Группа ЭОО
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
УСТРОЙСТВА цифровых вычислительных
МАШИН
ЗАПОМИНАЮЩИЕ ГОСТ
25492-82
Термины и определения
Memories of digital computers. Terms and definitions
MKC 01.040.35 35.220 ОКСТУ 4001
Дата введения 01.01.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
Стандарт следует применять совместно с ГОСТ 19480 и ГОСТ 13699.
В стандарте в качестве справочных приведены эквиваленты терминов на английском языке.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском и английском языках.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.
Термин
Определение
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
1. Запоминающее устройство ЗУ
Storage unit
2. Запоминающий элемент
Storage element
3. Ячейка запоминающего устройства
Ячейка ЗУ Storage cell
4. Содержимое запоминающего устройства
Storage content
По ГОСТ 15971
Часть запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных
Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти
Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве
ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
5. Оперативное запоминающее устройство
ОЗУ
Random access memory RAM
Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций
Издание официальное ★
Перепечатка воспрещена
Продолжение
Термин
Определение
6. Постоянное запоминающее устройство
ПЗУ
Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных
Read-only memory ROM
7. Программируемое постоянное запоминающее устройство
ППЗУ
Programmed read-only memory PROM
Постоянное запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе
8. Внешнее запоминающее устройство
ВЗУ
External storage
9. Запоминающее устройство на магнитных сердечниках
ЗУМС
Magnetic core film fmemory
10. Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках
ЗУМП
Magnetic thin film memory
11. Индуктивное запоминающее устройство
Inductor memory
12. Оптоэлектронное запоминающее устройство
Optoelectronic memory
13. Криогенное запоминающее устройство
Cryogenic memory
14. Полупроводниковое запоминающее устройство
Semiconductor memory
15. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках
ЗУЦМП
Plated wire memory
16. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах
Magnetic domain device
17. Коцденсаторное запоминающее устройство
Capacitor memory
18. Статическое запоминающее устройство
Static memory
19. Динамическое запоминающее устройство
Dynamic memory
20. Энергонезависимое запоминающее устройство
Nonvolatile memory
21. Энергозависимое запоминающее устройство
Volatile memory
Запоминающее устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения большого объема данных
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку
Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды
Запоминающее устройство, в котором используются свойства светового луча изменять физические состояния запоминающей среды
Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы
Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на поверхность проволоки
Запоминающее устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах ортоферритов
Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды
Запоминающее устройство без регенерации данных при хранении
Запоминающее устройство с регенерацией данных при хранении
Запоминающее устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании
Запоминающее устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании
СПОСОБЫ ДОСТУПА К ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ
22. Произвольный доступ к данным
Random access
23. Последовательный доступ к данным
Sequential access
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной последовательности
|
Продолжение | |
|
Термин |
Определение |
|
24. Ассоциативный доступ к данным Associative access |
Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками хранимых в них данных |
|
25. Системный доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках Core (ferrite) memory organization |
Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов. Примечание. Различают системы 2Д, 21 /2Д, ЗД |
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
26. Информационная емкость запоминающего устройства Емкость Capacity 27. Цикл обращения к запоминающему устройству Access cycle 28. Время выборки данных Access time 29. Время хранения данных Storage time |
Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации |
|
30. Скорость передачи данных из (в) запоми-нающего(ее) устройства (о) Data transfer speed |
Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени |
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
31. Запись данных Write |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство |
|
32. Считывание данных Read |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства |
|
33. Считывание данных с разрушением Destructive read |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание |
|
34. Считывание данных без разрушения Non-destructive read NDR 35. Регенерация данных Refresh |
Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их сохранения |
|
36. Хранение данных Holding |
Режим работы запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания в произвольный момент времени |
ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
|
37. Узел выборки адреса Adress unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе запоминающего узла |
|
38. Запоминающий узел Memory unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения данных |
|
Продолжение | |
|
Термин |
Определение |
|
39. Узел считывания данных Sensing unit 40. Узел записи данных Writing unit |
Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды |
ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
41. Статический тест контроля запоминающего устройства
Режим проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные данные не меняются
Static test
42. Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего устройства
Статический тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля
43. Динамический тест контроля запоминающего устройства
Dynamic test
Режим проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются
44. Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства
Динамический тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц
(Измененная редакция, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на русском языке
ВЗУ 8
Время выборки данных 28
Время хранения данных 29
Доступ к данным ассоциативный 24
Доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках системный 25
Доступ к данным последовательный 23
Доступ к данным произвольный 22
Емкость 26
Емкость запоминающего устройства информационная 26
Запись данных 31
ЗУ 1
ЗУМП 10
ЗУМС 9
ЗУЦМП 15
ОЗУ 5
ПЗУ 6
ППЗУ 7
Регенерация данных 35
Скорость передачи данных из (в) запоминающего (ее) устройства (о) 30
Скорость передачи данных из запоминающего устройства 30
Содержимое запоминающего устройства 4
Считывание данных 32
Считывание данных без разрушения 34
Считывание данных с разрушением 33
Тест «Дождь» контроля запоминающего устройства 44
Тест контроля запоминающего устройства динамический 43
Тест контроля запоминающего устройства статический 41
Тест «Тяжелый код» контроля запоминающего устройства 42
Узел выборки адреса 37
Узел записи данных 40
Узел запоминающий 38
Узел считывания данных 39
Устройство запоминающее 1
Устройство запоминающее внешнее 8
Устройство запоминающее динамическое 19
Устройство запоминающее индуктивное 11
Устройство запоминающее конденсаторное 17
Устройство запоминающее криогенное 13
Устройство запоминающее оперативное 5
Устройство запоминающее оптоэлектронное 12
Устройство запоминающее полупроводниковое 14
Устройство запоминающее постоянное 6
Устройство запоминающее постоянное программируемое 7
Устройство запоминающее статическое 18
Устройство запоминающее энергозависимое 21
Устройство запоминающее энергонезависимое 20
Устройство на магнитных сердечниках запоминающее 9
Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее 10
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее 16
Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее 15
Хранение данных 36
Цикл обращения к запоминающему устройству 27
Элемент запоминающий 2
Ячейка запоминающего устройства 3
Ячейка ЗУ 3
алфавитный указатель терминов на английском языке
|
Access cycle |
27 |
|
Access time |
28 |
|
Adress unit |
37 |
|
Associative access |
24 |
|
Capacitor memory |
17 |
|
Capacity |
26 |
|
Core (ferrite) memory organization |
25 |
|
Cryogenic memory |
13 |
|
Datatransfer speed |
30 |
|
Destructive read |
33 |
|
Dynamic memory |
19 |
|
Dynamic test |
43 |
|
External storage |
8 |
|
Holding |
36 |
|
Inductor memory |
11 |
|
Magnetic core memory |
9 |
|
Magnetic domain device |
16 |
|
Magnetic thin film memory |
10 |
|
Memory unit |
38 |
|
NDR |
34 |
|
Non-destructive read |
34 |
|
Nonvolatile memory |
20 |
|
Optoelectronic memory |
12 |
|
Plated wire memory |
15 |
|
Programmed read-only memory |
7 |
|
PROM |
7 |
|
RAM |
5 |
|
Random access |
22 |
|
Random access memory |
5 |
Read
Read-only memory
Refresh
ROM
Semiconductor memory Sensing unit Sequential access Static memory Static test Storage cell Storage content Storage element Storage time Storage unit Volatile memory Write
Writing unit
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР стандартам от 29.10.82 № 4124
2. ВВВДЕН ВПЕРВЫЕ
3. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
|
Обозначение НТД,на который дана ссылка |
Номер пункта |
|
ГОСТ 13699-91 |
Вводная часть |
|
ГОСТ 15971-90 |
1 |
|
ГОСТ 19480-89 |
Вводная часть |
4. ИЗДАНИЕ с Изменением № 1, утвержденным в октябре 1985 г. (НУС 1—86)