ГОСТ Р 71074-2023
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Integrated circuits. Magnetic bubble integrated circuits memory. Terms, definitions and letter symbols characteristics
ОКС 31.200
Дата введения 2024-03-01
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1312-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой - светлым, синонимы - курсивом.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском (en) языке.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (далее - микросхемы ЗУ ЦМД), применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем ЗУ ЦМД, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД приведены в приложении А.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем ЗУ ЦМД в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
Параметры микросхем ЗУ ЦМД
1
(информационная) емкость (микросхемы ЗУ ЦМД) : Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве. [Адаптировано из ГОСТ 25492-82, статья 26] | data capacity Q |
2 скорость передачи (данных микросхемы ЗУ ЦМД) : Количество бит информации, передаваемой в единицу времени. | data transfer-rate V | |
3 выходное напряжение высокого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) : Значение напряжения высокого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | high-level output voltage | |
4 выходное напряжение низкого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) : Значение напряжения низкого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | low-level output voltage | |
5 среднее время выборки (микросхемы ЗУ ЦМД) : Время выборки среднего разряда средней страницы. | average access time | |
6 рабочая частота (микросхемы ЗУ ЦМД) : Частота переменного или импульсного тока управления микросхемы ЗУ ЦМД. | drive frequency |
7
потребляемая мощность (интегральной микросхемы ЗУ ЦМД) : Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме. [Адаптировано из ГОСТ Р 57441-2017, статья 66] | power consumption |
8 рабочий диапазон температур (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | operating temperature range | |
9 диапазон температур хранения информации (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | non-volatility storage temperature range |
10
отношение сигнал - помеха (микросхемы ЗУ ЦМД) * : Отношение величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи. Примечание - В качестве величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи, берут их средние мощности, среднеквадратические значения, пиковые отклонения, энергии и т.п. Способ определения этих величин должен всегда оговариваться особо. [Адаптировано ГОСТ 16465-70, статья 27] | signal-to-noise ratio * |
Параметры режима эксплуатации и (или) измерений микросхем ЗУ ЦМД
11 ток управления (микросхемы ЗУ ЦМД) , : Амплитуда переменного (или импульсного) тока определенной частоты через узел управления микросхемы ЗУ ЦМД (электромагнитные катушки, специальные токопроводящие слои и др.), который обеспечивает работоспособность микросхемы в режиме записи и считывания информации. | control current , | |
12 ток генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через генератор микросхемы ЗУ ЦМД, который необходим для образования ЦМД при записи информации, представленной логической единицей. | generate current | |
13 ток ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию ввода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистра ввода в регистры хранения информации. | transfer-in current | |
14 ток вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию вывода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистров хранения в регистр вывода информации. | transfer-out current | |
15 ток обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию обмена информации, который необходим для одновременного перевода ЦМД из регистра ввода-вывода информации в регистры хранения и из регистров хранения - в регистр ввода-вывода информации. | swap current | |
16 ток репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для осуществления операции деления ЦМД. | replication current | |
17 ток вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) : Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для перевода ЦМД в регистр вывода информации непосредственно после операции деления. | transfer-out current in replication mode | |
18 ток детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) : Рабочий (постоянный или импульсный) ток через детектор микросхем ЗУ ЦМД. | detector current | |
19 длительность импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | generator width | |
20 длительность импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУЦМД) : - | transfer-in width | |
21 длительность импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer-out width | |
22 длительность импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : - | swap width | |
23 длительность импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | replication width | |
24 длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer-out width in replication mode | |
25 время задержки импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД*) : - | generator length | |
_______________ * Задержка определяется как интервал времени между началом периода работы микросхемы ЗУ ЦМД (нулевая фаза) и передним фронтом импульса. Допускается использовать термин "фаза" (пояснение относится к статьям 19-29). | ||
26 время задержки импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer-in length | |
27 время задержки импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer-out length | |
28 время задержки импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) : - | swap length | |
29 время задержки импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | replication length | |
30 сопротивление генератора (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | bubble generator resistance | |
31 сопротивление переключателя ввода (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer in gate resistance | |
32 сопротивление переключателя вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer out gate resistance | |
33 сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | transfer gate resistance | |
34 сопротивление переключателя-репликатора (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | replicate gate resistance | |
35 сопротивление переключателя обмена (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | swap gate resistance | |
36 сопротивление комбинированного переключателя (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | combined gate resistance | |
37 сопротивление детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) : - | detector resistance | |
38 разность сопротивлений (детекторов микросхемы ЗУ ЦМД) : Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов узла регистрации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД. | resistance difference | |
39 сопротивление узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) , : - | control scheme resistance , | |
40 индуктивность узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) , : - | control scheme inductance , | |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
время выборки микросхемы ЗУ ЦМД среднее | 5 |
время выборки среднее | 5 |
время задержки импульса тока ввода | 26 |
время задержки импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 26 |
время задержки импульса тока вывода | 27 |
время задержки импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 27 |
время задержки импульса тока генерации | 25 |
время задержки импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | 25 |
время задержки импульса тока обмена | 28 |
время задержки импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | 28 |
время задержки импульса тока репликации | 29 |
время задержки импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | 29 |
диапазон температур микросхемы ЗУ ЦМД рабочий | 8 |
диапазон температур рабочий | 8 |
диапазон температур хранения информации | 9 |
диапазон температур хранения информации микросхемы ЗУ ЦМД | 9 |
длительность импульса тока ввода | 20 |
длительность импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 20 |
длительность импульса тока вывода | 21 |
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации | 24 |
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | 24 |
длительность импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 21 |
длительность импульса тока генерации | 19 |
длительность импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | 19 |
длительность импульса тока обмена | 22 |
длительность импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | 22 |
длительность импульса тока репликации | 23 |
длительность импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | 23 |
емкость | 1 |
емкость информационная | 1 |
емкость микросхемы ЗУ ЦМД | 1 |
емкость микросхемы ЗУ ЦМД информационная | 1 |
индуктивность узла управления | 40 |
индуктивность узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | 40 |
мощность интегральной микросхемы ЗУ ЦМД потребляемая | 7 |
мощность потребляемая | 7 |
напряжение высокого уровня выходное | 3 |
напряжение высокого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | 3 |
напряжение низкого уровня выходное | 4 |
напряжение низкого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | 4 |
отношение сигнал - помеха | 10 |
отношение сигнал - помеха микросхемы ЗУ ЦМД | 10 |
разность сопротивлений | 38 |
разность сопротивлений детекторов микросхемы ЗУ ЦМД | 38 |
скорость передачи | 2 |
скорость передачи данных микросхемы ЗУ ЦМД | 2 |
сопротивление генератора | 30 |
сопротивление генератора микросхемы ЗУ ЦМД | 30 |
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода | 33 |
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода микросхемы ЗУ ЦМД | 33 |
сопротивление детектора | 37 |
сопротивление детектора микросхемы ЗУ ЦМД | 37 |
сопротивление комбинированного переключателя | 36 |
сопротивление комбинированного переключателя микросхемы ЗУ ЦМД | 36 |
сопротивление переключателя ввода | 31 |
сопротивление переключателя ввода микросхемы ЗУ ЦМД | 31 |
сопротивление переключателя вывода | 32 |
сопротивление переключателя вывода микросхемы ЗУ ЦМД | 32 |
сопротивление переключателя обмена | 35 |
сопротивление переключателя обмена микросхемы ЗУ ЦМД | 35 |
сопротивление переключателя-репликатора | 34 |
сопротивление переключателя-репликатора микросхемы ЗУ ЦМД | 34 |
сопротивление узла управления | 39 |
сопротивление узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | 39 |
ток ввода | 13 |
ток ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 13 |
ток вывода | 14 |
ток вывода информации в режиме репликации | 17 |
ток вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | 17 |
ток вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | 14 |
ток генерации | 12 |
ток генерации микросхемы ЗУ ЦМД | 12 |
ток детектора | 18 |
ток детектора микросхемы ЗУ ЦМД | 18 |
ток обмена | 15 |
ток обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | 15 |
ток репликации | 16 |
ток репликации микросхемы ЗУ ЦМД | 16 |
ток управления | 11 |
ток управления микросхемы ЗУ ЦМД | 11 |
частота микросхемы ЗУ ЦМД рабочая | 6 |
частота рабочая | 6 |
Алфавитный указатель терминов на английском языке
average access time | 5 |
bubble generator resistance | 30 |
combined gate resistance | 36 |
control current | 11 |
control scheme inductance | 40 |
control scheme resistance | 39 |
data capacity | 1 |
data transfer-rate | 2 |
detector current | 18 |
detector resistance | 37 |
drive frequency | 6 |
generate current | 12 |
generator length | 25 |
generator width | 19 |
high-level output voltage | 3 |
low-level output voltage | 4 |
non-volatility storage temperature range | 9 |
operating temperature range | 8 |
power consumption | 7 |
replicate gate resistance | 34 |
replication current | 16 |
replication length | 29 |
replication width | 23 |
resistance difference | 38 |
signal-to-noise ratio | 10 |
swap current | 15 |
swap gate resistance | 35 |
swap length | 28 |
swap width | 22 |
transfer gate resistance | 33 |
transfer in gate resistance | 31 |
transfer out gate resistance | 32 |
transfer-in current | 13 |
transfer-in length | 26 |
transfer-in width | 20 |
transfer-out current | 14 |
transfer-out current in replication mode | 17 |
transfer-out length | 27 |
transfer-out width | 21 |
transfer-out width in replication mode | 24 |
Приложение А
(справочное)
Термины и определения общих понятий, буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД
Общие понятия
А.1 интегральная микросхема запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах; микросхема ЗУ ЦМД: Интегральная микросхема с функциональными узлами, обеспечивающими передачу и хранение информации, представленной ЦМД. | magnetic bubble microcircuit memory | |
А.2 структура управления (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для осуществления операций записи и считывания, а также хранения информации, представленной последовательностью ЦМД. | control structure | |
А.3 массив хранения (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, содержащая совокупность информационных регистров, служащих для хранения и перемещения информации, представленной последовательностью ЦМД. | storage array | |
А.4 функциональный элемент (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть микросхемы ЗУ ЦМД, которая выполняет определенную функцию и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. | functional element | |
А.5 функциональный узел (микросхемы ЗУ ЦМД): Совокупность функциональных элементов микросхемы ЗУ ЦМД, обеспечивающая выполнение определенной операции. | functional scheme | |
А.6 информационный регистр (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для хранения информации. | minor loop | |
А.7 регистр ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам при записи информации и от информационных регистров к детектору при считывании информации. | input loop | |
А.8 регистр ввода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам | input register | |
А.9 регистр вывода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от информационных регистров к детектору при считывании информации. | output register | |
А.10 генератор ЦМД зарождающего типа микросхемы ЗУ ЦМД; зарождающий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем их контролируемого зарождения | nucleate generator | |
А.11 генератор ЦМД репликаторного типа микросхемы ЗУ ЦМД; реплицирующий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем реплицирования базового домена. | replicating generator | |
А.12 переключатель ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет ввод информации из регистра ввода в регистры хранения. | transfer-in gate | |
А.13 переключатель вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет вывод информации из регистров хранения в регистр вывода. | transfer-out gate | |
А.14 переключатель ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции переключателя ввода и (или) переключателя вывода. | transfer gate | |
А.15 переключатель обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет одновременный ввод и вывод информации. | swap gate | |
А.16 переключатель-репликатор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функцию деления ЦМД и вывода информации. | replicate gate | |
А.17 комбинированный переключатель (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции ввода информации, вывода информации, обмена информации, деления ЦМД и вывода информации. | combined gate | |
А.18 узел детектирования (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для регистрации ЦМД. | detector scheme | |
А.19 рабочий детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для выделения сигнала от ЦМД. | active detector | |
А.20 компенсационный детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для компенсации сигналов помех. | dummy detector |
Типы организации микросхем ЗУ ЦМД
А.21 последовательная организация: Организация микросхемы в виде одного автономного информационного регистра. | major loop organisation | |
А.22 последовательно-параллельная организация: Организация микросхемы в виде некоторой совокупности информационных регистров, объединенных регистром (или регистрами) ввода и вывода информации. | major-minor loop organisation | |
А.23 организация с замкнутым регистром ввода-вывода информации: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены одним замкнутым регистром ввода-вывода информации. | closed Input loop organisation | |
А.24 организация с раздельными регистрами ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации. | separate Input loops organisation | |
А.25 организация с обменным переключателем: Последовательно-параллельная организация микросхемы с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации. | swap gate organisation | |
А.26 организация с разомкнутым регистром ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы с одним разомкнутым регистром ввода-вывода и переключателем комбинированного типа. | open Input loop organisation | |
А.27 организация блочным реплицированием: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой совокупность информационных регистров разделена на определенное число блоков. | block replicate organisation |
Основные сигналы для микросхем ЗУ ЦМД
А.28 X-сигнал управления продвижением доменов X: - | X-domain progress control signal X | |
А.29 Y-сигнал управления продвижением доменов Y: - | Y-domain progress control signal Y | |
А.30 сигнал выходной информации С: - | transfer-out signal O | |
А.31 импульс генератора Г: - | generator pulse G | |
А.32 импульс ввода информации Вв: - | transfer-in pulse D | |
А.33 импульс вывода информации В: - | transfer-out pulse Q | |
А.34 импульс обмена информации ОБ: - | swap pulse S | |
А.35 импульс тока репликации Р: - | replication current pulse R | |
А.36 импульс тока вывода в режиме репликации Р-В: - | transfer out pulse in replication mode RQ |
УДК 621.38:006.354 | ОКС 31.200 |
Ключевые слова: микросхемы интегральные, запоминающие устройства, цилиндрические магнитные домены, термины, определения, буквенные обозначения | |
