ГОСТ Р 71056-2023 Транзисторы полевые. Система параметров

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ГОСТР

71056—

2023

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Система параметров

Издание официальное

Москва

Российский институт стандартизации

2023

ГОСТ Р 71056—2023

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. № 1286-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

©Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

II

ГОСТ Р 71056—2023

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Система параметров

Field effect transistor. Parameters system

Дата введения — 2024—03—01

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые транзисторы (далее — транзисторы).

Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре.

Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (T3) на научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством.

2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:

ГОСТ 19095 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Примечание — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

3 Термины и определения

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 19095, а также следующие термины с соответствующими определениями:

Издание официальное

1

ГОСТ Р 71056—2023

3.1 минимальный коэффициент шума К_{ш мин}: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих минимальному коэффициенту шума.

3.2 оптимальный коэффициент усиления по мощности К_уРопт: Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наименьших значений коэффициента шума.

3.3 максимальный коэффициент усиления по мощности К_уРмакс: Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих области наибольших значений коэффициента усиления по мощности.

3.4 оптимальный коэффициент шума К_{ш опт}: Значение коэффициента шума транзистора в условиях настройки входного и выходного СВЧ трактов, соответствующих максимальному коэффициенту усиления по мощности.

3.5 коэффициент усиления по мощности в линейной области амплитудной характеристики КуРлин- Значение коэффициента усиления по мощности транзистора в линейной области его амплитудной характеристики (область линейной зависимости выходной мощности от входной мощности).

3.6 максимально допустимое напряжение сток — исток в динамическом режиме У_{си д макс}: Максимальное значение допустимого напряжения между электродами стока и истока транзистора в динамическом режиме.

3.7 порог перегрузки транзистора Р_{ВЬ|Х макс}: Уровень выходной мощности транзистора, при достижении которого значение коэффициента усиления по мощности падает на 1 дБ по отношению к его значению на малом сигнале.

3.8 максимально допустимое напряжение питания стока ^с пит макс- Максимально допустимая постоянная составляющая напряжения между стоком и истоком транзистора.

3.9 крутизна характеристики по второму затвору S₃₂: Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на втором затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

3.10 напряжение отсечки по второму затвору 1/_32отс: Напряжение между вторым затвором и истоком, при котором ток стока транзистора достигает заданного низкого значения.

3.11 коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком 5_11И: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.12 коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком ^12И^: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.13 коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком $21 и- Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.14 коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком S_22M: Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора в схеме с общим истоком при согласованной нагрузке.

3.15 коэффициент полезного действия стока q_c: Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника питания стока.

3.16 выходная мощность полевого транзистора Р_ВЬ|Х: Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.

3.17 максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме ^ср макс- Максимально допустимое усредненное на период значение мощности в транзисторе.

4 Классификация

Транзисторы подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

Таблица 1

2

Окончание таблицы 1

ГОСТ Р 71056—2023

5 Система параметров

5.1 Состав параметров и способы задания норм на транзисторы приведены в таблице 2.

Таблица 2

3

ГОСТ Р 71056—2023

Продолжение таблицы 2

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры применено следующее обозначение: - ОП — односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Включение параметра в ТЗ на НИР и ОКР не является обязательным.

4

ГОСТ Р 71056—2023

Окончание таблицы 2

3 Значение параметра приводят для всего диапазона рабочих температур (при необходимости указывают закон изменения).

4 В ТУ включают либо ^ _мин и /С_{уР опт} либо Е_ш.

5 Значение параметра указывают в ТУ в форме одностороннего предела; соответствие установленной норме гарантируют технологией и контролируют на этапе цехового контроля.

6 Параметр не задают, если выходную мощность контролируют при фиксированном уровне мощности возбуждения.

7 Параметр относят к требующим осуществления сложных и трудоемких измерений и измеряют при нормальной температуре.

8 Электрический режим при измерении параметра /_с должен обеспечивать его измерение в начале области насыщения выходных вольтамперных характеристик; при этом измеряемый /_с должен быть близок к максимально возможному значению тока стока для данного типа транзистора.

9 Допускается гарантировать минимальное (максимальное) значение параметра.

10 Для р-канальных транзисторов используют параметр и_ЗИпор, для n-канальных транзисторов используют параметр и_{зи отс}.

11 Параметр не вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

12 Параметр вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

13 В технически обоснованных случаях допускается вместо параметра Е_ш использовать параметр и_ш (шумовое напряжение).

14 Параметр вводят для составных транзисторов.

15 Параметр вводят для транзисторов, имеющих отдельный вывод подложки.

5.2 Состав типовых характеристик транзисторов приведен в таблице 3.

Таблица 3

5.3 Параметры-критерии годности транзисторов при различных видах испытаний приведены в таблице 4.

5.4 В технически обоснованных случаях по согласованию с заказчиком состав параметров и типовых характеристик транзисторов, регламентированный настоящим стандартом, при составлении конкретных документов на транзисторы допускается расширять или сокращать.

5.5 Справочные параметры транзисторов приведены в приложении А.

5

° Таблица 4

Контроль соответствия требованиям

ГОСТ Р 71056—2023

Окончание таблицы 4

Контроль соответствия требованиям

Наименование параметра-критерия годности

9 Температурный уход разности напряжений затвор — исток

10 Напряжение отсечки

Примечания

1 Параметр /_Зут или /_Снач используют в качестве критерия годности при повышенной и пониженной температурах и при определении времени потери работоспособности при проверке к воздействию специальных факторов. Контроль этих параметров проводят по специально установленным нормам.

2 Параметр контролируют только по окончании испытаний, а в процессе испытаний и дистанционно параметр не измеряют.

3 При объединении нескольких видов испытаний в единую группу контроль параметра осуществляют только после проведения последнего испытания.

4 В техническую документацию включают либо К_{ш мин} и К_{уР опг} либо Е_ш.

5 Для р-канальных транзисторов используют параметр и_{ЗИ пор} для n-канальных транзисторов используют параметр и_{зи отс}.

6 Параметр не вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

7 Параметр вводят для составных транзисторов.

ГОСТ Р 71056—2023

ГОСТ Р 71056—2023

Приложение А (справочное)

Справочные параметры транзисторов

Таблица А.1

8

ГОСТ Р 71056—2023

Продолжение таблицы А. 1

9

ГОСТ Р 71056—2023

Окончание таблицы А. 1

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры применены следующие обозначения:

- ЗР — зависимость параметра от электрического режима измерения;

- 34 — зависимость параметра от частоты;

- ЗТ — зависимость параметра от температуры;

- HP — номинальное значение параметра с двухсторонним допустимым отклонением (разбросом);

- ОП — односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Максимальное значение параметра не указывают.

3 Проведение испытаний, необходимых для нормирования значений Р_{вх ср макс} и Р_{вх и макс}, осуществляют на специализированном предприятии, для чего предприятие-изготовитель предоставляет ему транзисторы.

4 Справочные данные включают в ТУ на основании результатов измерений. Допускается проведение измерений на предприятиях — потребителях транзисторов.

5 В техническую документацию включают либо /<_{ш мин} и К_{уР onv} либо Е_ш.

6 Параметр не задают, если выходную мощность контролируют при фиксированном уровне мощности возбуждения.

7 Электрический режим при измерении параметра /_с должен обеспечивать его измерение в начале области насыщения выходных вольтамперных характеристик; при этом измеряемый /_с должен быть близок к максимально возможному значению тока стока для данного типа транзистора.

8 Для транзисторов, предназначенных для работы в схеме с общим затвором, параметр приводят в схеме с общим затвором (S_{11 3}, S_{12 3}, S_{21 3}, S_{22 3}, L₃).

9 Параметр относят к двухзатворным транзисторам — полевым тетродам.

10 Для р-канальных транзисторов используют параметр и_ЗИпОр, для л-канальных транзисторов используют параметр и_{ЗИ отс}.

11 Параметр вводят для транзисторов, применяемых в переключающих схемах.

12 Параметр вводят для составных транзисторов.

УДК 621.382.33:006.354

ОКС 31.080.30

Ключевые слова: транзистор полевой, система параметров

Редактор Н.В. Таланова

Технический редактор И.Е. Черепкова

Корректор Л.С. Лысенко

Компьютерная верстка А.Н. Золотаревой

Сдано в набор 02.11.2023. Подписано в печать 16.11.2023. Формат 60x84%. Гарнитура Ариал.

Усл. печ. л. 1,40. Уч.-изд. л. 1,18.

Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта

Создано в единичном исполнении в ФГБУ «Институт стандартизации» , 117418 Москва, Нахимовский пр-т, д. 31, к. 2.