allgosts.ru03. УСЛУГИ. ОРГАНИЗАЦИЯ ФИРМ, УПРАВЛЕНИЕ И КАЧЕСТВО. АДМИНИСТРАЦИЯ. ТРАНСПОРТ. СОЦИОЛОГИЯ.03.120. Качество

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей

Обозначение:
ГОСТ 4.64-80
Наименование:
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей
Статус:
Действует
Дата введения:
07/01/1981
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
03.120, 29.045

Текст ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

ГОСТ 4.64-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.315.592:658.562:006.354 Группа Т51

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Система показателей качества продукции ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system. Semiconductor materials. Nomenclature of indices

ГОСТ

4.64-80*

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен

с 01.07,31

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов (полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ па ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл. 1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переизоание (февраль 1985 г.) с Изменением № 1> утвержденным в марте 1985 г. Пост. Л§ 545 от 13,03.85 (МУС 6—85).

© Издательство стандартов, 1985

J—558

Т а б л к еь a f

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое сзойство

1. Удельное электрическое сопро-

Электрофизическое

тивление, Ом-см

1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом* см

свойство

Рн

1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом* см

PH!-рна

1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом • см

pi р2

2. Относительное отклонение удель-

&Р 1

Электрофизическое

ного электрического сопротивления от среднего значения по длине моно-кристаллического слитка, %

R

свойство

3. Радиальное относительное от-

Электрофизическое

клонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %

свойство

4. Относительное отклонение сред

&Рн

Электрофизическое

них значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %

\hkl\

свойство

5. Ориентация продольной оси

Кристаллографическое

монокристаллического слитка

свойство

6. Отклонение плоскости торцово

а

Кристаллографическое

го среза от плоскости ориентации, °

*Рн

свойство

7. Концентрация атомов оптически. активных примесей, см~3

Химический состав

7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см~3

МЭз

7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см~3

Nc

8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка

d

8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм

8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм

dnt—du 2

8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2

5

9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм

AdH

10. Длина монокристаллического слитка, мм

l

Продолжение табл. 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое свойство

11. Плотность дислокаций, см~2

Nd

Структурное совершенство

12. Время жизни неравновесных

X

Электрофизическое

носителей заряда, мкс, или диффузи-

свойство

онная длина, мм

МУГ

13. Суммарная длина малоугловых

Структурное совершен

границ, мм или доли диаметра

N

ство

14. Концентрация основных носите

Электрофизическое

лей заряда, см~3

о N

свойство

35. Относительное отклонение от

Электрофизическое

номинального значения концентра

свойство

ции основных носителей заряда, %

16. Подвижность основных носите

р.

Электрофизическое

лей заряда, см2/(В.с)

свойство

17. Внешние дефекты (трещины,

раковины, сколы)

18. Внутренние дефекты

Структурное совершенство

18.1. Раковины, трещины

18.2. Наличие второй фазы

38 3. Наличие двойниковых границ 18.4. Наличие свирл-дефектов

Примечания:

1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокрис-таллического слитка используется один из показателей 8.1—8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1—'18.4.

3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл. 2—6.

2*

Таблица 2

Кремний монокристаллический

Номер показателя качества

Кремний монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Кремний монокристаллический для эпитаксиальных структур

Кремн<ий монокристаллический для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический для фотоприемников

Кремний монокристаллический для источников тока

Кремнии монокристаллический для детекторов ядерных излучений

Кремний монокристаллический водо^

род ный

1

+

4-

4”

+

+

+

4-

2

+

+

4-

4-

“Г

3

4-

+

4"

Hz

4

+

+

ч-

н-

5

4-

4-

+

+

4-

1-

6

4-

+

4-

+

+

г

7.1

+

4-

4-

+

+

7.2

ч-

ч-

8

+

+

4*

+

+

4-

9

+

+

ч-

■—

10

+

4-

4-

+

+

+

11

+

4-

4-

4-

4-

4-

32

±:

+

4-

+

4-

+

13

ч-

+

17

+

+

+

4-

+

+

-U

18.1

+

+

4-

4-

+

+

+

18.4

dz

±

1 !

Таблица 3

Германий монокристаллический

Номер показателя качества

Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий монс-кристаллаичесннй для эпитаксиальных структур

Германий монокристаллический для оптоэлектроники

Германий монокристаллический для я дер ной спектрометрии

1

4-

+

zb

zb

2

±

-t-

3

-h

zb

4

4-

+

—.

5

+

4-

4_

+

6

н-

8

+

+

4-

4-

9

н-

-4-

10

4-

+

+

4-

11

zt

+

4-

Продолжение табл. 3

Нова ер показателя качества

Германий моно-к р и сталл ич еский для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий мано-кристаллический для эпитаксиальных структур

Германий монокриста ллический для оптоэлектроники

Германий моно-кристал лический для ядерной спектрометрии

12

Н—

—,

_

+

13

zh

14

•—

—>

16

н-

н-

17

4-

4-

+

+

18.1

+

+

+

+

18.2

18.3

+

+

+

+

Таблица 4

Антимонид индия манокристаллический

Номер показателя качества

Антимонид индия для полупроводниковых приборов

Антимонид ИНДИЯ для эпитаксиальных структур

1

zb

5

+

4-

6

±1

4-

8

ч*

4-

10

4-

11

+

4-

12

13

4-

14

-Ь*

4-

15

+

16

+

4-

17

+

4-

18

+

Таблица 5

Арсенид галлия манокристаллический

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур

Арсенид галлия для источников тока

1

ч-

5

+

+

6

+

4-

8

+

4-

Продолжение табл, б

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур

Арсенид галлия для источников тока

9

+

10

+

11

4-

14

+

15

16

17

+

18

Чг

d=

Таблица 6

Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические

Номер показателя качества

Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитак' скальных структур

Арсенид индия для

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

приборов и эпитаксиальных структур

Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

1

5

+

6

+

+

4-

8

4-

4-

4-

9

4-

4-

+

10

4-

4-

4-

11

4-

+

4-

12

4-

13

4-

14

4-

+

15

4-

16

+

4-

17

4-

4-

4-

18

•4—

db

—Ь-

Примечание к табл. 2—6. Знак «+» обозначает применение показателя качества, знак «—» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Справочное

Наименование продукции

Код ОКП

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока Кремний монокристаллический, полученный методом бсстигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников

Кремний монокристаллический. полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений

Кремний монокристаллический водородный Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур

Германий монокристаллический для оптоэлектроники

Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии

Антимонид индия монокристаллический Арсенид галлия монокристаллический Фосфид галлия монокристаллический Арсенид индия монокристаллический Фосфид индия монокристаллический

17 7211

17 7212

17 7233

17 7215 17 7221

17 7222

17 7224

17 7226

17 72211000 17 7441

17 7443

17 7444

17 7447

17 7532 17 7512 17 7542 17 7522 17 7552

(Введено дополнительно, Изм. № 1),

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ
показателей качества полупроводниковых материалов

Наименование показателя качества

Номер показателя качества

Время жизни неравновесных носителей заряда

12

Дефекты внешние

17

Дефекты внутренние

18

Диаметр монокристаллического слитка

8.1

Длина малоугловых границ суммарная

13

Длина монокристаллического слитка

10

Длина диффузионная

12

Значение удельного электрического сопротив-

1.1

ления номинальное

Интервал значений удельного электрического со

1.3

противления

Интервал номинальных значений диаметров

8.2

Интервал номинальных значений удельного

1.2

электрического сопротивления

Концентрация атомов оптически активных при

7

месей

Концентрация атомов оптически активного кис

7.1

лорода

7.2

Концентрация атомов оптически активного уг

лерода

Концентрация основных носителей заряда

14

Наличие второй фазы

18.2

Наличие двойных границ

18.3

Наличие свирл-дефектов

18.4

Ориентация продольной оси монокристалличес

5

кого слитка

Отклонение диаметра монокристаллического

9

слитка от номинального значения

Отклонение относительное от номинального зна

15

чения концентрации основных носителей заряда

Отклонение плоскости торцевого среза от плос

6

кости ориентации

Отклонение относительное средних значений

4

удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления

Отклонение относительное удельного электри

2

ческого сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка

Продолжение

Наименование показателя качества

Номер показателя качества

Отклонение относительное радиальное удель

3

ного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка

Плотность дислокаций

л

Площадь поперечного сечения монокристалличе

8.3

ского слитка

Подвижность основных носителей ааряда

16

Раковины

17; 18.1

Сколы

17

Сопротивление удельное электрическое

1

Характеристика геометрическая поперечного се

8

чения монокристаллического слитка

(Введено дополнительно, Изм. № 1).

Сдано в наб. Тир, 16.000

Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор Н. В. Келейникова Корректор В. Ф. Малютина

25.04.85 Подп. в печ. 13.06.85 0,75 уел. п. л. 0,75 уел. кр.-отт. 0,64 уч.-изд. л.

Цена 3 коп.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, Новопресненский пер.» 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 551