allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Обозначение:
ГОСТ 19095-73
Наименование:
Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Статус:
Действует
Дата введения:
01/01/1975
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.080.30

Текст ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров



Л'

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19095—73 (СТ СЭВ 2771-80)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СшРПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.3:001.4:006.354 +621.382.3:003.62:006.354    Группа Э00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения

параметров

Field effect transistors.

Terms, difinition and parameter symbols

ГОСТ

19095-73*

|CT СЭВ 2771—80)

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. Ns 1960 срок действия установлен

с 01.01. 1975 г.

ч    ____

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771—80.

Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные — к параметрам большого сигнала.

В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс «макс».

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

* Переиздание май 1982 г. с Изменением № 13 утвержденным

в августе 1982 г; Пост. М 3400 от 27.08.1982 г (ИУС 12—82)

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском язьже и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

1. Начальный ток стока D Drain-Source-Kurzschlubstrom

E.    Drain current for Vos=0

F.    Courant de drain pour

vGS-o

нач

^DSS

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения

la Ток стока

D Drainstrom

E.    Drain current

F.    Courant de drain

ID

Ток, протекающий в цепи сток—исток при напряжении сток—исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор—исток

2 Остаточный ток стока

D.    Drain-Reststrom

E.    Drain cut-off current

F Courant de drain au blocage

ост

IDSX

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки

2a. Ток стока при нагруженном затворе

D Drainstrom bei Wicjerstandsab-schluss zwischen Source und Gate

■^Снагр

Idsr

Ток стока при заданном напряжении сток— исток и включенная между затвором и истоком резистором

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

E.    Drain current, at a specified gate-source resistance

F.    Courant de drain pour une resis-tance grille source exterieure specifiee

26. Ток истока

D.    Sourcesstrom

E.    Source current

F.    Courant de source

2в. Начальный ток исто-

^Инач

ISDS

Ток истока при на

ка

D Sourcestrom bei Kurzschluss zwi-srhen Drain und Gate

E. Source current with gate short— circuited to drain F Courant de source, la grille etant court—circuitee au drain

2r. Остаточный ток ис

^Иост

*SDX

пряжении затвор— сток, равном нулю, и заданном напряжении сток—исток

Ток истока при задан

тока

D.    Sourcereststrom

E.    Source current at a specified gate— drain condition

F.    Courant de source dans des conditions grille— drain specifies

2д, Ток затвора

^3

*G

ных напряжениях затвор—исток и сток—исток

D.    Gatestrom

E.    Gate current

F.    Courant de grille

2e. Прямой ток затвора

^Зпр

*GF

D. Gatecturchlass-strom

Буквенное

обозначение

Термин

Определение

отечественное международное

E.    Forward gate current

F.    Courant direct de grille

2ж. Ток отсечки затвора

D.    Gatesperrstrom bei vorgegebe-ner Drain—Source—Spanning

E.    Gate cut—off current (of a field— effect transistor), with specified drain—source circuit conditions

F.    Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source specifies

*GSX

Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток—исток

3. Ток утечки затвора

D.    Gatereststrom

E.    Gate leakage сш> rent

F.    Courant de fluite de drain

З.ут

?GSS

Ток затвора при заданном    напряжении

между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой

4. Обратный ток пере-    Ысо

хода затвор—сток

D.    Gatereststrom (Source of fen)

E.    Gate cut-off current with source open—circuited

F.    Courant residue! de grille

5. Обратный ток перехо-    /зио

да затвор—исток

D.    Gatereststrom (Drain offen)

E.    Gate cut—off current with drain open—circuited

1GDO

Ток, протекающий в цепи затвор—сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами

IGSO

Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

F. Courant r^slduel de grille le drain etant en circuit ouvert

5a. Ток подложки

D.    Substratstrom

E.    Substrate current

F.    Courant de subst-rat

£. Напряжение отсечки

полевого транзистора

Напряжение отсечки

D.    Gate-Source-Span-nung (Abschmir-spannung)

E.    Gate-source cutoff voltage

F.    Tension grilleso-urce de blocage

^ЗИ.отс

uas(offj

Напряжение между затвором и истоком транзистора с р-п переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7. Пороговое напряжение полевого транзистора

Пороговое напряжение

D.    Schwellespannung

E.    Gate-source threshold voltage

F.    Tension de seuil grille-source

^ЗИ пор

Uasr

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7a. Напряжение сток-

исток

D.    Drain—Source— Spamming

E.    Drain—source (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) drain—source

^си

VDS

76. Напряжение затвор—исток

D.    Gate—Source—

—Spannung

E.    Gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille-—source

^зи

"os

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

7в. Прямое напряжен ние затвор — исток

D.    Gate—Source— Durchlassspan-nung

E.    Forward gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension directe

(continue) grille—source

^ЗИпр

Uqsp

7г. Обратное напряже

ние затвор—исток

D.    Gate—Source— Sperrspannfung

E.    Reverse gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension inverse (continue) grille—source

^ЗИобр

Uosr

7д. Напряжение затвор—сток

D.    Gate—Drain— Spannung

E.    Gate—drain (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—drain

^зс

UOD

7e. Напряжение истока

подложка

D.    Source—Substrat—-Spannung

E.    Source—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) source—sub-strat

^ИП

Use

Vdb

7ж. Напряжение сток-подложка

D.    Drain—Substrat— Spannung

E.    Drain—substrate

(d. c.) voltage

F.    Tension (continue) drain—substrat

UСП

Буквенное

обозначение

Термин

Определение

отечественное

междуна

родное

7з. Напряжение затвор —подложка

D.    Gate—Substrat— Spannung

E.    Gate—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—substrat

7и. Пробивное напряжение затвора

D.    Gate—Source— Durchbruchspan-mmg

E.    Gate—source breakdown voltage (with drain short —circuited to source)

F.    Tension de cla-quage grille-source

8.    Крутизна характеристики полевого транзистора

Крутизна характеристики

D.    Vorwartssteilheit

E.    Forward transconductance

F.    Transconductance directe

9.    Крутизна характеристики по подложке

^зп

V

Зпроб

Sn

10. Сопротив лен ие сток —исток в открытом состоянии D. Drain—Source— Widerstand bei geoffnetem Transistor

R

СИ.отк

^(BR)GSS

Напряжение пробоя затвор—исток при замкнутых стоке и истоке

gms    Отношение изменения

тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

rDS(on)    Сопротивление меж

ду стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток— исток, меньшем напря-I женин насыщения

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

Е. Drain-source on-

state resistance

F. Resistance drain-

source a Tetat

passent

10a. Сопротивление сток

^СИзак

rBSoff

Сопротивление меж

—исток в закрытом

ду стоком и истоком в

состоянии

закрытом состоянии

D. Drain—Source—

транзистора при задан

Widerstand bei

ном напряжении сток—

gesperrtem Tran-

исток

sistor

E. Drain—source

off—state resis-

fence

F. Resistance drain

—source a 1’etat

bloque

11. Емкость сток—исток

С сио

CtfsO

Емкость между сто

D. Drain-Source-Ka-

ком и истоком при ра

pazitat

зомкнутых по перемен

E. Drain-source ca

ному току остальных

pacitance

выводах

F. Capacite drain-so

urce

12. Емкость затвор-^

Сзсо

Cgdo

Емкость между затво

сток

ром и стоком при разом

D. Gate-Drain-Kapa-

кнутых по переменному

zitat

току остальных выво

E. Gate-drain capaci

дах

tance

F* Capa cite grille-

drain

13. Емкость затвор—ис

Сзио

Ceso

Емкость между затво

ток

о

ром и истоком при ра

D. Gate-Source

зомкнутых по перемен

Kapazitat

ному току остальных

E. Gate-scxurce

выводах

capacitance

F. Capacite

grille-source

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

14. Входная емкость полевого транзистора

Входная емкость

D.    Eingangskapazi-tat

E.    Input capacitance

F.    Capacite d’entree

^11И

С11$.?

Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком

15. Выходная емкость полевого транзистор pa

Выходная емкость

D.    Ausgangskapazi-tat

E.    Output capacitance

F.    Capacite de sortie

^22 SS

Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

16. Проходная емкость полевого транзистора

Проходная емкость

D.    Ruckwirkungska-pazitat

E.    Reverce transfer capacitance

F.    Capacite de transfer t inverce

^12И

^-125$

Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

17.    Полная входная проводимость полевого транзистора

Полная входная проводимость

D.    KurzschJuss- Ein-gangsscheinleit-wert

E.    Short-circuit input admittance

F.    Admittance d’entree, Ja sortie etant en court-circuit

18.    Активная составля

Уии

Ухи

ющая входной проводимости полевого транзистора

Активная входная проводимость D. Realteil des Kurz-schluss-Eingangs-leitwertes

ёии

Sus

Термин

Буквенное

обозначение

отечественное

междуна

родное

Определение

E.    Shors-circuit input conductance

F.    Conductance dVn-

tree,    la sortie

etant en court-circuit

19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора

Полная проводимость обратной передачи

D.    Kurzschluss-Ruck-wirkungsschein-leitwert

E.    Short-circuit re-verce-transfer admittance

F.    Admittance de transfert inverse, Fentr^e etant en court-circuit

20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости обратной передачи

D.    Betrag des Kurz-schluss-Ruckwir-

krungsscheinleit-

wertes

E.    Modulus of the shortcircuit reverse transfer admittance

F.    Module de Tadmit-tance de transfert inverse, lpentr6e etant en court-circuit

[Упп]

УХ 2.

Буквенное

обозначение

Термин

Определение

отечест ванн ое

менсдука

родное

21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора

Полная проводимость прямой передачи

D.    Rurzschluss-Ober-tragungsschein-leltwert

E.    Short-circuit forward transfer admittance

F.    Admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit

y%\w

y%is

22, Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи

D.    Betrag des Kurz-schluss-Obertra-gungsscheinleit-wertes

E.    Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F.    Module de Tad-dmitance de transfert direct, la sortie etant en co-urtcircuit

[Уът]

23. Полная    выходная

проводимость полевого транзистора

Полная    выходная

проводимость

D.    Kurzschluss-Ausgangsschefn-leitwert

E.    Short-circuit output admittance

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

F. Admittance de sortie,    Ten tree

entant en court-circuit

24.    Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора

Активная выходная проводимость

D.    Realteil des Kurz-schluss-Ausgangs-leitwertes

E.    Short-circuit output conductance

F.    Conductance de

sortie    Ten tree

etant en couit-cir-cuit

25.    Шумовое напряжение полевого транзистора

Шумовое напряжение

D.    Rauschspannung

E.    Noise voltage

F.    Tension de bruit

26.    Электродвижущая сила шума полевого транзистора

э. д. с. шума

D.    Rauschurspan-nung

E.    Noise force electrovelocity

27.    Шумовой ток полевого транзистора

Шумовой ток

D.    Rauschstrom

E.    Noise current

F.    Courant de bruit

£22 и

Vm

£22 s

Vn

Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком

Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, пр и коротком зам ыка-нии на входе в схеме с общим истоком

п

Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот Д f в схеме с общим истоком

Термин

Буквенное

обозначение

отечественное

междуна

родное

Определение

28. Шумовое сопротивление полевого транзистора

Шумовое сопротивление

D.    Rauschwider-stand

E.    Noise resistance

F.    Resistance de bruit

29.    Коэффициент шума полевого транзистора

Коэффициент шума

D.    Rauschfaktor

E.    Noise figure

F.    Facteur de bruit

30.    Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Коэффициент усиления по мощности

D.    Leistrungsverstar-kung

E.    Power gain

F.    Gain en puissance

31.    Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки включения

D.    Einschaltverzoge-rungszeit

E.    Turn-on delay time

F.    Retard a la croi-ssance

32.    Время нарастания для полевого транзистора

Время нарастания

D.    Anstiegszeit

E.    Rise time

F.    Temps de crois-sance

R

Ш

Кш

t

ЗД ВКЛ

t

lip

Rn

F

Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением

Е ui

Rm- AkT

где Е ш

— э. д. с. шума

Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения

t d (о п)

Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного    импульса,

включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса

Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

33. Время задержки выключения полевого транзистора

Время задержки выключения

D.    Ausschaltverzoge-rungszeit

E.    Turn-off delay time

F.    Retard a la decroi-ssance

^зд. выкл

til(off)

Интервал времёни между 90% -ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90 % - ным значением ам-плитуды среза выходного импульса

34. Время спада для полевого транзистора

Время спада

D.    Abfallzeit

E.    Fall time

F.    Temps de decrois sance

^сп

h

Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора

35. Время включения полевого транзистора

Время включения

D.    Einschaltzeit

E.    Turn-on time

F.    Temps total d’eta-blissement

^вкл

ton

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора

36. Время выключения полевого транзистора

Время выключения

D.    Ausschaltzeit

E.    Turn-off time

F.    Temps total de ceupure

^выкл

toff

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада

37. Разность напряжений затвор—исток

D. Gate-Source-

Spannungsdiffe- j renz (ernes Dop-pelgate-Feldeffekt-transistors

E.    Defference of ga

te sorce voltage

F.    Difference des

tension grille so-urce

1 ^ЗИ1~ ~^ЗИ2 1

1

Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

38. Температурный уход разности напря же-ний затвор—исток D. Temperaturdrift

^ 1 ^ЗИ,

д 1^0.

Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного по

дг

_^ЗИ2 1

дг

^G2 1

der Gate-Source— Spannungsdiffe-renz (eines Dop-pelgate-Feldef-fekttransistors)

E.    Drift of difference of gate-source voltage with temperature

F.    Variation de la difference des tensions grille-source avec la temperature

ДГ

ДГ

левого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

39 Разность активных выходных проводимостей

D. Differenz der Re-alteile der Aus-gangsleitwerte (eines Doppelga-te-Feldeffekttran-sistors)

£‘22(и)1 “ ' ^*22(н)2

&22S1 —

~^22S2

А бсол ютное зна чение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора

40 Отношение началь

^С(нач)1

^DSSl

Отношение меньшего

ных токов стока

D.    Drain-Source-Kurzschliussstrom-verhaltnis (eines Doppelgate-Feld-effekttransistors)

E.    Ratio of drain currents

F.    Rapport de con-rant de drain

^С(нач)2

^DSS2

значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора

41. Разность токов утечки затвора D. Gatereststromdif-ferenz (eines Doppelgate-Feld-effekt transistors)

^З(ут) t ~^3(ут)2

^GSSl —IGSS2

Трпмин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

41а. Постоянная рассеиваемая мощность стока

D. Drain-Source-Ver-lustleistung

РС

РDS

42*. Максимально допустимое напряжение сток—исток

D.    Maximal zulassi-ge Drain-Source-Spannung

E.    Maximum drain-source-voltage

F.    Tension maximale drain-source

^СИ .max

^DSmax

43, Максимально допустимое напряжение затвор—исток

D.    Maximal zulas-sige Gate-Source-Spannung

E.    Maximum gate-source voltage

F.    Tension grille-source maximale

^ЗИ .max

^GSmax

44. Максимально допустимое напряжение затвор—сток

D.    Maximal zulassi-ge Gate-Drain-Spannung

E.    Maximum gate-drain voltage

F.    Tension grille-drain maximale

^ЗС.тах

^GDinax

45. Максимально допустимое напряжение сток—подл ожка

D. Maximal zulassi-ge Drain-Bulk-Spannung

^СП.тах

^DB max

* Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

E.    Maximum drain-substrate voltage

F,    Tension maximale drain-substrate

46. Максимально допустимое напряжение исток—подложка

D.    Maximal zulassi-ge Source-Bulk-Spannung

E.    Maximum source-substrate voltage

F.    Tension maximale source- substrate

^ИП .шах

^ SBrnax

47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка

D.    Maximal zulas-sige Gate-Biulk-Spannung

E.    Maximum gate-substrate voltage

F.    Tension maximale grille-substrate

^ЗП .max

У GВт ах

48. Максимально допустимое напряжение между затворами

D.    Maximal zulassi-ge Spannung zwischen den Gates

E.    Maximum gate-gate voltage

F.    Tension maximale grille-grille

^(31-32)max

^<С?1-(?2)тач

49. Максимально допустимый постоянный ток стока

D.    Maximal zulassi-

ger Drain-Gleichstrom

E.    Maximum drain current

F.    Coiurant maximale de drain

^С.тпах

Ао.тах

Термин

Буквенное

обозначение

Определени*

отечественное

междуна

родное

50. Максимально допустимый прямой ток затвора

D.    Maximal zulassi-ger Gate-Vor-wartsstrom

E.    Maximum forward gate current

F.    Courant directe de

grille

^3(np)ma\

^ GF max

51. Максимально допустимый импульсный ток стока

D. Maximal zulas* siger Drain-Im-pulsstrom

^С(и)тах

^DAfmax

Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов

52; Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора

D.    Maximal zulas$i* ge Daaierverlust-leistung

E.    Power dissipation

F.    Dissipation de puissance

Р max

р

53. Максимально допустимая импульсная p асе ей ва емая м ощ-ность полевого транзистора

D. Maximal zulassi-ge Impulsver-lustleistung

р

* итак

р

гМтах

Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов

АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на русском языке

Время включения

Время включения полевого транзистора

Время выключения

Время выключения полевого транзистора Время задержки включения

Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки выключения

Время задержки выключения полевого транзистора

Время нарастания

Время нарастания для полевого транзистора

Время спада

Время спада для полевого транзистора

Емкость входная

Емкость выходная

Емкость затвор-исток

Емкость затвор-сток

Емкость полевого транзистора входная

Емкость полевого транзистора выходная

Емкость полевого транзистора проходная

Емкость проходная

Емкость сток-исток

Коэффициент усиления по мощности

Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Коэффициент шума

Коэффициент шума полевого транзистора

Крутизна характеристики

Крутизна характеристики полевого транзистора

Крутизна характеристики по подложке Модуль полной проводимости обратной передачи Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая

Мощность полевого транзистора рассеиваемая    постоянная

максимально допустимая

Мощность стока рассеиваемая постоянная Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток максимально допустимое Напряжение затвора пробивное Напряжение затвор-исток прямое Напряжение затвор-исток обратное Напряжение затвор-подложка

Напряжение затвор-подложка максимально допустимое

Напряжение затвор-сток

Напряжение затвор-сток максимально допустимое

Напряжение исток-подложка

Напряжение исток-подложка максимально допустимое Напряжение между затворами максимально допустимое Напряжение отсечки

Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение полевого транзистора пороговое Напряжение полевого транзистора шумовое

35

35

36 36 31

31 33

33

32 32

34 34

14

15

13 12

14

15

16 16 11 30 30 29 29

8

8

9

20

20

22

22

53

52

41а

76

43 7и 7в 7г 7з

47 7д

44 7е 46

48 6 6 7

25

Напряжение пороговое    7

Напряжение сток-исток    7а

Напряжение сток-исток максимально допустимое    42

Напряжение сток-подложка    7ж

Напряжение сток-подложка максимально    допустимое    45

Напряжение шумовое    25

Отношение начальных токов стока    40

Проводимость входная активная    18

Проводимость входная полная    17

Проводимость выходная активная    24

Проводимость выходная полная    23

Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная    19

Проводимость обратной передачи полная    19

Проводимость полевого транзистора входная полная    17

Проводимость полевого транзистора выходная полная    23

Проводимость прямой передачи полевого    транзистора полная    21

Проводимость прямой передачи полная    21

Разность активных выходных проводимостей    39

Разность напряжений затвор-исток    37

Разность токов утечки затвора    41

Сопротивление полевого транзистора шумовое    28

Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии    10а

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии    10

Сопротивление шумовое    28

Составляющая входной проводимости полевого транзистора

активная    18

Составляющая выходной проводимости полевого транзистора

активная    24

Ток затвора    2д

Ток затвора прямой    2е

Ток затвора прямой максимально допустимый    50

Ток истока    26

Ток истока начальный    2в

Ток истока остаточный    2г

Ток отсечки затвора    2ж

Ток подложки    5а

Ток полевого транзистора шумовой    27

Ток перехода затвор-исток обратный    4

Ток перехода затвор-сток обратный    5

Ток стока    1а

Ток стока импульсный максимально допустимый    51

Ток стока начальный    1

Ток стока остаточный    2

Ток стока при нагруженном затворе    2а

Ток стока при разомкнутом выводе остаточный    2

Ток стока постоянный максимально допустимый    49

Ток утечки затвора    3

Ток шумовой    27

Уход разности напряжений затвор-исток температурный    38

Э. д. с. шума    26

Электродвижущая сила шума полевого транзистора    26

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit

Anstiegszeit

Ausgangskapazitat

Ausschaltverzogerungszcit

Ausschaltzeit

Betrag des Kurzschluss-Rtickwirkungsscheinleitwertes Betrag des Kurzschluss-Obertragungsscheinieitwertes Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppeigate-Feldeffekttransistors)

Drainreststrom

Drainstrom

Drainstrom bei Widerstandsabschluss zwischen Source und Gate

Drain-Source-Kapazitat Drain-Source-Kurzschlussstrom Drain-Source-Kurzschlussstromverhaltms (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

Drain-Source-Spannung Drain-Source-Verlustleistung

Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor

Drain-Source-Widerstand bet geoffnetem Transistor

Drain-Substrat-Spannoing

Eingangskapazitat

Einschaltzeit

Einschaltverzogerungszeit

Gate-Drain-Kapazitat

Gate-Drain-Spannung

Gatestrom

Gaterestrom

Gatereststrom (Source often)

Gatedurchlassstrom

Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung Gatereststrom (Drain offen)

Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransis-tors)

Gate-Scmrce-Durchbruchspannung

Gate-Source-Kapazitat

Gate-Source-Spanntmg

Gate-Source-Durchlassspannung

Gate-Saurce-Sperrspannug

Gate-Substrat-Spannung

Gate-Source-Spannung (Abschntirspannung)

Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekt-

transistors)

Kurzschltuss-Eingangsscheinleitwert Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert Kurzschluss-Ruckwirkungsscheinleitwert Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwert L ei ski ngs vers tarkung

Maximal zulassige Drain-Source-Spannung Maximal zulassige Gate-Source-Spannung Maximal zulassige Gate-Drain-Spannung Maximal zulassige Drain-Bulk-Spannung Maximal zulassige Source-Bulk-Spannung

34

32 15

33 36

20

22

39 2

la

2    a 11

1

40 7a

41 a 10a 10

14

35 31 12 7д 2д

3

4

2e

5

41 7u

13з

76

6

37

17

23

19

21

30

42

43

44

45

46

Maximal ziulassige Gate-Bulk-Spagnung        47

Maximal zulassige Spannung zwischen den Gates    48

Maximal zulassiger Drain-Gleichstrom    49

Maximal zulassiger Gate-Vorwartsstrorn    50

Maximal zulassiger Drain-Impulsstrom    51

Maximal zulassige Dauerverlustleistung    52

Maximal zulassige Impulsverlustleistung    53

Rauschspannung    25

Rauschurspannung    26

Rauschstrom    27

Rauschwiderstand    28

Rauschfaktor    29

Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes    24

Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes    18

Ruckwirkungskapazitat    16

Schwellspannung    7

Sourcestrom    26

Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gale    2b

Sourcereststrom    2r

Source-Substrat-Spannung    7e

Substratstrom    5a

Temperaturdrift der Gate-Source-Spannungsdifferenz

(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)    38

Vorwartssteilheit    8

алфавитный указатель терминов на английском языке

Difference of gate-source voltages Drain current for Vqs =0 Drain current

Drain current, at a specified gate-source resistance

Drain cut-off current

Drain-source capacitance

Drain-source off-state resistance

Drain-source on-state resistance

Drain-source (d. c.) voltage

Drain-substrate (d. c.) voltage

Drift of difference of gate-source voltage with temperature Fall time

Forward gate current Forward gate-source (d. c.) voltage Forward transconductance Gate current

Gate cut-off current with drain open-circuited Gate cut-off current with source open-circuited Gate cut-off current (of a field-effect transistor), with specified drain-source circuit conditions Gate-drain capacitance Gate-drain (d. c ) voltage Gate-drain cut-off current Gate leakage current Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)

Gate-source capacitance Gate-source cut-off current Gate-source cut-off voltage Gate-source threshold voltage

37 1

la

2a

2

11

10a

10

7a

38 34 2e 7b

8

5

4

12

4 3

7 и

13

5

6 7

Gate-source (d* с.) voltage Gate-substrate (d. c.) voltage Input capacitance Maximum drain current Maximum drain-source voltage Maximum drain-substrate voltage Maximum forward gate current Maximum gate-drain voltage Maximum gate-gate voltage Maximum gate-source voltage Maximum gate-substrate voltage Maximum source-substrate voltage

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance

Noise current

Noise foi;ce electrovelocity

Noise resistance

Noise voltage

Noise figure

Output capacitance

Power dissipation

Power gain

Ratio of drain current

Reverse gate-source (d. c.) voltage

Ratio of forward transconductances

Reverce transfer

Rise time

Short-circuit forward transfer admittance Short-circuit input admittance Short-circuit input conductance Short-circuit output admittance Short-circuit output conductance Short-circuit reverse transfer admittance Source current

Source current, at a specified gate-drain condition

Source current, with gate short-circuited to drain

Source-substrate (d. c.) voltage

Substrate current

Turn-off delay time

Turn-off time

Turn-on delay time

Turn-on time

76

14

49

42

45

50 44 48

43 47

46 22 20

27

26

28

25

29

15 52

30

40

7r

16

32 21

17

18

23

24 19

26 2r 26 7e 5a

33

36

31 35

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Admittance d’entree, la sortie etant en court-circuit    17

Admittance de    sortie, l’entree, etant en court-circuit    23

Admittance de    tranfer direct, la sortie etant cn court-circuit    21

Admittance de    transfer! inverse, l’entree etant en court-circuit    19

Capacite d’entree    14

Capacite de sortie    15

Capacite de transfer inverse    16

Capacite drain-source    11

Capacite grille-drain    12

Capacite grille-source    13

Conductance d’entree, la sortie etant en court-circuit    18

Conductance de sortie I’entree etant en court-circuit    24

Courant de bruit

Courant de drain

Courant de drain au blocage

Courant de drain pour Vq$ **0

Courant de drain pour une resistance grille-source

exterieure specifiee

Courant de fuite de drain

Courant de grille

Courant de source

Courant de source dans des conditions grille-drain spfccifiees

Courant de source la grille etant corurt-circuitee au drain

Courant de substrat

Courant directe de grille

Courant maximale de drain

Courant residuel de grille

Courant residuel de grille le drain etant en circuit ouvert

Difference des tension grille-source

Dissipation de puissance

Facteur de bruit

Gain en puissance

Module de l’admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit

Module de I’admittance de transfert inverse TentrSe ftant en court-circuit

Rapport de courant de drain Resistance de bruit

Resistance drain-source a V€tat bloque

Rapport des transconductances directes

Resistance drain-source a 1’etat passent

Retard a la croissance

Retard a la decroissance

Temps de croissance

Temps de decroissance

Temps total de coupture

Temps total d’etablissement

Tension de bruit

Tension de claquage grille-source Tension de seuil grille-source Tension directe (continue) grille-source Tension (continue) drain-source Tension (continue) drain-substrat Tension (continue) grille-drain Tension grille-drain maximale Tension (continue) grille-source Tension grille-source de blocage Tension grille-source maximale Tension (continue) grille-substrat Tension inverse (continue) grille-source Tension maximale drain-source Tension maximale drain-substrate Tension maximale grille-grille Tension maximale grille-substrate Tension maximale source-substrate Transconductance directe Tension (continue) source-substrat

Variation de la difference des tensions grille source avec la temperature

Редактор В. Н. Шалаева Технический редактор Л. Я. Митрофанова Корректор Я. Д. Филиппова

Сдано в наб. 10.10.82 Подл, в печ. 18.02.83 1,5 п. л. 2,26 уч.-изд. л. Тир. 4000 Цена 10 коп.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123557, Москва, Новопресненскнй лер , 3, Калужская типографе* стандартов, ул, Московская, 255. Зак. 3175