allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ Р 57436-2017
Наименование:
Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Статус:
Действует
Дата введения:
01.08.2017
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31 , 31.080

Текст ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения


ГОСТ Р 57436-2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor devices. Terms and definitions

ОКС 01.040.31, 31.080

Дата введения 2017-08-01

Предисловие

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") совместно с Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Изделия электронной техники, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 249-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ. Август 2018 г.


Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой "Нрк".

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы - светлым, синонимы - курсивом.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

Виды полупроводниковых приборов

1

полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.

[ГОСТ IEC 60050-151-2014, статья 151-13-63]

de

halbleiterbauelement

en

semiconductor device

fr

dispositif semiconducteurs

2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт.

de

halbleiter-power-

en

semiconductor power device

fr

semiconducteurs d'alimentation de l'appareil

3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.

de

halbleiter-einheit

en

semiconductor assembly

fr

bloc de semiconducteur

4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.

de

satz von halbleiterbauelementen

en

semiconductor assembly set

fr

de dispositifs semiconducteurs

5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для выполнения элементарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты.

de

diskretes halbleiterbauelement

en

discrete semiconductor device; discrete device

fr

discret dispositif semiconducteurs

6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт-амперную характеристику.

de

halbleiterdiode; diode

Примечание - Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного p-n перехода.

en

semiconductor diode; diode

fr

diode semiconducteurs; diode

7 смесительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования входящих высокочастотных сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты входящих сигналов.

de

mischerdiode

en

mixer diode

fr

diode

8 детекторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.

de

halbleiter-detektordiode; detektordiode

en

detector diode

fr

diode

9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока.

de

halbleiter-gleichter diode

en

semiconductor rectifier diode; rectifier diode

fr

diode de redressement semiconducteurs; diode de redressement

10 лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.

de

lawinen gleichrichter diode

en

avalanche rectifier diode

fr

diode de redressement avalanche

11 выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя p-n перехода, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя p-n перехода обратной ветви вольт-амперной характеристики.

de

halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanche durchbruch

en

controlled-avalanche rectifier diode

fr

diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee;
diode de redressement de rupture en avalanche controlee

12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.

de

halbeiter-gleichrichterbaugruppe

en

semiconductor rectifier stack; rectifier stack

fr

bloc de redressement semiconducteur;
bloc de redressement

13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полупроводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов.

de

gleichrichter halbleiter block;
gleichrichter block

en

semiconductor rectifier assembly

fr

assemblage de edressement semiconducteurs;
assemblage de edressement

14 ограничитель (полупроводниковый) напряжения; ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для ограничения амплитуды импульсов перенапряжения.

de

begrenzerdiode

en

limiting diode

fr

diode de limitation

15 умножительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты входного сигнала.

de

frequenzvervielfacherdiode

en

frequency-multiplication diode

fr

diode pour multiplication de

16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования энергии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.

de

produzent halbleiterdiode

en

generation semiconductor diode; generation diode

fr

producteur diode semiconducteurs;
producteur diode

17 импульсный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

de

halbleiterimpulsdiode

en

pulse semiconductor diode; pulse diode

fr

diode d'impulsion

18 коммутационный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.

de

shalten halbleiterdiode

en

switching semiconductor diode;
switching diode

fr

commutation diode semiconducteurs;
commutation diode

19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого обоснованы созданием выпрямляющего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника.

de

Schottky-diode

en

Schottky barrier diode

fr

diode Schottky;
diode Schottky

20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого основано на зависимости емкости его p-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

de

;

en

variable-capacitance diode

fr

diode variable

21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. варактор): Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

de

parametrischer halbleiterdiode

en

parametric semiconductor diode; parametric diode

fr

diode semiconducteurs;

diode

22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

de

stichhaltiger diode

en

noise diode

fr

diode bruit

23 туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий p-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики.

de

tunneldiode

en

tunnel diode

fr

diode tunnel

24 обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

de

unitunneldiode

en

unitunnel diode;
backward diode

fr

diode

25 сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов.

de

UHF-halbeiteriode

Примечание - СВЧ-сигнал - сигнал с частотой более 300 МГц.

en

microwave diode

fr

diode en

26 переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения.

de

halbeitererschaltdiode

en

gating diode

fr

diode de commutation

27 точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным p-n переходом.

de

halbeiterspitzediode

en

point contact diode

fr

diode pointe

28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным p-n переходом.

de

en

junction diode

fr

diode jonction

29 диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения.

de

gespeicherte ladung diode

en

snap-off diode

fr

diode charge

30 лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

de

lawinenlaufzeitdiode

en

impact avalanche-transit time diode

fr

diode avalanche temps de transit

31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

de

BARITT-diode

en

barrier-injection and transittime diode

fr

diode f temps de transit

32 сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым.

de

signal diode

en

signal diode

fr

signal diode

33 диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

de

Gunn diode

en

Gunn diode

fr

diode Gunn

34 диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс.

de

hochwiederkehiend diode

en

fast-recovery diode

fr

diode rapide

35 модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов.

de

halbleitermodulatordiode

en

modulator diode

fr

diode modulatrice

36 обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения.

de

diode

Примечание - Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами.

en

reverse diode

fr

inverse diode

37 СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.

Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию.

de

mikrowelle begrenzung diode

en

microwave limiting diode

fr

micro-ondes diode limiteuse

38 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод.

de

mikrowelle schaltdioden

Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание.

en

microwave switching diode

fr

micro-ondes diode de commutation

39 (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.

de

halbeiter-Z-diode

en

voltage reference diode

fr

diode de tension de

40 диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый диод, на выводах которого возникает практически постоянное напряжение в заданном диапазоне токов.

de

voltage-regulator diode

en

voltage-regulator diode

fr

la tension diode

41 транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода.

de

transistor

en

transistor

fr

transistor

42 биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание - Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.

de

bipolarer transistor

en

bipolar junction transistor

fr

transistor bipolaire

43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии.

de

diffusiontransistor

en

diffusion transistor

fr

transistor diffusion

44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа.

de

drifttransistor

en

drift transistor

fr

transistor en

45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами.

de


en

junction transistor

fr

transistor jonctions

46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

de

lawinentransistor

en

avalance transistor

fr

transistor avalanche

47 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник.

de

bipolartransistor gatedielektrikum

en

insulated-gate bipolar transistor

fr

bipolaire

48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности.

de

unipolarer transistor

en

unipolar transistor

fr

transistor unipolaire

49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем.

de

feldeffekttransistor

Примечание - Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

en

field-effect transistor

fr

transistor effet de champ

50 полевой транзистор с управляющим p-n переходом: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении.

de

sperrschicht-feldeffekttransistor

en

junction-gate field-effect transistor

fr

transistor effet de champ junction de grille

51 полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала.

de

isolierschicht-feldeffekttransistor; IGFET

en

insulated-gate field-effect transistor

fr

transistor effet de champ grille

52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа.

de

N-kanal-feldeffekttranssistor

en

N-channel field-effect transistor

fr

transistor effet de champ canal N

53 P-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа.

de

P-kanal-feldeffekttranssistor

en

P-channel field-effect transistor

fr

transistor effet de champ canal P

54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид.

de

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter

en

metal-oxide-semiconductor field effect transistor

fr

transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs

55 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.

de

feldeffekttransistor mit metall-halbleiter

en

MIS-transistor

fr

transistor effet de champ metal-semiconducteurs

56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.

de

feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere

en

field-effect transistor with Schottky barrier

fr

transistor effet de champ de Schottky

57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины.

de

feldeffekttransistor vom verarmungstyp

en

depletion type field-effect transistor

fr

transistor effet de champ appauvrissement

58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности.

de

feldeffekttransistor vom anreicherungstyp

en

enhancement type field-effect transistor

fr

transistor effet de champ enrichissement

59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.

de

zweirichtungstransistor; bidirektionaler transistor

en

bidirectional transistor

fr

transistor bidirectionnel

60 переключательный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным - в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени.

de

feldeffekt bipolarer-schalttransistor; feldeffekt-schalttransistor

en

field-effect bipolar switching transistor;

field-effect switching transistor

fr

transistor commutation bipolaire effet de champ;
transistor commutation bipolaire

61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода.

de

transistortetrode

en

tetrode transistor

fr

transistor

62 тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот.

de

thyristor

en

thyristor

fr

thyristor

63 диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления.

de

thyristordiode

en

diode thyristor

fr

thyristor diode

64 диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

de

sperrende thyristordiode

en

reverse blocking diode thyristor

fr

thyristor diode en inverse

65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

de

leitende thyristordiode

en

reverse conducting diode thyristor

fr

thyristor diode passant en inverse

66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях.

de

zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode; diac

en

bidirectional diode thyristor; diac

fr

thyristor diode bidirectionnel; diac

67 триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий три вывода: два основных и один управляющий.

de

thyristortriode

en

triode thyristor

fr

thyristor triode

68 триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

de

sperrende thyristortriode

en

reverse blocking triode thyristor

fr

thyristor triode en inverse

69 триодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

de

leitende thyristortriode

en

reverse conducting triode thyristor

fr

thyristor triode passant en inverse

70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.

de

zweirichtungs-thyristortriode; triac

en

bidirectional triode thyristor; triac

fr

thyristor triode bidirectionnel; triac

71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и, наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

de

ausschaltthyristor;
GTO-thyristor

en

turn-off thyristor

fr

thyristor blocable

72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.

de

kathodenseitig steuerbarer thyristor

en

P-gate thyristor

fr

thyristor P

73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

de

anodenseitig steuerbarer thyristor

en

N-gate thyristor

fr

thyristor N

74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния.

de

lawine reverse

en

avalanche reverse blocking triode thyristor

fr

thyristor triode avalanche en inverse

75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии.

de

asymmetrischer thyristor

en

asymmetrical thyristor

fr

thyristor

76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.

de

gemischte-ausschalten thyristor

en

mixed-off thyristor

fr

thyristor

77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

de

impuls thyristor

en

pulsed thyristor

fr

thyristor signal

78 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

de

optoelektronisches halbleiterbauelement

en

optoelectronic device

fr

dispositif

79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения.

de

halbleiterstrahler

en

semicondictor photocoupler radiator

fr

radiator semiconducteurs

80 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.

de

optoelektronische displays

en

optoelectronic display

fr

affichage

81

полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.

[ГОСТ 25066-91, статья 15]

de

halbleiter-zeichen-display

en

semiconductor character display

fr

semiconducteurs de d'affichage

82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним.

de

der strahlung optokoppler

en

receiver radiation photocoupler

fr

le radiation optocoupler

83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок.

de

lichtemittierende diode; LED

en

light-emitting diode; LED

fr

diode ; DEL

84 полупроводниковый экран: Полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали экрана.

de

halbleiter-analoge anzeige

en

semiconductor analog indicator

fr

semiconducteurs analogiques en dicator

85 инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлучающий диод, который испускает инфракрасное излучение.

de

infrarotemittierende diode; IRED

en

infrared-emitting diode

fr

diode infrarouge

86 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый прибор, который излучает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.

de

halbleiter-laser

en

semiconductor laser

fr

laser semiconducteurs

87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который излучает когерентное оптическое излучение, являющееся результатом рекомбинации проводящих электронов и дырок при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода.

de

lazerdiode

en

laser diode

fr

diode laser

88 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду с лазерным диодом средства для автоматической оптической и (или) тепловой стабилизации выходного источника излучения.

de

laser-dioden modul

en

laser-diode module

89

fr

laser diode module

фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.

[ГОСТ 21934-83, статья 1]

de

lichtempfindliche halbleiterdiode

en

semiconductor photosensitive device

fr

photosensible appareil emiconducteurs

90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении.

de

photoelektrischer

en

semiconductor photoelectric detector;
photoelectric detector

fr

semiconducteur;

91

фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.

[ГОСТ 21934-83, статья 10]

de

photowiderstand;

halbleiterzelle

en

photoresistor

fr

92

фотодиод: Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

[ГОСТ 21934-83, статья 11]

de

photodiode

en

photodiode

fr

photodiode

93

лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.

[ГОСТ 21934-83, статья 15]

de

lawinen-photodiode

en

avalance photodiode

fr

photodiode avalanche

94

фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.

[ГОСТ 21934-83, статья 17]

de

phototransistor

en

phototransistor

fr

phototransistor

95 фототиристор: Тиристор, предназначенный для переключения посредством воздействия оптическим излучением.

de

photothyristor

en

photothyristor

fr

photothyristor

96 фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется эффект фотопроводимости.

de

zelle

en

photoconucting cell

fr

cellule photoconducteur

97 фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется фотовольтовый эффект.

de

photoelement; photovoltaische zelle

en

photovaltic cell

fr

cellule effet

98 оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.

de

optokoppler

en

photocoupler; optocoupler

fr

photocoupleur; optocoupleur

99 резисторная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора.

de

widerstandoptokoppler

en

resistive optocoupler

fr

optocoupleur

100 диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода.

de

diode optokoppler

en

diode photocoupler

fr

optocoupleur diode

101 дифференциальная диодная оптопара: Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя.

de

differenz diode optokoppler

en

difference diode photocoupler

fr

optocoupleur diode

102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводниковым приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора.

de

transistor optokoppler

en

transistoroptocoupler

fr

optocoupleur transistor

103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора.

de

thyristoroptokoppler

en

thyristor optocoupler

fr

optocoupleur thyristor

104 оптопреобразователь: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.

de

optische wandler

en

optoconverter

fr

optoconvertisseur

105 прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор, работающий на основе физического явления возникновения разности потенциалов между краями проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока.

de

halleffekt-bauelement

en

hall effect device

fr

dispositif effet hall

106 преобразователь Холла: Прибор на эффекте Холла, преобразующий индукцию внешнего магнитного поля в электрическое напряжение.

de

Hall-sensor

en

Hall effect sensor

fr

transducteur effet Hall

107 преобразователь Холла измерительный: Преобразователь Холла, предназначенный для измерения физических величин, однозначно зависящих от магнитного поля.

de

Hall transducer

en

Hall probe

fr

transducteur de mesure effet Hall

108 преобразователь Холла индикаторный: Преобразователь Холла, предназначенный для обнаружения магнитного поля в данной точке пространства.

de

Hall anzeigetnansducer

en

Hall effect indicator

fr

transducteur de mesure effet Hall

109 зонд Холла: Прибор на эффекте Холла для измерения плотности магнитного потока.

de

der hall-sonde

en

hall probe

fr

sonde effet hall

110 магниторезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление под действием магнитного поля.

de

magnetowiderstand

en

magnetoresistor

fr

111 терморезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление при изменении его температуры.

de

thermistor

en

thermistor

fr

thermistance

112 позистор: Терморезистор с положительным ТКС.

Примечание - ТКС - температурный коэффициент сопротивления.

de

posister

en

posistor

fr

frigistance

113 термистор: Терморезистор с отрицательным ТКС.

de

thermister

en

thermistor

fr

thermistance

Элементы конструкции

114 вывод (полупроводникового прибора): Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью.

de

anschluss; anschluss-punkt

en

terminal of a semiconductor device;
terminal

fr

borne d'un dispositif semiconducteurs;
borne

115 основной вывод полупроводникового прибора: Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток.

de

hauptanschluss

en

main terminal

fr

borne

116 катодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает во внешнюю электрическую цепь.

de

thyristor dioden Katodenenanschluss

en

cathode leed of thyristor diode

fr

borne cathodique de thyristor

117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает из внешней электрической цепи.

de

thyristor dioden anodenauschluss

en

anode leed of thyristor diode

fr

borne anodique de thyristor

118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, через который протекает только ток управления.

de

thyristor steuerausgang

en

control lead of thyristor

fr

borne commande de thyristor

119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности которого формируют или монтируют полупроводниковый прибор.

de

substrat

en

substrate

fr

substrat

120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового материала, на поверхности которой с помощью технологических операций формируется массив дискретных полупроводниковых структур.

de

wafer

en

wafer

fr

plaquette; wafer

121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности которой сформированы элементы, межэлементные соединения и контактные площадки полупроводникового прибора.

de

chip

en

chip die

fr

puce; pastille

122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент конструкции полупроводникового прибора, предназначенный для установки в него кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик полупроводникового прибора и применения его по назначению.

de


en

package

fr


123 бескорпусной полупроводниковый прибор (Нрк. полупроводниковая структура): Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.

de

halbleiterbauelement

en

beam lead semiconductor device

fr

dispositif semiconducteur sans boitier

124 контактная площадка (полупроводникового прибора): Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля его электрических параметров и режимов.

de

Boudstelle

en

bond pad

fr

plot de soudure

Алфавитный указатель терминов на русском языке

блок выпрямительный

13

блок выпрямительный полупроводниковый

13

блок полупроводниковый

3

варактор

21

варикап

20

вывод

114

вывод диода анодный

117

вывод диода катодный

116

вывод полупроводникового прибора основной

115

вывод прибора полупроводникового

114

вывод тиристора анодный

117

вывод тиристора катодный

116

вывод тиристора управляющий

118

детектор фотоэлектрический

90

детектор фотоэлектрический полупроводниковый

90

диак

66

динистор

63

диод

6

диод быстровосстанавливающий

34

диод выпрямительный

9

диод выпрямительный полупроводниковый

9

диод Ганна

33

диод генераторный

16

диод генераторный полупроводниковый

16

диод детекторный

8

диод детекторный полупроводниковый

8

диод Зенеровский

39

диод импульсный

17

диод импульсный полупроводниковый

17

диод инжекционно-пролетный

31

диод инфракрасный излучающий

85

диод коммутационный

18

диод коммутационный полупроводниковый

18

диод лавинно-пролетный

30

диод лавинный выпрямительный

10

диод лазерный

87

диод модуляторный

35

диод обратный

36

диод обращенный

24

диод параметрический

21

диод параметрический полупроводниковый

21

диод переключательный

26

диод плоскостной

28

диод полупроводниковый

6

диод полупроводниковый выпрямительный с контролируемым лавинным пробоем

11

диод с накоплением заряда

29

диод сверхвысокочастотный полупроводниковый

25

диод светоизлучающий

83

диод СВЧ ограничительный

37

диод СВЧ переключательный

38

диод сигнальный

32

диод смесительный

7

диод точечно-контактный

27

диод точечный

27

диод туннельный

23

диод умножительный

15

диод Шоттки

19

диод шумовой

22

дисплей оптоэлектронный

80

зонд Холла

109

излучатель

79

излучатель полупроводниковый

79

ИК-диод

85

индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый

81

индикатор полупроводниковый

81

корпус

122

корпус прибора полупроводникового

122

кристалл

121

лазер полупроводниковый

86

магниторезистор

110

МДП-транзистор

55

модуль лазерно-диодный

88

МОП-транзистор

54

набор приборов полупроводниковых

4

ограничитель напряжения

14

ограничитель напряжения полупроводниковый

14

оптопара

98

оптопара диодная

100

оптопара дифференциальная диодная

101

оптопара резисторная

99

оптопара тиристорная

103

оптопара транзисторная

102

оптопреобразователь

104

пластина

120

площадка контактная

124

площадка прибора полупроводникового контактная

124

подложка

119

позистор

112

ПОН

14

преобразователь Холла

106

преобразователь Холла измерительный

107

преобразователь Холла индикаторный

108

прибор бескорпусной полупроводниковый

123

прибор дискретный

5

прибор дискретный полупроводниковый

5

прибор мощный полупроводниковый

2

прибор на эффекте Холла

105

прибор оптоэлектронный полупроводниковый

78

прибор полупроводниковый

1

прибор фоточувствительный полупроводниковый

89

приемник излучения

82

приемник излучения полупроводниковый

82

регулятор напряжения диодный

40

СВЧ-диод

25

СИД

83

стабилитрон

39

стабилитрон полупроводниковый

39

столб выпрямительный

12

столб полупроводниковый выпрямительный

12

структура полупроводниковая

123

термистор

113

терморезистор

111

тиристор

62

тиристор диодный

63

тиристор запираемый

71

тиристор импульсный

77

тиристор комбинированно-выключаемый

76

тиристор лавинный

74

тиристор несимметричный

75

тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа

73

тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа

72

тиристор симметричный триодный

70

тиристор симметричный диодный

66

тиристор триодный

67

тиристор, не проводящий в обратном направлении диодный

64

тиристор, не проводящий в обратном направлении лавинный триодный

74

тиристор, не проводящий в обратном направлении триодный

68

тиристор, проводящий в обратном направлении диодный

65

тиристор, проводящий в обратном направлении триодный

69

транзистор

41

транзистор IGBT

47

транзистор N-канальный полевой

52

транзистор P-канальный полевой

53

транзистор бездрейфовый

43

транзистор БИМОП

47

транзистор биполярный

42

транзистор дрейфовый

44

транзистор канальный

49

транзистор лавинный

46

транзистор обедненного типа полевой

57

транзистор обогащенного типа полевой

58

транзистор переключательный биполярный

60

транзистор переключательный полевой

60

транзистор плоскостной

45

транзистор полевой

49

транзистор с барьером Шоттки полевой

56

транзистор с изолированным затвором биполярный

47

транзистор с изолированным затвором полевой

51

транзистор с управляющим p-n переходом полевой

50

транзистор симметричный биполярный

59

транзистор симметричный полевой

59

транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник полевой

55

транзистор тетродный

61

транзистор типа металл-оксид-полупроводник полевой

54

транзистор униполярный

48

триак

70

тринистор

67

фотодиод

92

фотодиод лавинный

93

фоторезистор

91

фототиристор

95

фототранзистор

94

экран полупроводниковый

84

ячейка фотовольтовая

97

ячейка фотопроводящая

96

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

anodenseitig steuerbarer thyristor

73

anschluss

114

anschluss-punkt

114

asymmetrischer thyristor

75

ausschaltthyristor

71

BARITT-diode

31

begrenzerdiode

14

bidirektionaler transistor

59

bipolarer transistor

42

bipolartransistor gatedielektrikum

47

Boudstelle

124

chip

121

der strahlung optokoppler

82

der hall-sonde

109

detektordiode

8

diac

66

differenz diode optokoppler

101

diffusiontransistor

43

diode

6

diode optokoppler

100

diskretes halbleiterbauelement

5

doppeltgerichtete thyristordiode

66

drifttransistor

44

feldeffekt bipolarertransistor

60

feldeffekt schalttransistor

60

feldeffekttransistor

49

feldeffekttransistor mit metall-halbleiter

55

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter

54

feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere

56

feldeffekttransistor vom anreicherungstyp

58

feldeffekttransistor vom verarmungstyp

57


45

frequenzvervielfacherdiode

15


122

halbleiterbauelement

123

gemischte-ausschalten thyristor

76

gespeicherte ladung diode

29

gleichrichter block

13

gleichrichter halbleiter block

13

GTO-thyristor

71

Gunn diode

33

halbeitererschaltdiode

26

28

halbeiter-gleichrichterbaugruppe

12

halbeiterspitzediode

27

halbeiter-Z-diode

39

halbleiter-analoge anzeige

84

halbleiterbauelement

1

halbleiter-detektordiode

8

halbleiterdiode

6

halbleiter-einheit

3

halbleiter-gleichrichter diode

9

halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch

11

halbleiterimpulsdiode

17

halbleiter-laser

86

halbleitermodulatordiode

35

halbleiter-power-

2

halbleiterstrahler

79

halbleiter-zeichen-display

81

Hall anzeigetnansducer

108

Hall transducer

107

halleffekt-bauelement

105

Hall-sensor

106

hauptanschluss

115

hochwiederkehiend diode

34

IGFET

51

impuls thyristor

77

infrarotemittierende diode

85

IRED

85

isolierschicht-feldeffekt-transistor

51


20


20

kathodenseitig steuerbarer thyristor

72

laser-dioden modul

88

lawine reverse

74

lawinen gleichrichter diode

10

lawinenlaufzeitdiode

30

lawinen-photodiode

93

lawinentransistor

46

lazerdiode

87

LED

83

lichtemittierende diode

83

lichtempfindliche halbleiterdiode

89

magnetowiderstand

110

mikrowelle begrenzung diode

37

mikrowelle schaltdioden

38

mischerdiode

7

N-kanal-feldeffekttranssistor

52

optische wandler

104

optoelektronische displays

80

optoelektronisches halbleiterbauelement

78

optokoppler

98

parametrischer halbleiterdiode

21

photodiode

92

photoelektrischer

90

photoelement

97

halbleiterzelle

91

zelle

96

photothyristor

95

phototransistor

94

photovoltaische zelle

97

photowiderstand

91

P-kanal-feldeffekttranssistor

53

posister

112

produzent halbleiterdiode

16

diode

36

leitende thyristordiode

65

leitende thyristortriode

69

sperrende thyristordiode

64

sperrende thyristortriode

68

satz von halbleiterbauelementen

4

Schottky-diode

19

shalten halbleiterdiode

18

signal diode

32

sperrschicht-feldeffekttransistor

50

stichhaltiger diode

22

substrat

119

thermister

113

thermistor

111

thyristor

62

thyristor dioden anodenauschluss

117

thyristor dioden Katodenenanschluss

116

thyristor steuerausgang

118

thyristordiode

63

thyristoroptokoppler

103

thyristortriode

67

transistor

41

transistor optokoppler

102

transistortetrode

61

triac

70

tunneldiode

23

UHF-halbeiteriode

25

unipolarer transistor

48

unitunneldiode

24

voltage-regulator diode

40

wafer

120

widerstandoptokoppler

99

zweirichtungs-thyristor-diode

66

zweirichtungs-thyristortriode

70

zweirichtungstransistor

59

Алфавитный указатель терминов на английском языке

anode leed of thyristor diode

117

asymmetrical thyristor

75

avalance photodiode

93

avalance transistor

46

avalanche rectifier diode

10

avalanche reverse blocking triode thyristor

74

backward diode

24

barrier-injection and transit-time diode

31

beam lead semiconductor device

123

bidirectional diode thyristor

66

bidirectional transistor

59

bidirectional triode thyristor

70

bipolar junction transistor

42

bond pad

124

cathode leed of thyristor diode

116

chip die

121

control lead of thyristor

118

controlled-avalanche rectifier diode

11

depletion type field-effect transistor

57

detector diode

8

diac

66

difference diode photocoupler

101

diffusion transistor

43

diode

6

diode photocoupler

100

diode thyristor

63

discrete device

5

discrete semiconductor device

5

drift transistor

44

enhancement type field-effect transistor

58

fast-recovery diode

34

field-effect bipolar switching transistor

60

field-effect switching transistor

60

field-effect transistor

49

field-effect transistor with Schottky barrier

56

frequency-multiplication diode

15

gating diode

26

generation diode

16

generation semiconductor diode

16

Gunn diode

33

hall effect device

105

Hall effect indicator

108

Hall effect sensor

106

Hall probe

107

hall probe

109

impact avalanche-transit time diode

30

infrared-emitting diode

85

insulated-gate bipolar transistor

47

insulated-gate field-effect transistor

51

junction diode

28

junction transistor

45

junction-gate field-effect transistor

50

laser diode

87

laser-diode module

88

LED

83

light-emitting diode

83

limiting diode

14

magnetoresistor

110

main terminal

115

metal-oxide-semiconductor field effect transistor

54

microwave diode

25

microwave limiting diode

37

microwave switching diode

38

MIS-transistor

55

mixed-off thyristor

76

mixer diode

7

modulator diode

35

N-channel field-effect transistor

52

N-gate thyristor

73

noise diode

22

optoconverter

104

optocoupler

98

optoelectronic device

78

optoelectronic display

80

package

122

parametric diode

21

parametric semiconductor diode

21

P-channel field-effect transistor

53

P-gate thyristor

72

photoconucting cell

96

photocoupler

98

photodiode

92

photoelectric detector

90

photoresistor

91

photothyristor

95

phototransistor

94

photovaltic cell

97

point contact diode

27

posistor

112

pulse diode

17

pulse semiconductor diode

17

pulsed thyristor

77

receiver radiation photocoupler

82

rectifier diode

9

rectifier stack

12

resistive optocoupler

99

reverse blocking diode thyristor

64

reverse blocking triode thyristor

68

reverse conducting diode thyristor

65

reverse conducting triode thyristor

69

reverse diode

36

Schottky barrier diode

19

semicondictor photocoupler radiator

79

semiconductor assembly

3

semiconductor assembly set

4

semiconductor power device

2

semiconductor analog indicator

84

semiconductor character display

81

semiconductor device

1

semiconductor diode

6

semiconductor laser

86

semiconductor photoelectric detector

90

semiconductor photosensitive device

89

semiconductor rectifier assembly

13

semiconductor rectifier diode

9

semiconductor rectifier stack

12

signal diode

32

snap-off diode

29

substrate

119

switching diode

18

switching semiconductor diode

18

terminal

114

terminal of a semiconductor device

114

tetrode transistor

61

thermistor

111

thermistor

113

thyristor

62

thyristor optocoupler

103

transistor

41

transistoroptocoupler

102

triac

70

triode thyristor

67

tunnel diode

23

turn-off thyristor

71

unipolar transistor

48

unitunnel diode

24

variable-capacitance diode

20

voltage reference diode

39

voltage-regulator diode

40

wafer

120

Алфавитный указатель терминов на французском языке

assemblage de redressement

13

assemblage de redressement semiconducteurs

13

bipolaire

47

bloc de redressement

12

bloc de redressement semiconducteur

12

bloc de semiconducteur

3


122

borne

114

borne anodique de thyristor

117

borne cathodique de thyristor

116

borne commande de thyristor

118

borne d'un dispositif semiconducteurs

114

borne

115

cellule effet

97

cellule photoconducteur

96

commutation diode

18

commutation diode semiconducteurs

18

DEL

83

diac

66

diode

6

diode avalanche temps de transit

30

diode Schottky

19

diode variable

20

diode jonction

28

diode pointe

27

diode rapide

34

diode semiconducteurs

6

diode bruit

22

diode charge

29

diode d'impulsion

17

diode de commutation

26

diode de limitation

14

diode de redressement

9

diode de redressement avalanche

10

diode de redressement semiconducteurs

9

diode de redressement semiconducteurs de rupture en avalanche controlee

11

diode de redressement de rupture en avalanche controlee

11

diode de tension de

39

diode

8

diode

83

diode en

25

diode f temps de transit

31

diode Gunn

33

diode infrarouge

85

diode

24

diode laser

87

diode

7

diode modulatrice

35

diode pour multiplication de

15

diode Schottky

19

diode tunnel

23

discret dispositif semiconducteurs

5

dispositif effet hall

105

dispositif semiconducteurs

1

dispositif

78

dispositif semiconducteur sans boitier

123

frigistance

112

inverse diode

36

la tension diode

40

laser diode module

88

laser semiconducteurs

86

le radiation optocoupler

82

110

micro-ondes diode de commutation

38

micro-ondes diode limiteuse

37

optoconvertisseur

104

optocoupleur

98

optocoupleur diode

100

optocoupleur diode

101

optocoupleur

99

optocoupleur thyristor

103

optocoupleur transistor

102

diode

21

diode semiconducteurs

21

pastille

121

photocoupleur

98

photodiode

92

photodiode avalanche

93

affichage

80


91

photosensible appareil emiconducteurs

89

photothyristor

95

phototransistor

94

plaquette

120

plot de soudure

124

producteur diode

16

producteur diode semiconducteurs

16

puce

121

radiator semiconducteurs

79


90

semiconducteur

90

semiconducteurs analogiques en dicator

84

semiconducteurs d'alimentation de l'appareil

2

semiconducteurs de d'affichage

81

de dispositifs semiconducteurs

4

signal diode

32

sonde effet hall

109

substrat

119

thermistance

111

thermistance

113

thyristor

62

thyristor

75

thyristor blocable

71

thyristor diode

63

thyristor diode bidirectionnel

66

thyristor diode en inverse

64

thyristor diode paasant en inverse

65

thyristor mixte-

76

thyristor N

73

thyristor P

72

thyristor signal

77

thyristor triode

67

thyristor triode avalanche en inverse

74

thyristor triode bidirectionnel

70

thyristor triode en inverse

68

thyristor triode passant en inverse

69

transducteur effet Hall

106

transducteur de mesure effet Hall

107

transducteur de mesure effet Hall

108

transistor

41

transistor avalanche

46

transistor commutation effet de champ

60

transistor commutation bipolaire

60

transistor diffusion

43

transistor effet de champ

49

transistor effet de champ de Schottky

56

transistor effet de champ appauvrissement

57

transistor effet de champ canal N

52

transistor effet de champ canal P

53

transistor effet de champ enrichissement

58

transistor effet de champ grille

51

transistor effet de champ junction de grille

50

transistor effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs

54

transistor effet de champ metal-semiconducteurs

55

transistor jonctions

45

transistor bidirectionnel

59

transistor bipolaire

42

transistor en

44

transistor

61

transistor unipolaire

48

triac

70

wafer

120


Приложение А (справочное). Термины и определения общетехнических понятий

Приложение А
(справочное)

Физические элементы полупроводниковых приборов

1 электрический переход: Переходный слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями электрической проводимости.

de


Примечание - Одна из областей может быть металлом.

en

junction

fr

jonction

2 p-n переход (Нрк. электронно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа.

de

PN-

en

PN junction

fr

jonction PN

3 прямое направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление.

de

eines PN-;

en

forward direction of a PN junction;
forward direction

fr

sens direct d'une jonction PN;
sens direct

4 обратное направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление.

de

eines PN-;

en

reverse direction of a PN junction;
reverse direction

fr

sens inverse d'une jonction PN;
sens inverse

5 n-n переход (Нрк. электронно-электронный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости.

de


en

junction

fr

jonction

6 p-p переход (Нрк. дырочно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости.

de


Примечание к терминам 5 и 6 - Знак "+" условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

en

junction

fr

jonction

7 резкий переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

de

abrupter

Примечание - Толщиной области считают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

en

abrupt junction

fr

jonction abrupte

8 плавный переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.

de

en

progressive junction

fr

jonction progressive

9 плоскостной переход: P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.

de

halbleiter-gleichrichter diode

en

rectifier diode

fr

diode de redressement

10 точечный переход: P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

de


Примечание - Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.

en

point-contact junction

fr

jonction ponctuelle

11 диффузионный переход: P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.

de

diffundierter

en

diffused junction

fr

jonction par diffusion

12 планарный переход: P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.

de

en

planar junction

fr

jonction planar

13 конверсионный переход: P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси.

de


en

conversion junction

fr

jonction de conversion

14 сплавной переход (Нрк. вплавной переход): P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

de

legierter

en

alloyed junction

fr

jonction par alliage

15 микросплавной переход (Нрк. микровплавной переход): Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.

de

mikrolegieiter

en

microalloy junction

fr

microjonction par alliage

16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): P-n переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.

de

gezogener

en

grown junction

fr

jonction par tirage

17 эпитаксиальный переход: P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

de


Примечание - Эпитаксиальное наращивание - создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.

en

epitaxial junction

fr

jonction

18 гетерогенный переход; гетеропереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.

de

en

heterogeneous junction

fr

jonction ;

19 гомогенный переход; гомопереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.

de

en

homogeneous junction

fr

jonction

20 переход Шоттки: P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.

de

Schottky-

en

Schottky junction

fr

Schottky jonction

21 выпрямляющий переход: P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном.

de

gleichrichtender

en

rectifying junction

fr

jonction

22 эмиттерный переход: P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора.

de

;
emitter-basis-

en

emitter junction

fr

jonction

23 коллекторный переход: P-n переход между базой и коллектором транзистора.

de

;
kollektor-basis-
collector junction

en

jonction collecteur

24 полупроводник: Материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда может изменяться под воздействием внешних факторов.

de

halbleiter

en

semiconductor

fr

semiconducteur

25 полупроводник n-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью n-типа.

de

N-halbleiter

en

N-type semiconductor

fr

semiconducteur type N

26 полупроводник p-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа.

de

P-halbleiter

en

P-type semiconductor

fr

semiconducteur type P

27 база (Нрк. базовая область): Область транзистора между эмиттерным и коллекторным переходами.

de

basis; basiszone

en

base

fr

base

28 эмиттер (Нрк. эмиттерная область): Область транзистора между эмиттерным переходом и эмиттерным электродом.

de

emitter; emitterzone

en

emitter

fr


29 коллектор (Нрк. коллекторная область): Область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом.

de

kollektor; kollektorzone

en

collector

fr

collecteur

30 активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

de

Aktivteil der Basis

en

active part of the base

fr

partie de base actif

31 пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

de

Passivteil der Basis

en

passive part of the base

fr

partie de base passif

32 канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда.

de

kanal еines feldeffekttransistors; kanal

Примечания

1 Данное понятие не следует смешивать с "каналом утечки", возникающим в месте выхода p-n перехода на поверхность кристалла.

en

channel of a field-effect transistor; channel

2 Канал может быть n или p-типа, в зависимости от типа электропроводности полупроводника.

fr

canal d'un transistor effet de champ; canal

33 исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда.

de

source еines feldeffekttransistors; source

en

source of a field-effect transistor; source

fr

source d'un transistor effet de champ; source

34 сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который из канала вытекают носители заряда.

de

drain еines feldeffekttransistors; drain

en

drain of a field-effect transistor; drain

fr

drain d'un transistor effet de champ; drain

35 затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.

de

gate eines feldeffekttransistors; gate

en

gate of a field-effect transistor; gate

fr

grille d'un transistor effet de champ; grille

36 структура (полупроводникового прибора): Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.

de

Aufbau der Halbleiterbauelement

Примечания

1 Примеры структур полупроводниковых приборов: p-n; n-p-n; p-n-p; p-i-n; p-n-p-n и др.

en

structure of a semiconductor device; structure

2 В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.

fr

structure de dispositif semiconducteur

37 структура металл-диэлектрик-полупроводник; структура МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника.

de

Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur; MIH-Struktur

en

metal-insulator-semiconductor structure;

fr

MIH structure; structure metal--semiconducteur

38 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника.

de

Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur; MOH-Struktur

en

metal-oxide-semiconductor structure;
MOS structure;

fr

structure metal-oxyde-semiconducteur; MOS

39 мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала.

de

Mesastruktur

en

mesastructure

fr

structure

40 обедненный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов.

de

verarmungsschicht

en

depletion layer

fr

couche d'appauvrisse-ment; couche de

41 запирающий слой (Нрк. запорный слой): Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.

de

Sperrschlicht

en

barrier layer

fr

couche

42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов.

de

Anreicherungsschlicht

en

enriched layer

fr

couche enrichie

43 инверсный слой: Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактной разности потенциалов.

de

Inversionsschlicht

en

Inversion layer

fr

couche d'inversion



Явления в полупроводниковых приборах

44 пробой p-n перехода: Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупроводникового прибора.

Примечание - Необратимые изменения в p-n переходе не являются необходимым следствием пробоя.

de

durchbruch eines PN-; durchbruch

en

breakdown of a PN junction; breakdown

fr

claquage d'une jonction PN; claquage

45 электрический пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения.

de

elektrischer Durchbruch eines PN-;
elektrischer Durchbruch

en

p-n junction electrical breakdown

fr

claquage d'une jonction PN; claquage

46 лавинный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне p-n перехода (запирающем слое) под действием электрического поля.

de

lawinendurchbruch eines PN-;
lawinendurchbruch

en

avalanche breakdown of a PN junction; avalanche breakdown

fr

claquage par avalanche d'une jonction PN; claquage par avalanche

47 туннельный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный переносом носителей заряда.

de

zener-durchbruch eines PN-; zener-durchbruch

en

zener breakdown of a PN junction; zener breakdown

fr

claquage par effet zener d'une jonction PN;
claquage par effet zener

48 тепловой пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.

de

thermischer durchbruch eines PN-; thermischer durchbruch

en

thermal breakdown of a PN junction; thermal breakdown

fr

claquage par effet thermique d'une jonction PN; claquage par effet thermique

49 модуляция толщины базы: Изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу.

de

Modulation der Basisdicke

en

base thickness modulation

fr

effet Early

50 эффект смыкания (Нрк. прокол базы): Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы.

de

durchgriff

en

punch-through

fr


51 накопление (неравновесных носителей) заряда в базе: Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда.

de

speicherung der Basis

en

nonequilibrium charge carrier storage in the base

fr

accumulation (de porteur d'exces) dans la base

52 рассасывание (неравновесных носителей) заряда в базе: Уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.

de

der Basis

en

nonequilibrium charge carrier resorption in the base

fr

(de porteur d'exces) dans la base

53 закрытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.

de

-sperrzustand eines thyristors

en

off-state of a thyristor

fr

de thyristor

54 открытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики.

de

durchlasszustand eines thyristors

en

on-state of a thyristor

fr

passant de thyristor

55 непроводящее состояние тиристора в обратном направлении: Состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.

de

sperrzustand eines thyristors

en

reverse blocking state of a thyristor

fr

en inverse de thyristor

56 переключение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигналов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигнала в цепи управляющего вывода.

de

Thyristorunchaltung

en

thyristor switching

fr

commutation de thyristor

57 включение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления.

de

Thyristorchaltung

en

turn-on of a thyristor

fr

enclenchement de thyristor

58 выключение тиристора: Переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения и (или) изменении сигнала управления.

de

Thyristorausschalten

en

turn-off of a thyristor

fr

de thyristor

59 эффект Холла: Создание в проводнике или полупроводнике электрического поля, пропорционального векторному произведению плотности тока на магнитную индукцию.

de

halleeffekt

en

hall effect

fr

effet hall

УДК 001.4:621.382:006.354

ОКС 01.040.31, 31.080

Ключевые слова: полупроводниковые приборы, термины, определения




Электронный текст документа
и сверен по:
официальное издание
М.: Стандартинформ, 2018