allgosts.ru31. ЭЛЕКТРОНИКА31.200. Интегральные схемы. Микроэлектроника

ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик

Обозначение:
ГОСТ 19799-74
Наименование:
Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик
Статус:
Действует
Дата введения:
01/01/1976
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
31.200

Текст ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик



БЗ 12-98

ГОСТ 19799—74

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК

Издание официальное

ИПК ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ Москва

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ    СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ АНАЛОГОВЫЕ

Методы измерения электрических параметров и определения характеристик

ГОСТ

19799-74

Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses

Дата введения 01.01.76

Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик.

Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители.

Настоящий стандарт должен применяться:

при разработке и пересмотре стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов;

при разработке установок для измерения электрических параметров микросхем;

при проведении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Степень соответствия настоящего стандарта СТ СЭВ 1622—79 приведена в приложении 4.

Общие требования к аппаратуре — в соответствии с ГОСТ 30350.

(Измененная редакция, Изм. № 1,2, 3, 4, 5, 6).

Разд. 1. (Исключен, Изм. № 6).

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ (класс 1000*)

Метод 150 0. Измерение входного напряжения (Um).

Измерение Um проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. Измеряют напряжение на входе микросхемы при ее работе в заданном режиме, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 1510. Измерение максимального входного напряжения (f/x max) для микросхем с одним входом.

* Порядок нумерации методов измерения, применяемый в настоящем стандарте, приведен в приложении 2.

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1974 © ИПК Издательство стандартов, 1999 Переиздание с Изменениями

Измерение U проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

1 — генератор сигналов; 2 — измеритель переменного напряжения; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — измеритель переменного напряжения; 6 — измеритель нелинейных искажений; 7 — измеритель временных интервалов (осциллограф)

Черт. 1

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Увеличивая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем напряжения измеряют Um max на входе микросхемы.

Метод 1511. Измерение максимального входного напряжения (Uhx max) для микросхем с двумя входами на переменном токе.

а    сг    Структурная схема для измерения UBX max на переменном токе

1 — генератор переменного напряжения; 2, 5 — измерители переменного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания

приведена на черт. 2.

Значения чистоты и сопротивления нагрузки должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. В случае применения модулированного сигнала измерители 2 и 5 должны обеспечивать измерение эффективного немодулированного напряжения. Конденсаторы С1 и С2 должны являться короткозамкнутыми цепями при заданной частоте.

Для проведения измерения испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных ти-Черт. 2    пов. Сигнал генератора 1 на заданной частоте устанавливают на уров

не, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Значения максимального входного напряжения измеряют измерителем 2.

Методы 150 0, 151 0, 1511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 1512. Измерение максимального входного напряжения (£/хтах) для микросхем с двумя входами на постоянном токе.

Структурная схема измерения U    на постоянном токе приведена на черт. 2а.

1 — источник постоянного напряжения; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания

Для измерения £/ ,„ на источнике 1 устанавливают напряжение U < (7 и постепенно увели-чивают его до тех пор, пока С/вых не достигнет значения, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Значение иттт измеряют измерителем 2.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

Метод 1520. Измерение минимального входного напряжения (U^^) для микросхем с одним входом.

Измерение UBxmin проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение выходного сигнала микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерителем напряжения измеряют UBX min на входе микросхемы.

Метод 1521. Измерение минимального входного напряжения (£^Bxmin) для микросхем с двумя входами.

Измерение UBX min проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.

При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшая напряжение входного сигнала, устанавливают напряжение на входе (выходе) испытуемой микросхемы равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. После этого измеряют (7xmin измерителем 2.

Метод 153 0. Измерение чувствительности (S)

Измерение S проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшают входное напряжение до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют напряжение входного сигнала, которое численно равно чувствительности.

Метод 154 0. Измерение диапазона входных напряжений (Af/x).

Для измерения A U измеряют значение максимального входного напряжения U (методы 1510 и 1511) и значение минимального входного напряжения £/xmin (методы 1520 и 1521). Диапазон входных напряжений определяют по формуле

AU = U -U . .

вх    вх.тах    вх.тш

Метод 155 0. Измерение входного напряжения покоя (UQ ) и выходного напряжения покоя

Соизмерение U0tx и £/0вь|х микросхем с одним входом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 3.

Емкость Cj конденсатора должна быть достаточной для того, чтобы исключить паразитные самовозбуждения, и должна соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов.

Переключатель В1 устанавливают в положение 1 и измерителем 3 измеряют значение входного напряжения покоя U0m. Затем переключатель В1 переводят в положение 2 и измерителем 3 измеряют значение выходного напряжения покоя U0Bhi%.

(Измененная редакция, Изм. № 2).    Черт. 3

Метод 156 0. (Исключен, Изм. № 2).

Метод 157 0. Измерение входного напряжения ограничения (t/0orpBX).

Измерение UQrp вх проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента

источник

пи-

1 — микросхема; тания; 3 — измеритель постоянного напряжения

усиления напряжения KyV данной микросхемы.

2-1361

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал напряжением и’вх , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы ивах ■ Увеличивают входной сигнал до напряжения и'вх = 1,1 UBX и измеряют

tt

Uvblx ■ Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле

' и -U

_ и ВЫХ u ВЫХ

Изменяя входное напряжение и определяя Куд, находят такое значение Um, при котором Куд

t

равен 0,1 Кул. Входное напряжение ограничения Е/Оогрвх равно найденному значению Um.

Метод 158 0. Измерение э. д. с. смещения (Еш) и напряжения смещения нуля (U ) для микросхем с двумя и одним входами.

Измерение Есм, Ucu для микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4, а для микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а.

Инвентирующий усилитель 4 применяется, если выходное напряжение испытуемой микросхемы не сдвинуто по фазе. Усилитель должен обеспечивать коэффициент усиления напряжения ^yU=l и иметь входное сопротивление Rbx »RH-

Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурные схемы черт. 4 и черт. 4а, должны удовлетворять следующим требованиям:

Rt>Rs> RlORBblx;

i?4 < 0,01Т?5 или J?4<—^-.

О,1 К у t/min ’

_ R4 R5

■ R4 ', Явх » R-2 <

50 ’

где — входное сопротивление испытуемой микросхемы;

Квых — выходное сопротивление испытуемой микросхемы;

К v — коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы при условии, что цепь обрат-нои связи разомкнута.

R5

1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания

1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — усилитель, инвентирующий фазу; 6 — источник

питания

Испытуемую микросхему балансируют, изменяют напряжение Ех источника 1 до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 будет равно нулю или значению ^0еых, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение Ех измерителем 2.

Э. д. с. смещения и напряжения смещения нуля определяют по формуле

ECU{UCU) - Ех + ^ +Еых

*4

и45

Метод 1581. Измерение э. д. с смещения (Е ) и напряжения смещения нуля (UCM) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение Еш, UCM проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

Параметры вспомогательного дифференциального усилителя должны обеспечивать:

усиление при разомкнутой обратной связи более 60 дБ;

размах выходного напряжения, достаточный для обработки входного напряжения испытуемой микросхемы;

диапазон напряжений синфазного сигнала на входе не меньше диапазона выходного напряжения испытуемой микросхемы.

Значения сопротивлений резисторов, входящих в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

= ^; Дз = д4; *,«*,«4,;

R - Кб к7 5 h+Ri

1 — измеритель постоянного напряжения; 2, 5 — источники питания; 3 — микросхема; 4 — вспомогательный дифференциальный усилитель; 6 — источник постоянного напряжения

Значения сопротивлений резисторов R устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель ВЗ устанавливают в положение 1, когда выходное напряжение испытуемой микросхемы равно нулю, или в положение 2, когда выходное напряжение не равно нулю. Напряжение источника 6 должно соответствовать установленному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Для измерения ^переключатели В1 и В2замыкают, а для измерения Ucu — размыкают.

Устанавливают напряжение источника 6 и положение переключателя ВЗ в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов и измеряют напряжение Ux измерителем 1. Э. д. с. смещения и напряжение смещения нуля определяют по формуле:

ECM(UCM) = U,

Метод 159 0. Измерение синфазного входного напряжения (Uc ф вх).

Измерение 1/ф вх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6.

1 — измеритель напряжения; 2 — источник литания; 3 — генератор сигналов; 4 — источник питания; 5 — источник питания; 6 — микросхема;

7 — измеритель постоянного напряжения; 8 — измеритель переменного

напряжения

Черт. 6

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Rx = ^<0,017JBx; R, = V>*2-

На микросхему подают £/фвх с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют его напряжение измерителем напряжения.

Методы 157 0—1 5 9 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 160 0. Измерение максимального синфазного входного напряжения (£7ф вх тах) для микросхем с двумя входами.

Для измерения максимального синфазного входного напряжения 1/фвх тах измеряют коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Кос сф (методы 6550 и 6551). Измеряя Кос сф, плавно увеличивают напряжение входного синфазного сигнала до значения, при котором Кж сф уменьшится на 6 дБ, при этом регистрируют постоянное напряжение входного синфазного сигнала или амплитуду синусоидального входного синфазного сигнала (при измерении на переменном токе), которые равны U ^

сф.вх.тах

Метод 1610. Измерение выходного напряжения (£/ых).

Для измерения 1/вых на выводах микросхемы устанавливают режим, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерение С/ых проводят измерителем напряжения, подключаемым к выходу микросхемы.

Метод 162 0. Измерение максимального выходного напряжения (£/ых тах) для микросхем с одним входом.

Измерение САых^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Увеличивают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют измерителем напряжения на выходе микросхемы U

вых.тах

Метод 1621. Измерение максимального выходного напряжения (17вых тах) для микросхем с двумя входами на переменном токе.

Измерение t/ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Требования к элементам схемы аналогичны изложенным в методе 1511.

Сигнал генератора 1 на заданной частоте устанавливают на уровне, обеспечивающем значение напряжения на входе (выходе) испытуемой микросхемы, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют максимальное выходное напряжение С7 ых тах измерителем 5.

Методы 161 0—1 6 2 1. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 162 2. Измерение максимального выходного напряжения (С7вых ) для микросхем с двумя входами на постоянном токе.

Измерение UBmmax на постоянном токе проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2а.

На источнике 1 устанавливают напряжение Uox, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Значение 11вых тах измеряют измерителем 5.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

Метод 163 0. Измерение минимального выходного напряжения (UBblxmi[) для микросхем с одним входом.

Измерение UBt}Xmin проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Уменьшают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют С/ых min.

Метод 1631. Измерение минимального выходного напряжения ({/вых mjn) для микросхем с двумя входами.

Измерение 1/вых min проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 2. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1511.

Микросхему балансируют (при необходимости) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Уменьшают напряжение входного сигнала до такого значения, при котором параметры микросхемы примут значения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов; при этом измерителем напряжения на выходе микросхемы измеряют UBblxmin-

Метод 164 0. Измерение выходного напряжения баланса (£7ВЫХ бал) для микросхем с двумя входами.

Измерение 17выхбал проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 6а.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Микросхему балансируют (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем переключатель В1 переводят в положение 2 и измерителем постоянного напряжения измеряют £7выхбал между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.

3-1361

Метод 1641. Измерение выходного напряжения баланса (U бал) для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение £7вых6ал проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 66.

R1 R<4    R5

1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2 — микросхема; 3 — источник питания; 4 — измеритель постоянного напряжения

Черт. 6а

J, 4 — измерители постоянного напряжения; 2, 6 — источники питания; 3 — микросхема; 5 — вспомогательный усилитель

Черт. 66

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

R, = /^<0,01^; Яъ = R,»R2,

^5    ^6’ ^7    ^8'

Если напряжения на входах вспомогательного усилителя не превышают допустимых значений, то резисторы R7и R8 исключают.

Параметры вспомогательного усилителя должны удовлетворять требованиям, указанным в методе

1581.

Измерителем 4 измеряют постоянное напряжение £/ых бал между одним из выходов микросхемы и общим выводом микросхемы.

Метод 165 0. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (U вх) для микросхем с одним входом.

Измерение U проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

1 — источник питания; 2 — микросхема; 3 — измеритель переменного напряжения

JL < 0AR .

Для измерения Um вх измеряют эффективное значение напряжения шумов Um на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения KylJ методом, выбранным для испытаний данной микросхемы (методы 6500—6504).

Приведенное ко входу напряжение шумов определяют по формуле

и„

= Цщ_

KyU

Метод 1651. Измерение приведенного ко входу напряжения шумов (1/ш вх) для микросхем с двумя входами.

Измерение С/щвх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

=    0,01Явх; R3 = R4»R{;

^ = ^^<0,01^.

Для микросхем с двумя выходами положение переключателей при измерении 1/ш вх показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ переводят в положение 2.

Переменное напряжение на выходе генератора устанавливают равным нулю. Входы микросхемы через конденсаторы С1 и С2 закорачивают на общий вывод, для чего замыкают переключатели В1 и В2.

Микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, затем к выходу микросхемы подключают измеритель переменного напряжения (переключатель В4устанавливают в положение 2).

1 — генератор сигналов; 2 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения; 6 — измеритель переменного напряжения; 7 — измеритель нелинейных искажений.

1 — источник управляющего напряжения; 2 — измеритель постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения

Черт. 8

Черт. 7а

Измеряют эффективное значение напряжения шумов Um непосредственно на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения KyU (методы 6500—6504).

Приведенное ко входу напряжение шумов Um вх определяют по формуле

U

ш.вх

и ш

ку и

Метод 1660. Измерение остаточного напряжения (£/ост).

Измерение проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

На вход микросхемы подают управляющее напряжение Е{, соответствующее открытому состоянию микросхемы, с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Остаточное напряжение измеряют измерителем напряжения на выходе микросхемы.

Метод 1670. Измерение напряжения срабатывания (£/р6).

Измерение £/р6 проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

г

Увеличивают управляющее напряжение Ег начиная от Ех < С7срб, указанного в стандартах или

з*

технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения, при котором происходит включение микросхемы, т. е. скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регистрируют

значение е[ , которое равно Ucp6.

Метод 168 0. Измерение напряжения отпускания (t/0Tii).

Измерение Uorn проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

г

Уменьшают управляющее напряжение Е{, начиная от Ех >t/cp6, указанного в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения е[ , при котором происходит

включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения, при этом регистрируют значение Ev которое равно t/xn.

Метод 1690. Измерение максимальной амплитуды импульсов входного (выходного) напряжения (UmAmax UBaxA J.

Измерение UexAmax (^выхАтах) проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель временных интервалов; (осциллограф); 6 — измеритель переменного напряжения; 7 — измеритель частоты; 8 — измеритель нелинейных искажений

Черт. 9

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Е\ = RBx > ХСх ^ 0,01Л].

Плавно увеличивают амплитуду входных импульсов до такого значения, при котором искажения формы импульсов выходного напряжения станут равными значениям, указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерителем напряжения измеряют максимальную амплитуду импульсов входного (выходного) напряжения.

Метод 170 0. Измерение диапазона изменения выходного напряжения ограничения Д Uorp.

Измерение Д Uorp проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения коэффициента усиления напряжения Ку{] данной микросхемы (методы 6500—6504).

I    г/

При двух значениях входного напряжения UBX = Uorp и £/вх= 1,5 UOTp измеряют выходные напряжения илк и и'вых .

Диапазон изменения выходного напряжения ограничения определяют по формуле

и    I

Д ^огр = ^вых ^вых •

Методы 161 0—170 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 1710, 1711. (Исключены, Изм. № 5).

Метод 172 0. Измерение диапазона выходного постоянного напряжения (U „ ).

Измерение 1/шхпост проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1651.

Для микросхем с двумя выходами положение переключателя ВЗ при измерении U пост показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ переводят в положение 2.

На вход микросхемы подают два значения напряжения, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов и обеспечивающие получение двух граничных значений диапазона выходного напряжения микросхемы. Измеряют указанные выходные напряжения. Диапазон выходного напряжения определяют как алгебраическую разность измеренных выходных напряжений.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

3. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ

ТОКА (класс 2000)

Метод 250 0. Измерение входных токов (7х , 7вх ), среднего входного тока (7вхср) и разности входных токов (Д7вх).

Для микросхем с двумя входами измерение /Ех , 7вх , 7вхср, Д7вх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 11а, а измерение 7вх для микросхем с одним входом — по структурной схеме, приведенной на черт. 116.

R5

1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания

Черт. 11а

R1 R4 R6

R5

1 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — усилитель, инвентирующий фазу; 6 — источник питания

4-1361

Сопротивление R6 резистора (см. черт. 11а и 116) должно удовлетворять следующему требованию:

Остальные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

При измерении А/х испытуемую микросхему балансируют при замкнутых переключателях В1 и В2, изменяют напряжение источника 1 до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 не будет равно нулю или напряжению , указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы

конкретных типов. Измеряют напряжение е\ измерителем 2. Повторно балансируют микросхему при

разомкнутых переключателях В1н В2и измеряют измерителем 2 напряжение Е\ ■

При измерении I , I , /вх ср испытуемую микросхему балансируют при разомкнутом пере-

iti

ключателе В1 и замкнутом В2 и измеряют напряжение Е\ измерителем 2. Повторно микросхему

int

балансируют при замкнутом переключателе В1 и разомкнутом В2 и измеряют напряжение Ех . Разность входных токов А/х микросхемы определяют по формуле

где

R2 . rx+r2

к2 =

*5

r4 +r5

Входной ток /

по первому входу микросхемы определяют по формуле

^,=-^(4-4").

Входной ток /ВХ2 по второму входу микросхемы определяют по формуле

1ВХ2=^-(е[-е';") '

Средний входной ток /вх ср микросхемы определяют по формуле

^вх.ср

_*L

К

НЕ, -Ех )=-

^вх2

2

Входной ток 1Ю для микросхемы с одним входом определяют по формуле для /х .

Метод 2501. Измерение входных токов (/вх, /вх), среднего входного тока (/вхср) и разности входных токов (Д/х) с автоматической балансировкой с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение / , /вх , /вхср, Д/вх проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

Сопротивление резисторов R должно быть меньше значения входного сопротивления испытуемой микросхемы и в 100 раз больше значения сопротивления R{ резистора. Требования к источнику напряжения устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Остальные требования к элементам структурной схемы должны соответствовать требованиям, указанным в методе 1581.

При измерении А7 размыкают переключатели В1 и В2 и измеряют значение и\ измерителем 1

(см. черт. 5). При измерении 7^, 7 , 7вхср размыкают переключатель В1, замыкают переключатель В2 и измеряют значение Jу” измерителем 1. Потом замыкают переключатель В1, размыкают переключа-

ttt

тель В2 и измеряют значение U , измерителем 1.

Разность входных токов Д7вх определяют по формуле

А/в х = *^,

где

К =

К2

/?2    -^4

Входной ТОК I

Ш1

по первому входу микросхемы определяют по формуле

Входной ток

по второму входу микросхемы определяют по формуле

ш

Средний входной ток 7 микросхемы определяют по формуле

Г v U\ -Ui ^ВХ1+^ВХ2 iBx.cp 2R ~    2

Методы 250 0, 250 1. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 250 2, 251 0—2 5 1 2. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 252 0. Измерение выходного тока (7 ).

Для измерения 7вых измеряют выходное напряжение U (метод 1610). Выходной ток определяют по формуле

Т _ ^вых 1 ВЫХ ту

кн

Метод 2530. Измерение максимального выходного тока (7вых тах) для микросхем с одним входом.

Измерение 7выхтах проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Для определения 7выхтах положение переключателей показано на черт. 1.

Изменяя напряжение входного синусоидального сигнала при номинальном значении сопротивления нагрузки, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, устанавливают на выходе напряжение If , которое измеряют по методу 1620.

ВЫХ« ПдаХ

После этого заменяют сопротивление нагрузки резистором , указываемом в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение и'ъых

Максимальный выходной ток определяют по формуле

f

Т    — ^вых

-'вых. max ~    '

-^н

Метод 2531. Измерение максимального выходного тока (/выхтах) для микросхем с двумя входами.

Для определения /вых тах при номинальном значении сопротивления нагрузки на выходе микросхемы устанавливают максимальное выходное напряжение £/ь|х тах, измеренное по методу 1621.

Заменяют сопротивление нагрузки резистором , указанным в стандартах или технических

условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение ивых ■ Максимальный выходной ток определяют по формуле

_ ^вых

£

Метод 254 0. Измерение минимального выходного тока (7ых min).

Для определения /выхт1п измеряют минимальное выходное напряжение С/ых min (метод 1630 или 1631).

Минимальный выходной ток определяют по формуле

Я»

Метод 255 0. Измерение тока утечки на входе (выходе) (/ и /твых).

Измерение I и вых проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Размыкают переключатель В2, закрывают входную (выходную) цепь микросхемы и измеряют

падение напряжения AU на резисторе (выходное напряжение микросхемы £/вых). Ток утечки на выходе (входе) определяют по формулам

' уг.вых"

. ^вых

■ Ъ

Методы 253 0—2 5 5 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 256 0. Измерение входного (выходного тока) покоя (/вх0 и / ых 0).

Измерения /вх0 и /вых 0 проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

Размыкают переключатель В2 и при Um = 0 измеряют падение напряжения AU на резисторе R{

t

(выходное напряжение микросхемы UBЬ1Х).

Входной (выходной) ток покоя определяют по формулам

^вх.О

A U Ra

1 вых.О “'

_ ^вых

Метод 257 0. Измерение тока потребления (/nom).

Измерение 1пот проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 12.

Измерители постоянного тока должны являться короткозамкнутыми цепями. При применении генератора напряжения его параметры должны соответствовать указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Для измерения /пот в точках А, Б, В, . . N должен быть обеспечен режим питания микросхемы, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Точки потребления 4„у 4п>2 • ■ • > 4m п измеряют измерителями токов.

Методы 257 1—2 5 9 0. (Исключены, Изм. № 2).

Методы 260 0—2 6 1 0. (Исключены, Изм. № 5).

Метод 262 0. Измерение тока срабатывания (/срб).

Измерение /срб проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 8.

г

Увеличивают управляющее напряжение Ev начиная от Ех <£/срб, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, до значения Ех , при котором происходит включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения. При этом измеряют значение тока, потребляемого от источника Еу Значение этого тока в момент срабатывания микросхемы равно /срб.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 263 0, 263 1. (Исключены, Изм. № 2).

1, 10, 11 — измерители постоянного напряжения; 3, 7, 8 — источники питания; 4, 6, 9 — измерители постоянного тока; 2 — генератор напряжения; 5 — микросхема

Черт. 12

4. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ

МОЩНОСТИ (класс 3000)

Метод 350 0. Измерение потребляемой мощности (Рпот).

Для измерения Рпт измеряют токи, потребляемые микросхемой (метод 2570).

Потребляемую мощность определяют по формуле

4от “    + Фг+ • • • 44

где 1Х, /2... 1а — токи, протекающие через выводы питания микросхем;

Е{, Ег... Е — напряжения питания на выводах микросхемы.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 3510. Измерение максимальной потребляемой мощности (Рпоттах)-Максимальную потребляемую мощность измеряют при работе микросхемы в предельном режиме по потреблению (метод 3500).

Метод 352 0. Измерение рассеиваемой мощности (Ррас).

Для измерения Ррас определяют потребляемую мощность Рпот (метод 3500) и выходную мощность 4ых (мет°Д 3530). Рассеиваемую мощность определяют по формуле

Р = Р — Р .

рас    пот    вых

Метод 353 0. Измерение выходной мощности (Рвых) и максимальной выходной мощности

(Р )•

v вых.max'

Структурная схема для измерения Рвых, Рвах тах приведена на черт. 13.

сг

а

н

ГТТ ГП г-

1 '' 2

|к 4 5

л Y т

3

1 — генератор    переменного    напряжения;

2    — микросхема; 3 — источник питания;

4 — измеритель переменного    напряжения;

5 — измеритель гармоник

Черт. 13

Измерение проводят в диапазоне низких частот. Значение частоты указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Конденсаторы С1 и С2 должны быть короткозамкнутой цепью на заданной частоте /

Предельное отклонение сопротивления нагрузки от заданного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов должно быть в пределах ±1 %. Измеритель 5 должен обеспечивать измерение коэффициента гармоник в диапазоне от 1 до 5 гармоники, при этом погрешность измерителя должна быть в пределах ±10 %.

Для проведения измерения выходное напряжение генератора 1 повышают до получения значения U указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, или такого выходного напряжения t7 ых max, при котором получают коэффициент гармоник A"rmax, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходную мощность и максимальную выходную мощность определяют по формулам:

U2

р _ ^вых    р
-* вых п ’    1 вых. шах

Кн

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 354 0. (Исключен, Изм. № 2).

5. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,

ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ (класс 4000)

Метод 450 0. Измерение полосы пропускания (Д/), верхней (/в)и нижней (fH) граничных частот.

Измерения Д/ проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления А^, данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, напряжение и частоту которого указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы UBblx .

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех

пор, пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения и"иых =0,707 и'лых , при этом

регистрируют частоту входного сигнала (верхнюю граничную частоту^). При необходимости микросхему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Затем плавно уменьшают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения

и'т* = 0,707 и'вых ■ При этом регистрируют частоту входного сигнала (нижнюю граничную частоту^).

Полосу пропускания микросхемы определяют по формуле

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 4510. Измерение центральной частоты (/ц).

Vi

Измеряют верхнюю^ и нижнюю^ граничные частоты микросхемы (метод 4500).

Центральную частоту полосы пропускания определяют по формуле

f _ /в + /н /ц- 2 .

Метод 452 0. Измерение частоты единичного усиления (/j).

Измерение fx микросхемы с одним выходом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 15.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Xr <R.,R    < R, < R ; R.~R,; R « R,,

Cj j.y вых ^ bx5 1    вых.г

где RVbaiT — выходное сопротивление генератора.

Измерение/, микросхем с двумя выходами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 16.

1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — осциллограф; 6 — измеритель переменного напряжения

Черт. 15

1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — вспомогательный усилитель; 6 — измеритель переменного напряжения

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

Я, = ^ Щ    *5 = Я6’ Л«*3«Лвх; ХС<<*V ХС2<<Я6-

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор, пока значение выходного напряжения станет равным значению входного напряжения. При этом регистрируют частоту входного сигнала, равную частоте единичного усиления/г

Метод 453 0. Измерение частоты резонанса (квазирезонанса) (f0).

Измерение f0 проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления Ку1} данной микросхемы (методы 6500—6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, частоту которого плавно изменяют, поддерживая напряжение постоянным.

Значение частоты, при котором выходное напряжение принимает максимальное (минимальное) значение, является частотой резонанса (квазирезонанса).

Метод 454 0. Измерение нижней (верхней) частоты полосы задерживания (1зан,/здв)-

Измерение /зди и_/^дв проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют коэффициент передачи. Плавно уменьшают (увеличивают) частоту входного сигнала до тех пор, пока коэффициент передачи микросхемы уменьшится в заданное число раз, при этом регистрируют частоту входного сигнала, которая равна нижней (верхней) частоте полосы задерживания.

Методы 4530, 4540. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 4550. Измерение полосы задерживания (А/зд).

Для измерения А/ измеряют f u и (метод 4540). Полосу задерживания определяют по

4Д    4Д*Н

формуле

^зд -^здн -^зд.в'

Метод 456 0. Измерение частоты среза (/срз).

Для измерения частоты среза определяют амплитудно-частотную характеристику (метод 9510) и определяют частоты, на которых коэффициент усиления напряжения KyV - 0 дБ.

Метод 4570. Измерение частот генерирования (fc) и следования импульсов (F).

Измерениеи Fпроводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17.

1 — микросхема; 2 — источник питания; 3 — измеритель частоты

Черт. 17

На микросхему подают электрический режим, указанный в НТД, и измерителем частоты регистрируют^ и F.

Метод 458 0. Измерение максимальной частоты следования импульсов Измерение F проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На вход микросхемы от генератора подают импульсы. Частоту следования импульсов плавно

увеличивают до тех пор, пока искажение формы импульса на выходе микросхемы станет равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При этом регистрируют Fmax.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

6. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,

ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ (класс 5000)

Метод 550 0. Измерение времени задержки (/зд).

Измерение t проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

Для измерения t положение переключателей показано на черт. 9.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, после этого измеряют t измерителем временных интервалов или определяют по изображениям входного и выходного импульсов на экране осциллографа как интервал времени, измеренный между моментами достижения фронтами входного и выходного импульсов уровней, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 5510. Измерение времени нарастания (f ) выходного напряжения для микросхем с одним входом.

Измерение гнар проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Для измерения tHap положение переключателей Bl, В2 показано на черт. 1, а переключатель ВЗ переводят в положение 3.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерители временных интервалов измеряют интервал времени, за который выходное напряжение микросхемы изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента первого достижения уровня 0,9 установившегося значения, который равен t .

Метод 5511. Измерение времени нарастания (/ ), времени запаздывания (*зап), времени установления (t ) и времени успокоения (/усп).

Измерение f , f3an, t, tycn проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17а.

Значения параметров выходного импульса генератора (амплитуда, частота, полярность, длитель

ность, время нарастания и спада), сопротивления R{, 7?3, сопротивление нагрузки RH (с учетом допускаемой емкости, шунтирующей нагрузку), приращение выходного напряжения от установившегося значения е должны соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов.

Графическое определение /нар, *зап, fycT, /усп и е приведено в приложении 5. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям:

R    : R - С ;

А вых * I г’ ЛХЪ вх нар5

с, >100 i-r2

где Свх — емкость на входе испытуемой микросхемы;

Тт — период повторения импульсов генератора. Параметры импульса генератора (длительность импульса т , время нарастания тн, время спада тс) должны удовлет-

1 — генератор импульсов; 2 — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель временных интервалов (осциллограф); б—измеритель постоянного напряжения

6-1361

ворять условиям ти > tycn, тн«/зап, хс«?зап. Измерение параметров может проводиться при К v= 1, то есть RV~R3 или KyVS>\, т. е.

А

KyU .

Перед измерением микросхему балансируют в соответствии с требованиями стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов. Если разбаланс испытуемой микросхемы не влияет на измеряемые параметры, то измерение проводят без предварительной балансировки. Затем устанавливают значение амплитуды импульса генератора, обеспечивающее работу испытуемой микросхемы в линейном режиме.

Время запаздывания ?зап, время нарастания f , время установления tyci и время успокоения t сп измеряют измерителем временных интервалов.

Методы 5500—5511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 5520—5530. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 554 0. Измерение времени готовности (tn).

Регистрируют момент времени соответствующий включению микросхемы и началу периодического измерения контролируемого параметра, который является критерием для определения времени готовности.

Регистрируют момент времени tn, соответствующий времени, когда контролируемый параметр, являющийся критерием, принимает значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Время готовности определяют по формуле

гт 2    1

Измерение параметров, которые являются критериями для определения времени готовности, проводят согласно методам, указанным в настоящем стандарте.

Конкретный метод измерения параметров указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

7. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ (класс 6000)

Метод 650 0. Измерение коэффициента усиления напряжения (Ку1]) для микросхем с одним входом.

Метод применяют, когда не требуется высокая точность определения Ку1] или когда напряжение, подаваемое на вход испытываемой микросхемы, не может быть измерено непосредственно (например, на высоких частотах).

Измерение KyV проводят согласно структурной схеме, которая приведена на черт. 1.

Для определения KyU положение переключателей показано на черт. 1.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал Um, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе U . Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

V _ ^вых

луЦ--

Метод 6501. Измерение коэффициента усиления напряжения (XyU) на постоянном токе.

Измерение KyU проводят для микросхемы с двумя входами согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4, а для микросхем с одним входом — на черт. 4а.

Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Для проведения измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Напряжение источника 1 изменяют на такое значение ДЕ, при котором приращение выходного напряжения АС/ых не выходит за линейный участок работы испытуемой микросхемы.

Коэффициент усиления вычисляют по формуле

*уи =

д и

ВЫХ

А Е

*4

/?4 + /{5

Метод 650 2. Измерение коэффициента усиления напряжения (KyV) на постоянном токе для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы при помощи вспомогательного усилителя.

Измерение KyU проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для проведения измерения устанавливают переключатели В1 и В2 в замкнутое положение, а переключатель ВЗ — в положение 2. Напряжение минус Uon на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение и\ измерителем 1. Напряжение плюс Uon на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение измерителем 1.

Коэффициент усиления вычисляют по формуле

К

_ *2 yU R2+R4

Won

t    Ч

Vi-Ui •

Метод 6503. Измерение коэффициента усиления напряжения (A"yU) для микросхем с двумя входами.

Метод применяют при испытаниях микросхем с малым входным сигналом. Метод позволит уменьшить погрешность определения коэффициента усиления, связанную с погрешностью измерителя переменного напряжения. При измерениях на высоких частотах в качестве делителя может быть использован высокочастотный калиброванный аттенюатор.

Структурная схема для измерения KyU приведена на черт. 20.

1 — генератор сигналов; 2 — источник питания; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения; 6 — измеритель переменного напряжения

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

^0,01i?Bx;ZC[<0,01*3.

При измерении К и для микросхем с двумя выходами положение переключателя В1 показано на черт. 20, а для микросхем с одним выходом переключатель В1 переводят в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1511) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем размыкают переключатель ВЗ и на вход усилителя подают синусоидальный сигнал и измеряют напряжение на выходе генератора {7ых г. Переключатель В2 переводят в положение 2 и измеряют напряжение на выходе микросхемы UBbSK. Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

Куи~

_ -ft-дел.и

■1/я

и

вых.г

К и выбирают равным номинальному значению коэффициента усиления напряжения испытуемой микросхемы.

Метод 6504. Измерение коэффициента усиления напряжения (^Гуи) на переменном токе.

По данному методу измеряется КуХ} микросхем с низким и средним входными сопротивлениями. Измерение KyV проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 18. Значения сопротивления нагрузки i?H и частоты / установлены в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При измерении Ку1] для микросхем с одним входом резистор R3 должен быть короткозамкнутым (переключатель В1 — замкнутый). Сопротивление аттенюатора должно быть значительно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

Сопротивление Rx резистора должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюатора. Сопротивления R1 и R3 во входной цепи должны быть равны минимальному входному сопротивлению испытуемой микросхемы, определенному на постоянном токе. Сопротивления конденсаторов С1 и С2 должны быть при заданной частоте значительно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

С1

1 — генератор переменного напряжения; 2, 6 — измерители переменного напряжения; 3 — аттенюатор; 4 — источник питания; 5 — микросхема

Черт. 18

Перед проведением измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерения проводят в режиме малого сигнала.

Генератором 1 на измерителе 2 устанавливают значение {/ыхг5 равное требуемому значению выходного напряжения U . Регулируя затухание аттенюатора, устанавливают на измерителе 6 то же значение выходного напряжения {7ых. Коэффициент усиления напряжения испытуемой микросхемы Ку1] равен коэффициенту d затухания аттенюатора.

Методы 6500—6504. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 6505, 6506. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 652 0. Измерение коэффициента усиления тока (/Г,).

Для измерения Ку1 используют значения К „ и RBX, измеренные выбранными для данной микросхемы методами (методы 6500—6504 и 7500—7501).

Коэффициент усиления тока определяют по формуле

V _ 7вых U вых RftX V

-*Г-1^Г7Г ’V~Z

t

где — здесь и далее активная составляющая результирующей нагрузки микросхемы.

Метод 6530. Измерение коэффициента усиления мощности (J^p).

Для измерения А^р используют значения К и и Rbx, измеренные выбранными для данной микросхемы методами (методы 6500—6504 и 7500—7501),

Коэффициент усиления мощности определяют по формуле

р

V _ 1 вых

ЛуР-“Б

1 RY

Til    П    D

и вых    *лвх _ ^ 2    лвх

О-}— — А yU —“

,2    R    R

ВХ    JVH    JVH

и

Метод 654 0. Измерение коэффициента усиления синфазных входных напряжений (Ку сф).

По данному методу измеряется Ку сф микросхем с низким и средним полными входными сопротивлениями.

Большие значения К сф измеряют согласно структурной схеме, приведенной на черт. 19, а малые значения К — по структурной схеме, приведенной на черт. 20.

Измерение проводят в режиме малого сигнала. Частота генератора^, переменное выходное напряжение £7 ых, сопротивление нагрузки 7?н должны соответствовать требованиям стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов. Сопротивление R{ резистора определяют из соотношения R{ <7?вх/100. Оно должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюатора. Испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя напряжение генератора 1 на измерителе 2 устанавливают напряжение С/, равное выходному напряжению микросхемы £7ЫХ, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя затухание аттенюатора 3, устанавливают на измерителе 6 требуемое значение выходного напряжения U .

вых

1 — генератор переменного напряжения; 2, 6 — измеритель переменного напряжения; 3 — аттенюатор; 4 — источник питания; 5 — микросхема

1 — генератор переменного напряжения; 2, 3 — аттенюаторы; 4 — источник питания; 5 — микросхема;    6 — индикатор    нуля;

7 — измеритель переменного напряжения

Черт. 19

Черт. 20

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения Ку сф равен значению затухания d аттенюатора.

При измерении малых значений Ку ^ (черт. 20) испытуемую микросхему (при необходимости) балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. На аттенюаторы 2 и 3 устанавливают максимальное значение затухания dy Регулируя напряжение генератора 1 на измерителе 7 устанавливают требуемое значение выходного переменного напряжения UBiix. Затем устанавливают такое значение затухания d2 аттенюатора 3, при котором индикатор нуля 6 показывает минимальное значение.

Коэффициент усиления синфазного входного напряжения Ку сф определяют по формуле

dy    г    г г

Ку. сф = ~~1~    ИЛИ А^у.сф=^2“^1,

где А'у сф; d2 и dx — выражены в децибелах, если необходимо получить значение Ку сф в децибелах.

Метод 655 0. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжений Для измерения Кж. используют значения Ку1] и Ку сф, измеренные методами 6501—6504 и 6540. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений определяют по формуле

^ос.сф =    ИЛИ    = KylJ — Ку Сф

л у.сф

г    I

Куи, Ку Сф — выражены в децибелах, если необходимо получить значение коэффициен

та *ос.сф в децибелах.

Метод 655 1. Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напряжений    сф)

с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы.

Измерение производят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 23.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

На вход микросхемы подают сигнал положительной полярности £/ф вх, указанный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и регистрируют показание измерителя постоянного напряжения [/[. Переключатель В1 переводят в

положение 2, подают сигнал отрицательной полярнос-ти £Афвх, равный по абсолютному значению сигналу положительной полярности. Регистрируют показание

1 — источник постоянного напряжения; 2 — генератор переменного напряжения; 3 — измеритель постоянного напряжения; 4 — измеритель переменного напряжения; 5 — источник питания; 6 — микросхема;

7 — вспомогательный усилитель

измерителя постоянного напряжения их

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений на постоянном токе определяют по формуле

К

и,

ос.сф :

сф.вх

2^4 _

Вг и, -и\

Черт. 23

При измерении на переменном токе переключатель В1 переводят в положение 3, а переключатель В2 — в положение 2. На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал С7фвх и регистрируют

показание измерителя переменного напряжения и'2

Коэффициент ослабления синфазного сигнала на переменном токе определяют по формуле

^ос.сф

^4^сф.вх

я2и'2

Метод 6560. Измерение коэффициента нелинейности амплитудной характеристики (К^ д). Для измерения А используют структурную схему, выбранную для измерения коэффициента усиления напряжения (методы 6500—6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный (импульсный) сигнал напряжением UBKmin, а затем Umnax, указанные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют соответственно С/ыхmin и f/uxmax. Затем С/хтах уменьшают, а напряжение i7Bxmin увеличивают на одно и то же значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы

конкретных типов, и определяют соответственно и’вых шах и ивых min . Измерение проводят на заданной частоте. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики определяют по формуле

^нл.А "

К

Bbix.min ^Bbix.min

н

^вых.тах ^вых.тах

^вых.тах ^вых.тт ^вх.тах ~ ^вх.шт

ли

Метод 657 0. Измерение коэффициента прямоугольности (Ап).

Для измерения Кп определяют полосу пропускания Д/ (метод 4500) по уровню 0,01 17 ых — Д^0| или по уровню 0,001 1/ых — A/q001 т. е. разность между значениями частот, на которых выходное напряжение уменьшается в 100 или 1000 раз относительно выходного напряжения на частоте, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Коэффициент прямоугольности определяют по формуле

Кп 0,01(0,001) =

Д70,01(0,001)

Af

Метод 6580. Измерение коэффициента деления (Адел f) и умножения частоты (AyMHf). Структурная схема для измерения Клт f и Аумн f приведена на черт. 24.

Измеряют значения частоты входного /вх и выходного^^ сигналов. Коэффициент деления частоты определяют по формуле

V — -^вх лдел{ ~ г

7 ВЫХ

Коэффициент умножения частоты определяют по формуле

V — ^вых Л yMHf “ f

J вх

1 — генератор сигналов; 2 — микросхема; 3 — источник питания; 4 — измеритель частоты

Черт. 24

Метод 659 0. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания на

ВХОДНОЙ ТОК (Кт и п).

Для измерения Ктип дважды измеряют входной ток (методы 2500, 2501). Первое измерение

входного тока /вх проводят при повышенном напряжении одного из источников питания на значение АЕ, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Второе измерение входного тока /вх проводят при пониженном напряжении того же источника питания на значение АЕ. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на входной ток определяют по формуле

>    а

К    _ ^вх ~ ^вх

влип" 2ДЕ '

Метод 660 0. Измерение коэффициента влияния нестабильности источника питания на

t

разность входных токов (Квп п).

Для определения Кил и п дважды измеряют разность входных токов (методы 2500, 2501). Первое

измерение разности входных токов д/вх проводят при повышенном напряжении одного из источников питания на значение АЕ, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Второе измерение разности входных токов д/вх проводят при пониженном напряжении того же

источника питания на значение АЕ. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на разность входных токов определяют по формуле

f    и

V    _    ~

влип 2 АЕ

Метод 6610. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (Кли п) на э. д. с. смещения (Есы) и напряжения смещения нуля (£/м).

Измерение Квляп микросхем с двумя входами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4, а микросхем с одним входом — согласно структурной схеме, приведенной на черт. 4а. Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1580.

Испытуемую микросхему балансируют (метод 1580) и измеряют значение е[ измерителем 2.

Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть Е2 при Е2 = const, по абсолютному значению на АЕ, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных

типов. После балансировки микросхемы измеряют значение е'[ измерителем 2. Затем уменьшают напряжение Е\ по абсолютному значению на АЕ и после балансировки микросхемы измеряют значение

г t г

Ех измерителем 2.

Коэффициент влияния нестабильности источника питания и п на ^см и ^см определяют по формуле

к:,

К' + К" 2

где

К’ = К

Ех-Ех, АЕ ’

к=к

Е\ -Ех „ _ R2

АЕ ’ Rx+R2'

Тем же методом определяют коэффициент Л'й.и.п ПРИ изменении и при Е2 — const.

Метод 6611. Измерение коэффициента влияния нестабильности источников питания (Ал и ) на э. д. с. смещения и на напряжение смещения нуля (UcJ с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы с помощью вспомогательного усилителя.

Измерение Кш и п проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для измерения коэффициента влияния нестабильности А- на Е переключатели В1 и В2 замыкают, для измерения коэффициента нестабильности К на U — размыкают.

вл.и.п    см

Увеличивают напряжение одного из источников питания, то есть Е\ при Е2 — const, по абсолютному значению на АЕ, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют значение и[ измерителем 1. Уменьшают напряжение Е{ по абсолютному

значению на АЕ и измеряют значение их измерителем 1.

Коэффициент влияния нестабильности источника питания А^ и п на Еш и Ucu определяют по формуле

А,

К2 Ux-U\ В2 В-4 2Д Е

Тем же методом определяют А^, и п на Е и Ucu при изменении Е2 на АЕ и при Ех = const.

Методы 6590—6611. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6612. (Исключен, Изм. № 2).

Метод 662 0. Измерение относительного динамического диапазона по напряжению (A UmH отн).

Для вычисления А £/дин ота используют значения максимального выходного напряжения Ubux тах (метод 1620 или 1621) и минимального выходного напряжения UBUX mjn (метод 1630 или 1631).

Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле

д и =201еУвыхта*

** U ДИН.ОТН ^ JJ

V вых.шш

Метод 663 0. Измерение относительного динамического диапазона по мощности (ААдинотн).

Для вычисления АР ^ используют значения максимальной выходной мощности Рвыхтах (метод 3530) и минимальной выходной мощности />выхтш. Относительный динамический диапазон по напряжению определяют в децибелах по формуле

р

А р    — 101g вых.тах

ДИН.ОТН АиА0 р

Авых.ш1п

Метод 664 0. Измерение относительного диапазона АРУ по напряжению (A UApy отн).

г

Для измерения A UApy отн определяют два значения коэффициента усиления напряжения КyU и

ч    t    tt

К,л т (методы 6500—6504), соответствующие двум значениям входного напряжения £7 и £/. ука-

yu v    ВХ    ВХ

занным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по напряжению определяют по формуле

д и

АРУ.отн

КуУ

п

‘•yU

где KyV — наибольшее значение коэффициента усиления напряжения;

К у v — наименьшее значение коэффициента усиления напряжения.

Метод 665 0. Измерение относительного диапазона АРУ по току (Д/АРУотн).

г    гг

Для измерения Д/АРУотн определяют значения коэффициентов усиления тока Kyi и Kyi (метод

6520), соответствующие двум значениям входного напряжения ивх и и'ш , указанным в стандартах

или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по току определяют по формуле

АРУ.отн ~~тг~,

Лу[

I

где КУ1 — наибольшее значение коэффициента усиления тока;

м

Ку1 — наименьшее значение коэффициента усиления тока.

Метод 6660. Измерение относительного диапазона АРУ по мощности (АРДРУ отк).

г

Для измерения ДДАРУотн определяют два значения коэффициента усиления мощности КуР и

tt    t    pf

Kvp (метод 6530), соответствующие двум значениям входного напряжения и , указанным в

У Ъ    ОЛ    ОД

стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Относительный диапазон АРУ по мощности определяют по формуле

ДД

АРУ.отн

куР

—п—

»

где Кур — наибольшее значение коэффициента усиления мощности;

г*

Кур — наименьшее значение коэффициента усиления мощности.

Метод 6670. Измерение коэффициента гармоник (Кт) для микросхем с одним входом.

Измерение К проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Плавно увеличивают напряжение входного синусоидального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель ВЗ переводят в положение 2 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 667 1. Измерение коэффициента гармоник (Кт) для микросхем с двумя входами.

Измерение К проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 7а. Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1651.

При испытаниях микросхем с двумя выходами положение переключателей показано на черт. 7а, а для микросхем с одним выходом переключатель ВЗ устанавливают в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1580) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Переключатель В4 переводят в положение 2, плавно увеличивают напряжение входного синусоидального сигнала и измеряют напряжение выходного сигнала, устанавливая его равным значению,

указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

После этого переключатель В4 переводят в положение 3 и измеряют коэффициент гармоник выходного сигнала.

Метод 668 0. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению (Ккси)-Измерение КиМ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение и'шх при входном напряжении и'т . указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Изменяют входное напряжение до значения £/вх, указанного в стандартах или технических уело-

п

виях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение САВЫХ. Коэффициент нестабильности по напряжению определяют по формуле

lhc.U

и    t    •

(^вых ~^ вых) '^вх

(и1х-и'вх)-и'зых

Метод 6681. Измерение коэффициента нестабильности по напряжению (KHclJ). Измерение Кнс и проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходной ток /вых при входном напряжении ит, технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют измерителем тока, включаемым в выходную цепь микросхемы.

Изменяют входное напряжение до значения и'вх, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток /вых .

Коэффициент нестабильности по напряжению определяют по формуле

указанном в стандартах или

нс .U :

. (Лаых ^ъых) ' UB

1 — источник питания; 2 — микросхема; 3 — измеритель напряжения

Черт. 26

(С/вх U$x ) ' ^вых

Метод 669 0. Измерение коэффициента нестабильности по токУ (^соизмерение Кнс, проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходное напряжение и'вых при выходном токе /вьгх , указанном в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходной ток определяют по методу 2520 или измеряют измерителем тока, включаемым в

выходную цепь микросхемы. Изменяют выходной ток до значения /вых , указанного в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение ивых ■ Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

-^нс.1

(^вых ^вых)-^вых

(7вых ^вых) ' U ъ

Метод 6691. Измерение коэффициента нестабильности по току (Ккс j). Измерение Кнс j проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют выходной ток /вых по методу 2520 или измерителем тока, включаемым в выходную

цепь микросхемы, при сопротивлении резистора нагрузки RH , указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Изменяют сопротивление резистора нагрузки до значения R^ , указанного в стандартах или

технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходной ток /"ых. Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле

и    t    I

V _ (^вых ~ ^ВЫХ ) • *н

HCl_ <R-R\ т

'АН Ан/'*ВЫХ

Методы 6630—6691. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6700. Измерение коэффициента пульсаций (АГпл).

Для измерения измеряют амплитудное значение напряжения пульсаций U, и постоянную составляющую напряжения U. Коэффициент пульсаций определяют по формуле

Кпя=~и~-

Метод 6710. Измерение коэффициента сглаживания пульсаций (Кст).

Измерение Кст проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 26.

Измеряют амплитудные значения пульсаций входного U и выходного U напряжений. Коэф-фициент сглаживания пульсаций определяют по формуле

Метод 672 0. Измерение коэффициента ослабления усиления на нижней (верхней) граничной частоте (К и К ).

4 ОС.Н    ОС.В'

Для измерения Кос н и Кж в определяют коэффициент усиления напряжения К ц (методы 6500-6504).    У

На вход микросхемы подают сигнал U^, напряжение и частота которого устанавливаются в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем, не изменяя значения напряжения входного сигнала Um, устанавливают частоту, равную нижней (верхней) граничной частоте, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и определяют коэффициент усиления KyV, (KyUB)-

Значение нижней (верхней) граничной частоты указывается в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Коэффициент ослабления усиления на нижней (верхней) граничной частоте в децибелах определяют по формулам

*oc..=201giS!!!-.

AyU

*oc.B = 201gb^\

AyU

Метод 673 0. Измерение коэффициента неравномерности АЧХ (Кнр АЧХ).

Для измерения Кир АЧХ используют структурную схему, выбранную для измерения коэффициента усиления напряжения данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают сину-

социальный сигнал напряжением и частотой, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Плавно изменяют частоту водного сигнала в заданном диапазоне частот, и поддерживая его напряжение постоянным, измеряют напряжение выходного сигнала. При этом регистрируют наибольшее [/' и наименьшее [/' значения выходного напряжения.

ВЫХ    ВЫд    А

Коэффициент неравномерности АЧХ в децибелах определяют по формуле

^„РЛЧХ = 201g

Метод 6740. Измерение коэффициента ограничения выходного напряжения (Когр). Измерение Когр проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На микросхему подают входной сигнал с параметрами (в том числе с напряжением t/x), указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют

выходное напряжение и’ . Увеличивают напряжение входного сигнала до значения и " , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют выход-

и

ное напряжение UBblx. Коэффициент ограничения выходного напряжения определяют по формуле

Н    I

К — ^вых ~ ^ ВЫХ

Л огр    "    '

иВх-ит

Метод 6750. Измерение дифференциального коэффициента усиления (АГ д).

Измерение Куд проводят согласно структурной схеме, выбранной для определения KyV данной микросхемы (методы 6500—6504). Измеряют выходное напряжение при двух значениях входного напряжения и вх и U вх = 1,1 U вх , указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Дифференциальный коэффициент усиления определяют по формуле

Ь" _ ^ВЫХ ^вых у.д ■“    '

ОД ивх

9

где t/вых и ^вых ~~ выходные напряжения, измеренные при входных напряжениях иъх и £/вх соответственно.

Метод 6760. Измерение коэффициента деления напряжения (Кдсл и).

Структурная схема для измерения К тт приведена на черт. 27.

Д6Л. и

Устанавливают входное напряжение Ет, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение Евых на каждом выходе микросхемы (В1 — в положениях 2; 3 ... и).

Коэффициент деления напряжения для каждого выхода микросхемы определяют как отношение £ к Е„ на каждом выходе микросхемы.

нх вых

Методы 6720—6760. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 6770. Измерение нестабильности частоты (6Sf)

Измерение 5Sf от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, показанной на черт. 17.

Проводят два измерения значения частоты /'и /" при двух значениях режима (интервала температур, напряжения питания и т. д.). Нестабильность частоты определяют по формуле

Метод 678 0. Измерение нестабильности фазового сдвига (5s<p).

Измерение 8S(() от температуры, напряжения питания и т. д. проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

Проводят два измерения значения фазового сдвига <р 'и ф " (метод 8520) при двух значениях режима (интервала температур, напряжения питания и т. д.).

Нестабильность фазового сдвига определяют по формуле

^S<Pc

ф-ф

ф'

1 — генератор сигналов; 2 — источ-    Метод 679 0. Измерение нелинейности фазового сдвига

ник питания; 3 — микросхема; /с ч 4 — измеритель фазы    '%с '

Измерение 5fip проводят согласно структурной схеме, приведен-Черт. 28    ной на черт. 28.    °

Проводят два измерения значения фазового сдвига <р( и ср2 (метод 8520) при двух значениях частоты входного сигнала /, и /2, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Нелинейность фазового сдвига в процентах определяют по формуле

^f<Pc ~

1-^4

Ф1 /2

•100.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

8. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,

ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ (класс 7000)

Метод 750 0. Измерение входного сопротивления (R^) для микросхем с одним входом. Измерение i?Bx проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 29, если испытуемая микросхема удовлетворяет условию

Xlx«Rl,

где Хвх — реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы.

Измерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Сопротивления и резисторов должны удовлетворять условиям:

D ^ ^ВХЛШП

100

‘2 < -^вх.шах ■

1 — генератор переменного напряжения; 2 — аттенюатор; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — измеритель переменного напряжения; R2 — эталонный регулируемый резистор

Предельное отклонение значения сопротивления R{ резистора от установленного значения при заданной частоте должно быть в пределах ±1 %.

Испытуемую микросхему (при необходимости) перед измерением балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируют напряжение генератора 1 или затухание аттенюатора 2    Черт. 29

при замкнутом переключателе В1 до момента подучения выходного напряжения U , указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При разомкнутом переключателе В1 увеличивают коэффициент затухания аттенюатора на 6 дБ и устанавливают такое значение сопротивления R2 резистора, при котором получают выходное напряжение, равное U . Входное сопротивление R испытуемой микросхемы будет равно сопротивлению r2 резистора.

Метод 7501. Измерение входного сопротивления (Rtx) для микросхем с двумя входами. Измерение Rm проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 30, если испытуемая микросхема удовлетворяет условию

■ВХ 3

где Хю — реактивная составляющая входного сопротивления микросхемы. Элементы схемы должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 7500.

81-1

1 — генератор переменного напряжения; 2 — аттенюатор; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — измеритель переменного напряжения; R2 — эталонный регулируемый резистор

Черт. 30

Измерение проводят по методу 7500 в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Методы 7500, 7501. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 7502, 7503. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 7510. Измерение выходного сопротивления 7?вых для микросхем с одним входом. Измерение /?вых проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 31, если микросхема удовлетворяет условию

у2    п2

Л ВЫХ ЛВЫХ 3

где — реактивная составляющая выходного сопротивления микросхемы.

1 — генератор переменного напряжения; 2 — источник питания; 3 — микросхема; 4 — измеритель переменного напряжения; RH — эталонный регулируемый резистор

Черт. 31

Измерение проводят в режиме малого сигнала при частоте, соответствующей указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Цепь обратной связи испытуемой микросхемы должна быть разомкнутой. Сопротивление 7?н резистора должно удовлетворять условию

R <R<R

вых.тш н вых.шах

Для проведения измерения регулируют напряжение генератора 1 и устанавливают на выходе микросхемы напряжение £7вых, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Регулируя сопротивление Лн, устанавливают такое его значение

Лн , при котором U'BUK = 0,5 1/вых. При этом необходимо соблюдать, чтобы испытуемая микросхема не была перегружена.

Лвых определяют по формуле

•^ВЫХ -

0)5 RH — RH

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 751 1,751 2. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 7520. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях (Лх сф) для микросхем с одним выходом.

Измерение Лвхсф проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 32.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

XCl < 0,01*,; Л, = Л,; Л, - (2-5)Лвх.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение на выходе микросхемы С1ВЫХ ■ Затем переключатель В1 размыкают и снова измеряют напряжение на выходе и"вых

81

1 — генератор сигналов; 2 — источник питания; 3 — микросхема; 4 — измеритель переменного напряжения

1 — генератор сигналов; 2 — измеритель переменного напряжения; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — вспомогательный усилитель

Черт. 32

Черт. 33

Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях определяют по формуле

Дк.сф -~р--

~_ВШ_ _1

ч    1

^вых

Метод 7521. Измерение входного сопротивления при синфазных входных напряжениях (7?ьх ) для микросхем с двумя выходами с автоматической балансировкой микросхемы.

Измерение 7?вхсф проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 33.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требованиям

\ <0,017?,; /?, = ^=(2-5)^; 7?3 = Т?4.

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение {/вых на выходе вспомогательного усилителя. Затем переключатель В1 размыкают и измеряют напряжение [/”ых. Входное сопротивление при синфазных входных напряжениях определяют по формуле

’вх.сф

и

и

ВЫХ 1

II    — 1

ВЫХ

Метод 7530. (Исключен, Изм. № 5).

9. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,

ИМЕЮЩИХ ПРОЧИЕ РАЗМЕРНОСТИ (класс 8000)

Метод 850 0. Измерение скорости нарастания выходного напряжения (Р^ВЬ1Х) для микросхем с одним входом.

Измерение VUbux проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1690.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измерителем временных интервалов измеряют интервал времени т, за который выходное напряжение изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента первого достижения уровня 0,9 установившегося значения. Измеряют амплитуду выходного импульса Ап. Скорость нарастания выходного напряжения определяют по формуле

кивых ”"

Метод 8501. Измерение максимальной скорости изменения выходного напряжения (Кивых) для микросхем с двумя входами.

Время нарастания (f ) выходного напряжения микросхемы измеряют по методу 5511. Установившееся значение выходного напряжения (£7вь1Х) измеряют после воздействия на микросхему входного импульса.

Максимальную скорость изменения выходного напряжения Кивых определяют по формуле

Ишых=0,8^.

*нар

Метод 8510. Измерение крутизны преобразования (£прб).

Измерение 5^ проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 34.

На входы микросхемы подают сигналы с параметрами, в том числе напряжение U и 17 хг, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Изменяя частоту входного сигнала Umc или (1тт, устанавливают максимальное напряжение промежуточной частоты на выходе микросхемы UBbK п . Крутизну преобразования определяют по формуле

с . ^вых.п.ч J Прб - ТТ D

и вх.с^'ое

)

1 — генератор сигнала; 2 — измеритель переменного напряжения; 3 — источник питания; 4 — микросхема; 5 — генератор сигнала гетеродина; 6 — измеритель переменного напряжения

Черт. 34

где Rat — эквивалентное сопротивление нагрузки.

Методы 8500, 8501, 8510. (Измененная редакция, Изм.

№ 2).

Метод 8520. Измерение фазового сдвига (ср). Измерение ср проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 28.

Фазовый сдвиг измеряют измерителем фазы, включенным между входом и выходом микросхемы.

Метод 853 0. Измерение температурных коэффициентов э. д. с. смещения (aaF ), напряжения смещения нуля (а „ ), входных токов (а„. ,а .    ), среднего входного тока (ая, ), разности

вх1 ы'вх2    ы'вх.ср

входных токов (а0Д/ ), фазового сдвига (а).

Для измерения а

'в£.

- висм 9/'

©ф'

ВхГ    а'

,    , аЯЛ, , а при двух значениях температуры, ука-

ы7вх.ср ил,пх Ы|Р

занных в стандартах и технических условиях на микросхемы конкретных типов, измеряют э. д. с. смещения е'% е'м, напряжение смещения нуля £/' , и ' (методы 1580, 1581), входной ток

СМ'    СМ    СМ ^    СМ '    '

/1x1. /1x1. /1x2. /1x2. средний входной ток /1хср, /1х ср, разность входных токов Д/То, д/"х (методы

2500, 2501), фазовые сдвиги ср', ср"(метод 8520), предварительно выдерживая микросхему при заданных температурах в течение времени, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Температурный коэффициент э. д. с. смещения, напряжения смещения нуля, входных токов, среднего входного тока, разности входных токов и фазового сдвига определяют по формулам

ав£см = “е/Вх =

**0^вх.ср

^СМ ~ /см

АТ

а0С/см -

АТ

/вх! /вх! .    ~    /вх2 /вх2 •

А Г    ’ U0/bx2 - Д Т ’

"    '    и    г

_ /вх.ср -7вх.ср . „    _А1ВХ-А/вх

АТ ’ 0Д/вх _ ДТ

>

_ дГ-ф'

“Эр - дг .

где Д7’= Тг—Тх — разность значений температур, при которых проводились измерения. В формулы подставляют алгебраические значения параметров.

Метод 854 0. Измерение коэффициентов временной нестабильности э. д. с. смещения (atF ),

^СМ

напряжения смещения нуля (at,. ), входных токов (at. , at. ), среднего входного тока (at, ),

‘'см    увх1 увх2    увх.ср

разности входных токов (at { ), фазового сдвига (at ).

вх    ^

Для измерения atF , at,, , at. , at, , at, , at., и at, после достижения установившегося

£см исм увх1 увх2 ■'вх.ср Лувх    V

значения параметров, измеряют: Е. U, (по методам 1580, 1581), I ., /    / „ , Д/ (по методам

2500, 2501), ф (по методу 8520). Затем в соответствии с требованиями стандартов и технических условий на микросхемы конкретных типов периодически повторяют измерения этих параметров, регистрируя их значения и получая зависимости:

-/('); Ц.-АО; /», -/«>; -Ц -ДО;

1^-А0;^-А0; 9-/W.

Коэффициенты временной нестабильности определяют по формулам:

ся* _ ^см.тах ” ^CM.min .    _ ^см.тах “^см.тт

Ш^см ”    At    9 Ш^см    Э    1

„    ^вх.тах -Лис «min    ^вхчтах ^вх^тт

а*Г^=—.........At    > at' ~~--

*^вх2    At

atr

вх.ср

_ ^вх.ср.тах -^вх.ср.тт .    ,

.шах    .min

At    ’ Ш^вх ~    At

rtf — Фтах Фтт “ At

где индексом шах обозначено максимальное значение параметра, а индексом min минимальное; At — время между отсчетами максимального и минимального значений измеряемого параметра.

Методы 853 0, 854 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

10. МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК (класс 9000)

Метод 9500. Определение амплитудной характеристики UBhlx =f(Um).

Для построения амплитудной характеристики используют схему, выбранную для измерения коэффициента усиления данной микросхемы (методы 6500—6504), а также значения £/х тах (методы 1510 и 1511).

Измеряют выходное напряжение при десяти значениях напряжения входного сигнала U , которое изменяют равными ступенями по 0,15 в пределах от 0,15 С/ „ до 1,5 £/    . По результатам

измерений строят график зависимости U =/( С/ ).

Метод 9510. Определение амплитудно-частотных характеристик (if и = у^)) или

Для построения амплитудно-частотных характеристик используют схему и метод, выбранные для измерения коэффициента усиления данной микросхемы (метод 6500—6504).

Измеряют коэффициент усиления или [/яых при UBX = const при десяти значениях частоты входного сигнала в диапазоне от /( до /10, значения которых указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и по результатам строят графики зависимости или f/Bbix ~ ViCO ПРИ UBX = const с логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот и линейным (логарифмическим) масштабом по оси ifyU или {/вых.

Метод 952 0. Определение нагрузочной характеристики 1/вых = /(7?н).

Для построения нагрузочной характеристики используют схему, выбранную для определения коэффициента усиления данной микросхемы (методы 6500—6504).

Измеряют выходное напряжение при различных сопротивлениях нагрузки, значения и количества которых указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов (значение напряжения на входе должно быть постоянным).

По результатам измерений строят график зависимости

Овых - /(Л„)•

Метод 953 0. Определение фаза-частотной характеристики <р =    (/).

Для построения фаза-частотной характеристики измеряют фазовый сдвиг (метод 8520) при UBX = const и при значениях частоты входного сигнала, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и по результатам строят график зависимости ср = \|/ (/) с логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот/и линейным (логарифмическим) масштабом по оси фазового сдвига ср.

Методы 9500, 9510, 9520, 9530. (Измененная редакция, Изм. № 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. № 6).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

ПОЯСНЕНИЯ НУМЕРАЦИИ МЕТОДОВ ИЗМЕРЕНИЯ

Методы измерения электрических параметров и определения характеристик обозначаются четырехзначным числом по принятой в настоящем стандарте системе:

первая цифра (от 1 до 9) обозначает класс параметров, имеющих одинаковую размерность в следующем порядке:

1000 — параметры с размерностью напряжения;

2000 — параметры с размерностью тока;

3000 — параметры с размерностью мощности;

4000 — параметры с размерностью частоты;

5000 — параметры с размерностью времени;

6000 — относительные параметры;

7000 — параметры с размерностями сопротивления и емкости;

8000 — параметры с прочими размерностями;

9000 — определение характеристик;

вторая и третья цифры обозначают номер параметров в пределах одного класса (от 50 до 79); четвертая цифра обозначает номер метода измерения одного параметра (от 0 до 9).

При включении в стандарт методов измерения новых параметров они будут обозначаться последующими порядковыми номерами в пределах последней (четвертой) цифры.

Пример расшифровки нумерации метода 2531 измерения максимального выходного тока:

2 5 3    1

— Номер класса, к которому относится параметр по размерности (ток);

Порядковый номер метода измерения параметра (максимального выходного тока);

Номер метода измерения параметра (максимального выходного тока) в порядке изложения в пределах класса 2000.

ПРИЛОЖЕНИЕ 3 Справочное

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОСХЕМ

Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров и характеристик микросхем — по ГОСТ 19480 и настоящему приложению.

Амплитудная характеристика — зависимость выходного напряжения микросхемы от входного, определяемая на частоте, выбираемой в середине полосы пропускания [U =/WBX) ПРИ/= const].

Амплитудно-частотная характеристика — зависимость коэффициента усиления от частоты [ХУи = /(/) или =fif) при tfxxoJ.

Время восстановления /в — интервал времени между моментом достижения срезом входного импульса уровня 0,5 его амплитуды и моментом достижения выходным напряжением уровня 0,1 его максимального значения.

Время готовности t — интервал времени между моментом подачи питающих напряжений и моментом, когда значения контролируемых параметров входят в зоны установленных на них допусков.

Диапазон выходного постоянного напряжения ^выхпост — максимально возможное изменение постоянного напряжения на выходе микросхемы.

Дифференциальный коэффициент усиления напряжения Куд — отношение бесконечно малого изменения выходного напряжения к соответствующему бесконечно малому изменению входного напряжения.

Дифференциальное сопротивление электронного ключа Яд — отношение бесконечно малого изменения остаточного напряжения на открытом ключе к соответствующему бесконечно малому изменению тока, протекающему через этот ключ.

Диапазон изменения выходного напряжения ограничения Uorp — изменение выходного напряжения микросхемы, работающей в режиме ограничения, при изменении входного напряжения в пределах от UQrp вх до 1,5 Г/

’ огр.вх

Коэффициент деления напряжения К и — отношение входного напряжения микросхемы к выходному.

Максимальная выходная мощность PBt_____— мощность полезного сигнала, выделяемая в указанной на-

грузке при максимальном выходном напряжении.

Максимальный коммутируемый ток I, _ — наибольший ток, протекающий через открытый электрон-ный ключ, при котором падение напряжения на микросхеме равно указанному значению.

Максимальный ток закрытой схемы /з тах — ток, протекающий через закрытый электронный ключ при максимальном выходном напряжении и заданном режиме.

Максимальная частота следования импульсов Fmax — максимальная частота импульсов синхронизации, при которой удовлетворяются требования к параметрам микросхемы.

Нагрузочная характеристика — зависимость выходного напряжения схемы от сопротивления нагрузки, определяемая при неизменных входном напряжении и частоте.

Нелинейность фазового сдвига 5^ — относительное отклонение фазового сдвига от линейного закона при изменении частоты.

Изменение во времени электрических параметров (напряжения смещения микросхемы Atv входного тока Atf , среднего входного тока Д*/вхср, разности входных токов Д/д/ ,фазового сдвига А/ф) — максимальное изменение электрических параметров (напряжения смещения, входного тока, среднего входного тока, разности входных токов, фазового сдвига) за указанный интервал времени после включения при определенных внешних условиях и параметрах внешних цепей.

Остаточное напряжение электронного ключа U ^ — падение напряжения сигнала на открытом электронном ключе.

Средний входной ток /вхср — среднее арифметическое значение входных токов, протекающих через входы микросхемы, когда она сбалансирована.

Ток срабатывания микросхемы /ср6 — наименьшее значение входного тока, при котором происходит срабатывание микросхемы.

Фазо-частотная характеристика — зависимость фазового сдвига от частоты [ф — /(/) при U = const].

Электродвижущая сила (э. д. с.) смещения (Есм) — постоянное входное напряжение от источника питания с внутренним сопротивлением, стремящимся к нулю, при котором выходное напряжение микросхемы равно нулю или другому заданному значению.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ 4 Справочное

Информационные данные о соответствии ГОСТ 19799—74 СТ СЭВ 1622—79 и СТ СЭВ 3411—81

Пункт или метод ГОСТ 19799—74

Пункт СТ СЭВ 1622-79

Раздел или пункт СТ СЭВ 3411—81

Пункт 1.1

1.2

1.4, 1.5

1.5

1.8

2.1

1.9

2.2

1.10

Пункт 1.1.1

1.11

1.1.2; 1.1.3

1.12

1.1.4

1.13

1.1.5

Метод 1511, 1621

10.2

1512, 1622

10.3

1550

Раздел 7

1580

Пункт 1.2

1581

» 1.3

1640

Раздел 6

2500

Пункт 2.2

2501

» 2.3

2570, 3500

Раздел 8

3530

9

4500

14

5511,8501

17

6501

Пункт 13.3

6502

13.4

6504

13.2

6540

Раздел 15

6550,6551

16

6610

Пункт 3.2

6611

3.3

7500,7501

Раздел 11

7510

12

8530

4

8540

5

ПРИЛОЖЕНИЕ 5 Справочное

Графическое определение времени запаздывания (7ап), времени нарастания (/на ), времени установле-ния ^уст)’ вРемени успокоения (tyQJ выходного напряжения и значения е.

U

Вход

t

ПРИЛОЖЕНИЯ 4, 5. (Введены дополнительно, Изм. № 2).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 15.05.74 № 1178

Изменение № 6 принято Межгосударственным Советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол № 10 от 04.10.96)

Зарегистрировано Техническим секретариатом МГС № 2245 За принятие изменения проголосовали:

Наименование государства

Наименование национального органа по стандартизации

Азербайджанская Республика

Азгосстандарт

Республика Армения

Армгосстандарт

Республика Беларусь

Госстандарт Беларуси

Республика Казахстан

Госстандарт Республики Казахстан

Киргизская Республика

Киргизстандарт

Республика Молдова

Молдовастандарт

Российская Федерация

Госстандарт России

Республика Таджикистан

Таджикгосстандарт

Туркменистан

Главная государственная инспекция Туркменистана

Республика Узбекистан

Узгосстандарт

Украина

Госстандарт Украины

2.    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 3411—81 и соответствует СТ СЭВ 1622—79

3.    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

4.    ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта

ГОСТ 19480—89

Приложение 3

ГОСТ 30350-96

Вводная часть

5. Ограничение срока действия снято по протоколу № 5—94 Межгосударственного Совета по стандар-

тизации, метрологии и сертификации (ИУС 11—12—94)

6. ПЕРЕИЗДАНИЕ (май 1999 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, 5, 6, утвержденными в ноябре 1980 г., сентябре 1983 г., сентябре 1986 г., декабре 1989 г., июне 1990 г., апреле 1997 г. (ИУС 1—81, 12-83, 12-86, 3-90, 10-90, 6-97)

Редактор Т. С. Шеко Технический редактор Л. А. Кузнецова Корректор Н. И. Гаврищук Компьютерная верстка Т. В. Александровой

Изд. лиц. № 021007 от 10.08.95. Сдано в набор 27.05.99. Подписано в печать 02.07.99. Уел. печ. л. 5,12. Уч.-изд. л. 4,30.

Тираж 141 экз. С 3256. Зак.1361.

ИПК Издательство стандартов, 107076, Москва, Колодезный пер., 14. Набрано в Калужской типографии стандартов на ПЭВМ. Калужская типография стандартов, ул. Московская, 256.

ПЛР № 040138