allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ 17021-88
Наименование:
Микросхемы интегральные. Термины и определения
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
01/01/1990
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.200

Текст ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения



5 коп. БЗ 5—88/420

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 17021—88 1СТ СЭВ 1623—79J

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 001.4 : 621.3.049.75—181.4 : 006.354    Группа ЭО0

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ГОСТ

Термины и определения

17021—88

Integrated circuits. Terms and definitions.

tCT СЭВ 1623—79J

ОКСТУ 6201

Дата введения

01.01.90

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

1.    Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термицы-синонимы приведены в табл. I в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».

2.1.    Для отдельных стандартизованных терминов в табл. I приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2.    Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2.3.    В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), французском (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1988

4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

Таблица 1

Термин

Определение

1 Интегральная микросхема

D.    Integrierter Schaltkreis

E.    Integrated microcircuit

F.    Microcircuit integre

2. Элемент интегральной микросхемы

Элемент

D.    Element des integ-rierten Schaltkreises

E.    Circuit element

F.    Element de circuit

3 Компонент интегральной микросхемы

Компонент

D.    Bauelement des in-tegrierten Schal tkrei -ses

E.    Circuit component

F.    Composant de circuit

4.    Полупроводниковая интегральная микросхема Полупроводниковая микросхема

Ндп. Твердая схема

D.    Integrierter

Н a lblei ter schaltkreis

E.    Semiconductor integrated circuit

F.    Circuit integre к semiconducteurs

5.    Пленочная интегральная микросхема Пленочная микросхема D. Integrierter

Filmschaltkreis

Микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой таким образом, что с точки зрения технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство рассматривается как целое.

Пр имечание Под микросхемой понимают микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обычной схемы

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемку, поставке и эксплуатации Пр имечание. Под электрорадиоэлемен-том понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приехмке, поставке и эксплуатации

Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала

Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок.

Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными

Тср шн

Определение

E.    Film integrated circuit

F.    Circuit integre a couches

6. Гибридная интегральная микросхема

Гибридная микросхема

D.    Integrierter Hybridschaltkreis

E.    Hybrid integrated circuit

Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы

F. Circuit integre hybride

7. Аналоговая интегральная микросхема

Аналоговая микросхема D, Analoger integrierter Schaltkreis

E. Analogue integrated circuit

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

F. Circuit integre analogique

8. Цифровая интегральная микросхема

Цифровая микросхема Ндп. Логическая мик

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции

росхема

D.    Digitaler integrierter Schaltkreis

E.    Digital integrated circuit

F.    Circuit integre digitaux

9. Корпус интегральной микросхемы

Корпус

D.    Schaltkreisgfthause

E.    Package

F.    Boitier

Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов

10. Подложка интегральной микросхемы

Подложка

D.    Substrat fur Hybrid und Filmscha 1 tkreise

E.    Substrate

F.    Substrat

Заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок

11. Полупроводниковая пластина

Пластина

D. Halbleiterscheibe

Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем

12    Кристалл интегральной микросхемы

Кристалл

D Chip des mtegrierten Schaltkreises E Chip F Pastille

13    Базовый кристалл интегральной микросхемы

Базовый кристалл

14    Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы

БМК

15    Базовая ячейка кристалла интегральной микросхемы

Базовая ячейка

16    Функциональная ячейка базового кристалла интегральной микросхемы

Функииональная ячейка

17    Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы

Библиотека функциональных ячеек

18 Контактная площадка интегральной микросхемы

Контактная площадка D Kontaktflache des mtegrierten Schaltkreises

Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки

Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления межэлементных соединений

Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением базовых ячеек

Совокупность несоединенных и (или) соединенных между собой элементов, являющаяся основой для построения базового кристалла интегральной микросхемы

Примечание Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И—НЕ (ИЛИ — НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы

Совокупность элементов базового кристалла интегральной микросхемы, электрически соединенных в пределах одной или нескольких базовых ячеек для реализации одной или нескольких самостоятельных функций

Совокупность документов, содержащих перечень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, их основные электрические параметры, топологическое описание и логические модели

Примечание Информация о функциональных ячейках может содержаться на машинных носителях

Металлизированный участок на подложке криста тле или корпусе интегральной микросхемы, служащий для присоединения выводов компонентов и криста члов, перемычек а также для контроля ее электрических параметров и режимов

Термин

Определение

19 Бескорпусная интегральная микросхема

Бескорпусная микросхема

D. Gehauseloser inte-

Кристалл интегральной микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку

grierter Schaltkreis 20 Вывод бескорпусной интегральной микросхемы

Вывод

D Anschluss des ge-hauselosen integ-nerten Schaltkreises

E.    Terminal

F.    Borne

Провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями

21. Свободный вывод интегральной микросхемы

Свободный вывод

E.    Blank terminal

F.    Borne non connects

Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорного контакта для внешнего монтажа, не влияя на работу интегральной схемы

22. Неиспользуемый вывод интегральной микросхемы

Неиспользуемый вывод

E.    Non-usable terminal

F.    Borne non utilisee

Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла

23. Плотность упаковки интегральной микросхемы

Плотность упаковки D. Packungsdichte des integrierten Schaltkreises

Отношение суммы элементов интегральной микросхемы и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему интегральной микросхемы.

Примечание. Объем выводов не учитывают

24. Степень интеграции интегральной микросхемы

Степень интеграции D. Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises

Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов

Примечание. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле:

К

где К — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа;

25 Интегральная микро схема К степени интеграции

26    Малая интегральная микросхема

мис

27    Средняя интегральная микросхема

сис

28    Большая интегральная микросхема

БИС

29    Сверхбольшая интегральная микросхема

СБИС

30 Сверхскоростная интегральная микросхема

ссис

N— число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему

Интегральная микросхема, содержащая от 10k_I до 10к элементов и (или) компонентов включительно

Примечание В настоящее время существуют интегральные микросхемы 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции

Интегральная микросхема, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включительно

Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 100 до 500—для аналоговых интегральных микросхем

Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 500 для аналоговых интегральных микросхем Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50 000 — для цифровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше 10 000 — для аналоговых интегральных микросхем

Пр имечание К цифровым интегральным микросхемам с регулярной структурой построения относят схемы запоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов

К цифровым интегральным микросхемам с нерегулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств

Цифровая интегральная микросхема, функциональное быстродействие которой не менее 1 1013 Гц/см2 на 1 логический элемент.

Примечание Под функциональным быстродействием понимают проиаведение рабочей частоты логического элемента, равной обратному учетверенному максимальному значению среднего времени задержки распространения сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла

31. Тип интегральной мик росхемы

32. Типономинал интегральной микросхемы

33. Серия интегральных микросхем

Серия

D. Baureihe der inte-grierten Schaltkrelse

34. Группа типов интегральных микросхем

35.    Микропроцессорная

интегральная микросхема

Микропроцессорная

микросхема

E.    Microprocessor integrated circuit

F.    Microprocesseur

a circuit integre

36.    Микропроцессорный комплект интегральных микросхем

МПК

Интегральная микросхема конкретного функционального назначения и определенного конструктивно-технологического и схемотехнического решения и имеющая свое условное обозначение Интегральная микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа одним или несколькими параметрами и требованиями к внешним воздействующим факторам Совокупность типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной электрической и, при необходимости, информационной и программной совместимостью и предназначенных для совместного применения.

Примечание. В частном случае серию могут образовывать один или несколько типов микросхем, выполняющих одинаковые функции и отличающихся одним или несколькими электрическими параметрами

Совокупность типов интегральных микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами

Интегральная микросхема, выполняющая функцию процессора или его части.

Пр имечание. Частным случаем является микропроцессорная секция

Совокупность микропроцессорных и других интегральных микросхем, совместимых по архитектуре, конструктивному исполнению и электрическим параметрам и обеспечивающих возможность совместного применения

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 2

Термин

Номер

термина

Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы

Библиотека функциональных ячеек

БИС

БМК

Вывод

Вывод бескорпусной интегральной микросхемы Вывод интегральной микросхемы свободный Вывод интегральной микросхемы неиспользуемый

Вывод неиспользуемый Вывод свободный

Группа типов интегральных микросхем

Комплект интегральных микросхем микропроцессорный

Компонент

Компонент интегральной микросхемы

Кристалл

Кристалл базовый

Кристалл интегральной микросхемы

Кристалл интегральной микросхемы базовый

Корпус

Корпус интегральной микросхемы

Кристалл интегральной микросхемы базовый матричный

Микросхема аналоговая

Микросхема бескорпусная

Микросхема гибридная

Микросхема интегральная

Микросхема интегральная аналоговая

Микросхема интегральная бескорпусная

Микросхема интегральная большая

Микросхема интегральная гибридная

Микросхема интегральная К степени интеграции

Микросхема интегральная малая

Микросхема интегральная микропроцессорная

Микросхема интегральная пленочная

Микросхема интегральная полупроводниковая

Микросхема интегральная сверхбольшая

Микросхема интегральная сверхскоростная

Микросхема интегральная средняя

Микросхема интегральная цифровая

Микросхема логическая

Микросхема микропроцессорная

Микросхема пленочная

Микросхема полупроводниковая

Микросхема цифровая

МИС

мпк

Пластина

Пластина полупроводниковая

Плотность упаковки

17

17

28

14

20

20

21

22

22

21

34 Зо

3

3 12 13 12

13 9 9

14 7

19

6

1

7

19

28

6

25 2с

35 5

4

29

30 27

8 8

35

5 4 8

26

36 11 11 2}

Термин

Номер

термина

Плотность упаковки интегральной микросхемы

23

Площадка интегральной микросхемы контактная

18

Площадка контактная

18

Подложка

10

Подложка интегральной микросхемы

10

СБИС

29

Серия

33

Серия интегральных микросхем

33

сис

27

ссис

30

Степень интеграции

24

Степень интеграции интегральной микросхемы

24

Схема твердая

4

Тип интегральной микросхемы

31

Типономинал интегральной микросхемы

32

Элемент

2

Элемент интегральной микросхемы

2

Ячейка базовая

15

Ячейка базового кристалла интегральной микросхемы функциональная

16

Ячейка кристалла интегральной микросхемы базовая

15

Ячейка функциональная

16

АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на немецком языке

Таблица 3

Термин

Номер

термина

Analoger integrierter Schaltkreis

7

Anschluss des gehauselosen integrierten Schaltkreises

20

Bauelement des integrierten Schaltkreises

3

Baureihe der integrierten Schaltkreise

33

Chip des integrierten Schaltkreises

12

Digi taler integrierter Schaltkreis

8

Element des integrierten Schaltkreises

2

Gehauseloser integrierter Schaltkreis

19

Halbleiterscheibe

И

Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises

24

Integrierter Filmschaltkreis

5

Integrierter Halbleiterschaltkreis

4

Integrierter Hybridschaltkreis

6

Integrierter Schaltkreis

1

Kontaktflache des integrierten Schaltkreises

18

Packungsdichte des integrierten Schaltkreises

23

Schaltkreisgehause

9

Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise

10

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙКОМ ЯЗЫКЕ

Термин

Analogue integrated circuit

Blank terminal

Chip

Circuit component Circuit element Digital integrated circuit Film integrated circuit Integrated microcircuit Hybrid integrated circuit Microprocessor integrated circuit Non-usable terminal Package

Semiconductor integrated circuit

Substrate

Terminal

Таблица 4

Номер

термина

7 21 12

3

2

8

5

1

6 35 22

9

4 10 20

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 5

Термин

Номер

термина

Boitier

9

Borne

20

Borne non connectee

21

Borne non utilisee

22

Circuit integre analogique

7

Circuit integre a couches

5

Circuit integre digitaux

8

Circuit integre hybride

6

Circuit integre a semiconducteurs

4

Composant de circuit

3

Element de circuit

2

Microcircuit integre

1

Microprocesseur a circuit integre

35

Pastille

12

Substrat

10

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1.    ИСПОЛНИТЕЛИ

Е. Ю. Елпидифорова, В. А. Ушибышев, Л. Р. Хворостьяи

2.    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.06.88 № 2190

3.    Срок первой проверки — 1995 г., периодичность проверки — 10 лет

4.    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 1623—79

5.    ВЗАМЕН ГОСТ 17021—75

Редактор В М Лысенкина Технический редактор Э В Митяй Корчет тор Л В Сницарчук

Сдано в наб 30 08 89 Подп в печ 07 02 90 0,75 уел п л 0,75 уел кр отт 0 90 уч изд л.

Тир 10 000 Цена 5 к

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва, ГСП,

Новопресненский пер , д 3

Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул Даряус и Гирено, 39 Зак 1935.