allgosts.ru31.080 Полупроводниковые приборы31 ЭЛЕКТРОНИКА

ГОСТ Р 59605-2021 Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

Обозначение:
ГОСТ Р 59605-2021
Наименование:
Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
Статус:
Действует
Дата введения:
03.01.2022
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
31.080.01

Текст ГОСТ Р 59605-2021 Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

    ГОСТ Р 59605-2021

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Оптика и фотоника

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

Термины и определения

Optics and photonics. Semiconducting photoelectric detectors. Photoelectric and photoreceiving devices. Terms and definitions

ОКС 31.080.01

Дата введения 2022-03-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным унитарным предприятием "Научно-исследовательский институт физической оптики, оптики лазеров и информационных оптических систем Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им.С.И.Вавилова" (ФГУП "НИИФООЛИОС ВНЦ "ГОИ им.С.И.Вавилова") и Акционерным обществом "Научно-производственное объединение "Орион" (АО "НПО "Орион")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 296 "Оптика и фотоника"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 12 октября 2021 г. N 1136-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы без пометы "Нрк" приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два или более термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, а также буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств, входящих в сферу действия работ по стандартизации и использующих результаты этих работ.

2 Термины и определения

Основные термины и определения

1 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.

photosensitive semiconductor device

2 фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; ФЭПП: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике.

photoelectric semiconducting detector; photodetector

3 фотоприемное устройство; ФПУ: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления и обработки фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию.

photoreceiving device

Примечание - Гибридные ФПУ подразделяют на поколения:

- к ФПУ первого поколения относят ФПУ, не включающие в состав большой интегральной схемы (БИС) считывания; также этим термином обозначают и негибридные ФПУ, не включающие в состав БИС считывания;

- к ФПУ второго поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат до 1280
1024, каждый пиксель которого передает только информацию об уровне собственной облученности в одном спектральном диапазоне;
- к ФПУ третьего поколения относят ФПУ с БИС считывания, обладающие одним из следующих свойств: формат более 1280
1024, но менее 1920
1080; возможность раздельного приема пикселем излучения в двух и более спектральных диапазонах; возможность измерения временной задержки прихода сигнала в каждом пикселе, аналого-цифровое преобразование непосредственно в элементе БИС считывания и т.д.;
- к ФПУ четвертого поколения относят ФПУ с БИС считывания, имеющие формат более 1920
1080 или обладающие двумя или более свойствами, присущими ФПУ третьего поколения (кроме формата).

Типы фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения

4 многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоспектральный ФЭПП: ФЭПП, содержащий два и более фоточувствительных элемента с различными диапазонами спектральной чувствительности.

multi-band photodetector

5 одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; одноэлементный ФЭПП: ФЭПП, содержащий один фоточувствительный элемент.

single-element photodetector

6 многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; многоэлементный ФЭПП: ФЭПП с числом фоточувствительных элементов более одного.

multi-element photodetector

Примечание - Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" ФЭПП.

7 координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; координатный ФЭПП: ФЭПП, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности.

position-sensitive photodetector

8 гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; гетеродинный ФЭПП: ФЭПП, предназначенный для гетеродинного приема излучения.

heterodyne photodetector

9 иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; иммерсионный ФЭПП: ФЭПП, содержащий иммерсионный сигнал.

immersed photodetector

10 фоторезистор: ФЭПП, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.

photoresistor; photoconductive cell

11
фотодиод:
Полупроводниковый диод с
переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

photodiode

12 pin-фотодиод: Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной.

pin-photodiode

13 фотодиод с барьером Шоттки: Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом.

Schottky-barrier photodiode

14 фотодиод с гетеропереходом: Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

heterojunction photodiode

Примечание - Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.

15 лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.

avalanche photodiode

16 инжекционный фотодиод: Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда.

injection photodiode

17 фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.

phototransistor

18 полевой фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.

field effect phototransistor

19 биполярный фототранзистор: Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.

bipolar phototransistor

20 охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения; охлаждаемый ФЭПП: ФЭПП, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента.

cooled photodetector

Типы фотоприемных устройств

21 одноэлементное фотоприемное устройство; одноэлементное ФПУ: ФПУ, в котором используется одноэлементный ФЭПП.

single-element photoreceiving device

22 многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами; многоэлементное ФПУ с разделенными каналами: ФПУ, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов.

multi-element photoreceiving device with separate channels

23 многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией; многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией: ФПУ с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов ФПУ меньше, чем число фоточувствительных элементов.

multi-element photoreceiving device with internally commutation

Примечание - Многоэлементные ФПУ с внутренней коммутацией разделяют на матричные и линейные:

- у матричного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы не превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз;

- у линейного ФПУ фоточувствительные элементы сформированы в двухмерный массив, число элементов которого по одной из двух осей в плоскости матрицы превышает линейный размер и число элементов по другой оси более чем в 10 раз.

24 многоспектральное фотоприемное устройство; многоспектральное ФПУ: ФПУ, содержащее многоспектральный ФЭПП.

multi-band photoreceiving device

25 фоточувствительный полупроводниковый сканистор: Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки.

photosensitive semiconductor scanistor

26 охлаждаемое фотоприемное устройство; охлаждаемое ФПУ: ФПУ, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП.

cooled photoreceiving device

27 монолитное фотоприемное устройство; монолитное ФПУ: ФПУ, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке.

monolictical photoreceiving device

28 гибридное фотоприемное устройство; гибридное ФПУ: ФПУ, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов.

hybrid photoreceiving device

29 фотоприемный модуль: Прибор, содержащий в составе ФПУ и блок электронной обработки изображения, осуществляющий обработку сигналов и их выдачу по промышленному или иному интерфейсу.

camera module; camera

Примечания

1 К фотоприемному модулю, работающему в качестве тепловизора, допускается применять термин "модуль формирования тепловизионного видеосигнала".

2 Допускается применять термин "фотоприемный модуль на основе ФПУ
поколения", что означает фотоприемный модуль, содержащий в составе ФПУ
поколения. В буквенном обозначении вместо "
" следует указывать буквенное обозначение или цифру, обозначающую соответствующее поколение ФПУ.

30 режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона (ФЭПП); режим ОФ ФЭПП: Условия, при которых обнаружительная способность ФЭПП определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона.

background limited mode (of a photodetector)

31 режим оптической генерации (ФЭПП); режим ОГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей.

optical generation mode (of a photodetector)

32 режим термической генерации (ФЭПП); режим ТГ ФЭПП: Режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда в отсутствие полезного сигнала определяется только термической генерацией.

thermal generation mode (of a photodetector)

33 фотодиодный режим: Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении.

back-biased operation mode

34 лавинный режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода.

avalanche mode of photodiode operation

35 фотогальванический режим работы фотодиода: Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения.

zero-bias mode of photodiode operation; photovoltaic mode of photodiode operation

36 режим работы фототранзистора с плавающей базой: Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе.

floating-base mode of phototransistor operation

37 режим короткого замыкания (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП.

short-circuit mode of photodetector operation

38 режим холостого хода (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором его выходное динамическое сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки.

open-circuit mode of photodetector operation

39 режим работы (ФЭПП) с согласованной нагрузкой: Режим работы ФЭПП, при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению.

matched impedance mode of photodetector operation

40 режим оптического гетеродинного приема (ФЭПП): Режим работы ФЭПП, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала.

heterodyne reception mode of photodetector operation

41 режим временной задержки накопления (ФПУ); режим ВЗН ФПУ: Режим работы ФПУ, при котором происходит накопление сигнала от одного и того же участка изображения несколькими фоточувствительными элементами, их запоминание и последующее суммирование.

time-delay integration photoreceiving device mode, TDI

Примечание - Режим временной задержки накопления ФПУ достигается за счет расположения фоточувствительных элементов (ФЧЭ) вдоль направления сканирования (перемещения изображения) и временной задержки начала накопления, синхронизованной с движением изображения.

Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства

42 фоточувствительный элемент [пиксель] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; ФЧЭ ФЭПП; пиксель ФЭПП: Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры, предназначенная для приема оптического излучения.

photodetector sensitive element; photodetector pixel

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "фоточувствительный элемент" используют термин "пиксель", имеющий аналогичное значение.

43 вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; вывод ФЭПП: Элемент конструкции корпуса ФЭПП, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.

photodetector terminal

44 контакт фоточувствительного элемента [пикселя] фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; контакт ФЧЭ ФЭПП; контакт пикселя ФЭПП: Участок ФЧЭ, обеспечивающий электрическую связь вывода ФЭПП с ФЧЭ.

photodetector pin

45 корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; корпус ФЭПП: Часть конструкции ФЭПП, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов.

photodetector package

46 иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; иммерсионный элемент ФЭПП: Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с ФЧЭ ФЭПП и предназначенный для концентрации потока излучения.

photodetector optical immersion element

47 подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; подложка ФЭПП: Конструктивный элемент ФЭПП с нанесенным фоточувствительным слоем.

photodetector film base

48 входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; входное окно ФЭПП: Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса ФЭПП и пропускающий излучение к ФЧЭ.

photodetector input window

49 апертурная [холодная] диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения; апертурная диафрагма ФЭПП; холодная диафрагма ФЭПП: Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения ФЭПП.

photodetector aperture stop; photodetector cold-stop

Примечание - Для охлаждаемых ФПУ второго и последующих поколений наряду с термином "апертурная диафрагма ФЭПП" применяют термин "холодная диафрагма ФЭПП" ("cold-stop").

50 выход [канал] фотоприемного устройства; выход ФПУ; канал ФПУ: Часть ФПУ, обеспечивающая связь ФПУ с внешней электрической цепью.

photoreceiving device output; photoreceiving device channel

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений выходы ФПУ называют "каналами". При передаче по каналам сигналов в цифровом виде ФПУ называют ФПУ с цифровыми выходами.

51 большая интегральная схема считывания; БИС считывания: Интегральная схема, считывающая сигнал с ФЧЭ путем накопления фототока и его коммутацию таким образом, что число ее выходов меньше, чем число ФЧЭ.

readout integrated circuit; ROIC

Примечание - Каждый элемент в БИС считывания соединен с накопительной емкостью, которую называют "ячейкой накопления". Уровень заполнения ячейки накопления - это отношение текущего заряда ячейки к максимально возможному значению заряда.

52 дефектный фоточувствительный элемент [пиксель]; дефектный ФЧЭ: ФЧЭ ФЭПП, параметры которого не соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.

bad pixel, dead pixel, defective pixel

Примечания

1 Число дефектных элементов определяют их счетом.

2 Долю дефектных ФЧЭ вычисляют по формуле

, (1)
где
- число дефектных ФЧЭ, шт.;
- число всех ФЧЭ, шт.

3 Недефектным ФЧЭ является ФЧЭ ФЭПП, параметры которого соответствуют требованиям, установленным в нормативном или техническом документе.

4 Долю недефектных ФЧЭ вычисляют по формуле

. (2)

5 Для наименования группы дефектных ФЧЭ, расположенных рядом, т.е. имеющих общие стороны и углы, применяют термин "кластер дефектных ФЧЭ".

Параметры напряжений, сопротивлений, токов фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

53
рабочее напряжение (ФЭПП)
:
Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе.
operating voltage (of a photodetector);

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений применяют термин "напряжение смещения".

54
пробивное напряжение фотодиода
:
Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
breakdown voltage of a photodiode;
55
максимально допустимое напряжение (ФЭПП)
:
Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе.
maximum admissible voltage (of a photodetector);
56
электрическая прочность изоляции (ФЭПП)
:
Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции.
insulating strength (of a photodetector);
57
дифференциальное электрическое сопротивление (ФЭПП)
:
Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП.
differential electrical resistance (of a photodetector);
58
статическое сопротивление (ФЭПП)
:
Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току.
static resistance (of a photodetector);
59
тем новое сопротивление (ФЭПП)
:
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
dark resistance (of a photodetector);

Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

60
сопротивление фотодиода при нулевом смещении
:
Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольтамперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
zero bias resistance of a photodiode;

Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

61
световое сопротивление (ФЭПП)
:
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
resistance under illumination (of a photodetector);
,
62
темновой ток (ФЭПП)
:
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
dark current (of a photodetector);

Примечание - На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

63
фототок (ФЭПП)
:
Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
photocurrent (of a photodetector);

Примечание - Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

64
общий ток (ФЭПП)
:
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.
total current (of a photodetector);
65
напряжение фотосигнала (ФЭПП)
:
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
photoelectric signal voltage (of a photodetector);

Примечания

1 Так как по переменному току нагрузка, как правило, подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала допускается измерять на нагрузке.

2 Для ФПУ второго и последующих поколений за значение сигнала принимают разницу фотооткликов при заданных уровнях падающего на ФЧЭ ФПУ потока излучения.

66
ток фотосигнала (ФЭПП)
:
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
photoelectric signal current (of a photodetector);

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.

Параметры чувствительности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Термины, установленные в терминологических статьях 68-77, допускается употреблять в различных комбинациях, например, вольтовая интегральная чувствительность (комбинация терминов 72 и 73), вольтовая монохроматическая чувствительность (комбинация терминов 72 и 74), токовая чувствительность к освещенности и токовая чувствительность к световому потоку (комбинация терминов 71 с 67 и 69). При этом буквенные обозначения формируют из буквенных обозначений терминов, участвующих в комбинации. Если в тексте указана размерность чувствительности, то допускается опускать определяющие и дополняющие слова в комбинируемых терминах.

67
чувствительность (ФЭПП)
:
Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной.
responsivity (of a photodetector);
68
чувствительность (ФЭПП) к потоку излучения
:
-.
radiant flux responsivity (of a photodetector);
69
чувствительность (ФЭПП) к световому потоку
:
-.
luminous flux responsivity (of a photodetector);
70
чувствительность (ФЭПП) к облученности [освещенности]
(
):
-.
irradiance responsivity responsivity; illumination responsivity (of a photodetector);
(
)
71
токовая чувствительность (ФЭПП)
:
-.
current responsivity of a photodetector;
72
вольтовая чувствительность (ФЭПП)
:
-.
voltage responsivity of a photodetector;
73
интегральная чувствительность (ФЭПП)
:
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава.
total responsivity (of a photodetector);
74
монохроматическая чувствительность (ФЭПП)
:
Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению.
monochromatic responsivity (of a photodetector);
75
статическая чувствительность (ФЭПП)
:
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
static responsivity (of a photodetector);
76
дифференциальная чувствительность (ФЭПП)
:
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения.
differential responsivity (of a photodetector);
77
импульсная чувствительность (ФЭПП)
:
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции.
pulse responsivity (of a photodetector);
78
наклон люксомической характеристики фоторезистора
:
Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе.
illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor;

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.

Параметры порога и шума фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

79
ток шума (ФЭПП)
:
Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот.
noise current (of a photodetector);
80
напряжение шума (ФЭПП)
:
Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот.
noise voltage (of a photodetector);
81
порог чувствительности (ФЭПП, ФПУ)
;
порог: Значение потока излучения, вызывающего приращение сигнала, равного значению шума.
noise equivalent power (of a photodetector and photoreceiving device);
,

Примечания

1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения порог чувствительности - это среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

2 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь.

82
порог чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот
;
порог в единичной полосе частот: Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения.
unit frequency bandwidth noise equivalent power (of a photodetector);
83
удельный порог чувствительности (ФЭПП)
;
удельный порог: Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади ФЧЭ.
specific noise equivalent power (of a photodetector);
84
обнаружительная способность (ФЭПП)
:
Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП.
detectivity (of a photodetector);
85
удельная обнаружительная способность (ФЭПП)
:
Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП.
specific detectivity (of a photodetector);

86 эквивалентная шуму разность температур (ФЭПП); ЭШРТ: Разница температур объекта, излучающего как абсолютно черное тело, вызывающая изменение сигнала ФЭПП, равное шуму.

noise equivalent temperature difference (of a photodetector); NETD

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают ЭШРТ, определяемое как среднее значение параметра по недефектным элементам, и ЭШРТ, определяемое по изображению испытуемого объекта.

87
радиационный порог чувствительности (ФЭПП)
:
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры.
noise equivalent power of the background limited infrared photodetector; BLIP;

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений различают значение параметра для пикселя и значение параметра для ФПУ в целом. За значение параметра для ФПУ в целом принимают среднее значение параметра по недефектным элементам.

Параметры спектральной характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

88
длина волны максимума спектральной чувствительности (ФЭПП)
:
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности.
peak spectral response wavelength (of a photodetector);
89
коротковолновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)
:
Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.
short-wavelength limit (of a photodetector);
90
длинноволновая граница спектральной чувствительности (ФЭПП)
:
Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения.
long wavelength limit (of a photodetector);
91
область спектральной чувствительности (ФЭПП)
:
Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения.
spectral sensitivity range (of a photodetector);

Геометрические параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

92
эффективная фоточувствительная площадь (ФЭПП)
: Площадь ФЧЭ эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по ФЧЭ и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.
effective photosensitive area (of a photodetector);
Примечание - Эффективную фоточувствительную площадь
, м
, вычисляют по формуле
, (3)
где
- номинальное значение локальной чувствительности, отн.ед.;
- чувствительность к потоку при облучении ФЧЭ точечным пятном с координатами, отн.ед.
В качестве номинального значения локальной чувствительности
, как правило, выбирают максимальную чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке
,
). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методику выбора
указывают дополнительно.

93
плоский угол зрения (ФЭПП)
:
Угол в нормальной к ФЧЭ плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня.
angular field of view (of a photodetector);
94
эффективное поле зрения (ФЭПП)
:
Телесный угол, вычисляемый по формуле
, (4)
где
- напряжение фотосигнала ФЭПП (допускается замена параметра
на
,
), В;
- угол между направлением падающего излучения и нормалью к ФЧЭ;
- азимутальный угол.
effective weighted solid angle (of a photodetector);

Параметры инерционности фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

95
время нарастания (ФЭПП)
:
Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
rise time (of a photodetector);
96
время спада (ФЭПП)
:
Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно.
decay time (of a photodetector);
97
время установления переходной нормированной характеристики (ФЭПП) по уровню
:
Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики
от установившегося значения не превышает
:
при
.

set-up time of the normalized transfer characteristic (of a photodetector)

98
предельная частота (ФЭПП)
:
Частота синусоидально-модулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
cut-off frequency (of a photodetector);
99
емкость (ФЭПП)
:
-.
capacitance (of a photodetector);
100
последовательное сопротивление фотодиода
:
Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода.
series resistance of the photodiode;

Параметры многоэлементного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

101
число элементов (ФЭПП)
:
-.

number of elements (of a photodetector)

Примечание - Для ФПУ второго и последующих поколений число элементов задают в виде формата ФПУ, который показывает число ФЧЭ в матрице или линейке по вертикали и горизонтали.

102
шаг элементов (ФЭПП)
:
Расстояние между центрами двух соседних ФЧЭ ФЭПП.
pitch of elements (of a photodetector);
103
межэлементный зазор (многоэлементного ФЭПП)
:
Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП.
element spacing (of a multielement photodetector);
104
коэффициент фотоэлектрической связи (многоэлементного ФЭПП)
:
Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики.*
photoelectric coupling coefficient (of a multielement photodetector);

105
разброс значений параметров (многоэлементного ФЭПП)
:
Среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам.
spread of parameter values (of a multielement photodetector);

Примечания

1 Для ФЭПП и ФПУ первого поколения - отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра ФЧЭ в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.

2 В буквенном обозначении вместо "
" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра.

Параметры фототранзистора

106
напряжение на коллекторе фототранзистора
,
:
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
collector voltage of a phototransistor;
,

Примечание - Верхние индексы "б" и "э" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим эмиттером соответственно.

107
напряжение на эмиттере фототранзистора
,
:
Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
emitter voltage of a phototransistor;
,

Примечание - Верхние индексы "б" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общей базой или с общим коллектором соответственно.

108
напряжение на базе фототранзистора
,
:
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
base voltage of a phototransistor;
,

Примечание - Верхние индексы "э" и "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером или с общим коллектором соответственно.

109
пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
:
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.

110
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
:
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
collector-base breakdown voltage of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.

111
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
:
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
emitter-base breakdown voltage of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.

112
пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
:
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor;

Примечания

1 Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором.

2 На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.

113
темновой ток коллектора фототранзистора
,
,
:
-.

collector dark current of a phototransistor;

,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

114
темновой ток эмиттера фототранзистора
,
,
:
-.
emitter dark current of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

115
темновой ток базы фототранзистора
,
,
:
-.
base dark current of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

116
темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
:
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
collector-emitter dark current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.

117
темновой ток коллектор-база фототранзистора
:
Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
collector-base dark current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.

118
темновой ток эмиттер-база фототранзистора
:
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
emitter-base dark current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.

119
темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
:
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
emitter-collector dark current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "к" указывает на схему включения фототранзистора с общим коллектором.

120
фототок коллектора фототранзистора
,
,
:
-.
collector photocurrent of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

121
фототок эмиттера фототранзистора
,
,
:
-.
emitter photocurrent of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

122
фототок базы фототранзистора
,
,
:
-.
base photocurrent of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

123
общий ток коллектора фототранзистора
,
,
:
-.
collector total current of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

124
общий ток эмиттера фототранзистора
,
,
:
-.
emitter total current of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

125
общий ток базы фототранзистора
,
,
:
-.
base total current of a phototransistor;
,
,

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

126
общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
:
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
collector-emitter total current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "э" указывает на схему включения фототранзистора с общим эмиттером.

127
общий ток коллектор-база фототранзистора
:
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
collector-base total current of a phototransistor;

Примечание - Верхний индекс "б" указывает на схему включения фототранзистора с общей базой.

128
токовая чувствительность фототранзистора
,
,
:
Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.

current responsivity of a phototransistor

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

129
вольтовая чувствительность фототранзистора
,
,
:
Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току.

voltage responsivity of a phototransistor

Примечание - Верхние индексы "э", "б", "к" указывают на схему включения фототранзистора с общим эмиттером, с общей базой, с общим коллектором соответственно.

130
коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
:
Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме.

photocurrent gain factor of a phototransistor

Параметры координатного фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

131
линейная зона координатной характеристики (координатного ФЭПП)
:
Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения.

linear area characteristic (of a coordinate photodetector)

132
дифференциальная крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП)
:
Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения.

differential slope characteristic (of a coordinate photodetector)

133
статическая крутизна координатной характеристики (координатного ФЭПП)
:
Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения.

static slope characteristic (of a coordinate photodetector)

134
нулевая точка (координатного ФЭПП)
:
Координата энергетического центра светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю.
zero point (of a coordinate photodetector);
135
выходное сопротивление (координатного ФЭПП)
:
Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения.
output impedance (of a coordinate photodetector);

Параметры лавинного фотодиода

136
коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода
:
Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях.
dark current multiplication factor of an avalanche photodiode;
137
коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода
:
Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode;

Примечание - Если фототок измеряют при засветке всего ФЧЭ, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения.

138
точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода
:
Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах.
operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode;
139
температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода
:
Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.
operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode;

Примечание - При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода; если диапазон изменения температур большой, то получают статический температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода.

Параметры инжекционного фотодиода

140
коэффициент усиления инжекционного фотодиода
:
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме.

gain of an injection photodiode

141
коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
:
Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.

relative gain of an injection photodiode

Примечание - Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольтамперной характеристики определяют также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений.

Эксплуатационные параметры фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

142
рассеиваемая мощность (ФЭПП)
:
Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения.
total power dissipation (of a photodetector);
143
максимально допустимая рассеиваемая мощность (ФЭПП)
:
Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе.
maximum admissible power dissipation (of a photodetector);
144
критическая мощность излучения (ФЭПП)
:
Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня.

critical radiation power (of a photodetector)

145
динамический диапазон (ФЭПП)
:
Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

dynamic range (of a photodetector)

Примечания

1 Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня.

2 Для ФПУ второго и последующих поколений различают динамический диапазон ФЭПП (ФПУ) и динамический диапазон выходных сигналов ФПУ.

146
неравномерность чувствительности (ФЭПП) по фоточувствительному элементу
:
Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП, измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.

spacing response non-uniformity (of a photodetector)

147
нестабильность сопротивления (ФЭПП)
:
Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению.

resistance unstability coefficient (of a photodetector)

148
нестабильность темнового тока (ФЭПП)
:
Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания ФЭПП к среднему значению.

dark current unstability (of a photodetector)

149
нестабильность чувствительности (ФЭПП)
:
Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению.

response unstability (of a photodetector)

150
температурный коэффициент фототока (ФЭПП)
:
Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности).

photocurrent temperature coefficient (of a photodetector)

151
световая нестабильность (ФЭПП)
:
Изменение светового сопротивления ФЭПП, произошедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении.

light unstability (of a photodetector)

152 температура выхода на режим оптической генерации (ФЭПП): -.

optical generation mode temperature (of a photodetector)

153
время выхода на режим (охлаждаемого ФЭПП)
:
Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня.
cooldown time (of a cooled photodetector);
154
время автономной работы (охлаждаемого ФЭПП)
:
Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня.
independent operating time (of a cooled photodetector);

Спектральные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

155
спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения.
spectral response (of a photodetector);
156
абсолютная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.
absolute spectral response characteristic (of a photodetector);
157
относительная спектральная характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения.
relative spectral response characteristic (of a photodetector);

Вольтовые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

158
вольтамперная характеристика (ФЭПП)
;
ВАХ ФЭПП: Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.
current-voltage characteristic (of a photodetector);
159
входная вольтамперная характеристика фототранзистора
;
входная ВАХ фототранзистора:
Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения.
input current-voltage characteristic (of a phototransistor);
160
выходная вольтамперная характеристика фототранзистора
;
выходная ВАХ фототранзистора: Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения.
output current-voltage characteristic (of a phototransistor);
161
вольтовая характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения.
bias voltage response characteristic (of a photodetector);
162
вольтовая характеристика тока шума (ФЭПП)
:
Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.
bias noise current characteristic (of a photodetector);
163
вольтовая характеристика напряжения шума (ФЭПП)
:
Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП.
bias noise voltage characteristic (of a photodetector);
164
вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)
:
Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему.
bias detectivity characteristic (of a photodetector);
165
вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
,
:
Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему.
bias multiplication factor characteristic (of an avalanche photodiode);
,

Характеристики зависимости параметров фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения от потока излучения

166
энергетическая характеристика фототока (ФЭПП)
:
Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП.
photocurrent radiant flux characteristic (of a photodetector);
167
энергетическая характеристика напряжения фотосигнала (ФЭПП)
:
Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП.
photoelectric signal voltage radiant flux characteristic (of a photodetector);
168
энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора
:
Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор.
radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor;
169
люксомическая характеристика фоторезистора
:
Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор.
resistance-illuminance characteristic of a photoresistor;
,
170
люксамперная характеристика (ФЭПП)
:
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП.

photocurrent-

illuminance characteristic (of a photodetector);
171
входная энергетическая характеристика фототранзистора
,
:
Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе.

input energy characteristic of a phototransistor

172
выходная энергетическая характеристика фототранзистора
:
Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе.

output energy characteristic of a phototransistor

173
сигнальная характеристика (ФЭПП, ФПУ)
:
Зависимость значения сигнала ФЧЭ ФЭПП или ФПУ (по недефектным элементам) от времени накопления.

signal characteristic (of a photodetector, of a photoreceiving device)

Частотные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

174
частотная характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения.
frequency response characteristic (of a photodetector);
175
спектр тока шума (ФЭПП)
:
Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам.
noise current spectrum (of a photodetector);
176
спектр напряжения шума (ФЭПП)
:
Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам.
noise voltage spectrum (of a photodetector);
177
частотная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)
:
Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения.
specific detectivity frequency dependence (of a photodetector);

Фоновые характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

178
фоновая характеристика светового сопротивления (ФЭПП)
:
Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.
resistance under illumination-background radiant flux characteristic (of a photodetector);
,
179
фоновая характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.

responsivity-

background radiant flux characteristic (of a photodetector);
180
фоновая характеристика тока шума (ФЭПП)
:
Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.
noise current-back ground radiant flux characteristic (of a photodetector);
181
фоновая характеристика напряжения шума (ФЭПП)
:
Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.
noise voltage-back ground radiant flux characteristic (of a photodetector);
182
фоновая характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот
:
Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона.

NEP-background radiant flux characteristic (of a photodetector)

183
фоновая характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)
:
Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона.

specific detectivity-

background radiant flux characteristic (of a photodetector);

Температурные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

184
температурная характеристика светового сопротивления (ФЭПП)
:
-.
resistance under illumination-temperature characteristic (of a photodetector);
,
185
температурная характеристика темнового сопротивления (ФЭПП)
:
-.

dark resistance-

temperature characteristic (of a photodetector)

186
температурная характеристика темнового тока (ФЭПП)
:
-.

dark current-

temperature characteristic (of a photodetector);
187
температурная характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
-.

responsivity-

temperature characteristic (of a photodetector);
188
температурная характеристика тока шума (ФЭПП)
:
-.

noise current-

temperature characteristic (of a photodetector);
189
температурная характеристика напряжения шума (ФЭПП)
:
-.

noise voltage-

temperature characteristic (of a photodetector);
190
температурная характеристика порога чувствительности (ФЭПП) в единичной полосе частот
:
-.

NEP-temperature characteristic (of a photodetector)

191
температурная характеристика удельной обнаружительной способности (ФЭПП)
:
-.

specific detectivity-

temperature characteristic (of a photodetector);
192
температурная характеристика дрейфа нулевой точки (координатного ФЭПП)
:
Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры.
zero drift-temperature characteristic (of a coordinate photodetector);

Временные и пространственные характеристики фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

193
переходная нормированная характеристика (ФЭПП)
:
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.

normalized transfer characteristic (of a photodetector)

Примечание - Импульс излучения в форме единичной степени описывают выражением

. (5)

В общем случае переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 1.

Рисунок 1

194
обратная переходная нормированная характеристика (ФЭПП)
:
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.

normalized inverse transfer characteristic (of a photodetector)

Примечание - Поток излучения при резком прекращении воздействия описывают выражением

. (6)

В общем случае обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП имеет вид, представленный на рисунке 2.

Рисунок 2

195
координатная характеристика (координатного ФЭПП)
:
Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на ФЧЭ координатного фотодиода.

coordinate characteristic (of a coordinate photodetector)

196
временной дрейф нулевой точки (координатного ФЭПП)
;
дрейф нуля: Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени.
time drift of zero point; zero drift (of a coordinate photodetector);
197
распределение чувствительности по фоточувствительному элементу (ФЭПП)
:
Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда с пятном бесконечно малого размера на ФЧЭ.
responsivity surface distribution (of a photodetector);
198
угловая характеристика чувствительности (ФЭПП)
:
Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости ФЧЭ.
responsivity directional distribution (of a photodetector);
199
время накопления [экспозиции]
:
Временной промежуток, за который происходит накопление фототока в ячейке накопления БИС считывания.
integration time; exposure time;

Примечание - Также допускается применять термин "время интегрирования", имеющий аналогичное значение.

200
время задержки фотоотклика при формировании изображения
:
Значение временного интервала с момента поступления излучения на ФПУ до момента появления фотоотклика на выходе ФПУ.
image forming delay;

Алфавитный указатель терминов на русском языке

БИС считывания

51

ВАХ фототранзистора входная

159

ВАХ фототранзистора выходная

160

ВАХ ФЭПП

158

время автономной работы

154

время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

154

время выхода на режим

153

время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

153

время задержки фотоотклика при формировании изображения

200

время накопления

199

время нарастания

95

время нарастания ФЭПП

95

время спада

96

время спада ФЭПП

96

время установления переходной нормированной характеристики по уровню

97

время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню

97

время экспозиции

199

вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

43

вывод ФЭПП

43

выход фотоприемного устройства

50

выход ФПУ

50

граница спектральной чувствительности длинноволновая

90

граница спектральной чувствительности коротковолновая

89

граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая

90

граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая

89

диапазон динамический

145

диапазон ФЭПП динамический

145

диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная

49

диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения холодная

49

диафрагма ФЭПП апертурная

49

диафрагма ФЭПП холодная

49

длина волны максимума спектральной чувствительности

88

длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

88

дрейф нулевой точки временной

196

дрейф нулевой точки координатного ФЭПП временной

196

емкость

99

емкость ФЭПП

99

зазор межэлементный

103

зазор межэлементный многоэлементного ФЭПП

103

зона координатной характеристики координатного ФЭПП линейная

131

зона координатной характеристики линейная

131

канал фотоприемного устройства

50

канал ФПУ

50

контакт пикселя фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

44

контакт пикселя ФЭПП

44

контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

44

контакт ФЧЭ ФЭПП

44

корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

45

корпус ФЭПП

45

коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

141

коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный

139

коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

136

коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

137

коэффициент усиления инжекционного фотодиода

140

коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

130

коэффициент фототока температурный

150

коэффициент фототока ФЭПП температурный

150

коэффициент фотоэлектрической связи

104

коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

104

крутизна координатной характеристики дифференциальная

132

крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП дифференциальная

132

крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП статическая

133

крутизна координатной характеристики статическая

133

модуль фотоприемный

29

мощность излучения критическая

144

мощность излучения ФЭПП критическая

144

мощность рассеиваемая

142

мощность рассеиваемая максимально допустимая

143

мощность ФЭПП рассеиваемая

142

мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая

143

наклон люксомической характеристики фоторезистора

78

напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное

110

напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное

109

напряжение максимально допустимое

55

напряжение на базе фототранзистора

108

напряжение на коллекторе фототранзистора

106

напряжение на эмиттере фототранзистора

107

напряжение рабочее

53

напряжение фотодиода пробивное

54

напряжение фотосигнала

65

напряжение фотосигнала ФЭПП

65

напряжение ФЭПП максимально допустимое

55

напряжение ФЭПП рабочее

53

напряжение шума

80

напряжение шума ФЭПП

80

напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное

111

напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное

112

неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу

146

неравномерность чувствительности ФЭПП по фоточувствительному элементу

146

нестабильность световая

151

нестабильность сопротивления

147

нестабильность сопротивления ФЭПП

147

нестабильность темнового тока

148

нестабильность темнового тока ФЭПП

148

нестабильность ФЭПП световая

151

нестабильность чувствительности

149

нестабильность чувствительности ФЭПП

149

область спектральной чувствительности

91

область спектральной чувствительности ФЭПП

91

окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное

48

окно ФЭПП входное

48

пиксель дефектный

52

пиксель фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

42

пиксель ФЭПП

42

площадь фоточувствительная эффективная

92

площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная

92

подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

47

подложка ФЭПП

47

поле зрения ФЭПП эффективное

94

поле зрения эффективное

94

порог

81

порог в единичной полосе частот

82

порог удельный

83

порог чувствительности

81

порог чувствительности в единичной полосе частот

82

порог чувствительности радиационный

87

порог чувствительности удельный

83

порог чувствительности ФПУ

81

порог чувствительности ФЭПП

81

порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

82

порог чувствительности ФЭПП радиационный

87

порог чувствительности ФЭПП удельный

83

прибор полупроводниковый фоточувствительный

1

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический

2

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный

8

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный

9

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный

7

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный

4

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный

6

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный

5

приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый

20

прочность изоляции ФЭПП электрическая

56

прочность изоляции электрическая

56

разброс значений параметров

105

разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

105

разность температур, эквивалентная шуму

86

разность температур ФЭПП, эквивалентная шуму

86

распределение чувствительности по фоточувствительному элементу

197

распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП

197

режим ВЗН ФПУ

41

режим временной задержки накопления

41

режим временной задержки накопления ФПУ

41

режим короткого замыкания

37

режим короткого замыкания ФЭПП

37

режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона

30

режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона ФЭПП

30

режим ОГ ФЭПП

31

режим оптического гетеродинного приема

40

режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

40

режим оптической генерации

31

режим оптической генерации ФЭПП

31

режим ОФ ФЭПП

30

режим работы с согласованной нагрузкой

39

режим работы фотодиода лавинный

34

режим работы фотодиода фотогальванический

35

режим работы фототранзистора с плавающей базой

36

режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

39

режим ТГ ФЭПП

32

режим термической генерации

32

режим термической генерации ФЭПП

32

режим фотодиодный

33

режим холостого хода

38

режим холостого хода ФЭПП

38

сканистор полупроводниковый фоточувствительный

25

сопротивление выходное

135

сопротивление координатного ФЭПП выходное

135

сопротивление световое

61

сопротивление статическое

58

сопротивление темновое

59

сопротивление фотодиода последовательное

100

сопротивление фотодиода при нулевом смещении

60

сопротивление ФЭПП световое

61

сопротивление ФЭПП статическое

58

сопротивление ФЭПП темновое

59

сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное

57

сопротивление электрическое дифференциальное

57

спектр напряжения шума

176

спектр напряжения шума ФЭПП

176

спектр тока шума

175

спектр тока шума ФЭПП

175

способность обнаружительная

84

способность обнаружительная удельная

85

способность ФЭПП обнаружительная

84

способность ФЭПП обнаружительная удельная

85

схема считывания большая интегральная

51

температура выхода на режим оптической генерации

152

температура выхода на режим оптической генерации ФЭПП

152

ток базы фототранзистора общий

125

ток базы фототранзистора темновой

115

ток коллектора фототранзистора общий

123

ток коллектора фототранзистора темновой

113

ток коллектор-база фототранзистора общий

127

ток коллектор-база фототранзистора темновой

117

ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий

126

ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой

116

ток общий

64

ток темновой

62

ток фотосигнала

66

ток фотосигнала ФЭПП

66

ток ФЭПП общий

64

ток ФЭПП темновой

62

ток шума

79

ток шума ФЭПП

79

ток эмиттера фототранзистора общий

124

ток эмиттера фототранзистора темновой

114

ток эмиттер-база фототранзистора темновой

118

ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой

119

точка координатного ФЭПП нулевая

134

точка нулевая

134

точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

138

угол зрения плоский

93

угол зрения ФЭПП плоский

93

устройство фотоприемное

3

устройство фотоприемное гибридное

28

устройство фотоприемное многоспектральное

24

устройство фотоприемное монолитное

27

устройство фотоприемное одноэлементное

21

устройство фотоприемное охлаждаемое

26

устройство фотоприемное с внутренней коммутацией многоэлементное

23

устройство фотоприемное с разделенными каналами многоэлементное

22

фотодиод

11

фотодиод инжекционный

16

фотодиод лавинный

15

фотодиод с барьером Шоттки

13

фотодиод с гетеропереходом

14

фоторезистор

10

фототок

63

фототок базы фототранзистора

122

фототок коллектора фототранзистора

120

фототок ФЭПП

63

фототок эмиттера фототранзистора

121

фототранзистор

17

фототранзистор биполярный

19

фототранзистор полевой

18

ФПУ

3

ФПУ гибридное

28

ФПУ многоспектральное

24

ФПУ монолитное

27

ФПУ одноэлементное

21

ФПУ охлаждаемое

26

ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное

23

ФПУ с разделенными каналами многоэлементное

22

ФЧЭ дефектный

52

ФЧЭ ФЭПП

42

ФЭПП

2

ФЭПП гетеродинный

8

ФЭПП иммерсионный

9

ФЭПП координатный

7

ФЭПП многоспектральный

4

ФЭПП многоэлементный

6

ФЭПП одноэлементный

5

ФЭПП охлаждаемый

20

характеристика вольтамперная

158

характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП температурная

192

характеристика дрейфа нулевой точки температурная

192

характеристика координатная

195

характеристика координатного ФЭПП координатная

195

характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая

165

характеристика люксамперная

170

характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая

167

характеристика напряжения фотосигнала энергетическая

167

характеристика напряжения шума вольтовая

163

характеристика напряжения шума температурная

189

характеристика напряжения шума фоновая

181

характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая

163

характеристика напряжения шума ФЭПП температурная

189

характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая

181

характеристика нормированная переходная

193

характеристика нормированная переходная обратная

194

характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот температурная

190

характеристика порога чувствительности в единичной полосе частот фоновая

182

характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная

190

характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая

182

характеристика светового сопротивления температурная

184

характеристика светового сопротивления фоновая

178

характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная

184

характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая

178

характеристика сигнальная

173

характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая

168

характеристика темнового сопротивления температурная

185

характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная

185

характеристика темнового тока температурная

186

характеристика темнового тока ФЭПП температурная

186

характеристика тока шума вольтовая

162

характеристика тока шума температурная

188

характеристика тока шума фоновая

180

характеристика тока шума ФЭПП вольтовая

162

характеристика тока шума ФЭПП температурная

188

характеристика тока шума ФЭПП фоновая

180

характеристика удельной обнаружительной способности вольтовая

164

характеристика удельной обнаружительной способности температурная

191

характеристика удельной обнаружительной способности фоновая

183

характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая

164

характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная

191

характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая

183

характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная

177

характеристика удельной обнаружительной способности частотная

177

характеристика фоторезистора люксомическая

169

характеристика фототока ФЭПП энергетическая

166

характеристика фототока энергетическая

166

характеристика фототранзистора вольтамперная входная

159

характеристика фототранзистора вольтамперная выходная

160

характеристика фототранзистора энергетическая входная

171

характеристика фототранзистора энергетическая выходная

172

характеристика ФПУ сигнальная

173

характеристика ФЭПП вольтамперная

158

характеристика ФЭПП люксамперная

170

характеристика ФЭПП нормированная переходная

193

характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная

194

характеристика ФЭПП сигнальная

173

характеристика чувствительности вольтовая

161

характеристика чувствительности спектральная

155

характеристика чувствительности спектральная абсолютная

156

характеристика чувствительности спектральная относительная

157

характеристика чувствительности температурная

187

характеристика чувствительности угловая

198

характеристика чувствительности фоновая

179

характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая

161

характеристика чувствительности ФЭПП спектральная

155

характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная

156

характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная

157

характеристика чувствительности ФЭПП температурная

187

характеристика чувствительности ФЭПП угловая

198

характеристика чувствительности ФЭПП фоновая

179

характеристика чувствительности ФЭПП частотная

174

характеристика чувствительности частотная

174

частота предельная

98

частота ФЭПП предельная

98

число элементов

101

число элементов ФЭПП

101

чувствительность

67

чувствительность вольтовая

72

чувствительность дифференциальная

76

чувствительность импульсная

77

чувствительность интегральная

73

чувствительность к облученности

70

чувствительность к освещенности

70

чувствительность к потоку излучения

68

чувствительность к световому потоку

69

чувствительность монохроматическая

74

чувствительность статическая

75

чувствительность токовая

71

чувствительность фототранзистора вольтовая

129

чувствительность фототранзистора токовая

128

чувствительность ФЭПП

67

чувствительность ФЭПП вольтовая

72

чувствительность ФЭПП дифференциальная

76

чувствительность ФЭПП импульсная

77

чувствительность ФЭПП интегральная

73

чувствительность ФЭПП к облученности

70

чувствительность ФЭПП к освещенности

70

чувствительность ФЭПП к потоку излучения

68

чувствительность ФЭПП к световому потоку

69

чувствительность ФЭПП монохроматическая

74

чувствительность ФЭПП статическая

75

чувствительность ФЭПП токовая

71

шаг элементов

102

шаг элементов ФЭПП

102

элемент фоточувствительный дефектный

52

элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный

46

элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный

42

элемент ФЭПП иммерсионный

46

ЭШРТ

86

pin-фотодиод

12

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке

absolute spectral response characteristic

156

angular field of view

93

avalanche mode of photodiode operation

34

avalanche photodiode

15

back-biased operation mode

33

background limited mode

30

bad pixel

52

base dark current of a phototransistor

115

base photocurrent of a phototransistor

122

base total current of a phototransistor

125

base voltage of a phototransistor

108

bias detectivity characteristic

164

bias multiplication factor characteristic

165

bias noise current characteristic

162

bias noise voltage characteristic

163

bias voltage response characteristic

161

bipolar phototransistor

19

BLIP

87

breakdown voltage of a photodiode

54

camera

29

camera module

29

capacitance

99

collector-base breakdown voltage of a phototransistor

110

collector-base dark current of a phototransistor

117

collector-base total current of a phototransistor

127

collector dark current of a phototransistor

113

collector-emitter dark current of a phototransistor

116

collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

109

collector-emitter total current of a phototransistor

126

collector photocurrent of a phototransistor

120

collector total current of a phototransistor

123

collector voltage of a phototransistor

106

cooldown time

153

cooled photodetector

20

cooled photoreceiving device

26

coordinate characteristic

195

critical radiation power

144

current responsivity of a photodetector

71

current responsivity of a phototransistor

128

current-voltage characteristic

158

cut-off frequency

98

dark current

62

dark current multiplication factor of an avalanche photodiode

136

dark current-temperature characteristic

186

dark current unstability

148

dark resistance

59

dark resistance-temperature characteristic

185

dead pixel

52

decay time

96

defective pixel

52

detectivity

84

differential electrical resistance

57

differential responsivity

76

differential slope characteristic

132

dynamic range

145

effective photosensitive area

92

effective weighted solid angle

94

element spacing

103

emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

111

emitter-base dark current of a phototransistor

118

emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

112

emitter-collector dark current of a phototransistor

119

emitter dark current of a phototransistor

114

emitter photocurrent of a phototransistor

121

emitter total current of a phototransistor

124

emitter voltage of a phototransistor

107

exposure time

199

field effect phototransistor

18

floating-base mode of phototransistor operation

36

frequency response characteristic

174

gain of an injection photodiode

140

heterodyne photodetector

8

heterodyne reception mode of photodetector operation

40

heterojunction photodiode

14

hybrid photoreceiving device

28

illuminance-resistance characteristique slope of a photoresistor

78

illumination responsivity

70

image forming delay

200

immersed photodetector

9

independent operating time

154

injection photodiode

16

input current-voltage characteristic

159

input energy characteristic of a phototransistor

171

insulating strength

56

integration time

199

irradiance responsivity responsivity

70

light unstability

151

linear area characteristic

131

long wavelength limit

90

luminous flux responsivity

69

matched impedance mode of photodetector operation

39

maximum admissible power dissipation

143

maximum admissible voltage

55

monochromatic responsivity

74

monolictical photoreceiving device

27

multi-band photodetector

4

multi-band photoreceiving device

24

multi-element photodetector

6

multi-element photoreceiving device with internally commutation

23

multi-element photoreceiving device with separate channels

22

NEP-background radiant flux characteristic

182

NEP-temperature characteristic

190

NETD

86

noise current

79

noise current-background radiant flux characteristic

180

noise current spectrum

175

noise current-temperature characteristic

188

noise equivalent power

81

noise equivalent power of the background limited infrared photodetector

87

noise equivalent temperature difference

86

noise voltage

80

noise voltage spectrum

176

noise voltage-temperature characteristic

189

normalized inverse transfer characteristic

194

normalized transfer characteristic

193

number of elements

101

open-circuit mode of photodetector operation

38

operating voltage

53

noise voltage-background radiant flux characteristic

181

operating voltage constant keeping accuracy of an avalanche photodiode

138

operating voltage temperature coefficient of an avalanche photodiode

139

optical generation mode

31

optical generation mode temperature

152

output current-voltage characteristic

160

output energy characteristic of a phototransistor

172

output impedance

135

peak spectral response wavelength

88

photoconductive cell

10

photocurrent

63

photocurrent gain factor of a phototransistor

130

photocurrent-illuminance characteristic

170

photocurrent multiplication factor of an avalanche photodiode

137

photocurrent radiant flux characteristic photocurrent radiant flux characteristic

166

photocurrent temperature coefficient

150

photodetector

2

photodetector aperture stop

49

photodetector cold-stop

49

photodetector film base

47

photodetector input window

48

photodetector optical immersion element

46

photodetector package

45

photodetector pin

44

photodetector pixel

42

photodetector sensitive element

42

photodetector terminal

43

photodiode

11

photoelectric coupling coefficient

104

photoelectric semiconducting detector

2

photoelectric signal current

66

photoelectric signal voltage

65

photoelectric signal voltage radiant flux characteristic

167

photoreceiving device

3

photoreceiving device channel

50

photoreceiving device output

50

photoresistor

10

photosensitive semiconductor device

1

photosensitive semiconductor scanistor

25

phototransistor

17

photovoltaic mode of photodiode operation

35

pin-photodiode

12

pitch of elements

102

position-sensitive photodetector

7

pulse responsivity

77

radiant flux responsivity

68

radiant power-static resistance characteristic of a photoresistor

168

readout integrated circuit

51

relative gain of an injection photodiode

141

relative spectral response characteristic

157

resistance-illuminance characteristic of a photoresistor

169

resistance under illumination

61

resistance under illumination-background radiant flux characteristic

178

resistance under illumination-temperature characteristic

184

resistance unstability coefficient

147

response unstability

149

responsivity

67

responsivity-background radiant flux characteristic

179

responsivity directional distribution

198

responsivity surface distribution

197

responsivity-temperature characteristic

187

rise time

95

ROIC

51

Schottky-barrier photodiode

13

series resistance of the photodiode

100

set-up time of the normalized transfer characteristic

97

short-circuit mode of photodetector operation

37

short-wavelength limit

89

signal characteristic

173

single-element photodetector

5

single-element photoreceiving device

21

spacing response non-uniformity

146

specific detectivity

85

specific detectivity-background radiant flux characteristic

183

specific detectivity frequency dependence

177

specific detectivity-temperature characteristic

191

specific noise equivalent power

83

spectral response

155

spectral sensitivity range

91

spread of parameter values

105

static resistance

58

static responsivity

75

static slope characteristic

133

TDI

41

thermal generation mode

32

time-delay integration photoreceiving device mode

41

time drift of zero point

196

total current

64

total power dissipation

142

total responsivity

73

unit frequency bandwidth noise equivalent power

82

voltage responsivity of a photodetector

72

voltage responsivity of a phototransistor

129

zero-bias mode of photodiode operation

35

zero bias resistance of a photodiode

60

zero drift

196

zero drift-temperature characteristic

192

zero point

134

Алфавитный указатель буквенных обозначений

-

динамический диапазон ФЭПП

145

-

критическая мощность излучения ФЭПП

144

,

порог чувствительности ФЭПП, ФПУ

81

удельный порог чувствительности ФЭПП

83

радиационный порог чувствительности ФЭПП

87

порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

82

-

температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП

190

-

фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

182

эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

92

емкость ФЭПП

99

обнаружительная способность ФЭПП

84

удельная обнаружительная способность ФЭПП

85

частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

177

температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

191

вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

164

фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

183

предельная частота ФЭПП

98

шаг элементов ФЭПП

102

-

переходная нормированная характеристика ФЭПП

193

-

обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

194

,
,

-

вольтовая чувствительность фототранзистора

129

,
,

-

токовая чувствительность фототранзистора

128

общий ток ФЭПП

64

ток фотосигнала ФЭПП

66

темновой ток ФЭПП

62

температурная характеристика темнового тока ФЭПП

186

фототок ФЭПП

63

ток шума ФЭПП

79

общий ток коллектор-база фототранзистора

127

темновой ток коллектор-база фототранзистора

117

темновой ток эмиттер-база фототранзистора

118

темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

119

темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

116

общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

126

,
,
,
,

общий ток базы фототранзистора

125

,
,
,
,

общий ток эмиттера фототранзистора

124

,
,
,
,

темновой ток эмиттера фототранзистора

114

,
,
,
,

фототок эмиттера фототранзистора

121

,
,
,
,

фототок базы фототранзистора

122

,
,
,
,

темновой ток базы фототранзистора

115

,
,
,
,

темновой ток коллектора фототранзистора

113

,
,
,
,

фототок коллектора фототранзистора

120

,
,
,
,

общий ток коллектора фототранзистора

123

-

нестабильность темнового тока ФЭПП

148

вольтамперная характеристика ФЭПП

158

входная вольтамперная характеристика фототранзистора

159

выходная вольтамперная характеристика фототранзистора

160

-

выходная энергетическая характеристика фототранзистора

172

люксамперная характеристика ФЭПП

170

энергетическая характеристика фототока ФЭПП

166

спектр тока шума ФЭПП

175

температурная характеристика тока шума ФЭПП

188

вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

162

фоновая характеристика тока шума ФЭПП

180

-

коэффициент усиления инжекционного фотодиода

140

-

коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

130

коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

104

-

коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

141

межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

103

коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

136

коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

137

,
,

вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода

165

-

число элементов ФЭПП

101

рассеиваемая мощность ФЭПП

142

выходное сопротивление координатного ФЭПП

135

дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

57

,

световое сопротивление ФЭПП

61

,

люксомическая характеристика фоторезистора

169

,

температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

184

,

фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

178

последовательное сопротивление фотодиода

100

статическое сопротивление ФЭПП

58

энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

168

темновое сопротивление ФЭПП

59

-

температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП

185

максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

143

сопротивление фотодиода при нулевом смещении

60

-

нестабильность сопротивления ФЭПП

147

чувствительность ФЭПП

67

абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

156

дифференциальная чувствительность ФЭПП

76

-

дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП

132

чувствительность ФЭПП к освещенности

70

чувствительность ФЭПП к облученности

70

импульсная чувствительность ФЭПП

77

интегральная чувствительность ФЭПП

73

относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

157

статическая чувствительность ФЭПП

75

-

статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП

133

-

сигнальная характеристика

173

чувствительность ФЭПП к световому потоку

69

чувствительность ФЭПП к потоку излучения

68

токовая чувствительность ФЭПП

71

вольтовая чувствительность ФЭПП

72

монохроматическая чувствительность ФЭПП

74

частотная характеристика чувствительности ФЭПП

174

температурная характеристика чувствительности ФЭПП

187

вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

161

распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП

197

угловая характеристика чувствительности ФЭПП

198

спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

155

фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

179

-

неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП

146

время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

153

время задержки фотоотклика при формировании изображения

200

время накопления [экспозиции]

199

время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

154

,

-

входная энергетическая характеристика фототранзистора

171

-

координатная характеристика координатного ФЭПП

195

электрическая прочность изоляции ФЭПП

56

пробивное напряжение фотодиода

54

рабочее напряжение ФЭПП

53

напряжение фотосигнала ФЭПП

65

энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

167

напряжение шума ФЭПП

80

спектр напряжения шума ФЭПП

176

температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

189

фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

181

максимально допустимое напряжение ФЭПП

55

пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

110

пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора

111

пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

112

пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

109

,
,

напряжение на коллекторе фототранзистора

106

,
,

напряжение на эмиттере фототранзистора

107

,
,

напряжение на базе фототранзистора

108

вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

163

точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

138

-

нестабильность чувствительности ФЭПП

149

нулевая точка координатного ФЭПП

134

температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП

192

координатная характеристика координатного ФЭПП

196

-

температурный коэффициент фототока ФЭПП

150

температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

139

наклон люксомической характеристики фоторезистора

78

разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

105

длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

88

коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

89

длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

90

область спектральной чувствительности ФЭПП

91

-

световая нестабильность ФЭПП

151

-

время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню

97

время нарастания ФЭПП

95

время спада ФЭПП

96

-

линейная зона координатной характеристики координатного ФЭПП

131

плоский угол зрения ФЭПП

93

эффективное поле зрения ФЭПП

94

Приложение А

(справочное)

Термины и определения общетехнических понятий, необходимых для понимания текста стандарта

А.1 электромагнитное излучение: Процесс испускания электромагнитных волн.

electromagnetic radiation

Примечание - Под термином "электромагнитное излучение" следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.

А.2
оптическое излучение:
Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10
-10
м.

optical radiation

Примечание - В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучают оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем.

А.3
ультрафиолетовое излучение:
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5·10
-4·10
м.

ultraviolet radiation

А.4
видимое излучение:
Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4·10
-7,6·10
м.

visible radiation

А.5
инфракрасное излучение;
ИК: Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6·10
-10
м.

infrared radiation; IR

Примечание - Инфракрасное излучение разделяют на поддиапазоны:

- ближний ИК диапазон 7,6·10
-10
м;
- коротковолновый ИК диапазон 10
-2,5·10
м;
- средневолновый ИК диапазон 3·10
-5·10
м;
- длинноволновый ИК диапазон 8·10
-1,4·10
м.

А.6 равновесное излучение: Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии.

equilibrium radiation

А.7 немодулированное излучение: Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения.

unmodulated emission

А.8 модулированное излучение: Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов.

modulated radiation

А.9 фотоэлектрический эффект; фотоэффект: Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов

photoelectric effect; photoeffect

А.10 внутренний фотоэлектрический эффект; внутренний фотоэффект: Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов.

internal photoelectric effect; internal photoeffect

А.11 эффект проводимости: Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом.

conduction effect

А.12 фотогальванический эффект: Возникновение электродвижущей силы (ЭДС) в электронно-дырочном переходе или тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.

photovoltaic effect

Примечание - Под термином "фотоносители" следует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения.

А.13 фотопроводимость: Свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.

photoconductivity

А.14 собственная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.

intrinsic photoconductivity

А.15 примесная фотопроводимость: Фотопроводимость полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения.

impurity photoconductivity

А.16
фотоэлектродвижущая сила;
фото-ЭДС: Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на
переходе под действием оптического излучения.

photoelectromotive force

А.17 фотосигнал: Реакция приемника на оптическое излучение.

photosignal

Примечание - Данный термин применим к ФЭПП и ФПУ первого поколения.

А.18 фотоотклик: Реакция приемника на оптическое излучение.

photoresponse

Примечание - Данный термин применим к ФПУ второго и последующих поколений.

УДК 535.247.4.089.5:006.354

ОКС 31.080.01

Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения