allgosts.ru27. ЭНЕРГЕТИКА И ТЕПЛОТЕХНИКА27.160. Гелиоэнергетика

ГОСТ Р 55993-2014 Системы фотоэлектрические. Термины, определения и символы

Обозначение:
ГОСТ Р 55993-2014
Наименование:
Системы фотоэлектрические. Термины, определения и символы
Статус:
Действует
Дата введения:
01/01/2015
Дата отмены:
-
Заменен на:
-
Код ОКС:
27.160

Текст ГОСТ Р 55993-2014 Системы фотоэлектрические. Термины, определения и символы



ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ


НАЦИОНАЛЬНЫЙ

СТАНДАРТ

РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ


ГОСТР

55993

2014/

IEC/TS 61836:2007


СИСТЕМЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

Термины, определения и символы

IEC/TS 61836:2007

Solar photovoltaic energy systems — Terms» definitions and symbols

(IDT)

Издание официальное

Москва

Стендартм и форм 2015


Предисловие

1    ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении» (ВНИИНМАШ)

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 039 «Энергосбережение, энергетическая эффективность, энергоменеджмент»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от в апреля 2014 г. N0 326-ст

4    Настоящий стандарт идентичен международному документу IEC/TS 61836:2007 «Солнечные фотоэлектрические энергосистемы. Термины, определения и символы» (IEC/TS 61836:2007 «Solar photovoltaic energy systems — Terms, definitions and symbols»).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р1.5—2012 (пункт 3.5).

При применении настоящего стандарта рекомендуется использовать вместо ссылочных международных стандартов соответствующие им национальные стандарты Российской Федерации сведения о которых приведены в дополнительном приложении ДА

5    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в ГОСТ Р 1.0—2012 (раздел 8). Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется е ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «(Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «(Национальные стандарты». В случае лересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя *Национальные стандарты». Соответствующая информация. уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (gosl.ru)

© Стандартинформ. 2015

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

и

Содержание

3    Словарь терм иное и определений для солнечных фотоэлектрических энергетических систем. . . . 1

in

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

СИСТЕМЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ Термины» определения и символы

Solar photovoltaic energy systems. Terms, definitions and symbols

Дата введения — 201S—01—01

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на солнечные фотоэлектрические (ФЭ) системы и устанавливает термины, определения и обозначения, применяемые е международных и национальных документах в области солнечных фотоэлектрических систем.

2 Нормативные ссылки

8 настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующий стандарт:

МЭК 60904-3:1989 Приборы фотоэлектрические. Часть 3. Принципы измерения параметров наземных фотоэлектрических солнечных приборов со стандартными характеристиками спектральной плотности интенсивности падающего излучения (IEC 60904-3:1989, Photovoltaic devices — Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data)

3 Словарь терминов и определений для солнечных фотоэлектрических энергетических систем

3.1 Солнечные фотоэлектрические элементы и модули

Данный подраздел содержит словарь, относящийся к фотоэлектрическим материалам, фотоэлектрическим элементам и фотоэлектрическим модулям. Другие фотоэлектрические компоненты описаны в 3.2. Фотоэлектрические системы описаны в 3.3.

amorphous photovoltaic material

amorphous silicon anti-reflective coating back surface field effect band gap energy

barrier energy


3.1.1    аморфные фотоэлектрические вещества: Твердые вещества в полустабильном состоянии без длительного периода стабильности атомной структуры.

3.1.2    аморфный кремний

См. «кремний/аморфный кремний». 3.1.58а).

3.1.3    просветляющее покрытие: Слой, которым покрыта поверхность ФЭ элемента для уменьшения потерь при отражении.

3.1.4    эффект поля тыльной поверхности

См. «эффект/эффект поля тыльной поверхности». 3.1.25а).

3.1.5    энергия запрещенной зоны. eV: Количество энергии, необходимое для вывода электрона из состояния валентного электрона в состояние свободного электрона.

3.1.6    энергия барьера. е¥: Энергия, выделяемая электроном при проникновении через барьер ФЭ элемента.

Издание официальное

Примечание — Энергия барьера — значение электростатического потенциала барьера.


3.1.7    магистраль (шина)

См. «линия металпизации/шина (фотоэлектрических элементов)», 3.1.37а).

3.1.8    обходной диод (на уровне элемента): Диод, подсоединенный через один или несколько ФЭ элементов по направлению электрического тока, с целью позволить электрическому току ФЭ модуля обойти элементы для предотвращения короткого замыкания или повреждения от перегрева в результате обратного напряжения от других элементов модуля.

3.1.9    элемент

См. «фотоэлектрический/фотоэлектричестео». 3.1.43а).

Для описания структуры ФЭ элементов и веществ использованы следующие термины с соответствующими определениями:

a)    фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS: ФЭ элемент из диселенида меди и индия (CulnSe2. сокращенно CIS) — главный составляющий материал (тонкая пленка):

b)    сложный полупроводниковый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из составного полупроводника, содержащего такие разные химические элементы, как GaAs (III-V соединения), CdS/CdTe (II-VI соединения). CdS/CulnSe2 и т. д.;

c)    фотоэлектрический элементе концентратором

См. «фотоэлектрический элемент с концентратором», 3.8.5а);

d)    цветочувствительный фотоэлектрический элемент: Фотоэлектрохимическое устройство, использующее два электрода, молекулы красителя и электролит:

e)    фотоэлектрический элемент интегрированного типа: Несколько ФЭ элементов, объединенных в группу на общей основе таким образом, что они представляют собой один элемент.


bus lines

bypass diode (on a module level)


cell


CIS photovoltaic cell


compound semiconductor photovoltaic cell

concentrator photovoltaic cell

dye-sensitized photovoltaic cell

integrated type photovoltaic cell


Примечание 1 — Фотоэлектрический элемент интегрированного типа может иметь пакетную или параллельную конфигурацию:


0 многопереходный фотоэлектрический элемент

См. «элемеит/пакетный фотоэлектрический элемент», 3.1.9к);

д) органический фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из органических веществ, а именно: полимеров и/или мономеров (тонкая пленка);

h) фотоэлектрический элемент с P-N переходом: ФЭ элемент, использующий P-N переход.


multijunction photovoltaic cell

organic photovoltaic cell


PN junction photovoltaic cell


Примечание 2 — См. также « P-N переход». 3.1.34f);


i)    фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки: ФЭ элемент, использующий переход Шоттки в лриконтактном слое металла и полупроводника:

j)    кремниевый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, основную часть которого составляет кремний:

k)    пакетный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из слоев разных ФЭ ячеек с разными оптическими свойствами, где падающий свет поглощается элементами каждого уровня;

l)    тандемный фотоэлектрический элемент: Общепринятое наименование для пакета из двух или более ФЭ элементов, расположенных последовательно;

т) тонкопленочный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из тонких слоев полупроводникового материала.


Schottky barrier photovoltaic cell

silicon photovoltaic cell stacked photovoltaic cell


tandem photovoltaic cell


thin film photovoltaic cell


Примечание 3 — См. также «креммий/поли кристаллический кремний». 3.1.58е).

3.1.10 барьер элемента: Очень тонкий электропотенциальный барьер у cell barrier области между слоями P-типа и N-типа ФЭ элемента.

Примечание 1 — Барьер элемента также может иметь наименование аобласть обеднения». Примечание 2 — Электропотенциальный барьер — это область, где сильное электрическое поле препятствует прохождению заряженных частиц а направлении, обусловленном знаком их электрического заряда.

cell junction CIS photovoltaic cell


compound semiconductor photovoltaic cell

conversion efficiency


crystalline silicon current


Czochralski process dark current device

diffusion layer directional solidification

donor (in photovoltaic cells)

dopant (in photovoltaic celts)


3.1.11    P-N переход элемента

См. «P-N переход/P-N переход элемента». 3.1.34а).

3.1.12    фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS

См. «эломент/фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия (CIS)». 3.1.9а).

3.1.13    составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент См. «элемент/составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент». 3.1.9Ь).

3.1.14    коэффициент полезного действия, %: Отношение количества электроэнерши. генерируемой ФЭ устройством на единицу рабочей поверхности. к значению освещенности, полученному при измереннии в стандартных условиях испытаний (СУИ).

Примечание — См. также «услоеия/стандертные тестовые условия». 3.4.16е).

3.1.15    кристаллический кремний

См. «кремний/кристаллический кремний». 3.1.58Ь).

3.1.16    ток

Для ФЭ устройств и соответствующих статей см. «фотоэлектричесхий/фото-электричесхий ток». 3.1.43Ь).

Примечание — Электрический термин «ток» — понятие многозначное.

3.1.17    метод Чохральского

См. «процесс выращиваниякристалла/методЧохральсхого». 3.1.32а).

3.1.18    темновой ток. А: Электрический ток. остающийся в ФЭ устройстве, когда входящее излучение равно нулю.

3.1.19    устройство

См.« фотоэлектрически й/фотоэлектрическое устройство». 3.1.43с).

3.1.20    диффузионный слой: Часть P-слоя или N-слоя. возникшего из-за диффузии примеси для образования P-N перехода.

3.1.21    направленная кристаллизация

См. «процесс выращивания кристалла/налравленная кристаллизация». 3.1.32Ь).

3.1.22    донор (в фотоэлектрических элементах): Примесь (например, фосфор в случае кремния), которая поставляет дополнительный электрон в сбалансированную без нее кристаллическую структуру.

3.1.23    примесь (в фотоэлектрических элементах): Химический элемент, в небольших количествах добавляемый к полупроводнику для изменения его электрических свойств.

Примечание 1 — N-лримесь добавляет больше электронов, чем требуется для структуры вещества (например. для этого добавляют фосфор к кремнию).

Примечаиие2 — Р-примесь создает нехватку электронов в структуре веществе (например, для этого добавляют бор к кремнию).

3.1.24 цветочувствительный фотоэлектрический элемент    dye-sensitized См. «элемснт/цвоточувствительный фотоэлектрический элемент», 3.1.9d). photovoltaic cell

3.1.25 эффект    effect См. «фотоэлектричесхий/фотоэлектричесхий эффект». 3.1.43d).

a)    эффект поля тыльной поверхности: Эффект, при котором носители заряда, сгенерированные у тыльной поверхности ФЭ элемента, эффективно собираются внутренним электрическим полем, образованным сильно пеги* роваиной зоной у тыльного электрода.

back-surface field effect

light-confinement effect

electromagnetic casting energy gap

float гопе melting grid lines heterojunction hotspot


b)    эффект удержания света: Эффект, при котором увеличивается сила электрического тока в замкнутом контуре за счет улавливания падающего света внутри ФЭ элемента с помощью текстурированных поверхностей, структур и т. д.

3.1.26    электромагнитное литье

См. «процесс выращивания кристалла/электромагнитное литье». 1.3.32с).

3.1.27    запрещенная зона. eV: Область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле.

[IEV111-14-37]

Примечание — См. также «энергетическая щель».

3.1.28    зонная плавка

См. «процесс выращивания кристалла/зонная плавка». 3.1.32d).

3.1.29    линии сети

См. «линии металлизации/линии сети». 3.1.37Ь).

3.1.30    гетеропереход См. «Р-N переход/гвтвропвреход», 3.1.34Ь).

3.1.31    местный перегрев: Интенсивное локальное повышение температуры. происходящее в ФЭ модуле, когда значение силы его рабочего тока превышает значение ограниченной силы тока короткого замыкания неисправного ФЭ элемента или группы ячеек внутри него.

Примечание — При местном перегреве, подвергшийся его воздействию элемент или группе ячеек переходит в реверсивный режим и начинает отдавать энергию, что приводит к перегреву. Напряжения смещения или повреждение вызывают создание локального шунта, который проводит значительную часть тока ФЭ модуля.

3.1.32    процесс выращивания кристалла: Процесс, посредством которого ingot manufacturing pro-

выращивается кристалл.    cess

a)    метод Чохральского: Процесс выращивания совершенного крупного Czochratski process монокристалла посредством медленного вытягивания вверх вращающегося

затравочного кристалла от вращающейся в противоположную сторону расплавленной кремниевой основы.

Примечание 1 — Метод Чохральского позволяет производить цилиндрические слитки кремния, которые могут быть разрезаны на пластины круглого или псевдоквадратного сечения:

b)    направленная кристаллизация: Метод создания крупнозернистых directional solidification слитков пол икриста ллического кремния путем контроля скорости охлаждения расплавленного кремния в тигле квадратного сечения.

Примечание2 — Направленная кристаллизация позволяет производить слитки кремния квадратного сечения. которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения:

c) электромагнитное литье: Метод производства слитков поли кристал л и-    electromagnetic casting ческого кремния, при котором находящийся под напряжением холодный

тигель квадратного сечения с открытым дном постоянно протягивается вниз сквозь электромагнитное поле.

Примечание 3 — Электромагнитное литье позволяет производить слитки кремния квадратного сечения, которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения:

d) метод зонной плавки: Метод выращивания и очищения высококачес-    float2one melting твенных монокристапличесхих слитков.

3.1.33 фотоэлектрический элемент интегрированного типа    integrated type photovol-

См. «эпемент/элемент интегрированного типа». 3.1.9е).    taic ceil

3.1.34 переход (полупроводниковый): Переходный слой между лолулро- junction (of semiconduc-водниковыми областями с разными электрическими свойствами или между tors) полупроводником и слоем другого типа, характеризующийся потенциальным барьером, препятствующим проникновению носителей заряда из одной области в другую.

a) P-N переход в солнечном элементе: Переход между полупроводником cell junction P-типа и полупроводником N-типа в ФЭ элементе.

Примечание 1 — P-N переход е солнечном элементе расположен а пределах барьера или бедной носителями области перехода.

heterojunction

homojunction

Schottky barrier. Sc honk у junction

PIN junction


b)    гетеропереход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок и по атомному составу;

c)    однородный переход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок, но не по атомному составу:

d)    барьер Шоттки [переход Шоттки]: Переход между металлом и полупроводником. где область перехода, формирующаяся у поверхности полупроводника. действует в качестве выпрямляющего барьера:

e)    PIN переход: Переход, состоящий из внутреннего полупроводника между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа. предназначенный для ограничения рекомбинации носителей заряда.

Примечание 2 — PIN переход широко используется а тоикоплеиочныхФЭ элементах иэаморфиого кремния.

P-N junction

light confinement effect

material

metallisation tine


f) P-N переход: Переход между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа.

3.1.35    эффект удержания света См. «эффект/эффект удержания света». 3.1.255).

3.1.36    материал

См. «фотоэлектрически ^фотоэлектрический материал». 3.1.43е)

3.1.37    линия металлизации: Металлический проводник на фронтальной или в тыльной части ФЭ элемента, предназначенный для отвода электрического тока, вырабатываемого ФЭ элементом.

Примечание 1 — Линия металлизации может быть создана различными способами.

Линии металлизации бывают двух типов:

а) шина (фотоэлектрических элементов): Линия металлизации с пло- bus bar (of photovoltaic щадью поперечного сечения большей, чем у линий сетки, подсоединенная к cells) линиям сетки и предназначенная для передачи их электрического тока к проводам или ленточным кабелям, соединяющимодии ФЭ элемент с другими.

Примечание 2 — Соединительные кабели соединяются с шиной лайкой или электросваркой.

grid line

microcrystatline silicon module

multicrystalline silicon

multijunction photovoltaic cell


b) линия сетки: Линия металлизации, предназначенная для сбора электрического тока с поверхности полупроводника ФЭ элемента.

3.1.36 микрокристаллический кремний

См. «кромиий/микрокристаллический кремний». 3.1.58с).

3.1.39    модуль

См.« фотоэлектрически й/фотсэлектричесхий модуль». 3.1.430.

3.1.40    мультикристаллический кремний

См. «кремний/мультикристаллический кремний». 3.1.58d).

3.1.41    многопереходный фотоэлектрический элемент

См. «элемент/многолереходный фотоэлектрический элемент». 3.1.90.

3.1.42    органический фотоэлектрический элемент

отдалю photovoltaic ceil

photovoltaic, photovoltaics PV

photovoltaic cell


См. «элемемт/органический фотоэлектрический элемент». 3.1.9д).

3.1.43    фотоэлектрический, фотоэлектричество (ФЭ): Электрические явления, вызванные фотоэлектрическим эффектом. См. также «фотоэлек. трический». 3.2.21 и 3.3.56.

а) фотоэлектрический элемент: Наиболее элементарное фотоэлектрическое устройство.

Примечание 1 — В солнечных ФЭ энергетических системах «фотоэлектрический элемент» может иметь наименование также «солнечный фотоэлектрический элемент», в разговорной речи допускается наименование «солнечный элемент»:

Ь) фотоэлектрический ток. А: Постоянный электрический ток. вырабаты* photovoltaic current ваемый фотоэлектрическим устройством.

Примечание 2 — См. также «тем новой ток». 3.1.18;

c)    фотоэлектрическое устройство: Компонент, который демонстрирует photovoltaic device фотоэлектрический эффект.

Примечание 3 — Примеры фотоэлектрических устройств включают в себя фотоэлектрический элемент, модуль или установку;

d)    фотоэлектрический эффект: Выбивание электронов из атомов и выра- photovoltaic effect ботка напряжения постоянного тока путем поглощения фотонов.

Примечание 4 — В нас той шее время фотоэлектрический эффект производится специально созданными полупроводниками в результате прямого нетермического преобразования солнечной лучистой энергии в электрическую энергию:

e)    фотоэлектрический материал : Материал, который демонстрирует photovoltaic material фотоэлектрический эффект;

0 фотоэлектрический модуль: Полная и защищенная от воздействий photovoltaic module внешней среды совокупность взаимосвязанных фотоэлектрических элементов.

Примечание 5 — Фотоэлектрические модули могут быть собраны а фотоэлектрические панели и фотоэлектрические установки. См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическая панель» (3.3.56е) и «фотоэлектричесхий/фото-электрическая установка» (3 3.56а).

PIN junction PN junction

PN junction photovoltaic cell

polycrystalline silicon power


3.1.44    PIN переход См. к переход/PIN переход». 3.1.34е).

3.1.45    P-N переход См. «переход/P-N переход». 3.1.340.

3.1.46    фотоэлектрический элементе P-N переходом См. «элемект/элемеиг с P-N переходом». 3.1.9h).

3.1.47    поликристаллический кремний

См. «кремний/поликристаллический кремний». 3.1.56е).

3.1.48    мощность. Вт: Величина, определяемая значением передачи или преобразования энергии или произведенной работы за единицу времени.

Примечание — часто под мощностью неправильно понимают «электричество».

3.1.49    первичный эталонный фотоэлектрический элемент    primary reference photo-

См. «эталонный фотоэлектрический элемент/первичный эталонный фото-    voltaic cell

электрический элемент». 3.1.50а).

3.1.50    эталонный фотоэлектрический элемент: Специально калибро- reference photovoltaic ванный ФЭ элемент, используемый для измерения освещенности или cell

настройки имитируемых уровней освещенности в целях компенсации неэталонного спектрального распределения освещенности;

a)    первичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калибровка которого проведена с помощью радиометра или стандартного детектора, соответствующего стандарту Мирового радиометрического эталона (МРЭ);

primary reference photovoltaic cell


secondary reference photovoltaic cell

reference photovoltaic device

reference photovoltaic module


ribbon


Schottky barrier photovoltaiccell


Schottky junction

secondary reference photovoltaic cell

semiconductor material


b)    вторичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калиброванный при естественном или искусственном солнечном свете относительно лервичного эталонного элемента.

3.1.51    эталонное фотоэлектрическое устройство: Эталонный ФЭ элемент. представляющий собой совокупность множественных эталонных элементов или эталонный модуль.

3.1.52    эталонный фотоэлектрический модуль: Специально калиброванный ФЭ модуль, используемый для измерения освещенности или для установки имитационных уровней освещенности в целях измерения эксплуатационных характеристик других модулей с аналогичными спектральной чувствительностью, оптическими характеристиками, размерами и электрической схемой.

3.1.53    лента: Тонкая полоса из кристаллического или поликристаллического материала, изготовленная непрерывным методом путем вытягивания из расплавленного кремния.

3.1.54    фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки

См. оломсмт/фотоэлсктрический элемент с барьером Шоттки». 3.1.9i).

3.1.55    переход Шоттки

См. «переход. Барьер Шоттки». 3.1.34d)

3.1.56    вторичный эталонный фотоэлектрический элемент

См. «эталонный фотоэлектрический элемеит/еторичный эталонный фотоэлектрический элемент». 3.1.50Ь).

3.1.57    полупроводниковый материал: Материал, проводимость которого из-за носителей заряда обоих знаков, как правило, находится в области между проводниками и изоляторами и в котором концентрация носителей заряда может изменяться в результате внешних воздействий.

Примечание 1 — Термин «полупроводник», как правило, используют там. где носителями заряда выступают электроны или дырки (атом а отсутствие одного или нескольких электронов).

Примечание 2 — Для увеличения проводимости, значения подаваемой энергии должны превышать значения энергии а запрещенной зоне. См. также «значения энергии в запрещенной зоне». 3.1.5.

Примечание 3 — Полупроводники из таких доступных на сегодняшний день материалов, как кремний, арсенид галлия, тел лурид кадмия и медно-гвллиееый диселен ид. хорошо подходят для использования в ФЭ процессах.

3.1.56 кремний, Si: Химический элемент, способный проявлять свойства silicon металлов, с атомным номером 14. широко используемый в качестве полупроводникового материала, как правило, входящий в состав песка и кварца в форме оксида и часто применяемый в ФЭ элементах.

Примечание 1 — Кремний кристаллизуется а г ране центрированную кубическую кристаллическую решетку подобно алмазу.

Примечание 2 — Данные термины относятся к материалам, пластинам, элементам и модулям.

a)    аморфный кремний; a-Si. a-SI:H: Гидрированный некристаллический amorphous silicon кремниевый сплав в по л у ста бильном состоянии, присаженный на чужеродный субстрат толщиной порядка 1 мкм;

b)    кристаллический кремний; с-SI: Общая категория кремниевых матери- crystalline silicon алов с кристаллической структурой, т. е. демонстрирующих порядок решетки. характерный для атомов кремния:

c)    микрокристаллический кремний; цс-SI: Гидрированный кремниевый microcrystalline silicon сплав, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка 1 мкм с зернами кристаллической структуры < 1 мкм;

d)    мультикристаллический кремний; mc-SI: Кремниевый материал, multicrystalline silicon затвердевший с такой скоростью, что сформировались многочисленные

крупные монокристаллы (называемые кристаллитами, размером от 1 до 10 мм).

Примечание 3 — Атомы каждого кристаллита расположены симметрично, однако собственно они размещены беслорядочно.

Примечание 4 — Часто изготавливают в виде отлитой заготовки или тянутой ленты:

e)    лоликристаллический кремний; pc-SI: Кремниевый материал, приса- polycrystalline silicon жеиный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка от 10 до 30 мкм с

зерном размером от 1 мкм до 1 мм.

Примечание 5 — Поликристаллический кремний известен как тонкопленочный pc-SI.

Примечание 6 — Поликристаллический кремний — это также термин, используемый в процессе производства сырьевого кремния:

f) монокристаллический кремний; uc-SI: Кремниевый материал, характе- single crystalline silicon.

ризующийся порядком и периодичностью расположения атомов таким образом. что все они имеют лишь одну ориентацию в кристалле, т. е. все атомы симметричны.

Примечание 7 — Монокристаллический кремний известен как монокристаллический лроаодник.

solar photovoltaic grade silicon

silicon photovoltaic cell

single crystalline silicon

solar photovoltaic, solar photovottaics


д) солнечный фотоэлектрический кремний; SPG: Исходный материал высокой химической чистоты, предназначенный для выращивания заготовок из кристаллического кремния.

3.1.59    кремниевый фотоэлектрический элемент

См. кэлемент/кремниевый фотоэлектрический элемент», 3.1.9j).

3.1.60    монокристаллический кремний

См. «кремний/момокристалличоский кремний». 3.1.580.

3.1.61    солнечный фотоэлектрический, солнечные фотоэлектрические устройства: Относится к ФЭ устройствам, на которые воздействует солнечный свет.

Примечание — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», даны под соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43. 3.2.21.и 3.3.56).

stacked photovoltaic cell

tandem photovoltaic cell

transparent conducting oxide layer


3.1.62    скомпонованные фотоэлектрические элементы См. «элемент/пакетный фотоэлектрический элемент». 3.1,9к).

3.1.63    фотоэлектрический элемент с несколькими P-N переходами См. кэлемент/тандемный фотоэлектрический элемент. 3.1.91).

3.1.64    прозрачный проводящий оксидный слой (прозрачный проводящий оксид); ТСО: Прозрачный проводящий оксид, используемый в электроде тонкопленочных ФЭ элементов.

Примечание — См. также «прозрачный электрод». 3.1.67.

3.1.65    текстурированная поверхность: Неровная структура, образован- textured surface ная на передней или тыльной поверхности ФЭ элемента для увеличения

поглощения света путем снижения потерь отражения от поверхности и использования эффекта удержания света.

3.1.66    тонкопленочный фотоэлектрический элемент    thin film photovoltaic cell

См. «элемент/тонкопленочный фотоэлектрический элемент», 3.1.9т).

3.1.67 прозрачный электрод: Тонкопленочный электрод с высокой элек- transparent electrode трической проводимостью и высокой оптической прозрачностью, находящийся на ФЭ элементе.

3.1.66 пластина: Отрезок полупроводникового материала, формирующий wafer механическую и электрическую основу кристаллического ФЭ элемента.

3.2 Компоненты солнечных фотоэлектрических систем

Данный подраздел включает в себя словарь, относящийся к компонентам фотоэлектрических сио тем за исключением фотоэлектрических модулей (см. 3.1). Фотоэлектрические системы описаны в подразделе 3.3.

array

array cable array junction box automatic start/stop

blocking diode

bypass diode (on a PV system level)


3.2.1    установка

См. «фотоэлектрическик/фотоэлектричесхая установка». 3.3.56а).

3.2.2    кабель установки

См.«фотоэлектрический/кабель фотоэлектрической установки», 3.2.21а).

3.2.3    ответвительная коробка установки

См. «ответвительная коробка/ответвительная коробка установки». 3.2.16а).

3.2.4    автоматический запуск/остановка: Функция для автоматического запуска и/или остановки источника стабилизированного питания в зависимости от выходных параметров ФЭ установки.

3.2.5    блокировочный диод: Диод, последовательно подключенный к ФЭ модулю, панели, подсистемам установки или к собственно установке для блокирования обратного электрического тока в этом модуле, панели, подсистеме установки или в собственно установке.

3.2.6    шунтирующий диод (на уровне фотоэлектрической системы): Диод, включенный параллельно одному или нескольким ФЭ модулям по направлению электрического тока, с целью создать контур для тока в обход модулю для предотвращения перегрева и возгорания от возможной перепо-люсовки и обратного напряжения соседнего модуля в ФЭ установке.

Примечание — Шунтирующий диод на уровне ФЭ системы известен также каксистемиый шунтирующий диод или обходное устройство.

3.2.7 коммутация [статические инверторы]: Контроль формы сигнала commutation [static inver-переменного тока на выходе источника стабилизированного питания.    tens]

Условия коммутации для источников стабилизированного питания перечислены ниже:

line commutation

line commutation type self-commutation

self-commutation type

current control type inverter

current stiff type inverter DC conditioner


a)    коммутация линии: Тип внешней коммутации, где дополнительное напряжение подается из «линии», которая представляет собой электрическую сеть;

b)    тип коммутации линии: Источник стабилизированного питания, работающий с коммутацией линии:

c)    самокоммутация: Тип коммутации, при котором дополнительное напряжение подается компонентами внутри конвертора или электронным выключателем:

d)    тип самокоммутации: Источник стабилизированного литания, работающий с самоком мутацией.

3.2.8    инвертор типа регулирования источника тока См. «инвертор/инвертор регулирования тока». 3.2.15а).

3.2.9    инвертор тока жесткого типа

См. «инвертор/инвертор тока жесткого типа», 3.2.15Ь).

3.2.10    преобразователь постоянного тока: Компонент ФЭ системы, преобразующий выходное напряжение ФЭ установки в готовое к использованию напряжение постоянного тока.

3.2.11    главный кабель постоянного тока

DC main cable


См. «фотоэлектричоский/главный фотоэлектрический кабель постоянного тока».3.2.21Ь).

generator junction box


3.2.12    ответвительная коробка генератора

См. «ответвительная коробка/ответвительная коробка генератора».

3.2.1 бЬ).

high frequency link type inverter

input voltage operating range

inverter


3.2.13    инвертор высокочастотного типа См. «иивертор/инвертор высокочастотного типа». 3.2.150*

3.2.14    рабочий диапазон входного напряжения, В: Диапазон значений входного напряжения постоянного тока, при которых источник стабилизированного питания работает стабильно.

3.2.15    инвертор: Преобразователь электрической энергии, а именно преобразователь постоянного электрического тока в однофазный или многофазный переменный ток.

Примечание 1 — Инвертор — один из ряда компонентов, которые относятся к термину «источим* стабилизированного питания».

current control inverter


a)    регулирующий ток инвертор: Инвертор с электрическим током на выходе. график которого имеет вид синусоиды определенной формы в результате воздействия широтно-импульсной модуляции (PWM) или других аналогичных систем регулирования;

current stiff inverter, current stiff type inverter

grid-connected inverter


b)    инвертор тока жесткого типа: Инвертор, имеющий на входе непрерывно подаваемый постоянный электрический ток:

c)    подключенный к сети инвертор: Инвертор, который может работать параллельно с системой распределения и передачи по электрической сети.

Примечание 2 — Подключенный к сети инвертор также может быть назван взаимодействующим с сетью или сетевым.

d)    ведомый сетью инвертор: Подключенный к сети инвертор, который grid-dependent inverter работает только в режиме ведомого сетью;

e)    взаимодействующий с сетью инвертор: Подключенный к сети инвер- grid-interactive inverter тор, который способен работать как в автономном, так и в параллельном

режимах.

Примечание 3 — Взаимодействующий с сетью инвертор начинает работу в параллельном сети режиме.

0 инвертор высокочастотного типа: Инверторе высокочастотным преоб- high frequency link разоватепем для разделения токов на входе и выходе инвертора;    inverter, high frequency

link type inverter

g)    инвертор модуля: Инвертор, подключенный к выходу отдельного ФЭ module inverter модуля.

Примечание А — Инвертор модуля, как правило, подключен к тыльной части модуля:

h)    инвертор с системой защиты от аварийных режимов: Инвертор, кото- non-islanding inverter рый перестает поставлять энергию в систему распределения электричества. если она выходит за пределы рабочих значений по напряжению и/или

частоте:

i)    автономный инвертор: Инвертор, который питает нагрузку, не будучи stand-alone inverter подключенным к системе распределения или транспортировки энергии по

электрической сети.

Примечание 5 — Автономный инвертор также известен как «аккумуляторный инвертор».

j)    инвертор для цели: Инвертор, предназначенный для работы с одной string inverter цепью ФЭ устройств.

Примечание 6 — Выход переменного тока инвертора для цепи может быть параллельно соединен с выходами других инаерторов для иепи:

transformerless inverter, transformerless type in. verier

utility frequency link inverler, utility frequency link type inverter

utility interactive inverler


k)    инвертор бестрансформаториого типа: Инвертор без разделительного трансформатора:

l)    тип инвертора для тока промышленной частоты: Инвертор с трансформатором для выделения промышленной частоты на выходе;

т) общий интерактивный инвертор: Инвертор, используемый параллельно с системой распределения и транспортировки энергии по электрической сети для снабжения потребителя, который может поставлять электроэнергию в данную систему распределения и транспортировки;

voltage control inverter

voltage stiff inverter, voltage stiff type inverter

junction box array junction box generator junction box lead-acid battery


п) тип инвертора, управляемого напряжением: Инвертор, график напряжения на выходе которого имеет вид синусоиды особой формы, обусловленный широтно-импульсным модулятором (PWM) и т. д.;

о) инвертор напряжения жесткого типа: Инвертор, имеющий на входе непрерывно подаваемое напряжение постоянного тока.

3.2.16    распределительная коробка: Закрытая или защищенная конструкция. внутри которой находится электрическое соединение схем.

a)    распределительная коробка установки: Распределительная коробка, где соединяются последовательности ФЭ элементов;

b)    распределительная коробка генератора: Распределительная коробка. где соединяются ФЭ установки.

3.2.17    кислотно-свинцовая батарея: Вторичная батарея с жидким электролитом на основе разбавленной серной кислоты с анодом из диоксида свинца и катодом из свинца.

Примечание 1 — Под термином «вторичная» подразумевают подзаряжаемую батарею. Примечание 2 — Кислотно-свинцовые батареи широко испопьзуют а автономных ФЭ системах.

а) кислотно-свинцовая батарея для ФЭ систем: Общий термин для кис- lead-acid battery for PV лотно-саинцовых батарей, используемых е автономных ФЭ системах.    systems

Примечание 3 — Под кислотно-свинцовой батареей в ФЭ системах понимают батарею кислотно-свинцовых электрохимических аккумуляторов, созданных дпя соответствия требованиям к качеству ФЭ системы.

Примечание 4 — Кислотно-свинцовую батарею е ФЭ системах нередко называют «ФЭ батареей».

Ь) кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой: Герметич- valve regulated lead-acid ная кислотно-свинцовая батарея, где кислород, вырабатываемый на аноде, battery абсорбируется на пластинах катода, подавляя тем самым образование водорода.

Примечание 5 — Кислотмо-свимцовая батарея с клепанной регулировкой оснащена клапаном, чтобы выпускать газ из батареи, когда его давление в электрохимическом аккумуляторе сильно возрастает;

vented lead-acid battery


line commutation line commutation type non-islanding inverter


с) кислотно-свинцовая батарея открытого типа: Кислотно-свинцовая батарея с открывающейся крышкой для выпуска газа, вырабатыэаюшегося в процессе зарядки.

3.2.18    коммутация линии

См. «коммутация/коммутация линии*. 3.2.7а).

3.2.19    тип коммутации линии

См. «коммутация/тип коммутации линии». 3.2.7Ь).

3.2.20    инвертор с системой защиты от аварийных режимов

С м.« инвертор/инаертор с системой защиты от аварийных режимов ». 3.2.15h).

и

3.2.21    фотоэлектрический: Общепринятые компоненты проводки ФЭ системы, описываемые терминами в 3.1.43 и 3.3.56, а также следующими терминами:

photovoltaic


photovoltaic array cable

photovoltaic DC main cable

photovoltaic string cable photovoltaic supply cable power conditioner


a)    кабель фотоэлектрической установки: Электрический кабель, соединяющий ФЭ установки друг с другом:

b)    главный фотоэлектрический кабель постоянного тока: Кабель, соединяющий распределительную коробку генератора и инвертор.

c)    кабель фотоэлектрической последовательности: Кабель, соединяющий вместе ФЭ модули для образования ФЭ последовательности:

d)    фотоэлектрический питающий кабель: Кабель, соединяющий инвертор с распределительной схемой электрической установки.

3.2.22    источник стабилизированного литания: Оборудование, применяемое для преобразования электрической энергии в форму, пригодную для последующего использования.

Примечание 1 — Термин «источник стабилизированного питаний» часто используют для обозначения блока оборудований, включающего а себя инвертор в сочетании с прочими электрическими подсистемами регулирования.

Примечание 2 — См. таске «подсистемв/лодсистема источника стабилизированного питания* (3.3.75с). и «инвертор* (3.2.15).

pulse width modulation control

self-commutation setf-commutation type soft-start

solar photovoltaic


3.2.23    контроль широтно-импульсной модуляции: контроль ШИМ (PWM): Контроль импульсов, при котором ширина или частота импульса (или и то, и другое) модулируется в течение каждого основного периода для создания сигнала определенной формы.

[МЭК 551-16-30]

3.2.24    самокоммутация

См. «коммутация/самокоммутация». 3.2.7с).

3.2.25    тип самокоммутации

См. «коммутация/тип самокоммутации». 3.2.7d).

3.2.26    мягкий старт: Функция, позволяющая предотвратить посадку напряжения на нагрузке или в электрической энергетической системе, которая может быть вызвана переменным током на выходе запускающегося или перезапускающегося источника стабилизированного питания.

3.2.27    солнечный фотоэлектрический См. «фотоэлектрический». 3.1.43.

Примечание — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», перечислены под своими соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43.3.2.21. и 3.3.56).

stand-alone inverter string cable


string inverter

supply cable

support structure

transformerless type inverter

utility frequency link type inverter


3.2.28    автономный инвертор

См. «инвертор/аетономный инвертор». 3.2.15i).

3.2.29    кабель последовательности

См.« фотоэлектрически й/кабе ль фотоэлектрической последовательности». 3.2.21с).

3.2.30    инвертор для цели

См. «инвертор/инвергордля цепи». 3.2.15]).

3.2.31    питающий кабель

См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический питающий кабель». 3.2.21 d).

3.2.32    опорная конструкция: Конструкция, которая поддерживает размещенные на ней ФЭ модули, панели или установки.

3.2.33    инвертор бестраисформаториого типа

См. «инвсртор/бестрансформатормый инвертор». 3.2.15к).

3.2.34    тип инвертора для тока промышленной частоты

См. «инвертор/инвертор тока промышленной частоты», 3.2.151).

3.2.35 инвертор, подключенный к сети

См. «инвергор/имвертор. подключенный к сети». 3.2.15т).

utility interactive inverter

3.2.36 сетевой разъединитель интерфейса: Выключатель интерфейса между ФЭ системой и сетью.

utility interface disconnect switch

3.2.37 кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой

См. «кислотно-свинцовая батарея/кислотно-свинцовая батарея с клапанной

регулировкой», 3.2.17Ь).

valve regulated lead-acid battery

3.2.36 кислотно-свинцовая батарея открытого типа

См. «кислотно-свинцовая батарея/кислотно-сеинцовая батарея открытого

типа». 3.2.17с).

vented lead-acid battery

3.2.39 тип инвертора, управляемого напряжением

См. «инвертор/инвертор регулирования напряжения». 3.2.15п).

voltage control type inverter

3.2.40 инвертор напряжения жесткого типа

См. «инвертор/инвертор напряжения жесткого типа». 3.2.15о).

voltage stiff type inverter

3.3 Солнечные фотоэлектрические системы

Данный раздел распространяется не на фотоэлектрические системы в целом, а на их отдельные компоненты (см. 3.1 и 3.2).

3.3.1 АС/АС интерфейс

См. «имтерфейс/АС/АС интерфейс». 3.3.33а).

AC/AC interface

3.3.2 фотоэлектрический модуль переменного тока: ФЭ модуль с интегрированным инвертором, контакты которого рассчитаны только на переменный ток.

AC photovoltaic module

3.3.3 сторона переменного тока

См. «интерфейс/сторона переменного тока интерфейса». З.З.ЗЗЬ).

AC side

3.3.4 переключение на сторону переменного тока См. «фотоэлектрическая система/поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система/переключение на сторону переменного тока». 3.3.62е).

AC side switchover

3.3.5 система установок

См. «фотоэлектрически^система фотоэлектрических установок». 3.3.56Ь).

array field

3.3.6 монтаж

См. «фотоэлектрический/фотоэлектричесхий монтаж». 3.3.56с).

assembly

3.3.7 работа в режиме подпитки

См. «работа/работа е режиме подпитки». 3.3.52b).

backfeed operation

3.3.6 компоненты равновесия системы; BOS: Части ФЭ системы, не входящие в состав ФЭ системы установок, в том числе выключатели, узлы управления, датчики, оборудование стабилизированного питания, опорная конструкция ФЭ установки и компоненты системы накопления энергии, при наличии.

balance of system

3.3.9 централизованная фотоэлектрическая система

См. «фотоэлектрическая система/централизованная фотоэлектрическая

система». 3.3.62а).

centralized photovoltaic system

3.3.10 система коллективной электрификации; CES: Система производства электроэнергии и локальная сеть для снабжения электричеством ряда потребителей от одного или нескольких источников энергии.

collective electrification system

3.3.11 DC/DC интерфейс

См. «интерфейс/DC/DC интерфейс». 3.3.33d).

DC/DC interface

3.3.12 DC интерфейс

См. «интерфейс/DC интерфейс». 3.3.33с).

DC interface

3.3.13 сторона постоянного тока

См. «интерфейс/интерфейс стороны постоянного тока», З.З.ЗЗе).

DC side

3.3.14 переключение на сторону постоянного тока

См. «фотоэлектрическая система/рабогающая совместно с сетью фото-

DC side switchover

13

электрическая система/переключение на сторону постоянного тока».

3.3.62е).

dispatchable electric system

dispersed array system


3.3.15    электрическая система с диспетчерским управлением См. «энергетическая система/энергетическая система с диспетчерским управлением». 3.3.54а).

3.3.16    установка системы распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система распределенной генерацииУустановка системы распределенной генерации».

3.3.62b).

dispersed photovoltaic system

distributed generation PV system


3.3.17    фотоэлектрическая система распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектричсская система распределенной генерации». 3.3.62Ь).

3.3.18    ФЭ система распределенной генерации

См. «фотоэлектрическая система/ФЭсистема распределенной генерации».

3.3.62с).

См. также «система распределенной генерации». 3.3.19.

distributed generation system


3.3.19    система распределенной генерации: Средства и оборудование, составляющие большое количество систем выработки энергии, которые непосредственно подключены к электрической сети и работают параллельное системой распределения энергии.

distributed generator


3.3.20    распределенный генератор; DG: Электрическое генерирующее оборудование, подключенное непосредственно к системе распределенной генерации.

Примечание — Распределенный генератор иногда называют внесетевым («NUG» — неподсоед именным к электрической сети генератором электроэнергии).

3.3.21    система распределения энергии: Электрические устройства и их distribution system компоненты, включая опоры, трансформаторы, разъединители, реле, изоляторы и провода, принадлежащие электрической сети, осуществляющей распределение электрической энергии от подстанций к потребителям.

Примечание—В некоторых регионах система распределения энергии работает при номинальном напряжении 34 S00 В.

domestic photovoltaic system

electrical utility


3.3.22    фотоэлектрическая система для жилого дома См. «фотоэлектрическая система/ фотоэлектрическая система для жилого дома». 3.3.626).

3.3.23    оператор электрической сети: Организация, отвечающая за монтаж. работу, обслуживание одной или нескольких частей крупной электрической системы производства, транспортировки и распределения электрической энергии и управление ими.

Примечание — Термин «оператор электрической сети* предпочтительнее, чем «поставщик электроэнергии».

3.3.24    электрифицировать:    electrify

1)    Поставлять электроэнергию, электрическую технику и соответствующее оборудование для выработки и транспортировки электрического тока и управления этим процессом.

2)    Подавать напряжение или электрический ток в электрическую схему или устройство.

Примечание — Термин «электрификация» связан с термином «электрифицировать».

3.3.25    генератор: Устройство, преобразующее неэлектрическую энергию в generator электрическую энергию.

Примечание 1 — В понятие генератора не включают накопитель энергии или источники стабилизированного литания.

Примечание 2 — См. также «фотоэлектрический/фотоэлектрический генератор». 3.3.56d).

3.3.26    джеисет: Бензогенерат.    genset

Разговорное англоязычное наименование бензогенератора — устройства, представляющего собой комбинацию бензинового двигателя и электрической машины.

3.3.27    сеты Общепринятое наименование системы распределения и/или grid передачи электроэнергии.

Примечание 1 — «Электрическая сеть» относится к сети.

а) отдельная электросетевая структура: Электрическая сеть, изолиро- microgrid ванная от прочих электрических сетей и предназначенная только для распределения электроэнергии.

Примечание 2 — Типичная отдельная электросетевая структура, имеющая нагрузку общим значением менее 100 кв *А и питающаяся от «микроеаттной» системы или «микроваттной» электростанции. Примечание 3 — Отдельная электросетевая структура, как правило, обслуживает поселки и питается от генератора на ископаемом топливе или на возобновляемых источниках энергии:

utility grid


grid backed-up photovoltaic system

grid-connected operation

grid-connected photovoltaic system

hybrid photovoltaic system

individual electrification system


Ь) электрическая сеть общего назначения: Электрическая сеть энергоснабжающей организации, предназначенная для передачи электрической энергии различным потребителям (приемникам электрической энергии).

3.3.26 поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система». 3.3.62е).

3.3.29    работа при подключении к сети

См. «работа/работапри подключении к сети», 3.3.52с).

3.3.30    фотоэлектрическая система, подключенная к электросети

См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система, подключенная к электросети». 3.3.620.

3.3.31    гибридная фотоэлектрическая система

См. «фотоэлектрическая система/гибридная фотоэлектрическая система». 3.3.62Q).

3.3.32    частная система электрификации; IES: Небольшая электростанция. снабжающая электричеством одного потребителя, например домашнее хозяйство, как правило, от одного источника энергии.

Примечание — См. также «фотоэлектрическая система/фотозлектрическая система для жилого дома» (3.3.62<1)и «солнечная домашняя система» (3.3.68).

3.3.33 интерфейс: Общая физическая и концептуальная граница между interface двумя системами или ме>кду двумя частями одной системы.

а) АС/АС интерфейс: Интерфейс между инвертором и его нагрузкой пере- АС/АС interface менноготока.

Примечание 1— АС/АС интерфейс может иметь АС/АС преобразователи напряжения, фильтры и устройства для подключения к дополнительным источникам энергии переменного тока;

b) сторона переменного тока интерфейса: Часть подсоединенной к сети    АС side of the interface установки от контактов переменного тока инвертора к месту соединения с

системой распределения энергии;

c)    ОС интерфейс, интерфейс стороны постоянного тока: Интерфейс ОС interface между ФЭ системой установок и входом подсистемы источника стабилизированного питания;

d)    DC/ОС интерфейс: Интерфейс между преобразователем постоянного DC/DC interface тока на выходе и его нагрузкой постоянного тока.

Примечание 2 — ОС/DC интерфейс может включать а себя аппаратуру распределительных устройств постоянного тока, фильтры и устройства для подключения к дополнительным источникам энергии постоянного тока;

е) интерфейс стороны постоянного тока: Работающая от постоянного DC side of the interface тока часть подсоединенной к сети установки от ФЭ модулей до контактов постоянного тока инвертора;

0 интерфейс поставщика энергии: Интерфейс между подсистемой источ- utility interface

ника стабилизированного питания, местной нагрузкой переменного тока и

сетью.

Примечание 3 — Интерфейс поставщика энергии может иметь АС/АС преобразователя напряжения и подключенные к сети защитные функции.

3.3.34 автономный режим: Режим, при котором часть сети с нагрузкой и island вырабатываемой электроэнергией продолжает работать автономно от остальной части сети.

Примечание 1 — Вырабатываемая электроэнергия и нагрузка а автономном режиме могут принадлежать и заказчику, и поставщику энергии а любой пропорции.

a)    преднамеренный автономный режим: Автономный режим, созданный intentional island преднамеренно, как правило, для восстановления или обслуживания выработки электроэнергии в участке сети, оказавшемся отключенным из-за неисправности.

Примечание 2 — Преднамеренный автономный режим предусматривает наличие соглашения между поставщиком энергии и оператором вырабатывающейэнергиюустаноеки.

b)    непреднамеренный автономный режим: Автономный режим, в кото- unintentional island ром выработка электроэнергии предполагается временной до возобновления обычного режима;

c)    время непреднамеренного автономного режима: Отрезок времени, в run-on течение которого существует непреднамеренный автономный режим.

Примечание 3 — Время непреднамеренного автономного режима определяют как интервал между началом ненормальных условий а системе распределения энергии и временем, когда распределенный генератор прекращает питать систему распределения энергии.

Примечание 4 — Время, представленное временем непреднамеренного автономного режима, называют также временем пути (trip ume)

islanding operation

isolated operation

isolated photovoltaic system

isolated site

load offset system

master control and monitoring sub-system

merchant power system micropower system mode


3.3.35    работа в автономном режиме

См. «работа/работа в автономном режиме». 3.3.52е).

3.3.36    работа в изолированном режиме

См. «работа/работа в изолированном режиме». 3.3.520.

3.3.37    изолированная фотоэлектрическая система

См. «фотоэлектрическая система/изолированная фотоэлектрическая система». 3.3.62h).

3.3.38    изолированное местоположение

См. «мсстоположение/и зонированное местоположение». 3.3.67а).

3.3.39    нагрузка нестандартной системы

См. «энергетическая система/нестандартная нагрузка энергетической системы». 3.3.64Ь).

3.3.40    главная подсистема мониторинга и контроля

См. «подсистема/подсистема мониторинга и контроля». 3.3.75а).

3.3.41    торговая энергетическая система

См. «энергетическая система/торпоеая энергетическая система». 3.3.64с).

3.3.42    «микроаэттиая» система

См. «энергетическая система/микроваттная система». 3.3.64d).

3.3.43    режим: Состояние, в котором работает ФЭ система или инвертор.

Примечание — Для определения разных режимов работы см. «эксплуатация». 3.3.52. 16

3.3.44    подсистема мониторинга и контроля См. «подсистема/лодсистема мониторинга и контроля». 3.3.75а).

monitor and control sub-system

multi-dispersed photovoltaic system


3.3.45    мультифотоэлектрическая система распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/ фотоэлектрическая система распределенной генерации/мультифотоэлектрическая система распределенной генерации». 3.3.62Ь).

multi-source photovoltaic system

non-domestic photovoltaic system

non-domestic photovoltaic system

off-grid operation

off-grid photovoltaic system

on-grid

operation (photovoltaics)


3.3.46    многоисточниковая фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/многоисточмиковая фотоэлектрическая система». 3.3.62I).

3.3.47    неэнергетическая система с диспетчерским управлением См. «энергетическая система/беэ диспетчера», 3.3.64е)

3.3.48    фотоэлектрическая система не для жилого дома См. «фотоэлектрическая система/ фотоэлектрическая система не для жилого дома». 3.3.62J).

3.3.49    работа без сети См. «работа/работа без сети». 3.3.52д)

3.3.50    внесетевая фотоэлектрическая система

См. «фотоэлектрическая система/внесетееая фотоэлектрическая система». 3.3.62к).

3.3.51    подключение к сети

См. «работа/работа при подключении к сети». 3.3.52с).

3.3.52    эксплуатация (фотоэлектрического устройства): Комбинация действий, необходимых для обеспечения функционирования ФЭ системы или ее компонентов.

Примечание 1 — Эксплуатация предусматривает включение, контроль, мониторинг и обслуживание, а также любые другие рабочие действия.

a)    автономная работа: Работа в автономном режиме:    autonomous operation

b)    работа в режиме подпитки: Режим работы, при котором электроэнергия backfeed operation из генерирующей системы поступает е сеть.

Примечание 2 — Работа а режиме подпитки осуществляется, когда генерирующая система вырабатывает больше электричества, чем используется местной электрической нагрузкой:

c)    работа при подключении к сети: Режим работы, при котором ФЭ систе- grid-connected operation ма подает электроэнергию в нагрузку параллельно с сетью.

Примечание 3 — В режиме работы при подключении к сети местные нагрузки будут получать энергию либо от поставщика энергии, либо от ФЭ системы, либо от обоих.

Примечание 4 — Электричество может поступать к поставщику энергии, если поставщик энергии допускает работу в режиме подпитки.

d)    работа в режиме зависимости от сети: Режим работы, при котором grid-dependent operation начало и продолжение работы подключенного к сети инвертора зависят от

сети;

e) автономный режим: Работа в автономном режиме.    islanding operation

Примечание 5 — Работа е автономном режиме предусматривает поддержание частоты, напряжения, резерва мощности и соблюдение требований к мгновенной активной и реактивной мощности:

f)    работа в изолированном режиме: Стабильная и временная работа isolated operation отдельного участка сети.

off-ghd operation


Примечание 6 — См. также IEV 603-04-33.

g) работа без сети

Известна также как работа в автономном режиме (3.3.52J):

h) работа в параллельном режиме: Режим работы, при котором подклю- parallel operation ченный к сети генератор подает электроэнергию в сеть или к местной нагрузке одновременно с сетью энергосистемы.

Примечание 7 — Работа в параллельном режима также известие как сетевая работа е параллельном режиме:

stand-alone operation panel

parallel circuit of modules parallel operation photovoltaic


i) работа в автономном режиме: Режим работы, при котором нагрузка питается только ФЭ системой, а не параллельно с сетью.

3.3.53    панель

См. «фотоэлектричоский/фотоэлектрическая панель». З.З.Ббе).

3.3.54    схема параллельного соединения модулей: Схема, в которой ФЭ модули соединены параллельно.

3.3.55    работа в параллельном режиме

См. «работа/работа в параллельном режиме». 3.3.52h).

3.3.56    фотоэлектрический: Подуэлы системы фотоэлектрических установок. описываемые терминами 3.1.19 и 3.2.10. а также следующими терминами:

а) фотоэлектрическая установка: Совокупность механически интегрированных и электрически связанных ФЭ модулей. ФЭ панелей или ФЭ подсистем и их опорных конструкци^photovoltaic

Примечание 1 — В понятие ФЭ установки не включают ее основание, следящее оборудование, температурные детчики и прочие подобные компоненты.

b) система фотоэлектрических установок: Совокупность всех ФЭ устано-    photovoltaic array field вок в составе данной ФЭ системы необходимых для механической реализации ФЭ технологий;

c) фотоэлектрический монтаж: ФЭ компоненты, которые установлены под photovoltaic assembly открытым небом и удалены от своей нагрузки, включая модули, опорную

конструкцию, основание, проводку, следящее оборудование и температурные датчики (где указано), а также распределительные коробки, контроллеры заряда и инверторы в зависимости от конфигурации монтажной схемы.

Примечание 2 — Примерами ФЭ монтаже могут служить ФЭ компоненты на крыше или во дворе доме, энергоснабжение которого предусмотрено от источника ФЭ энергии, в отличие от компонентов ФЭ системы, которые установлены внутри дома.

d) фотоэлектрический генератор: Генератор, использующий фотоэлек- photovoltaic generator тричесхий эффект для преобразования солнечного света в электричество.

Примечание 3 — ФЭ генератором служит ФЭ установке а ФЭ системе.

Примечание 4 — ФЭ генератор не включает в себя накопители энергии или источники стабилизированного питания;

photovoltaic panel photovoltaic string photovoltaic sub-array photovoltaic components


e)    фотоэлектрическая панель: Механически интегрированные предварительно собранные и электрически подключенные друг к другу ФЭ модули;

f)    фотоэлектрическая цепь: Схема из последовательно подключенных ФЭ модулей:

д) подсистема фотоэлектрической установки: Часть ФЭ установки, которую допускается считать блоком.

3.3.57 фотоэлектрические компоненты: Части ФЭ системы.

Примечание — ФЭ компоненты могут включать а себя, например, модули, инверторы, накопители энергии и другие компоненты системы рееновесия.

3.3.58 фотоэлектрическая установка: Смонтированные компоненты ФЭ photovoltaic installation системы.

3.3.59    фотоэлектрическая энергетическая система    photovoltaic energy sys-

Другое наименование для ФЭ энергетической си стемы.    tem

3.3.60    фотоэлектрическая электростанция: Другое наименование для photovoltaic plant ФЭ системы.

Примечание — Как правило, фотоэлектрическая электростанций велика и подключена к электросети.

photovoltaic power system. photovoltaic energy system


photovoltaic system


3.3.61    фотоэлектрическая энергетическая система: PVPS: Находящееся в данный момент в работе электрооборудование ФЭ энергосистемы и приемников электрической энергии, объединенное общим режимом и рассматриваемое как единое целое в отношении протекающих в нем физических процессов.

3.3.62    фотоэлектрическая система: Совокупность компонентов, которые производят и передают электроэнергию путем преобразования солнечной энергии.

Примечание 1 — Список ФЗ компонентов и конфигурация ФЭ системы может изменяться а соответствии с назначением и включать в себя следующие подсистемы: трансформаторы, накопитепи. системы управпения и контроля и интерфейс электросети.

Распространенные конфигурации систем описывают следующие термины:

centralized photovoltaic system

dispersed photovoltaic system


a)    централизованная фотоэлектрическая система: Подключеннаяксети ФЭ система, вырабатывающая большие объемы электроэнергии:

b)    фотоэлектрическая система распределенной генерации: ФЭ система . которая состоит из ряда распределенных ФЭ генераторов или ФЭ систем в одиночном режиме работы.

Фотоэлектрическая система распределенной генерации может быть классифицирована следующим образом:

dispersed-array photovoltaic system

multi-dispersed photovoltaic system


distributed generation PV system


-    фотоэлектрическая система с распределенными установками: ФЭ система, в которой несколько распределенных ФЭ установок соединены параллельно для питания центрально расположенных инверторов:

-    мульти фотоэлектрическая система распределенной генерации: ФЭ система, которая управляет несколькими параллельными распределенными ФЭ системами посредством линий распределения с общей системой контроля:

с) ФЭ система распределенной генерации: ФЭ система, используемая также в качестве распределенной генерации;

d) ФЭ система для жилого дома: ФЭ система, которая подает электричес-    domestic photovoltaic

тво к домашней нагрузке.    system

Примечание 2 — См. также «солнечная домашняя система». 3.3.68:

е) поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система: ФЭ система, grid backed-up photovol-подключаемая к поставщику электроэнергии, когда вырабатываемая ФЗ taic system системой мощность недостаточна для удовлетворения потребностей нагрузки.

Поддерживаемые сетью фотоэлектрические системы могут быть классифицированы следующим образом:

АС side switchover ОС side switchover

grid-connected photovoltaic system


-    переключение на сторону переменного тока: ФЭ система, при которой сеть потребителя подключена к стороне переменного тока системы;

-    переключение на сторону постоянного тока: ФЭ система, при которой сеть потребителя подключена через выпрямитель к стороне постоянного тока системы:

f) фотоэлектрическая система, подключенная к электросети: ФЭ система. которая функционирует только в режиме подключения к электросети.

Примечание 3 — Известна таске как интегрированная с энергосистемой, связанная с энергосистемой, соединенная с энергосистемой;

д) гибридная фотоэлектрическая система    hybrid photovoltaic sys-

См. и многоисточниковая фотоэлектрическая система», 3.3.62i);    tern

h) изолированная фотоэлектрическая система: ФЭ система, не имею- isolated photovoltaic

щая электрических связей для параллельной работы с другими энергосисте- system

мами.

Примечание 4 — Известна также как «автономная фотоэлектрическая система».

i) многоисточниковая фотоэлектрическая система: ФЭ система, работа- multi-source photovoltaic ющая параллельно с другими генераторами электроэнергии;    system

Примечание 5 — Известна также как «фотоэлектрическая гибридная система».

non-domestic photovoltaic system


off-grid photovoltaic system


j)    фотоэлектрическая система не для жилого дома: ФЭ система, используемая не для домашних нужд (например, для перекачки воды, удаленной связи, телекоммуникационных станций, устройств безопасности и защиты и тд.):

k)    внесетевая фотоэлектрическая система: ФЭ система, которая функционирует только в режиме отключения от сети.

Примечание в — Известна также как «автономная фотоэлектрическая система».

I) внесетевая фотоэлектрическая система для жилого дома:    off-grid domestic photo-

Автоиомная ФЭ система, установленная для электрификации домашних voltaic system хозяйств.

Примечание 7 — Известна также как солнечная домашняя система.

off-grid non-domestic photovoltaic system


stand-alone photovoltaic system

utility interactive photovoltaic system


т) внесетевая фотоэлектрическая система не для жилого дома: Автономная ФЭ система, используемая в ряде случаев, например для перекачки воды, удаленной связи, телекоммуникационных станций, устройств безопасности и защиты и т. д.;

п) автономная фотоэлектрическая система: ФЭ система, которая функционирует только в автономном режиме работы;

о) подключенная к сети фотоэлектрическая система: Подключенная к сети ФЭ система, которая способна функционировать в изолированном или в параллельном режиме;

p) внесетевая поселковая фотоэлектрическая система: Автономная ФЭ off-grid village photo-система. снабжающая электричеством поселок.    voltaic system

3.3.63 подсистема источника стабилизированного литания    power conditioning sub

system

См. «лодсистема/подсистема источника стабилизированного питания». 3.3.75с).

3.3.64 энергетическая система: Совокупность электростанций, электри- power system ческих и тепловых сетей, соединенных между собой и связанных общностью режима в непрерывном процессе производства, преобразования и распределения электрической энергии и тепла при общем управлении этим режимом.

Примечание 1 — Энергетическая система также известна как электростанция или электроаырабатыаающая станция.

а) энергетическая система с диспетчерским управлением: Подключен- dispatchable power sys-ная к сети вырабатывающая электроэнергию система, которая способна tern вырабатывать энергию в соответствии с требованиями диспетчера взаимосвязанной с ней электрической системы распределения энергии.

Примечание 2 — Например, генераторе двигателем не органическом топливе управляется диспетчером; 20

b)    нестандартная нагрузка энергетической системы: Подключенная к сети система, которая только поставляет превышающую местную нагрузку электроэнергию в электрическую систему распределения энергии;

c)    торговая энергетическая система: Подключенная к сети вырабатывающая электроэнергию система, единственная цель которой — поставлять электричество в электрическую систему распределения энергии, а не в местную нагрузку:

d)    микроваттная система или микроваттиая станция: Вырабатывающая электроэнергию система, которая предназначена для питания электроэнергией только местных нагрузок, отдельных электросетевых структур или поставщиков энергии в систему распределения энергии.


load offset power system


merchant power system


micropower system or micropower station


Примечание 3 — Типичная мощность микроаагтной системы — менее 100 кВ А:

е) энергетическая система без диспетчерского управления: Вырабаты- non-dispatchable power вающая электроэнергию система, которая не может вырабатывать электри- system чество в соответствии с потребностями нагрузки.

Примечание 4 — Например, генератор, использующий возобновляемую энергию, работав г без диспетчера.

3.3.65    отдаленное местоположение    remote site

См. «местоположемис/отдалонмое местоположение». 3.3.67b).

3.3.66    подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения safety disconnect control

and monitoring subsystem

См. «подсистема/подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения», 3.3.75d).

site

isolated site remote site solar home system


3.3.67 местоположение: Географическое местоположение системы.

a)    изолированное местоположение: Местоположение, не подключенное к электросети;

b)    отдаленное местоположение: Местоположение, далекое от развитой инфраструктуры, в первую очередь от электросети.

3.3.66 сол нечная домашняя система; SHS: Автономная ФЭ система, установленная в домашнем хозяйстве.

Примечание - См. также «фотоэлектрическая система/фотозлектрическая система для жилого дома» <3.3.62d) и «частная система электрификации» (3.3.32).

solar photovoltaic


3.3.69 солнечный фотоэлектрический

Примечание — Все термины, начинающиеся со слое «солнечный фотоэлектрический», перечислены под своими соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43.3.2.21. и 3.3.56).

3.3.70 автономная работа    stand-alone operation См. «работа/работа в автономном режиме». 3.3.52i).

3.3.71    автономная фотоэлектрическая система    stand alone    photovoltaic

См. «фотоэлектрическая система/аетономная фотоэлектрическая систе- system

ма». 3.3.62л).

3.3.72    подсистема накопления энергии    storage sub-system

См. «подсистема/лодсистема накопления энергии», 3.3.75в).

3.3.73    цель    string

См. «фотоэлектрически й/фотоэлектрическая цепь». 3.3.560.

3.3.74    подсистема установки    sub-array

См. «фотоэлектрический/поосистема фотоэлектрической установки». 3.3.56д).

3.3.75 подсистема монтажа компонентов: Общепринятые подсистемы описывают следующие термины:

sub-system

monitor and control subsystem

photovoltaic generator sub-system

power conditioning subsystem


a)    подсистема мониторинга и контроля; МСМ: Логический и контролирующий компоненты) для управления работой системы в целом путем контроля взаимодействия между всеми подсистемами:

b)    подсистема фотоэлектрического генератора: Компоненты, предназначенные для преобразования энергии света в электрическую посредством фотоэффекта;

c)    подсистема источника стабилизированного литания: Компонент, предназначенный для преобразования электричества из одной формы в другую, подходящую для проектного применения.

Примечание — Подсистема источника стабилизированного питания может включать е себе регулятор уровня заряда, который преобразует постоянный ток а постоянный, инвертор для преобразования постоянного тока а переменный или выпрямитель для преобразования переменного тока а постоянный:

safety disconnect control and monitoring subsystem

storage sub-system system


utility grid

utility interactive photovoltaic system

utility interface


d)    подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения: Компоненты. предназначенные для мониторинга сетевых условий и обеспечения аварийного отключения при нестандартных условиях;

e)    подсистема накопления энергии: Компоненты, накапливающие энергию.

3.3.76    система

См. «фотоэлектрическая система». 3.3.62.

3.3.77    сеть общего пользования

См. «сеть/сеть общего пользования». 3.3.27Ь).

3.3.78    подключенная к сети фотоэлектрическая система

См. «фотоэлектрическая система/подключенмая к сети фотоэлектрическая система». 3.3.62о).

3.3.79    интерфейс поставщика энергии

См. «интерфейс/интерфейс поставщика энергии». 3.3.330.

3.4 Солнечная фотоэлектрическая система и эксплуатационные параметры компонента

Данный подраздел распространяется на эксплуатационные параметры различных компонентов ФЭ систем и собственно системы.

acceptance test conditions

ampere-hour efficiency aperture area


area


array capture losses array efficiency array yield


3.4.1    принятые условия проведения испытаний

См. «услоеия/принятые условия проведения испытаний», 3.4.16а).

3.4.2    ампер-часовая отдача

См. омсргоэффсктивмость/ампер-чаоовая отдача». 3.4.26а).

3.4.3    площадь апертуры

См. «ллощадьэлемекта/активная площадь элемента». 3.4.11Ь) и «площадь модуля/активная площадь модуля» 3.4.46Ь).

3.4.4    площадь

См. «площадь элемента/активная площадьэлемеита», 3.4.11Ь) и «площадь модуля/активная площадь модуля» 3.4.46Ь).

3.4.5    приведенные потери в установке

См. «потери/лриееденные потери в установке», 3.4.40а).

3.4.6    эффективность установки

См. «энсргоэффскти о ноет ^эффективность установки». 3.4.26Ь).

3.4.7    количество часов использования установкой мощности Р0

См. «количество часов использования мощности Р0/количество часов использования установкой мощности Р0». 3.4.96а).

3.4.8    принятый период отсутствия освещенности: Период времени, ког- assumed non-sunshine да автономная ФЭ система, оснащенная накопителем энергии, по решению period

на стадии проекта не вырабатывает электричество непрерывно.

3.4.9 потери на компонентах системы за исключением ФЭ панелей    80S losses См. «потери/потври на компонентах равновесия системы», 3.4.40Ь).

capacity array capacity

capacity factor

installed capacity rated capacity

residual capacity

cell area total cell area


3.4.10    мощность (энергоемкость)

a)    мощность установки, Вт: Номинальная мощность вырабатывающей энергию ФЭ установки;

b)    коэффициент использования мощности Z.sp. %, за период времени, например месяц или год: Отношение энергии на выходе системы Ws? к номинальной энергии ФЭ установки на выходе Р0 и времени работы:

c)    установленная энергоемкость

См. «номинальная энергоемкость». 3.4.10d).

d)    номинальная энергоемкость, А ч, или Вт ч: Применительно к накопителям энергии: величина, представляющая собой значение заряда/энергии. которое может быть запасено накопителем энергии при заданных условиях:

e)    остаточная энергоемкость, А ч, или Вт ч: Величина, представляющая собой значение заряда/энергии. оставшееся в накопителе энергии после частичного разряда.

3.4.11    площадь элемента, м2: Общая или активная площадь фотоэлектрического элемента.

а) общая площадь элемента: Площадь фронтальной поверхности фотоэлектрического элемента, образованная его внешними гранями.

Примечание 1— Общая площадь элемента включает а себя площадь любой линии металлизации. Примечание 2 — Общая площадь элемента предпочтительна для данных о КПД элемента:

Ь) активная площадь элемента: Часть общей площади элемента, пред- active cell area назначенная для получения солнечного излучения в целях выработки электричества.

Примечание 3 — Активная площадь элемента равна разности между общей площадью элемента и площадью линии металлизации.

Примечание 4 — Активную площадь элемента иногда называют апертурной площадью элемента.

cell junction temperature


charging efficiency

coefficient

current-temperature

coefficient


3.4.12    температура P-N перехода в солнечном элементе 7j. °С: Температура. измеренная с помощью термометра, контактирующего с ФЭ элементом. или выведенная из результатов измерений Voc или вычислений температурного баланса.

3.4.13    эффективность зарядки

См. «эм ергоэффсктивмость/эффективность зарядки». 3.4.26с).

3.4.14    коэффициент

а) температурный коэффициент тока; а. А К-1 (абсолютная величина). К'1 (относительная величина): Изменение тока короткого замыкания ФЭ устройства на единицу изменения температуры.

Примечание 1 — Используют и абсолютные, и относительные величины.

Примечание 2 — Необходимо учитывать разницу между единицами измерения абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент а соответствующем уравнении.

Примечание 3 — Если температурный коэффициент тока измеряют а А • К~1. то его значение будет зависеть


от последовательной и ли параллельной схемы контура. Например. ФЭ модуль из Збэлемеитое будет иметь разные коэффициенты а зависимости от того, как они подключены: 36 модулей могут быть включены последовательно или тремя параллельными цепями по 12 последовательно включенных модулей а каждой.

Примечание 4 — Значение тока короткого замыкания изменяется е зависимости от освещенности и а меньшей степени — а зависимости от температуры.

b)    коэффициент зависимости напряжения от освещенности; & Отношение напряжений холостого хода Уас1ос2 ФЭ устройства как функция натурального логарифма отношения освещенностей. In G, /G2;

voltage-irradiance

coefficient

voltage-temperature

coefficient


c)    температурный коэффициент напряжения; (V В К"1 (абсолютная величина). К-1 (относительная величина): Изменение напряжения холостого хода ФЭ элемента на единицу изменения температуры в P-N переходе в солнечном элементе.

Примечание 5 — Необходимо учитывать разницу между единицами измерения абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент в соответствующем уравнении.

Примечание в — Если температурный коэффициент напряжения измеряются в В К-1, то его значение будет зависеть от последовательной или параллельной схемы контура. Например. ФЭ модуль из 36 элементов будет иметь разные коэффициенты в зависимости от того, как они подключены: 36 модулей могут быть включены последовательно или тремя параллельными цепями по 12 последовательно включенных модулей в каждой.

3.4.15    квантовый выход    collection efficiency

См. яэнергоэффоктиоиость/квантовый выход». 3.4.264).

3.4.16    условия: Условия, при которых оценивают ФЭ устройство.    conditions

Примечание 1 — Условия, при которых оценивают ФЭ устройство, как правило, включают в себя освещенность. температуру внешней среды, спектральное распределение и/или воздушную массу.

a)    принятые условия проведения испытаний; АТС: Эталонные значения температуры внешней среды, освещенности на плоскости и спектрального распределения, заданные для номинальной мощности ФЭ устройства;

b)    условия эксплуатации: Условия, при которых работает ФЭ устройство;

c)    дополнительные условия проведения испытаний: Тестовая освещенность. измеренная с помощью эталонного ФЭ устройства при 1000 Вт м~2 и температуре перехода ФЭ элемента при любых должным образом зафиксированных внешних условиях;

d)    стандартные условия эксплуатации; SOC: Рабочие значения освещенности на плоскости (1000 Вт-м~2). температура перехода ФЭ устройства равна номинальной рабочей температуре перехода ФЭ элемента (NOCT). а воздушная масса (ДМ = 1.5);

e)    стандартные условия проведения испытаний; СУИ: Эталонные значения освещенности на плоскости (Gt nsf -1000 Вт м~2), температуры перехода ФЭ элемента (25 °С). и воздушной массы (AM = 1.5) должны быть использованы при испытаниях любого ФЭ устройства.


acceptance test conditions

operating conditions optional test conditions


standard operating conditions


standard test conditions


Примечание 2 — Также СУИ могут быть названы стандартными тестовыми условиями (СТУ).

test conditions conversion efficiency


conversion factor

current density (photovoltaiccell)

current-temperature

coefficient

current-voltage

characteristic


О условия проведения испытаний: Условия, при которых испытывают

устройство.

3.4.17    эффективность преобразования энергии

См. «энергоэффективность/ФЭ эффективность преобразования энергии».

3.4.26е).

3.4.18    переводной коэффициент. %: Отношение выходной и входной действующей мощностиустройства. компонента или системы.

3.4.19    плотность тока (фотоэлектрического элемента) J, Дж. Ацсм~2: Отношение электрического тока на выходе ФЭ элемента к площади элемента (либо к общей площади, либо к активной площади)

3.4.20    токо-температурный коэффициент

См. нкоэффициект/токо-температурный коэффициент «, 3.4.14а).

3.4.21    вольт-амперная характеристика I-V: Электрический ток на выходе ФЭ устройства как функция выходного напряжения при определенной температуре и освещенности.

Вычисляют ло формуле

(1)

Примечание 1 — Правила МЭК/ИСО предусматривают, что напряжение обозначают буквой «и». хотя многие представители электротехнической отрасли употребляют символ «V». Следуя установившейся традиции. ФЭ отрасль также использует обозначение о У», откуда происходит символ «/-V» для обозначения еольт-ампермой характеристики.

Примечание 2 — Иногда а отрасли используютсимаол «/У*. Использование символа «/-У» ведет к меньшим недоразумениям, так как «/У» можно спутать с римской цифрой IV.

3.4.22    коэффициент пульсации постоянного тока, %: Отношение поло- ОС ripple factor вины разницы между максимальным и минимальным значениями к среднему

значению пульсации постоянного электрического тока.

Примечание — Низкие значения коэффициента пульсации постоянного тока примерно соответствуют отношению разницы между максимальным и минимальным значениями к сумме этих значений.

3.4.23    зависимость от солнечной энергии; Ор. % за период времени, dependency on solar например месяц или год: В случае многоисточниковой ФЭ системы, отно- energy

шение электроэнергии на выходе системы (WSP) к сумме электроэнергии на выходе системы и любой нефотоэлектрической электроэнергии (WBP).

3.4 .24 глубина разряда; ООО. %: Величина, выражающая состояние раз- depth of discharge ряда накопителя энергии.

Примечание — Как правило используют отношение значения электрического разряда к значению номинальной энергоемкости.

effective energy efficiency efficiency


3.4.25    эффективность энергетической отдачи

См. «энсргоэффоктионость/эффсктивность энергетической отдачи».

3.4.260.

3.4.26    энергоэффективиосты1'%: Отношение выходной величины к входной.

Примечание 1 — Величина, подразумеваемая под термином «эффективность» или «КПД». — это. как правило. значение мощности, энергии или электрического заряда, произведенного компонентом или полученного им.

а) ампер-часовая отдача; 1\дЬ: Отношение значения электрического заря- ampere-hourefficiency

да. потерянного при условиях разрядки, к значению электрического заряда, накопленного при условиях зарядки в накопителе электроэнергии.

Вычисляют по формуле

nAh = 'dV('c7*c),    (2)

где — ампер-часовая отдача;

/d — ток разрядки. А;

7d — время разрядки, ч;

/с — ток зарядки. А;

Тс — время зарядки, ч.

array efficiency charging efficiency


collection efficiency


PV conversion efficiency


b)    эффективность установки: Эффективность преобразования энергии солнечного света в электричество ФЭ установкой;

c)    эффективность зарядки: Общий термин для выражения ампер-часовой отдачи (или в некоторых случаях ватт-часовой эффективности в накопителе энергии);

d)    квантовый выход: Отношение количества электронов, выходящих из ФЭ элемента при коротком замыкании, к числу попадающих на его поверхность фотонов;

e)    фотоэлектрическая эффективность преобразования энергии: Отношение максимальной энергии на выходе ФЭ устройства к единице его площади и освещенности при заданных условиях проведения испытаний, как правило, при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ).

Примечание 2 — См. также «услоаия/ствндартиые условия проведения испытаний». 3.4.16©):

f) эффективность энергетической отдачи: Энергетическая отдача во effective energy efficiency время указанного периода:

д) КПД инвертора: Отношение полезной выходной мощности инвертора к inverter efficiency его входной мощности, или выходной энергии к его входной энергии:

h)    средняя эффективность установки; цдС(М}ДИ(1В:    mean array efficiency

Средняя эффективность ФЭ установки.

Примечание 3 — Среднюю эффективность ФЭ установки полезно знать для сравнения с номинальной эффективностью ФЭ установки.

Примечание 4 — Разнима между средним и номинальным значениями эффективности обусловлена влиянием диодов, проводки, рассогласования и других потерь во время работы ФЭ системы;

i)    общая эффективность системы; гц0,: Эффективность всей системы, overall system efficiency включая все источники электроэнергии.

Примечание 5 — Общая эффективность системы складывается из электроэнергии, переданной нагрузке на основе солнечного излучения, и топливных запасов.

partial efficiency

partial load efficiency

power efficiency rated efficiency


|) КПД для частичной мощности: Отношение выходной мощности к входной (или выходной энергии ко входной), когда компонент работает с мощностью ниже расчетной:

k)    КПД для частичной нагрузки: Отношение эффективной выходной мощности инвертора к его входной мощности или выходной энергии к входной при заданной нагрузке;

l)    выход по энергии: Отношение активной выходной мощности к активной входной мощности; т) номинальный КПД:

Применительно к ФЭ устройству: эффективность устройства при определенных условиях эксплуатации. как правило при стандартных условиях п роведе-ния испытаний (СУИ).

Примечание б — См. также «услоаия/стаидартные условия проведения испытаний». 3.4.16е). Применительно к инвертору: КПД инвертора, когда он работает с номинальной выходной мощностью;

n)    КПД системы; т^р, % за период времени, например месяц или год:    system efficiency

Отношение выходной энергии ФЭ системы IVSP к общей освещенности QASP

и площади ФЭ установки Ар.

Вычисляют по формуле

(3)


Hsp = ^sp^ ^asp ^р)*

где г^р — КПД системы:

IVSP — выходная энергия системы. Дж;

0ASP — общая освещенность. Дж м'2;

Ар — площадь установки, м2;

o)    допустимые границы КПД. %: Допускаемая разница между указанным efficiency tolerance производителем и измеренным КПД:

p)    эффективная энергоемкость i^h: Отношение значения электрической watt-hour efficiency энергии, потерянной при условиях разрядки, к значению электрической энергии. накопленной при условиях зарядки в накопителе электроэнергии.

Вычисляют по формуле

fKVH ” ^d 4jav ^ iU Tc Челу) ” 'Uh ^dav ^cav.

где i)wh — эффективная энергоемкость. Ватт-час; /d — ток разрядки. А;

Td — время разрядки, ч:

У„ау ~~ среднее напряжение разрядки. В: /с — ток зарядки. А:

Гс — время зарядки, ч:

Усау — среднее напряжение зарядки. В.

Примечание 7 — При расчете эффективной энергоемкости вместо напряжения а любое заданное время чаще используют отношение среднего напряжения к определенному окончательному напряжению разрядки, чем значения напряжения в любое заданное время.

q) метод средневзвешенной энергетической отдачи для расчета weighted average conver-эффективной энергетической отдачи    sion efficiency

Примечание 8 — Средневзвешенную энергетическую отдачу вычисляют как сумму значений для каждого уровня выхода по энергии, и соответствующие весовые коэффициенты зависят от графика длительности местной освещенности.

Если система относится к автономному типу с подсистемой накопления энергии, весовые коэффициенты зависят от графика длительности нагрузки.

electromagnetic

interference

energy

photovoltaic energy


equivalent photovoltaic cell temperature


fill factor


3.4.27 электромагнитные помехи; EMI: Ухудшение рабочих характеристик оборудования, линий электропередачи или системы в результате электромагнитных возмущений.

3.4.2S энергия. Дж. кВт * ч: Способность физической системы совершить работу.

а) фотоэлектрическая энергия: Энергия, произведенная путем прямого нетермического преобразования сопнечного излучения в электрическую энергию.

3.4.29    эквивалентная температура P-N перехода в солнечном элементе; ЕСТ. °С: Температура P-N перехода в солнечном элементе, при которой измеренная выходная энергия ФЭ устройства производилась бы таким образом, как если бы все устройство работало равномерно при данной температуре P-N перехода.

3.4.30    коэффициент заполнения; FF, %: Отношение максимальной выходной мощности ФЭ устройства Ртах к произведению напряжения холостого хода и тока короткого замыкания fse.

Вычисляют по формуле

FF-Pma,HVoclic).    (5)

Примечание — Коэффициент заполнения часто используют для демонстрации качества выработки электроэнергии устройством.

3.4.31    окончательное ежегодное количество часов использования final annual yield мощности PQ

См. «(количество часов использования мощности Р0 в день/окончательное ежегодное количество часов использования мощности Р0». 3.4.96Ь)

3.4.32    окончательное количество часов использования системой final system yield мощности PQ

См. «(количество часов использования мощности Р0 в день/окончательное количество часов использования системой мощности Р0», 3.4.96с).

3.4.33    работа с фиксированным напряжением: Управляющая стратегия, fixed voltage operation при которой ФЭ система всегда работает при постоянном напряжении, бпиз-

ком по значению напряжению максимальной мощности ФЭ установки.

Примечание — См. также «максимальная мощность/точка поиска максимальной мощности». 3.4.4 2d).

3.4.34    установленная энергоемкость [мощность]

install capacity install power

inverter efficiency inverter mismatch loss linearity


См. «энергосмкостьУустановлснмая мощность». 3.4.10с).

3.4.35    установленная мощность

См. «максимальная мощностьУмаксимальная мощность при стандартных условиях проведения испытаний». 3.4.42д).

3.4.36    КПД инвертора

См. «эноргоэффоктивмость/КПД инвертора», 3.4.26д)

3.4.37    схемные потери инвертора

См. «схемные лотери/схемные потери инвертора». 3.4.45а)

3.4.38    линейность: Величина, представляющая собой отклонение от прямолинейной функции таких рабочих параметров, как ток короткого замыкания или напряжение холостого хода в зависимости от таких переменных внешних условий, как освещенность или температура.

Примечание 1 — Как правило, линейность выражают а вире приведенного стандартного отклонения от угла наклона.

Примечание 2 — Вычисление эксплуатационных характеристик ФЭ элемента, модуля и системы часто состоит в решении линейных уравнений для преобразования эксплуатационных характеристик от одного набора условий освещенности и температуры к другому. Линейность находят методом, при котором наилучшую прямолинейную функцию математически вычисляют иэ набора заданных точек, а затем отклонения начальных точекогэтой прямой используют в вычислениях для определения линейности.

3.4.39 нагрузка: Электрический компонент, который преобразует электро-    load

энергию в другой вид энергии для использования и работает только при подаче напряжения.

Примечание — См. также IEV 151-15-15.

load current load power load voltage negative load

tosses


a)    ток нагрузки /L. А: Электрический ток. подаваемый к нагрузке ФЭ системой;

b)    мощность нагрузки PL, Вт: Электрическая мощность, подаваемая к нагрузке ФЭ системой:

c)    напряжение нагрузки l'L, 8: Напряжение, подаваемое на контакты нагрузки ФЭ системой:

d)    негативная нагрузка: Для поставщика энергии — это тип нагрузки, при котором вырабатываемая энергетической системой электрическая энергия потребляется системой распределения энергии поставщика энергии.

3.4.40 потери, Вт, Дж, кВт ч: Электрическая мощность или энергия, которая не используется по предназначению:

Примечание 1 — См. также IEV 131-15-26.

a)    приведенные потери установки; Lc: Приведенные потери данной ФЭ array capture losses системы из-за потерей энергии ФЭ установкой.

Примечание 2 — Приведенные потери ФЭ установки находят как разность между эталонной отдачей и количеством часов использования мощности Р0 ФЭ установкой в день. Эти потери обусловлены схемными потерями, потерями при преобразовании, загрязнением установки и т. д.;

b) потери на компонентах равновесия системы; LB0S: Приведенные    balance of system losses потери данной ФЭ системы из-за потерь энергии на ее компонентах равновесия;

c) приведенные потери, Дж кВт'1, кВт ч кВт"1 за любую удобную еди- normalised losses иицу времени (как правило вычисляют за день, что дает единицу измерения

ч- д-*): Время, которое потребуется ФЭ устройству или ФЭ системе для работы при номинальной мощности с целью компенсировать потери энергии этого ФЭ устройства или ФЭ системы.

Примечание 3 —Приведенные потери, как правило, вычисляют из разнииы с данным количеством часов использования мощности а день.

maximum input voltage

maximum power

maximum power current

maximum    power

irradiance coefficient

maximum powerpoint


3.4.41    максимальное входное напряжение, В: Максимальное значение напряжения постоянного тока источника стабилизированного питания при таких заданных рабочих условиях, как напряжение холостого хода Voc ФЭ установки.

3.4.42    максимальная мощность; Ртад, Ртрр* Вт: Мощность, вырабатываемая в точке максимальной мощности.

a)    ток максимальной мощности; /Ртах, А: Электрический ток в условиях максимальной мощности:

b)    коэффициент освещенности при максимальной мощности; Коэффициент. связывающий изменение максимальной мощности ФЭ устройства

. как функцию изменения натурального логарифма освещенности ln(Gj/G2):

c)    точка максимальной мощности; ТММ: Точка на графике вольт-амперной характеристики ФЭ устройства, где произведение тока и напряжения дает в результате максимальную мощность при определенных условиях эксплуатации:

maximum power point tracking


d)    точка поиска максимальной мощности; ТПММ: Стратегия управления ФЭ установкой, при которой она все время работает в точке максимальной мощности или около нее.

Примечание! - См. также «работа с фиксированным напряжением». 3.4.33;

maximum    power

temperature coefficient


e)    температурный коэффициент максимальной мощности; у. Вт К*(абсолютная величина). К**1 (относительная величина): Коэффициент, связывающий изменение максимальной мощности ФЭ устройства

ох2 как ФУНКЦИЮ ИЗМвИвНИЯ ТвМПвраТурЫ Ту2.

Примечание 2 — Используют иабсопютную. и относительную величины.

Примечание 3 — Необходимо учитывать размииу между единицами измерения и значениями абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент в соответствующем уравнении.

f)    максимальная мощность при стандартных условиях эксплуатации:    maximum power under

Максимальная выходная мощность ФЭ устройства при стандартных услоеи-    standard operating condi-

я х эксплуатации.    lions

Примечание 4 — См. также «условия/стандартные условия эксплуатации». 3.4.16d):

g)    максимальная мощность при стандартных условиях проведения maximum power under испытаний: Максимальная выходная мощность ФЭ устройства при стаи- standard test conditions дартных условиях проведения испытаний.

Примечани е5 — См. также «успоаия/стандартные условия проведения испытаний». 3.4.16е):

h) напряжение максимальной мощности; VPmax, В: Напряжение при    maximum power voltage условиях максимальной мощности:

i)    напряжение максимальной мощности при стандартных условиях maximum power voltage

эксплуатации, В: Напряжение в точке максимальной мощности ФЭ устрой- under standard operating ства при стандартных рабочих условиях (SOC).    conditions

Примечен ие б — См. также «успоаия/стандартные условия эксплуатации». 3.4.16d):

j) напряжение максимальной мощности при стандартных условиях    maximum power voltage

проведения испытаний, В: Напряжение в точке максимальной мощности    under standard test

ФЭ устройства при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ).    conditions

Примечание 7 — См. также «успоаия/стандартные условия проведения испытаний». 3.4.1 бе).

3.4.43    средняя эффективность установки

mean array efficiency mismatch error

mismatch loss inverter mismatch toss


module mismatch loss


См. «эноргоэффсктиомость/средмяя эффективность установки». 3.4.26h).

3.4.44    ошибка рассогласования

См. «спектральная чуествительмость/ошибка рассогласования спектральной чувствительности». 3.4.82а).

3.4.45    схемные потери

a)    схемные потери инвертора, Вт. %: Потеря мощности, когда источник стабилизированного литания работает при входном напряжении или электрическом токе, отличающимся от напряжения в точке максимальной мощности или от электрического тока при максимальной мощности:

b)    схемные потери модуля, Вт. %: Разница между общей максимальной мощностью ФЭустройств, соединенных последовательно или параллельно, и суммой значений этих величин для каждого устройства, измеренных по отдельности при тех же условиях.

Примечание — Схемные потери ФЭ модуля возникают из-за разности вольт-амлерных характеристик отдельных устройств.

3.4.46 площадь модуля, м2: Общая или активная площадь фотоэлектри- module area ческого модуля:

а) общая площадь модуля: Площадь передней поверхности фотоэлектри- total module area ческого модуля, образованная его внешними гранями.

Примечание 1 — Общая площадь модуля включает в себя общую ллощадь фотоэлектрического элемента ллюс ллощадь. не покрытую элементами. Площадь передней поверхности рамы (при наличии) также включена. Примечание 2 — Общая ллощадь модуля предпочтительна для данных о КПД модуля;

Ь) активная площадь модуля: Часть общей площади модуля, предназна- active module area ченная для прямого не термического преобразования солнечного излучения в электрическую энергию.

Примечание 3 — Активная площадь модуля равна сумме общих площадей элементов в модуле. Примечание 4 — Активную ллощадьмодуля иногда называют апертурной площадью модуля.

module mismatch loss

module packing factor

module surface temperature

module temperature no load loss


nominal operating photovoltaic cell temperature


nominal system power


3.4.47    схемные потери модуля

См. «схемные потери/схемные потери модуля». 3.4.45Ь).

3.4.48    упаковочный множитель модуля. %: Отношение общей площади ФЭ элемента к площади модуля.

3.4.49    температура поверхности модуля, °С: Среднее значение температуры тыльной поверхности ФЭ модуля.

3.4.50    температура модуля, °С: Среднее значение температуры P-N перехода в ФЭ модуле.

3.4.51    безнагрузочные потери, Вт: Мощность на входе источника стабилизированного питания, когда его нагрузка отключена или когда его выходная мощность равна нулю.

3.4.52    номинальная рабочая температура фотоэлектрического элемента: NOCT, °С: Среднее равновесное значение температуры P-N перехода ФЭ элемента в модуле при этапонн ых условиях освещенности 800 Вт • м 2, температуре внешней среды 20 °С. скорости ветра 1 м с-1. холостом ходе и нормальном угле наклона в солнечный полдень.

3.4.53    номинальная мощность системы, Вт: Мощность постоянного тока ФЭ системы, вырабатываемая при стандартных условиях эксплуатации при подключении к нагрузке, предназначенной для данной ФЭ установки.

Примечание 1 — При указании условий для номинальной мощности системы номинальное выходное напряжение системы представлено выходным напряжением (В), а номинальный выходной электрический ток представлен выходным током (А).

Примечание 2 — См. также «условия/стаидартиые условия эксплуатации». 3.4.16d).

3.4.54 неравномерность, %: Равномерность освещения ФЭ модуля имитатором солнечного излучения во время испытания, non-uniformity

Примечание 1 — Неравномерность вычисляют как отношение разницы между максимальной освещенностью и минимальной освещенностью, измеренными на площади испытаний, к сумме максимальной и минимальной освещенности.

Примечание 2 — Площадью, сканированной для определения минимальной и максимальной освещенности. может быть испытательная панель имитатора солнечного излучения или зона модуля.

normalisated losses

open-circuit voltage (photovoltaic devices)


open-circuit voltage under standard test conditions


3.4.55    приведенные потери

См. «потери/приведеиные потери». 3.4.40с).

3.4.56    напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств); Voc, В: Напряжение на выходе ФЭ устройства при определенной температуре и освещенности, когда электрический ток на выходе ФЭ устройства равен нулю.

а) напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний; VocCyM: Напряжение холостого хода, измеренное при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ).

Примечание — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний». 3.4.16е).

operations conditions optional test conditions overall system efficiency overload capability


3.4.57 условия эксплуатации

См. «условия/условия эксплуатации». 3.4.16Ь).

3.4.56 дополнительные условия проведения испытаний

См. «условия/дополнительмые условия проведения испытаний». 3.4.16с).

3.4.59    общая эффективность системы

См. «эмсргоэффективность/общая эффективность системы»,3.4.26i).

3.4.60    перегрузочная способность, %. минуты: Уровень выходной мощности. при превышении которого устройство получает повреждение.

Примечание — Перегрузочная способность есть отношение саерхмощности нагрузки к номинальной мощности нагрузки за период времени.

partial efficiency partial load efficiency

partial state of charge peak power

peak sun hours

performance ratio


3.4.61    КПД для частичной мощности

См. «эмергоэффективмость/КПД для частичной мощности». 3.4.26]).

3.4.62    КПД для частичной нагрузки

См. «энсргоэффективность/КПД для частичной нагрузки». 3.4.26к).

3.4.63    состояние частичной зарядки, PSOC

См. «состояние зарядки/состояиие частичной зарядки». 3.4.86а).

3.4.64    пиковая мощность

См. «номимальмый/иомимальная мощность». 3.4.690*

3.4.65    пиковые солнце-часы

См. «номимальмый/моминальные солнце-часы». 3.4.69i).

3.4.66    коэффициент преобразования энергии, /?р, %: Число, которое показывает воздействие потерь ФЭ системы на номинальную мощность ФЭ установки.

Примечание 1— Как правило, потери ФЭ системы возникают из-за не соответствую щей температуры ФЭ установки, неполного использования освещенности, недостаточной эффективности и неисправности компонентов ФЭ системы.

Примечание 2 — Коэффициент преобразования энергии, как правило, вычисляют через отношение окончательного количества часов использования системой мощности Р0 к эталонной отдаче.

3.4.67 фотоэлектрическая энергия    photovoltaic energy

См. «эмергия/фотоэлектричесхая энергия». 3.4.28а).

3.4.68    выход по энергии    power efficiency

См. «эноргоэффоктивмость/оыход по энергии». 3.4.26I).

3.4.69    номинальный: Предписанная величина, используемая для опреде- rated пения технических условий и указывающая заданные характеристики ФЭ системы или компонента, установленные при определенном наборе условий эксплуатации.

Примечание! - Си. также IEV 151-16-08.

rated capacity rated condition rated current

rated efficiency rated load

rated power

rated power at STC


a)    номинальная мощность: См. «эиерлоемкость/номимальная энергоемкость». 3.4.10d):

b)    номинальные условия: Условия, при которых производитель заявляет определенные рабочие характеристики изделия:

c)    номинальный ток; /й, А: Электрический ток. вырабатываемый ФЭ устройством при номинальном напряжении при определенных условиях эксплуатации:

d)    номинальный КПД, %: КПД компонента при определенных условиях эксплуатации;

e)    номинальная нагрузка: Электрическая нагрузка, требующаяся для достижения номинальной выходной мощности ФЭ системой или ее ФЭ компонентами:

Г) номинальная мощность; PR, Вт: Электрическая мощность, вырабатываемая ФЭ устройством или другим компонентом ФЭ системы при определенных условиях эксплуатации;

д) номинальная мощность при СУИ; РСУИ, Вт: Электрическая мощность, поставляемая ФЭ устройством в его точке максимальной мощности при стандартных условиях испытаний (СУИ).

Примечание 2 — Номинальную мощность при СУИ. как правило, хотя и неточно, называют «пиковой мощностью».

Примечание 3 — См. также «услоаия/стандартные условия проведения испытаний». 3.4.16е):

h)    номинальная мощность при стандартных условиях эксплуатации; rated power at SOC Psoc, Вт: Электрическая мощность, поставляемая ФЭ устройством или системой при стандартных условиях эксплуатации;

i)    номинальные солнце-часы, ч: Количество времени, при котором rated sun-hours солнечная освещенность находится на эталонном уровне.

Примечание 4 — Номинальные солнце-часы, как правило, выражают на суточной основе.

Примечание 5 — Если G, ref * 1 кВт м~2. то номинальные солнце-часы за любой период времени численно равны освещенности за тот же период, выраженной в <Вт ч м~2.

j)    номинальная мощность системы:    rated system power

Применительно к автономным ФЭ системам: мощность системы, выработанная при подключении к номинальной нагрузке.

Применительно к подключенным к сети ФЭ системам: мощность системы, которая может быть выработана при стандартных условиях эксплуатации (SOC).

Примечание 6 — См. также «услоаия/стандартные условия эксплуатации». 3.4.160);

k)    номинальное напряжение; VR, В: Напряжение, при котором генератор rated voltage должен производить максимальный обьем электроэнергии при определенных условиях эксплуатации.

3.4.70 эталонная отдача    reference yield

См. «количество часов использования мощности Р0/эта лонная отдача».

3.4.96d).

3.4.71    относительная спектральная чувствительность

relative spectral response

relative spectral response underload

residual capacity

reverse power flow


См. «спектральная чувстеительность/относительная спектральная чувствительность». 3.4.82b).

3.4.72    относительная спектральная чувствительность при нагрузке См. «спектральная чувстеительность/относительная спектральная чувствительность при нагрузке». 3.4.82с).

3.4.73    остаточная энергоемкость

См. «энергоемкость/остаточиая энергоемкость». 3.4.10е).

3.4.74    обратный поток мощности: Поток электрической мощности от вырабатывающей системы в сеть распределения поставщика энергии.

Примечание — Обратный потокмощиости известен как «подпитка». См. «рвбота/работа а режиме подпитки». 3.3.52b).

3.4.75 безопасное сверхнизкое напряжение; SELV. В: Термин, принятый safe extra low vottage Техническим комитетом 64 МЭК для безопасного низкого напряжения.

Примечание — Для систем постоянного тока SELV равен 130 В или менее.

3.4.76    саморазряд: Потеря полезной энергоемкости накопителя энергии self-discharge из-за внутренних химических процессов.

3.4.77    последовательное сопротивление. Ом: Сопротивление в после- series resistance довательной цепи с идеальным ФЭ элементом, которое выражается в падении напряжения на омическом сопротивлении реального элемента.

3.4.78    коэффициент затенения; sA, %: Отношение части площади ФЭ shadow cover rate установки, эквивалентной площади затененного участка поверхности Аг к

общей площади ФЭ установки А.

Вычисляют по формуле

(6)


= AJА.

где sA — скорость затенения;

А% — площадь, эквивалентная площади затененного участка, м2;

А — общая площадь ФЭ установки, м2.

Примечание — Указанная «эквивалентная площадь» -это принятая площадь затенения, рассчитанная с учетом влияния тени на освещенную площадьчереэФЭ модули, подсоединенные последовательно или параллельно.

3.4.79    соп ротивление тонкопленочного материала; Ом на единицу пло- sheet resistance щади: Электрическое сопротивление тонкопленочного материала, измеренное на противоположных сторонах квадратной площади.

3.4.80    ток короткого замыкания; /sc» А: Электрический ток на выходе ФЭ short-circuit current устройства при определенной температуре и освещенности, когда выходное

напряжение устройства равно или близко к нулю.

Примечание 1— См. также IEV 19S-05-18.

а) ток короткого замыкания при стандартных условиях проведения    short-circuit current under

испытаний; /sc суи: Ток короткого замыкания, измеренный при стандартных    standard test conditions

условиях проведения испытаний (СУИ).

Примечание 2 — См. также «условия/стаидартиые условия проведения испытаний», 3.4.16*).

3.4.81    шунтирующее сопротивление, Ом: Сопротивление, установлен- shunt resistance ное параллельно с идеальным ФЭ элементом, которое указывает на потери

в результате утечки электрического тока в реальном элементе.

3.4.82    спектральная чувствительность; S(X), А Вт—1: Электрическая spectral responsivity плотность тока короткого замыкания, вырабатываемого единицей освещенности при заданной длине волны в виде функции длины волны.

Примечание 1 — Термин «реакция» (response) вместо «чувствительность» (responsivity) общепринят и широко используется.

Примечание 2 — Для тонкопленочных ФЭ устройств измерение спектральной чувствительности должно быть проведено при напряжении, соответствующем проектному использованию данных спектральной чувствительности. Поэтому такое условие для напряжения должно быть указано вместе с данными.

spectral response mismatch error


relative spectral response


(7)

relative spectral response underload


(в)

spectral response under load


standard operating conditions

standard test conditions standby loss


state of charge partial state of charge system efficiency system output energy system power test conditions total harmonic distortion


a)    ошибка рассогласования спектральной чувствительности: Ошибка, возникшая в испытуемых ФЭ устройствах из-за взаимного рассогласования между спектральными чувствительностями испытуемого образца и эталонного устройства и из-за рассогласования между испытуемым спектром и эталонным спектром:

b)    относительная спектральная чувствительность; S(>jrel: Спектральная чувствительность, приведенная к длине волны максимальной чувствительности.

Вычисляется по формуле

S(X)re( = S</.yS</.)m„;

с) относительная спектральная чувствительность при нагрузке; Sv(/.)rel: Спектральная чувствительность при нагрузке, приведенная к длине волны максимальной чувствительности.

Вычисляется по формуле

d) спектральная чувствительность при нагрузке; Sy/J Электрическая плотность тока при определенном напряжении нагрузки, вырабатываемом на единицу освещенности при определенной длине волны, представленная в виде функции длины волны.

3.4.83    стандартные условия эксплуатации

См. «условия/стандартные условия эксплуатации». 3.4.16d).

3.4.84    стандартные условия проведения испытаний

См. «услооия/стандартныс условия проведения испытаний», 3.4.16е).

3.4.85    потери холостого хода, Вт:

8 отношении автономного источника стабилизированного литания: входная мощность постоянного тока, когда источник стабилизированного питания находится в ждущем режиме.

8 отношении взаимодействующего с сетью источника стабилизированного питания: мощность, забираемая из электросети, когда источник стабилизированного питания находится в ждущем режиме.

3.4.86    состояние зарядки, %: Отношение остаточной энергоемкости и номинальной энергоемкости накопителя энергии.

а) состояние частичной зарядки; PSOC, %: Состояние, показывающее, что накопитель энергии не достиг уровня полной зарядки.

3.4.87    КПД системы

См. оноргоэффоктйеность/КПД системы», 3.4.26п).

3.4.88    энергия на выходе системы, Дж. кВт ч: Энергия на выходе системы. выработанная в определенный период времени.

3.4.89    мощность системы

См. «номинальный/номинальная мощность системы». 3.4.69j).

3.4.90    условия проведения испытаний

См. «условия/условия проведения испытаний», 3.4.16Г)-

3.4.91    общее гармоническое искажение; ОГИ, %: Отношение среднеквадратичного значения общего содержания гармоник формы сигнала к среднеквадратичному значению базовой частоты сигнала.

Примечание — См. также IEV 551-17-06.

3.4.92    коэффициент зависимости напряжения от освещенности

voltage-irradiance

coefficient

voltage-temperature coefficient

watt-hour efficiency

weighted average conversion efficiency

yield


См. «коэффициент/коэффициемт зависимости напряжения от освещенное* ти». 3.4.14Ь).

3.4.93    температурный коэффициент напряжения

См. «коэффициент/томпературный коэффициент напряжения». 3.4.14с).

3.4.94    эффективная энергоемкость

См. омсргоэффсктивность/эффективная энергоемкость». 3.4.26р).

3.4.95    средневзвешенная эффективность преобразования энергии

См. «энсргоэффсктивиость'срсднсезвошенная эффективность преобразования энергии». 3.4.26q).

3.4.96    количество часов использования мощности Р0, Дж кВт’* (как правило, выражают в к8тч кВг1 за любую подходящую единицу времени и рассчитывают за день, что дает единицу измерения ч д'1): Время, которое потребовалось бы ФЭ устройству для работы при его номинальной мощности. чтобы выработать такой же объем энергии, который оно выработало в действительности.

Примечание 1 — Количество часов использования мощности PQ а день указывает действительную работу устройства по отношению к его номинальной энергоемкости.

Примечание 2 — Количество часов использования мощности PQ а день рассчитывают из отношения выработанной энергии к номинальной мощности устройства.

Примечание 3 — Так как количество часов использования мощности PQ может быть рассчитано за любой

период времени, эталонные временные интервалы всегда указывают а соответствии с МЭК 61724.


a)    количество часов использования мощности Р0 установкой; УА: Энергия, выработанная ФЭ установкой на единицу номинальной мощности ФЭ установки:

b)    окончательное ежегодное количество часов использования мощности Р0: Общая ФЭ энергия, переданная нагрузке за один год на единицу номинальной мощности ФЭ установки;

c)    окончательное количество часов использования системой мощности Yv Часть полезной энергии, вырабатываемой электрической системой и выданной ФЭ установкой на единицу номинальной мощности установки:

d)    эталонная отдача: У,: Время, которое потребовалось бы освещенности для достижения ее эталонного уровня в целях обеспечения такого же входящего излучения, которое было в действительности.

Вычисляют из отношения общей освещенности к эталонной освещенности

Gl.nl-


array yield


final annual yield


final system yield


reference yield


Примечание 4 — Если G,fef« 1 квтм~2.го освещенность, выраженная вквт чм~2 за любой период времени. численно рвана энергии, выраженной в кВт *ч* кВт-1 за такой же период. Таким образом. Yf означает номинальные солнце-часы за такой же период.

3.5 Измерительные приборы

3.5.1 абсолютный радиометр    absolute radiometer См. «радиометр/абсолютмый радиометр». 3.5.7а).

3.5.2    монохроматический источник света: Источник света с узкой поло- monochromatic light

сой излучения.    source

Примечание — Для измерения спектральной чувствительности, как правило, используют ЮОО Вт вольфрамовую галоидную лампу, управляемую подходящим источником энергии при цветовой температуре 3200 К.

3.5.3 имитатор фотоэлектрической установки: Имитатор с такими же photovoltaic array вольт-ампериыми характеристиками, как и у ФЭ установки.    simulator

3.5.4    имитатор солнечного света импульсного типа

pulse type solar simulator


pyranometer

pyrheliometer

radiometer


См. «имитатор солнечного сеета/имитатор солнечного света импульсного тила».3.5.8Ь).

3.5.5    пиранометр

См. «радиометр/пиранометр». 3.5.7Ь).

3.5.6    пиргелиометр

См. «радиомстр/пиргслиометр». 3.5.7с).

3.5.7    радиометр: Прибор, предназначенный для измерения интенсивности солнечного излучения.

Примечание 1 — См. также IEV 845-05-06.

Примечание 2— Как правило, радиометр — измерительный тепловой прибор, использующий термопары или термобатареи и не зависящий от длины волны.

a)    абсолютный радиометр: Радиометр, который позволяет измерять или absolute radiometer вычислять в абсолютной величине световой поток/иэлучеиие на основе

физических законов и известных физических констант;

b)    пиранометр: Радиометр, как правило, используемый для измерения pyranometer общей освещенности на плоскости.

Примечание 3 — Пиранометр также может быть использован для измерения рассеянного излучения неба при наличии переходного кольца или диска.

Примечание 4 — Пиранометр также может быть использован для измерения общей освещенности на наклонной плоскости, включая лучи, отраженные передним планом:

c)    пиргелиометр: Радиометр совместно с коллиматором — прибор, pyrheliometer используемый для измерения прямой освещенности.

Примечание 5 — Пиргелиометр иногда называют пиргелиометром прямой освещенности, или NIP:

d)    спектрорадиометр: Прибор, используемый для измерения распределе- spectroradiometer ния спектральной освещенности от падающих лучей в качестве функции

длины волны.

3.5.8 имитатор солнечного света: Оборудование, состоящее из стамдар- solar simulator тного источника света с распределением спектральной освещенности, аналогичным естественному солнечному свету, и предназначенное для определения характеристик ФЭ элементов и модулей.

а) класс имитатора солнечного света: Класс распределения, основанный solar simulator dass на работе имитатора при обеспечении соответствия спектральной освещенности. неравномерности переменной нестабильности имитатора.

Примечание — Определены три класса имитаторов солнечного саега: А. В и С. лучшим из которых считают класс А:

b)    имитатор солнечного света импульсного типа: Источник импульсного pulse type solar simulator освещения, состоящий из одной или нескольких импульсных ксеноновых

ламп, способных однородно освещать большие площади с незначительным нагреванием испытуемого ФЭ элемента или модуля;

c)    имитатор солнечного света в установившемся режиме: Источник steady-state type solar непрерывного освещения, использующий ксеноновый, дихроичный фильтр simulator вольфрама или изменения паров ртути с вольфрамовыми электродами в

качестве источника света.

spetroradiometer

steady-state type solar simulator

temporal simulator instability


3.5.9    спектрорадиометр

См. «радиометр/споктрорадиометр». 3.5.7d).

3.5.10    имитатор солнечного света в установившемся режиме

См. «имитатор солнечного сеета/имитатор солнечного света в установившемся режиме»*. 3.5.8с).

3.5.11    временная нестабильность имитатора, %: Зависящая от времени неоднородность работы имитатора солнечного света при обеспечении осве-

щенностм а данной точке ФЭ модуля или испытательной плоскости имитатора во время периода сбора данных.

Примечание — Временная нестабильность имитатора — ото отношение разности между максимальной освещенностью и минимальной освещенностью ао время периода сбора данных к сумме тех же значений максимальной освещенности и минимальной освещенности.

3.6 Параметры внешней среды

3.6.1 индекс воздушной массы; AM: Длина пути, который проходит пря- air mass index мой солнечный луч сквозь земную атмосферу, выраженная как кратное к пройденному пути к точке на уровне моря, когда солнце прямо над головой.

Примечание — Индекс воздушной массы равен 1.0 на уровне моря при безоблачном небе и солнце прямо над головой, и местном давлении, рваном Р0. Стандартные условия эксплуатации. 3.4.16d>. и стандартные условия проведения испытаний. 3.4.16е). используют индекс ДМ 1.5.

3.6.2 альбедо, %: Отношение усредненного по всем длинам волны излуче- albedo иия. отраженного поверхностью, к падающему на нее.

Примечание — Термин «альбедо* характеризует отражающую способность поверхности в отношении солнечного излучения.

ambient temperature angle

angle of incidence aperture angle


3.6.3    температура внешней среды; rjfnb, °С: Средняя температура воздуха. окружающего ФЭ устройство.

3.6.4    угол, градус, радиан:

a)    угол падения: Угол между нормалью (перпендикуляром) к поверхности и падающим лучом/пучком;

b)    апертурный угол: Угол между крайним лучом конического светового пучка на входе (выходе из) оптической системы и ее оптической осью.

Примечание 1 — Иногда вместо лолуугла используют полный угол.

с) угол к азимуту; и: Проецируемый угол между прямой линией от видимого azimuth angle положения солнца к точке наблюдения и горизонтальной линии, перпендикулярной к экватору.

Примечание 2 — Угол к азимуту измеряют от севера а Южном полушарии и от юга в Северном полушарии. Примечание 3 — Отрицательные значения азимута указывают на восточную ориентацию, а положительные — на западную:

solar elevation angle tilt angle

annealing conditioning aperture angle atmospheric

atmospheric ozone content

precipitable water vapour

content

atmospheric

transmissivity

azimuth angle


d)    угловая высота Солнца; вс Угол между прямым солнечным лучом и горизонтальной плоскостью.

e)    угол наклона: Угол между горизонтальной плоскостью и плоскостью поверхности ФЭ модуля.

3.6.5    отожженное состояние

См. «выдержка/отожженное состояние». 3.6.9а).

3.6.6    апертурный угол

См. «угол/апертурный угол». 3.6.4 Ь).

3.6.7    атмосферный

a)    содержание озона в атмосфере, см: Объем озона при стандартной температуре и давлении в вертикальном столбе атмосферы сечением 1 см2:

b)    содержание осаждаемого водяного пара, см: Обьем осаждаемого водяного пара в вертикальном столбе атмосферы сечением 1 см2;

c)    коэффициент прозрачности атмосферы, %: Отношение интенсивности светового потока к его интенсивности до прохождения через перпендикулярный к плоскости атмосферный столб.

3.6.8    угол к азимуту

См. «угол/угол к азимуту». 3.6.4с).

3.6.9 выдержка: Процесс стабилизации работы ФЭ модуля до проведения conditioning испытаний е условиях внешних воздействий.

Примечание 1 — Выдержку иногда называют предварительной выдержкой.

Примечание 2 — Выдержка позволяет определить результат испытаний внешними воздействиями без дополнительных корректировок параметров из-за любых воздействий, кроме внешних условий.

Как правило, выдержкой считают одно из следующих состояний:

а) отожженное состояние: Выдержкас использованием процесса нагрева-    annealing conditioning

ния;

light soaking conditioning damp heat test

diffuse inradiance diffuse irradiation

direct irradiance direct irradiation

environmental test


b) выдержка для насыщения светом: Выдержка с использованием процесса освещения.

3.6.10    испытание на переносимость влажности и высоких температур См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость влажности и высоких температур», 3.6.15а).

3.6.11    рассеянное излучение неба

См. «освсщенность/освешенность рассеянного излучения». 3.6.25а).

3.6.12    энергетическая экспозиция рассеянного излучения

См. «энергетическая экслозиция/энергетичесхая экспозиция рассеянного излучения», 3.6.26а).

3.6.13    прямая освещенность

См. «освещенность/прямая освещенность». 3.6.25Ь).

3.6.14    прямая энергетическая экспозиция

См. «энергетическая экспоэиция/прямая энергетическая экспозиция». 3.6.26Ь).

3.6.15    испытания в условиях внешних воздействий: Испытания, при которых изделие подвергают имитации таких внешних воздействий, как температура. ветер, дождь, снег, град или влажность.

Примечание — Во время испытаний а условиях внешних воздействий имитируемые внешние условия часто более жесткие, чем обычные внешние условий, для ускорения любых разрушительных процессов.

Испытания в условиях внешних воздействий, в данное время используемые для ФЭ модулей, включают в себя:

damp heat test hail test

hot-spot endurance test

humidity freeze test

impact test insulation test


a)    испытание на переносимость влажности и высоких температур: Испытание в условиях внешних воздействий, предназначенное для определения способности ФЭ модуля противостоять долговременному проникновению влаги:

b)    испытание переносимости града: Испытание в условиях внешних воздействий. проводимое с целью убедиться, что ФЭ модуль способен противостоять воздействию градин:

c)    испытание на переносимость местного перегрева: Испытание в условиях внешних воздействий, предназначенное для определения способности ФЭ модуля противостоять температурным эффектам местного перегрева, например расплавлению припоя или разгерметизации:

d)    испытание на переносимость влажности и низких температур: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность модуля выдерживать воздействия высоких температур и влажности. а затем температуры около нуля:

e)    испытание на удар: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить уязвимость ФЭ модуля к повреждениям от случайного удара:

0 испытание изоляции: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить, достаточно ли надежна изоляция модуля между токопроводящими частями и корпусом:

g)    испытание механической нагрузкой: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с цепью определить способность модуля противостоять воздействию ветра, снега, статической нагрузки или снежной нагрузки:

mechanical load test outdoor exposure test

robustness of terminations test

salt mist test thermal cycling test

twist test UV test

wet leakage current test

global irradiance global irradiation

hail test

hot-spot endurance test humidity freeze test impact test in-plane irradiance


h)    испытание в условиях воздействия внешних факторов: Испытание е условиях внешних воздействий, проводи мое в целях предварительной оценки способности модуля выдерживать внешние условия и выявления любых синергических разрушительных факторов, которые не могут быть определены в ходе лабораторных испытаний:

i)    испытание на надежность входов и выходов оборудования: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить, что входы и выходы, а также примыкающие к ним части компонента будут выдерживать воздействия, вероятные в процессе сборки или монтажа;

j)    испытание на переносимость солевого тумана: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность ФЭ модуля противостоять коррозии от солевого тумана для оценки совместимости материалов, качества и однородности защитных покрытий:

k)    испытание на переносимость циклических изменений температуры: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность модуля выдерживать температурные несоответствия, усталостную долговечность (выносливость) и другие факторы, вызываемые повторяемыми изменениями температуры:

l)    испытание на изгиб: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое для обнаружения дефектов, которые могут проявиться в ФЭ модуле при монтаже на несовершенную конструкцию:

т) испытание на переносимость ультрафиолетового излучения: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность ФЭ модуля противостоять воздействию ультрафиолетового (УФ) излучения:

л) испытание на ток утечки в условиях влажности: Испытание в условиях внешних воздействий, выполняемое с целью оценить изоляцию модуля в условиях работы при сырости и удостовериться, что влага от дождя, тумана, росы или растаявшего снега не попадет на токопроводящие части модуля, где она может вызвать коррозию, неисправность заземления или создать угрозу безопасности.

3.6.16    суммарная освещенность

См. «освещемиость'суммарная освещенность». 3.6.25с).

3.6.17    общая энергетическая экспозиция

См. «энергетическая экслозиция/общая энергетическая экспозиция)». 3.6.26с).

3.6.18    испытание переносимости града

См. «испытания в услоеияхвнешнихеоэдействий/испытаниепереносимости града». 3.6.15b).

3.6.19    испытание на переносимость местного перегрева

См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость местного перегрева». 3.6.15с).

3.6.20    испытание на переносимость влажности и низких температур См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость влажности и низких температур». 3.6.15d).

3.6.21    испытание на удар

См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на удар». 3.6.15е).

3.6.22    освещенность на плоскости

См. «освещенность/освещенность на плоскости». 3.6.25d).

3.6.23 испытание на изоляцию    insulation test См. а испытания в условиях внешних воздействий/ислытание на изоляцию».

3.6.151).

3.6.24 интегрированная освещенность    integrated irradiance См. «освошенность/интегрированная освещенность». 3.6.25е).

3.6.25    освещенность; G. Вт м~2: Электромагнитная мощность излучения irradiance на единицу площади.

Примечен не 1 — Освещенность, как правило, означает сеет от имитатора солнечного света.

a)    освещенность рассеянного излучения: Освещенность за исключени- diffuse irradiance ем той части, которая составляет прямую освещенность;

b)    прямая освещенность: Освещенность от солнечного диска и околосол- direct irradiance нечной зоны неба в границах противолежащего угла в 8.7 ж 10~2 радиан (5е);

c)    суммарная освещенность: Освещенность на горизонтальной повер- global irradiance хиости.

Примечание 2 — Общая освещенность равна горизонтальной прямой освещенности плюс горизонтальное рассеянное излучение неба.

d)    освещенность на плоскости; G,: Общая освещенность на плоскости ФЭ in-plane irradiance устройства;

e)    интегрированная освещенность: Продолжительно интегрированная integrated irradiance спектральная освещенность при полном диапазоне длин волны.

Примечание 3 — Если спектральный диапазон ограничен, то гранимы должны быть указаны. В противном случае освещенность интегрируют по полному или почти полному диапазону длин волны.

Примечание 4 — Интегрированную освещенность измеряют пиранометром, который может точно реагировать на спектральный состав излучения;

plane of array irradiance

spectral irradiance

spectral photon irradiance

test irradiance total irradiance irradiation diffuse irradiation

direct irradiation global irradiation total irradiation tight soaking conditioning


0 плоскость освещенности установки: То же, что и освещенность на плоскости.

д) спектральная освещенность; Вт м'2 мкм'1: Освещенность на единицу полосы пропускания при определенной длине волны;

h)    спектральная фотонная освещенность; £р/ см-2 с* мкм-1: Плотность фотонного потока при определенной длине волны Е - 5.035 ж 1014 ж ж X £х. где >. измеряют в мкм:

i)    испытательная освещенность; G(: Освещенность, используемая для испытаний и измеренная с помощью эталонного ФЭ устройства;

j)    суммарная освещенность; GT: Прямая освещенность плюс освещенность рассеянного излучения на наклонной поверхности.

3.6.26    энергетическая экспозиция; Н,Дж м~2: Освещенность, интегрированная по определенному временному интервалу.

a)    энергетическая экспозиция рассеянного излучения: Энергетическая освещенность рассеянного излучения, интегрированная по определенному временному интервалу:

b)    прямая энергетическая экспозиция: Прямая энергетическая освещенность. интегрированная по определенному временному интервалу;

c)    общая энергетическая экспозиция: Общая энергетическая освещенность. интегрированная по определенному временному интервалу;

d)    полная энергетическая экспозиция; Нт: Полная энергетическая освещенность. интегрированная по определенному временному интервалу.

3.6.27    выдержка для насыщения светом

См. «выдержка/выдержкадля насыщения светом». 3.6.9Ь).

3.6.28    испытание механической нагрузки

mechanical load test


outdoor exposure test


огопе content

plane of array irradiance

precipitable water vapour content

reference spectral irradiance distribution

robustness of terminations test

salt mist test


spectral irradiance

spectral irradiance distribution

reference spectral irradiance distribution

spectral photon irradiance

spectrum

solar

solar constant


См. «испытания в условиях внешних воздействий/ислытание механической нагрузки». 3.6.15д).

3.6.29    испытание в условиях воздействия внешних факторов

См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытаниа в условиях воздействия внешних факторов», 3.6.15h).

3.6.30    содержание озона

См. «атмосферный/содержание озона в атмосфере», 3.6.7а).

3.6.31    плоскость освещенности установки

См. «освещенность/плоскость освещенности установки». 3.6.250.

3.6.32    содержание осаждаемого водяного пара

См. «атмосферный/содержание осаждаемого водяного пара». 3.6.7b).

3.6.33    эталонное распределение спектральной освещенности

См. «распределение спектральной осеещениосги/эталонное распределение спектральной освещенности». 3.6.37а).

3.6.34    испытание на надежность входов и выходов оборудования См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на надежность входов и выходов оборудования», 3.6.1 Si).

3.6.35    испытание на переносимость солевого тумана

См. «испытания в условиях внешних воздействий/ислытание на переносимость солевого тумана». 3.6.15j).

3.6.36    спектральная освещенность

См. «освещенность/спектральная освещенность». 3.6.25д).

3.6.37    распределение спектральной освещенности; Вт м~2 мкм-1: Спектральная освещенность, изображенная в виде функции длины волны.

а) эталонное распределение спектральной освещенности: Табуляция спектральной освещенности, спектральная фотонная освещенность и кумулятивная интегрированная освещенность в качестве функции длины волны, как определено в таблице 1 МЭК60904-3.

3.6.38    спектральная фотонная освещенность

См. «освещснность/споктральиая фотонная освещенность», 3.6.25Ь).

3.6.39    спектр

См. «солнечный/солнечиый спектр». 3.6.40е).

3.6.40    солнечный: Относящийся ко всему, связанному с Солнцем или с его излучением:

а) световая солнечная постоянная, Вт м~2: Освещенность перпендикулярной к потоку площадки, расположенной за пределами атмосферы на среднем расстоянии Земли от Солнца, в видимом диапазоне спектра.

Примечание — Поспел нее принятое значение световой солнечной постоянной — 1367 Вт м'2 по заключению Комиссии по приборам и методам наблюдений в Мировой метеорологической организации в 1961 году:

solar energy solar power solar radiation solar spectrum solar elevation angle


b)    солнечная энергия: Общепринятый термин, обозначающий облученность;

c)    солнечная мощность: Общепринятый термин, обозначающий освещенность:

d)    солнечное излучение: Общепринятый термин, обозначающий облученность:

e)    солнечный спектр; Дж м~2 • мкм-1: Распределение солнечного облучения в качестве функции длины волны.

3.6.41 угловая высота Солнца

См. «угол/угповая высота Солнца». 3.6.4d).

3.6.42    испытательная освещенность

test irradiance thermal cycling test

tilt angle total irradiance total irradiation

transmissivity

turbidity

twist test

UV test

wet leakage current test white bias tight


acceptance tests

applicant

calibration

cell manufacturer certificate of conformity


certification certification body


См. «осеошенность.'испытательмая освещенность». 3.6.25i).

3.6.43    испытание на переносимость циклических изменений температуры

См. «испытания в условиях внешних воэдействий/испытание на переносимость циклических изменений температуры». 3.6.15к).

3.6.44    угол наклона

См. «угол/угол наклона». 3.6.4е).

3.6.45    суммарная облученность

См. «освошенность/суммарная облученность». 3.6.25j).

3.6.46    полная энергетическая экспозиция

См. «энергетическая экспозиция/полная энергетическая экспозиция». 3.6.26d).

3.6.47    прозрачность

См. «атмосферный/коэффициент прозрачности атмосферы». 3.6.7с).

3.6.48    мутность; к мкм: Ограниченная прозрачность атмосферы, вызванная поглощением и разбросом излучения твердыми и жидкими частицами (не облаками) в подвешенном состоянии.

3.6.49    испытание на изгиб

См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на изгиб». 3.6.151).

3.6.50    испытание на переносимость ультрафиолетового излучения См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость ультрафиолетового излучения». 3.6.15т).

3.6.51    испытание на ток утечки в условиях влажности

См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на ток утечки в условиях влажности». 3.6.15п).

3.6.52    белая подсветка: Продолжительный белый свет, освещающий ФЭ устройство одновременно с пульсирующим монохроматическим светом для обеспечения работы устройства при нормальных рабочих условиях в процессе измерения спектрального распределения освещенности.

3.7 Качество и испытания

3.7.1    приемочные испытания: Контрактные испытания, проводимые с целью доказать пользователю (заказчику), что изделие удовлетворяет определенным условиям своей сертификации.

3.7.2    заявитель: Организация, подавшая заявку на участие в программе сертификации.

3.7.3    калибровка: Объем работ, которые посредством сверки со стандартами устанавливают соответствия между показаниями и результатами измерений при определенных условиях.

3.7.4    производитель элемента

См. «производитель/производитопь элемента». 3.7.14а).

3.7.5    сертификат соответствия: Табличка, ярлык, наклейка или документ определенной формы и содержания, прикрепленный или непосредственно ассоциируемый с товаром или услугой при доставке к покупателю, удостоверяющий. что товар или услуга удовлетворяет требованиям соответствующей программы сертификации.

3.7.6    сертификация: Процедура, в ходе которой должно быть представлено письменное подтверждение того, что продукт или услуга соответствует техническим условиям.

а) сертификационный орган: Объективное учреждение или организация, обладающая необходимой компетенцией для развития, обнародования.

финансирования и ведения программы сертификации и для проведения сертификаций соответствия;

b)    знак сертификации: Знак или символ. принадлежащий сертификацион- certification mark ному органу, контролируемый им и используемый исключительно ведущим

программы сертификации в ранге третьего лица для идентификации товаров или услуг в качестве сертифицированных;

c) программа сертификации: Система, относящаяся к особым продуктам,    certification programme процессам или услугам, к которым применяют одинаковые заданные стандарты. правила и методы.

Примечание — Программа сертификации предусматривает участие третьего лица в качестве органа инслек-ции/проаерки. и программа разрешает использование контролируемого знака сертификации или удостоверяет удовлетворение требованиям соответствующим свидетельством;

d) сертификация третьим лицом: Сертификация, осуществляемая компе- third-party certification тентным в технической и иных областях органом, неподконтрольным производителю и покупателю.

3.7.7 сертифицированный эталонный фотоэлектрический материал; certified reference photo-CRM: Эталонный ФЭ материал, одна или несколько характеристик которого voltaic material сертифицированы технически признанным методом и который сопровождается сертификатом или другой документацией, выданной сертифицирующим органом, и отслеживается по этой документации.

Примечание — Стандартный эталонный ФЭ элемент служит примером CRM.

3.7.8 соответствие: Удовлетворение определенным требованиям со сто- conformity роны продукта, процесса или услуги для определения его соответствия проекту.

а) оценка соответствия: Систематическая проверка параметров для уста- conformity evaluation новления степени, в которой продукт, процесс или услуга удовлетворяет определенным требованиям.

Примечание 1— Оценка соответствия также известна как оценка удовлетворения требованиям. Примечание 2 — Оценка соответствия должна гарантировать, что качество системы удовлетворяет необходимым требованиям и что изделие и/или конфигурация системы не отличаются от тех. которые были испытаны.

conformity surveillance inspection


inspection body


inspection body [third-party]


Ь) надзор за соответствием: Оценка соответствия для установления того, что объект продолжает соответствовать определенным требованиям.

3.7.9 проверка: Оценка соответствия путем измерения, наблюдения, испытаний или расчета соответствующих характеристик по требованиям технических условий или стандарта.

a)    орган проверки: Организация, которая может быть частью испытательной лаборатории и/или функциональным подразделением сертификационного органа, осуществляющего начальные проверки работы производителя, включая любые последующие процедуры надзора, которые могут потребоваться:

b)    орган проверки [третье лицо]: Проверочная организация, обладающая необходимой технической компетенцией для осуществления начальных проверок и/или аудита и последующих проверок и/или аудита, и неподконтрольная производителю, поставщику или покупателю (пользовате-лю/заказчику) сертифицированного продукта или услуги, т.е. не имеющая организационной, финансовой или коммерческой связи с производителем или покупателем, которая может вызвать потенциальный конфликт интересов.

Примечание — Орган проверки может быть действующим подразделением органа сертификации.

3.7.10    межлаботаторные испытания: Деятельность, включающая в себя interlaboratory testing организацию, осуществление и оценку испытаний одинаковых или схожих

объектов или материалов двумя или несколькими лабораториями в соответствии с лредварительно определенными условиями.

3.7.11    лаборатория:    laboratory

а) испытательная лаборатория: Орган или организация, осуществляю- testing laboratory щая испытания и выдающая официальный письменный отчет об их результатах.

Примечание — В случаях, когда лаборатория представляет собой часть организации, деятельность которой выходит за пределы испытаний и калибровки, термин слаборатория» относится только к тому подразделению этой организации, которое действительно производит испытание ФЭ модулей, компонентов и целых систем.

testing laboratory [third-partyj


licensee (for certification) license for certification


manufacturer

cell manufacturer

module manufacturer

memorandum of understanding

module manufacturer

participant

photovoltaic

elements/equipment

proficiency testing

qualification test


Ь) испытательная лаборатория [третье лицо]: Лаборатория испытательного органа, обладающая необходимой технической комлетенцией для осуществления начальных лроверок и/или аудита и последующих проверок и/или аудита и не подконтрольная производителю, поставщику или покупателю (лользователю/эаказчику) сертифицированного продукта или услуги, т. е. не имеющая организационной, финансовой или коммерческой связи с производителем или покупателем, которая может вызвать потенциальный конфликт интересов.

3.7.12    лицензиат (для сертификации): Лицо или производитель, которому сертификационный орган выдал лицензию.

3.7.13    лицензия для сертификации: Документ, изготовленный по правилам программы сертификации, в соответствии с которой сертификационный орган предоставляет лицу или производителю право использовать данные сертификаты и знаки соответствия для своих изделий, методов или услуг в соответствии с правилами данной программы сертификации.

3.7.14    производитель: Организация, занимающаяся производством изделия.

a)    производитель элемента: Организация, занимающаяся производством ФЭ элементов.

b)    производитель модуля: Организация, выполняющая завершающую стадию в процессе изготовления ФЭ модулей.

3.7.15    меморандум о договоренности; MOU: Соглашение о сотрудничестве и соблюдении определенных правил, установленных одной или несколькими сторонами, заключившими соглашение.

3.7.16    производитель модуля

См. кпроизводительУмодуль производитель», 3.7.14Ь).

3.7.17    участник: Организация, участвующая в программе сертификации.

3.7.18    фотоэлектрические элементы/оборудование; ФЭО: 6 обобщенном виде это описываемые ФЭ модули, системы и системные компоненты, например регуляторы заряда, инверторы, устройства хранения энергии и т.д.

3.7.19    проверка квалификации: Регулярная, периодическая проверка качества тестирования и калибровки новых лабораторий, как правило, путем межлабораторного сравнения.

3.7.20    приемочные испытания: Испытания, проводимые со случайно выбранными компонентами или образцами полных систем в целях верификации приемлемости базового проекта.

Примечание 1 — Приемочные испытания могут быть проведены на выдерживание внешних воздействий, верификацию рвботослособности и безопасности.

Примечание 2 — Методы приемочных испытаний могут екпючать е себя измерение рабочих параметров и/или применение опредепеииых электрических, механических или температурных нагрузок в предписанном виде и объеме.

Примечание 3 — Результаты приемочных испытаний должны удовлетворять списку определенных требований.

3.7.21    руководство по методам контроля качества: Документ, указывающий направления политики в области качества, систему качества и практику организации в этой области.

3.7.22    система качества: Система, имеющая организационную структуру, несущая ответственность, обладающая методами, процессами и ресурсами для осуществления управления качеством.

3.7.23    эталонный материал: Физический материал или вещество, одно или несколько свойств которого с удовлетворительной степенью установлены для использования при настройке аппаратуры, оценки метода измерений или определения свойств материалов.

3.7.24    эталонный стандарт: Физический стандарт, как правило высочайшего метрологического качества, доступный испытательной лаборатории, откуда поступают меры, снятые в данном месте.

3.7.25    стандарт: Предписанный набор условий и требований, установленных властями или условиями договора для постоянного применения.


quality manual quality system reference material


reference standard


standard


Примечание 1 — Стандарт имеет форму документа, содержащего набор подлежащих выполнению условий, или объект для сравнения.

Примечание 2— При создании стандарта определяемые и используемые а нем условия и требования должны быть приемлемы и обладать возможностью сертификации.

3.7.26    л роиэводитель системы проектировщик, создатель и/или монтаж- system producer ник системы, осуществляющий полное сопровождение системы для покупки

и эксплуатации ее заказчиком.

Примечание — Производитель системы несет ответственность за соответствие всех компонентов системы программе сертификации.

test and calibration procedures manual

testing

testing laboratory

testing laboratory [third party]

test method


3.7.27    руководство по испытанию и калибровочным процедурам:

Письменный документ или документы, содержащие определенные инструкции. предпочтительно изложенные в действительном залоге и повелительном наклонении, для проведения испытаний и настроек.

3.7.26 испытания: Действия или процесс проведения одного или нескольких мероприятий по проверке объекта в целях оценки его требуемых качеств.

3.7.29    испытательная лаборатория

См. «лаборатория,•испытатольная лаборатория». 3.7.11 а).

3.7.30    испытательная лаборатория [третье лицо]

См.«лаборатория/испытательная лаборатория (третье лицо)». 3.7.11Ь).

3.7.31    метод испытаний: Документированная техническая операция для проведения испытания.

Примечание — Метод испытаний может содержаться либо во внутренней документации, либо а опубликованном согласованном стандарте.

3.7.32 испытание: Техническая операция а рамках испытаний, заключаю- test щаяся в определении одной или нескольких характеристик данного изделия, процесса или услуги в соответствии с установленным методом.

Примечание — Испытание проводят для измерения или классификации характеристик или свойств объекта путем помещения объекта а определенную совокупность условий внешних воздействий и эксплуатации и/или предъявляемых требований.

3.7.33    последовательность испытаний: Одно или несколько приемочных испытаний, проведенных в определенном порядке с выбранной группой ФЭ модулей, компонентов и полных систем.

test sequence

third-party certification traceability

type approval

type test

uniformity

verification

verification testing


3.7.34    сертификация третьим лицом

См. «ссртификация/ссртификация третьим лицом». 3.7.6d).

3.7.35    отслеживаемость: Свойство результата измерений, благодаря которому он может быть поставлен в соответствие определенным физическим стандартам, поддерживаемым соответствующей организацией международных стандартов, посредством цельной цепи сравнений.

3.7.36    утверждение опытного образца: Одобрение изделия или типа системы на основе успешного получения оценки соответствия и прохождения требуемых приемочных испытаний.

3.7.37    испытание типа: Испытание одного или нескольких устройств определенного проекта для демонстрации того, что данный проект удовлетворяет установленным техническим требованиям.

3.7.38    единообразие: Изделие, которое не отклоняется от требований стандартов.

3.7.39    верификация: Подтверждение путем проверки и регистрации физического доказательства того, что предъявленные требования были удовлетворены.

3.7.40    верификационные испытания: Характерные для данного местоположения периодические испытания в целях подтверждения дальнейшей приемлемости эксплуатационных характеристик.

3.8 Фотоэлектрические устройства с концентратором

Данный раздел распространяется на концектраторные фотоэлектрические технологии.

3.8.1    активная площадь апертуры, м2: Часть общей площади апертуры концеитраторного ФЭ модуля, предназначенная для усиления освещенности, когда Солнце находится во внеосевых точках.

3.8.2    энергоэффективность площади апертуры

См. ««энсргоэффоктивмость/энергоэффектионость площади апертуры». 3.8.7а).

3.8.3    элемент

См. «концемтратор/фотоэлектрический элемент с концентратором». 3.8.5а).

3.8.4    коэффициент использования мощности, %:

a)    геометрический коэффициент концентрации: Отношение площади апертуры для сбора света к активной площади приемника;

b)    коэффициент концентрации излучения: Отношение излучения концентрированного света к свету, попадающему на концентратор ФЭ элемента.


active aperture area


aperture area efficiency


cell

concentration ratio

geometric concentration ratio

radiant concentration ratio


3.8.5 концентратор: Оптическое устройство, предназначенное для повы- concentrator, receiver шения плотности потока солнечного излучения, основанное на явлениях отражения и преломления лучей.

Примечание — Термин ассоциируется с ФЭ устройствами или ФЭ системами, которые используют концентрированное солнечное излучение (например, концентратор ФЭ элемента, концентратор ФЭ модуля/устаиоакм. концентратор ФЭ системы, концентратор ФЭ станции): часто применяется вместо его синонима «концентрирующий)*.

а) фотоэлектрический элемент с концентратором: ФЭ элемент, специ- concentrator photovoltaic ально спроектированный для использования при освещении концентриро- cell ванным солнечным светом:

Ь) фотоэлектрический модуль с концентратором: Самый малый полный concentrator photovoltaic защищенный от внешних воздействий монтаж с приемниками, оптическими    module

частями и такими соответствующими компонентами, как соединители и крепеж. концентрирующий солнечный свет;

concentrator photovoltaic receiver


concentrator

photovoltaics

dual-axis tracker

efficiency

aperture area efficiency lens efficiency fresnel lens


c)    фотоэлектрический приемник с концентратором: Установка, собранная из одного или нескольких концентраторных ФЭ элементов или ФЭ элементов. которые принимают концентрированный солнечный свет и имеют в своем составе средства для удаления температурной и электрической энергии;

d)    концеитраториые фотоэлектрические устройства; КФЭ: ФЭ устройства. которые включают в себя концентрирующие устройства для усиления солнечного излучения.

3.8.6    двуосный ориентатор

См. «ориентатор/двуосный ориентатор». 3.8.15а).

3.8.7    энергоэффективность, %:

a)    энерго эффективность площади апертуры: Отношение активной площади апертуры к общей площади апертуры концентратора ФЭ модуля;

b)    э не pro эффективность линз: Отношение спектра льно-взвешенной концентрации облученности к геометрическому коэффициенту концентрации.

3.8.8    линза Френеля: Оптическое устройство, которое включает в себя мини-призмы для фокусировки света на точке или линии.

Примечание 1 — Мини-призмы могут быть концентрическими кругами для фокусировки не точке или прямоугольными для фокусировки не линии.

Примечание 2 — Мини-призмы установлены лод разными углами, чтобы сеет фокусировался на одной и той ха точке или линии.

Примечание 3 — Линза Френеля может быть изготовлена а плоской или криаоугольиой форме путем штамповки из пластиковых листов.

geometric concentration ratio

lens efficiency pointing axis


3.8.9    геометрический коэффициент концентрации

См. «коэффициент концентрации/геометричесхий коэффициент концентрации». 3.8.4а).

3.8.10    энергоэффективностъ линз

См. «эмсргоэффективность/энсргоэффвктивностьлинэ».3.8.7Ь).

3.8.11    ориентирная ось: Эталонная ось для концентратора ФЭ модуля, выбранная в качестве линии, которая позволяет получить максимальную электроэнергию на выходе, когда ось сориентирована по линии лучей от источника света.

Примечание — Ориентирная ось для концентраторов аналогична оптической оси воображаемых оптических компонентов.

radiant concentration

ratio

receiver

single-axis tracker tracker


dual-axis tracker single-axis tracker


3.8.12    коэффициент концентрации излучения

См. «коэффициент концентрации/иалучатель». 3.8.4Ь).

3.8.13    приемник

См. «концснтратор/комцонтраторный приемник». 3.8.5с).

3.8.14    одноосный ориентатор

См. «ориеитатор/одиоосный ориентатор». 3.8.15Ь).

3.8.15    ориентатор: Подвижная механическая конструкция, используемая для установки концентраторных ФЭ модулей, способная точно поддерживать выравнивание по Солнцу е течение светлого времени дня.

a)    двуосный ориентатор: Ориентатор. направляемый на Солнце и по вертикальной. и по горизонтальной осям;

b)    одноосный ориентатор: Ориентатор, направляемый на Солнце либо только по вертикальной, либо только по горизонтальной оси.

3.9 Управление проектом Применены термины по МЭК62257.

3.9.1 цена «подключ»: Цена установленной ФЭ смете мы. включая расходы    turnkey price на установку, но без налога с продаж, стоимости работы и обслуживания.

Примечание 1 —Для не подключенных «сети автономных ФЭ систем расходы, связанные с обслуживанием и заменой накопителей энергии, исключают из цены • лод ключа.

Примечание 2 — Если дополнительные расходы возникают по причине, не связанной непосредственно с системой, их исключают (например, если дополнительные расходы возникают из-за необходимости устаноаитьФЭ модули на крыше фабрики, поскольку требуются особые меры, чтобы не прерывать производственный процесс, то эти дополнительные расходы не включают. Подобным образом неаключают дополнительные транспортные расходы на установку телекоммуникационной системы в отдаленной местности).

3.9.2    проектировщик: Лицо, которое разрабатывает электрификацию и project developer отвечает за подготовку общих технических условий для финансового обеспечения проекта.

Примечание 1 — Проектировщик начинает проект, привлекает средства, составляет технические условия, проводит социоэкономическое исследование, определяет ограничения из-за внешних условий и составляет план прекращения эксплуатации.

Примечание 2 — Во всех случаях проектировщик должен назначить координатора проекта. Примечание 3 — Проектировщик отвечает за осуществление плана обеспечения качества (где необходимо). который может подготовить координатор проекта.

3.9.3    общие технические условия: Документ, подготовленный проекти- general specification роещиком.

Примечание 1— Данный документ главным образом определяет уровень услуг, который должен быть достигнут. и проектные условия, включая административную схему, техно-экономический контекст и конструкционно-временные рамки.

Примечание 2 — Общие технические условия прилагают к заявке на предложение.

3.9.4    инженер«комсультант: Лицо, отвечающее за преобразование нужд engineering consultant проектировщика в технические условия и подготовку предложения для тендеров.

3.9.5    координатор проекта и главный подрядчик: Лицо, уполномоченное project co-ordinator or проектировщиком выполнить работу или доверить ее выполнение третьим general contractor лицам посредством субподряда в соответствии с общими техническими

условиями.

Примечание — Координатор проекта отвечает за соответствие монтажа общим техническим условиям, за проверку качества выполненных другими субподрядчиками работ, за правильные габаритные размеры системы а соответствии с общими техническими условиями и за получение наилучщей из возможных гарантии на систему и ее компоненты.

3.9.6    субподрядчик: Мелкий подрядчик, взявшийся за выполнение части sub-contractor работы, описанной в требованиях к будущей установке.

Примечание — Субподрядчик несет ответственность перед координатором проекта за удовлетворительное исполнение работы и поставку оборудования под контролем координатора проекта.

operator

maintenance contractor user

demonstration

programme


3.9.7    оператор: Организация, компания или должностное лицо, отвечающее за эксплуатацию системы, ее управление и обслуживание.

3.9.8    обслуживающая организация: Организация, оператор или должностное лицо, нанятое оператором для выполнения процедур обслуживания установки.

3.9.9    заказчик [пользователь]: Лицо или организация, пользующаяся работой установки для удовлетворения собственных нужд.

3.10 Разное

3.10.1 демонстрационная программа: Серия демонстрационных проектов.

3.10.2    демонстрационный проект: Тематический проект, специально demonstration project созданный для демонстрации работы ФЭ системы и ее использования потенциальными заказчиками/владепьцами.

3.10.3    программа полевых испытаний: Программа испытаний работоо field test programme пособности ФЭ системУкомпонентов е реальных условиях.

3.10.4    инициатива расширения рынка: Инициатива е целях расширения market deployment initi-рынка фотоэлектрических устройств с помощью использования таких марке- ative

тинговых инструментов, как снижение цен. разработка стимулов и т. д.

3.10.5    рынок ФЭ энергетических систем: Рынок всех установленных в PV power system market масштабе страны (наземных) ФЭ систем с номинальной мощностью 40 Вт

или более.

4 Акронимы и аббревиатуры

1)    АС — переменный ток

3)    АТС — acceptance test conditions    3.4.16а)

5)    CES — системы коллективной электрификации    3.3.10

6) СФЭ — концентраторные фотоэлектрические устройства    3.8.5d)

8)    ОС — постоянный ток

9)    DG — распределенный генератор    3.3.20

10)    DOD — глубина разряда    3.4.24

11)    ЕСТ — эквивалентная температура P-N перехода в солнечном элементе    3.4.29

12) ЕМI — электромагнитные помехи    3.4.27

13)    FF — коэффициент заполнения    3.4.30

14)    IES — частная система электрификации    3.3.32

15)    IEV — Международный электротехнический словарь

16)    I-V — вольт-амперная характеристика также обозначается I-U в соответствии

с Публикацией МЭК/ИСО    3.4.21

17)    МСМ — главная система мониторинга и контроля    3.3.75а)

18)    MOU — меморандум о договоренности    3.7.15

19)    ТММ — точка максимальной мощности    3.4.42с)

20)    ТПММ — точка поиска максимальной мощности    3.4.42d)

21)    NOCT — номинальная рабочая температура P-N перехода    в солнечном элементе    3.4.52

22)    NUG — не подсоединенный к электрической сети генератор электроэнергии    3.3.20

23) PSOC — состояние частичной зарядки    3.4.63

24) ФЭ — фотоэлектрический (при использовании в качестве прилагательного)    3.1.42.

или фотоэлектрические устройства (при использовании в качестве существительного)    3.2.21,

3.3.56

25)    ФЭО — фотоэлектрические эпементы/оборудование    3.7.18

26)    PVPS — фотоэлектрические энергетические системы    3.3.61

27) PWM — широтно-импульсная модуляция    3.2.23

28)    SELV — безопасное сверхнизкое напряжение    3.4.75

29)    SHS — солнечная система для жилого дома    3.3.68

30) SOC — стандартные условия эксплуатации    3.4.16d)

31)    SPG — солнечный кремний для фотоэнергетики    3.1.58д)

32) СУИ — стандартные условия проведения испытаний    3.4.16е)

33) ТСО — прозрачный проводящий оксид    3.1.64

34)    ОГИ — общее гармоническое искажение    3.4.91

35) UV — ультрафиолет    3.6.50

Библиография

[1]    Международный стандарт

М ЭК 60050

(2]    Международный стандарт

МЭК 60891:1987


(3)    Международный стандарт МЭК 60904-1:2006

(4)    Международный стандарт МЭК 60904-2:2007

(5)    Международный стандарт МЭК 60904-5:1993


[6] Международный стандарт МЭК 60904-7:1998


[7] Международный стандарт МЭК 60904-8:1998


(8)    Международный стандарт МЭК 60904-9:199S

(9)    Международный стандарт МЭК 61215:200S

(10)    Международный стандарт МЭК 61646:1996


[11]    Международный стандарт МЭК 61730-1:2004

[12]    Международный стандарт МЭК 61730*2:2004

[13]    Международный стандарт МЭК 61683 1999

[14]    Международный стандарт МЭК 61702:199S

[15]    Международный стандарт МЭК 61725.1997

[16]    Международный стандарт МЭК 62093:200S

[17]    Международный стандарт МЭК/ПАС 62111:1999


[18] Международный стандарт МЭК 61173:1992


Международный электротехнический слоаарь (IEC 60050. International Electrotechnical Vocabulary)

Приборы фотогальванические. Методики коррекции ло температуре и освещенное г и результатов измерения еолы-амлериой характеристики (IEC 60891:1987. Photovoltaic devices — Procedures (or temperature and irradiance corrections to measured l-V characteristics)

Приборы фотоэлектрические. Часть 1. Измерение аольг-амперных характеристик фотоэлектрических приборов (IEC 60904-1:2006. Photovoltaic devices — Part 1: Measurement o1 photovoltaic current-voltage characteristics) Приборы фотоэлектрические. Часть 2. Требования к эталонным солнечным элементам (IEC 60904-2:2007. Photovoltaic devices — Part 2. Requirements (or reference solar devices)

Приборы фотоэлектрические, часть S. Определение эквивалентной температуры элементов фотоэлектрических приборов методом напряжения разомкнутой цели (IEC 60904-5:1993. Photovoltaic devices — Part 5. Determination of the equivalent cell temperature (EOT) of photovoltaic (PV) devices by the open-circuit voltage method)

Приборы фотоэлектрические. Часть 7. Подсчет ошибки из-за спектрального несоответствия при испытаниях фотоэлектрических приборов (IEC 60904-7:1996. Photovoltaic devices — Part 7: Computation of the spectral mismatch correction for measurements of photovoltaic devices)

Приборы фотоэлектрические. Часть в. Руководство no измерению спектральной чувствительности фотоэлектрического прибора (IEC 60904-8.1998. Photovolteic devices — Рал 8: Measurement of spectral response of a photovoltaic (PV) device)

Приборы фотоэлектрические. Часть 9. Требования к рабочим характеристикам имитаторов солнечного излучения (IEC 60904-9:1995. Photovoltaic devices — Part 9. Solar simulator performance requirements)

Модули фотоэлектрические неземные из кристаллического кремния. Оценка конструкции и утверждение ло образцу (IEC 61215:2005. Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules — Design qualification and type approval) Модули фотоэлектрические тонкопленочные для наземного применения. Квалификационная оценка конструкции и утверждение пообраэцу(1ЕС 61646:1996. Thtn-film terrestrial photovoltaic (PV) modules — Design qualification and type approval)

Модули фотоэлектрические. Оценке безопасности. Часть 1. Требования к конструкции (IEC 61730-1:2004. Photovoltaic (PV) module safety qualification — Рал 1: Requirements for construction)

Модули фотоэлектрические. Оценка беэоласности. Часть 2. Методы испытаний (IEC 61730-2:2004. Photovoltaic (PV) module safety qualification — Рал 2: Requirements for testing)

Системы фотоэлектрические. Источники стабилизированного литания. Методика измерения эффективности (IEC 61683:1999. Photovoltaic systems — Power conditioners — Procedure for measuring efficiency)

Системы фотоэлектрические насосные с непосредственной связью. Оценка момииальиыххарактеристик (IEC 61702:1995. Rating of direct coupled photovoltaic (PV) pumping systems)

Аналитическое выражение для профилей освещенности дневного солнечного излучения (IEC 61725:1997. Analytical expression for deity solar profiles) Компоненты равновесия фотоэлектрических систем. Определение природных сред (IEC 62093:2005. Bala nce-of-ay stem components for photovoltaic systems — Design qualification natural environments)

Энергия or возобновляемого источника. Технические условия ло применению при децентрализованной электрификации а сельской местности (IEC/PAS 62111:1999. Specification for the use of renewable energies in rural decentralised electrification)

Системы фотоэлектрические, вырабатывающие электроэнергию. Руководство ло защите от перенапряжения (IEC 61173:1992. Overvoltage protection for photovoltaic (PV) power genera ting systems: guide)


(10] Международный стандарт МЭК 61194:1092

(20)    Международный стандарт МЭК 61277:1095

(21)    Международный стандарт МЭК 61724:1098


(22]    Международный стандарт МЭК 61727:2004

(23]    Международный стандарт МЭК 62124:2004

(24]    Международный стандарт МЭК/ТС 62257*1:2003


(2SJ Международный стандарт МЭКЯС 62257*2:2004


(26) Международный стандарт МЭКЯС 62257-4:2005


(27] Международный стандарт МЭКЯС 622S7-5.200S


(28) Международный стандарт МЭКЯС 62257*6.200S


(20] Международный стандарт МЭК 61820:1095

(30)    Международный стандарт МЭК 6134S:1998

(31)    Международный стандарт МЭК 61701:1095

(32)    Международный стандарт МЭК 61721:1005


(33] Международный стандарт МЭК 62108:2007


(34] Международный стандарт МЭКЯС 622S7*3:2004


Системы фотоэлектрические (ФЭ) автономные. Эксплуатационные характеристики (IEC 61104:1002. Characteristic parameters of stand-alone photovoltaic (PV) systems)

Системы наземные фотоэлектрические. Общие положения и руководство (IEC 61277:190S. Terrestrial photovoltaic (PV) power generating systems — General and guide)

Контроль за эксплуатационными характеристиками фотоэлектрических систем. Руководящие указания по измерению, передаче и анализу данных (IEC 61724:1998. Photovoltaic system performance momtonng — Guidelines for measurement, data exchange and analysis)

Системы фотоэлектрические. Характеристики вспомогательного интерфейса (IEC 61727:2004. Photovoltaic (PV) systems — Characteristics of the utility interlace) Системы фотоэлектрические автономные. Проверка конструкции (IEC 62124:2004. Photovoltaic (PV) stand-alone systems — Design verification) Гибридные системы небольших размеров с возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть 1. Общее введение для сельской электрификации (IEC/TS 62257-1:2003. Recommendations for small renewable energy and hybrid systems for rural electnhcation — Part 1: General introduction to rural electrification)

Гибридные системы небольших размеров с возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть 2. Из требований к характеристикам систем электрификации (1ЕСЯЭ 62257-2:2004. Recommendations for small renewable energy and hybnd systems for rural electrification — Part 2: from requirements to a range ofelectnfication systems) Гибридные системы небольших размеров с возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть 4. Выбор и конструирование системы (1ЕСЯв 62257-4:2005. Recommendations for small renewable energy and hybrid systems for rural electrification — Part 4: System selection and design)

Гибридные системы небольших размеровс возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть S. Защита от опасности. связанной с электричеством (1ЕСЯ8 62257-5:2005. Recommendations for small renewable energy and hybnd systems for rural electrification — Parts: Protection against electrical hazards)

Гибридные системы небольших размеров с возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть 6. Приемка, эксплуатация, техническое обслуживание и замена (1ЕСЯЭ 62257-6:2005. Recommendations for small renewable energy and hybrid systems for rural electrification — Part 6: Acceptance, operation, maintenance and replacement) Батареи фотоэлектрические из кристаллического кремния. Измерение вольтамперных характеристик в полевых условиях (IEC 61820:1995. Crystalline silicon photovoltaic (PV) array — On-site measurement of l-V characteristics)

Модули фотоэлектрические. Испытание под воздействием ультрафиолетового излучения (IEC 61345:1098. UV test for photovoltaic (PV) modules)

Модули фотоэлектрические. Испытание на коррозию а солевом тумане (IEC 61701:1995. Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV) modules)

Модули фотоэлектрические. Оценка чувствительности к случайному повреждению при ударе (устойчивость к испытанию на удар) (IEC 61721:1005. Susceptibility of a photovoltaic (PV) module to accidental impact damage (resistance to Impact test))

Фотоэлектрические модули (CPV) и узлы e сборе концентратора. Оценке конструкции и утверждение айда продукции (IEC 62108:2007. Concentrator photovoltaic (CPV) modules and assemblies — Design qualification and type approval)

Гибридные системы небольших размеровс возобновляемой энергией, предназначенные для сельской электрификации. Рекомендации. Часть 3. Разработка и управление проектом (IEC/TS 62257-3:2004. Recommendations for small renewable energy and hybrid systems for rural electn flea bon — Pan 3: Project development and management)


S1


Алфавитный указатель терминов на русском языке

А

АС/АС интерфейс    З.Э.ЗЗа)

3.3.1

О

ОС интерфейс    3.3.12

DC интерфейс, интерфейс стороны постоянного токе    3.3.33с)

DC/DC интерфейс    3.3.11

З.З.ЗЭО)

Р

PIN переход    3.1.34е)

3.1.44

P-N переход    3.1.45

3.1.341)

P-N переход е солнечном элементе    3.1.34а)

P-N переход элемента    3.1.11

А

альбедо    Э.б.2

атмосферный    3.6.7

Б

барьер Шоттки (переход Шогтки)    3.1.340)

барьер элемента    3.1.Ю

батарея с «лапанной регулировкой кислотно-свинцовая    3.2.37

батарея для ФЭ систем кислотно-свинцовая    3.2.17а)

батарея кмслотно-сеиицоаая    3.2.17

батарея открытого типа кислотно-свинцовая    3.2.17с)

3.2.38

батарея с клапанной регулировкой кислотно-саиниовая

3.2.17Ь)

в

верификация    3.7.39

вещества фотоэлектрические аморфные    3.1.1

время непреднамеренного автономного режима    3.3.34с)

выдержка    3.6.9

выдержка для насыщения светом    3.6.9b)

3.6.27

высота Солнца угловая    3.6.4d)

3.6.41

выход квантовый    3.4.15

3.4.26d)

выход по энергии    3.4.26I)

3.4.68

Г

генератор    3.3.25

генератор распределенный    3.3.20

генератор фотоэлектрический    3.3.S6d)

гетеропереход    3.1.30

3.1.34b)

глубина разряда    3.4.24

границы КПД допустимые    3.4.26о)

Д

демонстрационный проект    3.10.2

джеисет    3.3.26

донор (а фотоэлектрических элементах)    3.1.22

Е

единообразие    3.7.36

3

зависимость от солнечной энергии за период времени, например месяц или год    3.4.23

знак сертификации    3.7.6b)

зона запрещенная    3.1.27

И

излучение неба рассеянное    3.6.11

излучение солнечное    3.6.40d)

имитатор солнечного света в установившемся режиме    3.5.8с)

3.5.10

3.5.6Ь)

инвертор    3.2.15

инвертор автономный    3.2.ISi)

3.2.28

инвертор бестрансформаторного типа    3.2.15к)

3.2.33

инвертор, ведомый сетью    3.2.15d)

инвертор, взаимодействующий с сетью    3.2.15е)

инвертор высокочастотного типа    3.2.151)

3.2.13

инвертор для цепи    3.2.1S|)

3.2.30

инвертор интерактивный общий    3.2.15т)

инвертор модуля    3.2.15д)

инвертор напряжения жесткого типа    3.2.15о)

3.2.40

инвертор, подключенный к сеты

3.2.15с)

3.2.35

инвертор, регулирующий ток

3.2.15а)

инвертор с системой защиты от аварийных режимов

3.2.156)

3.2.20

инвертор типа регулирования источнике тока

3.2.8

инвертор тока жесткого типа

3.2.15Ь)

3.2.9

индекс воздушной массы

3.6.1

инженер-консультант

3.9.4

инициатива расширения рынка

3.10.4

интерфейс

3.3.33

интерфейс поставщике энергии

з.з.ззо

3.3.79

интерфейс стороны постоянного тока

З.Э.ЗЗе)

искажение гармоническое общее

3.4.91

испытание

3.7.32

испытание а успоаиях воздействия внешних факторов

3.6.156)

3.6.29

испытание изоляции

3.6.150

3.6.28

3.6.1Sg)

3.6.150

3.6.49

испытание на изоляцию

3.6.23

испытание на надежность входов и выходов оборудования

3.6.150

3.6.34

испытание на переносимость влажности и высоких температур

3.6.10

3.6.15а)

испытание на переносимость влажности и низких температур

3.6.15<1)

3.6.20

испытание на переносимость местного перегрева

3.6.15с)

3.6.19

испытание на переносимость солевого тумана

3.6.15J)

3.6.3S

испытание на переносимость ультрафиолетового излучения

3.6.15т)

3.6.50

испытание на переносимость циклических изменений температуры

3.6.15к)

3.6.43

испытание на ток утечки в условиях влажности

3.6.15л)

3.6.51

испытание на удар

3.6.15е)

3.6.21

испытание переносимости града

3.6.15Ь)

3.6.18

испытание типа

3.7.37

испытания

3.7.28

испытания а успоаиях внешних воздействий

3.6.15

испытания верификационные

3.7.40

испытания межлаботаториые

3.7.10

испытания приемочные

3.7.1

3.7.20

испытательная лаборатория

3.7.11а)

3.7.29

источник света монохроматический

3.5.2

источник стабилизированного питания

3.2.22

К

кабель питающий    3.2.31

кабель питающий фотоэлектрический    3.2.216)

кабель последовательности    3.2.29

кабель постоянного тока главный    3.2.11

кабель постоянного тока главный фотоэлектрический    3.2.21b)

кабель установки    3.2.2

кабель фотоэлектрической последовательности    3.2.21 с)

кабель фотоэлектрической установки    Э.2.21а)

калибровка    3.7.3

класс имитатора солнечного свете    3.5.6а)

количество часов использования мощности    3.4.96

количество часов использования мощности ежегодное окончательное    3.4.31

3.4.966)

количество часов использования мощности установкой    3.4.96а)

количество часов использования системой мощности окончательное    3.4.32

3.4.96с)

коммутация линии    3.2.7а)

3.2.16

компоненты фотоэлектрические    3.3.S7

конструкция опорная    Э.2.32

контроль ШИМ (PWM)    3.2.23

контроль широтно-импульсной модуляции    3.2.23

коробка генератора ответвительная    3.2.12

коробка генератора распределительная    3.2.166)

коробка распределительная    3.2.16

коробка установки распределительная    3.2.16а)

коэффициент    3.4.14

коэффициент зависимости напряжения от освещенности    3.4.146)

3.4.92

коэффициент заполнения    Э.4.30

коэффициент затенения    3.4.78

коэффициент использования мощности за период времени, например месяц или год    3.4.106)

3.8.4

коэффициент концентрации геометрический    3.8.4а)

3.8.9

коэффициент концентрации излучения    3.8.46)

3.6.12

коэффициент максимальной мощности температурный    3.4.42е)

коэффициент напряжения температурный    3.4.93

3.4.14с)

коэффициент освещенности при максимальной мощности    3.4.426)

коэффициент переводной    3.4.18

коэффициент полезного действия    3.1.14

коэффициент преобразования энергии    3.4.66

коэффициент прозрачности атмосферы    3.6.7с)

коэффициент пульсации постоянного тока    3.4.22

коэффициент тока температурный    3.4.14а)

коэффициент токо-температурный    3.4.20

КПД для частичной мощности

3.4.26J)

3.4.61

КПД для частичной нагрузки

3.4.26к)

3.4.62

КПД инвертора

3.4.260)

3.4.36

КПД номинальный

3.4.26m)

3.4.690)

КПД системы

3.4.87

КПД системы за период времени, например месяи или год

3.4.26п)

кремний

3.1.58

кремний ac-Si монокри стаял ический

3.1.580

кремний аморфный

3.1.2

3.1.58а)

кремний кристаллический

3.1.15

3.1.580)

кремний микрокристаллический

3.1.38

3.1.58с)

кремний монокристаллический

3.1.60

кремний мультикристалл ический

3.1.40

3.1.580)

кремний поликриствллический

3.1.47

3.1.58а)

кремний фотоэлектрический солнечный

3.1.580)

кристаллизация направленная

3.1.21

3.1.320)

Л

лаборатория

3.7.11

лаборатория испытательная (третье лицо|

3.7.30

3.7.110)

лента

3.1.53

линейность

3.4.38

линза Френеля

3.8.8

линии сети

3.1.29

линия металлизации

3.1.37

линия сетки

3.1.370)

литье электромагнитное

3.1.26

3.1.32с)

лицензиат (для сертификации)

3.7.12

лицензия для сертификации

3.7.13

м

магистраль (шина)

3.1.7

материал

3.1.36

материал полупроводниковый

3.1.57

материал фотоэлектрический

3.1.43е)

материал фотоэлектрический эталонный сертифицированный

3.7.7

материал эталонный

3.7.23

меморандум о договоренности

3.7.1S

местоположение

3.3.67

местоположение изолированное

3.3.38

3.3.67а)

местоположение отдаленное

3.3.65

3.3.67Ь)

метод зонной плавки    3.1.32d)

метод испытаний    3.7.31

метод средневзвешенной энергетической отдачи для расчета эффективной энергетической отдачи    3.4.26q)

метод Ч охра льского    3.1.17

3.1.32а)

множитель модуля упаковочный    3.4.48

модуль    3.1.39

модуль переменного тока фотоэлектрический    3.3.2

модуль с концентратором фотоэлектрический    3.8.5b)

модуль фотоэлектрический    3.1.430

модуль фотоэлектрический эталонный    3.1.52

монтаж    З.Э.б

монтаж фотоэлектрический    3.3.56с)

мощность    3.1.48

мощность (энергоемкость)    3.4.10

мощность максимальная    3.4.42

мощность нагрузки    3.4.39b)

мощность номинальная    3.4.69а)

3.4.691)

мощность пикоаа я    3.4.64

мощность при стандартных условиях проведения испытаний максимальная    3.4.42д)

мощность при стандартных условиях эксплуатации максимальная    3.4.421)

мощность при стандартных условиях эксплуатации номинальная    3.4.69П)

мощность при СУИ номинальная    3.4.69д)

мощность системы    3.4.89

мощность системы номинальная    3.4.53

3.4.69j)

мощность солнечная    3.6.49с)

мощность установки    3.4.10а)

мощность установленная    3.4.35

мутность    3.6.48

И

нагрузка    3.4.39

нагрузка негативная    3.4.39d)

нагрузка нестандартной системы    3.3.39

нагрузка номинальная    3.4.69е)

нагрузка энергетической системы нестандартная    3.3.64Ь)

надзор за соответствием    3.7.8Ь)

напряжение входное максимальное    3.4.41

напряжение максимальной мощности    3.4.42h)

напряжение максимальной мощности при стандартных условиях проведения испытаний    3.4.42})

напряжение максимальной мощности при стандартных условиях эксплуатации    3.4.42i)

напряжение нагрузки    3.4.39с)

напряжение номинальное    3.4.69к)

напряжение сверхнизкое безопасное    3.4.75

напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств)    3.4.56

напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний    3.4.56а)

неравномерность    3.4.54

нестабильность имитатора временная    3.5.11

номинальный    3.4.69

О

облученность суммарная    3.6.25})

3.6.45

оператор    3.9.7

оператор электрической сети

3.3.23

орган проверки

3.7.9а)

орган проверки (третье пи до]

3.7.9b)

орган сертификационный

3.7.ба)

организация обслуживающая

3.9.8

ориентатор

3.8.1S

ориентатор двуосный

3.8.6

3.8.15а)

ориентатор одноосный

3.8.14

3.8.15Ь)

освещенность

3.6.25

освещенность интегрированная

3.6.24

3.6.256)

освещенность испытательная

3.6.2SI)

3.6.42

освещенность на плоскости

3.6.22

3.6.250)

освещенность прямая

3.6.13

3.6.25b)

освещенность рассеянного излучения

3.6.25а)

освещенность спектральная

3.6.259)

3.6.36

освещенность суммарная

3.6.16

3.6.25с)

освещенность фотонная спектральная

3.6.25h)

3.6.38

ось ориентирная

3.8.11

отдача ампер-часоаая

3.4.2

3.4.26а)

отдача эталонная

3.4.70

3.4.960)

отслеживаемость

3.7.35

оценка соответствия

3.7.8а)

ошибка рассогласования

3.4.44

ошибка рассогласования спектральной чувствительности

3.4.82а)

П

панель

3.3.53

панель фотоэлектрическая

3.3.566)

перегрев местный

3.1.31

переключение на сторону переменного тока

3.3.4

3.3.626)

переключение на сторону постоянного тока

3.3.14

3.3.626)

переход (полупроводниковый)

3.1.34

переход однородный

3.1.34с)

переход Шоттки

3.1.55

3.1.340)

период отсутствия освещенности принятый

3.4.8

пиранометр

3.5.5

3.5.7Ь)

пиргелиометр

3.5.6

3.5.7с)

плавка эоимая

3.1.28

пластина

3.1.68

плоскость освещенности установки    Э.6.25Г)

3.6.31

плотность тока (фотоэлектрического элемента)    3.4.19

площадь модуля    3.4.46

площадь модуля активная    3.4.466)

площадь модуля общая    3.4.46а)

площадь элемента    3.4.11

площадь элемента активная    3.4.116)

площадь элемента общая    3.4.11а)

поверхность текстурированная    3.1.65

подключение к сети    3.3.51

подсветка белая    3.6.52

подсистеме источника стабилизированного литания    3.3.63

3.3.75с)

подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения    3.3.66

3.3.75d)

подсистема мониторинга и контроля    3.3.44

3.3.75а)

подсистема мониторинга и контроля главная    Э.3.40

подсистема монтажа компонентов    3.3.75

подсистема накопления энергии    3.3.72

3.3.75е)

подсистема установки    3.3.74

подсистема фотоэлектрического генератора    3.3.756)

подсистема фотоэлектрической установки    3.3.S6g)

покрытие просветляющее    3.1.3

полная энергетическая экспозиция    3.6.26d)

3.6.46

пользователь    3.9.9

помехи электромагнитные    3.4.27

последовательность испытаний    3.7.33

постоянная солнечная световая    3.6.40а)

потери    3.4.40

потери бознагруэочные    3.4.51

потери в установке приведенные    3.4.5

3.4.40а)

потери инвертора схемные    3.4.37

3.4.45а)

потери модуля схемные    3.4.456)

3.4.47

потери на компонентах равновесия системы    3.4.406)

потери на компонентах системы за исключением ОЭ панелей    3.4.9

потери приведенные    3.4.55

3.4.40с)

потери схемные    3.4.45

потери холостого хода    3.4.85

поток мощности обратный    3.4.74

преобразователь постоянного тока    3.2.10

приемник    3.8.13

приемник с концентратором фотоэлектрический    3.8.5с)

примесь (в фотоэлектрических элементах)    3.1.23

проверка    3.7.9

проверка квалификации    3.7.19

программа демонстрационная    3.10.1

программа полевых испытаний

3.10.3

программа сертификации

3.7.6с)

проектировщик

3.9.2

прозрачность

3.6.47

производитель

3.7.14

производитель модуля

3.7.14Ь)

3.7.16

производитель системы

3.7.26

производитель элемента

3.7.4

3.7.14а)

процесс выращивания кристалла

3.1.32

Р

работа автономная

3.3.52а)

3.3.70

работа без сети

3.3.49

3.3.52д)

работа в автономном режиме

3.3.3S

3.3.S2I)

работа в изолированном режим

3.3.521)

3.3.36

работа в параллельном режиме

3.3.52П)

3.3.55

работа в режиме зависимости от сети

3.3.520)

работа в режиме подпитки

3.3.7

3.3.52b)

работа при подключении к сети

3.3.29

3.3.52с)

работа с фиксированным напряжением

3.4.33

рабочий диапазон входного напряжения

3.2.14

радиометр

3.5.7

радиометр абсолютный

3.5.1

3.5.7а)

разъединитель интерфейса сетевой

3.2.36

распределение спектральной освещенности

3.6.37

распределение спектральной освещенности эталонное

3.6.33

3.6.37а)

режим

3.3.43

режим автономный

3.3.34

З.Э.52е)

режим автономный непреднамеренный

3.3.34Ь)

режим автономный преднамеренный

3.3.34а)

руководство по испытанию и калибровочным процедурам

3.7.27

руководство по методам контроля качества

3.7.21

рынок ФЭ энергетических систем

3.10.5

С

самоком мутация

3.2.7с)

3.2.24

самора эряд

3.4.76

сертификат соответствия

3.7.S

сертификация

3.7.6

сертификация третьим лицом

3.7.60)

3.7.34

сеть

3.3.27

сеть общего назначения электрическая    3.3.27b)

сеть общего пользования    3.3.77

система    3.3.76

система «микровагтиая»    3.3.42

система смикроеаттиая» или станция *микроааттиая»    3.3.64d)

система без диспетчерского управления энергетическая    3.3.64е)

система для жилого дома внесетевая фотоэлектрическая    3.3.62I

система для жилого дома фотоэлектрическая    3.3.22

система домашняя солнечная    3.3.68

система качества    3.7.22

система коллективной электрификации    3.3.10

система не для жилого дома внесетевая фотоэлектрическая    3.3.62т)

система не для жилого дома фотоэлектрическая    3.3.48

3.3.62f)

система распределения энергии    3.3.21

система раслределенной генерации    3.3.19

система распределенной генерации мультифотоэлектрическая    3.3.45

3.3.62b)

система распределенной генерации фотоэлектрическая    3.3.17

3.3 620)

система с диспетчерским управлением неэнергетическая    3.3.47

система с диспетчерским управлением электрическая    3.3.15

система с диспетчерским управлением энергетическая    3.3.64а)

система с распределенными установками фотоэлектрическая    3.3.62b)

система установок    3.3.5

система фотоэлектрическая    3.3.62

система фотоэлектрическая автономная    3.3.71

3.3.62л)

система фотоэлектрическая внесетевая    3.3.50

3.3.62к)

система фотоэлектрическая гибридная    3.3.31

3.3.62Q)

система фотоэлектрическая изолированная    3.3.37

3.3.62h)

система фотоэлектрическая миогоисточииковая    3.3.46

3.3.621)

система фотоэлектрическая, поддерживаемая сетью    3.3.28

3.3.62е)

система фотоэлектрическая, подключенная к сети    3.3.62о)

3.3.78

система фотоэлектрическая поселковая внесетевая    3.3.62р)

система фотоэлектрическая централизованная    3.3.9

3.3.62а)

система фотоэлектрическая, подключенная к электросети    3.3.30

3.3.621)

система фотоэлектрических установок    3.3.56b)

система электрификации частная    3.3.32

система энергетическая    3.3.64

система энергетическая торговая    3.3.41

3.3.64с)

система энергетическая фотоэлектрическая    3.3.59

3.3.61

слой диффузионный    3.1.20

слой оксидный проводящий прозрачный (оксид прозрачный проводящий)    3.1.64

содержание озона    3.6.30

содержание озона а атмосфере    3.6.7а)

содержание осаждаемого водяного пара    3.6.7Ь)

3.6.32

солнечный    3.6.40

солнечный фотоэлектрический    3.2.27

3.3.69

солнечный фотоэлектрический, устройства фотоэлектрические солнечные    3.1.61

солнце-часы номинальные    3.4.691}

солнце-часы пиковые    3.4.65

соответствие    3.7.8

сопротивление последовательное    3.4.77

сопротивление тонкопленочного материала на единицу площади    3.4.79

сопротивление шунтирующее    3.4.81

состояние зарядки    3.4.86

состояние отожженное    3.6.S

3.6.9а)

состояние частичной зарядки    3.4.63

3.4.86а)

спектр    3.6.39

спектр солнечный    3.6.40е)

спектрорадиометр    3.5.78)

3.5.9

способность перегрузочная    3.4.60

стандарт    3.7.25

стандарт эталонный    3.7.24

старт мягкий    3.2.26

сторона переменного тока    3.3.3

сторона переменного тока интерфейса    З.Э.ЗЗЬ)

сторона постоянного тока    3.3.13

структура электросетеаая отдельная    3.3.27а)

субподрядчик    3.9.6

схема параллельного соединения модулей    3.3.54

Т

температура P-N перехода а солнечном элементе    3.4.12

температура P-N перехода а солнечном элементе эквивалентная    3.4.29

температура внешней среды    3.6.3

температура модуля    3.4.50

температура поверхности модуля    3.4.49

температура фотоэлектрического элемента рабочая номинальная    3.4.52

тип инвертора для тока промышленной частоты    3.2.151)

3.2.34

тип инвертора, управляемого напряжением    3.2.39

3.2.15л)

тип коммутации линии    3.2.7b)

3.2.19

тип самокоммутации    3.2.78)

3.2.25

ток    3.1.16

ток короткого замыкания    3.4.80

ток короткого замыкания при стандартных условиях проведения испытаний    3.4.80а)

ток максимальной мощности    3.4.42а)

ток нагрузки    3.4.39а)

ток номинальный    3.4.69с)

токтемновой    3.1.18

ток фотоэлектрический    3.1.43b)

точка максимальной мощности    3.4.42с)

точка поиска максимальной мощности    3.4.428)

У

угол апертурный    3.6.4b)

3.6.6

угол, градус, радиан    3.6.4

угол к азимуту    3.6.4с)

3.6.8

угол наклона    3.6.4е)

3.6.44

угол падения    3.6.4а)

условия    3.4.16

условия номинальные    3.4.69b)

условия проведения испытаний    3.4.16Г)

3.4.90

условия проведения испытаний дополнительные    3.4.16с)

3.4.58

условия проведения испытаний принятые    3.4.1

3.4.16а)

условия проведения испытаний стандартные    3.4.16е)

3.4.84

условия техничесжие общие    3.9.3

условия эксплуатации    3.4.16Ь)

3.4.57

условия эксплуатации стандартные    3.4.16d)

3.4.83

установка    3.2.1

установка системы распределенной генерации    3.3.16

установка фотоэлектрическая    3.3. S6a)

3.3.58

устройства фотоэлектрические концеитраториые    3.8.Sd)

устройство    3.1.19

устройство фотоэлектрическое    3.1.43с)

устройство фотоэлектрическое эталонное    3.1.51

утверждение опытного образца    3.7.36

участник    3.7.17

Ф

фотоэлектрический    3.2.21

3.3.S6

фотоэлектрический, фотоэлектричество    3.1.43

ФЭ система для жилого дома    3.3.62d)

ФЭ система распределенной генерации    3.3.18

3.3.62с)

X

характеристика вольт-амперивя I-V    3.4.21

Ц

цена «под ключ»    3.9.1

цепь    3.3.73

цепь фотоэлектрическая    3.3.S6f)

Ч

чувствительность при нагрузке слектрвльнвя    3.4.824)

чувствительность при нагрузке слектрвльнвя относительнвя    3.4.72

3.4.82с)

чувствительность слектрвльнвя    3.4.82

чувствительность слектрвльнвя относительнвя    3.4.71

3.4.82b)

Ш

шине (фотоэлектрических элементов)    3.1.37в)

Э

эксплуатация (фотоэлектрического устройства)    3.3.52

экспозиция рассеянного излучения энергетическая    3.6.12

3.6.26а)

экспозиция энергетическая    3.6.26

экспозиция энергетическая обшая    3.6.17

3.6.26с)

экспозиция энергетическая прямая    3.6.14

3.6.26b)

электрифицировать    3.3.24

электрод прозрачный    3.1.87

электростанция фотоэлектрическая    3.3.60

элемент    3.1.0

3.8.3

элемент из селенидв меди и индия фотоэлектрический    3.1.9а)

3.1.12

элемент интегрированного типа фотоэлектрический    3.1.0е)

3.1.33

элемент с P-N переходом фотоэлектрический    3.1.46

3.1.9h)

элемент с барьером Шоттки фотоэлектрический    3.1.91)

3.1.54

элемент с концентратором фотоэлектрический    3.1.9с)

38.Se)

элемент с несколькими P-N переходами фотоэлектрический    3.1.63

элемент фотоэлектрический    3.1.43а)

элемент фотоэлектрический кремниевый    3.1.9J)

3.1.59

элемент фотоэлектрический много переходный    3.1.90

3.1.41

элемент фотоэлектрический органический    3.1.9д)

3.1.42

элемент фотоэлектрический пакетный    3.1.9к)

элемент фотоэлектрический полупроводниковый сложный    3.1.9Ь)

элемент фотоэлектрический полупроводниковый составной    3.1.13

элемент фотоэлектрический тандемный    3.1.91)

элемент фотоэлектрический тонкопленочный    3.1.9т)

3.1.66

элемент фотоэлектрический цветочувстаительный    3.1.94)

3.1.24

элемент фотоэлектрический эталонный    3.1.50

элемент фотоэлектрический эталонный вторичный    3.1.504)

3.1.56

элемент фотоэлектрический эталонный первичный    3.1.49

3.1.50а)

элементы фотоэлектрические скомпонованные

3.1.62

э л ем енты/оборудован ие фотоэл ект рические

3.7.18

энергия

3.4.28

энергия барьере

3.1.6

энергия запрещенной зоны

3.1.5

энергия не выходе системы

3.4.88

энергия солнечная

3.6.40b)

энергия фотоэлектрическая

3.4.28а)

3.4.67

энергоемкость номинальная

3.4.10d)

энергоемкость остаточная

3.4.10а)

3.4.73

энергоемкость установленная

3.4.10с)

3.4.34

энергоемкость эффективная

3.4.26р)

3.4.94

эиергоэффектиаиость

3.4 26

3.8.7

энерго эффектней ость линз

3.8.7b)

3.8.10

энергоэффективность ллощади апертуры

3.8.2

3.8.7а)

эффект

3.1.25

эффект лоля тыльной поверхности

3.1.4

3.1.25а)

эффект удержания свете

3.1.35

3.1.25Ь)

эффект фотоэлектрический

3.1.43d)

эффективность зарядки

3.4.13

3.4.26с)

эффективность преобразования энергии

3.4.17

эффективность преобразования энергии средневзвешенная

3.4 05

эффективность преобразования энергии фотоэлектрическая

3.4.26е)

эффективность системы общая

3.4.26))

3.4.59

эффективность установки

3.4.6

3.4.26Ь)

эффективность установки средняя

3.4.43

3.4.26П)

эффективность энергетической отдачи

3.4 25

3.4.261)

Алфавитный указатель терминов на английском языке

А

absolute radiometer

3.5.1

3.5.7a)

АС photovoltaic module

3.3.2

АС side

3.3.3

АС side of the interface

3.3.33b)

AC side switchover

3.3.4

3.3.62e)

AC/AC interface

3.3.33a)

3.3.1

acceptance test conditions

3.4.1

3.4.16a)

acceptance tests

3.7.1

active aperture area

3.6.1

active cell area

3.4.11b)

active module area

3.4.46b)

air mass index

3.6.1

albedo

3.6.2

ambient temperature

3.6.3

amorphous photovoltaic material

3.1.1

amorphous silicon

3.1.2

3.1.58a)

ampere-hour efficiency

3.4.2

3.4.26a)

angle

3.6.4

angle of Incidence

3.6.4a)

annealing conditioning

3.6.5

3.6.9a)

anti-reflective coating

3.1.3

aperture angle

3.6.4b)

3.6.6

aperture area

3.4.3

aperture area efficiency

3.6.2

3.6.7a)

applicant

3.7.2

area

3.4.4

array

3.2.1

array cable

3.2.2

array capacity

3.4.10a)

array capture losses

3.4.S

3.4.40a)

array efficiency

3.4.6

3.4.26b)

array field

3.3.S

array Junction box

3.2.3

3.2.16a)

array yield

3.4.7

3.4.96a)

assembly

3.3.6

assumed non-sun shine penod

3.4.8

atmosphenc

3.6.7

atmospheric ozone content

3.6.7a)

atmosphenc t/ansmissrvity

3.6.7c)

automatic s tert/s lop

3.2.4

autonomous operation

3.3.52a)

azimuth angle

3.6.4c)

3.6.8

В

back surface field effect

3.1.4

backfeed operation

3.3.7

3.3.52b)

back-surface field effect

3.1.2Sa)

balance of system

3.3.8

balance of system losses

3.4.40b)

band gap energy

3.1.S

barner energy

3.1.6

blocking diode

3.2.5

BOS losses

3.4.9

bus bar (of photovoltaic cells)

3.1.37a)

bus lines

3.1.7

bypass diode (on a module level)

3.1.8

bypass diode (on a PV system level)

3.2.6

С

calibration

3.7.3

capacity

3.4.10

capacity factor

3.4.10b)

cell

3.1.9

3.8.3

cell area

3.4.11

cell ba mer

3.1.10

cell junction

3.1.11

3.1.34a)

cell junction temperature

3.4.12

cell manufacturer

3.7.4

3.7.14a)

cent/alced photovoltaic system

3.3.9

3.3.62a)

certificate of conformity

3.7.5

certification

3.7.6

certification body

3.7.6a)

certification mark

3.7.6b)

certification programme

3.7.6c)

certified reference photovoltaic material

3.7.7

charging efficiency

3.4.13

3.4.26c)

CIS photovoltaic cell

3.1.9a)

3.1.12

coefficient

3.4.14

collection efficiency

3.4.15 3.4.26d)

collective eiectnfkation system

3.3.10

commutation (static inverters)

3.2.7

compound semiconductor photovoltaic cell

3.1.9b)

3.1.13

concentration ratio

3.8.4

concentrator photovoltaic cell

3.1.9c)

3.8.5a)

concentrator photovoltaic module

3.8.5b)

concentrator photovoltaic receiver

3.8.5c)

concentrator photovoltaics

3.8.5d)

concentrator, receiver

3.8.5

conditioning

3.6.9

conditions

3.4.16

conformity

3.7.8

conformity evaluation

3.7.8a

conformity surveillance

3.7.8b)

conversion efficiency

3.1.14

3.4.17

conversion factor

3.4.18

crystalline silicon

3.1 .ts

3.1.58b)

current

3.1.16

current control inverter

3.2.15a)

current control type inverter

3.2.8

current density (photovoltaic cell)

3.4.19

current stiff Inverter, current stiff type inverter

3.2.15b)

current stiff type inverter

3.2.9

current-temperature coefficient

3.4.14a)

3.4.20

current-voltage characteristic

3.4.21

Czochralsiu process

3.1.17

3.1.32a)

О

damp heat test

3.6.10

3.6.15a)

dartc current

3.1.18

DC conditioner

3.2.10

DC interface

3.3.12

3.3.33c)

DC mam cable

3.2.11

DC ripple factor

3.4.22

DC side

3.3.13

DC side of the Interface

З.Э.ЗЭе)

DC side switchover

3.3.14

3.3.62e)

DC/DC Interface

3.3.11

3.3.33d)

demonstration programme

3.10.1

demonstration project

3.10.2

dependency on solar energy

3.4.23

depth of discharge

3.4.24

device

3.1.19

diffuse Irradlance

3.6.11

3.6.25a)

diffuse irradiation

3.6.12

3.6.26a)

diffusion layer

3.1.20

direct irrad lance

3.6.13

3.6.25b)

direct irradiation

3.6.14

3.6.26b)

directional solidification

3.1.21

3.1.32b)

dispatchabie electric system

3.3.1S

dispatchabie power system

3.3.64a)

dispersed array system

3.3.16

dispersed photovoltaic system

3.3.17

3.3.62b)

dispersed-array photovoltaic system

3.3.62b)

distributed generation PV system

3.3.18

3.3.62c)

distributed generation system

3.3.19

distributed generator

3.3.20

distribution system

3.3.21

domestic photovoltaic system

3.3.22

3.3.62d)

donor (in photovoltaic cells)

3.1.2 2

dopant (in photovoltaic cells)

3.1.23

dual-axis tracker

3.8.5

3.8.15a)

dye-sensitized photovoltaic cell

3.1.9d)

3.124

Е

effect

3.1.25

effective energy efficiency

3.4.25

3.4.26f)

efficiency

3.4 26

3.8.7

efficiency tolerance

3.4.260)

electrical utility

3.3.23

electrify

3.3.24

electromagnetic casting

3.1.26

3.1.32c)

electromagnetic interference

3.4 27

energy

3.4.28

energy gap

3.1.27

engineering consultant

3.9.4

environmental test

3.6.15

equivalent photovoltaic cell temperature

3.4.29

F

field test programme

3.10.3

fill fector

3.4.30

final ennuaI yield

3.4.31

3.4.96b)

final system yield

3.4.32

3.4.96c)

fixed voltage operation

3.4.33

float гопе melting

3.1 28

3.1.32d)

fresnei lens

3.8.8

G

general specification

3.9.3

generator

3.3.25

generator junction box

3.2.12

3.2.16b)

genset

3.3 26

geometric concentretion ratio

3.8.4e)

3.8.9

global rradtance

3.6.16

3.6.25c)

global «radiation

3.6.17

3.6.26c)

grid

3.3.27

gnd backed-up photovoltaic system

3.3.28

3.3.62e)

grid line

3.1.37b)

grid linea

3.1.20

grid-connected inverter

3.2.15c)

grid-connected operation

3.3.29

3.3.52c)

grid-connected photovoltaic syatem

3.3.30

3.3.62Г)

grid-dependent inverter

3.2.1Sd)

grid-dependent operation

3.3.52d)

grid-interactive inverter

3.2.15е)

H

halt teat

3.6.15b)

3.6.18

heterojuncbon

3.1.30

3.1.34b)

high frequency link inverter, high frequency link type inverter

3.2.150

high frequency link type inverter

3.2.13

homojunction

3.1.34c)

hot apot

3.1.31

hot-apot endurance teat

3.6.15c)

3.6.19

humidity freeze teat

3.6.lSd)

3.6.20

hybnd photovoltaic ayatem

3.3.31

3.3.62g)

I

Impact teat

3.6.1Se)

3.6.21

Individual electnfication ayatem

3.3.32

Ingot manufacturing proceaa

3.1.32

In-plane irradiance

3.6.22

3.6.2Sd)

input voltage operating range

3.2.14

inspection

3.7.9

inspection body

3.7.9a)

inspection body (third-parly)

3.7.9b)

install capacity

3.4.34

install power

3.4.35

installed capacity

3.4.10c)

insulation teat

3.6.150

3.6.23

Integrated irradiance

3.6.24

3.6.25e)

integrated type photovoltaic cell

3.1.9e)

3.1.33

intentional island

3.3.34a)

interface

3.3.33

interlaboratory testing

3.7.10

inverter

3.2.1S

inverter efficiency

3.4.26g)

3.4.36

inverter mismatch loss

3.4.37

3.4.45a)

irradiance

3.6.25

irradiation

3.6.26

island

3.3.34

islanding operation

3.3.35

3.3.526)

isolated operation

3.3.36

3.3.S2f)

isolated photovoltaic system

3.3.37

3.3.62h)

isolated site

3.3.36

3.3.67a)

J

junction (of aem(conductors)    3.1.34

junction box    3.2.16

L

laboratory

3.7.11

lead-ecd battery

3.2.17

lead-acid battery for PV systems

3.2.17a)

lens efficiency

3.8.7b)

3.6.10

license for certification

3.7.13

licensee (for certification)

3.7.12

light confinement effect

3.1.35

light soaking conditioning

3.6.9b)

3.6.27

light-confinement effect

3.1.25b)

line commutation

3.2.7a)

3.2.18

line commutation type

3.2.7b)

3.2.19

linearity

3.4.38

load

3.4.39

load current

3.4.39a)

load offset power system

3.3.64b)

load offset system

3.3.39

load power

3.4.39b)

load voltage

3.4.39c)

losses

3.4.40

M

maintenance contractor

3.9.8

manufacturer

3.7.14

market deployment initiative

3.10.4

master control and monitoring sub-system

3.3.40

material

3.1.36

maximum Input voltage

3.4.41

maximum power

3.4.42

maximum power current

3.4.42a)

maximum power irradiance coefficient

3.4.42b)

maximum powerpoint

3.4.42c)

maximum power point tracking

3.4.42d)

maximum power temperature coefficient

3.4.42e)

maximum power under standard operating conditions

3.4.420

maximum power under standard test conditions

3.4.42g)

maximum power voltage

3.4.42h)

maximum power voltage under standard operating conditions

3.4.421)

maximum power voltage under standard test conditions

3.4.42))

mean array efficiency

3.4.26h)

3.4.43

mechanical load test

3.6.1Sg)

3.6.28

memorandum ol understanding

3.7.1S

merchant power system

3.3.41

3.3.64c)

metallisation line

3.1.37

microcrystalkne silicon

3.1.38

3.1.58c)

micsognd

3.3.27a)

micropower system

3.3.42

micropower system or micropower station

3.3.64d)

mematch error

3.4.44

mismatch loss

3.4.4S

mode

3.3.43

module

3.1.30

module area

3.4.46

module inverter

3.2.1Sg)

module manufacturer

3.7.14b)

3.7.16

module mismatch loss

3.4.45b)

3.4.47

module packing factor

3.4.48

module surface temperature

3.4.49

module temperature

3.4.50

monitor and control sub-system

3.3.44

3.3.75a)

monochromatic tight source

3.5.2

multicry eta (line silicon

3.1.40

3.1.58d)

multi-dispersed photovoltaic system

3.3.4S

3.3.62b)

multijunction photovoltaic cell

3.1.90

3.1.41

multi-source photovoltaic system

3.3.46

3.3.62I)

N

negative load

3.4.39d)

no toad toss

3.4.51

nominal operating photovoltaic cell temperature

3.4.52

nominal system power

3.4.53

non-dispatchabte power system

3.3.64e)

non-domestic photovoltaic system

3.3.47

3.3.48

3.3.62J)

non-islanding inverter

3.2.l5h)

3.2.20

non-uniformity

3.4.54

normalisated losses    3.4.55

normalised tosses    3.4.40c)

О

off-grid domestic photovoltaic system

3.3.621)

off-grid non-domestic photovoltaic system

3.3.62m)

off-grid operation

3.3.49

3.3.S2g)

off-grid photovoltaic system

3.3 50

3.3.62k)

off-grid village photovoltaic system

3.3.62p)

on-grid

3.3 51

open-circuit voltage (photovoltaic devices)

3.4.56

open-circuit voltage under standard test conditions

3.4.S6a)

operating conditions

3.4.16b)

operation (photovolteics)

3.3.52

operations conditions

3.4.57

operator

3.9.7

optional test conditions

3.4.16c)

3.4.S6

organic photovoltaic cell

3.1.9g)

3.1.42

outdoor exposure test

3.6.1 Sh)

3.6.29

overall system efficiency

3.4.261)

3.4.59

overload capability

3.4.60

ozone content

3.6.30

P

panel

3.3.53

parallel circuit of modules

3.3.S4

parallel operation

3.3.S2h)

3.3.55

partial efficiency

3.4.26))

3.4.61

partial load efficiency

3.4.26k)

3.4.62

partial state of charge

3.4.63

3.4.86a)

participant

3.7.17

peak power

3.4.64

peak sun hours

3.4.65

performance rabo

3.4.66

photovoltaic

3.2.21

3.3 56

3.3.56a)

photovoltaic array cable

3.2.21a)

photovoltaic array field

3.3.S6P)

photovoltaic array simulator

3.5.3

photovoltaic assembly

3.3.56c)

photovoltaic cell

3.1.43a)

photovoltaic components

3.3.57

photovoltaic current

3.1.43b)

photovoltaic DC main cable

3.2.21b)

photovoltaic device

3.1.43c)

photovoltaic effect

3.1.43d)

photovoltaic elementa/equipment

3.7.18

photovoltaic energy

3.4.28a)

3.4.67

photovoltaic energy ay stem

3.3.50

photovoltaic generator

3.3.56d)

photovoltaic generator sub-system

3.3.75b)

photovoltaic tnata Nation

3.3.58

photovoltaic material

3.1.43e)

photovoltaic module

3.1.43f)

photovoltaic panel

3.3.56e)

photovoNaic plant

3.3.60

photovoltaic power ay stem, photovoltaic energy ayatem

3.3.61

photovoltaic airing

3.3.561)

photovoNaic string cable

3.2.21c)

photovoNaic sub-array

3.3.56g)

photovoNaic supply cable

3.2.210)

photovoNaic system

3.3.62

photovoNaic. photovoltaics PV

3.1.43

PIN Junction

3.1.34e)

3.1.44

plane of array Irradlance

3.6.251)

3.6.31

P-N junction

3.1.45

3.1.340

P-N junction photovoNaic cell

3.1.9h)

3.1.46

pointing axis

3.6.11

polycrystallme silicon

3.1.47

3.1.58e)

power

3.1.48

power conditioner

3.2.22

power conditioning suO-aystem

3.3.63

3.3.75c)

power efficiency

3.4.261)

3.4.68

power system

3.3.64

precipitabie water vapour content

3.6.7b)

3.6.32

primary reference photovoltaic cell

3.1.40

3.1.50a)

proficiency testing

3.7.19

project co-ordinator or general contractor

3.9.5

project developer

3.9.2

pulse type solar simulator

3.5.4

3.S.8b)

pulse width modulation control

3.2.23

PV conversion efficiency

3.4.26e)

PV power system market

3.10.5

pyranometer

3.5.5

3.S.7b)

pyrheltometer

3.5.6

3.5.7c)

О

qualification test

3.7.20

quality manual

3.7.21

quality system

3.7.22

R

radiant concentration ratio

3.8.4b)

3.8.12

radiometer

3.5.7

rated

3.4.69

rated capacity

3.4.10d)

3.4.69a)

rated condition

3.4.69b)

rated current

3.4.69c)

rated efficiency

3.4.26m)

3.4.69d)

rated load

3.4.69e)

rated power

3.4.69f)

rated power at SOC

3.4.69h)

rated power at STC

3.4.69g)

rated sun-hours

3.4.601)

rated system power

3.4.60))

rated voltage

3.4.69k)

receiver

3.6.13

reference material

3.7.23

reference photovoltaic cell

3.1.50

reference photovoltaic device

3.1.51

reference photovottaic module

3.1.52

reference spectral irradiance distribution

3.6.33

3.6.37a)

reference standard

3.7.24

reference yield

3.4.70

3.4.06d)

relative spectral response

3.4.71

3.4.82b)

relative spectral response under load

3.4.72

3.4.82c)

remote site

3.3.65

3.3.67b)

residual capacity

3.4.10е)

3.4.73

reverse power flow

3.4.74

ribbon

3.1.53

robustness of terminations test

3.6.151)

3.6.34

run-on

3.3.34c)

S

safe extra low voltage

3.4.75

safety disconnect control and monitoring sub-system

3.3.66

3.3.75d)

salt mist test

3.6.15))

3.6.35

Schottky barrier photovottaic cell

3.1.01)

Schottky barner, Schottky junction

3.1.34d)

Schottky junction

3.1.55

secondary reference photovoltaic cell

3.1.50b)

3.1.56

self-commutation

3.2.7c)

3.2.24

self-corn mutation type

3.2.7d)

3.2.25

self-discharge

3.4.76

semiconductor material

3.1.57

series resistance

3.4.77

shadow cover rate

3.4.78

sheet resistance

3.4.79

short-circuit current

3.4.80

short-circuit current under standard test conditions

3.4.80a)

Schottky barner photovoltaic cell

3.1.54

shunt resistance

3.4.81

silicon

3.1.58

silicon photovoltaic cell

3.1.9j)

3.1.59

single crystalline silicon

3.1.581)

3.1.60

single-axis tracker

3.8.14

3.8.15b)

site

3.3.67

sofi-start

3.2.26

solar

3.6.40

solar constant

3.6.40a)

solar elevation angle

3.6.4d)

3.6.41

solar energy

3.6.40b)

solar home system

3.3.68

solar photovottalc

3.2.27

3.3.69

solar photovottalc grade silicon

3.1.589)

solar photovottalc. solar photovottaica

3.1.61

solar power

3.6.40c)

solar radiation

3.6.40d)

solar simulator

3.5.8

solar simulator class

3.5.8a)

solar spectrum

3.6.40e)

spectral irradiance

3.6.259)

3.6.36

spectral irradiance distribution

3.6.37

spectral photon irradiance

3.6.25h)

3.6.38

spectral response mismatch error

3.4.82a)

spectral response under load

3.4.82d)

spectral reaponslvlty

3.4.82

spectroradiometer

3.5.7d)

spectrum

3.6.39

spetroradiometer

3.5.9

stacked photovoltaic ceil

3.1.9k)

3.1.62

stand alone photovoltaic system

3.3.71

stand-alone mverter

3.2.151)

3.2.28

stand-alone operation

3.3.52i)

3.3.70

etand-alone photovoltaic system

3.3.62П)

standard

3.7.25

standard operating conditions

3.4.16d)

3.4.83

standard test conditions

3.4.16e)

3.4.84

standby loss

3.4.85

state of charge

3.4.86

steady-state type solar simulator

3.5.8c)

3.5.10

storage sub-system

3.3.72

3.3.75e)

string

3.3.73

string cable

3.2.29

string inverter

3.2.15,)

3.2.30

sub-array

3.3.74

sub-contractor

3.9.6

sub-system

3.3.75

supply cable

3.2.31

support structure

3.2.32

system

3.3.76

system efficiency

Э.4.26П)

3.4.87

system output energy

3.4.88

system power

3.4.89

system producer

3.7.26

Т

tandem photovoltaic cell

3.1.91)

3.1.63

temporal simulator instability

3.5.11

test

3.7.32

test and calibration procedures manual

3.7.27

test conditions

3.4.16f)

3.4.90

test Irradla nee

3.6.2SI)

3.6.42

test method

3.7.31

test sequence

3.7.33

testing

3.7.28

testing laboratory

3.7.11a)

3.7.29

testing laboratory (third party)

3.7.30

3.7.11b)

textured surface

3.1.65

thermal cycling test

3.6.15k)

3.6.43

thin film photovoltaic cell

3.1.9m)

3.1.66

third-party certification

3.7.6d)

3.7.34

tilt angle

3.6.4e) 3.6.44

total cell area

3.4.1 la)

total harmonic distortion

3.4.91

total irradiance

3.6.2SJ)

3.6.45

total irradiation

3.6.26d)

3.6.46

total module area

3.4.46a)

traceability

3.7.3S

tracker

3.8.15

traneformerleaa Inverter, transformerless type inverter

3.2.15k)

transformerless type Inverter

3.2.33

transmissivity

3.6.47

transparent conducting oxide layer

3.1.64

transparent electrode

3.1.67

turbidity

3.6.48

turnkey price

3.9.1

twist test

3.6.151)

3.6.40

type approval

3.7.36

type teat

3.7.37

U

uniformity

3.7.38

unintentional island

3.3.34b)

user

3.9.0

utility frequency link Inverter, utility frequency link type inverter

3.2.151

utility frequency link type Inverter

3.2.34

utility grid

3.3.27b)

3.3.77

utility interactive inverter

3.2.15m)

3.2.35

utility interactive photovoltaic system

3.3.620}

3.3.78

utikty interface

3.3.331)

3.3.70

utility Interface disconnect switch

3.2.36

UV test

3.6.15m)

3.6.50

v

valve regulated lead-acid battery

3.2.17b)

3.2.37

vented lead-acid battery

3.2.17c)

3.2.38

verification

3.7.39

verification testing

3.7.40

voltage control inverter

3.2.15П)

voltage control type inverter

3.2.30

voltage stiff inverter, voltage stiff type inverter

3.2.15o)

voltage stiff type inverter

3.2.40

voltage-ir rad lance coefficient

3.4.14b)

3.4.92

voltage-temperature coefficient    3.4.14с)

3.4.03

W

wafer

3.1.68

watt-hour efficiency

3.4.26p)

3.4.94

weighted average conversion efficiency

3.4 26q)

3.4.95

wet leakage current teat

3.6.15n)

3.6.51

white bias tight

3.6.52

Y

yield    3.4.06

Указатель буквенных обозначений

3.6.4c) 3.4.26a) 3.4.26h) 3.1.58c) 3.4.26n) 3.4.26i) 3.4.26p)

3.6.48 3.1.S8a) 3.1.58a) 3.1.58b)

3.4.23 3.6.25g) 3.6.25h)

3.6.25 3.6.25d) 3.6.251) 3.6.25j)

3.6.26 3.6.26d) 3.4.39a) 3.4.42a) 3.4.69c)

3.4.80

3.4.80a)

3.4.21

3.4.21

3.4.19

3.4.40b) 3.4.40a) 3.4.10b) 3.1. S8d) 3.1.586) 3.4.39b)

3.4.42


а — угол к азимуту (a2imuthangie) nAh — ампер-часоввя отдача (ampere-hour efficiency)

'исподне* средняя эффективность установки (mean array efficiency) цс-Si — микрокристаллический кремний (microcrystalline silicon) nSP — КПД системы (system efficiency)

П|0| ~ общая эффективностьсиствмы (overall system efficiency)

<Vvn — эффективная энергоемкость (watt-hour efficiency) eD. X— мутность (turbidity) a-Sl — аморфный кремний (amorphoussilicon) a-Si:H — аморфный кремний (amorphoussilicon) c-Sl — кристаллический кремний (crystallinesilicon)

Dp — зависимость от солнечной энергии (dependency on solar energy)

EX — спектральная освещенность (spectral Irradiance)

Ep>. — спектральная фотонная освещенность (spectral photon irradiance)

G — освещенность (irradiance)

—    освещенность на плоскости (in-plane irradiance)

Gt — испытательнвяосвещенность(1ев1 irradiance)

GT — попнай освещенность (total Irradiance)

H — энергетическая экспозиций (irradiation)

HT — полной энергетическая экспозииий (totalirradiation) tL — токнагрузки (toad current)

—    токмаксимапьной мощности (maximum power current) tR— номинальный ток (rated current)

*sc “ ток короткого замы ка ни я (ah ort-circuit current)

'sc суи “ T0IC K°P°rKOro замыкания при стандартных условиях проведений испытаний (shorl-circurl cu rren t и nde г sta nda rd tea t cond itlons)

IV — вольт-амперная характеристика (current-voltage characteristic) l-V — aonbT-aMnepHanxapaKTepHCTHKa(current-voltagecharacteriatic)

J— плотность тока (фотоэлектрического элемента) (current density (photovoltaic cell))

Lboq — потери на компонентах равновесия системы (balance of system losses)

Lc — приведенные потери устаиовки(аггау capture losses) f-Sp — коэффициент концентрации(сарас11у factor) mc-Sl — мультикристаплический кремний (multicrystalline silicon) pc-Sl — поли кристаллический кремний (polycrystalline silicon)

PL— мощность нагрузки (load power)

PmAK — макси м а льна я мощ нос ть (m ах imu m power)

Яя— номинальная мощность (rated power)    3.4.69f)

номинальная мощность лри стандартных условиях эксплуатации (rated power at SOC)    3.4.69h)

ЯСУИ — номинальная мощность лристаидвртиыхуслоаиях испытаний (rated poweratSTC)    3.4.69g)

Яр— коэффициент преобразования энергии (performance ratio)    3.4.66

S(X) — спектральиаячувствительиость(9ресиа1гевропв1у1Гу)    3.4.82

S(A.)fe|— относительнаяслектральная чувствительность (relative spectral response)    3.4.82b)

*A — коэффициент затенения (shadow coverrate)    3.4.78

sc-SI — моиокристаллический кремний (single crystal line silicon)    3.1 .S8f)

SI — кремний (silicon)    3.1.58

SyX — спектральнаячувствительность при нагрузке (spectral response underload)    3.4.82d)

SytX)^ — относительная спектральная чувствительность при нагрузке (relative spectral response

underload)    3.4.82c)

T“e(ne> — температура внешней среды (ambient temperature)    3.6.3

^ — температура P-N перехода в солнечном элементе (cell Junction temperature)    3.4.12

VL— напряжение нагрузки (load voltage)    3.4.39c)

— напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств) (open-circuit voltage (photovoltaic

devices))    3.4.56

V'oecyn — напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний (open-circuit voltage under standard test conditions)    3.4 .S6a)

YPmae — напряжение максимальной мощности (maximum power voltage)    3.4.42h)

VR— номинальное напряжение (rated voltage)    3.4.69k)

Ya — количество часов использования мощности Я0 установкой (array yield)    3.4.96а)

Yf— окончательное количество часов использования системой мощности Р0(final system yield)    3.4.96с)

У, — эталонная отдача (reference yield)    3.4.96d)

Приложение ДА (справочное)

Сведения о соответствии ссылочных международных стандартов национальным стандартам
Российской Федерации

Таблица ДА.1

Обозначение ссылочного международного стандарта

Степень соответствии

Обозначение и наименование соответствующего иадио> мапьиого стандарта

МЭК 60904-3:1989

е

* Соответствующий национальный стандарт отсутствует. До его утверждения рекомендуется использовать перевод на русский язык данного международного стандарта. Перевод данного международного стандарта находится в Федеральном информационном фонде технических регламентов и стандартов.

УДК 697.329:006.354    ОКС 27.160    ОКП 34 8730
Ключевые слова: солнечные фотоэлектрические системы, термины, определения и символы

Редактор П.В. Афанасенко Технический редактор В Н. Прусакова Корректор В.И. Воронцова Компьютерная верстка А Н. Зопотаровой

Сдано е набор 27.11.2014. Подписано а печать 29.12.2014.    Формат 60 ■ 64Гарнитура Ариал.

Уел. печ. п. 9.77 Уч.*изд. л. 9.2S. Тираж 37 эи. Зам 236.

Издано м отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ>. I2399S Москва. Гранатный пер.. 4.