ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение:

ГОСТ 18177-81

Наименование:

Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Статус:

Действует

Дата введения:

01.01.1983

Дата отмены:

Заменен на:

Код ОКС:

01.040.17, 17.240

Скачать ГОСТ 18177-81.pdf Скачать ГОСТ 18177-81.doc

Текст ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

ГОСТ 18177-81

Группа Ф00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor detectors of ionizing radiation.
Terms and definitions

ОКСТУ 4364*

__________________

* Введено дополнительно, Изм. N 1.

Дата введения 1983-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1981 г. N 4455 срок введения установлен с 01.01.1983 г.

ВЗАМЕН ГОСТ 18177-72

ВНЕСЕНА поправка, опубликованная в ИУС N 6, 1983 год

Поправка внесена изготовителем базы данных по тексту ИУС N 6, 1983 год

ВНЕСЕНО Изменение N 1, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 06.07.87 N 3036 с 01.01.88

Изменение N 1 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 11, 1987 год

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

1. Стандартизованные термины с определениями приведены в табл.1.

2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается.

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2.3. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-5.

4. Термины и определения общих понятий, используемых в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном приложении.

5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

Таблица 1


Термин	Определение
ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
1. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения ППД D. Halbleiterdetektor Е. Semiconductor detector F. semi-conducteur	По ГОСТ 14105-76
2. Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Импульсный ППД D. Impulshalbleiterdetektor Е. Pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является совокупность электрических импульсов, причем каждой ионизирующей частице, провзаимодействовавшей с материалом чувствительной области детектора, соответствует один импульс выходного сигнала
3. Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Пропорциональный импульсный ППД D. Linearer Impulshalbleiterdetektor Е. Linear pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions,	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала пропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области
4. Непропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Непропорциональный импульсный ППД D. Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor Е. Non-linear pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions, non	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала непропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области
5. Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Аналоговый ППД D. Analoger Halbleiterdetektor Е. Analogue semiconductor detector F. semi-conducteur analogique	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является электрический ток или заряд, причем указанные физические величины являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирующего излучения, в котором находится детектор
6. Токовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Токовый ППД D. Strom-Halbleiterdetektor Е. Current semiconductor detector F. semi-conducteur courant	Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении или регистрации физической величины, характеризующей плотность потока или перенос энергии ионизирующего излучения
7. Спектрометрический полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Спектрометрический ППД	Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении энергии ионизирующих частиц или энергетического распределения ионизирующего излучения
8. Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Счетный ППД	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении потока, плотности потока или переноса ионизирующих частиц, мощности экспозиционной дозы или экспозиционной дозы фотонного излучения
9. Временной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Временной ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении моментов взаимодействия ионизирующих частиц с веществом чувствительной области детектора
10. Пролетный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Пролетный ППД D. Durchschuss-Halbleiterdetektor Е. Transmission semiconductor detector F. semi-conducteur transmission	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении удельных потерь энергии заряженных частиц в веществе чувствительной области детектора
11. Позиционный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Позиционный ППД	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении координат места регистрации заряженной частицы в чувствительной области детектора
12. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с структурой ППД с структурой	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода
13. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с структурой ППД с структурой	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является -область структуры
14. Поверхностно-барьерный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Поверхностно-барьерный ППД D. Е. Surface-barrier semi-conductor detector F. semi-conducteur de surface	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода Шоттки
15. Однородный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Однородный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий омические переходы, чувствительной областью которого является однородный по типу электропроводности полупроводниковый материал
16. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с поверхностным барьером ППД с поверхностным барьером	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий переход Шоттки
17. Усиливающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Усиливающий ППД D. Halbleiterdetektor mit innerer Е. Amplifying semiconductor detector F. semi-conducteur amplification interne	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит размножение зарядов, образованных ионизирующей частицей в чувствительной области детектора
18. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения из особо чистого германия ППД ОЧГ	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается из особо чистого германия с концентрацией атомов электрически активных примесей не более 3·10 см
19. Диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Диффузионный ППД D. Halbleiterdetektor mit diffundierter Sperrschicht Е. Diffused junction semiconductor detector F. semi-conducteur jonction	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал
20. Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Дрейфовый ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в результате дрейфа ионов легирующей примеси в полупроводниковый материал. Примечание. Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит дрейф ионов лития, называется литий-дрейфовым
21. Диффузионно-дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Диффузионно-дрейфовый ППД	Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в полупроводниковый материал которого легирующая примесь введена в результате диффузии
22. Радиационный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Радиационный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в результате технологической обработки полупроводникового материала ионизирующим излучением
23. Планарный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Планарный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями
24. Коаксиальный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Коаксиальный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его центральной оси
25. Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Составной ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором в единую конструкцию объединены несколько полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
26. Мозаичный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Мозаичный ППД	Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувствительных областей отдельных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
27. Монолитный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Монолитный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивно-технологическое исполнение которого обеспечивает отсутствие внутренних пустот
28. Конверторный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Конверторный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивные элементы которого содержат вещества, преобразующие первичное излучение так, что регистрация этого излучения проводится с большей эффективностью
28а. Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Запоминающий ППд	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, информационным параметром которого является долговременное изменение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом детектора
ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
29. Чувствительная область полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительная область ППД D. Empfindliches Volumen eines HaIbleiterdetektors E. Sensitive volume of a semiconductor detector F. Volume utile d'un semi-conducteur	Часть объема полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора. Примечание. Для конверторного полупроводникового детектора ионизирующего излучения данное определение относится ко вторичному ионизирующему излучению
30. Мертвый слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения Мертвый слой ППД D. Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors E. Total detector dead layer of a semiconductor detector F. Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur	Часть полупроводникового детектора ионизирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувствительной областью детектора, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с веществом не приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора
31. Входное окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения Входное окно ППД D. Fenster einer Halbleiterdetektors E. Window of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur	Часть наружной поверхности полупроводникового детектора ионизирующего излучения, через которую регистрируемое непосредственно ионизирующее излучение попадает в чувствительную область детектора
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
32. Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения Диапазон рабочих напряжений ППД		Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в котором один или несколько параметров детектора находятся в заданных пределах
33. Максимально допустимое напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения Максимально допустимое напряжение ППД		Наибольшее значение электрического напряжения, приложенного к сигнальным выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров детектора
34. Оптимальное напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Оптимальное напряжение спектрометрического ППД		Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором достигается наименьшее значение энергетического разрешения детектора
35. Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения Емкость ППД		Электрическая емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора
36. Темновой ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения Темновой ток ППД D. Dunkelstrom eines Halbleiterdetektors E. Leakage current of a semiconductor detector F. Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur		Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора
37. Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения Шум ППД		Среднее квадратическое значение флуктуации электрического заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора
38. Энергетический эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения Энергетический эквивалент шума ППД		Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения, выраженный в энергетических единицах, то есть умноженный на 2,355 и деленный на коэффициент преобразования материала детектора
39. Средняя частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения Средняя частота следования фоновых импульсов ППД		Усредненное во времени число импульсов на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного значения и не связанных с регистрацией внешних ионизирующих излучений
ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
40. Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительность ППД D. Empfindlichkeit eines Halbleiterdetektors E. Sensitivity of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur		Отношение изменения информативного параметра выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к изменению физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле
41. Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Дискретная чувствительность ППД		Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излучения за время набора указанных импульсов
42. Аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Аналоговая чувствительность ППД		Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является электрический ток или заряд, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является физическая величина, характеризующая плотность потока или перенос энергии
43. Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительность спектрометрического ППД		Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов в пике полного поглощения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос ионизирующих частиц данной энергии за время набора указанных импульсов
44. Абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Абсолютная эффективность спектрометрического ППД D. Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit Е. Total absorption detection effiency F. Rendement d'absorption totale de		Отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к числу ионизирующих частиц, испускаемых точечным источником, установленным на определенном расстоянии от детектора, в угле 4
45. Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения ПШПВ ППД D. Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors E. Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector F. Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur		Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на полувысоте этого распределения, соответствующего полному поглощению регистрируемого моноэнергетического излучения в чувствительной области детектора
46. Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на одной десятой высоты распределения ПШДВ ППД		Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на одной десятой высоты этого распределения, соответствующего полному поглощению регистрируемого моноэнергетического излучения в чувствительной области детектора
47. Относительное энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Относительное энергетическое разрешение спектрометрического ППД		Отношение энергетического разрешения спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения к значению энергии, соответствующему максимуму пика распределения амплитуд выходного сигнала детектора, по которому определено это отношение
48. Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора фотонного излучения Отношение пик-комптон ППД		Отношение числа отсчетов в максимуме пика полного поглощения распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к усредненному числу отсчетов, соответствующих плато комптоновского распределения данной энергии
49. Временное разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения Временное разрешение ППД		Ширина распределения интервалов времени от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полупроводникового детектора ионизирующего излучения до момента, когда амплитуда импульса выходного сигнала детектора достигает заданного значения, измеренная на полувысоте этого распределения
50. Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД D. Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors E. Semiconductor detector electrical rise time F. Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur		Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90% от его максимального значения
51. Радиационная помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения Радиационная помехоустойчивость ППД D. eines Halbleiterdetektors Е. Selectivity of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur		Отношение эффективности или чувствительности полупроводникового детектора при регистрации ионизирующего излучения, для определения характеристик которого он предназначен, к эффективности или чувствительности детектора при регистрации сопутствующего излучения
52. Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя полупроводникового детектора ионизирующего излучения Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя ППД		Потери энергии ионизирующего излучения определенного типа и энергии в мертвом слое полупроводникового детектора при нормальном падении ионизирующего излучения на входное окно детектора
53. Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения Эффективность собирания заряда ППД		Отношение заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора к заряду, создаваемому ионизирующей частицей в чувствительной области детектора. Примечание. Термин не распространяется на усиливающие полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения
54. Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Дискретная эффективность ППд		Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора

(Измененная редакция, Изм. N 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 2


Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения	50
Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД	50
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый	1
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый аналоговый	5
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый временной	9
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионный	19
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый дрейфовый	20
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый диффузионно-дрейфовый	21
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий	28а
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый из особо чистого германия	18
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный	2
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный непропорциональный	4
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый импульсный пропорциональный	3
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый коаксиальный	24
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый конверторный	28
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый мозаичный	26
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый монолитный	27
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый однородный	15
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый планарный	23
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый поверхностно-барьерный	14
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый позиционный	11
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый пролетный	10
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый радиационный	22
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый составной	25
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с структурой	12
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с структурой	13
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый спектрометрический	7
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с поверхностным барьером	16
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый счетный	8
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый токовый	6
Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый усиливающий	17
Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения	32
Диапазон рабочих напряжений ППД	32
Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения	35
Емкость ППД	35
Напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения максимально допустимое	33
Напряжение ППД максимально допустимое	33
Напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения оптимальное	34
Напряжение спектрометрического ППД оптимальное	34
Область полупроводникового детектора ионизирующего излучения чувствительная	29
Область ППД чувствительная	29
Окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения входное	31
Окно ППД входное	31
Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения	48
Отношение пик-комптон ППД	48
Помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения радиационная	51
Помехоустойчивость ППД радиационная	51
ППД	1
ППД аналоговый	5
ППД временной	9
ППД диффузионный	19
ППД диффузионно-дрейфовый	21
ППД дрейфовый	20
ППД ОЧГ	18
ППд запоминающий	28а
ППД импульсный	2
ППД импульсный непропорциональный	4
ППД импульсный пропорциональный	3
ППД коаксиальный	24
ППД конверторный	28
ППД мозаичный	26
ППД монолитный	27
ППД однородный	15
ППД ОЧГ	18
ППД планарный	23
ППД поверхностно-барьерный	14
ППД позиционный	11
ППД пролетный	10
ППД радиационный	22
ППД составной	25
ППД с структурой	12
ППД с структурой	13
ППД спектрометрический	7
ППД с поверхностным барьером	16
ППД счетный	8
ППД токовый	6
ППД усиливающий	17
ПШДВ ППД	46
ПШПВ ППД	45
Разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения временное	49
Разрешение ППД временное	49
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на одной десятой высоты распределения	46
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на полувысоте распределения	45
Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое относительное	47
Разрешение спектрометрического ППД энергетическое относительное	47
Слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения мертвый	30
Слой ППД мертвый	30
Ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения темновой	36
Ток ППД темновой	36
Частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения средняя	39
Частота следования фоновых импульсов ППД средняя	39
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения	40
Чувствительность ППД	40
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения аналоговая	42
Чувствительность ППД аналоговая	42
Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная	41
Чувствительность ППД дискретная	41
Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения	43
Чувствительность спектрометрического ППД	43
Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения	37
Шум ППД	37
Эквивалент толщины мертвого слоя полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетический	52
Эквивалент толщины мертвого слоя ППД энергетический	52
Эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетический	38
Эквивалент шума ППД энергетический	38
Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения дискретная	54
Эффективность ППд дискретная	54
Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения	53
Эффективность собирания заряда ППД	53
Эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения абсолютная	44
Эффективность спектрометрического ППД абсолютная	44

(Измененная редакция, Изм. N 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 3


Analoger Halbleiterdetektor	5
Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors	50
Dunkelstrom eines Halbleiterdetektors	36
Durchschuss-Halbleiterdetektor	10
Empfindlichkeit eines Halbleiterdetektors	40
Empfindliches Volumen eines Halbleiterdetektors	29
Fenster einer Halbleiterdetektors	31
Halbleiterdetektor	1
Halbleiterdetektor mit diffundierter Sperrschicht	19
Halbleiterdetektor mit innerer	17
Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors	45
Impulshalbleiterdetektor	2
Linearer Impulshalbleiterdetektor	3
Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor	4
	14
eines Halbleiterdetektors	51
Strom-Halbleiterdetektor	6
Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit	44
Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors	30

(Измененная редакция, Изм. N 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4


Amplifying semiconductor detector	17
Analogue semiconductor detector	5
Current semiconductor detector	6
Diffused junction semiconductor detector	19
Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector	45
Leakage current of a semiconductor detector	36
Linear pulse semiconductor detector	3
Non-linear pulse semiconductor detector	4
Pulse semiconductor detector	2
Selectivity of a semiconductor detector	51
Semiconductor detector	1
Semiconductor detector electrical rise time	50
Sensitive volume of a semiconductor detector	29
Sensitivity of a semiconductor detector	40
Surface-barrier semiconductor detector	14
Transmission semiconductor detector	10
Total absorption detection effiency	44
Total detector dead layer of a semiconductor detector	30
Window of a semiconductor detector	31

(Измененная редакция, Изм. N 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 5


Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur	36
semi-conducteur	1
semi-conducteur amplification interne	17
semi-conducteur de surface	14
semi-conducteur courant	6
semi-conducteur impulsions	2
semi-conducteur impulsions,	3
semi-conducteur impulsions, non	4
semi-conducteur jonction	19
semi-conducteur analogique	5
semi-conducteur transmission	10
d'un semi-conducteur	31
Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur	45
Rendement d'absorption totale de	44
d'un semi-conducteur	51
d'un semi-conducteur	40
Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur	50
Volume utile d'un semi-conducteur	29
Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur	30

(Измененная редакция, Изм. N 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ


Термин	Определение
1. Контрольный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения Контрольный параметр ППД	Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый и достаточный для достоверного контроля качества изготовления детектора
2. Справочный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения Справочный параметр ППД	Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый потребителю для расчетов электронной регистрирующей аппаратуры, который приводится в технических условиях, обеспечивается конструкцией и технологией изготовления детектора и гарантируется изготовителем на основании измерений или расчетов
3. Радиометрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения Радиометрический параметр ППД	Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в поле ионизирующего излучения
4. Электрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения Электрический параметр ППД	Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в отсутствии поля ионизирующего излучения
5. Номинальная характеристика преобразования полупроводникового детектора ионизирующего излучения Номинальная характеристика преобразования ППД	Номинально приписываемая полупроводниковому детектору ионизирующего излучения зависимость информативного параметра его выходного сигнала от значения физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующих излучений, в котором находится детектор
6. Спектральная характеристика полупроводникового детектора ионизирующего излучения Спектральная характеристика ППД	Зависимость чувствительности полупроводникового детектора ионизирующего излучения от энергии ионизирующих частиц падающего на детектор моноэнергетического излучения
7. Радиационная стойкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения Радиационная стойкость ППД	Свойство полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохранять свои параметры в пределах установленных норм после воздействия ионизирующего излучения, для регистрации которого детектор не предназначен
8. Предельно допустимое облучение полупроводникового детектора ионизирующего излучения Предельно допустимое облучение ППД	Максимальная плотность потока ионизирующих частиц или мощность экспозиционной дозы фотонного излучения, при которых параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохраняются в пределах, установленных в технической документации на конкретный тип детектора
9. Сигнальный вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения Сигнальный вывод ППД	Вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения, электрически связанный с его чувствительной областью
10. Коэффициент преобразования материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения Коэффициент преобразования материала ППД	Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в определенном объеме полупроводникового материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения ионизирующей частицей, к энергии, теряемой частицей в этом объеме. Примечание. Для германия коэффициент преобразования принят равным 0,37 Кл/Дж (59 аКл/кэВ), для кремния - 0,22 Кл/Дж (45 аКл/кэВ)
11. Длительность фронта нарастания сигнала детектора	Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детектора ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимального значения
12. Радиационный ресурс	Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки

(Измененная редакция, Изм. N 1).

Текст документа сверен по:

М.: Издательство стандартов, 1982

Изготовителем базы данных в

текст документа внесено Изменение N 1,

утвержденное Постановлением

Госстандарта СССР от 06.07.87 N 3036

allgosts.ru

Превью ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Текст ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

ПРИЛОЖЕНИЕСправочное

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное