ПНСТ 500-2020 Нанотехнологии. Часть 13. Графен и двухмерные (2D) материалы на его основе. Термины и определения

b) Двухслойный графен с упаковкой Берналя (3.1.2.6)

3.1.1.1 двухмерный материал [2D-материал]: Материал, состоящий из одного или нескольких слоев (3.1.1.5), в которых атомы внутри слоя сильно связаны с соседними атомами, и имеющий толщину размерами в нанодиапазоне или менее, а линейные размеры по двум другим измерениям значительно больше.

two-dimensional material;

2D material

Примечания

1 Увеличение числа слоев 2D-материала приводит к существенному изменению его свойств. В случае материала на основе графена основой для принятия решения о двумерности служат его электронные свойства, соответственно, графеновым слоем (3.1.2.1) следует считать 2D-материал толщиной до 10 слоев [10]. Если толщина графенового слоя составляет более 10 слоев, то его электрические свойства аналогичны свойствам объемного материала, также известного как графит (3.1.2.2).

2 В любом слоистом материале связь между атомами внутри слоя является более сильной, чем связь между слоями, и отличается от нее по свойствам.

3 Каждый слой 2D-материала может состоять из более чем одного элемента.

4 Пример 2D-материала - нанопластина (3.1.1.2).

3.1.1.2 нанопластина: Нанообъект, линейные размеры которого по одному измерению находятся в нанодиапазоне, а размеры по двум другим измерениям значительно больше.

nanoplate

Примечание - Наибольшие линейные размеры могут находиться вне нанодиапазона.

[ISO/TS 80004-2:2015, статья 4.6]

3.1.1.3 нанофольга [нанолист]: Нанопластина (3.1.1.2), у которой размеры в горизонтальной плоскости существенно превышают толщину.

nanofoil;

nanosheet

Примечания

1 Термин "нанолист" является синонимом термина "нанофольга", их используют в зависимости от конкретной области применения.

2 Размеры длины и ширины нанофольги и нанолиста не ограничены в отличие от размеров длины и ширины нанопластины или наночешуек.

[ISO/TS 80004-11:2017, статья 3.2.1.1]

3.1.1.4 нанолента: Нанопластина (3.1.1.2), у которой один из наибольших линейных размеров существенно превышает другой.

nanoribbon;

nanotape

[ISO/TS 80004-2:2015, статья 4.10]

3.1.1.5 слой: Дискретный материал, находящийся внутри или на поверхности конденсированной фазы и размеры которого ограничены в одном измерении.

layer

[ISO/TS 80004-11:2017, статья 3.1.2]

3.1.1.6 квантовая точка: Наночастица или область, в которой происходит квантовый захват частиц во всех трех пространственных измерениях.

quantum dot

[ISO/TS 80004-12:2016, статья 4.1]

3.1.1.7 агрегат: Совокупность сильно связанных между собой или сплавленных частиц, общая площадь внешней поверхности которой значительно меньше суммы площадей поверхностей ее отдельных компонентов.

aggregate

Примечания

1 Силы, удерживающие частицы в составе агрегата, являются прочными и обусловлены, например ковалентными или ионными связями, или образованы в результате спекания или сложного физического переплетения частиц друг с другом, или другим способом объединения первичных частиц.

2 Агрегаты также называют "вторичные частицы", а составляющие их исходные частицы называют "первичные частицы".

[ISO/TS 80004-2:2015, статья 3.5]

3.1.2 Термины и определения понятий, относящихся к графену

3.1.2.1 графен [слой графена, однослойный графен, монослой графена]: Монослой атомов углерода, в котором каждый атом связан с тремя соседними, образуя таким образом сотовую структуру.

graphene;

graphene layer;

single-layer graphene;

monolayer graphene

Примечания

1 Графен является основным образующим материалом многих углеродных нанообъектов.

2 Поскольку графен является однослойным материалом, то есть представляет собой слой (3.1.1.5), то синонимами термина "графен" являются термины "однослойный графен" и "монослой графена", сокращенное наименование - "1LG". Термины и определение сформулированы таким образом, чтобы установить отличие от терминов и определений понятий "двухслойный графен" (2LG) (3.1.2.6) и "малослойный графен" (FLG) (3.1.2.10).

3 Графен имеет края и может иметь различные дефекты, например межзеренную границу, в которой происходит нарушение связи атомов решетки.

[ISO/TS 80004-3:2010, статья 2.11, дополнительно включены примечания 2 и 3]

3.1.2.2 графит: Аллотропная модификация углерода, состоящая из слоев графена (3.1.2.1), расположенных параллельно друг другу и образующих трехмерную упорядоченную кристаллическую структуру.

graphite

Примечания

1 Определение "графит" адаптировано из определения, принятого Международным союзом теоретической и прикладной химии (IUPAC).

2 Существуют две аллотропные модификации графита: гексагональная и ромбоэдрическая, отличающиеся типом чередования углеродных слоев.

[ISO/TS 80004-3:2010, статья 2.12]

graphane

perfluorographane

Примечания

2 Перфторографан иногда называют фторографеном.

3.1.2.5 эпитаксиальный графен: Слой графена (3.1.2.1), полученный способом выращивания на подложке из карбида кремния.

epitaxial graphene

Примечания

1 Графен также может быть получен способом выращивания на подложках из других материалов, например из никеля Ni (111). В этом случае к полученным материалам не применяют термин "эпитаксиальный графен".

2 Данный термин и определение применимы только в области графена. Как правило, термин "эпитаксиальный" применяют для обозначения других понятий, например "эпитаксиальный способ выращивания пленки на монокристаллической подложке".

3.1.2.6 двухслойный графен; 2LG: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из двух четких и определенно расположенных слоев графена (3.1.2.1).

bilayer graphene; 2LG

Примечание - Если известен тип упаковки слоев графена, то допускается применять, например, термин "двухслойный графен с упаковкой Берналя".

3.1.2.7 скрученный двухслойный графен [турбостатический двухслойный графен]: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из двух четких и определенно расположенных слоев графена (3.1.2.1), упакованных турбостатически с соответствующим углом упаковки (3.4.1.12), т.е. имеющий упаковку, отличную от упаковки Берналя (3.4.1.10) или ромбоэдрической упаковки (3.4.1.11).

twisted bilayer graphene;

turbostratic bilayer graphene;

tBLG; t2LG

3.1.2.8 скрученный малослойный графен: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из нескольких слоев графена (3.1.2.1), одна часть, n, которых с упаковкой Берналя (3.4.1.10) расположена относительно другой части, m, с упаковкой Берналя (3.4.1.10) под соответствующим углом упаковки (3.4.1.12).

twisted few-layer graphene;

t(n+m)LG

3.1.2.9 трехслойный графен; 3LG: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из трех четких и определенно расположенных слоев графена (3.1.2.1).

trilayer graphene;

3LG

Примечание - Если известен тип упаковки слоев графена, то допускается применять, например, термин "скрученный трехслойный графен".

3.1.2.10 малослойный графен; FLG-графен: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий от трех до десяти четких и определенно расположенных слоев графена (3.1.2.1).

few-layer graphene;

FLG

3.1.2.11 графеновая нанопластина; ГНП: Нанопластина (3.1.1.2), состоящая из слоев графена (3.1.2.1).

graphene nanoplate;

graphene nanoplatelet;

GNP

Примечание - Размеры толщины ГНП, как правило, составляют от 1 до 3 нм, размеры по двум другим измерениям - приблизительно от 100 нм до 10 мкм.

3.1.2.12 оксид графита: Химически модифицированный графит (3.1.2.2), полученный в процессе интенсивной окислительной модификации его основных плоскостей.

graphite oxide

Примечание - Структура и свойства оксида графита зависят от степени окисления и конкретного метода синтеза.

3.1.2.13 оксид графена; ОГ: Химически модифицированный графен (3.1.2.1), полученный в процессе окисления и расслаивания графита (3.1.2.2), вызывающего обширную окислительную модификацию его основной плоскости.

graphene oxide;

GO

Примечание - Оксид графена представляет собой однослойный материал с высоким содержанием кислорода (3.4.2.7), как правило, с атомным соотношением С/О приблизительно 2,0 в зависимости от конкретного метода синтеза.

3.1.2.14 восстановленный оксид графена; ВОГ: Оксид графена (3.1.2.13) с пониженным содержанием кислорода (3.4.2.7).

reduced graphene oxide;

rGO

Примечания

1 Восстановленный оксид графена можно получить различными способами: химическим, термическим, микроволновым, фотохимическим, фототермическим или микробиологическим/бактериальным, а также в процессе расслаивания восстановленного оксида графита.

3 Восстановленный оксид графена может иметь различные форму и структуру, например форму пластины или червеобразную структуру.

3.1.3 Термины и определения понятий, относящихся к другим 2D-материалам

3.1.3.1 2D-гетероструктура: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из двух или более четких и определенно расположенных слоев (3.1.1.5) различных 2D-материалов.

2D heterostructure

Примечание - В 2D-гетероструктуре слои могут быть уложены вместе в одной плоскости или вне плоскости.

3.1.3.2 вертикальная 2D-гетероструктура: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из двух или более четких и определенно расположенных слоев (3.1.1.5) различных 2D-материалов, которые уложены вне одной плоскости.

2D vertical heterostructure

3.1.3.3 плоскостная 2D-гетероструктура: 2D-материал (3.1.1.1), состоящий из двух или более четких и определенно расположенных слоев (3.1.1.5) различных 2D-материалов, которые связаны друг с другом в одном направлении плоскости.

2D in-plane heterostructure

3.2.1.1 химическое осаждение из газовой фазы; ХОГФ: Процесс получения пленок или порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.

chemical vapour deposition;

CVD

[ISO/TS 80004-8:2013, статья 7.2.3]

3.2.1.2 рулонная технология: Процесс получения 2D-материала/материалов (3.1.1.1) путем их выращивания с применением ХОГВ на непрерывной подложке, представляющей собой лист, сворачиваемый в рулон, включая перемещение 2D-материала/материалов на отдельную подложку.

roll-to-roll production;

R2R production

3.2.1.3 механическое расслаивание: Процесс получения 2D-материала путем отделения отдельных слоев (3.1.1.5) от исходного материала механическими способами.

mechanical exfoliation

Примечание - К данному процессу изготовления 2D-материала/материалов относят: пилинг (или "скотч-метод"), механическое или микромеханическое расслаивание/расщепление и измельчение в шаровой мельнице исходного материала.

3.2.1.4 жидкофазное расслаивание: Процесс получения 2D-материала (3.1.1.1) путем отделения слоев от исходного слоистого материала в растворителе посредством воздействия гидродинамических сил сдвига.

liquid-phase exfoliation

Примечания

1 В качестве растворителя применяют воду, органическую или ионную жидкости.

2 Поверхностно-активное вещество может быть использовано в водных дисперсиях для обеспечения или стимулирования процесса расслаивания и увеличения стабильности дисперсии.

3 В процессе изготовления 2D-материала необходимые силы сдвига создают различными способами, в том числе ультразвуковой кавитацией или перемешиванием на высокой скорости.

3.2.1.5 выращивание на подложке из карбида кремния: Процесс получения слоев графена (3.1.2.1) путем контролируемого нагревания подложки из карбида кремния при заданной температуре с последующим получением графена после сублимации атомов кремния подложки.

growth on silicon carbide

Примечания

1 Графен выращивают на углеродной или кремниевой стороне SiC-подложки в зависимости от потребности в получении необходимого числа и способа упаковки слоев графена.

2 К графену, изготовленному таким способом, как правило, применяют термин "эпитаксиальный графен" (3.1.2.5).

3.2.1.6 осаждение графена: Процесс получения слоев графена (3.1.2.1) путем выделения углерода на поверхности металлической подложки вследствие ее нагревания.

graphene precipitation

Примечание - При применении данного способа изготовления графена следует учитывать, что в металле подложки могут присутствовать случайные или специально добавленные углеродные или легирующие примеси.

3.2.1.7 химический синтез графена: Процесс получения графена по технологии "снизу вверх" посредством поверхностно-опосредованных реакций при заданных значениях температуры, приводящих к связыванию небольших органических молекул в углеродные кольца.

chemical synthesis

3.2.1.8 выращивание в спиртовой среде: Процесс получения графена путем нагревания исходного спиртосодержащего материала при заданных значениях температуры с целью его разложения и образования графена.

alcohol precursor growth

3.2.1.9 молекулярно-лучевая эпитаксия: Процесс получения монокристаллической пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исходного материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

molecular beam epitaxy;

MBE

Примечания

1 Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.

2 Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например, используя арсенид индия (InAs) и подложку из арсенида галлия (GaAs), получают структуры размером в нанодиапазоне.

[ISO/TS 80004-8:2013, статья 7.2.13]

3.2.1.10 анодное сращивание: Процесс получения слоев графена (3.1.2.1) на подложке путем соединения под воздействием электростатического поля чешуек графита, применяемого в качестве исходного материала, на поверхности стекла с дальнейшим отслаиванием полученного материала.

anodic bonding

3.2.1.11 лазерная абляция: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки лазерным импульсом.

laser ablation

Примечание - Лазерную абляцию применяют для формирования нано- и микрообъектов на поверхности подложки.

[ISO/TS 80004-8:2013, статья 7.3.15, примечание к термину изменено]

3.2.1.12 фоторасслаивание: Процесс отделения слоя (3.1.1.5) или части 2D-материала (3.1.1.1) под управляемым воздействием лазерного излучения.

photoexfoliation

Примечание - В процессе фоторасслаивания, применяемого для получения слоев графена (3.1.2.1), не происходит испарения или сублимации атомов углерода, как при лазерной абляции (3.2.1.11).

3.2.1.13 химическое интеркаляционное расслаивание: Процесс получения однослойного или малослойного 2D-материала (3.1.1.1) путем введения частиц химических веществ между слоями макроразмерного слоистого материала, с последующим расслоением под воздействием растворителя и механической или тепловой энергии.

exfoliation via chemical intercalation

3.2.1.14 электрохимическое расслаивание: Процесс получения слоев (3.1.1.5) графена (3.1.2.1) путем стимулирования структурных изменений и разделения на слои графита, применяемого в качестве электрода, в растворе электролита под воздействием постоянного тока.

electrochemical exfoliation

Примечание - В данном процессе получения графена используют экологически безопасные химические вещества, не применяют агрессивных окислителей/восстановителей, его осуществляют при давлении и температуре окружающей среды. Данный способ имеет высокий потенциал для внедрения с целью серийного производства графена в больших объемах.

3.2.1.15 окисление графита: Процесс получения оксида графита (3.1.2.12) из графита (3.1.2.2) в растворе с использованием очень сильных окислителей.

graphite oxidation

Примечание - Для получения оксида графита или оксида графена (3.1.2.13) применяют различные способы: методы Хаммерса, Броди, Штауденмайера, Маркано-Тура [модифицированная версия метода Хаммерса (3.2.1.16)].

3.2.1.16 метод Хаммерса: Процесс получения оксида графена (3.1.2.13) из графита (3.1.2.2) в растворе нитрата натрия и серной кислоты после добавления перманганата калия.

Hummers’ method

Примечание - Сведения о данном методе приведены в [11].

3.2.1.17 термическое расслаивание оксида графита: Процесс получения восстановленного оксида графена (3.1.2.14) путем введения кислородсодержащих функциональных групп между графеновыми слоями (3.1.2.1) в графите (3.1.2.2) и нагревания, после которого происходит разложение введенных частиц, образование газов и отделение слоев восстановленного оксида графена.

thermal exfoliation of graphite oxide

Примечание - Процессы термического расслаивания и восстановления оксида графита (3.1.2.12) происходят одновременно.

3.2.1.18 синтез в газовой фазе: Процесс получения листов графена на подложке путем введения исходного углеродосодержащего материала в высокотемпературную газовую среду.

gas phase synthesis

3.2.1.19 атомно-слоевое осаждение; АСО: Процесс получения однородных конформных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на подложку в ходе самоограниченных химических реакций, позволяющих контролировать толщину нанесенного слоя.

atomic layer deposition;

ALD

Примечание - В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включать не менее двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины.

[ISO/TS 80004-8:2013, статья 7.2.2]

3.2.2.1 распаковывание углеродной нанотрубки: Способ изготовления графеновой наноленты (3.1.1.4) путем расщепления углеродной нанотрубки вдоль ее длинной оси.

carbon nanotube unzipping

3.2.2.2 выращивание по шаблону на подложке из карбида кремния: Процесс получения графеновой наноленты (3.1.1.4) путем ее формирования на подложке из карбида кремния (3.2.1.5) с использованием длинного узкого шаблона.

templated growth on SiC

3.2.2.3 выращивание по шаблону в процессе ХОГФ: Процесс получения графеновой наноленты (3.1.1.4) путем воспроизведения длинного, узкого шаблона в процессе ХОГФ (3.2.1.1).

templated CVD growth

3.2.2.4 выращивание по технологии "снизу вверх": Процесс получения графеновой наноленты (3.1.1.4) путем связывания исходных прекурсоров с последующим циклодегидрированием.

bottom-up precursor growth

3.2.2.5 вырезание электронным пучком: Процесс получения графеновой наноленты (3.1.1.4) из слоя графена (3.1.2.1) по технологии "сверху вниз" методом травления с помощью электронно-лучевой литографии.

electron beam lithographic patterning

3.2.2.6 вырезание ионным пучком: Процесс получения графеновой наноленты (3.1.1.4) из слоя графена (3.1.2.1) по технологии "сверху вниз" методом травления с помощью ионно-лучевой литографии.

ion beam lithographic patterning

3.3.1.1 сканирующая зондовая микроскопия; СЗМ: Метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта путем механического перемещения зонда и регистрации взаимодействия между зондом и поверхностью объекта.

scanning-probe microscopy;

SPM

Примечания

1 Термин "сканирующая зондовая микроскопия" является общим термином для таких понятий, как "атомно-силовая микроскопия" (АСМ) (3.3.1.2), "сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля" (СОМБП), "сканирующая микроскопия ионной проводимости" (СМИП) и "сканирующая туннельная микроскопия" (СТМ) (3.3.1.3).

2 С помощью микроскопов, применяемых в различных методах СЗМ, можно получать изображения объектов с пространственным разрешением от атомарного, например в СТМ, до 1 мкм, например в сканирующей термо-микроскопии.

[ИСО 18115-2:2013, статья 3.30]

3.3.1.2 атомно-силовая микроскопия; АСМ (Нрк. сканирующая силовая микроскопия; ССМ): Метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта в результате регистрации силы взаимодействия зондового датчика (кантилевера) с поверхностью объекта в процессе сканирования.

atomic force microscopy;

AFM

Примечания

1 С помощью АСМ можно исследовать объекты из проводниковых и диэлектрических материалов.

2 В процессе работы в некоторых атомно-силовых микроскопах (АСМ) перемещают образец в направлении осей х, у, z, а кантилевер остается неподвижным, в других АСМ перемещают кантилевер, оставляя неподвижным образец.

3 С помощью АСМ можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах и исследовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца, размера кантилевера и кривизны его острия, а также соответствующих настроек для получения изображений.

4 С помощью АСМ в процессе сканирования регистрируют силы, действующие на кантилевер, например продольные и поперечные силы, силы трения и сдвига. Методы АСМ имеют наименования в зависимости от регистрируемой силы, например поперечно-силовая микроскопия. Термин "атомно-силовая микроскопия" является общим термином для всех понятий методов силовой микроскопии.

5 АСМ регистрирует в конкретных точках силы, действующие на кантилевер со стороны поверхности объекта, и из массива пикселей генерирует изображение объекта.

6 Для исследования нанообъектов применяют АСМ с эффективным радиусом острия кантилевера менее 100 нм. В зависимости от материала исследуемого объекта суммарная сила между острием и объектом должна быть приблизительно 0,1 мкН, в противном случае может произойти необратимая деформация поверхности объекта и повреждение острия кантилевера.

[ИСО 18115-2:2013, статья 3.2]

3.3.1.3 сканирующая туннельная микроскопия; СТМ: СЗМ, применяемая для исследования рельефа поверхности объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение путем регистрации данных о туннелировании носителей заряда сквозь промежуток между исследуемым токопроводящим объектом и сканирующим его поверхность токопроводящим зондом.

scanning tunnelling microscopy;

STM

Примечания

1 С помощью СТМ можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах, исследовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца и кривизны острия зонда и получать информацию о плотности состояний атомов поверхности объекта.

2 Изображения могут быть сформированы на основе данных о высоте рельефа поверхности объекта при постоянных значениях туннельного тока или о туннельном токе при постоянных значениях высоты рельефа поверхности объекта, а также на основе других данных в зависимости от режимов взаимодействия зонда и поверхности исследуемого объекта.

3 С помощью СТМ можно получить информацию о локальной туннельной проводимости (туннельной плотности состояний) исследуемого объекта. Следует учитывать, что при изменении положения зонда относительно поверхности объекта получают отличные друг от друга изображения рельефа одной и той же поверхности.

[ИСО 18115-2:2013, статья 3.34]

3.3.1.4 растровая электронная микроскопия; РЭМ (Нрк. сканирующая электронная микроскопия; СЭМ): Метод исследования структуры, состава и формы объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта путем сканирования его поверхности электронным зондом (электронным пучком) и регистрации характеристик вторичных процессов, индуцируемых электронным зондом (например, вторичная электронная эмиссия, обратное рассеяние электронов и рентгеновское излучение).

scanning electron microscopy;

SEM

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 3.5.5]

3.3.1.5 просвечивающая электронная микроскопия; ПЭМ: Метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или его дифракционной картины электронным пучком (электронным зондом), проходящим сквозь этот объект и взаимодействующим с ним.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 3.5.6]

transmission electron microscopy;

ТЕМ

3.3.1.6 спектроскопия комбинационного рассеяния света: Метод исследования энергетических уровней молекул вещества, основанный на явлении неупругого рассеяния оптического излучения на молекулах вещества, облученного моноэнергетическим ионизирующим излучением, сопровождающемся переходом рассеивающих молекул на другие колебательные и вращательные уровни энергии.

Raman spectroscopy

[ИСО 18115-2:2013, статья 5.129, определение термина изменено путем объединения с определением термина статьи 5.128]

3.3.1.7 фотолюминесцентная спектроскопия; [ФЛ-спектроскопия]: Метод исследования объекта, основанный на изучении спектров электромагнитного излучения, возникающего в результате поглощения и испускания фотонов исследуемым объектом.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.4]

photoluminescence spectroscopy;

PL spectroscopy

3.3.1.8 дифракция рентгеновского излучения: Явление рассеяния рентгеновского излучения в результате взаимодействия с электронами вещества, лежащее в основе метода рентгеноструктурного анализа, в котором из сформированной дифракционной картины получают информацию о структуре исследуемого объекта.

X-ray diffraction;

XRD

Примечание - С помощью метода рентгеноструктурного анализа можно определить размеры области когерентного рассеяния объекта.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 5.2.1]

3.3.1.9 микроскопия медленных электронов; ММЭ: Метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или его дифракционной картины упруго отраженными электронами низких энергий, генерируемыми электронным пучком без сканирования поверхности объекта.

low energy electron microscopy;

LEEM

Примечания

1 ММЭ обычно применяют для получения информации об объектах, имеющих ровные чистые поверхности.

2 В ММЭ первичные электроны энергией от 1 до 100 эВ попадают на исследуемый объект, а отраженные электроны формируют увеличенное изображение поверхности этого объекта.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 3.5.8]

3.3.1.10 дифракция медленных электронов; ДМЭ: Явление упругого рассеяния электронов низких энергий от поверхности исследуемого объекта, лежащее в основе метода получения информации о структуре монокристалла из сформированной дифракционной картины.

low energy electron diffraction;

LEED

Примечание - Расстояние между атомами определяют путем измерения расстояния между пятнами на дифракционной картине.

3.3.2.1 электронная Оже-спектроскопия; ЭОС: Метод исследования объекта с помощью электронного спектрометра, основанный на регистрации энергетических спектров Оже-электронов, испускаемых с поверхности объекта.

Auger electron spectroscopy;

AES

Примечание - В ЭОС в качестве ионизирующего излучения используют электронные пучки с энергией от 2 до 30 кэВ. В ЭОС объект также облучают ионами или применяют рентгеновское излучение. В случае применения в ЭОС рентгеновского излучения энергию Оже-электронов отсчитывают относительно уровня Ферми, а при применении электронного пучка - относительно уровня Ферми или уровня вакуума. В ЭОС регистрируют энергетические спектры Оже-электронов и осуществляют дифференцирование электрическими методами непосредственно в процессе записи спектров.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.16]

3.3.2.2 рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия; РФЭС: Метод исследования объекта с помощью электронного спектрометра, основанный на регистрации энергетических спектров фотоэлектронов и Оже-электронов, испускаемых с поверхности объекта, облученного рентгеновским излучением.

X-ray photoelectron spectroscopy;

XPS

Примечание - В лабораторных электронных спектрометрах для РФЭС рентгеновское излучение создается бомбардировкой мишени высокоэнергетическими электронами. Обычные материалы мишени - это магний (Мg) и алюминий (AI), обеспечивающие излучение фотонов с энергией 1253,6 и 1486,6 эВ соответственно. В настоящее время существуют электронные спектрометры, в которых используют мишени из других материалов. Также в РФЭС применяют источники синхротронного излучения.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.18]

3.3.2.3 спектроскопия характеристических потерь энергии электронами; СХПЭЭ: Метод исследования объекта с помощью электронного спектрометра, основанный на регистрации энергетических спектров неупруго рассеянных электронов, испускаемых моноэнергетическим источником и потерявших фиксированные порции энергии в процессе взаимодействия с объектом.

electron energy loss spectroscopy;

EELS

Примечания

1 Значения энергетических спектров электронов, полученные с помощью СХПЭЭ, будут близки к значениям, полученным с помощью электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) (3.3.2.1) или рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) (3.3.2.2), а пики характеристических потерь энергии электронов расположены вблизи пика упруго отраженных электронов.

2 Значения энергетических спектров неупруго рассеянных электронов зависят от энергии электронного пучка, угла его падения на поверхность исследуемого объекта, угла рассеяния электронов и свойств исследуемого объекта.

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.14]

3.3.2.4 энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия; ЭДРС: Метод исследования объекта, основанный на регистрации энергетических спектров отдельных фотонов и их числа и построении цифровой гистограммы, описывающей распределение интенсивности рентгеновского излучения по энергии фотонов.

energy-dispersive X-ray spectroscopy;

EDS;

EDX

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.21]

3.3.2.5 термогравиметрия; ТГ: Метод измерения массы вещества, основанный на регистрации изменения его массы в зависимости от температуры или времени при нагревании в заданной среде с регулируемой скоростью.

thermal gravimetry;

TG

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 5.1.2. В ISO/TS 80004-13:2017 наименование термина изменено с "thermogravimetry" на "thermal gravimetry"]

3.3.2.6 масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой; ИСП-МС: Метод исследования объекта с помощью масс-спектрометра, основанный на регистрации отдельных ионов и их потоков, испускаемых объектом, пропущенным в виде аэрозоля через индуктивно связанную аргоновую плазму, образованную специальной горелкой и проходящую внутри высокочастотной катушки индуктивности.

inductively coupled plasma mass spectrometry;

ICP-MS

[ISO/TS 80004-6:2013, статья 4.22]

3.3.3.1 четырехзондовый метод [четырехточечный метод]: Метод измерения электрического сопротивления, полного сопротивления и удельной электрической проводимости тонких пленок с применением двух пар токопроводящих электродов.

four-terminal sensing;

four point probe method

Примечание - Данным методом можно выполнять измерения с минимальными временными затратами и практически в любой лаборатории.

3.3.3.2 образец графена для метода эффекта Холла: Слой графена (3.1.2.1) с контактами, расположенный соответствующим образом для выполнения измерений методом эффекта Холла.

graphene Hall bar setup

3.3.3.3 Кельвин-зондовая силовая микроскопия; КЗСМ: Вид метода АСМ с применением зонда с токопроводящим наконечником для измерений пространственных или временных изменений контактной разности электрических потенциалов между наконечником и поверхностью образца при динамических воздействиях.

Kelvin-probe force microscopy;

KPFM

Примечание - Изменение контактной разности электрических потенциалов зависит от изменения работы выхода поверхности образца.

[ИСО 18115-2:2013, статья 3.12]

3.3.3.4 ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия; УФЭС: Метод исследования объекта с помощью электронного спектрометра, основанный на регистрации энергетических спектров фотоэлектронов, испускаемых с поверхности объекта, облученного ультрафиолетовым излучением.

ultraviolet photoelectron spectroscopy;

UPS

Примечание - В лабораторных электронных спектрометрах для УФЭС в качестве источника ультрафиолетового излучения используют газоразрядные лампы, чаще всего гелиевые. В этих источниках, в зависимости от давления газа и тока разряда, генерируется одна из двух интенсивных линий с энергией фотонов 21,2 эВ (Не I) и 40,8 эВ (Не II). Также в УФЭС применяют источники синхротронного излучения.

[ИСО 18115-1:2013, статья 4.22]

3.3.3.5 фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением; ФЭСУР: Вид метода УФЭС (3.3.3.4) с применением спектрометра с угловым разрешением для определения электронных свойств и характеристик поверхности объекта.

angle resolved photoemission spectroscopy;

ARPES

3.3.3.6 фотоэлектронная эмиссионная микроскопия; ФЭЭМ: Метод исследования объекта с помощью эмиссионного микроскопа, основанный на регистрации изображения поверхности образца, сформированного фотоэмиссионным сигналом, с высоким пространственным (50 нм) и спектроскопическим (100 мэВ) разрешением.

photoelectron emission microscopy;

РЕЕМ

Примечания

1 Данный метод аналогичен ФЭСУР, но отличается более высоким пространственным разрешением (приблизительно 50 нм). Спектроскопическое разрешение в ФЭСУР составляет также приблизительно 100 мэВ.

2 В данном методе применяют лабораторные источники ультрафиолетового и рентгеновского излучения. Для переменных энергий используют синхротронное излучение.

3.3.3.7 бесконтактный микроволновый метод: Метод измерения поверхностной проводимости или поверхностного сопротивления, основанный на регистрации изменения резонансной частоты и добротности резонатора, в котором размещают образец.

non-contact microwave method

Примечание - Данным методом получают результаты измерений с минимальными затратами времени.

3.4.1.1 дефект 2D-материала: Место, в котором происходит нарушение периодичности в строении кристаллической решетки 2D-материала (3.1.1.1).

defect

3.4.1.2 точечный дефект 2D-материала: Дефект (3.3.1.1), возникающий только в конкретном месте или около конкретного места кристаллической решетки 2D-материала (3.1.1.1).

point defect

Примечание - К точечным дефектам, как правило, относят наличие отсутствующих, сдвинутых или отличных от других атомов, создающих "вакансию" или "вакансии", а также наличие дополнительных (внутренние дефекты) или замещающих атомов.

3.4.1.3 дефект типа "вакансия" 2D-материала: Дефект (3.4.1.1) в слое 2D-материала (3.1.1.5), возникающий вследствие отсутствия одного или нескольких атомов в кристаллической решетке.

vacancy defect

3.4.1.4 дефект типа "замещение" 2D-материала: Дефект (3.4.1.1), возникающий вследствие замены атома другим атомом в периодической решетке 2D-материала (3.1.1.1).

substitution defect

3.4.1.5 линейный дефект 2D-материала: Дефект (3.4.1.1), возникающий вдоль линии атомов и вызывающий смещение ряда в решетке 2D-материала (3.1.1.1).

line defect

3.4.1.6 дефект плоскости 2D-материала: Дефект (3.4.1.1), возникающий вследствие нарушения последовательности расположения слоев (3.1.1.5) 2D-материала (3.1.1.1).

planar defect

3.4.1.8 межзеренная граница 2D-материала: Внутрислоевая граница раздела между двумя или более кристаллическими доменами 2D-материала (3.1.1.1), на которой происходит изменение кристаллографического направления решетки.

grain boundary

3.4.1.9 дефект типа "дислокация" 2D-материала: Дефект, возникающий вследствие отклонения положения атомов относительно друг друга в периодической решетке 2D-материала (3.1.1.1).

dislocation defect

3.4.1.10 упаковка Берналя [АВ-упаковка]: Расположение слоев 2D-материала (3.1.1.5) друг относительно друга таким образом, что соседние слои имеют только половину своих атомов, расположенных эквивалентно в неплоскостном направлении, причем каждый третий слой находится в том же положении, что и во вне плоскости оси.

Bernal stacking;

AB stacking

Примечание - В 2D-материале при данном расположении слоев второй слой горизонтально смещен относительно первого слоя на половину постоянной решетки.

3.4.1.11 ромбоэдрическая упаковка [ABC-упаковка]: Расположение слоев 2D-материала (3.1.1.5), представляющее собой чередующиеся слои, где второй слой смещен в плоскости относительно первого слоя на половину постоянной решетки, а третий слой смещен горизонтально в том же направлении таким образом, что каждый четвертый слой расположен в том же положении на вертикальной оси.

rhombohedral stacking;

ABC stacking

Примечание - В 2D-материале такая трехслойная система может повторяться. Слои уложены друг на друга по вертикальной оси таким образом, что соседние слои имеют только половину своих атомов, расположенных эквивалентно.

3.4.1.12 угол упаковки: Угол, измеренный в горизонтальной плоскости между ориентациями двух слоев (3.1.1.5) 2D-материала (3.1.1.1), которые уложены вертикально друг на друга.

stacking angle

3.4.1.13 турбостратическая упаковка: Расположение слоев (3.1.1.5) 2D-материала (3.1.1.1), отличное от упаковки Берналя (3.4.1.10) или ромбоэдрической упаковки (3.4.1.11), с относительным углом упаковки (3.4.1.12) между слоями, не позволяющим создавать семейства плоскостей атомов, не параллельных основной плоскости, так как уложенные друг в друга слои имеют относительный и случайный угол вращения или соответствующее вращение между слоями.

turbostratic stacking

Примечание - Как правило, единственными дифракционными пиками с тремя индексами Миллера, наблюдаемыми на дифракционных картинах (3.3.1.8), являются пики 001 (002, 004 и т.д.), остальные - только с двумя индексами (как правило, 10 и 11).

3.4.1.14 размеры домена: Линейные размеры одной когерентной кристаллической области в слое (3.1.1.5) 2D-материала (3.1.1.1).

domain size

Примечания

1 Термины "размеры зерна" и "размеры кристаллитов" являются синонимами термина "размеры домена".

2 Если форма домена является приблизительно круглой, то его размер, как правило, определяют как эквивалентный диаметр, если нет, то выполняют измерения по осям х, у и перпендикулярно к самой длинной его стороне.

3 Если размеры домена определяют как эквивалентный диаметр, то термин "размеры домена" является синонимом термина "диаметр кристаллита" (La), который обозначает линейные размеры кристалла или области кристаллита, например, измеренные методами рентгеноструктурного анализа или спектроскопией комбинационного рассеяния света (3.3.1.6).

3.4.1.15 линейные размеры [размеры чешуйки]: Горизонтальные размеры 2D-материала (3.1.1.1) в виде чешуйки.

lateral size;

flake size

Примечание - Если форма чешуйки является приблизительно круглой, то ее размер, как правило, определяют как эквивалентный диаметр, если нет, то выполняют измерения по осям х, у и перпендикулярно к самой длинной его стороне.

3.4.1.16 вспомогательный слой: Слой (3.1.1.5) материала между подложкой и 2D-материалом (3.1.1.1), предназначенный для обеспечения возможности определения заданных свойств 2D-материала.

buffer layer

Примечание - Материал вспомогательного слоя, как правило, обладает другими свойствами, отличными от материала подложки и исследуемого 2D-материала (3.1.1.1). Как правило, вспомогательный слой используют для определения различий в кристаллографических структурах материала подложки и исследуемого 2D-материала.

Stone-Wales defect

3.4.2.1 загрязнение поверхности: Посторонний материал, как правило, возникающий на поверхности образца и не характерный для этого образца и/или исследуемого процесса, или возникающий в результате воздействия на образец конкретных сред, отличных от тех, которые имеют отношение к исходной поверхности образца или исследуемому процессу.

surface contamination

Примечание - Как правило, к обычным загрязнениям поверхности относят углеводороды и воду. Химические реакции, происходящие между образцом, углеводородами/водой и окружающей средой, могут привести к появлению в образце широкого спектра продуктов окисления и др.

[ИСО 18115-1:2013, статья 4.459]

3.4.2.2 загрязнение при перемещении: Загрязнение поверхности (3.4.2.1) 2D-материала (3.1.1.1), которое возникает после его перемещения с одной подложки на другую.

transfer residue

Примечание - Например, загрязнение графена может произойти из-за инструментов из полимерных материалов, применяемых для его перемещения с металлической подложки, на которой он был синтезирован методом ХОГВ (3.2.1.1), на другую подложку.

3.4.2.3 легирование: Метод внесения небольшого количества другого материала в основной материал с целью изменения свойств.

[МЭК 62341-1-2:2010, статья 2.2.10]

doping

3.4.2.4 химическое легирование 2D-материала: Легирование (3.4.2.3) 2D-материала (3.1.1.1) путем воздействия на него химических веществ, отличных от веществ, составляющих 2D-материал.

chemical doping

Примечания

1 В процессе химического легирования происходит замещение атомов в решетке или физическое адсорбирование неорганических или органических молекул на поверхности.

2 Как правило, химическое легирование применяют для придания 2D-материалу заданных электронных свойств или требуемой химической реактивности.

3.4.2.5 электрохимическое легирование 2D-материала: Легирование (3.4.2.3) 2D-материала (3.1.1.1) путем воздействия на него электрохимической средой.

electrochemical doping

3.4.2.6 легирование материалом подложки 2D-материала: Легирование (3.4.2.3) 2D-материала (3.1.1.1), происходящее из-за наличия подложки.

substrate induced doping

3.4.2.7 содержание кислорода в 2D-материале: Общее количество кислорода в 2D-материале (3.1.1.1).

oxygen content

3.4.3.1 интерференционный эффект подложки: Эффект, позволяющий идентифицировать одно- или малослойные 2D-материалы (3.1.1.1) на кремниевых подложках с оксидным слоем определенной толщины вследствие изменения наблюдаемого интерференционного цвета.

substrate interference effects

3.4.3.2 аномальный квантовый эффект Холла: Эффект, влияющий на квантование удельного сопротивления Холла и напрямую зависящий от намагниченности материала.

anomalous quantum Hall effect

Примечание - Аномальный квантовый эффект Холла значительно превышает нормальный квантовый эффект Холла.

fractional quantum Hall effect

абляция лазерная

3.2.1.11

АВ-упаковка

3.4.1.10

АВС-упаковка

3.4.1.11

агрегат

3.1.1.7

АСМ

3.3.1.2

АСО

3.2.1.19

ВОГ

3.1.2.14

выращивание в спиртовой среде

3.2.1.8

выращивание на подложке из карбида кремния

3.2.1.5

выращивание по технологии "снизу вверх"

3.2.2.4

выращивание по шаблону в процессе ХОГФ

3.2.2.3

выращивание по шаблону на подложке из карбида кремния

3.2.2.2

вырезание ионным пучком

3.2.2.6

вырезание электронным пучком

3.2.2.5

ГНП

3.1.2.11

граница 2D-материала межзеренная

3.4.1.8

графан

3.1.2.3

графен

3.1.2.1

графен двухслойный

3.1.2.6

графен двухслойный скрученный

3.1.2.7

графен двухслойный турбостатический

3.1.2.7

графен малослойный

3.1.2.10

графен малослойный скрученный

3.1.2.8

графен однослойный

3.1.2.1

графен трехслойный

3.1.2.9

графен эпитаксиальный

3.1.2.5

графит

3.1.2.2

дефект 2D-материала

3.4.1.1

дефект 2D-материала линейный

3.4.1.5

дефект плоскости 2D-материала

3.4.1.6

дефект Стоуна-Уэйлса 2D-материала

3.4.1.17

дефект типа "вакансия" 2D-материала

3.4.1.3

дефект типа "дислокация" 2D-материала

3.4.1.9

дефект типа "замещение" 2D-материала

3.4.1.4

дефект 2D-материала точечный

3.4.1.2

3.4.1.7

дифракция медленных электронов

3.3.1.10

дифракция рентгеновского излучения

3.3.1.8

ДМЭ

3.3.1.10

загрязнение поверхности

3.4.2.1

загрязнение при перемещении

3.4.2.2

ИСП-МС

3.3.2.6

КЗСМ

3.3.3.3

легирование

3.4.2.3

легирование материалом подложки 2D-материала

3.4.2.6

легирование 2D-материала химическое

3.4.2.4

легирование 2D-материала электрохимическое

3.4.2.5

масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой

3.3.2.6

материал двухмерный

3.1.1.1

метод микроволновый бесконтактный

3.3.3.7

метод Хаммерса

3.2.1.16

метод четырехзондовый

3.3.3.1

метод четырехточечный

3.3.3.1

микроскопия атомно-силовая

3.3.1.2

микроскопия зондовая сканирующая

3.3.1.1

микроскопия медленных электронов

3.3.1.9

микроскопия силовая Кельвин-зондовая

3.3.3.3

микроскопия силовая сканирующая

3.3.1.2

микроскопия туннельная сканирующая

3.3.1.3

микроскопия электронная просвечивающая

3.3.1.5

микроскопия электронная растровая

3.3.1.4

микроскопия электронная сканирующая

3.3.1.4

микроскопия эмиссионная фотоэлектронная

3.3.3.6

ММЭ

3.3.1.9

монослой графена

3.1.2.1

нанолента

3.1.1.4

нанолист

3.1.1.3

нанопластина

3.1.1.2

нанопластина графеновая

3.1.2.11

нанофольга

3.1.1.3

образец графена для метода эффекта Холла

3.3.3.2

ОГ

3.1.2.13

Оже-спектроскопия электронная

3.3.2.1

окисление графита

3.2.1.15

оксид графена

3.1.2.13

оксид графена восстановленный

3.1.2.14

оксид графита

3.1.2.12

осаждение атомно-слоевое

3.2.1.19

осаждение графена

3.2.1.6

осаждение из газовой фазы химическое

3.2.1.1

перфторографан

3.1.2.4

ПЭМ

3.3.1.5

размеры домена

3.4.1.14

размеры линейные

3.4.1.15

размеры чешуйки

3.4.1.15

распаковывание углеродной нанотрубки

3.2.2.1

расслаивание жидкофазное

3.2.1.4

расслаивание интеркаляционное химическое

3.2.1.13

расслаивание механическое

3.2.1.3

расслаивание оксида графита термическое

3.2.1.17

расслаивание электрохимическое

3.2.1.14

РФЭС

3.3.2.2

РЭМ

3.3.1.4

СЗМ

3.3.1.1

синтез в газовой фазе

3.2.1.18

синтез графена химический

3.2.1.7

слой

3.1.1.5

слой вспомогательный

3.4.1.16

слой графена

3.1.2.1

содержание кислорода в 2D-материале

3.4.2.7

спектроскопия комбинационного рассеяния света

3.3.1.6

спектроскопия рентгеновская энергодисперсионная

3.3.2.4

спектроскопия с угловым разрешением фотоэмиссионная

3.3.3.5

спектроскопия фотолюминесцентная

3.3.1.7

спектроскопия фотоэлектронная рентгеновская

3.3.2.2

спектроскопия фотоэлектронная ультрафиолетовая

3.3.3.4

спектроскопия характеристических потерь энергии электронами

3.3.2.3

сращивание анодное

3.2.1.10

СCМ

3.3.1.2

СТМ

3.3.1.3

СХПЭЭ

3.3.2.3

СЭМ

3.3.1.4

ТГ

3.3.2.5

термогравиметрия

3.3.2.5

технология рулонная

3.2.1.2

точка квантовая

3.1.1.6

угол упаковки

3.4.1.12

упаковка Берналя

3.4.1.10

упаковка ромбоэдрическая

3.4.1.11

упаковка турбостратическая

3.4.1.13

УФЭС

3.3.3.4

ФЛ-спектроскопия

3.3.1.7

ФЭСУР

3.3.3.5

ФЭЭМ

3.3.3.6

ХОГФ

3.2.1.1

фоторасслаивание

3.2.1.12

ЭДРС

3.3.2.4

ЭОС

3.3.2.1

эпитаксия молекулярно-лучевая

3.2.1.9

эффект подложки интерференционный

3.4.3.1

эффект Холла квантовый аномальный

3.4.3.2

эффект Холла квантовый дробный

3.4.3.3

FLG-графен

3.1.2.10

2D-гетероструктура

3.1.3.1

2D-гетероструктура вертикальная

3.1.3.2

2D-гетероструктура плоскостная

3.1.3.3

2D-материал

3.1.1.1

2LG

3.1.2.6

3LG

3.1.2.9

АВ stacking

3.4.1.10

ABC stacking

3.4.1.11

AES

3.3.2.1

AFM

3.3.1.2

aggregate

3.1.1.7

ALD

3.2.1.19

alcohol precursor growth

3.2.1.8

angle resolved photoemission spectroscopy

3.3.3.5

anodic bonding

3.2.1.10

anomalous quantum Hall effect

3.4.3.2

ARPES

3.3.3.5

atomic force microscopy

3.3.1.2

atomic layer deposition

3.2.1.19

Auger electron spectroscopy

3.3.2.1

Bernal stacking

3.4.1.10

bilayer graphene

3.1.2.6

bottom-up precursor growth

3.2.2.4

buffer layer

3.4.1.16

carbon nanotube unzipping

3.2.2.1

chemical doping

3.4.2.3

chemical synthesis

3.2.1.7

chemical vapour deposition

3.2.1.1

CVD

3.2.1.1

defect

3.4.1.1

dislocation defect

3.4.1.9

domain size

3.4.1.14

doping

3.4.2.3

EDS

3.3.2.4

EDX

3.3.2.4

EELS

3.3.2.3

electrochemical doping

3.4.2.5

electrochemical exfoliation

3.2.1.14

electron beam lithographic patterning

3.2.2.5

electron energy loss spectroscopy

3.3.2.3

energy-dispersive X-ray spectroscopy

3.3.2.4

epitaxial graphene

3.1.2.5

exfoliation via chemical intercalation

3.2.1.13

few-layer graphene

3.1.2.10

flake size

3.4.1.15

FLG

3.1.2.10

four point probe method

3.3.3.1

four-terminal sensing

3.3.3.1

fractional quantum Hall effect

3.4.3.3

gas phase synthesis

3.2.1.18

GNP

3.2.11

GO

3.1.2.13

grain boundary

3.4.1.8

graphane

3.1.2.3

graphene

3.1.2.1

graphene Hall bar setup

3.3.3.2

graphene layer

3.1.2.1

graphene nanoplate

3.2.11

graphene nanoplatelet

3.1.2.11

graphene oxide

3.1.2.13

graphene precipitation

3.2.1.6

graphite

3.1.2.2

graphite oxidation

3.2.1.15

graphite oxide

3.1.2.12

growth on silicon carbide

3.2.1.5

Hummers’ method

3.2.1.16

ICP-MS

3.3.2.6

inductively coupled plasma mass spectrometry

3.3.2.6

ion beam lithographic patterning

3.2.2.6

Kelvin-probe force microscopy

3.3.3.3

KPFM

3.3.3.3

laser ablation

3.2.1.11

lateral size

3.4.1.15

layer

3.1.1.5

LEED

3.3.1.10

LEEM

3.3.1.9

line defect

3.4.1.5

liquid-phase exfoliation

3.2.1.4

low energy electron diffraction

3.3.1.10

low energy electron microscopy

3.3.1.9

MBE

3.2.1.9

mechanical exfoliation

3.2.1.3

molecular beam epitaxy

3.2.1.9

monolayer graphene

3.1.2.1

nanofoil

3.1.1.3

nanoplate

3.1.1.2

nanoribbon

3.1.1.4

nanosheet

3.1.1.3

nanotape

3.1.1.4

non-contact microwave method

3.3.3.7

oxygen content

3.4.2.7

РЕЕМ

3.3.3.6

perfluorographane

3.1.2.4

photoelectron emission microscopy

3.3.3.6

photoexfoliation

3.2.1.12

photoluminescence spectroscopy

3.3.1.7

planar defect

3.4.1.6

PL spectroscopy

3.3.1.7

point defect

3.4.1.2

quantum dot

3.1.1.6

Raman spectroscopy

3.3.1.6

reduced graphene oxide

3.1.2.14

rGO

3.1.2.14

rhombohedral stacking

3.4.1.11

roll-to-roll production

3.2.1.2

R2R production

3.2.1.2

scanning electron microscopy

3.3.1.4

scanning-probe microscopy

3.3.1.1

scanning tunnelling microscopy

3.3.1.3

SEM

3.3.1.4

single-layer graphene

3.1.2.1

SPM

3.3.1.1

3.4.1.7

stacking angle

3.4.1.12

STM

3.3.1.3

Stone-Wales defect

3.4.1.17

substitution defect

3.4.1.4

substrate induced doping

3.4.2.6

substrate interference effects

3.4.3.1

surface contamination

3.4.2.1

tBLG

3.1.2.7

ТЕМ

3.3.1.5

templated CVD growth

3.2.2.3

templated growth on SiC

3.2.2.2

TG

3.3.2.5

thermal exfoliation of graphite oxide

3.2.1.17

thermal gravimetry

3.3.2.5

transfer residue

3.4.2.2

transmission electron microscopy

3.3.1.5

trilayer graphene

3.1.2.9

turbostratic bilayer graphene

3.1.2.7

turbostratic stacking

3.4.1.13

twisted bilayer graphene

3.1.2.7

twisted few-layer graphene

3.1.2.8

two-dimensional material

3.1.1.1

t(n+m)LG

3.1.2.8

t2LG

3.1.2.7

ultraviolet photoelectron spectroscopy

3.3.3.4

UPS

3.3.3.4

vacancy defect

3.4.1.3

XPS

3.3.2.2

X-ray diffraction

3.3.1.8

X-ray photoelectron spectroscopy

3.3.2.2

XRD

3.3.1.8

2D heterostructure

3.1.3.1

2D in-plane heterostructure

3.1.3.3

2D vertical heterostructure

3.1.3.2

2LG

3.1.2.6

3LG

3.1.2.9

2D material

3.1.1.1

[1]

ISO 18115-1:2013

Surface chemical analysis - Vocabulary - Part 1: General terms and terms used in spectroscopy (Химический анализ поверхности. Словарь. Часть 1. Общие термины и термины, используемые в спектроскопии)

[2]

ISO 18115-2:2013

Surface chemical analysis - Vocabulary - Part 2: Terms used in scanning probe microscopy (Химический анализ поверхности. Словарь. Часть 2. Термины, используемые в растровой микроскопии)

[3]

ISO/TS 80004-2:2015

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 2: Nano-objects (Нанотехнологии. Словарь. Часть 2. Нанообъекты)

[4]

ISO/TS 80004-3:2010

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 3: Carbon nano-objects (Нанотехнологии. Словарь. Часть 3. Углеродные нанообъекты)

[5]

ISO/TS 80004-6:2013

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 6: Nano-object characterization (Нанотехнологии. Словарь. Часть 6. Определение характеристик нанообъектов)

[6]

ISO/TS 80004-8:2013

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 8: Nanomanufacturing processes (Нанотехнологии. Словарь. Часть 8. Нанотехнологические процессы производства)

[7]

ISO/TS 80004-11:2017

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 11: Nanolayer, nanocoating, nanofilm, and related terms processes (Нанотехнологии. Словарь. Часть 11. Нанослой, нанопокрытие, нанопленка и связанные с ними термины)

[8]

ISO/TS 80004-12:2016

Nanotechnologies - Vocabulary - Part 12: Quantum phenomena in nanotechnology (Нанотехнологии. Словарь. Часть 12. Квантовые явления в нанотехнологиях)

[9]

IEC 62341-1-2:2014

Organic light emitting diode (OLED) displays - Part 1-2: Terminology and letter symbols (Дисплеи на органических светоизлучающих диодах (OLED). Часть 1-2. Терминология и буквенные обозначения)

[10]

Partoens В., & Peeters F.M. From graphene to graphite: Electronic structure around the K point. Phys. Rev. B. 2006, 74 p.075404

[11]

Hummers W.S., & Offeman R.E. Preparation of Graphitic Oxide. Journal of the American Chemical Society. 1958, 80 (6):1339

УДК 53.04:006.354

ОКС 01.040.07

07.120

Ключевые слова: нанотехнологии, графен, двухмерные материалы, термины и определения, нанопластина, графан, слой графена