allgosts.ru31. ЭЛЕКТРОНИКА31.200. Интегральные схемы. Микроэлектроника

ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

Обозначение:
ГОСТ 24459-80
Наименование:
Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры
Статус:
Действует
Дата введения:
01/01/1982
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
31.200

Текст ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры



Ценя 3 коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

И ЭЛЕМЕНТОВ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 24459-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.3.049.77:006.354    Группа Э02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ

УСТРОЙСТВ

Основные параметры

Integrated microcircuits for storages and its elements.

Basic parameters

ГОСТ

24459-80

Взамен

ГОСТ 19420—74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств] и ГОСТ 17447—72 (в части пп. 3 и 4)

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. № 5776 срок введения установлен

с 01.01 1982 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств; оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:

для запоминающих устройств — число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах — частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);

для усилителей воспроизведения — максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и адресного токов — максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.

Издание официальное

Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1981

2. Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств* выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл. I.

Таблица 1

Число разрядов в информационном слове

Число

информационных слов

с*

■"Г

to

5

1

к

**

%

to

ье

й

к

3

*<

V

сч

хг>

1024К

4096К

*<

St

•О

16384/С

1

+

+

+

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

2

+

+

X

X

X

X

X

4

+

+

+

+

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

8

+

+

+

X

X

X

X

X

16

X

X

Примечание. В табл. 1 и 2 К ** 1024.

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл. 2.

4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемнотехнологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 3.

* В табл. 1—7 отмечены знаком « + », для вновь разрабатываемых микросхем знаком «X».

Таблица 3

Время выборки, нс Время поиска информации, нс

исполнение интегральных

микросхем

2,5

4,0

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

(

На основе эмиттерй0-связанной логики

1

X

1

X

1

X

X

1

X

X

1

X

(

1

i

1

На основе транзйс"

торно-транзисторной л гики. На основе инте; тральной инжекционн0и

X

X

X

X

X

+

+

+

+

логики

X

На основе л-канал^'

ных структур «металл^ диэлектрик — полупр^" водник»

X

X

X

X

X

X

X

X

+

+

+

На основе комплеме#'

тарных структур «ме_ талл — диэлектрик — п^‘

X

X

X

X

X

+

+

лулроводник»

X

X

X

X

5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающий устройств и постоянных запоминающих устройств с однократном электрическим программированием в зависимости от схемно-^ехнологического исполнения должны соответствовать указанным # табл. 4.

Таблица 4

Время выборки, нс

\

\

\

Ч

\

\

\

'

\

N

\

исполнение интегральны* микросхем

2,5

4,0

8.3

10

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

— " — — ■*’ ■ ** На основе эмиттеры#*

X

X

X

X

X

X

+

связанной логики

На основе транзистор*

но-транзисторной лог#" ки. На основе инт#* тральной ннжекционна#

X

X

X

X

+

+

+

логики

На основе п-канал^"

ных структур «металл^" диэлектрик — полупр#" водник»

X

X

X

X

X

X

+

+

+

На основе комплеме#* тарных структур <см£" талл — диэлектрик полупроводник»

X

1

X

1 \

X

X

X

X

+

+

+

6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 5.

Таблица 5

Схемно-технологическое

Время выборки,

нс

исполнение интегральных

микросхем

63

100

160

250

400

630

1000

1600

2500

4000

На аморфных структурах

На основе структур ^металл — диэлектрик —

X

X

X

X

+

полупроводник» с лавинной инжекцией заряда

X

X

X

X

+

+

На основе структур «металл — нитрид — окисел —- полупроводник»

X

X

X

X

X

+

+

+

7.    Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и

элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063;    0,0010; 0,0016; 0,0025;

0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.

8.    Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.

9.    Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл. 6.

Таблица 6

Максимальное среднее время задержки распростра-нения, нс

Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ

1,25

5.00

12.5

20 0

25

1 X

40

X

+

+

63

+

10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл. 7,

Таблица 7

Максимальное среднее время задержки распространения, нс

Максимальный выходной импульсный ток, мА

80

200

315

500

1250

16

X

25

X

X

40

X

+

63

X

+

100

+

11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл. 3—7 и п. 7, должно находиться в пределах ±20%.

Редактор Я. Б. Жуковская Технический редактор В. Я. Малькова Корректор А. Г. Старостин

Сдано в наб. 24.12.80 Подп. к печ. 26.01.81 0,5 п. л. 0,34 уч.-ИзД. Л. Тнр. 12000 Цена з коп,

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва. Новопресненский пер.» 3, Тип. «Московский печатник», Москва, Лялин пер., 6. Эак. 1716