electron-beam evaporation

6.1.2

electron-beam lithography

7.1.7

electrochemical anodi2ation

6.6.2

electrodeposition

7.2.7

electroless deposition

7.2.8

electroplating

7.2.7

electro-spark deposition

6.1.3.1

electrospinning

6.3.1

electro-spray

7.2.9

electrostatic driven assembty

4.1

embossing

7.4.1

EUV

7.1.8

evaporation

7.2.10

extreme ultraviolet lithography

7.1.8

FIB

7.1.9

FIB

7.2.12

FIB

7.3.10

fluidic alignment

4.2

focused electron-beam deposition

7.2.11

focused lon-bsam deposition

7.2.12

focused ion-beam etching

7.3.10

focused ion-beam lithography

7.1.9

freeze drying

6.1.4.1

grephioepltaxy

5.2

grinding

6.5.6

hierarchical assembly

4.3

high-densrty plasma etching

7.3.11

high-speed micromachining

6.5.7

hot pressing

6.5.13.1

hot wall tubular reaction

6.2.2

ICP

7.3.12

immersion optics

7.1.10

imprinting

7.4.1

inductive coupled plasma

7.3.12

m-sifu intercalates polymerization

6.3.2

intercalation

6.6.3

interference lithography

7.1.11

ion beam etching

7.3.13

Ion beam milling

7.3.13

Ion beam surface reconstruction

5.3

ion implantation

6.5.8

ion induced deposition

7.1.12

ion induced etching

7.1.13

ion projection lithography

7.1.14

Isotropic etching

7.3.14

Langmuir-Btodgett film formation

5.4

Langmuir-Btodgett film transfer

5.5

laser ablation

7.3.1S

layer-by-layerdeposition

5.6

Lbl

7.2.15

Lbl deposition

5.6

light-assisted etchmg

7.3.16

liquid precursor combustion

6.2.1.1

lithography

3.6

magnetic driven assembly

4.4

micro-contact printing

7.1.15

microfluidic deposition

7.1.16

modulated elemental reacted method

5.7

molecular beam epitaxy

7.2.13

multilayer deposition

3.7

multilayer film process

7.4.2

multi-pass com forging

6.5.10

nanocomposite

2.2

nano-embossing

7.1.17

nanofabrication

3.8

nanoflbre

2.3

nanoflbre precipitation

7.4.3

nano-«mprint lithography

7.1.18

nanomanufactunng

3.9

nanomanufactunng process

3.10

nanomaterial

2.4

nano-object

2.5

nanoparticle

2.6

nanoparticle dispersion

6.3.3

nanoparticle precipitation

6.4.2

nanoparticle sintering

6.5.13.2

nanoparticle spray coating

7.4.4

nanoscale

2.7

nanostructured material

2.8

nanotemplated growth

6.5.11

nanotube

2.9

natural lithography

7.1.19

NIL

7.1.18

optical lithography

7.1.20

phase-contrast photolithography

7.1.21

photochemical etching

7.3.16

photolithography

7.1.20

photothermal synthesis

6.2.3

physical etching

7.3.17

physical vapour deposition

7.2.14

plasma etching

7.3.13

plasma spray

6.2.1.2

plasmomc lithography

7.1.22

polyelectrolyte layer-by-layer

7.2.15

polymer nanoparticle dispersion

6.5.12

prompt Inorganic condensation

6.4.3

PVD

7.2.14

pyrogenesis

6.2.1.3

radiation track etching

7.3.19

reactive ion etching

7.3.20

reverse micelle process

6.4.4

RIE

7.3.20

SAM formation

5.8

scanning force probe wrung

7.1.23

scanning tunneling microscope chemical vapour deposition

7.1.24

selective etching

7.3.21

self-assembled monolayerformation

5.8

self-assembly

3.11

shape-based assembly

4.5

soft lithography

7.1.25

sol-gel processing

6.4.5

solution precursor plasma spray

6.2.1.4

spark plasma sintering

6.5.13.3

spin coating

7.2.17

spray deposition

7.2.18

spray drying

6.1.4.2

sputter deposition

7.2.19

sputter etching

7.3.17

STM CVD

7.1.24

Stober process

6.4.7

Stranski-Krestanow growth

S.9

subtractive processing

7.1.27

supercritical expansion

6.1.5

supramolecular assembly

4.6

surface functionalization

3.12

surface polymerization

7.2.20

surface-to-surface transfer

4.7

surfactant templetmg

6.4.6

suspension combustion thermal spray

6.1.6

tape casting

6.3.5

27

thermal spray

7.2.16

thermal apray pyrolysis

6.2.1.S

top-down nanomanufactunng

3.13

two-phase methods

6.6.4

vaporization

6.1.8

vapour-liqu»d-sol»d nanofibre synthesis

6.2.4

VLS

6.2.4

wet ball milling

6.3.6

wet etching

7.3.22

wire electric explosion

6.1.7

x-ray lithography

7.1.28

30 lithography

7.1.1

Библиография

(1)    BSl PAS 135

[2]    ISO/TS 60004-6

Terminology for nanofebncation (Терминология нанопроизаодстеа) Nanotechnologies — Vocabulary — Part 6: Nano-object characterization (Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектоа. Термины и определения)

(3) ISO/TS 60004-3:2010

Nanotechnologies — Vocabulary — Part 3: Carbon nano-ob^ects (Нанотехнологии. Словарь. Часть 3. Углеродные нанообъекты)

(4) ISO/TS 60004-4:2011

Nanotechnologies — Vocabulary — Part 4: Nanostructured materials (Нанотехнологии. Словарь. Часть4. Материалы с наноструктурой)

(5[ ISO/TS 27667:2008

Nanotechnologies— Terminology and definitions for nano-objects — Nanoparticle, nanofibre and nanoplate (Нанотехнологии. Термины и определения нанообъектоа. Наночастица. наноаолокнои нанопластина)

[6] ISO/TS 60004-1:2010

Nanotechnologies — Vocabulary — Part 1: Core terms (Нанотехнологии. Словарь. Часть 1. Основные термины)

[7] ISO 2080:2008

Metallic and other inorganic coatings — Surface treatment, metallic and other inorganic coatings — Vocabulary (Металлические и другие неорганические покрытия. Поверхностная обработка. Словарь)

|6) ISO 19353

Safety of machinery — F ire prevention and protection (Безопасность машин. Предотвращение пожаров и защита от них)

[9]    ISO 11074:2005

[10]    ISO 3252:1999

Soil quality — Vocabulary (Качество почвы. Словарь)

Powder metallurgy — Vocabulary (Порошковая металлургия. Словарь)

[111 ISO 636:2001    Terminology for refractories (Материалы огнеупорные. Терминологий)

[12)    Appl.Phys. Lett. 1962.41 pp. 377—379

[13]    McGraw-Hill Dictionary of Scientific and Technical Terms. 6th ed. September 2002

УДК53.04:006.354    ОКС01.040.07    IDT

07.030

Ключевые слова: нанотехнологии, процессы нанотехнологического производства, нанообъект, наночастица

Редактор К.С. Аксютина Технический редактор в. Н. Прусакова Корректор Ю.М Прокофьева Компьютерная верстка А Н. Золотаревой

Сдановнабор 11.01.2016. Подписано а печать 08.02.2016. Формат 60 • 84    Гарнитура Ариел.

Уел. печ. п. 4.18. Уч-изд. л. 3.50. Тираж 36 э«э. Зак. 334.

Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДЛРТИНФОРМ». 123905 Москва. Гранатный пер.. 4. www.90slinfo.1u