allgosts.ru01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ01.040. Словари

ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ 17021-88
Наименование:
Микросхемы интегральные. Термины и определения
Статус:
Утратил силу в РФ
Дата введения:
01.01.1990
Дата отмены:
Заменен на:
-
Код ОКС:
01.040.31, 31.200

Текст ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения

>

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 17021—88

(СТ СЭВ 1623—79]

Издание официальное

5 коп. БЗ 5—88/420


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 001.4:621.3.049.75—181.4 : 006.354 Группа ЭОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ


ГОСТ


Термины и определения


17021—88


Integrated circuits. Terms and definitions.


(СТ СЭВ 1623—79J


ОКСТУ 6201

Дата введения


01.01.90


Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

  • 1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

  • 2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термицы-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп>.

    • 2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

    • 2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

    • 2.3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), французском (F) языках.

  • 3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

  • 4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

Таблица 1

Термин Определение

1 Интегральная микро схема

  • D. Integrierter Schaltkreis

  • E. Integrated microcir cuit

  • F. Microcircuit integre


2. Элемент интегральной микросхемы

Элемент

  • D. Element des integ-rierten Schaltkreises

  • E. Circuit element

  • F. Element de circuit


3 Компонент интегральной микросхемы Компонент

  • D. Bauelement des in-tegrierten Schaltkreises

  • E. Circuit component

  • F. Composant de circuit

  • 4. Полупроводниковая интегральная микросхема Полупроводниковая микросхема

Ндп. Твердая схема

  • D. Integrierter

Halbleiterschaltkreis

  • E. Semiconductor integrated circuit

  • F. Circuit integrfc й semiconducteurs

  • 5. Пленочная интегральная микросхема Пленочная микросхема D. Integrierter

Filmschaltkreis


Микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой таким образом, что с точки зрения техниче:-ких требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство рассматривается как целое.

Пр и м е ч а н и е Под микросхемой понимают микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обычной схемы

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке;, поставке и эксплуатации Примечание. Под электрорадиоэлемен-том понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации

Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала

Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок.

Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными

  • E. Film integrated circuit

  • F. Circuit integre a couches

  • 6. Гибридная интегральная микросхема Гибридная микросхема

  • D. Integrierter

Hybridschaltkreis

  • E. Hybrid integrated circuit

  • F. Circuit integre hybride

  • 7. Аналоговая интегральная микросхема Аналоговая микросхема

Е>. Analoger integrierter Schaltkreis

  • E. Analogue integrated circuit

  • F. Circuit integre analogique

  • 8. Цифровая интегральная микросхема Цифровая микросхема Ндп. Логическая микросхема

  • D. Digitaler integrierter Schaltkreis

  • E. Digital integrated circuit

  • F. Circuit integre digitaux

  • 9. Корпус интегральной микросхемы

Корпус

  • D. Schaltkreisgehause

  • E. Package

  • F. Boitier

  • 10. Подложка интегральной микросхемы Подложка

  • D. Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise

  • E. Substrate

  • F. Substrat

И. Полупроводниковая пластина Пластина

D. Halbleiterscheibc


Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции

Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции

Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов

Заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок

Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем

  • 12 Кристалл интегральной микросхемы Кристалл

D Chip des integnerten Schaltkreises

E Chip

F Pastille

  • 13 Базовый кристалл интегральной микросхемы

Базовый кристалл

  • 14 Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы

БМК

  • 15 Базовая ячейка кристалла интегральной микросхемы

Базовая ячейка


  • 16 Функциональная ячейка базового кристалла интегральной микросхемы

Функииональная ячейка

  • 17 Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы Библиотека функциональных ячеек


18 Контактная площадка интегральной микросхемы

Контактная площадка

D Kontaktflache des integnerten Schaltkreises


Часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки

Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления межэлементных соединений

Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением базовых ячеек

Совокупность нссоеднненных и (или) соединенных между собой элементов, являющаяся основой для построения базового кристалла интегральной микросхемы

Примечание Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И—НЕ (ИЛИ—НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы

Совокупность элементов базового кристалла интегральной микросхемы, электрически соединенных в пределах одной или нескольких базовых ячеек для реализации одной или нескольких самостоятельных функций

Совокупность документов, содержащих перечень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, их основные электрические параметры, топологическое описание и логические модели

Примечание Информация о функциональных ячейках может содержаться на машинных носителях

Металлизированный участок на подложке криста тле или корпусе интегральной микросхемы, служащий для присоединения выводов компонентов и криста тлов, перемычек а также для контроля ее электрических параметров и режимов

19 Бескорпусная интегральная микросхема Бескорпусная микро


схема

  • D. Gehauseloser inte-grierter Schaltkreis

20 Вывод бескорпусной интегральной микросхемы

Вывод

D Anschluss des ge-hauselosen integ-nerten Schaltkreises

  • E. Terminal

  • F. Borne

21. Свободный вывод интегральной микросхемы

Свободный вывод

  • E. Blank terminal

  • F. Borne non connec-tee


22. Неиспользуемый вывод интегральной микросхемы

Неиспользуемый вы


вод

  • E. Non-usable terminal

  • F. Borne non utilisee

  • 23. Плотность упаковки интегральной микросхемы

Плотность упаковки

D. Packungsdtchte des integrierten Schaltkreises

  • 24. Степень интеграции интегральной микро


схемы


Степень интеграции

D. Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises


Кристалл интегральной микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку

Провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями

Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорного контакта для внешнего монтажа, не влияя на работу интегральной схемы

Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла

Отношение суммы элементов интегральной микросхемы и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему интегральной микросхемы.

Примечание. Объем выводов не учитывают

Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов

Примечание. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле:

X=/g Л/,

где К — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа;

25 Интегральная микросхема К степени интеграции


  • 26 Малая интегральная микросхема

МИС

  • 27 Средняя интегральная микросхема

сис


  • 28 Большая интеграль ная микросхема

БИС

  • 29 Сверхбольшая интегральная микросхема СБИС


30 Сверхскоростная интегральная микросхема

ССИС


N— число элементов интегральной микросхемы. в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему

Интегральная микросхема, содержащая от 10к_! до 10к элементов и (или) компонентов включительно

Примечание В настоящее время существуют интегральные микросхемы 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции

Интегральная микросхема, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включительно

Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 до 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 100 до 500 — для аналоговых интегральных микросхем

Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 500 для аналоговых интегральных микросхем

Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50 000 — для цифровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше 10 000 — для аналоговых интегральных микросхем

Примечание К цифровым интегральным микросхемам с регулярной структурой построения относят схемы запоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов

К цифровым интегральным микросхемам с нерегулярной структурой построения относят схемы вычислительных средств

Цифровая интегральная микросхема, функциональное быстродействие которой не менее I 1013 Гц/см2 на 1 логический элемент.

Примечание Под функциональным быстродействием понимают произведение рабочей частоты логического элемента, равной обратному учетверенному максимальному значению среднего времени задержки распространения сигнала на число логических элементов, приходящихся на один квадратный сантиметр площади кристалла

  • 31. Тип интегральной микросхемы

  • 32. Типономинал интегральной микросхемы

  • 33. Серия интегральных микросхем

Серия

D. Baureihe der inte-grierten Schaltkreise


34. Группа типов интегральных микросхем


  • 35. Микропроцессорная

интегральная микросхема Микропроцессорная микросхема

  • E. Microprocessor integrated circuit

  • F. Microprocesseur

a circuit integre

  • 36. Микропроцессорный комплект интегральных микросхем

мпк


Интегральная микросхема конкретного функционального назначения и определенного конструктивно-технологического и схемотехнического решения и имеющая свое условное обозначение

Интегральная микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа одним или несколькими параметрами и требованиями к внешним воздействующим факторам

Совокупность типов интегральных микросхем, обладающих конструктивной электрической в. при необходимости, информационной и программной совместимостью и предназначенных для совместного применения.

Примечание. В частном случае серию могут образовывать один или несколько типов микросхем, выполняющих одинаковые функции и отличающихся одним или несколькими электрическими параметрами

Совокупность типов интегральных микросхем в пределах одной серии, имеющих аналогичное функциональное назначение и принцип действия, свойства которых описываются одинаковыми или близкими по составу электрическими параметрами

Интегральная микросхема, выполняющая функцию процессора или его части.

Примечание. Частным случаем является микропроцессорная секция

Совокупность микропроцессорных и других интегральных микросхем, совместимых по архитектуре, конструктивному исполнению и электрическим параметрам и обеспечивающих возможность совместного применения

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 2

Термин


Номер термина

Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральном микросхемы

Библиотека функциональных ячеек БИС

БМК Вывод Вывод бескорпусной интегральной микросхемы Вывод интегральной микросхемы свободный Вывод интегральной микросхемы неиспользуемый Вывод неиспользуемый

Вывод свободный

Группа типов интегральных микросхем

Комплект интегральных микросхем микропроцессорный Компонент

Компонент интегральной микросхемы

Кристалл

Кристалл базовый

Кристалл интегральной микросхемы

Кристалл интегральной микросхемы базовый Корпус

Корпус интегральной микросхемы

Кристалл интегральной микросхемы базовый матричный

Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема

аналоговая бескорпусная гибридная интегральная интегральная интегральная интегральная интегральная интегральная интегральная интегральная


аналоговая бескорпусная большая гибридная К степени интеграции малая микропроцессорная пленочная полупроводниковая


Микросхема интегральная Микросхема интегральная Микросхема интегральная сверхбольшая Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема

Микросхема цифровая

МИС МПК Пластина

Пластина полупроводниковая

Плотность упаковки

17

17

28

14

20

20

21

22

22

21

  • 34

Зо

3

  • 3

12

13

12

  • 13

9

9

  • 14

7

19

  • 6

1

  • 7

19

28

6

  • 25

  • 35

5

  • 4

  • 29

  • 30

27

  • 8

8

  • 35

  • 5

4

8

  • 26

  • 36

11

11

21


интегральная сверхскоростная интегральная средняя интегральная цифровая логическая микропроцессорная пленочная полупроводниковая


Термин

Номер TOPWHHJ

Плотность упаковки интегральной микросхемы

23

Площадка интегральной микросхемы контактная

18

Площадка контактная

18

Подложка

10

Подложка интегральной микросхемы

10

СБИС

29

Серия

33

Серия интегральных микросхем

33

сис

27

ссис

30

Степень интеграции

24

Степень интеграции интегральной микросхемы

24

Схема твердая

4

Тип интегральной микросхемы

31

Тнпономинал интегральной микросхемы

32

Элемент

2

Элемент интегральной микросхемы

2

Ячейка базовая

15

Ячейка базового кристалла интегральной микросхемы функ-

16

циональная

Ячейка кристалла интегральной микросхемы базовая

15

Ячейка функциональная

16

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 3

Термин

Номер термина

Analoger integrierter Schaltkreis

Anschluss des gehauselosen integrierten Schaltkreises Bauelement des integrierten Schaltkreises Baureihe der integrierten Schaltkreise

Chip des integrierten Schaltkreises

Digitaler integrierter Schaltkreis

Element des integrierten Schaltkreises

Gehauseloser integrierter Schaltkreis Halbleiterscheibe

Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises Integrierter Filmschaltkreis

Integrierter Halbleiterschaltkreis

Integrierter Hybridschaltkreis

Integrierter Schaltkreis

Kontaktflache des integrierten Schaltkreises Packungsdichte des integrierten Schaltkreises Schaltkreisgehause

Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise

  • 7

20

  • 3

33

12

  • 8

2

19

11

24

  • 5

  • 4

  • 6

1

18

23

9

10

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4

Термин

Номер термина

Analogue integrated circuit

Blank terminal

Chip

Circuit component

Circuit element

Digital integrated circuit

Film integrated circuit

Integrated microcircuit

Hybrid integrated circuit Microprocessor integrated circuit Non-usable terminal

Package

Semiconductor integrated circuit Substrate

Terminal

  • 7

21

12

  • 3

2

  • 8

  • 5

1

  • 6

35

22

9

  • 4

10

20

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 5

Термин

Номер термина

Boitier

9

Borne

20

Borne non connectee

21

Borne non utilisee

22

Circuit integre analogique

7

Circuit integre a couches

5

Circuit integre digitaux

8

Circuit integre hybride

6

Circuit integre a semiconducteurs

4

Composant de circuit

3

Element de circuit

2

Microcircuit integre

1

Microprocesseur a circuit integre

35

Pastille

12

Substrat

10

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

  • 1. ИСПОЛНИТЕЛИ

Е. Ю. Елпидифорова, В. А. Ушибышев, Л. Р. Хворостьян

  • 2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.06.88 № 2190

  • 3. Срок первой проверки — 1995 г., периодичность проверки — 10 лет

  • 4. Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 1623—79

  • 5. ВЗАМЕН ГОСТ 17021—75

Редактор В М Лысенкина Технический редактор Э В Митяй Корче! тор Л В Сницарчук

Сдано в наб 30 0 8 89 Подп в печ 07 02 90 0.75 усл п л 0,75 усл кр отт 0 90 уч изд л. Тир 10 000 Цена 5 к

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123557, Москва, ГСП.

Новопресненский пер , д 3 Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул Даряус и Гирсно, 39 Зак 1935.