База ГОСТовallgosts.ru » 31. ЭЛЕКТРОНИКА » 31.200. Интегральные схемы. Микроэлектроника

ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения

Обозначение: ГОСТ Р 57435-2017
Наименование: Микросхемы интегральные. Термины и определения
Статус: Действует
Дата введения: 08/01/2017
Дата отмены: -
Заменен на: -
Код ОКС: 31.200
Скачать PDF: ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения.pdf
Скачать Word:ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения.doc

Текст ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения



ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ

СТАНДАРТ

РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

ГОСТР

57435—

2017

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины и определения

Издание официальное

Москва

Стандартииформ

2017

ГОСТ Р 57435—2017

Предисловие

1    РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Элвктронстандарт» (АО «РНИИ «Элвктронстандарт»), Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»), Акционерным обществом «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (АО «НИИМА «Прогресс»)

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 248-ст

4    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. No 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()

© Стандартинформ. 2017

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

ГОСТ Р 57435—2017

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий вобласти интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при его использовании. Часть термина вне круглых скобок образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три. четыре и т. л.) термина, имеющие общие терминоэлементы.

8 алфавитном указателе данные термины размещены отдельное указанием номера статьи.

8 стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

in

ГОСТ Р 57435—2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ Термины и определения Integrated circuits, terms and definitions

Дата введения — 2017—08—01

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, применяют во всех видах документации и лите* ратуры. входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке. производстве и применении микросхем в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

1    (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из сово- integrated circuit купности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединен*

ных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции.

2    элемент (микросхемы): Часть микросхемы, реализующая функцию какого* circuit element либо изделия электронной техники, которая выполнена нераэдельноот кристалла

и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Примечание — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые приборы. резисторы, конденсаторы, микроустройства и др.

3    компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая задан- circuit component кую функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может бытьвыде-

лена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Примечание — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микросхем в бескорлусном исполнении и др.

4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой die; пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы chip полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Издание официальное

1

ГОСТ Р 57435—2017

5    подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения, контактные площадки и монтируют компоненты.

6    пластина (микросхемы): Заготовка из полупроводникового материала, пред* назначенная для изготовления полупроводниковых микросхем.

7    контактная площадка (микросхемы): Металлизированный участок на лодлож* ке или кристалле, основании корпуса, предназначенный для присоединения элементов и кристаллов к выводам микросхемы или для контроля электрических параметров.

8    корпус (микросхемы): Совокупность сборочных единиц и (или) деталей, пред* назначенных для обеспечения защиты микросхемы отвнешних воздействий, обес* печения теплопередачи, атакжедляорганизацииэлектрическихсвяэейэлементов и (или) компонентов с внешними электрическими цепями.

9    полупроводниковая микросхема: Микросхема, все элементы и межэле* ментные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности крис* тапла.

10    гибридная микросхема: Микросхема, содержащая компоненты или совокул* ность компонентов и элементов.

11    мкогокристальиый модуль: Гибридная микросхема, состоящая из двух или более полупроводниковых микросхем в бесхорпусном исполнении, смонтирован* ных в общий корпус.

12    пленочная микросхема: Микросхема, все элементы которой выполнены в виде пленок на поверхности подложки.

13    аналоговая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразоеа* ния и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной или преры* вистойфункции.

14    цифровая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.

15    бескорпусная микросхема: Микросхема, конструктивно выполненная в виде кристалла (или совокупности кристаллов, сформированных на пластине без раз* деления), с выводами или с контактными площадками, предназначенная для монтажа в корпус или другие сборочные единицы.

16    базовый кристалл (микросхемы), БК: Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных электрически соединенных или несое* диненных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления межэлементных соединений.

17    базовый матричный кристалл (микросхемы). БМК: Базовый кристалл с регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов.

18    микросхема общего применения: Микросхема, разработанная для примене* ния в различных видах радиоэлектронной аппаратуры.

19    специализированная микросхема: Микросхема, разработанная по конкрет* ному заказу или разработанная потребителем для применения в конкретной радиоэлектронной аппаратуре.

Примечание — Специализированные микросхемы разрабатывают, как правило, с участием потребителя.

20    микросхема К*степени интеграции: Микросхема, содержащая от (1 +10 к’') до 10х элементов включительно.

21    степень интеграции (микросхемы): Показатель степени сложности микрос* хемы. характеризуемый числом содержащихся в ней элементов.

Примечание — Степень интеграции полупроводниковой микросхемы определяют по формуле: К * IgN.

где К— коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числе:

N — число элементов микросхемы.

substrate

wafer

bonding pad

package;

case

monolithic Integra* ted circuit

hybrid circuit

multichip module

film integrated circuit

linear integrated circuit

digital integrated circuit

known good die

gate array

Application Spec»* fic

Integrated Circuit: ASIC

2

ГОСТ Р 57435—2017

22    тип (микросхемы): Микросхема конкретного функционального назначения и определенного схемотехнического решения, имеющая индивидуальное условное обозначение и технические условия.

23    типономинал (микросхемы): Микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа значениями одного или нескольких параметров и (или) показателей стойкости к внешним воздействующим факторам.

24    серия (микросхем): Совокупность типов (типономималов) микросхем, объединенных с учетом функционального назначения и (или) конструктивно-технологического подобия, изготавливаемых, как правило, в одном базовом технологическом процессе (процессах).

25    группа типов (микросхем): Совокупность типов (типономиналов) микросхем в пределах одной серии, объединенных признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц, имеющих, как правило, идентичное функциональное назначение, конструктивное исполнение и состав электрических параметров.

Примечание — Признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц являются корпус одного типоразмере, материал и технология монтажа кристалла идр.

26    стандартная ячейка: Совокупность электрически соединенных элементов для реализации одной или нескольких самостоятельных функций.

27    вывод (микросхемы): Элемент конструкции корпуса или бескорпусной микросхемы. предназначенный для соединения с внешней электрической целью.

28    свободный вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорной площадки для внешнего монтажа, не влияя на работу микросхемы.

29    неиспользуемый вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, который имеет электрическое соединение сконтактной площадкой кристалла или подложки, ноне используется в режиме применения, указанном в технических условиях.

standard cell terminal blank terminal

non-usable terminal

3

ГОСТ Р 57435—2017

Алфавитный указатель терминов на русском языке

БК    16

БМК    17

ВЫВОД    27

вывод микросхемы    27

вывод микросхемы неиспользуемый    29

вывод микросхемы свободный    28

вывод неиспользуемый    29

вывод свободный    28

группа типов    25

группа типов микросхем    25

компонент    3

компонент микросхемы    3

корпус    8

корпус микросхемы    8

кристапл    4

кристалл базовый    16

кристалл базовый матричный    17

кристалл микросхемы базовый    16

кристалл микросхемы базовый матричный    17

кристалл полупроводниковой микросхемы    4

микросхема    1

микросхема аналоговая    13

микросхема бескорлусная    15

микросхема гибридная    10

микросхема интегральная    1

микросхема К-степени интеграции    20

микросхема общего применения    18

микросхема пленочная    12

микросхема полупроводниковая    9

микросхема специализированная    19

микросхема цифровая    14

модуль многокристальный    11

пластина    6

пластина микросхемы    6

площадка контактнее    7

площадка микросхемы контактная    7

подложка    5

подложка микросхемы    5

серия    24

серия микросхем    24

степень интеграции    21

степень интеграции микросхемы    21

тип    22

тип микросхемы    22

тилономинал    23

типономинал микросхемы    23

элемент    2

элемент микросхемы    2

ячейка стандартная    26

4

ГОСТ Р 57435—2017

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Application Specific integrated Circuit

19

ASIC

19

blank terminal

28

bonding pad

7

case

8

circuit element

2

circuit component

3

chip

4

die

4

digital integrated circuit

14

film integrated circuit

12

gate array

17

hybrid circuit

10

integrated circuit

1

known good die

15

linear integrated circuit

13

monolithic integrated circuit

9

multichip module

11

non-usable terminal

29

package

8

standard celt

26

substrate

5

terminal

27

water

6

5

ГОСТ Р 57435—2017

УДК 621.38:006.354    ОКС31.200

Ключевые слова: микросхемы интегральные, термины, определения

6

БЗ 2—2017/25

Редактор Я. В. Кожеомояова Технический редактор в.Н. Прусакова Корректор ИЛ. Королева Компьютерная верстка И.Л. Налооколои

Сдано в набор 05.04.2017. Подписано в печать 24.04.2017. Формат 60 » 84 Гарнитура Ариал. Уел. печ. л. 1.40. Уч.-иад. л. 1.28. Тираж 46 экз. Зак. 664.

Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта

Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ». 12399S Москва. Гранатный пер.. 4. nt    info^gostinfo ти