50 коп.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. КОММУТАТОРЫ И КЛЮЧИ
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 27780-88
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ Москва
УДК 621.3.049.77:006.354 Группа 929
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ стандарт СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. КОММУТАТОРЫ и ключи
Методы измерения электрических параметров ГОСТ
27780—88
Integrated circuits. Multiplexers and switches.
Methods for measuring electric parameters
OKU 63 3000
Срок действия с 0I.0I.9O до 01.01.9В
Настоящий стандарт распространяется на микросхемы класса коммутаторов и ключей и устанавливает требования для методов измерения электрических’ параметров (далее — параметров) микросхем.
Термины, определения и буквенные обозначения — по ГОСТ 19480—89 и нормативно-технической документации.
t. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ
1.1. Условия и режим измерений
1.1.1. Условия измерений должны соответствовать ГОСТ 20-.57.406—81 и требованиям, приведенным в стандартах или технических условиях (далее —ТУ) на микросхемы конкретных типов:. Измерения проводят при температуре окружающей среды или при температуре на корпусе (теплоотводе), установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
1.1.2. Электрический режим (тестовые напряжения и токи), количество источников постоянного и (или) импульсного напряжения (тока), последовательность подачи напряжений и токов (при необходимости), полярность источников напряжения (тока) должны соответствовать установленным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
Издание официальное
Перепечатка воспрещена
© Издательство стандартов, 1988 © Издательство стандартов, 1990 Переиздание с Изменениями
С. 2 ГОСТ 27780-88
1.1.3. Выводы, а также аналоговые входы н выходы микросхемы, не включенные в измерительную цепь, долускается подключать к общей шине.
(Введем дополнительно, Изм. № 2).
1.2. Аппаратура
1.2.1. Средства измерений должны соответствовать требованиям ГОСТ 22261—8-2 и требованиям, установленным в настоящем стандарте. При этом для нестандартнзованных средств измерений испытания на климатические и механические воздействия, а также испытания на надежность допускается не проводить.
1.2.2. Для защиты микросхем от перегрузок, возникающих под действием переходных процессов в цепях коммутации измерительных установок, статического электричества и паразитного самовозбуждения, измерительные установки должны быть снабжены устройствами защиты, исключающими возможность выхода микросхем из строя. Введение устройства защиты не должно приводить к нарушению режимов и к увеличению установленной по-грешно-сти измерения.
1.2.3. Коэффициент пульсации источников постоянного напряжения (тока) не должен выходить за пределы ±1%. Источники постоянного напряжения (тока) должны обеспечивать и поддерживать напряжение (токи) на выводах микросхемы с погрешностью в пределах ±1%.
1.2.4. Источники переменного и импульсного напряжения (тока) должны обеспечивать и поддерживать напряжения (токи) на выводах микросхемы с погрешностью в пределах ±5%.
1.2.5. Погрешность измерительных установок должна соответствовать требованиям, установленным в настоящем стандарте. В измерительных установках, электрические структурные схемы которых приведены в настоящем стандарте, допускается дополнительно включать или исключать измерительные приборы и другие элементы, а также изменять места их подключения. Эти уточнения не должны изменять метод и погрешность измерения.
1.2.6. Нестабильность напряжения (тока) источников питания. вызванная изменениями напряжения электрической сети и окружающей температуры, для источников постоянного напряжения' (тока) — в пределах ±1%. дли источников переменного и импульсного напряжения (тока) — в пределах ±2%.
1.2.7. Методы измерения электрических параметров микросхем должны содержать требования к основной погрешности измерительных приборов и (или) установок. Основная погрешность не должна включать составляющую погрешности, связанную с дистанционными измерениями.
1.3. Показатели точности измерения
1.3.1. Показатели точности измерения приводят в методах измерения, приведенных в настоящем стандарте.
ГОСТ 27780—ав G 3
1.3.2. Погрешность измерения включает частные погрешности, которые рассчитывают по формулам:
^-а^К (1)
«<- -^ . (2)
где д( —■частная погрешность Лго источника погрешности;
а( — относительный коэффициент влияния;
Ьг —абсолютный коэффициент влияния;
б(Х/ ) — относительная погрешность Гго источника погрешности;
&(*, ) — абсолютная погрешность f-ro источника погрешности;
у — значение измеряемого параметра.
1.3.3. Коэффициенты влияния определяют аналитически или экспериментально по зависимостям измеряемого параметра от параметра t-го источника погрешности по формулам:
»,= . ю
где Уу, Д'х{ —приращение соответственно измеряемого параметра и параметра Гго источника погрешности (графически отношение приращений численно равно тангенсу угла наклона касательной);
*«о . Уо — значение соответственно параметра Л го источника погрешности и измеряемого параметра в точке измерения.
При нелинейной зависимости измеряемого параметра от параметра i-ro источника погрешности коэффициент влияния определяют в точке с наибольшей крутизной.
1.4. Требования безопасности
1.4.1. Общие требования безопасности к проведению измерений параметров коммутаторов и ключей—по ГОСТ 32.3.019—80.
1.4.2. Требования безопасности при выполнении защитного заземления или зануления измерительных установок—по ГОСТ 12 1.030-81.
1.4.3. Требования безопасности к конструкции измерительных установок должны соответствовать требованиям, установленным в ГОСТ 12 2.007.0—75, стандартах или ТУ на приборы и измерительные установки и «Правилах устройства электроустановок», утвержденных Госэнергонадзором.
1.4.4. Требования безопасности к конструкции измерительных установок должны соответствовать требованиям, установленным в ГОСТ 12.2.007.0—75, стандартах или ТУ на приборы н измерительные установки и «Правилах устройства электроустановок», утвержденных Госэнергоиадзором.
С. 4 ГОСТ 277-80—88
1.4.5. Требования безопасности к проведению намерений параметров на измерительно-вычислительных комплексах —по ГОСТ 22261—82.
2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ В ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ Н ОСТАТОЧНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
2.1. Принцип измерения
Метод основан на измерении напряжения между аналоговым входом и выходом открытого канала микросхемы при заданном значении тока.
2.2. Аппаратура
2.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.
ОЛ — юмер«еи«л микросхема; Si, $2. ... . $m — акклоговьсе входи Di. D2. .... О, - им«о1М выходи; INf, INI.....IN — управляющие эходи; у — виэод ПИТ8ИИК: Ol-Gl — ИСТОЧНИКИ постимого ыпрхжеви»; G5 — источник постоянного -ток»; $42, $4j — переключатели; SA! — коммутационное устройство, оСессе кивающее подключение tNl. !Ni_ .... IN i к GJ, G2; PV — измеритель напряжения
Черт. I
2.2.2. Погрешность измерителя напряжения PV не должна выходить за пределы ±1% при £/>500 мВ и ±2% —при У< <500 мВ.
Входное сопротивление измерителя напряжения PV (Rb*pv) должно удовлетворять условию
R»x pv ^-lOORn, miI1 (5)
где ./?<,„„-„ —максимальное значение сопротивления в открытом состоянии измеряемой микросхемы.
Измеритель RV может быть проградуирован в единицах сопротивления.
ГОСТ 27780—«в С. 5
2.3. Подготовка и проведение измерений
2.3.1. К измерительной установке подключают микросхему.
2.3.2. От источников GI—G5 подают режим, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов.
2.3.3. Измерителем напряжения PV определяют напряжение U между аналоговым входом и выходом. Напряжение U является остаточным напряжением микросхемы.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
2.3.4. Измерения проводят для всех каналов микросхемы.
2.4. Обработка результатов
Сопротивление (/?оп) микросхемы в открытом состоянии рассчитывают по формуле
Rm- -г- . (в)
где / — ток, задаваемый источником постоянного тока G5-, t/ —см. п. 2.3.3.
2.5. Показатели точности измерения
Погрешность измерения сопротивления в открытом состоянии микросхемы —в пределах ±5%> с вероятностью 0,95. При значении измеряемого параметра <5 Ом погрешность измерения — в пределах ± 10% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения сопротивления в открытом состоянии приведен в приложении I (разд. 1).
3. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ТОКОВ УТЕЧКИ АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА
3.1.Принцип измерений
Метод основан на измерении поступающего от источников напряжения тока утечки, протекающего через аналоговый вход (выход) при закрытом канале.
3.2. Аппаратура
3.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 2.
3.2.2. Погрешность измерителей тока РА/ и РА2 не должна выходить за пределы ±1% при значении измеряемого параметра более 10 мА, ±5% —при значении в интервале от 100 нА до 10 мА. ±7% — при значении до 100 нА.
33. Под готов к а и проведеяие измерений
3.3.1. К измерительной установке подключают микросхему.
3.3.2. От источников напряжения G3—G5 подают режим, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов.
3.3.3. На управляющие входы подают от источников напряжения G1 и G2 заданную в ТУ на микросхемы конкретных типов комбинацию напряжения, обеспечивающую закрытое состояние измеряемого канала.
С. 6 ГОСТ 27780-88
ОЛ — имер«ем« микросхем*: 3/, 3?. ..., Sn — аналоговые
ВХОДЫ; DI, D}..... Ья — аналоговые выходы ПИ. INt, _., IN k — управляющие входы; U — вывод питания; Gl—Gt — источиихи поетовкаого напряжения; ЗА?. 343 — переключат*, ли: ЗД/ — коммутационное устройство, овсспачпающве под. ключеаке ГШ. INt. .... !Nt к Gl. Gi; РА). РАЗ — ммерители
тока
Черт. 2
3.3.4. Ток утечки аналогового входа измеряют измерителем тока РА1, ток утечки аналогового выхода — измерителем тока РА2.
3.3.5. Измерение проводят для всех каналов микросхемы. Допускается измерять ток утечки при параллельном соединении аналоговых входов (выходов), что указывается в ТУ на микросхемы конкретных типов.
3.4. Показатели точности измерения
Погрешность измерения тока утечки аналогового входа (выхода) микросхемы — в пределах ±10% с вероятностью 0,95. При значении измеряемого параметра <10 нА—в пределах ±15% с вероятностью 0,95.
Расчеты показателей точности измерения тока утечки аналогового входа н тока утечки аналогового выхода приведены в приложении I (разд, 2, 3).
4. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ВХОДНОГО ТОКА ВЫСОКОГО Н НИЗКОГО УРОВНЕЙ управляющего напряжения
4.1. Принцип измерений
Метод основан на измерении тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, при подаче на него высокого клй низкого уровня управляющего напряжения.
4.2. Аппаратура
гост 2 7 780-88 С. 7
4.2.1. Измерение следует проводить на установке, электричес-кая структурная схема которой приведена на черт. 3.
4.22. Погрешность измерителя тока РА не должна выходить за пределы ±1% при значении измеряемого параметра более 10 мА, ±5%-лри значении в интервале от 100 нА до 10 мА, ±7% — при значении до 100 нА.
DA — измеряемая микросхем»: INI, IH1, .., . f^H •“ управляющие МОАМ; У — виаод пи-тавня; (fl, G1 — «стояние» постоя того м-пряжеииж; ЗЛ — пер«жЛ!Очател»; РЛ — »4-иернтель тома
Черт. 3
•4.3. Подготовка и проведение измерений
4.3.1. К измерительной установке подключают микросхему.
4.3.2. От источника напряжения G2 подают напряжение, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
4.3.3. От истопника G1 на управляющий вход подают соответственно напряжение высокого* или низкого уровня, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
4.3.4. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения или входной ток низкого уровня управляющего напряжения измеряют измерителем тока РА.
4.3.5. Измерение проводят для всех управляющих входов микросхемы. Допускается измерять входной ток высокого (низкого) уровня управляющего напряжения при параллельном соединении ■управляющих входов, что указывается в ТУ на микросхемы кон-жрет нм х типов.
4.4. Показатели точности измерения
Погрешность измерения входного тока высокого (низкого) уровня управляющего напряжения микросхемы — в пределах ±10% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения входного тока высокого '(низкого) уровня управляющего напряжения приведен в (приложении J (разд. 4.).
3 Зек 1028
С. 8 ГОСТ 2 7780-88
5. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ, ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ И ВЫСОКОМ УРОВНЯХ УПРАВЛЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ РАСЧЕТ ПОТРЕБЛЯЕМОЙ МОЩНОСТИ
5.1. Принцип измерения
Метод основан на измерении тока, протекающего через вывод литания микросхемы, при подаче на управляющие входы переменного (импульсного) напряжения, напряжения низкого или высокого уровней.
5.2. Аппаратура
5.2 1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 4.
JM
ЛЛ — и<«ерчеиа» яакроисма; /.VI. INf. ..и, /К* — управляющие входы; О — вывод наткана: GJ — источим* U0CTMH1MC0 нап^жеаяя; G1 — источник постоянного или ампульспог» ча-пряженхя: РА — итмсрхтель ток»
Черт. 4
5.2.2. Погрешность измерителя тока РА нс должна выходить за пределы ±3%.
5 3. Подготовка и проведение измерений
5.3.1. Подключают микросхему к измерительной установке.
5.3.2. От источника напряжения G2 подают на вывод литания напряжение, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
5.3.3. От источника напряжения G1 подают на управляющие входы переменное (импульсное) напряжение, напряжение низкого или высокого уровня, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов. При измерении тока потребления в ТУ на микросхемы конкретных типов дополнительно указывают комбинацию управляющих напряжений низкого и высокого уровней или частоту управляющего напряжения.
5.3.4. Ток потребления, ток потребления при низком и высоком уровнях управляющего напряжения измеряют измерителем тока РА.
5.3.5. Измерения проводят для всех выводов питания или в общем проводе микросхемы, что указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов.
5.3.6. Потребляемую мощность (Р.пт) рассчитывают как сумму произведений токов потребления на напряжение источника питания всех выводов питания микросхемы по формуле
^(^“^nOTj^n,+/пот, С/п, 4-..., (?)
где /••»,»/пот,—токи потребления;
УП1, //«,—напряжения источников литания.
ГОСТ 27780-88 С 9
5.4. Показатели точности измерения
Погрешность измерения тока потребления, тока потребления при низком: и высоком уровнях управляющего напряжения микросхем—в пределах ±5% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения тока потребления при низком и высоком уровнях управляющего напряжения приведен в приложении 1 (разд. 5).
«. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ВКЛЮЧЕНИЯ, ВЫКЛЮЧЕНИЯ
И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
6.1. Принцип измерения
Метод основан на измерении интервала времени между импульсами управляющего и выходного напряжений при заданных уровнях отсчета.
ПА — няжряемхя микросхем!; Si. S3. — ■ Sm — «налоговые входы: О/, til. ...,D„ — вивлоеовые выходы; Wi, INI. ... Hi* — упрнлвовк ахосы;
U — вывод ангання; Gl—Gg — иствчиики пхтишого напряжение. G/ — техератор импульсов; S3/ — ком мути «конвое устройство. овклеп1мпю« «одмючеяие INI, INI. .... JN^ к Ol—Cl; SAI - коимуглииовяоа устройство, обеспечивающее подключение 5/, St.....5Я ж Gl. (IS; SA3 — переключателе: *м — сопротивление ивгрузки; Си — емкость иагрувкм: Р — кхмерм-тел» временных интервале»
Черт. 5
6.2. Аппаратура
6.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. о.
6.2.2. Значения амплитуды верхнего н нижнего уровней импульса, длительности импульса, длительности фронта и (или)
3*
С. 10 ГОСТ 27780-М
среза импульса, частоты следования или скважности устанавливают в ТУ на микросхемы конкретных типов.
6.2.3. Погрешность установления и поддержания уровней отсчета не должна выходить за пределы ± 10% .
6.2.4. Погрешность измерителя временных интервалов Р (осциллографа или другого измерительного устройства) не должна выходить за пределы ±5% при значении измеряемого параметр» более 300 нс, ±8% — при значении в интервале от 10 нс до 300 нс; устанавливается в ТУ на микросхемы конкретных.типов при значении менее 10 нс.
Измеритель временных интервалов Р должен иметь время нарастания переходной характеристики (/„р ), соответствующее неравенству:
t^< -4- I, (8>
где / — время включения, выключения, переключения микросхемы.
6.2.5. Значения сопротивления н емкости нагрузки должны соответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.. Допустимое отклонение сопротивления нагрузки не должно выхолить за пределы ±1%, емкости нагрузки — за пределы ±5%_
В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора и входное сопротивление измерителя временных интервалов, в емкость нагрузки —емкость нагрузочного конденсатора, емкость измерителя временных интервалов и емкость монтажа.
6.2.6. Генератор импульсов G1 и измеритель временных интервалов Р при необходимости могут соединяться с измеряемой! микросхемой согласованной линией связи. При этом условия согласования должны быть указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
6.2.7. При измерении времени включения, выключения и переключения комбинация всех потенциалов на управляющих входах должна обеспечивать соответственно открывание (включение^ канала, закрывание (выключение) канала, переход в противоположное состояние двух каналов (переключение) микросхемы.
6.3. Подготовка и проведение измерений
6.3.1. К измерительной установке подключают микросхему.
6.3.2. Or источников постоянного напряжения G2—G6 и генератора импульсов G1 подают напряжения, указанные в ТУ на. микросхемы конкретных типов.
6.3.3. Время включения и (или) выключения, а также врем» переключения измеряют измерителем временных интервалов Р:
6.3.4. Время включения, выключения и переключения определяют как интервал времени между уровнями отсчета на фронтам
ГОСТ 27780—«8 С. ГП
или срезах импульсов управляющего и выходного напряжений в режиме соответственно включения, выключения, переключения-Пример графического представления времени включения, выключения и переключения приведен на черт. 6.
6.3.5. Уровень отсчета импульса управляющего напряжения устанавливают равным 50% амплитуды импульса, уровень отсчета импульса выходного напряжения устанавливают в ТУ на ми-
С. 12 ТОСТ 27780 -8»
кросхемы конкретных типов. При измерении времени выключения уровни отсчета устанавливают таким образом, чтобы время выключения определялось в основном свойствами микросхемы, а не внешними электрическими цепями. Требования к установлению уровней отсчета импульсов приведены в приложении 2.
6.3.6. Измерение времени включения и выключения проводят по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов. Измерение времени переключения проводят при переключении каналов, указанных в ТУ на микросхемы конкретных типов.
6.4. Показатели точности измерения
Погрешность измерения времени включения, выключения и переключения — в пределах * 10% с вероятностью 0,95. При значении измеряемого параметра <5 нс погрешность измерения — в пределах ± 15% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения времени включения, выключения и переключения приведем в приложении | (разд. 6).
7. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА РАЗОМКНУТЫМ КЛЮЧОМ И КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ
ПО НАПРЯЖЕНИЮ
71 Принцип измерений
Метод основан на измерении переменной составляющей выходного напряжения закрытого (открытого) канала при подаче на аналоговый вход коммутируемого напряжения переменного тока.
( Измененная редакция, Йзм. .4 2).
7.2. Аппаратура
7.2.1, Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 7.
7.22. Погрешность измерителей переменного напряжения должна быть в пределах ±5%. Допускается применять в качестве измерителей переменного напряжения PVt, PV2 измеритель отношений.
7.2.3. Погрешность, вносимая контактирующим устройством измерительной установки за счет паразитных емкостей контактов, не должна выходить за пределы ±5% значения измеряемого напряжения сигнала.
7.2.4. Полосовой фильтр А устанавливают при наличии помех. Погрешность значения коэффициента передачи полосового фильтра не должна выходить за пределы ±3%. Полосу пропускания полосового фильтра указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов.
7.2.5. Значения сопротивления нагрузки, сопротивления резистора на аналоговом входе и емкости нагрузки должны соответство-
ГОСТ 27780-М С. 13
вать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов. В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора, входное сопротивление полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов, в емкость нагрузки — емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов и емкость монтажа.
DA — шыарисмвя иякфОсЛВМВ; Si, Si. ... , S^ — имлоговые входи; Di, DI. .... Dn — авклоговые выходи. INI. INI. ... . Hl^ — управляющие входи; 1} — вывод литвина; 01— ИЗ _ жгоапжки постоянного вавряжмва; 0-1 — гспервтор скяусохдахыюсо напряжения; SA! - коммутационное устройство, обеспечивают*» подключая»» хеточвикс» постоянного ■впр«ж«пив Gl. G1 к управляющим входам INI, INT, ... , tN *; ЗАЗ. SAT — п*р*кл»чвте*и; А — полосовое фильтр; я — реанстор ва а налоговом входе; Я „ — еопротм*«и»е нагрузки;
С’н — емкость нагрузки; PV1. PVt — измерителя синусоидального напряжения Черт. 7
Допустимое отклонение сопротивления резистора нагрузки и сопротивления резистора на аналоговом входе не должно выходить за пределы ±1%, емкости нагрузки —за пределы ±5%.
/3. Подготовка и проведение измерений
7.3.1. К измерительной установке подключают микросхему.
7.3.2. От источников постоянного напряжения GI—G3 и от генератора синусоидального напряжения G4 подают напряжения, указанные в ТУ на микросхемы конкретных типов.
7.3.3. Измерителями синусоидального напряжения PV1 и PV2 измеряют переменные напряжения.
7.3.4. Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом н коэффициент передачи по напряжению измеряют по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
7.4. Обработка результатов измерений
Значение коэффициента подавления сигнала разомкнутым ключом (Хпод к) в децибелах определяют по формуле
К„я.й=201в^^ (8а)
С. 14 ГОСТ 27780-88
где U*,, UM —соответственно действующее напряжение, измеренное измерителями PVt, PV2, мВ;
^пu — коэффициент передачи полосового фильтра.
Значение коэффициента передачи по напряжению (Кни) в единицах и в децибелах определяют по формулам:
Knv- V^7 ’ (8б)
К,и =201g Ai- . (Зв)
При отсутствии ПОЛОСОВОГО фильтра Каи “1-
7.5. Показатели точности измерений
Погрешность измерения коэффициента подавления сигнала разомкнутым ключом и коэффициента передачи по напряжению — в пределах ±10% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения коэффициента подавления сигнала разомкнутым ключом и коэффициента передачи по напряжению приведен в приложении 3 (разд. 1).
7.3.4.—7.5. (Измененная редакция, Изм. № 2).
8. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ АМПЛИТУДЫ ВЫБРОСОВ НАПРЯЖЕНИЯ
НА АНАЛОГОВОМ ВЫХОДЕ. РАСЧЕТ ИНЖЕКТИРОВАННОГО ЗАРЯДА
0.1. Принцип измерений
Метод основан на измерении импульсного напряжения на аналоговом выходе микросхемы в режиме переключения при наличии или отсутствии коммутируемого напряжения.
8.2. Аппаратура
8.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 8.
8.2.2. Погрешность измерителя импульсного напряжения Р не должна выходить за пределы ±5%.
8.2.3. Значения амплитуды верхнего к нижнего уровней управляющего импульса, длительности управляющего импульса, длительности фронта и среза управляющего импульса, частоты следования или скважности устанавливают в ТУ на микросхемы конкретных типов.
8.2.4. Импульсный усилитель Л2 применяют при необходимости (при малом значении амплитуды выбросов напряжения). Суммарная погрешность импульсного усилителя А2 и измерителя импульсного напряжения Р не должна быть более значения погрешности измерения амплитуды выбросов, установленного настоящим стандартом. Полоса пропускания импульсного усилителя устанавливается в ТУ на микросхемы конкретных типов.
8.2.5. Значения сопротивления и емкости нагрузки должны соответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
ГОСТ 27780-88 С. IB
В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора и входное сопротивление импульсного" усилителя или измерителя импульсного" напряжения, в емкость нагрузки — емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость импульсного усилителя н емкость монтажа. Значение длительности и периода управляющих импульсов должно •быть таким, чтобы в течение времени, равного длительности управляющего импульса, снижение амплитуды выбросов напряжения не выходило за пределы ±10%. Допустимое отклонение сопротивления резистора нагрузки не должно выходить за пределы ±1%, емкости нагрузки — за пределы ±5%.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
ПЛ — измеряемая микросхем»; Si. St. . . 5/и — аналоговые входы; О>. (>7.
■’’■ ° л — аналоговые выходы: tSf. IN'3..... IN* — управляемые входы: О -вывод питаяия; О/ — генератор импульсе»; G2—GS — источники постони-кого напряжения: Л/ _ устройство, оОеспечипавмцае задание условия из-мереная на «налоговых входах; «н — сопротивление нагрузки: С„ — емкость нагрузки; Л? — импульсный усилитель; Р — измеритель импульсного напряжения; ЗЛ/ — шзммуташвовлее устройство, обеспечивавшее подключение генератора ямаульми 01 и источников постоянного напряжения Gt и GS
х управляющим входам INI. IN)..... IN* ; SA2. SA3 — переклю-чатсян Черт. 8
8.2.6. Значения сопротивлений резисторов н емкостей конденсаторов устройства А1 указываются в ТУ на микросхемы конкретных типов. Допустимое отклонение сопротивлений резисторов не должно выхолить за пределы ±1%, емкостей конденсаторов — за пределы ±5%.
8.3. Подготовка н проведение измерений
8.3.1. К измерительной установке подключают измеряемую микросхему.
8.3.2. Переключатель $Л2 устанавливают в положение, указанное па черт. 8.
C. !6 ГОСТ 27780-88
8.3.3. От источников постоянного напряжения G2—G5 и от генератора импульсов G1 подают напряжения, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
8.3.4. Амплитуду выбросов напряжения измеряют измерителем Р в соответствии с черт. 9.
— уровень ампянтуды аыходдого иипулма
Черт 9
8.3.5. Амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе измеряют по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
8.3.6. Допускается измерять амплитуду выбросов напряжения при наличии коммутируемого напряжения. При этом переключатель SA2 устанавливают в положение к источнику постоянного напряжения G5.
8.3.7. Инжектированный заряд (Q) в пикокулонах рассчитывают по формуле
Q^C„UtU'b (8г)
где fan,* —амплитудное значение напряжения на аналоговом выходе, В;
С„ — емкость нагрузки, пФ.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
8.4. Показатели точности измерений
ГОСТ 27780—88 С. 17
Погрешность измерения амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе микросхемы—в пределах ±10% с вероятностью 0,95.
Определение показателей точности измерения амплитуды выбросов напряжения на аналоговом выходе приведено в приложении 3 (разд. 2).
». МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ
9.1. Принцип измерений
Метод основан на измерении переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала при подаче на аналоговый вход другого открытого канала коммутируемого напряжения переменного тока.
9.2. Аппаратура
9.2.1. Измерения следует проводить на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 10.
9.2.2. Погрешность измерителей переменного напряжения должна быть r пределах ±5%. Допускается применять в качестве измерителей переменного напряжения РУ/ и PV2 измеритель отношений.
9.2.3. Погрешность, вносимая контактирующим устройством измерительной установки зя счет паразитных емкостей контактов, не должна выходить за пределы ±5% значения измеряемого напряжения сигнала.
9.2.4. Полосовой фильтр Л устанавливают при наличии помех. Погрешность значения коэффициента передачи полосового фильтра не должна выходить за пределы ±3%. Полосу пропускания полосового фильтра указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов.
9 2 5. Значение сопротивления нагрузки, сопротивления резисторов на аналоговых входах, конденсатора нагрузки, блокировочных конденсаторов н конденсатора С2 долж:ны соответствовать указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
В сопротивление нагрузки включают сопротивление нагрузочного резистора, входное сопротивление полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов, в емкость нагрузки —емкость нагрузочного конденсатора, входную емкость полосового фильтра или измерителя синусоидальных сигналов и емкость монтажа.
Допустимое отклонение сопротивлений резисторов на аналоговых входах и резисторов нагрузки не должно выходить за пределы ±1%. конденсатора С2 н конденсатора нагрузки — за пределы ±5%.
9.3. Подготовка и проведение измерений
G 18 ГОСТ 27780-88
Схем* измерения коэффициента подавления сигнала между каналам*
ZM
ОА — шмеряемля микросхема: 8/, S3. , . S ^ — «налоговые входи: ОЧ. ОЗ, „.„ Оа — «налоговые выколи; U — вывоз пит*имя; INI, ШЗ, „. , fN* — упрпляган •ходы; GI—G3 — источники постоянного напряжение; й1 — генератор еикуеои-ДАЛкоого |««пу>я»мепнд; ВЛ/ — ком х/гац«икк04 устроДс»»*. обосльянкпочее <а>д* хлочыхе источликоя постоянного напряжения Gt. GJ к упрявличвиы входе* ИИ. !ЧЗ, ... , IN^ ; SAZ—SA4 — верекяючдтелх: UI — всонсгор п» >«1,готовой входе от-Крите?» ежала: R2 — ремютор на аналоговом выходе открытого мыла; ₽„ — резистор нагрузки: См — кояджеатоо нагрузки; Ct — блоккромчик* «(идмсатор; СЗ — кокдеисптор на аналоговом выходе открытого кавала; P\'i, PV2 - измерен тели смиучондалкных вапражемн*: Л — «ьодоеояоп фильтр
Черт. 10
9.3.1 К измерительной установке подключают микросхему.
9.3.2. От источников постоянного напряжения G1—G3 и от генератора синусоидального напряжения Gt подают напряжения, указанные в ТУ на микросхемы конкретных типов.
9.3.3. Измерителями синусоидального напряжения PVI и PV2 измеряют переменные напряжения.
9.3.4. Измерение коэффициента подавления сигнала между каналами проводят по каждому каналу. Допускается проводить измерения по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
9.4. Обработка результатов измерений
Значение коэффициента подавления сигнала между каналами (^.01 ^ в децибелах определяют по формуле
*^=w ^ ■ <s”
ГОСТ 27780-88 С. 19
где Ц„ —действующее напряжение, измеренное измерителем
<4^ —действующее напряжение, измеренное измерителем
9.5. Показатели точности измерений
Погрешность измерения коэффициента подавления сигнала меж-ду каналами —в пределах ±10% с вероятностью 0,95. При частоте •измерения более 1 МГц ±15% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения коэффициента подавления сигнала между каналами приведен в приложении 4 (разд. I).
10. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА. АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА ЕМКОСТИ МЕЖДУ АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ
'10.1. Принцип измерений
Метод основан на измерении падения напряжения на токосъемном резисторе, возникающем за счет емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход, аналоговый вход (выход), между аналоговым входом и аналоговым выходом, вызванного источником синусоидального напряжения.
Допускается измерять емкость управляющего входа, аналоге •вот входа (выхода), емкость между аналоговым входом и аналоговым выходом мостовым метолом (см. приложение 5).
10.2. Аппаратура
102.1. Измерения следует проводить на установках электрические структурные схемы которых приведены на черт. 11—14.
10.2.2. Измерения проводят на малом сигнале, т. е. при измене-•мни амплитуды сигнала генератора 64 в два раза изменение измеряемой емкости не должно выходить за пределы погрешности (измерения.
10.2.3 Частоту измерения указывают в ТУ на микросхемы кон-шретных типов из ряда: 100,465 кГц, I, 5 10, 30 МГц.
10.2.4. Сопротивление токосъемного резистора (/?) определяют из условия
^ юйс? » ^
тде <в — угловая частота измерения;
Сх — измеряемая емкость микросхемы.
В качестве токосъемного резистора может быть использовано •входное сопротивление измерителя синусоидального напряжения РУ.
С. 20 ГОСТ 277W-M
10.2.5. Погрешность, вносимая контактирующим устройством измерительной установки за счет паразитных емкостей контактов и монтажа, не должна выходить за пределы ±5% значения измеряемого напряжения сигнала.
Схема измерения емкости управляющего входа
ОА — М»м«рн*м*я микросхема; 5/, S2.....S — *Н »Ж>Г0*М» входы; Dt. 02..... Оя — аналоговые выходы; U — вывод
питания. INI. Hit, .. , IN ^ — управляющие входы: OV — об-шнй ВЫВОД; ai—Gt — источники постоянною напряжения: Gt — генератор смусоидалкиого напряжения; НА! — вомнут-* инете* устройство, обеспечивающее подключение источников постояв-наго напряжения б/, б? и генератора ба к справляющим входам iN}. IN2, ... , IN *-. Cl — разделительный хошаеисеютг. Ci — блокировочный коиде мемор. Л — токосъемный феавстор;
PV — измеритель енвусомдеяквого ваюрежеаип
Черт. II
10.2.6. Емкость разделительного конденсатора (Ct) определяют из условия
4г < 4г - <^>
где R.q\ —выходное сопротивление генератора синусоидального напряжения.
ГОСТ 2 7780-88 С. 21
Конденсатор С1 может отсутствовать, если генератор G4 имеет на выходе собственный резделительный конденсатор.
Емкость блокировочного конденсатора С2 определяют из условия
1 < R
(8з)
Схема измерения емкости аналогового входа
ОЛ — мхивряемня микросхема; S>, S1, ■■ , S т — •»■• лиговые входы. Di, bl. ... , Ол — «жвлэговие выходы; U — вывод питанил; Kt. IN!. _.. И»\ — упоавляюяье входы; OV — общий вывод; GI—G3 — источивки постоянного яворяжеяия; Gi — генератор свнкоидваьиого напряжения: &V — сомкутодиопио* устройства, сОес-почмв*>Ш«е подключение неточнее.» постоянного ив-пряжения (JI. б!- к управляющим входам INI. IN2. ,. . IN6. SA! — переключатель; Cl — разделительный конденсатор: С! — блокировочный конденсатор: Я — тоно-сьемниа резистор. PV — измеритель скяусоатавлвного напряжен»*
Черт. 12
10.2.7. Выходное сопротивление (Rg^ ) генератора синусоидального напряжения определяют из условия
RGi^ KtoC, •
(8и)
С. 22 ГОСТ 27780—S3
Схема намерения емкости аналогового выхода-
ЭЛ — измеряемая микросхема; Str S2. .... $„ — аиааогоаив КОДЫ; (it. !>}. ,,, , Dп — ЭНИ.Ю'Илме ВЫХОДЫ; У — вывод пи тапая; INI, Hit. .... >N k — управляющие входы; OV — общи»: вывод; Ог—Ол — источники постопииссо напряжении; G4 — генератор смиусоидллького напряжении HAI — коммутационное устроАсГво, обеспечивающей подключение истоаявков по-ктолянсир иипржжспи» Qt, О) ж управляющим овалам Iff). ЧП..... ,rf» '• ^л'} — переключатель; Ct — разделительный конденсатор* С2 — блокировочный конденсатор: Л — toko-схемный резистор; PV — измеритель синусоидального напряжения
Черт. 13
10.2.8. Погрешность измерителя синусоидального напряжения PV не должна выходить за прелели ±5%. Измеритель PV может быть проградуирован в единицах емкости.
10.3. Подготовка и проведение измерений
J0.3.I. К измерительной установке подключают вместо микросхемы калибровочный конденсатор Сьл между выводами / V/ я OV (черт. И), между выводами S1 и OV (черт. 12), между выводами DI и OV (черт. 13) и между выводами 5/ и DI (черт. 14). Емкость конденсатора Сил должна составлять 50—150% от измеряемой емкости .микросхемы. Допустимое отклонение конденсатор» Скл не должно выхолить за пределы ±1%.
10.3.2. От генератора G-i подают переменное напряжение.
10.3.3 Измерителем PV измеряют значение напряжения (\,.
10.3.4. К измерительной установке подключают измеряемую* микросхему.
10.3.5. От источников постоянного напряжения GI—G3 и от генератора синусоидального напряжения G4 подают напряжения,, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
ГОСТ 27780-88 С. 23
Схема измерения емкое™ между залоговым подои к выходом
няни постоянного я* Прилски*: Gt — генератор смиусоиаалыкто и*-■ряжевня; ЗЛ; — к«»«мутационное устройство, обасмаиаающее вод-хлюпкий» >w»OHH»Koa лмтояпнаго н«»РяИ1м>я Gl, Gi к у»р4м»«ы»н «додам IM Г, t»i. ... , IM* SA J. SA3 — переключатели: Ct — noise лнтелкиый КоиДеисйМ»: С} — блокировочный конденсатор. К — Юно-
СъемирЛ резистор; кк — вакеритель сняусохдалшпого напряжения Черт. 14
103.6. Измерителем PV измеряют значение напряжения Ux .
1037. Измерение напряжения Ux проводят по каждому каналу. Допускается проводить измерение по одному или нескольким каналам, указанным в ТУ на микросхемы конкретных типов.
10.4. Обработка результатов
10.4.1. Измеряемую емкость (Сх) в пикофарадах рассчитывают по формуле
С,»^-^. (8к>
Ойл
где Ux —напряжение на резисторе R при измерении, мВ;
Слл —напряжение на резисторе R при калибровке, мВ.
10.3. Показатели точности измерения
Погрешность измерения емкости управляющего входа, аналогового входа и выхода, .между аналоговым входом н выходом — в пре делах ± 10% с вероятностью 0,95. При значении измеряемого параметра ^3 пФ — в пределах 1 15% с вероятностью 0,95.
Расчет показателей точности измерения приведен в приложении 4 (разд. 2).
С. 24 ГОСТ 277 80—88
ПРИЛОЖЕНИЕ I
Рекомендуемое
1. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ К ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ И ОСТАТОЧНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
1.1. Погрешность (64), вызванную погрешностью измерителя напряжения PV, рассчитывают по формуле
дх-д^, (9)
где бру —относительная погрешность измерителя напряжения PV.
1.2. Погрешность (Фй. вызванную неточностью соблюдения неравенства (5) настоящего стандарта, рассчитывают по формуле
4>= «шаа.+(! (Ю)
«отк та»
где Яотктох—максимальное значение сопротивления в открытом состоянии, указанное я ТУ на микросхемы конкретных типов;
^»kPV —входное сопротивление измерителя напряжения PV.
13. Погрешность <б>), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения пктання микросхемы, рассчитывают по формуле
^»«1й^п . (11)
где о, — коэффициент влияния напряжения питания на сопротивление в открытом состоянии;
бу —погрешность установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
1.4. Погрешность (64), вызванную неточностью установления и поддержания постоянного тока, рассчитывают по формуле
^оД . (12)
где aj— коэффициент влияния генератора тока на сопротивление в открытом состоя нии;
б, — погрешность установления и поддержания постоянного тока.
1.5. Погрешность (б»), вызванную неточностью установления и поддержания микросхемы в открытом СОСТОЯНИИ управляющими напряжениями, рассчитывают по формуле
b^afi., • <13>
упр
где ал—коэффициент влияния управляющего напряжения ла сопротивление о открытом состоянии;
#,. —погрешность установления и поддержания управляющих напряжений, ул г
обеспечивающих открытое состояние канала.
1.6, Погрешность (64), обусловленную влиянием температуры окружающей среды «а сопротивление в открытом состоянии, рассчитывают по формуле
МТ ^oik mln
(И)
где б — коэффициент влияния температуры окружающей среды на сопротивление в открытом -состоянии;
ГОСТ 17786—88 С. 25
АТ — диапазон: отклонений температуры от номинального значения, заданный в ТУ на микросхемы конкретных типов;
ffotcmin “минимальное значение сопротивления: в открытом состоянии, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
1.7. Погрешность (8?), обусловленную наличием сопротивления контактов переключателей к контактного устройства, рассчитывают по формуле
Кхч+йцр
*отк mln
(15)
тле RkS. RkD —сопротивления контактов переключателей и контактного устройства соответственно на аналоговом входе я выходе микросхемы.
18 Погрешность измерения (Av ) рассчитывают по формуле
о£=-—^-±i.i3 у е«+А + ^ ^+в^ (1б)
где th — погрешность т-го источника погрешности.
2 ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ЮКА УТЕЧКИ АНАЛОГОВОГО ВХОДА
2.1. Погрешность (б|), вызванную погрешностью измерителя тока РЛ1. рассчитывают по формуле
®т-^Л41’ UO
где брЛ| —погрешность измерителя тока РА1.
2 2. Пи1решмис-1ь (6^). вызванную конечным значением сопротивления измерителя тока Ml, рассчитывают по формуле
, vr.rxтех "ох
*»=------------- . (18>
где 7уТ»яшвх — максимальное значение тока утечки аналогового входа, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;
Rm— входное- сопротивление измерителя тока РЛ1-, Чя — напряжение на аналоговом входе микросхемы.
2 3. Погрешность (8g), вызванную неточностью установления и поддержания напряжении питания микросхемы, рассчитывают по формуле
в^М«п» (19)
где П|—коэффициент влияния напряжения питания на ток утечки аналогового «хода;
бу погрешность установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
2.4 Погрешв-ость (6,). вызнанную неточностью установления и поддержания управляющих напряжений, обеспечивающих закрытое состояние измеряемого канала, рассчитывают по формуле
Й|=о»ву
>”Р
(20)
гас fl; —к оэффициент влияния управляющего напряжения на ток утечки аналогового входа;
С. 26 ГОСТ 27780-й
^и —погрешность установления и поддержания управляющих напряжена! микросхема.
2.5. Погрешность (W, вызванную влиянием температуры окружающей среды на ток утечки аналогового входа, рассчитывают по формуле
'ут.яхлНп
(21)
где 6,— коэффициент влияния температуры окружающей среды на ток
, утечки аналогового входа;
ДТ —диапазон отклонений температуры, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов;
G*. »пяп —минимальное значение тока утечке аналогового входа, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
2.6. Погрешность (&), обусловленную влиянием влажности воздух» на токи утечки между тючками $7, S2.....Sm и общей шиной, рассчитывают по формуле
4.- ^_., (22)
*ут.»хш!п
где 5: — коэффициент влияния влажности воздуха на токи утечки между точками Si, S2.....$м и обшей шиной;
Дф—диапазон отклонений влажности воздуха от номинального значения, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов.
27, Погрешность (5.), обусловленную паразитными токами утечки между точками Si. S2.....S,4I и общей шиной, рассчитывают по формуле
-;---~----- , (23)
уг.ях пот
где /, — паразитный ток утечки между точками Si. S2,. ,.,Sm н общей шиной при отсутствии микросхемы.
2&. Погрешность измерения (6г ) рассчитывают по формуле
где 61 — погрешность 7-го источника погрешности,
3. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА УТЕЧКИ АНАЛОГОВОГО ВЫХОДА
3.1. Погрешность (б.), вызванную погрешностью измерителя тока РА2, рассчитывают по формуле
Jt-JM2-
(25)
где 6Рлг— погрешность измерителя тока РА2.
3.2. Погрешность (61). вызванную конечным значением сопротивления измерителя тока РА2, рассчитывают по формуле
, Gt-*“* пх* ^*‘ Р^
4‘= и
(26)
ГОСТ 27750-88 С. 27
еле /ут Bux т,х — максимальное значение чока утечки аналогового выхода, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;
^«х РХ1 — вводное сопротивление измерителя тока РА2;
U* — напряженке на аналоговом выходе микросхемы.
3-3. Погрешность (ба), вызванную неточностью установления я поддержания напряжения питания микросхемы, рассчитывают по формуле
где Л/угли* — изменение тока утечки аналогового выхода, обусловленное неточностью установления напряжения питания микросхемы;
^ут. ми „ив—минимальное значение тока утечки налогового выхода.
3.4. Погрешность (в*), вызванную неточностью установления и поддержания управляющих напряжений, обеспечивающих закрытое состояние канала, рассчитывают по формуле
«4=аа6^ . (28)
У"Р
где Os —коэффициент влияния управляющего напряжения на ток утечки аналогового выхода;
6^ —погрешность установления и поддержания управляющего напряжения
УпР
микросхемы.
3.5. Погрешность (6g). вызванную влиянием температуры окружающей среды на ток утечки аналогового выхода, рассчитывают по формуле
^=7
мт
У» W« ИНН
(29)
где ^ — коэффициент влияния температуры окружающей среды на тох утечки аналогового' выхода;
ДГ —диапазон отклонений температуры, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов;
^>т.»ыхт1п—минимальное значение тока утечки аналогового выхода, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
3.6. Погрешность (ба), обусловленную влиянием влажности воздуха на токи утечки между точками 37. 52. ...,5т и общей шиной, рассчитывают по формуле
МФ (ft.»* mlo
(30)
где 6, — коэффициент влияния влажности водуха на токи утечки между точками 5/, 52.....5^ к обшей шиной;
Дф—диапазон отклонений влажности воздуха от номинального значения, указанный в ТУ на микросхемы конкретных типов
3.7. Погрешность (6s), обусловленную паразитными токами утечки между точками DI. D?.....1)а и обшей шиной, рассчитывают по формуле
»т= ---------
‘ут.вых min
(31)
где lD — паразитный ток утечки между точками DI, D2.....Dn и общей ши-ной при отсутствии микросхемы.
С. 28 ГОСТ 27780-88
3 -8. Погрешность измерения (в») рассчитывают по формуле
*£— “ф“±мз1/ б?+ + Д3 8?Н.
(32)
где Л| — погрешность- i-ro источника погрешности.
4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ВХОДНОГО ТОКА ВЫСОКОГО И НИЗКОГО УРОВНЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ
4,1. Погрешность (6J, вызванную погрешностью измерителя тока РА. рассчитывают по формуле
*1-*™. (33)
где 6РА — погрешность измерителя тока РА.
42, Погрешность (ба), вызванную конечным значением сопротивлении измерителя тока РА. рассчитывают по формулам:
. _ 'их.» max
о»= И . (34)
uynp>
0а— п . (35)
где /(.х, sm,x, /м. „ „их—максимальное значение входного тюка высокого и низкого уровней управляющего напряжения, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;
Я ьх —входное сопротивление измерителя тока РА;
Vynp. в, ^упр. № —значения управляющего напряжения высокого и низкого уровней, указанные в ТУ на микросхемы конкретных типов.
4,3. Погрешность (61), вызванную неточностью установлении и поддержания напряжения литания микросхемы, рассчитывают по формуле
в.-й.би . (36)
п
где «| — коэффициент влияния напряжения питания на входной ток высокого (низкого) уровня управляющего напряжения;
бу —погрешность установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
4,4, Погрешность (б^, вызванную неточностью установления н поддержания микросхемы в состоянии логической единицы или логического пуля, рассчитывают по формулам?
^-“^
улр.н
*4 =а.ау упр"
(37)
(38)
где Оу Oj — коэффициент влияния соответственно управляющего напряжения высокого и низкого уровня на входной ток высокого и
*У
)”Р • Vyiip.u
низкого уровня;
— погрешность установления и поддержания управляющего
напряжения соответственно высокого н низкого уровня
ГОСТ 27780-88 С 29
4.5. Погрешность измерения (в. ) рассчитывают по формуле
09)
где б,—погрешность /-го источника погрешности.
5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ, ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ И В-ЫСОКОМ УРОВНЯХ УПРАВЛЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ
5 1. Погрешность (б|), вызванную почетность измерителя тока. РА, рассчитывают по формуле
V~W ОО)
где брд — погрешность измерителя тока РА.
52. Погрешность (б»), вызванную конечный значением сопротивления измерителя тока РА. рассчитывают по формуле
6,= Лют-м&х. , (4,)
где / ,1<>г тах— максимальное значение тока потребления, тока потребления при низком (высоком) уровне управляющего напряжения, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов;
Л.х — входное сопротивление измерителя тока;
tn—напряжение питания микросхемы,
5 3. Погрешность (6з), вызванную неточностью установления и поддержания ««пряжения питания микросхемы, рассчитывают по формуле
^-оЛп. О2)
где «| — коэффициент влияния напряжения питания па ток потребления, ток потребления при низком (высоком) уровне управляющего напряжения;
б^ —погрешность установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
5.4. Погрешность (64). вызванную неточностью установления и поддержания микросхемы я состоянии логического нуля или логической единицы, рассчитывают по формулам.
*!-в*Фи , («)
упр»
в1=*А, . 04)
Тор.в
где в;,. а3 — коэффициент влияния соответственно управляющего напряжения низкого и высокого уровней на ток потребления соответственно
^/
при шиком и высоком уровне управляющего напряжения;
, бу —.погрешность установления и поддержания управляющего
напряжения соответственно низкого н высокого уровня.
5 5. Погрешность измерения тока потребления (8, ) рассчитывают по фор
муле
б£ — -^^МЗ^ *1+ Т +$ •
(45)
С. 30 ГОСТ 277S«—ЛЯ
5.6. Погрешность измерения тока потребления при низком и высокого уров-нях управляющего напряжения (б2) рассчитывают по формуле
•s— "Vi1-13/ ^-Г+Лз*? ' <*>
где б| — погрешности Лго источника погрешности.
6. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕН» ВКЛЮЧЕНИЯ. ВЫКЛЮЧЕНИЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
61 Погрешность 00, вызванную погрешностью измерителя временных интервалов Р. рассчитывают по формуле
Oj-ep . (47>
где 6р — погрешность измерителя временных интервалов Р.
6 2 Погрешность 0г), вызванную отклонением сопротивления резистора R» от номинального значения, рассчитывают по формуле
V»^, (<а>
где а, — коэффициент влияния сопротивления резистора нагрузки на врем» включения, выключения, переключения;
6 я — погрешность сопротивления резистора.
6.3 Погрешность 0»), вызванную отклонением емкости конденсатора нагрузки Ся от номинального значения, рассчитывают по формуле
О^а»^, (49>
где ef — коэффициент влияния емкости конденсатора нагрузки на врем» включения, выключения, переключения;
5С — погрет несть емкости конденсатора.
6.4. Погрешность (б*), вызванную влиянием установления н поддержание напряжения питания, рассчитывают по формуле
Л.^фу . (М>
п где ai — коэффициент влияния напряжения питания на время включения, выключения, переключения;
Sy — погрешность установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
6.5. Погрешность (dj), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения источников аналоговых входов, рассчитывают по формуле
в^а^^ , (il>
где а.—коэффициент влияния коммутируемого напряжения на время включения, выключения, переключения;
Sy —погрешность установления и поддержания коммутируемого напряжения.
6.6 Погрешность 0<), вызванную неточностью установления и поддержания управляющих напряжений, рассчитывают по формуле
б^а^и , (52>
упр
ГОСТ 27780—88 С. 31
ас аь — коэффициент влияния управляющею напряжения на время включения, выключения, переключения;
Л у - погрешность источников управляющих напряжений,
У6?7, Погрешность (3?), вызванную влиянием температуры окружающей среды, расчитывают по формуле
* = -15 ’ <53>
где bj — коэффициент влияния температуры окружающей среды на время включения, выключения, переключения;.
ДГ— диапазон отклонений температуры от номинального значения, заданный в ТУ на микросхемы конкретных типов;
<щ!п — минимальное значение времени включения, выключения, переключения, заданное в ТУ на микросхемы конкретных тнлов.
6.8. Погрешность (в»), вызванную неточностью считывания с экрана при использовании осциллографа в качестве измерителя Р. рассчитывают по формуле
Д«
где Д1 — абсолютная погрешность считывания с экрана осциллографа.
6 9. Погрешность измерения времени включения, выключения. переключения (ij) рассчитывают по формуле
Д£-±МЗ|/Т7, (55)
где б j — погрешность с-го источника погрешности.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Рекомендуемое
ТРЕБОВАНИЯ К УСТАНОВЛЕНИЮ УРОВНЕЙ ОТСЧЕТА ИМПУЛЬСОВ
1. Уровни отсчета импульсов устанавливают в соответствии с требованиями нормативно-технической документации н п. 3.5 настоящего стамдарта.
2. Уровни отсчета импульсов выражают в единицах напряжения илн в процентах от амплитуды импульсов.
3. Уровни отсчета А2, АА рекомендуется устанавливать равными 50% амплитуды импульсов.
4. Уровень отсчета АЗ рекомендуется устанавливать равным соответственно 50 или 90% амплитуды импульса я зависимости от постоянной времени нагрузки Тл!
при ти<0,14/»Икя—50%; (56)
при тл>0,14^мкя —90%. (57)
С. 32 ГОСТ 27780-88
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
Рекомендуемся
I. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА РАЗОМКНУТЫМ КЛЮЧОМ И КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ПО НАПРЯЖЕНИЮ
I.]. Погрешность (6J, вы» ванн у to погрешностью измерителя синусоидального напряжения PVI, определяют по формуле
*.=W (58 >
где 8^— погрешность измерителя синусоидального напряжения PVL
• 2 Погрешность (в»), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV2, определяют по формуле
$»—5/>У2- (59 >
где Ерп — погрешность измерителя синусоидального напряжения PV2.
1,3. Погрешность (Jj), вызванную отклонением заданной частоты сигнала, определяют по формуле
b.&.F
^1Я !А Г ' (6®>
("■Од.к min |
где 6, — коэффициент влияния частоты сигнала;
д/—абсолютная погрешность задания частоты генератора снвусои-далоиию нчиряжеивм G4,
I^iwji. к пн J“ минимальное абсолютное значение коэффициента подавления, заданное в ТУ ка микросхемы.
1.4. Погрешность (бз), вызванную отклонением амплитуды сигнала, определяют по формуле
где Л- — коэффициент влияния амплитуды сигнала;
Л^»ж — абсолютная погрешность задания амплитуды напряжения генератора синусоидального напряжения.
1.5. Погрешность (&), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения питания, определяют по формуле
ба-в^. (62>
где о, — коэффициент влияния неточности установления к поддержания напряжения питания;
д^ — погрешность установления и поддержания напряжения питания.
1.6. Погрешность №), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения источников управляющих напряжений, определяют по формуле
«а-Мс • (6’>
где 02 — коэффициент влияния неточности установления и поддержания управляющего напряжения;
Ду —погрешность установления и поддержания управляющего напряжения, утр
ГОСТ 2 7780-88 С. 33
1.7. Погрешность (6?), вызванную неточностью определения коэффициента передачи полосового фильтра, определяют по формуле
^^У • (*)
тле а,— коэффициент влияния неточности определении коэффициента передачи полосового фильтра.
^л у —погрешность определения коэффициента передачи полосового фильтра.
1.8. Погрешность (6»), вызванную отклонением сопротивления резистора R от номинального значения, рассчитывают по формуле
б3—а4дй , (66)
где а< — коэффициент влияния сопротивления резистора на коэффициент подавления сигнала разомкнутый ключом, ftp— погрешность сопротивления резистора Я.
1.9. Погрешность (в»), вызванную отклонением сопротивления резистора нагрузки Ян от номинального значения:, рассчитывают по формуле
d,-at6R) , («6)
где <4—коэффициент влияния сопротивления резистора нагрузки: на коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом;
8Дя —погрешность сопротивления резистора Яи-
1.10. Погрешность (вю), вызванную отклонением емкости конденсатора нагрузки С н от номинального значения, рассчитывают по формуле
ftiB—flift^ . (*>7)
где at — коэффициент влияния емкости конденсатора нагрузки на коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом;
дс — погрешность емклсти конденсатора Сн,
1.11. Погрешность (6ц), обусловленную прохождением сигнала за счет паразитных емкостей контактного устройства, определяют по формуле
где ^мах. п— напряжение на выходных контактах контактного устройства, обусловленное прохождением сигнала за счет паразитных емкостей.
J.12, Погрешность измерения (6£ ) определяют по формуле
«£-±1,1з|/ Д б; + лн.
(«9)
2. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ АМПЛИТУДЫ ВЫБРОСОВ НАПРЯЖЕНИЯ НА АНАЛОГОВОМ ВЫХОДЕ
2.1. Погрешность (6|), вызванную погрешностью измерителя импульсного «апряження Р, определяют по формуле
di-ft, , (70)
где ftp—погрешность измерителя импульсного напряжения Р.
2.2. Погрешность (8»), вызванную отклонением амплитуды сигнала импульсного генератора, определяют па формуле
С. « ГОСТ 27780-88
где >| ~ коэффициент влияния амплитуды сигнала;
Utn л min ~ минимальное значение амплитуды выбросов напряжения на знало* говом выходе, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.
2.3. Погрешность <6э). вызванную неточностью установления и поддержания напряжения источников управляющих напряжений, определяют по формуле
•'“‘‘Чар’’ ^
где ct — коэффициент влияния неточности установления к поддержания управляющего напряжения;
б» — погрешности установления к поддержания управляющего напряжения.
У
2.4. Погрешность (б<), вызванную неточностью установления и поддержания напряжения питания, определяют по формуле
Ъл—а^>г, . (73}
где я2 — коэффициент влияния неточности установления и поддержания напряжения питании;
ду — погрешность установления я поддержания напряжения питания.
2.5. Погрешность (д5), вызванную отклонением сопротивления резистора иа* грузин от номинального значения, рассчитывают по формуле
д4=алдЛ, , (74 >
где as — коэффициент влияния сопротивления резистора нагрузки на амплитуду выбросов напряжения на аналоговом выходе;
л — погрешность сопротивления резистора Ли.
2 6 Погрешность (&»). вызванную отклонением емкости конденсатора нагрузки С,, от номинального значения, рассчитывают по формуле
dt=a.de , (75>
где а< — коэффициент влияния емкости конденсатора нагрузки на амплитуду выбросов напряжения на аналоговом выходе;
дс — погрешность емкости конденсатора Си .
2 7. Погрешность (д>), вызванную неточностью определения коэффициент» усиления по напряжению импульсного усилителя, определяют по формуле д7=бЛ . (76>
где 6К —погрешность коэффициента усиления по напряжению импульсного усилителя.
2.8. Погрешность измерения 6Г определяют по формуле «.-±иЗ]/Ь?- W
Приложение 3. (Введено- дополнительно, Изм .4 I).
ГОСТ 27780 -88 С. 35
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Рекомендуемое
I. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОДАВЛЕНИЯ СИГНАЛА МЕЖДУ КАНАЛАМИ
I.]. Погрешность (б,), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PVI. рассчитывают по формуле
«Г-W (78)
где 6^ —погрешность измерителя синусоидального напряжения PVL
1.2. Погрешность (5?), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV2, рассчитывают по формуле
4*-W (79)
где. & р\н —погрешность измерителя синусоидального напряжения PV2.
1.3, Погрешность (б>). вызванную отклонением амплитуды сигнала, рассчитывают по фо-рмуле
«во*
где 5, — коэффицисат влияния амплитуды сигнала;
ДУ —абсолютная погрешность задания амплитуды напряжения генератора синусоидального напряжения 04;
/Сое* — значение измеряемого коэффициента подавления сигнала между каналами. указанное в ТУ на микросхемы конкретных тиков.
1.4. Погрешней:it> ((ч), вызнанную пегичжлггью усалкомспня и ииядерм лик* напряжения питания, рассчитывают по формуле
в*-О1в</||. (81)
где в| — коэффициент влияния неточности установления н поддержания напряжения питания;
by —погрешность, установления и поддержания напряжения питания микросхемы.
1.5. Погрешность (б®), вызванную неточностью установления и поддержания управляющих напряжений, рассчитывают по формуле
V-вЛ/ . (82)
где о? — коэффициент влияния неточности установления н поддержания управ-ляюшего напряжения;
—погрешность установления и поддержания управляющего напряжения.
1.5 Погрешность (бе), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом моде открытого канала RI' от номинального значения, рассчитывают по формуле
e#^ex5Rli LW)
где ej — коэффициент влияния сопротивления резистора ЦГ, ®W — погрешность сопротивления резистора Rt.
С. 3-6 ГОСТ 277 80-88
1.7. Погрешность (в?), вызванную отклонением сопротивления резистора на аналоговом выходе открытого канала R2 от номинального значения, рассчитывают по формуле
вт^Лда, (М)
где «« — коэффициент влияния сопротивления резистора R2;
бЯ1— погрешность сопротивления резистора R2,
1.8, Погрешность (в»), вызванную отклонением сопротивления резистора Ян от номинального значения, рассчитываю? по формуле
а4=л4ля, (85)
где «5 — коэффициент влияния резистора Rn ;
бЛ — погрешность сопротивления резистора R».
1.9. Погрешность (8»), вызванную отклонением емкости конденсатора нагрузки С„ рассчитывают но формуле
вв-в^. (88)
где гц — коэффициент влияния емкости конденсатора Сн;
йс — погрешность емкости конденсатора С„ .
1.10. Погрешность (бщ), вызванную отклонением емкости конденсатора на аналоговом выходе открытого канала С2. рассчитывают по формуле
«.•=«»»«. (87)
где о? — коэффициент влияния емкости конденсатора С2-,
^С1~ ««грешность емкости конденсатора С2.
1.11. Погрешность (би). вызванную неточностью определения коэффициента передачи попоеоплгп фильтря, рлгечитыяают по формуле
^^ • (*)
еде а»— коэффициент влияния неточности определения коэффициента передачи полкового фильтра;
^пу—погрешность определения коэффициента передачи полосового фильтра.
1.12. Погрешность (бц), вызванную прохождением: сигнала за счет паразитных емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле
U ВЫХ . II
в”" и„
(89)
где ^'жд. = ~напряженке, обусловленное прохождением сигнала за счет паразитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напряжения PV2 при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.
1.13. Погрешность измерения (б2 ) рассчитывают по формуле
as=d=i.i3 у ^ б’-н».- (*>)
2. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО ВХОДА, АНАЛОГОВОГО ВХОДА И ВЫХОДА, ЕМКОСТИ МЕЖДУ АНАЛОГОВЫМ ВХОДОМ И ВЫХОДОМ
2 1 Погрешность (бг), вызванную погрешностью измерителя синусоидального напряжения PV. рассчитывают ко формуле
ГОСТ 2778 0-88 С. 37
й»=Л>>г.
(91)
где 6 pV— погрешность измерителя синусоидального напряжения РУ.
22. Погрешность (бг). вызванную откложеяиеи амплитуды сигнала, рассчитывают по формуле
где Ь,— коэффициент влияния амплитуды сигнала;
ДУ — абсолютная погрешность задания амплитуды напряжения генератора синусоидального напряжения;
Сг — значение измеряемой емкости, указанное в ТУ на микросхемы кои-крегмых типов
2.3. Погрешность (ба), вызванную неточностью установления н поддержания напряжения питания, рассчитывают по формуле
**-в|»с„. (93)
где а-— коэффициент влияния неточности установления н поддержания напряжения питания,
бу —погрешность установления н поддержания напряжения питания,
2.4. Погрешность (б«), вызванную неточностью установлении и поддержания управляющих напряжений, рассчитывают по формуле
бц-М^ , (94)
>пр
где о-—коэффициент влияния неточности установления и поддержания управляющего напряжения;
Ду —погрешность установления и поддержания управляющего напряжения.
2 5. Погрешность (От), вызнанную уклонением емкости калибривичниги конденсатора от номинального значения, рассчитывают по формуле
д4=а,бСо. (95)
где вэ — коэффициент влияния емкости Сил ;
бс —погрешность емкости конденсатора СГ1>-
2.6. Погрешность (dt), вызванную прохождением сигнала за счет паразитных емкостей монтажа и контактного устройства, рассчитывают по формуле
a.- ■ <*»
Ум
где ^гых.п ~ напряжение, обусловленное прохождением сигнала за счет паразитных емкостей, измеряемое измерителем синусоидального напряжения РУ при отсутствии микросхемы в контактном устройстве.
2.7. Погрешность измерения б£ определяют по формуле
Z"--
6£==1.13|/ ^бЬ^. (97)
С. 38 ГОСТ 2 7780—88
ПРИЛОЖЕНИЕ S
Рекомендуемое
ИЗМЕРЕНИЕ МОСТОВЫМ МЕТОДОМ
1. Аппаратура
11. Электрические структурные схемы намерен ня емкостей приведены eat черт. 15—18.
1.2. Емк<<сп> конденсаторов С/ определяют из условия
ТсГ “ 1Ж,Ш ’ (М)
где Сим — наибольшая из измеряемых емкостей микросхемы.
2. Подготовка к проведению измерений
2.1. Мост балансируют без микросхемы. Считывают значение емкости.
X Проведение измерения
3.1. Подключают измеряемую микросхему, от источников постоянного напряжения G2—G3 подают напряжении, значения которых указаны в ТУ на микросхемы конкретных типов.
3.2. Мост балансируют вновь.
3.3. Считывают значение измеряемой емкости.
ГОСТ 277вФ-« а »
Схема намерения емкоет* управляющего входа
DA — измеряемая микросхеме; Si, Si, .„ . Sm — аналоговый ВХОДЫ: &t. Di. .... D^ — аналоговые выходы; U — вывод nxsaniici W, JUt, .„ , lNk — улраалпюомга mvaei. OV — Общий выгод; Ol—Gj — ИСТОЧИИХИ постоянного и а пня ж един; SAt — коммутпциовм«> устройства, обеспечивающее пожалю-мше источивхсэ постоянного напряжения Gt. 02 ■ азмера-темного моста £ к управляющим входе» №1. JN2. „ . 1Нк;
Cf — коядевевтор; Б — ктмсрнтелмыЯ мост Черт. 15
XL 40 ГОСТ 17780-88
Схема имерения емкое™ аналогового входа
ЛА
DA — «меряемая ыякроежаы»; Si. Si. .... $ш — «налоговые ■ходи; DI, Di. п.. Dn — аналоговые выходы; U — вывод атама; т», tin, ..., in* — управляющие входи; uv — общаВ вывод; 01—Of — истояимкм поптонияого напряжения; 5Л1 — аоммуеацаовао* устройство, обвссечяввющее подключен я с явточпажоа постоянного лапряженая Gl. G] к управ-лапщям вхо-дам INI, IN?. _. . IN, SAI — переключатель:
Cl — коадеасатор; £ — мзмарнтехьныА мост
Черт. 16
ГОСТ 1778#—И в. 41
Схема намерения емкости диалоговое* выхода
DA — им«рмм»« микросхем*; St. S3.....Зт — ааадогоаыс входы; DI, Di. _., Dn — диалоговые ваходм; f — вывод питания; Ш1, >Л>. „. . IN* — упр*в«юои*е «холи; OV — ОбтциА вывод; G1—G3 — источники лоетовивого вларяжемвз ^At — < оы муг* «киоыи-» увТ^лОег»^. n/i0cn<we**w»rn«* «идее#»-чемиа источников постоянного напряжения Ot. Ga ■ »ер**-лаютим ВХОД*х tffl. INI..... /.V, з SAa — оер^хлючатг-яи;
Cl — конденсатор: Е — юкефителмя* мост
Черт. 17
С. 42 ГОСТ 277U-M
Схема изыеревмя емкости между аналоговым входом и выходом
ОД _ измеряемая микросхем»; ST. S2. „, , 5m — аналоговые можм; DI. Df, „., D п — аналоговые выходи. V — вывод питанма; ПИ, IN2..... W^ — управляющее входы: OV — общи* вывод; GI—GS — источники постоянного напряжения: SA! — комнучацвоянее устроастмо, обеспечивающее подключение источников постоянного каппяжеаия Gt. Gj к управ-ллимдмм мода и !N19 i^Q. „. . 1™% ; £ЛТ, £*19 — псрьклю-ч« т едя; С Г — конденсатор; Е — хзмсршельиый мост
Черт. 18
4. Обработка результатов
4.1, Разность между измеренным значением емкости без микросхемы и значением емкости с измеряемой микросхемой определяет значение емкостей С0ха„, '•'пах ш- ^лх упр И Сцых-жх >ц.
При использовании измерительного моста с автоматической балансировкой операции по пл. 2.1„ ЗД 4.1 нс выполняют.
4.2. Показатели точности намерений
Погрешность измерении емкости управляющего ихода, аналогового входа, ан ал огон ого выхода, между аналоговым выходом и аналоговым входом — ft продолах ±10% с вероятностью 0.95. При значении измеряемого параметра — 3 пФ —и пределах ±15% с вероятностью 0.95.
ГОСТ 27780-88 С. 43
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
I. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 13.07.88 №2670
2. Срок проверки — 1994 г.; периодичность проверки — 5 лет
3. В стандарт введен международный стандарт МЭК 748—1
4. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение И ГД, 8» который лен* ссылка
Нойер пункта
ГОСТ 12.1.030—8!
ГОСТ 12J.W7.0—75 ГОСТ 12.3.019—80 ГОСТ 20.57.406-81 ГОСТ 19480-89 ГОСТ 19799—74 ГОСТ 22261—82
1.42
1.4Д 1-4 4
1.4.1
1.1
Вводная часть
1.1.1
1.2.'. 1.4.5
6. ПЕРЕИЗДАНИЕ (июнь 1990 г.) с Изменениями № 1, 2, утвержденными в марте 1989 г., апреле 1990 г. (ИУС 6—8 9, 7—90)
Редактор Л. Е. Искандарян Технический редактор Л. Я. Митрофанова Корректор В. И. Конуркина
Сдио в наб. Свй.ЭД Подо, в печ. 12С9.9О 2.75 уел. л. л. 2.?S ус.’, «p.-ort. 2.44 уч»изд. Тираж 1ИЙ Цена 60 к
Ордеяа сЗиак Почета» Издательство стаидартов, 123667. Млан. ГСП. Новопресиеяскнв пер.. 3.
Калужская типография «таидартов. ул Москоасааг. 266. Зак. 1028
