allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ 21934-83
Наименование:
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
Статус:
Действует
Дата введения:
06/30/1984
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.080

Текст ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения



МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ

Группа Э00 СТАНДАРТ

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

Термины и определения

Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices.

Terms, and definitions

MKC 01.040.31 31.080 ОКСТУ 6250

ГОСТ

21934-83

Взамен

ГОСТ 21934-76, ГОСТ 22899-78

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 дата введения установлена

01.07.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте имеется приложение 1, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор

D.    Photoempfindhches Halbleiterbauele-ment

E.    Photosensitive semiconductor device

F.    Dispositif semiconducteur photosensible

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра

2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

ФЭПП

D.    Halbleiterphotoelement

E.    Photoelectric semiconductor detector

F.    Detecteur a semi-conducteur photo-electrique

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

Издание с Изменением № 1, утвержденным в августе 1984 г. (ИУС12—84).

134

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

3. Фотоприемное устройство

ФПУ

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию

4.    М погаси ектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоспектральный ФЭПП

D.    Multispektralphotoempfanger

E.    Multi-band photodetector

F.    Photodetecteur a plusieurs gammes

5.    Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D.    Einelementphotoempfanger

E.    Single-element detector

F.    Detecteur a element unique

6.    Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоэлементный ФЭПП

D.    Vielelementphotoempfanger

E.    Multi-element detector

F.    Detecteur multiple

7.    Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Координатный ФЭПП

D.    Ortsempfindlicher Photoempfanger

E.    Position-sensitive detector

8.    Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Гетеродинный ФЭПП

D.    Uberlagerungsphotoempfanger

E.    Heterodyne detector

F.    Detecteur heterodyne

9.    Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Иммерсионный ФЭПП

D.    Immersionsphotoempfanger

E.    Immersed detector

F.    Detecteur a immersion

10.    Фоторезистор

D.    Photowiderstand

E.    Photoconductive cell

F.    Cellule photoinductive

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.

Примечание. Допускается применять термин «двух-, трех-, четырехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости

ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

11. Фотодиод

D.    Photodiode

E.    Photodiode

F.    Photodiode

Полупроводниковый диод с р—п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект

12. p—i—n фотодиод

D.    Pin-Photodiode

E.    Pin-Photodiode

F.    Pin-Photodiode

Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной

13. Фотодиод с барьером IПопки

D.    Schottky-Photodiode

E.    Schottky-Bamer-Photodiode

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

D.    Photodiode mit Heteroiibergang

E.    Heterojunction photodiode

Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны

15. Лавинный фотодиод

D.    Lawinenphotodiode

E.    Avalanche photodiode

F.    Photodiode a avalanche

Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжекционный фотодиод

D.    Injektionsphotodiode

E.    Injection photodiode

F.    Photodiode d’injection

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

17. Фототранзистор

D.    Phototransistor

E.    Phototransistor

F.    Phototransistor

Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект

18. Полевой фототранзистор

D.    Photofeldeffekttransistor

E.    Field effect phototransistor

F.    Phototransistor a effet de champ

Фототранзистор, фоточувствитель-ный элемент которого содержит структуру полевого транзистора

19. Биполярный фототранзистор

D.    Bipolarphototransistor

E.    Bipolar phototransistor

F.    Phototransistor bipolaire

Фототранзистор, фоточувствитель-ный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора

20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Охлаждаемый ФЭПП

D.    Gekiihlter Photoempfanger

E.    Cooled detector

F.    Photodetecteur refroidi

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фото-чувствительного элемента

ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

21. Одноэлементное фотоприемное устройство

Одноэлементное ФПУ

Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами

Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами

Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосиг-нала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов

23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией

Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией

Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фото-приемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов

24. Многоспектральное фотоприемное устройство

Многоспектральное ФПУ

Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки

26. Охлаждаемое фотоприемное устройство

Охлаждаемое ФПУ

Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

27. Монолитное фотоприемное устройство

Монолитное ФПУ

Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке

28. Гибридное фотоприемное устройство

Гибридное ФПУ

Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29.    Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОФ

D.    Durch Hmtergnmdquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoemp-fangers

E.    Background limited photodetector

F.    Regime photodetecteur infrarouge li-mite par le rayonnement ambiant

30.    Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОГ

Условия, при которых обнаружитель-ная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей

14-203

137

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ТГ

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией

32. Фотодиодный режим

D.    Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

E.    Back-biased mode of photovoltaic detector operation

F.    Regime de fonctionnement du detec-teur photovoltaique au contretension de polarisation

Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении

33. Лавинный режим работы фотодиода

D.    Tragerlawinenzustand der Photodiode

E.    Avalanche mode of photodiode operation

Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода

34. Фотогальванический режим

D.    Nuhvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle

E.    Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

F.    Regime de fonctionnement du detec-teur photovoltaique

Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения

35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой

D.    Phototransistorbetriebsweise mit of-fener Basis

E.    Floating-base phototransistor operation

F.    Regime du phototransistor de basis flottante

Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе

36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим короткого замыкания ФЭПП

D.    Kurzschlussbetrieb des Phtoempfan-gers

E.    Short-circuit mode of detector operation

F.    Fonctionnement du detecteur a court-circuit

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП

37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим холостого хода ФЭПП

D.    Feerlaufbetrieb des Photoempfangers

E.    Open-circuit mode of detector operation

F.    Fonctionnement du detecteur a circuit ouvert

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

D.    Photoempfangerbetriebsweise bei An-passung

E.    Matched impedance mode of detector operation

F.    Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de charge

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП

39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

D.    Photoempfangerbetriebsweise bei Uberlagerungsempfang

E.    Heterodyne reception mode of detector operation

F.    Regime de fonctionnement du detecteur operation

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала

КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

40.    Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Фоточувствительный элемент

D.    Lichtempfindliches Element eines Photoempfangers

E.    Detector sensitive element

F.    Element sensible du detecteur

41.    Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Вывод ФЭПП

D.    Photoempfangeranschluss

E.    Detector terminal

F.    Branchement du detecteur

42.    Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Контакт фоточувствительного элемента

43.    Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Корпус ФЭПП

D.    Photoempfangergehause

E.    Photodetector package

F.    Boitier du detecteur

44.    Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Иммерсионный элемент ФЭПП

D.    Photoempfangerimmersionselement

E.    Detector optical immersion element

F.    Element a immersion du detecteur

Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения

Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом

Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов

Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения

14*

139

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Подложка ФЭПП

D.    Schichttrager des Photoempfangers

E.    Detector-film base

Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой

46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Входное окно ФЭПП

D.    Photoempfangereingangsfenster

E.    Detector window

F.    Fenetre du detecteur

Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фото-чувствительному элементу

47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Апертурная диафрагма ФЭПП

D.    Aperturblende des Photoempfangers

E.    Detector aperture stop

F.    Diaphragme d’ouverture du detecteur

Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

48. Выход фотоприемного устройства

Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью

ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D.    Betriebsspannung

E.    Operating voltage

F.    Tension de regime Tension de service

Uv

UOP

Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

50. Пробивное напряжение фотодиода

D.    Durchbruchspannung einer Photodiode

E.    Breakdown voltage of a photodiode

F.    Tension de claquage de photodiode

^пр

Ubr

Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения

51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП

D.    Maximal zulassige Spannung

E.    Maximum admissible voltage

F.    Tension maximale admissible

^max

^max

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП

D.    Isolationsfestigkeit

E.    Insulating strength

F.    Rigidite d’isolement

U,

Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции

53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

D.    Differentieller electrischer Widerstand

E.    Differential electrical resistance

F.    Resistance differentielle electrique

**

Rd

Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП

54. Статическое сопротивление ФЭПП

D.    Statischer Widerstand

E.    Static resistance

F.    Resistance statique

*c

Rs

Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

55. Темновое сопротивление ФЭПП

D.    Dunkelwiderstand

E.    Dark resistance

F.    Resistance d’obscurite

Rr

Rd

Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении

D.    Nullpunktwiderstand einer Photodiode

E.    Zero bias resistance of a photodiode

F.    Resistance du point zero de photodiode

*0

Ro

Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

57. Световое сопротивление ФЭПП

D.    Hellwiderstand

E.    Resistance under illumination

F.    Resistance sous eclairement

Re

Re,rh

Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности

58. Темновой ток ФЭПП

D.    Dunkelstrom

E.    Dark current

F.    Courant d’obscurite

к

h

Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

59. Фототок ФЭПП

D.    Photostrom

E.    Photocurrent

F.    Photocourant

h

Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

60. Общий ток ФЭПП

D.    Gesamtstrom

E.    Total current

F.    Courant total

^общ

1tot

Ток ФЭПП, состоящий из темново-го тока и фототока

61. Напряжение фотосигнала ФЭПП

D.    Photosignalspannung

E.    Photoelectric signal voltage

F.    Tension de signal photoelectrique

Uc

Us

Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.

Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке

62. Ток фотосигнала ФЭПП

D.    Photosignalstrom

E.    Photoelectric signal current

F.    Courant de signal photoelectrique

h

h

Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала

ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**

63. Чувствительность ФЭПП

D.    Ansprechempfindlichkeit

E.    Responsivity

F.    Reponse

s

s

Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной

64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

D.    StrahlungsfluPempfindlichkeit

E.    Radiant flux responsivity

F.    Reponse au flux energetique

Ч

4

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку

D.    Lichtstromempfindlichkeit

E.    Luminous flux responsivity

F.    Reponse au flux lumineux

66. Чувствительность ФЭПП к облученности

О. Bestrahhmgstarkeempfindlichkeit

E.    Irradiance responsivity

F.    Reponse a I’eclairement energetique

*4

*4

67. Чувствительность ФЭПП к освещенности

D.    Beleuchtungsstarkeempfindlichkeit

E.    Illumination responsivity

F.    Reponse a I’eclairement lumineux

68. Токовая чувствительность ФЭПП

D.    Stromempfindlichkeit

E.    Current responsivity

F.    Reponse en courant

Si

Si

69. Вольтовая чувствительность ФЭПП

D.    Spannungsempfindlichkeit

E.    Voltage responsivity

F.    Reponse en tension

su

sv

70. Интегральная чувствительность ФЭПП

D.    Gesamtempfindlichkeit

E.    Total responsivity

F.    Reponse globale

О

иинт

Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава

71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП

D.    Monochromatische Empfindlichkeit

E.    Monochromatic responsivity

F.    Reponse monochromatique

S,

S,

Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению

72. Статическая чувствительность ФЭПП

D.    Statische Empfindlichkeit

E.    Static responsivity

F.    Reponse statique

S*

s,t

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП

D.    Differentielle Empfindlichkeit

E.    Differential responsivity

F.    Reponse differentielle

sd

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

74. Импульсная чувствительность ФЭПП

D.    Impulsempfindlichkeit

E.    Pulse responsivity

F.    Reponse d’impulsions

о

иимп

SP

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции

75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора

D.    Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie

E.    Illuminance-resistance characteristique slope

F.    Pente de caracteristique eclairement-resistance

У

У

Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП

76. Ток шума ФЭПП

D.    Rauschstrom

E.    Noise current

F.    Courant de bruit

In

77. Напряжение шума ФЭПП

D.    Rauschspannung

E.    Noise voltage

F.    Tension de bruit

иш

Un

78. Порог чувствительности ФЭПП

Порог

D.    Aquivalente Rauschleistung

E.    Noise equivalent power

F.    Puissance equivalente au bruit

Фп

Фщт> Фя, .

79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

Порог в единичной полосе частот

D.    Aquivalente Rauschleistung im Ein-heitsfrequenzband

E.    Unit frequency bandwidth noise equivalent power

F.    Puissance equivalente au bruit dans une bande passante des frequences unitaire

Фп1

NEP

80. Удельный порог чувствительности ФЭПП

Удельный порог

D.    Spezifischc aquivalente Rauschleistung

E.    Specific noise equivalent power

F.    Puissance reduite equivalente au bruit

*

Фп

NEP*

81. Обнаружительная способность ФЭПП

D. Nachweisfahigkeit R. Detectivity F. Detectivity

D

D

82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП

D.    Spezifischc Nachweisfahigkeit

E.    Specific detectivity

F.    Detectivity reduite

D*

D*

Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот

Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

П римечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосиг-нала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения

Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточув-ствительному элементу

Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП

Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП

E.    Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)

F.    Puissance equivalente au bruit du philra detecteur

фп

рад

Ф

^ BLIP

Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры

ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Wellenlange der maximalen Spektra-lempfindlichkeit

E.    Peak spectral response wavelength

F.    Longueur d’onde de la sensibility spect-rale maximale

^шах

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности

85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Kurzwellengrenze

E.    Short wavelength limit

А'

xSt

Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Langwellengrenze

E.    Long wavelength limit

V

^s2

Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

87. Область спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Spektralcr Empfindlichkeitsbereich

E.    Spectral sensitivity range

F.    Part sensible spectral

ДА,

ДА

Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения

ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

D.    Effektivflache des Fiihlelements

E.    Effective area of the responsive element

F.    Aire efficace de 1 ’element detecteur

'эфф

Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувстви-тельному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.

П римечание. Определяется соотношением

A^ = sM{lbyo)^S{x'y)dxdy'

А

где S(x, у) — чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами (х, у);

А — площадь этого фоточувствительного элемента.

В качестве номинального значения локальной чувствительности Sy, как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в

Термин

89. Плоский угол зрения ФЭПП

D.    Gesichtsfeldwinkel

E.    Angular field of view

F.    Angle d’ouverture

90. Эффективное поле зрения ФЭПП

D.    Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel

E.    Effective weighted solid angle

F.    Angle solide efficace

Буквенное обозначение

русское

междуна

родное

Определение

2|3

^эфф

точке, х0, у(). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора SN оговаривается дополнительно 2р    Угол в нормальной к фоточувстви-

тельному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

Телесный угол, определяемый соотношением

® = f Ф = 2я

^эфф = и п_п J Jl/C(©, ф) sin © х

С0 = О 0 = о <<р = 0

х cos QdQ х dtp

где Uc —напряжение фотосигнала ФЭПП; допускается замена параметра Ue на /, ^ф>

0 — угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувстви-тельному элементу;

Ф — азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП

91.    Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

D.    Anstiegszeit der normierten Uber-gangskennlinie

E.    Rise time of the normalized transfer characteristic

F.    Temps de m on tee de caracteristique de transmission normalisee

92.    Время спада ФЭПП

Время спада

D.    Abfallzeit der normierter Umkehrii-bergangskennlinie

E.    Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

F.    Temps de descente de caracteristique de transmission inverse normalisee

93.    Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к

Время установления

D.    Einstellzeit der normierten Uber-gangskennlinie

E.    Set-up time of the normalized transfer characteristic

F.    Temps d’etablissement caracteristique de transmission normalisee

T0,1-0,9

T0,9-0,1

t    Минимальный интервал времени меж

ду точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h0(t) от установившегося значения не превышает к:

/ 1 ~h0 (t) /<кпри t>xycTk

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

94. Предельная частота ФЭПП

D.    Grenzfrequenz

E.    Cut-off frequency

F.    Frequence de coupure

fs

Частота синусоидальномодулирован-ного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодули-рованном излучении

95. Емкость ФЭПП

D.    Kapazitat

E.    Capacitance

F.    Capacity

С

с

96. Последовательное сопротивление фотодиода

D.    Reihenwiderstand einer Photodiode

E.    Series resistance

F.    Resistance serie

^посл

%

Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода

ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП

97. Число элементов ФЭПП

D.    Fuhlelementenanzahl

E.    Element number

F.    Nombre des elements

N

98. Шаг элементов ФЭПП

D.    Rastermass

E.    Pitch

F.    Ecartement

h

р

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП

99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

D.    Fiihlelementenabstand

E.    Element spacing

F.    Espacement des elements

А1

А1

Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП

Отношение напряжения сигнала с

100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

D.    Photoelektrischer Kopplungsfaktor

E.    Photoelectric coupling coefficient

F.    Coefficient de couplage photoelect-rique

%

«с

необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики

101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

D.    Parameterstreuung

E.    Figure ol merit straggling

F.    Dispersion de figure de merite

8*

Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.

Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра

ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

и§

UСВ

Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для

D.    Kollektorspannung

E.    Collector voltage

F.    Tension du collecteur

US

^СЕ

схемы включения фототранзистора

103. Напряжение на эмиттере фототранзистора

и%

У ЕВ

Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схе-

D.    Emitterspannung

E.    Emitter voltage

F.    Tension d’emetteur

и

UЕС

мы включения фототранзистора

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

104. Напряжение на базе фототранзистора

D. Basisspannung

щ

^BE

Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы

E.    Base voltage

F.    Tension de base

ul

VВС

включения фототранзистора

105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

D.    Kollektor-Emitter-Durch-bruchspan-nung eines Phototransistors

E.    Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

F.    Tension de claquage collecteur-emet-teur de phototransistor

u%*

UbR CEO

Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D.    Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E.    Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F.    Tension de claquage collecteur-base de phototransistor

Ubr сво

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

107. Пробивное напряжение эмитгер-база фототранзистора

D.    Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors

E.    Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

F.    Tension de claquage emetteur-base de pbototransistor

Ubrebo

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

D.    Emitter-Kollektor-Durch-bruchspan-nung eines Phtototransistors

E.    Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

F.    Tension de claquage emetteur-collec-teur de phototransistor

U прэ

VBRECO

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

109. Темновой ток коллектора фототранзистора

I\», ,

1 CEO’ 1 CBO’

D.    Kollektordunkelstrom

E.    Collector dark current

F.    Courant d’obscurite du collecteur

I*2»

1 cco

ПО. Темновой ток эмиттера фототранзисто-

iL, 1%,

! EBO’ ! EEO’

pa

D.    Emitterdunkelstrom

E.    Emitter dark current

F.    Courant d’obscurite d’emetteur

1*2Э

1 ECO

111. Темновой ток базы фототранзистора

D. Basisdunkelstrom

гб гЭ

Jтб 5jt6’

1 BBO’ 1 BEO’

E.    Base dark current

F.    Courant d’obscurite de base

Гк

* тб

IBCO

112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D.    Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

E.    Collector-emitter dark current of a phototransistor

F.    Courant d’obscurite collecteur-emet-teur de phototransistor

гЭ 1 2*

1 CEO

Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Термин

113.    Темповой ток коллектор-база фототранзистора

D.    Kollektor-Basis-Dunkelstrom ernes Phototransistors

E.    Collector-base dark current of a phototransistor

F.    Courant d’obscurite collecteur-base de phototransistor

114.    Темновой ток эмиттер-база фототранзистора

D.    Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E.    Emitter-base dark current of a phototransistor

F.    Courant d’obscurite emetteur-base de phototransistor

115.    Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

D.    Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

E.    Emitter-collector dark current of a phototransistor

F.    Courant d’obscurite emetteur-collec-teur de phototransistor

116.    Фототок коллектора фототранзистора

D.    Kollektorfotostrom eines Phototransistors

E.    Collector photocurrent of a phototransistor

F.    Photocourant du collecteur de phototransistor

117.    Фототок эмиттера фототранзистора

D.    Emitterphotostrom eines Phototransistors

E.    Emitter photocurrent of a phototransistor

F.    Photocourant d’emetteur de phototransistor

118.    Фототок базы фототранзистора

D.    Basisfotostrom eines Phototransistors

E.    Base photocurrent of a phototransistor

F.    Photocourant de base de phototransistor

119.    Общий ток коллектора фототранзисто-ра

D.    Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors

E.    Collector total current of a phototransistor

F.    Courant total du collecteur de phototransistor

120.    Общий ток эмиттера фототранзистора

D.    Emittergesamtstrom eines Phototransistors

E.    Emitter total current of a phototransistor

F.    Courant total d’emetteur de phototransistor

Буквенное обозначение

русское

междуна

родное

Определение

гб 1 2*

1 сво

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

1\э

IЕВО

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

э

1 ECO

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

тЭ гб фк > 'фк’

I СЕН’ IСВН’

Тк

7фк

1ССН

т 6 т э фэ’ фэ’

I ЕВ Н’ I ЕЕ Н’

Тк 1 фэ

1 ЕС Н

т б тэ 7фб’7фб’

IВВН’ IВЕН’

Тк

7фб

1 вен

гэ

1 общ * 5

1 СЕ’ 1 СВ’

г6

общ К ’

1СС

тк

общ к

общ Э ’

^ ЕВ’ I ЕЕ’

т э

общ Э ’

1 ЕС

тк

общо

Термин

121. Общий ток базы фототранзистора

D.    Basisgesamtstrom eines Phototransistors

E.    Base total current of a phototransistor

F.    Courant total de base de phototransistor

122.    Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D.    Kollektor- Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

E.    Collector-emitter total current of a phototransistor

F.    Courant total col 1 ecteur-emetteur de phototransistor

123.    Общий ток коллектор-база фототранзистора

D.    Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

E.    Collector-base total current of a phototransistor

F.    Courant total collecteur-base de phototransistor

124.    Токовая чувствительность фототранзистора

D.    Stromempfindlichkeit eines Phototransistors

E.    Current responsivity of the phototransistor

F.    Reponse en courant du phototransistor

125.    Вольтовая чувствительность фототранзистора

D.    Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors

E.    Voltage responsivity of the phototransistor

F.    Reponse en tension du phototransistor

126.    Коэффициент усиления по фототоку

фототранзистора

D.    Photostromverstarkungsfaktor

E.    Photocurrent gain factor

F.    Gain de photocourant

Буквенное обозначение

русское

междуна

родное

Определение

т 6

общ б 5

! В В’ I ВЕ>

Тэ

х общ б 5

IВС

Тк

общ б

Тэ

1 общ *

1 СЕН

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

т 6

общ к

1СВН

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

hЭ ,

Отношение изменения электрическо-

*ту >

го тока на выходе фототранзистора к

потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и ко-

Ку

ротком замыкании на выходе по переменному току

h?

Отношение изменения напряжения

'Чу >

на входе фототранзистора к потоку из-

hiy,

лучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком за-

V

мыкании на выходе по переменному току

КУФ

Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме

ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ

127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода

2Дх:

128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

с

Дифф

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

о

истат

Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения

130. Нулевая точка координатного фотодиода

*0

*0

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю

131. Выходное сопротивление координатного фотодиода

^ВЫХ

*0

Отношение напряжения фотосигна-ла холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения

ПАРАМЕТРЫ

132.    Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

D.    Dunkelstromverstarkungsfaktor der Lawinenphotodiode

E.    Darkcurrent multiplication factor of the avalanche photodiode

F.    Facteur de multi plication de courant d’obscurite de photodiode a avalanche

133.    Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

D.    Photostromvervielfachungsfaktor

E.    Photocurrent multiplication factor

F.    Facteur de multiplication de photo-courant

134.    Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

D.    Konstanthaltungsgenauigkeit der Bet-riebsspannung

E.    Operating voltage constant keeping accuracy

135.    Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

D.    Temperaturkoeffizient der Betribs-

spannung

E.    Operating voltage temperature coefficient

F.    Coefficient de temprature de tension de regime

ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

A U

u

мл

Mr

ph

ML

U

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темно-вому току — к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.

Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке — локальный коэффициент умножения Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах

Ра

Ра

Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.

П римечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой — статический температурный коэффициент рабочего напряжения

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

ПАРАМЕТРЫ ИНЖКК11 ИОННЫХ ФОТОДИОДОВ

136.    Коэффициент усиления инжекционно- К го фотодиода

D.    Verstarkungsfaktor der Injections-

photodiode

E.    Injection photodiode gain

F.    Gain de photodiode a injection

137.    Коэффициент относительного инжекци- Kонного усиления инжекционного фотодиода

D.    Relativer Verstarkungsfaktor

E.    Relative gain

F.    Gainrelatif

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях — напряжении, температуре, фоне.

П римечание. Для инжекци-онных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений

ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

138.    Рассеиваемая мощность ФЭПП

D.    Gesamtverlustleistung

E.    Total power dissipation

F.    Dissipation totale de puissance

139.    Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D.    Maximal zulassige Verlustleistung

E.    Maximum admissible power dissipation

F.    Puissance dissipee maximale admissible

140.    Критическая мощность излучения для ФЭПП

Р

Ф,

крит

141. Д инамический диапазон ФЭПП

D.    Dynamischer Bereich

E.    Dynamic range

F.    Gamme dynamique

Д

Ptot    Суммарная мощность, рассеиваемая

ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения Ртах    Максимальная электрическая мощ

ность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня

Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

D.    Flachenungleichmassigkeit der Emp-flndlichkeit

E.    Spacing response non-uniformity

F.    Non-uniformite de la reponse spatiale

AS (x, у) Sep

143. Нестабильность сопротивления ФЭПП

D.    Instabilitatskoefiizient des Widerstan-des

E.    Resistance unstability coefficient

F.    Coefficient de 1’instability de resistance

AR(t)

R

144. Нестабильность темнового тока ФЭПП

D.    Instabilitatskoefiizient des Dunkel-stromes

E.    Dark current unstability coefficient

F.    Coefficient de 1 ’instabilite du courant d’obscurite

AIT

~r7

145. Нестабильность чувствительности ФЭПП

D.    Instabilitatskoefiizient der Empfind-lichkeit

E.    Response unstability coefficient

F.    Coefficient de 1’instability de la reponse

/*4

5 to"

<1

146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП

D.    Temperaturkoeffizient des Photostro-mes

E.    Photocurrent-temperature coefficient

F.    Coefficient de temperature du photo-courant

aT

147.    Световая нестабильность ФЭПП

D.    Lichtinstabilitat

E.    Light unstability

F.    Instability lumineuse

148.    Температура выхода на режим оптической генерации

V

149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

Е. Cooldown time

t

ВЫХ

150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

D.    Unabhangige Betriebszeit

E.    Independent operating time

F.    Duree d’operation autonome

?Рабав2

*ind

Определение

Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S(x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности

Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к средне-

&R(t)

му значению —-^-L-

Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемни-

А1Т

ка к среднему значению: ~т—

ЛТ

Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению

Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)

Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении

Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня

Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Spektrale Empfindlichkeit

E.    Spectral sensitivity

F.    Sensibilite spectrale

S(X)

S(X)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения

152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Absolute spektrale Empfindlichkeits-kennlinie

E.    Absolute spectral-response characteristic

F.    Caracteristique de sensibilite spectrale absolue

■W*)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения

153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Relative spektrale Empfindlichkeits-kennlinie

^отн(^)

S„,(X)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения

ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

154. Волы -ампсрная характеристика ФЭПП

D.    Strom-Spannungs-Kennlinie

E.    Current-voltage characteristic

F.    Caracteristique couranttension

m

m

Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

155. Входная вол ы-ампсрная характеристика фототранзистора

D.    Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E.    Input current-voltage characteristic

F.    Caracteristique couranttension d’entree

ыт

Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения

156. Выходная волы -амперная характеристика фототранзистора

D.    Ausgangs- Strom-Spannungs-Kennlinie

E.    Output current-voltage characteristic

F.    Caracteristique couranttension de sortie

U^)

*o(V)

Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения

157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Betriebsspannungsabhangigkeit der Empfindlichkeit

E.    Bias voltage response characteristic

S(U)

S(U)

Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

D.    Betriebsspannungsabhangigkeit des Rauschstromes

E.    Bias noise current characteristic

Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

D.    Betriebsspannungsabhangigkeit der Rauschspannung

E.    Bias noise voltage characteristic

Um(U)

Un(U)

Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D.    Betriebsspannungsabhangigkeit der N achweisfahigkeit

E.    Bias detectivity characteristic

D*(U)

D*(U)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

161. Вольтовая характеристика коэффици-

MT(V),

Md(V),

Зависимость коэффициента умноже-

сита умножения лавинного фотодиода

D.    Betriebsspannungsabhangigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinen-

photodiode

E.    Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

ЩЯ)

Mphm

ния лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ

162. Энергетическая характеристика фототека ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Photostroms von dem Strahlungsfluss

E.    Photocurrent-radiant flux characteristic

7Ф(ф)

Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭП

163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

D.    Abhangigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss

E.    Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic

Щ Ф)

ад)

Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП

164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

D.    Strahlungsflussabhangigkeit des sta-tischen Widerstands

E.    Radiant power-static resistance characteristic

Яс(ф)

ад)

Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор

165. Люксомическая характеристика фоторезистора

D.    Abhangigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstarke

E.    Resistance-Illuminance characteristic

ад

ад.

Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор

166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstarke

E.    Photocurrent-Illuminance characteristic

ад

ад

Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП

167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора

Ивх(Ф).

7bx(®)

Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора

/вых(ф)

Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Frequenzgang der Empfindlichkeit

E.    Frequency response characteristic

F.    Caracteristique de frequence de la re-ponse

Я(л

ХЛ

Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

170. Спектр тока шума ФЭПП

D.    Rauschstromspektrum

E.    Noise current spectrum

F.    Spectre du courant de bruit

Uf)

Uf)

Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам

171. Спектр напряжения шума ФЭПП

D.    Rauschspannungsspektrum

E.    Noise voltage spectrum

F.    Spectre de la tension de bruit

иш(Л

ЩЛ

Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам

172. Частотная характеристика удельной об-наружителыюй способности ФЭПП

Е. Specific detectivity frequency dependence

D\f)

о*(Л

Зависимость удельной обнаружитель-ной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Resistance under illumination-background radiant flux characteristic

**(Ф)

**(Ф), Rg( Ф)

Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Abhangigkeit der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Responsivity-background radiant flux characteristic

5(Ф)

5(Ф)

Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Noise current-background radiant flux characteristic

Лп(ф)

4(ф)

Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

D.    Abhangigkeit der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Noise voltage-background radiant flux characteristic

иш(ф)

и„( ф)

Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D.    Abhangigkeit der equivalenten Rau-schleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungslei-stung

E.    NEP-background radiant flux characteristic

Фп1 (Ф)

Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона

178. Фоновая характеристика удельной об-наружителыюй способности ФЭПП

D.    Abhangigkeit der spezifischen Nach-weisfahigkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Specific detectivity-background radiant flux characteristic

D*( Ф)

D*( Ф)

Зависимость удельной обнаружитель-ной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

D.    Temperaturverlauf des Hellwiderstands

E.    Resistance under illumination-temperature characteristic

RJR)

Re( T), RJD

180. Температурная характеристика темпового сопротивления ФЭПП

D.    Temperaturverlauf des Dunkelwider-stands

E.    Dark resistance-temperature characteristic

RT( T)

181. Температурная характеристика темпового тока ФЭПП

D.    Temperaturverlauf des Dunkelstroms

E.    Dark current-temperature characteristic

iT( T)

iJR)

182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Temperaturverlauf der Empfindlichkeit

E.    Responsivity-temperature characteristic

S(T)

S(7)

183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП

D.    Temperaturverlauf des Rauschstroms

E.    Noise current-temperature characteristic

iJR)

in(R)

184.    Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

D.    Temperaturverlauf der Rauschspan-nung

E.    Noise voltage-temperature characteristic

185.    Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D.    Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenz-hand

E.    NEP-tcmperature characteristic

UJT)

un(R)

186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D.    Temperaturverlauf der spezifischen N achweisfahigkeit

E.    Specific detectivity-temperature characteristic

D*(T)

D*(T)

187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода

D.    Temperaturverlauf der Nullpunktdrift

E.    Zero drift-temperature characteristic

4D

4R)

Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры

ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП

D.    Normierte Ubergangscharakteristik

E.    Normalized transfer charakteristic

F.    Caracteristique de transmission norma-lisee

h0(t)

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.

Термин

Буквенное обозначение

русское

междуна

родное

Определение

П римечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением

Фэ(0

О пр, t< О

Фэ0пр, i>0.

В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:

189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

D.    Normierte Umkehriibergangscharacte-ristik

E.    Normalized inverse transfer characteristic

F.    Caracteristique de transmission inverse normalisee

h0(t)

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.

П римечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением

фэ(0

Фэ0пр, t<О О пр, t> О

190. Координатная характеристика координатного фотодиода

191.    Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода

Дрейф нуля

D.    Nullpunktdrift

E.    Zero drift

192.    Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

D.    Empfindlichkeitsoberflachenvertei-lung

E.    Responsivity surface distribution

F.    Distribution superficielle de la reponse

ивых(Х)

x0(t)

Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени

S(x, у)

S(x, у)

Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе

К

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Empfindlichkeitswinkelverteilung

E.    Responsivity directional distribution

F.    Distribution directionnelle de la reponse

5(0)

5(0)

Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента

* На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

** Термины 64—74 могут употребляться в различных комбинациях. Например, вольтовая интегральная чувствительность 5М и т (комбинация терминов 69 и 70), вольтовая монохроматическая чувствительность Sux (комбинация терминов 69 и 71), токовая чувствительность к освещенности S/e и токовая чувствительность к световому потоку 5 (комбинация терминов 68 с 65 и 67).

Буквенные обозначения при этом формируются из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации.

В случаях, когда в тексте указана размерность чувствительности, допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.

*** Верхний индекс «э», «б», «к» в пп. 102—125 указывает на схему включения фототранзистора соответственно с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП    150

Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП    149

Время нарастания    91

Время нарастания ФЭПП    91

Время спада    92

Время спада ФЭПП    92

Время установления    93

Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к    93

Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    41

Вывод ФЭПП    41

Выход фотоприемного устройства    48

Диапазон ФЭПП динамический    141

Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная    47

Диафрагма ФЭПП апертурная    47

Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП    84

Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая    86

Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая    85

Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной    191

Дрейф нуля    191

Емкость ФЭПП    95

Зазор многоэлементного ФЭПП межэлементный    99

Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная    127

Контакт фоточувствительного элемента    42

Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    42

Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    43

Корпус ФЭПП    43

Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода    137

Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный    135

Коэффициент умножения темпового тока лавинного фотодиода    132

Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода    133

Коэффициент усиления инжекционного фотодиода    136

Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора    126

Коэффициент фототока ФЭПП температурный    146

Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП    100

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная    128

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая    129

Мощность излучения для ФЭПП критическая    140

Мощность ФЭПП рассеиваемая    138

Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая    139

Наклон люксомической характеристики фоторезистора    75

Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное    106

Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное    105

Напряжение на базе фототранзистора    104

Напряжение на коллекторе фототранзистора    102

Напряжение на эмиттере фототранзистора    103

Напряжение фотодиода пробивное    50

Напряжение фотосигнала ФЭПП    61

Напряжение ФЭПП максимально допустимое    51

Напряжение ФЭПП рабочее    49

Напряжение шума ФЭПП    87

Напряжение эмиттер—база фототранзистора пробивное    107

Напряжение эмиттер—коллектор фототранзистора пробивное    108

Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу    142

Нестабильность сопротивления ФЭПП    143

Нестабильность темнового тока ФЭПП    144

Нестабильность ФЭПП световая    147

Нестабильность чувствительности ФЭПП    145

Область спектральной чувствительности ФЭПП    87

Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное    46

Окно ФЭПП входное    46

Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная    88

Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    45

Подложка ФЭПП    45

Поле зрения ФЭПП эффективное    90

Порог    78

Порог в единичной полосе частот    79

Порог удельный    80

Порог чувствительности ФЭПП    78

Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот    79

Порог чувствительности ФЭПП радиационный    83

Порог чувствительности ФЭПП удельный    80

Прибор полупроводниковый фоточувствительный    1

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический    2

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный    8

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный    9

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный    7

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный    4

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный    6

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный    5

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый    20

Прочность изоляции ФЭПП электрическая    52

p-i-n фотодиод    12

Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП    101

Распределение чувствительности по элементу ФЭПП    192

Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    36

Режим короткого замыкания ФЭПП    36

Режим ОГ    30

Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    29

Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    39

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП    39

Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    30

Режим ОФ    29

Режим работы фотодиода лавинный    33

Режим работы фототранзистора с плавающей базой    35

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового    приемника излучения с согласованной нагрузкой 38

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой    38

Режим ТГ    31

Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    31

Режим фотогальванический    34

Режим фотодиодный    32

Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    37

Режим холостого хода ФЭПП    37

Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный    25

Сопротивление координатного фотодиода выходное    131

Сопротивление фотодиода последовательное    96

Сопротивление фотодиода при нулевом смещении    56

Сопротивление ФЭПП световое    57

Сопротивление ФЭПП статическое    54

Сопротивление ФЭПП темновое    55

Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное    53

Спектр напряжения шума ФЭПП    171

Спектр тока шума ФЭПП    170

Способность ФЭПП обнаружительная    81

Способность ФЭПП обнаружительная удельная    82

Температура выхода на режим оптической генерации    148

Ток базы фототранзистора общий    121

Ток базы фототранзистора темновой    111

Ток коллектора фототранзистора общий    119

Ток коллектора фототранзистора темновой    109

Ток коллектор-база фототранзистора общий    123

Ток коллектор-база фототранзистора темновой    113

Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий    122

Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой    112

Ток фотосигнала ФЭПП    62

Ток ФЭПП общий    60

Ток ФЭПП темновой    58

Ток шума ФЭПП    76

Ток эмиттер-база фототранзистора темновой    114

Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой    115

Ток эмиттера фототранзистора общий    120

Ток эмиттера фототранзистора темновой    110

Точка координатного фотодиода нулевая    130

Точность поддержания рабочего напряжения лавинного    фотодиода    134

Угол зрения ФЭПП плоский    89

Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное    23

Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное    22

Устройство фотоприемное    3

Устройство фотоприемное гибридное    28

Устройство фотоприемное многоспектральное    24

Устройство фотоприемное монолитное    27

Устройство фотоприемное одноэлементное    21

Устройство фотоприемное охлаждаемое    26

Фотодиод    11

Фотодиод инжекционный    16

Фотодиод лавинный    15

Фотодиод с барьером I Попки    13

Фотодиод с гетеропереходом    14

Фоторезистор    10

Фототок базы фототранзистора    118

Фототок коллектора фототранзистора    116

Фототок ФЭПП    59

Фототок эмиттера фототранзистора    117

Фототранзистор    17

Фототранзистор биполярный    19

Фототранзистор полевой    18

ФПУ    3

ФПУ гибридное    28

ФПУ многоспектральное    24

ФПУ монолитное    27

ФПУ одноэлементное    21

ФПУ охлаждаемое    26

ФПУ с внутренней коммутацией    многоэлементное    23

ФПУ с разделенными каналами    многоэлементное    22

ФЭПП    2

ФЭПП гетеродинный    8

ФЭПП иммерсионный    9

ФЭПП координатный    7

ФЭПП многоспектральный    4

ФЭПП многоэлементный    6

ФЭПП одноэлементный    5

ФЭПП охлаждаемый    20

Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная    187

Характеристика координатного фотодиода координатная    190

Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая    161

Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая    163

Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая    159

Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная    184

Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая    176

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная    185

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая    177

Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная    179

Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая    173

Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая    164

Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная    180

Характеристика темнового тока ФЭПП температурная    181

Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая    158

Характеристика тока шума ФЭПП температурная    183

Характеристика тока шума ФЭПП фоновая    175

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая    160

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная    186

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая    178

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная    172

Характеристика фоторезистора люксомическая    165

Характеристика фототока ФЭПП энергетическая    162

Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная    155

Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная    156

Характеристика фототранзистора энергетическая входная    167

Характеристика фототранзистора энергетическая выходная    168

Характеристика ФЭПП вольт-амперная    154

Характеристика ФЭПП люксамперная    166

Характеристика ФЭПП нормированная переходная    188

Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная    189

Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая    157

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная    151

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная    152

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная    153

Характеристика чувствительности ФЭПП температурная    182

Характеристика чувствительности ФЭПП угловая    193

Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая    174

Характеристика чувствительности ФЭПП частотная    169

Частота ФЭПП предельная    94

Число элементов ФЭПП    97

Чувствительность фототранзистора вольтовая    125

Чувствительность фототранзистора токовая    124

Чувствительность ФЭПП    63

Чувствительность ФЭПП вольтовая    69

Чувствительность ФЭПП дифференциальная    73

Чувствительность ФЭПП импульсная    74

Чувствительность ФЭПП интегральная    70

Чувствительность ФЭПП    к    облученности    66

Чувствительность ФЭПП    к    освещенности    67

Чувствительность ФЭПП    к    потоку излучения    64

Чувствительность ФЭПП    к    световому потоку    65

Чувствительность ФЭПП монохроматическая    71

Чувствительность ФЭПП статическая    72

Чувствительность ФЭПП токовая    68

Шаг элементов ФЭПП    98

Элемент фоточувствительный    40

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный    44

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный    40

Элемент ФЭПП иммерсионный    44

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit der normierter Umkehriibergangskennlinie    92

Abhangigkeit der Empfindhchkeit von dem Hmtergrundstrahlungsfluss    174

Abhangigkeit der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung    177

Abhangigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss    163

Abhangigkeit der Rauschspannung von dem Hmtergrundstrahlungsfluss    176

Abhangigkeit der spezifischen Nachweisfahigkeit von dem Hmtergrundstrahlungsfluss    178

Abhangigkeit des Hellwiderstands von dem Hmtergrundstrahlungsfluss    173

Abhangigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstarke    165

Abhangigkeit des Photostroms von dem Strahlungsfluss    162

Abhangigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstarke    166

Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hmtergrundstrahlungsfluss    175

Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie    152

Ansprechempfindlichkeit    63

Anstiegszeit der normierten Ubergangskennlinie    91

Aperturblende des Photoempfangers    47

Aquivalente Rauschleistung    78

Aquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband    79

Ausgangs- Strom- Spannungs-Kennlinie    156

Basisdunkelstrom    111

Basisfotostrom eines Phototransistors    118

Basisgesamtstrom eines Phototransistors    121

Basisspannung    104

Beleuchtungsstarkeempfindlichkeit    67

Bestrahlungsstarkeempfindhchkeit    66

Betriebsspannung    49

Betriebsspannungsabhangigkeit der Empfindhchkeit    157

Betriebsspannungsabhangigkeit der Nachweisfahigkeit    160

Betriebsspannungsabhangigkeit der Rauschspannung    159

Betriebsspannungsabhangigkeit des Rauschstromes    158

Betriebsspannungsabhangigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode    161

Bipolarphototransistor    19

Differentielle Empfindhchkeit    73

Differentieller elektrischer Widerstand    53

Dunkelstrom    58

Dunkelstromverstarkungsfaktor der Lawinenphotodiode    132

Dunkelwiderstand    55

Durchbruchspannung einer Photodiode    50

Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoempfangers    29

Dynamischer Bereich    141

Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel    90

Effektivflache des Fiihlelements    88

Einelementphotoempfanger    5

Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie    155

Einstellzeit der normierten Ubergangskennlinie    93

Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors    114

Emitter-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors    107

Emitterdunkelstrom    110

Emittergesamtstrom eines Phototransistors    120

Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors    115

Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Phototransistors    108

Emitterphotostrom eines Phototransistors    117

Emitterspannung    103

Empfindlichkeitsoberflachenverteilung    192

Empflndhchkeitswinkelverteilung    193

Flachenungleichmassigkeit der Empfindhchkeit    142

Frequenzgang der Empfindhchkeit    169

Fuhlelementenabstand    99

Fiihlelementenanzahl    97

Gekiihlter Photoempfanger    20

Gesamtempflndlichkeit    70

Gesamtstrom    60

Gesamtverlustleistung    138

Gesichtsfeldwinkel    89

Grenzfrequenz    94

Halbleiterphotoelement    2

Hehwiderstand    57

Immersionsphotoempfanger    9

Impulsempflndlichkeit    74

Injektionsphotodiode    16

Instabihtatskoeffizient der Empfindhchkeit    145

Instabihtatskoeffizient des Dunkelstromes    144

Instabihtatskoeffizient des Widerstandes    143

Isolationsfestigkeit    52

Kapazitat    95

Kohektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors    113

Kohektor-Basis-Durchbruchspannung eines Phototransistors    106

Kohektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors    123

Kohektordunkelstrom    109

Kohektor- Emitter- Dunkelstrom eines Photo transistors    112

Kohektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Phototransistors    105

Kohektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors    122

Kohektorfotostrom eines Phototransistors    116

Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors    119

Kohektorspannung    102

Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung    134

Kurzschlussbetrieb des Photoempfangers    36

Kurzwehengrenze    85

Langwehengrenze    86

Lawinenphotodiode    15

Leerlaufbetrieb des Photoempfangers    37

Lichtempfindhches Element eines Photoempfangers    40

Lichtinstabihtat    147

Lichtstromemphndhchkeit    65

Maximal zulassige Spannung    51

Maximal zulassige Verlustleistung    139

Monochromatische Empfindhchkeit    71

Multispektralphotoempfanger    4

Nachweisfahigkeit    81

Normierte Uhergangscharakteristik    188

Normierte Umkehriibergangscharakteristik    189

Nuhpunktdrift    191

Nuhpunktwiderstand einer Photodiode    56

Nuhvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzehe    34

Ortsempfindlicher Photoempfanger    7

Parameterstreuung    101

Photodiode    11

Photodiode mit Heteroiibergang    14

Photoelektrischer Kopplungsfaktor    100

Photoempfangeranschluss    41

Photoempfangerbetriebsweise bei Anpassung    38

Photoempfangerbetriebsweise bei Uberlagerungsempfang    39

Photoempfangereingangsfenster    46

Photoempfangergehause    43

Photoempfangerimmersionselement    44

Phtoempfindbches Halbleiterbauelement    1

PhotofeldefFekttransisfor    18

Photosignalstrom    62

Photostrom    59

Photostromverstarkungsfaktor    126

Photostromvervielfachungsfaktor    133

Phototransistor    17

Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis    35

Photowiderstand    10

Pin-Photodiode    12

Rastermass    98

Rauschspannung    77

Rauschspannungsspektrum    171

Rauschstrom    76

Rauschstromspektrum    170

Reihenwiderstand einer Photodiode    96

Relativer Verstarkungsfaktor    137

Relative spectral Empfindbchkeitskennlinie    153

Schichttrager des Photoempfangers    45

Schottkv-Photodiode    13

Spannungsempfindbchkeit eines Phototransistors    125

Spektrale Empfindbchkeit    151

Spektraler Empfidlichkeitsbereich    87

Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle    32

Spezifische aquivalente Rauschleistung    80

Spezifische Nachweisfahigkeit    82

Statische Empfindbchkeit    72

Statischer Widerstand    54

Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie    75

Strahlungsflussabhangigkeit des statischen Widerstands    164

StrahhmgsfhiPempfindUchkeit    64

Stromempfindbchkeit    68

Stromempfindbchkeit eines Phototransistors    124

Strom-Spannung-Kennbnie    154

Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung    135

Temperaturkoeffizient des Photostromes    146

Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband    185

Temperaturverlauf der Empfindbchkeit    182

Temperaturverlauf der Nuhpunktdrift    187

Temperaturverlauf der Rauschspannung    184

Temperaturverlauf der spezifischen Nachweisfahigkeit    186

Temperaturverlauf des Dunkelstroms    181

Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands    180

Temperaturverlauf des Hebwiderstands    179

Temperaturverlauf des Rauschstroms    183

Tragerlawinenzustand der Photodiode    33

Uberlagerungsphotoempfanger    8

Unabhangige Betriebszeit    150

Verstarkungsfaktor der Injektionsphotodiode    136

Vielelementphotoempfanger    6

Webenlange der maximalen Spektralempfindbchkeit    84

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Absolute spectral-response characteristic    152

Angular field of view    89

Avalanche mode of photodiode operation    33

Avalanche photodiode    15

Back-biased mode of photovoltaic detector operation    32

Background limited photodetector    29

Base dark current    111

Base photocurrent of a phototransistor    118

Base total current of a phototransistor    121

Base voltage    104

Bias detectivity characteristic    160

Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode    161

Bias noise current characteristic    158

Bias noise voltage characteristic    159

Bias voltage response characteristic    157

Bipolar phototransistor    19

BLIP    33

Breakdown voltage of a photodiode    50

Capacitance    95

Collector-base breakdown voltage of a phototransistor    106

Collector-base dark current of a phototransistor    113

Collector-base total current of a phototransistor    123

Collector dark current    109

Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor    105

Collector-emitter dark current of a phototransistor    112

Collector-emitter total current of a phototransistor    122

Collector photocurrent of a phototransistor    116

Collector total current of a phototransistor    119

Collector voltage    102

Cooldown time    149

Cooled detector    20

Current responsivity    68

Current responsivity of the phototransistor    124

Current-voltage characteristic    154

Cut-off frequency    94

Dapk current    58

Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode    132

Dark current-temperature characteristic    181

Dark current unstability coefficient    144

Dark resistance    55

Dark resistance-temperature characteristic    180

Decay time of the normalized inverse transfer characteristic    92

Detectivity    81

Detector aperture stop    47

Detector-film base    45

Detector optical immersion element    44

Detector sensitive    element    40

Detector terminal    41

Detector window    46

Differential electrical resistance    53

Differential responsivity    73

Dynamic range    141

Effective area of the responsive element    88

Effective weighted solid angle    90

Element number    97

Element spacing    99

Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor    107

Emitter-base dark current of a phototransistor    114

Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor    108

Emitter-collector dark current of a phototransistor    115

Emitter dark current    110

Emitter photocurrent of a phototransistor    117

Emitter total current of a phototransistor    120

Emitter voltage    103

Field effect phototransistor    18

Figure of merit straggling    101

Floating-base phototransistor operation    35

Frequency response characteristic    169

Heterodyne detector    8

Heterodyne reception mode of detector operation    39

Heterojunction photodiode    14

Illuminance-resistance characteristique slope    75

Illumination responsivity    67

Immersed detector    9

Independent operating time    150

Injection photodiode    16

Injection photodiode gain    136

Input current-voltage characteristic    155

Insulating strength    52

Irradiance responsivity    66

Light unstability    147

Long wavelength limit    86

Luminous flux responsivity    65

Matched impedance mode of detector operation    38

Maximum admissible power dissipation    139

Maximum admissible voltage    51

Monochromatic responsivity    71

Multi-band photodetector    4

Multi-element detector    6

NEP-background radiant flux characteristic    177

NEP-temperature characteristic    185

Noise current    76

Noise current-background radiant flux characteristic    175

Noise current spectrum    170

Noise current-temperature characteristic    183

Noise equivalent power    78

Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)    83

Noise voltage    77

Noise voltage-background radiant flux characteristic    176

Noise voltage spectrum    171

Noise voltage-temperature characteristic    184

Normalized inverse transfer characteristic    189

Normalized transfer characteristic    188

Open-circuit mode of detector operation    37

Operating voltage    49

Operating voltage constant keeping accuracy    134

Operating voltage temperature coefficient    135

Output current-voltage characteristic    156

Peak spectral response wavelength    84

Photoconductive cell    10

Photocurrent    59

Photocurrent gain factor    126

Photocurrent-illuminance characteristic    166

Photocurrent multiplication factor    133

Photocurrent-radiant flux characteristic    162

Photocurrent-temperature coefficient    146

Photodetector package    43

Photodiode    11

Photoelectric coupling coefficient    100

Photoelectric semiconductor detector    2

Photoelectric signal current    62

Photoelectric signal voltage    61

Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic    163

Photosensitive semiconductor device    1

Phototransistor    17

Pin-photodiode    12

Pitch    98

Position-sensitive detector    7

Pulse responsivity    74

Radiant flux responsivity    64

Radiant power-static resistance characteristic    164

Relative gain    137

Resistance-illuminance characteristic    165

Resistance under    illumination    57

Resistance under    illumination-background    radiant flux    characteristic    173

Resistance under    illumination-temperature    characteristic    179

Resistance unstability coefficient    143

Response unstability coefficient    145

Responsivity    63

Responsivity-background radiant flux characteristic    174

Responsivity directional distribution    193

Responsivity surface distribution    192

Responsivity-temperature characteristic    182

Rise time of the normalized transfer characteristic    91

Schottky-Barrier-Photodiode    13

Short-circuit mode of detector operation    36

Short-wavelength limit    85

Series resistance    96

Set-up time of the normalized transfer characteristic    93

Single-element detector    5

Spacing response non-uniformity    142

Specific detectivity    82

Specific detectivity-background radiant flux    characteristic    178

Specific detectivity frequency dependence    172

Specific detectivity-temperature characteristic    186

Specific noise equivalent power    80

Spectral sensitivity    151

Spectral sensitivity range    87

Static resistance    54

Static responsivity    72

Total current    60

Total power dissipation    138

Total responsivity    70

Unit frequency bandwidth noise equivalent    power    79

Voltage responsivity    69

Voltage responsivity of the phototransistor    125

Zero-bias mode of photovoltaic detector operation    34

Zero-bias resistance of a photodiode    56

Zero drift    191

Zero drift-temperature characteristic    187

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Aire efficace de I’element detecteur    88

Angle d’ouverture    89

Angle solide efficace    90

Boitier du detecteur    43

Branchement du detecteur    41

Capacite    95

Caracteristique courant-tension    154

Caracteristique courant-tension d’entree    155

Caracteristique courant-tension de sortie    156

Caracteristique de frequence de la reponse    169

Caracteristique de sensibilite spectrale absolue    152

Caracteristique de transmission inverse normalisee    189

Caracteristique de transmission normalisee    188

Cellule photoinductive    10

Coefficient de couplage photoelectrique    100

Coefficient de I’instabilite de la reponse    145

Coefficient de I’instabilite de resistance    143

Coefficient de l’instabilite du courant d’obscurite    144

Coefficient de temperature de tension de regime    135

Coefficient de temperature du photocourant    146

Courant de bruit    76

Courant de signal photoelectrique    62

Courant d’obscurite    58

Courant d’obscurite    collecteur-base de phototransistor    113

Courant d’obscurite    collecteur-emetteur de phototransistor    112

Courant d’obscurite    de base    111

Courant d’obscurite    d’emetteur    110

Courant d’obscurite    du collecteur    109

Courant d’obscurite    emetteur-base de phototransistor    114

Courant d’obscurite    emetteur-collecteur de phototransistor    115

Courant total    60

Courant total collecteur-base de phototransistor    123

Courant total collecteur-emetteur de phototransistor    122

Courant total de base de phototransistor    121

Courant total d’emetteur de phototransistor    120

Courant total du collecteur de phototransistor    119

Detecteur a element unique    5

Detecteur a immersion    9

Detecteur a semi-conducteur photoelectrique    2

Detecteur heterodyne    8

Detecteur multiple    6

Detectivite    81

Detectivity reduite    82

Diaphragme d’ouverture du detecteur    47

Dispersion de figure de merite    101

Dispositif semiconducteur photosensible    1

Dissipation totale de puissance    138

Distribution directionnelle de la reponse    193

Distribution superficielle de la reponse    192

Duree d’operation autonome    150

Ecartement    98

Element a immersion du detecteur    44

Element sensible du detecteur    40

Espacement des elements    99

Facteur de multiplication de courant d’obscurite de photo-diode a avalanche    132

Facteur de multiplication de photocourant    133

Fenetre du detecteur    46

Fonctionnement du detecteur a circuit ouvert    37

Fonctionnement du detecteur a court-circuit    36

Frequence de coupure    94

Gain de photocourant    126

Gain de photodiode a injection    136

Gain relatif    137

Gamme dynamique    141

Instability lumineuse    147

Fongueur d’onde de la sensibilite spectrale maximale    84

Nombre des elements    97

Non-uniformite de la reponse spatiale    142

Part sensible spectrale    87

Pente de caracteristique eclairement-resistance    75

Photocourant    59

Photocourant de base de phototransistor    118

Photocourant d’emetteur de phototransistor    117

Photocourant du collecteur de phototransistor    116

Photodetecteur a plusieurs gammes    4

Photodetecteur refroidi    20

Photodiode    11

Photodiode a avalanche    15

Photodiode d’injection    16

Phototransistor    17

Phototransistor a efFet de champ    18

Phototransistor bipolaire    19

Pin-photodiode    12

Puissance dissipee maximale admissible    139

Puissance equivalente au bruit    78

Puissance equivalente au bruit dans une bande passante des frequences unitaires    79

Puissance equivalente au bruit du philra detecteur    83

Puissance reduite equivalente au bruit    80

Regime de fonctionnement du detecteur d’operation    39

Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de    charge    38

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique    34

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique au contretension de polarisation    32

Regime du phototransistor de basis flottante    35

Regime photodetecteur infrarouge limite par le rayonnement ambiant    29

Reponse    63

Reponse a l’eclairement energetique    66

Reponse a I’eclairenrent lumineux    67

Reponse au flux energetique    64

Reponse au flux lumineux    65

Reponse differentielle    73

Reponse d’impulsions    74

Reponse en courant    68

Reponse en courant du phototransistor    124

Reponse en tension    69

Reponse en tension du phototransistor    125

Reponse globale    70

Reponse monochromatique    71

Reponse statique    72

Resistance differentielle electrique    53

Resistance d’obscurite    55

Resistance du point zero de photodiode    56

Resistance serie    96

Resistance sous eclairement    57

Resistance statique    54

Rigidite d’isolement    52

Sensibilite spectrale    151

Spectre de la tension de bruit    171

Spectre du courant de bruit    170

Temps de descente de caracteristique de transmission inverse normalisee    92

Temps de montee de caracteristique de transmission normalisee    91

Temps d’etablissement de caracteristique de transmission    normalisee    93

Tension de base    104

Tension de bruit    77

Tension de claquage collecteur-base de phototransistor    106

Tension de claquage coliecteur-emetteur de phototransistor    105

Tension de claquage de photodiode    50

Tension de claquage emetteur-base de phototransistor    107

Tension de claquage emetteur-collecteur de phototransistor    108

Tension d’emetteur    103

Tension de regime    49

Tension de service    49

Tension de signal photoelectrique    61

Tension du collecteur    102

Tension maximale admissible    51

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Термин

Пояснение

1. Электромагнитное излучение

2. Оптическое излучение

3.    Ультрафиолетовое излучение

4.    Видимое излучение

5.    Инфракрасное излучение

6.    Равновесное излучение

7.    Немодулированное излучение

8.    Модулированное излучение

9.    Фотоэлектрический эффект

Фотоэффект

10.    Внутренний фотоэлектрический эффект

Внутренний эффект

11.    Эффект проводимости

12.    Фотогальванический эффект

13.    Фотопроводимость

14.    Собственная фотопроводимость

15. Примесная фотопроводимость

16.    Фотоэлектродвижущая сила Фото-ЭДС

17.    Фотосигаал

Процесс испускания электромагнитных волн.

Примечание. Под термином «электромагнитное излучение» следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.

Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 • 10—9—10—3 м.

Примечание.В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 • 10—9—4 • 10-7 м

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4 • 10-7—7,6 • 10-7 м

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6 • 10-7—10-3 м

Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии

Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения

Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов

Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов

Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом

Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.

П римечание. Под термином «фотоносители» следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения

Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения

Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения

Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р—п переходе под действием оптического излучения Реакция приемника на оптическое излучение

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СТ СЭВ 2767-80

Пп. 10, И, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп. 1.5.8,1.5.10, 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.

170