ГОСТ 19480-89
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
МКС 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6301
Дата введения 1991-01-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
Л.Р.Хворостьян, В.Ф.Марушкин, Е.Ф.Мещанкин, Ю.В.Назаров, Л.С.Жирякова
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 N 3960
3. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748-1, МЭК 748-2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817-88, СТ СЭВ 4755-84, СТ СЭВ 4756-84
4. ВЗАМЕН ГОСТ 19480-74
5. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-4.
4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- | междуна- | ||
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |||
1. Параметр интегральной микросхемы Параметр | Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы | ||
2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы Номинальное значение параметра | Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений | ||
3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра | - | Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности | |
4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы Допустимый диапазон значений параметра | - | Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации | |
5. Отклонение параметра интегральной микросхемы Отклонение параметра | - | Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением | |
6. Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы Относительное отклонение параметра | - | Отношение отклонения параметра интегральной микросхемы к его номинальному значению | |
7. Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы Напряжение (ток) управления | - | Напряжение (ток), управляющее функциональным назначением интегральной микросхемы | |
8. Температурный коэффициент параметра интегральной микросхемы Температурный коэффициент параметра | Отношение изменения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды | ||
9. Нестабильность параметра интегральной микросхемы Нестабильность параметра | - | Отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его дистабилизирующему фактору | |
10. Максимальное значение параметра интегральной микросхемы Максимальное значение параметра | Наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям | ||
11. Минимальное значение параметра интегральной микросхемы Минимальное значение параметра | Наименьшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям | ||
ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
12. Напряжение питания интегральной микросхемы Напряжение питания | Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы | ||
13. Входное напряжение интегральной микросхемы Входное напряжение | Напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
14. Выходное напряжение интегральной микросхемы Выходное напряжение | Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы Напряжение срабатывания | Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы Напряжение отпускания | Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
17. Входной ток интегральной микросхемы Входной ток | Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
18. Выходной ток интегральной микросхемы Выходной ток | Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
19. Ток утечки интегральной микросхемы Ток утечки | Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах | ||
20. Ток потребления интегральной микросхемы Ток потребления | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме | ||
21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы Ток короткого замыкания E. Short-circuit current F. Courant de court-circuit | Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе | ||
22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы Потребляемая мощность | Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания | ||
23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы Рассеиваемая мощность | Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме | ||
24. Входное сопротивление интегральной микросхемы Входное сопротивление | Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала | ||
25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы Выходное сопротивление | Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала | ||
26. Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы Сопротивление нагрузки | Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы | ||
27. Входная емкость интегральной микросхемы Входная емкость | Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты | ||
28. Выходная емкость интегральной микросхемы Выходная емкость | Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты | ||
29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы Емкость нагрузки | Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы | ||
30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы Время нарастания сигнала Е. Rise time G. Temps de croissance | Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала | ||
31. Время спада сигнала интегральной микросхемы Время спада сигнала E. Fall time F. Temps de decroissance | Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала | ||
32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы Длительность фронта входного сигнала | - | Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 номинального значения | |
33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы Длительность спада входного сигнала | - | Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 номинального значения | |
34. Чувствительность интегральной микросхемы Чувствительность | - | Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы Входное напряжение покоя | Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом | ||
36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы Выходное напряжение покоя | Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом | ||
37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы Напряжение коммутируемое | Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы | ||
38. Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Напряжение смещения нуля E. Input offset voltage F. Tension de | Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению | ||
39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы Напряжение шума на выходе E. Output noise voltage F. Tension de bruit en sortie | Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы | ||
40. Приведенное ко входу напряжение шума интегральной микросхемы Приведенное ко входу напряжение шума | Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения | ||
41. Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы Синфазные входные напряжения | Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают | ||
42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы Входное напряжение ограничения | Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину | ||
43. Остаточное напряжение интегральной микросхемы Остаточное напряжение | Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока | ||
44. Разность входных токов интегральной микросхемы Разность входных токов | Разность значений токов, протекающих через дифференциальный вход интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
45. Средний входной ток интегральной микросхемы Средний входной ток | Среднеквадратическое значение входных токов интегральной микросхемы | ||
46. Коммутируемый ток интегральной микросхемы Коммутируемый ток | Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа | ||
47. Выходная мощность интегральной микросхемы Выходная мощность | Мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
48. Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Нижняя граничная частота полосы пропускания | Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
49. Верхняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Верхняя граничная частота полосы пропускания | Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
50. Частота коммутации интегральной микросхемы Частота коммутации | Частота, с которой интегральная микросхема коммутирует ток | ||
51. Центральная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Центральная частота полосы пропускания | Частота, равная полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной микросхемы | ||
52. Полоса пропускания интегральной микросхемы Полоса пропускания | Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления интегральной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диапазона | ||
53. Полоса задерживания интегральной микросхемы Полоса задерживания | Диапазон частот между верхней и нижней частотами полосы задерживания интегральной микросхемы | ||
54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы Нижняя частота полосы задерживания | Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте | ||
55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы Верхняя частота полосы задерживания | Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте | ||
56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы Частота единичного усиления Ндп. Полоса единичного усиления E. Frequency of unity (open loop) amplification F. | Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице | ||
57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы Частота входного сигнала | Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию | ||
58. Частота генерирования интегральной микросхемы Частота генерирования | - | ||
59. Время успокоения интегральной микросхемы Время успокоения E. Ripple time F. Temps de vacillement | Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня | ||
60. Время задержки импульса интегральной микросхемы Время задержки E. Delay time F. Temps de | Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока | ||
61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы Коэффициент усиления напряжения | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению | ||
62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы Коэффициент усиления тока | Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току | ||
63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы Коэффициент усиления мощности | Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности | ||
64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиления синфазных входных напряжений E. Common-mode voltage amplification F. Amplification en tension en mode commun | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению | ||
65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений E. Common-mode rejection ratio F. Taux de | Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений | ||
66. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля | Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания | ||
67. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению E. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension en mode | Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме | ||
68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы Коэффициент гармоник | Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник | ||
69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Диапазон АРУ | Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах | ||
70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Скорость нарастания выходного напряжения Ндп. Скорость отслеживания | Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы | ||
71. Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности АЧХ | - | Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7 | |
72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент пульсаций | - | Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхемы к значению постоянной составляющей напряжения | |
73. Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент умножения частоты | - | Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала | |
74. Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы Коэффициент деления частоты | - | Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала | |
75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы Крутизна преобразования | - | Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ | |||
76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения | ||
77. Напряжение шума интегральной микросхемы Напряжение шума | Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю | ||
78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы Эффективное напряжение шума | Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы | ||
79. Размах шума интегральной микросхемы Размах шума | Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы, повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю | ||
80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы Нормированная ЭДС шума | Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума | ||
81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы Нормированный ток шума | Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума | ||
82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Максимальная скорость нарастания выходного напряжения | Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения | ||
83. Частота среза интегральной микросхемы Частота среза E. Open-loop cut-off frequency F. | Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте | ||
84. Частота полной мощности интегральной микросхемы Частота полной мощности | Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы Время успокоения выходного напряжения | Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины | ||
86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы Коэффициент разделения каналов | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала | ||
87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы Временной коэффициент входного тока | Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | ||
88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы Временной коэффициент разности входных токов | Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | ||
89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы Временной коэффициент напряжения смещения нуля | Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ | |||
90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы Диапазон входных напряжений E. Input voltage operating range F. Domaine de fonctionnement de la tension | Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального | ||
91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Напряжение АРУ | Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах | ||
92. Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Напряжение задержки АРУ | Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным | ||
93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы Напряжение пульсаций источника питания | Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы | ||
94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Ток АРУ | Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах | ||
95. Частота резонанса интегральной микросхемы Частота резонанса | Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное значение | ||
96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы Частота квазирезонанса | - | Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает минимальное значение | |
97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) | Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала | ||
98. Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы Динамический диапазон по напряжению | Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения | ||
99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики | Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону | ||
100. Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент неравномерности АЧХ | Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в децибелах | ||
101. Коэффициент шума интегральной микросхемы Коэффициент шума | Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот | ||
102. Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы Коэффициент интермодуляционных искажений | Отношение среднеквадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах | ||
103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент полезного действия | Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности | ||
104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы Крутизна проходной характеристики | Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы | ||
105. Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы Отношение сигнал/шум | Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот | ||
106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы Фазовый сдвиг Ндп. Сдвиг фаз | Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
107. Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы Диапазон выходных напряжений E. Output voltage operating range F. Domaine de fonctionnement de la tension de sortie | Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы | ||
108. Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы Напряжение считывания обратной связи E. Feedback sense voltage F. Tension de lecture de | - | Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы | |
109. Опорное напряжение интегральной микросхемы Опорное напряжение E. Reference voltage F. Tension de | Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой | ||
110. Падение напряжения на интегральной микросхеме Падение напряжения | - | Разность между входным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме | |
111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме Минимальное падение напряжения | - | Наименьшее значение падения напряжения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям | |
112. Ток холостого хода интегральной микросхемы Ток холостого хода | Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе | ||
113. Время готовности интегральной микросхемы Время готовности | Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям | ||
114. Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы Время восстановления по напряжению E. Input transient voltage recovery time F. Temps de recouvrement de la tension transitoire | Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение | ||
115. Время восстановления по току интегральной микросхемы Время восстановления по току E. Input transient curtent recovery time F. Temps de recouvrement du courant transitoire | Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение | ||
116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Взаимная нестабильность по напряжению | Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы Взаимная нестабильность по току | Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
118. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению | Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
119. Нестабильность по току интегральной микросхемы Нестабильность по току | Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы Нестабильность по нагрузке | - | Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
121. Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации входного напряжения E. Input stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la tension | Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
122. Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации нагрузки E. Load stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la charge | Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент сглаживания пульсаций E. Ripple rejection ratio F. Taux de | Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты | ||
124. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы Дрейф выходного напряжения E. Output voltage drift F. | Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы Дрейф выходного тока E. Output current drift F. | Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы Температурный коэффициент выходного тока | Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы Напряжение гистерезиса | Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы | ||
128. Напряжение синхронизации интегральной микросхемы Напряжение синхронизации | - | Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна частоте напряжения синхронизации | |
129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы Полоса захвата синхронизации | - | Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы на частоте синхронизирующего сигнала | |
130. Коммутируемая мощность интегральной микросхемы Коммутируемая мощность | - | Значение мощности, определяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднеквадратическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы | |
131. Коэффициент передачи интегральной микросхемы Коэффициент передачи | - | Отношение абсолютного значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ | |||
132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Управляющее напряжение низкого уровня | Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы | ||
133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Управляющее напряжение высокого уровня | Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы | ||
134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы Ток утечки аналогового входа | Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах) | ||
135. Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы Ток утечки аналогового выхода | Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах) | ||
136. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы Входной ток низкого уровня управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения низкого уровня | ||
137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения высокого уровня | ||
138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня | ||
139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня | ||
140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы Сопротивление в открытом состоянии | Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале | ||
141. Время включения интегральной микросхемы Время включения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения | ||
142. Время выключения интегральной микросхемы Время выключения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения | ||
143. Время переключения интегральной микросхемы Время переключения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения | ||
144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе | Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения | ||
145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Емкость управляющего входа | Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | ||
146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы Емкость аналогового входа | Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | ||
147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы Емкость аналогового выхода | Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | ||
148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы Емкость между аналоговыми выходом и входом | Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | ||
149. Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы Частота управляющего напряжения | Частота напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы при заданной скважности, при которой значения выходного напряжения низкого и высокого уровней удовлетворяют заданным значениям | ||
150. Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом | Отношение переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения | ||
151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала между каналами | Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения | ||
152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент передачи по напряжению | Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
153. Напряжение Напряжение | Напряжение Примечание. | ||
154. Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Входное напряжение низкого уровня | Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы. Примечание. Напряжение низкого уровня - наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение | ||
155. Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Входное напряжение высокого уровня | Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы. Примечание. Напряжение высокого уровня - наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение | ||
156. Прямое падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы Прямое падение напряжения на антизвонном диоде | Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод | ||
157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение высокого уровня | - | ||
158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение низкого уровня | - | ||
159. Ток потребления Ток потребления | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от | ||
160. Динамический ток потребления интегральной микросхемы Динамический ток потребления | Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения | ||
161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы Входной ток низкого уровня | Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы | ||
162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня | Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы | ||
163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня | Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы | ||
164. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня | Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы | ||
165. Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток в состоянии "Выключено" | Выходной ток интегральной микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоянии выхода | ||
166. Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" | Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня | ||
167. Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" | Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня | ||
168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы Ток утечки на входе | Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах | ||
169. Ток утечки на выходе интегральной микросхемы Ток утечки на выходе | Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах | ||
170. Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на входе | Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
171. Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на входе | Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на выходе | Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на выходе | Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
174. Потребляемая мощность Потребляемая мощность | Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от | ||
175. Время перехода при включении интегральной микросхемы Время перехода при включении | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы Время перехода при выключении | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
177. Время выбора интегральной микросхемы Время выбора | Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации | ||
178. Время сохранения сигнала интегральной микросхемы Время сохранения E. Valid time F. Temps de validation | Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным | ||
179. Время хранения информации интегральной микросхемы Время хранения информации | Интервал времени, в течение которого интегральная микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет информацию | ||
180. Время установления входных сигналов интегральной микросхемы Время установления входных сигналов E. Set-up time F. Temps de | Интервал времени между началом сигнала на заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа | ||
181. Время цикла интегральной микросхемы Время цикла E. Cycle time F. Temps de cycle | Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций | ||
182. Время восстановления интегральной микросхемы Время восстановления | Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе интегральной микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла | ||
183. Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы Время задержки распространения при включении | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения | ||
184. Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы Время задержки распространения при выключении | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения | ||
185. Время задержки включения интегральной микросхемы Время задержки включения | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения | ||
186. Время задержки выключения интегральной микросхемы Время задержки выключения | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
187. Длительность сигнала интегральной микросхемы Длительность сигнала | Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы | ||
188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала низкого уровня | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала высокого уровня | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
190. Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Частота следования импульсов тактовых сигналов | - | ||
191. Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Период следования импульсов тактовых сигналов | Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
192. Помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы Помехоустойчивость при низком уровне сигнала | Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы | ||
193. Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала | Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напряжением высокого уровня интегральной микросхемы | ||
194. Емкость входа/выхода интегральной микросхемы Емкость входа/выхода | Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное пороговое напряжение высокого уровня | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе | ||
196. Выходное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное пороговое напряжение низкого уровня | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе | ||
197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Входное пороговое напряжение высокого уровня | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
198. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Входное пороговое напряжение низкого уровня | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | ||
199. Входное напряжение блокировки интегральной микросхемы Входное напряжение блокировки | Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока | ||
200. Входной пробивной ток интегральной микросхемы Входной пробивной ток | Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме | ||
201. Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения низкого уровня | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня | ||
202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения высокого уровня | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня | ||
203. Средний ток потребления интегральной микросхемы Средний ток потребления | Ток, равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях | ||
204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы Средняя потребляемая мощность | Мощность, равная полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях | ||
205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы Среднее время задержки распространения | Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы | ||
206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено" | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено" | ||
207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено" | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено" | ||
208. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня | ||
209. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня | ||
210. Рабочая частота интегральной микросхемы Рабочая частота | Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные уровни напряжений | ||
211. Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы Коэффициент разветвления по выходу | Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы. Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем | ||
212. Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы Коэффициент объединения по входу | Число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
213. Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы Напряжение инжектора при заданном токе инжектора | - | ||
214. Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение низкого уровня | Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы | ||
215. Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение высокого уровня | Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы | ||
216. Минимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение низкого уровня | Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы | ||
217. Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение высокого уровня | Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы | ||
218. Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение низкого уровня | Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы | ||
219. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Минимальное выходное напряжение высокого уровня | Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы | ||
220. Ток инжектора интегральной микросхемы Ток инжектора | Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
221. Ток потребления в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Ток потребления в состоянии "Выключено" | Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода. Примечание. Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ | |||
222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы Напряжение питания в режиме хранения | Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы | ||
223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение сигнала входной информации | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала входной информации | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала входной информации | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение сигнала выходной информации | Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы | ||
227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации | Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню | ||
228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации | Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню | ||
229. Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение сигнала записи | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему | ||
230. Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала записи | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему | ||
231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала записи | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему | ||
232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | ||
233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала считывания | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | ||
234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала считывания | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | ||
235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала разрешения | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала разрешения | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала разрешения | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение сигнала адреса | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала адреса | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала адреса | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
241. Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение сигнала запись-считывание | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания | ||
242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание | Наибольшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания | ||
243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания | ||
244. Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
245. Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы Напряжение тактового сигнала | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени | ||
248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса столбцов | Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | ||
249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов | Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню | ||
250. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов | Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню | ||
251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса строк | Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | ||
252. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк | Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню | ||
253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк | Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню | ||
254. Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала "стирание" интегральной микросхемы, обеспечивающее стирание информации | ||
255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы Напряжение сигнала программирования | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала программирования интегральной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием | ||
256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы Ток потребления в режиме хранения | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации | ||
257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы | ||
258. Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | ||
259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток высокого уровня сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | ||
260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток сигнала выходной информации | Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы | ||
261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала выходной информации | Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | ||
262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток высокого уровня сигнала выходной информации | Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | ||
263. Ток сигнала записи интегральной микросхемы Ток сигнала записи | Ток в цепи сигнала записи интегральной микросхемы | ||
264. Ток сигнала считывания интегральной микросхемы Ток сигнала считывания | Ток в цепи сигнала считывания интегральной микросхемы | ||
265. Ток сигнала адреса интегральной микросхемы Ток сигнала адреса | Ток в цепи сигнала адреса интегральной микросхемы | ||
266. Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Ток сигнала запись-считывание | Ток в цепи сигнала запись-считывание интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
267. Ток сигнала выбора интегральной микросхемы Ток сигнала выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
268. Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы Ток низкого уровня по входу выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | ||
269. Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы Ток высокого уровня по входу выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | ||
270. Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы Ток сигнала разрешения | Ток в цепи сигнала разрешения интегральной микросхемы | ||
271. Ток сигнала стирания интегральной микросхемы Ток сигнала стирания | Ток в цепи сигнала стирания интегральной микросхемы | ||
272. Ток тактового сигнала интегральной микросхемы Ток тактового сигнала | Ток в цепи импульсного питания интегральной микросхемы динамических запоминающих устройств | ||
273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса столбцов | Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | ||
274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса строк | Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | ||
275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы Динамическая потребляемая мощность | Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме | ||
276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы Потребляемая мощность в режиме хранения | Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания | ||
277. Время выборки интегральной микросхемы Время выборки E. Access time F. Temps | Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы | ||
278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы Время удержания E. Hold time F. Temps de maintien | Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа | ||
279. Время цикла записи информации интегральной микросхемы Время записи информации | Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации | ||
280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы Время считывания | Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации | ||
281. Время регенерации интегральной микросхемы Время регенерации E. Refresh time interval F. Intervalle de temps de | Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения | ||
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин | Номер термина |
Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе | 144 |
Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы | 144 |
Время включения | 141 |
Время включения интегральной микросхемы | 141 |
Время выключения | 142 |
Время выключения интегральной микросхемы | 142 |
Время восстановления | 182 |
Время восстановления интегральной микросхемы | 182 |
Время восстановления по напряжению | 114 |
Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы | 114 |
Время восстановления по току | 115 |
Время восстановления по току интегральной микросхемы | 115 |
Время выбора | 177 |
Время выбора интегральной микросхемы | 177 |
Время выборки | 277 |
Время выборки интегральной микросхемы | 277 |
Время готовности | 113 |
Время готовности интегральной микросхемы | 113 |
Время задержки включения | 185 |
Время задержки включения интегральной микросхемы | 185 |
Время задержки выключения | 186 |
Время задержки выключения интегральной микросхемы | 186 |
Время задержки | 60 |
Время задержки импульса интегральной микросхемы | 60 |
Время задержки распространения интегральной микросхемы среднее | 205 |
Время задержки распространения при включении | 183 |
Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы | 183 |
Время задержки распространения при выключении | 184 |
Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы | 184 |
Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня | 209 |
Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня | 208 |
Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено" | 206 |
Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено" | 207 |
Время задержки распространения среднее | 205 |
Время записи информации | 279 |
Время нарастания сигнала | 30 |
Время нарастания сигнала интегральной микросхемы | 30 |
Время переключения | 143 |
Время переключения интегральной микросхемы | 143 |
Время перехода при включении | 175 |
Время перехода при включении интегральной микросхемы | 175 |
Время перехода при выключении | 176 |
Время перехода при выключении интегральной микросхемы | 176 |
Время регенерации | 281 |
Время регенерации интегральной микросхемы | 281 |
Время сохранения | 178 |
Время сохранения сигнала интегральной микросхемы | 178 |
Время спада сигнала | 31 |
Время спада сигнала интегральной микросхемы | 31 |
Время считывания | 280 |
Время удержания | 278 |
Время удержания интегральной микросхемы | 278 |
Время успокоения | 59 |
Время успокоения интегральной микросхемы | 59 |
Время успокоения выходного напряжения | 85 |
Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы | 85 |
Время установления входных сигналов | 180 |
Время установления входных сигналов интегральной микросхемы | 180 |
Время хранения информации | 179 |
Время хранения информации интегральной микросхемы | 179 |
Время цикла | 181 |
Время цикла записи информации интегральной микросхемы | 279 |
Время цикла интегральной микросхемы | 181 |
Время цикла считывания информации интегральной микросхемы | 280 |
Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы | 69 |
Диапазон АРУ | 69 |
Диапазон входных напряжений | 90 |
Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы | 90 |
Диапазон выходных напряжений | 107 |
Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы | 107 |
Диапазон значений параметра | 3 |
Диапазон значений параметра допустимый | 4 |
Диапазон значений параметра интегральной микросхемы | 3 |
Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый | 4 |
Диапазон по напряжению динамический | 98 |
Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический | 98 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности | 97 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы | 97 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения | 97 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы | 97 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления тока | 97 |
Диапазон регулировки коэффициента усиления тока интегральной микросхемы | 97 |
Длительность сигнала | 187 |
Длительность сигнала высокого уровня | 189 |
Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы | 189 |
Длительность сигнала интегральной микросхемы | 187 |
Длительность сигнала низкого уровня | 188 |
Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы | 188 |
Длительность спада входного сигнала | 33 |
Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы | 33 |
Длительность фронта входного сигнала | 32 |
Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы | 32 |
Дрейф выходного напряжения | 124 |
Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы | 124 |
Дрейф выходного тока | 125 |
Дрейф выходного тока интегральной микросхемы | 125 |
Емкость аналогового входа | 146 |
Емкость аналогового входа интегральной микросхемы | 146 |
Емкость аналогового выхода | 147 |
Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы | 147 |
Емкость входа/выхода | 194 |
Емкость входа/выхода интегральной микросхемы | 194 |
Емкость входная | 27 |
Емкость выходная | 28 |
Емкость интегральной микросхемы входная | 27 |
Емкость интегральной микросхемы выходная | 28 |
Емкость нагрузки | 29 |
Емкость нагрузки интегральной микросхемы | 29 |
Емкость между аналоговыми выходом и входом | 148 |
Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы | 148 |
Емкость управляющего входа | 145 |
Емкость управляющего входа интегральной микросхемы | 145 |
Значение параметра интегральной микросхемы максимальное | 10 |
Значение параметра интегральной микросхемы минимальное | 11 |
Значение параметра интегральной микросхемы номинальное | 2 |
Значение параметра максимальное | 10 |
Значение параметра минимальное | 11 |
Значение параметра номинальное | 2 |
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля | 66 |
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы | 66 |
Коэффициент входного тока временной | 87 |
Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной | 87 |
Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы температурный | 126 |
Коэффициент выходного тока температурный | 126 |
Коэффициент гармоник | 68 |
Коэффициент гармоник интегральной микросхемы | 68 |
Коэффициент деления частоты | 74 |
Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы | 74 |
Коэффициент интермодуляционных искажений | 102 |
Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы | 102 |
Коэффициент напряжения смещения нуля временной | 89 |
Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы временной | 89 |
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики | 99 |
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы | 99 |
Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы | 100 |
Коэффициент неравномерности АЧХ | 100 |
Коэффициент объединения по входу | 212 |
Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы | 212 |
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений | 65 |
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы | 65 |
Коэффициент параметра интегральной микросхемы температурный | 8 |
Коэффициент параметра температурный | 8 |
Коэффициент передачи | 131 |
Коэффициент передачи интегральной микросхемы | 131 |
Коэффициент передачи по напряжению | 152 |
Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы | 152 |
Коэффициент подавления сигнала между каналами | 151 |
Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы | 151 |
Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом | 150 |
Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы | 150 |
Коэффициент полезного действия | 103 |
Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы | 103 |
Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы | 71 |
Коэффициент прямоугольности АЧХ | 71 |
Коэффициент пульсаций | 72 |
Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы | 72 |
Коэффициент разветвления по выходу | 211 |
Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы | 211 |
Коэффициент разделения каналов | 86 |
Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы | 86 |
Коэффициент разности входных токов временной | 88 |
Коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы временной | 88 |
Коэффициент сглаживания пульсаций | 123 |
Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы | 123 |
Коэффициент стабилизации входного напряжения | 121 |
Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы | 121 |
Коэффициент стабилизации нагрузки | 122 |
Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы | 122 |
Коэффициент умножения частоты | 73 |
Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы | 73 |
Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению | 67 |
Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы | 67 |
Коэффициент усиления мощности | 63 |
Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы | 63 |
Коэффициент усиления напряжения | 61 |
Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы | 61 |
Коэффициент усиления синфазных входных напряжений | 64 |
Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы | 64 |
Коэффициент усиления тока | 62 |
Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы | 62 |
Коэффициент шума | 101 |
Коэффициент шума интегральной микросхемы | 101 |
Крутизна преобразования | 75 |
Крутизна преобразования интегральной микросхемы | 75 |
Крутизна проходной характеристики | 104 |
Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы | 104 |
Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы потребляемая | 276 |
Мощность в режиме хранения потребляемая | 276 |
Мощность выходная | 47 |
Мощность интегральной микросхемы выходная | 47 |
Мощность интегральной микросхемы коммутируемая | 130 |
Мощность интегральной микросхемы потребляемая | 22 |
Мощность интегральной микросхемы потребляемая динамическая | 275 |
Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя | 204 |
Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая | 23 |
Мощность | 174 |
Мощность | 174 |
Мощность коммутируемая | 130 |
Мощность потребляемая | 22 |
Мощность потребляемая динамическая | 275 |
Мощность потребляемая средняя | 204 |
Мощность рассеиваемая | 23 |
Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы | 91 |
Напряжение АРУ | 91 |
Напряжение блокировки входное | 199 |
Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное | 199 |
Напряжение входное | 13 |
Напряжение высокого уровня входное | 155 |
Напряжение высокого уровня входное максимальное | 215 |
Напряжение высокого уровня входное минимальное | 217 |
Напряжение высокого уровня выходное | 157 |
Напряжение высокого уровня выходное минимальное | 219 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное | 155 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное максимальное | 215 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное минимальное | 217 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное | 157 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное минимальное | 219 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое входное | 197 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное | 195 |
Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы управляющее | 133 |
Напряжение высокого уровня пороговое входное | 197 |
Напряжение высокого уровня пороговое выходное | 195 |
Напряжение высокого уровня сигнала адреса | 240 |
Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы | 240 |
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации | 225 |
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы | 225 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора | 246 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов | 250 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | 250 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк | 253 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | 253 |
Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы | 246 |
Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации | 228 |
Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 228 |
Напряжение высокого уровня сигнала записи | 231 |
Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы | 231 |
Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание | 243 |
Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы | 243 |
Напряжение высокого уровня сигнала разрешения | 237 |
Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы | 237 |
Напряжение высокого уровня сигнала считывания | 234 |
Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы | 234 |
Напряжение высокого уровня управляющее | 133 |
Напряжение выходное | 14 |
Напряжение выходное максимальное | 76 |
Напряжение гистерезиса | 127 |
Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы | 127 |
Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы | 92 |
Напряжение задержки АРУ | 92 |
Напряжение инжектора при заданном токе инжектора | 213 |
Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы | 213 |
Напряжение интегральной микросхемы входное | 13 |
Напряжение интегральной микросхемы выходное | 14 |
Напряжение интегральной микросхемы выходное максимальное | 76 |
Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое | 37 |
Напряжение интегральной микросхемы опорное | 109 |
Напряжение интегральной микросхемы остаточное | 43 |
Напряжение | 153 |
Напряжение | 153 |
Напряжение коммутируемое | 37 |
Напряжение низкого уровня входное | 154 |
Напряжение низкого уровня входное максимальное | 214 |
Напряжение низкого уровня входное минимальное | 216 |
Напряжение низкого уровня выходное | 158 |
Напряжение низкого уровня выходное максимальное | 218 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное | 154 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное максимальное | 214 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное минимальное | 216 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное | 158 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы выходное максимальное | 218 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое входное | 198 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное | 196 |
Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы управляющее | 132 |
Напряжение низкого уровня пороговое входное | 198 |
Напряжение низкого уровня пороговое выходное | 196 |
Напряжение низкого уровня сигнала адреса | 239 |
Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы | 239 |
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации | 224 |
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы | 224 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора | 245 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы | 245 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов | 249 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | 249 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк | 252 |
Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | 252 |
Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации | 227 |
Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 227 |
Напряжение низкого уровня сигнала записи | 230 |
Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы | 230 |
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание | 242 |
Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывания интегральной микросхемы | 242 |
Напряжение низкого уровня сигнала разрешения | 236 |
Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы | 236 |
Напряжение низкого уровня сигнала считывания | 233 |
Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы | 233 |
Напряжение низкого уровня управляющее | 132 |
Напряжение ограничения входное | 42 |
Напряжение ограничения интегральной микросхемы входное | 42 |
Напряжение опорное | 109 |
Напряжение остаточное | 43 |
Напряжение отпускания | 16 |
Напряжение отпускания интегральной микросхемы | 16 |
Напряжение питания | 12 |
Напряжение питания в режиме хранения | 222 |
Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы | 222 |
Напряжение питания интегральной микросхемы | 12 |
Напряжение покоя входное | 35 |
Напряжение покоя выходное | 36 |
Напряжение покоя интегральной микросхемы входное | 35 |
Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное | 36 |
Напряжение пульсаций источника питания | 93 |
Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы | 93 |
Напряжение сигнала адреса | 238 |
Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы | 238 |
Напряжение сигнала входной информации | 223 |
Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы | 223 |
Напряжение сигнала выбора | 244 |
Напряжение сигнала выбора адреса столбцов | 248 |
Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | 248 |
Напряжение сигнала выбора адреса строк | 251 |
Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | 251 |
Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы | 244 |
Напряжение сигнала выходной информации | 226 |
Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 226 |
Напряжение сигнала записи | 229 |
Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы | 229 |
Напряжение сигнала запись-считывание | 241 |
Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы | 241 |
Напряжение сигнала программирования | 255 |
Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы | 255 |
Напряжение сигнала разрешения | 235 |
Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы | 235 |
Напряжение сигнала стирания | 254 |
Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы | 254 |
Напряжение сигнала считывания | 232 |
Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы | 232 |
Напряжение синхронизации | 128 |
Напряжение синхронизации интегральной микросхемы | 128 |
Напряжение смещения нуля | 38 |
Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы | 38 |
Напряжение срабатывания | 15 |
Напряжение срабатывания интегральной микросхемы | 15 |
Напряжение считывания обратной связи | 108 |
Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы | 108 |
Напряжение тактового сигнала | 247 |
Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы | 247 |
Напряжение управления | 7 |
Напряжение управления интегральной микросхемы | 7 |
Напряжение шума | 77 |
Напряжение шума интегральной микросхемы | 77 |
Напряжение шума интегральной микросхемы эффективное | 78 |
Напряжение шума на выходе | 39 |
Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы | 39 |
Напряжение шума, приведенное ко входу | 40 |
Напряжение шума, приведенное ко входу интегральной микросхемы | 40 |
Напряжение шума эффективное | 78 |
Напряжения входные синфазные | 41 |
Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные | 41 |
Нестабильность параметра | 9 |
Нестабильность параметра интегральной микросхемы | 9 |
Нестабильность по нагрузке | 120 |
Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы | 120 |
Нестабильность по напряжению | 118 |
Нестабильность по напряжению взаимная | 116 |
Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы | 118 |
Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы взаимная | 116 |
Нестабильность по току | 119 |
Нестабильность по току взаимная | 117 |
Нестабильность по току интегральной микросхемы | 119 |
Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная | 117 |
Отклонение параметра | 5 |
Отклонение параметра интегральной микросхемы | 5 |
Отклонение параметра интегральной микросхемы относительное | 6 |
Отклонение параметра относительное | 6 |
Отношение сигнал/шум | 105 |
Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы | 105 |
Падение напряжения | 110 |
Падение напряжения минимальное | 111 |
Падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы прямое | 156 |
Падение напряжения на антизвонном диоде прямое | 156 |
Падение напряжения на интегральной микросхеме | 110 |
Падение напряжения на интегральной микросхеме минимальное | 111 |
Параметр | 1 |
Параметр интегральной микросхемы | 1 |
Период следования импульсов тактовых сигналов | 191 |
Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы | 191 |
Полоса единичного усиления | 56 |
Полоса задерживания | 53 |
Полоса задерживания интегральной микросхемы | 53 |
Полоса захвата синхронизации | 129 |
Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы | 129 |
Полоса пропускания | 52 |
Полоса пропускания интегральной микросхемы | 52 |
Помехоустойчивость при высоком уровне | 193 |
Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной микросхемы | 193 |
Помехоустойчивость при низком уровне | 192 |
Помехоустойчивость при низком уровне интегральной микросхемы | 192 |
Размах шума | 79 |
Размах шума интегральной микросхемы | 79 |
Разность входных токов | 44 |
Разность входных токов интегральной микросхемы | 44 |
Сдвиг интегральной микросхемы фазовый | 106 |
Сдвиг фаз | 106 |
Сдвиг фазовый | 106 |
Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нормированная | 80 |
Скорость нарастания выходного напряжения | 70 |
Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы | 70 |
Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы максимальная | 82 |
Скорость нарастания выходного напряжения максимальная | 82 |
Скорость отслеживания | 70 |
Сопротивление в открытом состоянии | 140 |
Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы | 140 |
Сопротивление входное | 24 |
Сопротивление выходное | 25 |
Сопротивление интегральной микросхемы входное | 24 |
Сопротивление интегральной микросхемы выходное | 25 |
Сопротивление нагрузки | 26 |
Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы | 26 |
Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы | 94 |
Ток АРУ | 94 |
Ток в состоянии "Выключено" выходной | 165 |
Ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной | 165 |
Ток входной | 17 |
Ток входной пробивной | 200 |
Ток входной средний | 45 |
Ток высокого уровня в состоянии "Выключено" выходной | 167 |
Ток высокого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной | 167 |
Ток высокого уровня входной | 162 |
Ток высокого уровня выходной | 163 |
Ток высокого уровня интегральной микросхемы входной | 162 |
Ток высокого уровня интегральной микросхемы выходной | 163 |
Ток высокого уровня по входу выбора | 269 |
Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы | 269 |
Ток высокого уровня сигнала входной информации | 259 |
Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы | 259 |
Ток высокого уровня сигнала выходной информации | 262 |
Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 262 |
Ток высокого уровня управляющего напряжения входной | 137 |
Ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной | 137 |
Ток выходной | 18 |
Ток инжектора | 220 |
Ток инжектора интегральной микросхемы | 220 |
Ток интегральной микросхемы входной | 17 |
Ток интегральной микросхемы входной пробивной | 200 |
Ток интегральной микросхемы входной средний | 45 |
Ток интегральной микросхемы выходной | 18 |
Ток интегральной микросхемы коммутируемый | 46 |
Ток коммутируемый | 46 |
Ток короткого замыкания | 21 |
Ток короткого замыкания интегральной микросхемы | 21 |
Ток низкого уровня в состоянии "Выключено" выходной | 166 |
Ток низкого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы выходной | 166 |
Ток низкого уровня входной | 161 |
Ток низкого уровня выходной | 164 |
Ток низкого уровня интегральной микросхемы входной | 161 |
Ток низкого уровня интегральной микросхемы выходной | 164 |
Ток низкого уровня по входу выбора | 268 |
Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы | 268 |
Ток низкого уровня сигнала входной информации | 258 |
Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы | 258 |
Ток низкого уровня сигнала выходной информации | 261 |
Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 261 |
Ток низкого уровня управляющего напряжения входной | 136 |
Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной | 136 |
Ток потребления | 20 |
Ток потребления в режиме хранения | 256 |
Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы | 256 |
Ток потребления в состоянии "Выключено" | 221 |
Ток потребления в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы | 221 |
Ток потребления выходного напряжения высокого уровня | 202 |
Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы | 202 |
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня | 201 |
Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы | 201 |
Ток потребления динамический | 160 |
Ток потребления интегральной микросхемы | 20 |
Ток потребления интегральной микросхемы динамический | 160 |
Ток потребления | 159 |
Ток потребления | 159 |
Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения | 139 |
Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы | 139 |
Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения | 138 |
Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы | 138 |
Ток потребления средний | 203 |
Ток потребления интегральной микросхемы средний | 203 |
Ток сигнала адреса | 265 |
Ток сигнала адреса интегральной микросхемы | 265 |
Ток сигнала выбора | 267 |
Ток сигнала выбора интегральной микросхемы | 267 |
Ток сигнала выбора адреса столбцов | 273 |
Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | 273 |
Ток сигнала выбора адреса строк | 274 |
Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | 274 |
Ток сигнала входной информации | 257 |
Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы | 257 |
Ток сигнала выходной информации | 260 |
Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы | 260 |
Ток сигнала записи | 263 |
Ток сигнала записи интегральной микросхемы | 263 |
Ток сигнала запись-считывание | 266 |
Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы | 266 |
Ток сигнала разрешения | 270 |
Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы | 270 |
Ток сигнала стирания | 271 |
Ток сигнала стирания интегральной микросхемы | 271 |
Ток сигнала считывания | 264 |
Ток сигнала считывания интегральной микросхемы | 264 |
Ток тактового сигнала | 272 |
Ток тактового сигнала интегральной микросхемы | 272 |
Ток управления | 7 |
Ток управления интегральной микросхемы | 7 |
Ток утечки | 19 |
Ток утечки аналогового входа | 134 |
Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы | 134 |
Ток утечки аналогового выхода | 135 |
Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы | 135 |
Ток утечки высокого уровня на входе | 171 |
Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы | 171 |
Ток утечки высокого уровня на выходе | 173 |
Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы | 173 |
Ток утечки интегральной микросхемы | 19 |
Ток утечки на входе | 168 |
Ток утечки на входе интегральной микросхемы | 168 |
Ток утечки на выходе | 169 |
Ток утечки на выходе интегральной микросхемы | 169 |
Ток утечки низкого уровня на входе | 170 |
Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы | 170 |
Ток утечки низкого уровня на выходе | 172 |
Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы | 172 |
Ток холостого хода | 112 |
Ток холостого хода интегральной микросхемы | 112 |
Ток шума нормированный | 81 |
Ток шума интегральной микросхемы нормированный | 81 |
Частота входного сигнала | 57 |
Частота входного сигнала интегральной микросхемы | 57 |
Частота генерирования | 58 |
Частота генерирования интегральной микросхемы | 58 |
Частота единичного усиления | 56 |
Частота единичного усиления интегральной микросхемы | 56 |
Частота интегральной микросхемы рабочая | 210 |
Частота квазирезонанса | 96 |
Частота квазирезонанса интегральной микросхемы | 96 |
Частота коммутации | 50 |
Частота коммутации интегральной микросхемы | 50 |
Частота полной мощности | 84 |
Частота полной мощности интегральной микросхемы | 84 |
Частота полосы задерживания верхняя | 55 |
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя | 55 |
Частота полосы задерживания интегральной микросхемы нижняя | 54 |
Частота полосы задерживания нижняя | 54 |
Частота полосы пропускания граничная верхняя | 49 |
Частота полосы пропускания граничная нижняя | 48 |
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная верхняя | 49 |
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя | 48 |
Частота полосы пропускания интегральной микросхемы центральная | 51 |
Частота полосы пропускания центральная | 51 |
Частота рабочая | 210 |
Частота резонанса | 95 |
Частота резонанса интегральной микросхемы | 95 |
Частота следования импульсов тактовых сигналов | 190 |
Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы | 190 |
Частота среза | 83 |
Частота среза интегральной микросхемы | 83 |
Частота управляющего напряжения | 149 |
Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы | 149 |
Чувствительность | 34 |
Чувствительность интегральной микросхемы | 34 |
ЭДС шума нормированная | 80 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин | Номер термина |
Access time | 277 |
Common-mode rejection ratio | 65 |
Common-mode voltage amplification | 64 |
Cycle time | 181 |
Delay time | 60 |
Differential-mode voltage amplification | 67 |
Fall time | 31 |
Feedback sense voltage | 108 |
Frequency of unity (open loop) amplification | 56 |
Hold time | 278 |
Input offset voltage | 38 |
Input stabilization coefficient | 121 |
Input transient current recovery time | 115 |
Input transient voltage recovery time | 114 |
Input voltage operating range | 90 |
Load stabilization coefficient | 122 |
Open-loop cut-off freguency | 83 |
Output current drift | 125 |
Output noise voltage | 39 |
Output voltage drift | 124 |
Output voltage operating range | 107 |
Reference voltage | 109 |
Refresh time interval | 281 |
Ripple rejection ratio | 123 |
Ripple time | 59 |
Rise time | 30 |
Set-up time | 180 |
Short-circuit current | 21 |
Valid time | 178 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 4
Термин | Номер термина |
Amplification en tension en mode commun | 64 |
Amplification en tension en mode | 67 |
Coefficient de stabilisation en fonction de la charge | 122 |
Coefficient de stabilisation en fonction de la tension | 121 |
Courant de court-circuit | 21 |
124 | |
125 | |
Domaine de fonctionnement de la tension | 90 |
Domaine de fonctionnement de la tension de sortie | 107 |
83 | |
56 | |
Intervalle de temps de rafrachissement | 281 |
Taux de | 65 |
Taux de | 123 |
Temps | 277 |
Temps de croissance | 30 |
Temps de cycle | 181 |
Temps de decroissance | 31 |
Temps de | 60 |
Temps de maintien | 278 |
Temps de | 180 |
Temps de recourement de la tension transitoire | 114 |
Temps de recouvrement du courant transitoire | 115 |
Temps de vacillement | 59 |
Temps de validation | 178 |
Tension de bruit en sortie | 39 |
Tension de | 38 |
Tension de lecture de contre | 108 |
Tension de | 109 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ПРОИЗВОДНЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
1. Для буквенных обозначений производных параметров используют следующий способ записи:
где
________________
* Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.
При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы записи:
Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи:
где
Для направления перехода сигнала
При однозначном понимании допускается первый индекс в обозначении направления перехода сигнала
Таблица 5
Наименование направления перехода сигнала | Обозначение | |
отечественное | международное | |
Для перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня | 01 | LH |
Для перехода из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня | 10 | HL |
Таблица 6
Наименование сигнала | Обозначение | |
отечественное | международное | |
СИГНАЛЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ | ||
1. Адрес | а | А |
2. Выбор микросхемы | в.м | CS |
3. Запись | зп | WR |
4. Считывание (чтение) | сч | RD |
5. Тактовый | т | C |
6. Разрешение | р | CE |
7. Запись-считывание | зп.сч | WR/RD |
8. Адрес-данные | а.д | AD |
СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | ||
9. Авария источника питания | а.и.п | PSB |
10. Авария сети питания | а.с.п | PNB |
11. Арифметический сдвиг | а.с.д | AS |
12. Асинхронный | асх | ASYN |
13. Вектор | вс | REC |
14. Внешний | вн | EXT |
15. Вывод для подключения кварцевого резонатора | K1 | BQ1 |
16. Выход | вых | O |
17. Вход | вх | I |
18. Блокировка | бл | DE |
19. Ведомый | вдм | SV |
20. Ведущий | вдщ | MS |
21. Восстановление | вс | REC |
22. Вычитание | вч | SUB |
23. Генерация | гн | GEN |
24. Готовность | гт | RA |
25. Графический символ | гс | GRS |
26. Данные | д | D |
27. Деление | дл | DIV |
28. Декремент 1 | -1 | DEC1 |
29. Декремент 2 | -2 | DEC2 |
30. Доступ | дс | AC |
31. Запрос | зпр | RQ |
32. Заем | зм | BR |
33. Зависание | звс | HG |
34. Задатчик | зд | DR |
35. Захват | зх | TR |
36. Знак | зн | SI |
37. Инкремент 1 | +1 | INC1 |
38. Инкремент 2 | +2 | INC2 |
39. Инкремент 1/Декремент 1 | +1/-1 | INC1/DEC1 |
40. Исполнитель | исп | PF |
41. Инструкция (команда) | км | INS |
42. Канал (шина) | кн | B |
43. Канал занят | к.зт | BUSY |
44. Квитирование | кв | AK |
45. Конец | к | END |
46. Код | код | CODE |
47. Логический сдвиг | л.с | LSH |
48. Логическая операция | л.о | LOP |
49. Маркер | мр | MR |
50. Маскирование | мс | MK |
51. Микрооперация | моп | MOP |
52. Микрокоманда | мк | MINS |
53. Младший | мл | LSB |
54. Множитель | мнж | MPLX |
55. Множимое | мже | MPLY |
56. Максимальный | max | MX |
57. Минимальный | min | MN |
58. Начало исполнения команды | нк | STINS |
59. Начало исполнения микрокоманды | н.мк | NMKINR |
60. Немаскируемое прерывание | н.пр | NMK |
61. Нуль | нул | Z |
62. Ожидание | жд | WT |
63. Останов | ост | HLT |
64. Обратный ход | об.х | RVM |
65. Операция | оп | OP |
66. Ответ | отв | AN |
67. Ошибка | ош | ER |
68. Перенос | пс | CR |
69. Переполнение | пп | CF |
70. Передача | пч | T |
71. Подтверждение | п | ACK |
72. Прямой доступ к памяти | п.д.п. | DMA |
73. Повтор | пвт | RP |
74. Продолжение | прд | CN |
75. Предварительный заряд | п.з | PSN |
76. Приоритет | пт | PR |
77. Прием | пм | R |
78. Прерывание | пр | INR |
79. Пуск | пск | ST |
80. Порт | п | P |
81. Расширение | рш | EX |
82. Распространение переноса | рпс | SPCR |
83. Равенство нулю | р.н | ZR |
84. Регистр команд | р.к | RGINS |
85. Режим | реж | MO |
86. Регистр микрокоманд | р.мк | RGMINS |
87. Результат | рез | RZ |
88. Сброс | сбр | SR |
89. Сдвиг | сд | SH |
90. Сдвиг влево | сд.л | SHL |
91. Сдвиг вправо | сд.п | SHR |
92. Синхронизация | с | SYN |
93. Состояние | сс | SA |
94. Строб | ст | ST |
95. Сложение | сл | SM |
96. Строка | стр | R |
97. Следующий | слд | NEXT |
98. Стек | ск | SK |
99. Старший | ср | MSB |
100. Средний | сд | ML |
101. Тактовый вход | т.в | CI |
102. Тактовый выход | т.вых | CO |
103. Тестирование (проверка) | т | TEST |
104. Условие | усл | CC |
105. Условный бит (флаг) | ус.б | PL |
106. Управление | упр | CN |
107. Ускоренный перенос | уск.п | RSR |
108. Установка в состояние | уст | Sn |
109. Умножение | умн | MPL |
110. Управление | у | CO |
111. Цикл | цкл | CY |
112. Циклический сдвиг | ц.сд | CYSH |
113. Чтение | чт | RD |
114. Фаза | ф | F |
115. Экран | э | RT |
СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ | ||
116. Выбор адреса строки | в.а.с. | RAS |
117. Выбор адреса столбца | в.а.к | CAS |
118. Входная информация | вх.и | D |
119. Выходная информация | вых.и | Q |
120. Входная/выходная информация | вх.и/вых.и | DQ |
121. Запись-считывание | зп/сч | WR |
122. Разрешение выхода | р.вых | OE |
123. Программирование | прг | PR |
2. Для микросхем с тремя состояниями на выходе для направления перехода сигнала
Таблица 7
Наименование направления перехода сигнала | Обозначение | |
отечественное | международное | |
Для перехода из третьего состояния в состояние высокого уровня | 31 | ZH |
Для перехода из состояния высокого уровня в третье состояние | 13 | HZ |
Для перехода из состояния низкого уровня в третье состояние | 03 | LZ |
Для перехода из третьего состояния в состояние низкого уровня | 30 | ZL |
При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:
3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных обозначений приведены в табл.8.
Таблица 8
Наименование параметра | Производное обозначение | |||||
отечест- венное | между- народное | отечест- венное | между- народное | отечест- венное | между- народное | |
1. Входное напряжение низкого уровня сигнала прерывания | пр | INR | ||||
2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего канала | с.кн3 | SYN, B3 | ||||
3. Максимальное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования 1-го разряда | max мc1 | max MK1 | ||||
4. Время установления сигнала квитирования "Принято" относительно сигнала "Выдача" | (кп-вд) | (TR-RCAK) | ||||
5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных | (д-а) | (D-A) | ||||
Таблица 9
Режим работы | Буквенное обозначение | |
отечественное | международное | |
Запись | зп | WR |
Считывание | сч | RD |
Считывание-запись | сч/зп | RD/WR |
Запись-считывание | зп/сч | WR/RD |
Считывание по страницам | сч.стр | P |
Слоговый режим | сл.р | N |
Запись по страницам | зп.стр | PW |
Считывание-модификация-запись | сч.м.зп | RMW |
Регенерация | рг | REF |
Программирование | прг | PR |
Стирание | ст | ER |
Электронный текст документа
и сверен по
Электроника. Термины и определения.
Часть 1: Сб. стандартов. -
М.: ИПК Издательство стандартов, 2005
