ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

международное

1. Начальный ток стока

D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom

E. Drain current for V=0

F. Courant de drain pour V

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения

1a. Ток стока

D. Drainstrom

E. Drain current

F. Courant de drain

Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток

2. Остаточный ток стока

D. Drain-Reststrom

E. Drain cut-off current

F. Courant de drain au blocage

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки

2a. Ток стока при нагруженном затворе

D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate

E. Drain current at a specified gatesource resistance

F. Courant de drain pour une

grillesource

Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором

2б. Ток истока

D. Sourcesstrom

E. Source current

F. Courant de source

-

2в. Начальный ток истока

D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate

E. Source current witg gate shortcircuited to drain

F. Courant de source la grille court- au drain

Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток

2г. Остаточный ток истока

D. Sourcereststrom

F. Source current at a specified gatedrain condition

F. Courant de source dans des conditions grilledrain

Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток

2д. Ток затвора

D. Gatestrom

E. Gate current

F. Courant de grille

-

2е. Прямой ток затвора

D. Gatedurchlassstrom

E. Forward gate current

F. Courant directe de grille

-

2ж. Ток отсечки затвора

D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung

E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions

F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source

Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток

3. Ток утечки затвора

D. Gatereststrom

E. Gate leakage current

F. Courant de fuite de drain

Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой

4. Обратный ток перехода затвор-сток

D. Gatereststrom (Source offen)

E. Gate cut-off current with source open-circuited

F. Courant de grille

Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами

5. Обратный ток перехода затвор-исток

D. Gatereststrom (Drain offen)

E. Gate cut-off current with drain open-circuited

F. Courant de grille le drain en circuit ouvert

Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами

5a. Ток подложки

D. Substratstrom

E. Substrate current

F. Courant de substrat

-

6. Напряжение отсечки полевого транзистора

Напряжение отсечки

D. Gate-Source-Spannung

E. Gate-source cut-off voltage

F. Tension grille-source de blocage

Напряжение между затвором и истоком транзистора с

переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7. Пороговое напряжение полевого транзистора

Пороговое напряжение

D. Schwellspannung

E. Gate-source threshold voltage

F. Tension de seuil grille-source

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7a. Напряжение сток-исток

D. Drain-Source-Spannung

E. Drain-source (d. c.) voltage

F. Tension (continue) drain-source

-

7б. Напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Spannung

E. Gate-source (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-source

-

7в. Прямое напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Durch-lassspannung

E. Forward gate-source (d. с.) voltage

F. Tension directe (continue) grille-source

-

7г. Обратное напряжение затвор-исток

D. Gate-Source-Sperrspannung

E. Reverse gate-source (d. c.) voltage

F. Tension inverse (continue) grille-source

-

7д. Напряжение затвор-сток

D. Gate-Drain-Spannung

E. Gate-drain (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-drain

-

7e. Напряжение исток-подложка

D. Source-Substrat-Spannung

E. Source-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) source-substrat

-

7ж. Напряжение сток-подложка

D. Drain-Substrat-Spannung

E. Drain-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) drain-substrat

-

7з. Напряжение затвор-подложка

D. Gate-Substrat-Spannung

E. Gate-substrate (d. c.) voltage

F. Tension (continue) grille-substrat

-

7и. Пробивное напряжение затвора

D. Gate-Source-Durchbruch-spannung

E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)

F. Tension de claquage grillesource

Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке

8. Крутизна характеристики полевого транзистора

Крутизна характеристики

D.

E. Forward transconductance

F. Transconductance directe

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

9. Крутизна характеристики по подложке

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

D. Drain-Source-Widerstand bei Transistor

E. Drain-source onstate resistance

F. drainsource passent

Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения

10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии

D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor

E. Drain-source off-state resistance

F. drain-source

Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток

11. Емкость сток-исток

D. Drain-Source

E. Drain-source capacitance

F. Capacite drain-source

Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

12. Емкость затвор-сток

D. Gate-Drain

E. Gate-drain capacitance

F. grille-drain

Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

13. Емкость затвор-исток

D. Gate-Source

E. Gate-source capacitance

F. grille-source

Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

14. Входная емкость полевого транзистора

Входная емкость

D.

E. Input capacitance

F.

Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком

15. Выходная емкость полевого транзистора

Выходная емкость

D.

E. Output capacitance

F. de sortie

Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

16. Проходная емкость полевого транзистора

Проходная емкость

D.

E. Reverse transfer capacitance

F. de transfert inverse

Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

17. Полная входная проводимость полевого транзистора

Полная входная проводимость

D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert

E. Schort-circuit input admittance

F. Admittance d'entree, la sortie etant en court-circuit

-

18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора

Активная входная проводимость

D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes

E. Short-circuit input conductance

F. Conductance , la sortie en court-circuit

-

19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора

Полная проводимость обратной передачи

D. Kurzschlussscheinleitwert

E. Short-circuit reverse transfer admittance

F. Admittance de transfert inverse, en court-circuit

-

20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости обратной передачи

D. Betrag des Kurzschlusswertes

E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance

F. Module de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit

-

21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора

Полная проводимость прямой передачи

D. Kurzschluss

F. Short-circuit forward transfer admittance

F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit

-

22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи

D. Betrag des Kurzschluss-

E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

F. Module de l'admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit

-

23. Полная выходная проводимость полевого транзистора

Полная выходная проводимость

D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert

E. Short-circuit output admittance

F. Admittance de sortie, en court-circuit

-

24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора

Активная выходная проводимость

D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes

E. Short-circuit output conductance

F. Conductance de sortie, en court-circuit

-

25. Шумовое напряжение полевого транзистора

Шумовое напряжение

D. Rauschspannung

E. Noise voltage

F. Tension de bruit

Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком

26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора

э.д.с. шума

D. Rauschurspannung

E. Noise force electrovelocity

Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком

27. Шумовой ток полевого транзистора

Шумовой ток

D. Rauschstrom

E. Noise current

F. Courant de bruit

Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком

28. Шумовое сопротивление полевого транзистора

Шумовое сопротивление

D. Rauschwiderstand

E. Noise resistance

F. de bruit

Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением

,

где - э.д.с. шума

29. Коэффициент шума полевого транзистора

Коэффициент шума

D. Rauschfaktor

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Коэффициент усиления по мощности

D.

E. Power gain

F. Gain en puissance

Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения

31. Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки включения

D.

E. Turn-on delay time

F. Retard la croissance

Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса

32. Время нарастания для полевого транзистора

Время нарастания

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора

33. Время задержки выключения полевого транзистора

Время задержки выключения

D.

E. Turn-off delay time

F. Retard

Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса

34. Время спада для полевого транзистора

Время спада

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de

Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора

35. Время включения полевого транзистора

Время включения

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора

36. Время выключения полевого транзистора

Время выключения

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада

37. Разность напряжений затвор-исток

D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

E. Difference of gate-source voltages

F. Difference des tension grille-source

Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока

38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток

D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature

F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature

Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

39. Разность активных выходных проводимостей

D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора

40. Отношение начальных токов стока

D. Drain-Source-Kurzsch (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

E. Ratio of drain currents

F. Rapport de courant de drain

Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора

41. Разность токов утечки затвора

D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors)

-

41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока

D. Drain-Source-Verlustleistung

-

42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток

D. Maximal Drain-Source-Spannung

E. Maximum drain-source-voltage

F. Tension maximale drain-source

-

_______________

* Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток

D. Maximal Gate-Source-Spannung

E. Maximum gate-source voltage

F. Tension grille-source maximale

-

44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток

D. Maximal Gate-Drain-Spannung

E. Maximum gate-drain voltage

F. Tension grille-drain maximale

-

45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка

D. Maximal Drain-Bulk-Spannung

E. Maximum drain-substrate voltage

F. Tension maximale drain-substrat

-

46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка

D. Maximal Source-Bulk-Spannung

E. Maximum source-substrate voltage

F. Tension maximale source-substrat

-

47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка

D. Maximal Gate-Bulk-Spannung

E. Maximum gate-substrate voltage

F. Tension maximale grille-substrate

-

48. Максимально допустимое напряжение между затворами

D. Maximal Spannung zwischen den Gates

E. Maximum gate-gate voltage

F. Tension maximale grille-grille

-

49. Максимально допустимый постоянный ток стока

D. Maximal Drain Gleichstrom

E. Maximum drain current

F. Courant maximale de drain

-

50. Максимально допустимый прямой ток затвора

D. Maximal Gate

E. Maximum forward gate current

F. Courant directe de grille

-

51. Максимально допустимый импульсный ток стока

D. Maximal Drain-Impulsstrom

Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов

52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора

D. Maximal Dauerver-lustleistung

E. Power dissipation

F. Dissipation de puissance

-

53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора

D. Maximal Impulsverlustleistung

Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов

Время включения

35

Время включения полевого транзистора

35

Время выключения

36

Время выключения полевого транзистора

36

Время задержки включения

31

Время задержки включения полевого транзистора

31

Время задержки выключения

33

Время задержки выключения полевого транзистора

33

Время нарастания

32

Время нарастания для полевого транзистора

32

Время спада

34

Время спада для полевого транзистора

34

Емкость входная

14

Емкость выходная

15

Емкость затвор-исток

13

Емкость затвор-сток

12

Емкость полевого транзистора входная

14

Емкость полевого транзистора выходная

15

Емкость полевого транзистора проходная

16

Емкость проходная

16

Емкость сток-исток

11

Коэффициент усиления по мощности

30

Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

30

Коэффициент шума

29

Коэффициент шума полевого транзистора

29

Крутизна характеристики

8

Крутизна характеристики полевого транзистора

8

Крутизна характеристики по подложке

9

Модуль полной проводимости обратной передачи

20

Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

20

Модуль полной проводимости прямой передачи

22

Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

22

Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая

53

Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая

52

Мощность стока рассеиваемая постоянная

41а

Напряжение затвор-исток

7б

Напряжение затвор-исток максимально допустимое

43

Напряжение затвора пробивное

7и

Напряжение затвор-исток прямое

7в

Напряжение затвор-исток обратное

7г

Напряжение затвор-подложка

7з

Напряжение затвор-подложка максимально допустимое

47

Напряжение затвор-исток

7д

Напряжение затвор-сток максимально допустимое

44

Напряжение исток-подложка

7е

Напряжение исток-подложка максимально допустимое

46

Напряжение между затворами максимально допустимое

48

Напряжение отсечки

6

Напряжение отсечки полевого транзистора

6

Напряжение полевого транзистора пороговое

7

Напряжение полевого транзистора шумовое

25

Напряжение пороговое

7

Напряжение сток-исток

7а

Напряжение сток-исток максимально допустимое

42

Напряжение сток-подложка

7ж

Напряжение сток-подложка максимально допустимое

45

Напряжение шумовое

25

Отношение начальных токов стока

40

Проводимость входная активная

18

Проводимость входная полная

17

Проводимость выходная активная

24

Проводимость выходная полная

23

Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная

19

Проводимость обратной передачи полная

19

Проводимость полевого транзистора входная полная

17

Проводимость полевого транзистора выходная полная

23

Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная

21

Проводимость прямой передачи полная

21

Разность активных выходных проводимостей

39

Разность напряжений затвор-исток

37

Разность токов утечки затвора

41

Сопротивление полевого транзистора шумовое

28

Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии

10а

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

10

Сопротивление шумовое

28

Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная

18

Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная

24

Ток затвора

2д

Ток затвора прямой

2е

Ток затвора прямой максимально допустимый

50

Ток истока

2б

Ток истока начальный

2в

Ток истока остаточный

2г

Ток отсечки затвора

2ж

Ток подложки

5а

Ток полевого транзистора шумовой

27

Ток перехода затвор-исток обратный

4

Ток перехода затвор-сток обратный

5

Ток стока

1а

Ток стока импульсный максимально допустимый

51

Ток стока начальный

1

Ток стока остаточный

2

Ток стока при нагруженном затворе

2а

Ток стока при разомкнутом выводе остаточный

2

Ток стока постоянный максимально допустимый

49

Ток утечки затвора

3

Ток шумовой

27

Уход разности напряжений затвор-исток температурный

38

Э.д.с. шума

26

Электродвижущая сила шума полевого транзистора

26

Abfallzeit

34

Anstiegszeit

32

15

33

Ausschaltzeit

36

Betrag des Kurzschluss-

20

Betrag des Kurzschluss-

22

Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

39

Drain- Reststrom

2

Drainstrom

1а

Drainstrom Bei Widerstandsabschluss zwischen Source und Gate

2а

Drain-Source

11

Drain-Source-Kurzschlustrom

1

Drain-Source (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

40

Drain-Source-Spannung

7а

Drain-Source-Verlustleistung

41а

Drain-Source-Widerstand bei Transistor

10

Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor

10а

Drain-Substrat-Spannung

7ж

14

31

Einschaltzeit

35

Gate-Drain

12

Gate-Drain-Spannung

7д

Gatedurchlassstrom

2е

Gatereststrom

3

Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

41

Gatereststrom (Drain offen)

5

Gatereststrom (Source offen)

4

Gate-Source-Durchbruchspannung

7и

Gate-Source-Durchlassspannung

7в

Gate-Source

13

Gate-Source-Spannung

7б

Gate-Source-Spannung

6

Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

37

Gate-Source-Sperrspannung

7г

Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung

2ж

Gatestrom

2д

Gate-Substrat-Spannung

7з

Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert

23

Kurzschluss-Eingangsscheinleitwert

17

Kurzschluss-

19

Kurzschluss-

21

30

Maximal Dauerverlustleistung

52

Maximal Drain-Bulk-Spannung

45

Maximal Drain-Source-Spannung

42

Maximal Gate-Bulk-Spannung

47

Maximal Gate-Drain-Spannung

44

Maximal Gate-Source-Spannung

43

Maximal Impulsverlustleistung

53

Maximal Source-Bulk-Spannung

46

Maximal Spannung zwischen den Gates

48

Maximal Drain-Gleichstrom

49

Maximal Drain-Impulsstrom

51

Maximal Gate-Vorwartsstrom

50

Rauschfaktor

29

Rauschspannung

25

Rauschurspannung

26

Rauschstrom

27

Rauschwiderstand

28

Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes

24

Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes

18

16

Schwellspannung

7

Sourcereststrom

2г

Sourcestrom

2б

Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate

2в

Source-Substrat-Spannung

7е

Substratstrom

5а

Temperaturdrift der Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

38

8

Difference of gate-source voltages

37

Drain current

1а

Drain current at a specified gate-source resistance

2а

Drain current for V=0

1

Drain cut-off current

2

Drain-source capacitance

11

Drain-source off-state resistance

10а

Drain-source on-state resistance

10

Drain-source (d. c.) voltage

7а

Drain-substrate (d. c.) voltage

7ж

Drift of difference of gate-source voltage with temperature

38

Fall time

34

Forward gate current

2е

Forward gate-source (d. c.) voltage

7в

Forward transconductance

8

Gate current

2д

Gate-cut-off current with drain open-circuited

5

Gate-cut-off current with source open-circuited

4

Gate-cut-off current (of a field-effect transistor) with specified drain-source circuit conditions

2ж

Gate-drain capacitance

12

Gate-drain (d. c.) voltage

7д

Gate leakage current

3

Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)

7и

Gate-source capacitance

13

Gate-source cut-off voltage

6

Gate-source threshold voltage

7

Gate-source (d. c.) voltage

7б

Gate-substrate (d. c.) voltage

7з

Input capacitance

14

Maximum drain current

49

Maximum drain-source voltage

42

Maximum drain-substrate voltage

45

Maximum forward gate current

50

Maximum gate-drain voltage

44

Maximum gate-gate voltage

48

Maximum gate-source voltage

43

Maximum gate-substrate voltage

47

Maximum source-substrate voltage

46

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

22

Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance

20

Noise current

27

Noise figure

29

Noise force electrovelocity

26

Noise resistance

28

Noise voltage

25

Output capacitance

15

Power dissipation

52

Power gain

30

Ratio of drain currents

40

Reverse gate-source (d. c.) voltage

7г

Reverse transfer capacitance

16

Rise time

32

Short-circuit forward transfer admittance

21

Short-circuit input admittance

17

Short-circuit input conductance

18

Short-circuit output admittance

23

Short-circuit output conductance

24

Short-circuit reverse transfer admittance

19

Source current

2б

Source current at a specified gate-drain condition

2г

Source current with gate short-circuited to drain

2в

Source-substrate (d. c.) voltage

7е

Substrate current

5а

Turn-off delay time

33

Turn-on delay time

31

Turn-off time

36

Turn-on time

35

Admittance , la sortie en court-circuit

17

Admittance de sortie, en court-circuit

23

Admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit

21

Admittance de transfert inverse, en court-circuit

19

14

de sortie

15

de transfert inverse

16

drain-source

11

grille-drain

12

grille-source

13

Couductance , la sortie en court-circuit

18

Couductance de sortie l'entree en court-circuit

24

Courant de bruit

27

Courant de drain

1а

Courant de drain au blocage

2

Courant de drain pour V=0

1

Courant de drain pour une grille-source

2а

Courant de fuite de drain

3

Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source

2ж

Courant de grille

2д

Courant de source

2б

Courant de source dans des conditions grille-drain

2г

Courant de source la grille au drain

2в

Courant de substrat

5а

Courant directe de grille

2е, 50

Courant maximale de drain

49

Courant de grille

4

Courant de grille le drain etant en circuit ouvert

5

Difference des tension grille-source

37

Dissipation de puissance

52

Facteur de bruit

29

Gain en puissance

30

Module de l'admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit

22

Module de l'admittance de transfert inverse en court-circuit

20

Rapport de courant de drain

40

de bruit

28

drain-source

10а

drain-source passent

10

Retard la croissance

31

Retard

33

Temps de croissance

32

Temps de

34

Temps total de coupure

36

Temps total

35

Tension de bruit

25

Tension de claquage grille-source

7и

Tension de seuil grille-source

7

Tension directe (continue) grille-source

7в

Tension (continue) drain-source

7а

Tension (continue) drain-substrat

7ж

Tension (continue) grille-drain

7д

Tension grille-drain maximale

44

Tension (continue) grille-source

7б

Tension grille-source de blocage

6

Tension grille-source maximale

43

Tension (continue) grille-substrat

7з

Tension inverse (continue) grille-source

7г

Tension maximale drain-source

42

Tension maximale drain-substrat

45

Tension maximale grille-grille

48

Tension maximale grille-substrat

47

Tension maximale source-substrat

46

Tension (continue) source-substrat

7е

Transconductance directe

8

Variation de la difference des tensions grille-source avec la

38