ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО
ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ГОСТ Р
71074—
2023
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Издание официальное
Москва
Российский институт стандартизации 2023
ГОСТ Р 71074—2023
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. № 1312-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
©Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
II
ГОСТ Р 71074—2023
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой — светлым, синонимы — курсивом.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском (еп) языке.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
Ill
ГОСТ Р 71074—2023
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Integrated circuits. Magnetic bubble integrated circuits memory. Terms, definitions and letter symbols characteristics
Дата введения — 2024—03—01
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (далее — микросхемы ЗУ ЦМД), применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем ЗУ ЦМД, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД приведены в приложении А.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем ЗУ ЦМД в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
Параметры микросхем ЗУ ЦМД
1
(информационная) емкость (микросхемы ЗУ ЦМД) ОИНф: data capacity Q
Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве.
[Адаптировано из ГОСТ 25492—82, статья 26]
2 скорость передачи (данных микросхемы ЗУ ЦМД) УИНф: data transfer-rate V
Количество бит информации, передаваемой в единицу времени.
3 выходное напряжение высокого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) UBblx в: Значение напряжения высокого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации.
high-level output
voltage U0H
Издание официальное
1
ГОСТ Р 71074—2023
4 выходное напряжение низкого уровня (сигнала выходной | low-level output |
информации микросхемы ЗУ ЦМД) UBb|X н: Значение напряжения низкого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | voltage UOL |
5 среднее время выборки (микросхемы ЗУ ЦМД) fB ср: Время | average access time |
выборки среднего разряда средней страницы. | ^A(av) |
6 рабочая частота (микросхемы ЗУ ЦМД) fpa6: Частота переменного или импульсного тока управления микросхемы ЗУ ЦМД. 7 | drive frequency foper |
потребляемая мощность (интегральной микросхемы ЗУ ЦМД) | power consumption |
Рпот: Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме. [Адаптировано из ГОСТ Р 57441—2017, статья 66] | pcc |
8 рабочий диапазон температур (микросхемы ЗУ ЦМД) АТраб: — | operating temperature range &Toper |
9 диапазон температур хранения информации (микросхемы | non-volatility storage |
ЗУ ЦМД) АТхр: - | temperature range |
10 | A ^stor |
отношение сигнал — помеха (микросхемы ЗУ ЦМД) Uc/Un: | signal-to-noise ratio |
Отношение величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи. Примечание — В качестве величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи, берут их средние мощности, среднеквадратические значения, пиковые отклонения, энергии и т. п. Способ определения этих величин должен всегда оговариваться особо. [Адаптировано ГОСТ 16465—70, статья 27] | Us/Un |
Параметры режима эксплуатации и (или) измерений микросхем ЗУ ЦМД | |
11 ток управления (микросхемы ЗУ ЦМД) 1х 1у: Амплитуда переменного (или импульсного) тока определенной частоты через узел управления микросхемы ЗУ ЦМД (электромагнитные катушки, специальные токопроводящие слои и др.), который обеспечивает работоспособность микросхемы в режиме записи и считывания информации. | control current lx ly |
12 ток генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) /г: Амплитуда импульса тока через генератор микросхемы ЗУ ЦМД, который необходим для образования ЦМД при записи информации, представленной логической единицей. | generate current lG |
13 ток ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) /Вв: Амплитуда transfer-in current lD импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию ввода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистра ввода в регистры хранения информации.
14 ток вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) /в: Амплитуда transfer-out current
импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий /Q
функцию вывода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистров хранения в регистр вывода информации.
2
ГОСТ Р 71074—2023
15 ток обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) /ОБ: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию обмена информации, который необходим для одновременного перевода ЦМД из регистра ввода-вывода информации в регистры хранения и из регистров хранения — в регистр ввода-вывода информации. | swap current /s |
16 ток репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) /р: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для осуществления операции деления ЦМД. | replication current lR |
17 ток вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) /Р_в: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для перевода ЦМД в регистр вывода информации непосредственно после операции деления. | transfer-out current in replication mode 'r—q |
18 ток детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) /д: Рабочий (постоянный или импульсный) ток через детектор микросхем ЗУ ЦМД. | detector current ld |
19 длительность импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) тг: - | generator width twg |
20 длительность импульсатока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) тВв: - | transfer-in width xWD |
21 длительность импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) тв: — | transfer-out width XWQ |
22 длительность импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) тОБ: — | swap width t^ |
23 длительность импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) тр: - | replication width t^ |
24 длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) тр_в: — | transfer-out width in replication mode XWQR |
25 время задержки импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД*) 'зд. Г: - | generator length tDG |
26 время задержки импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) (зд Вв: — | transfer-in length tDD |
27 время задержки импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) (зд в: — | transfer-out length *DQ |
28 время задержки импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) (зд 0Б: — | swap length tDS |
29 время задержки импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМДНзд.р:- | replication length tDR |
30 сопротивление генератора (микросхемы ЗУ ЦМД) /?г: — | bubble generator resistance RG |
* Задержка определяется как интервал времени между началом периода работы микросхемы ЗУ ЦМД (нулевая фаза) и передним фронтом импульса. Допускается использовать термин «фаза» (пояснение относится к статьям 19—29).
3
ГОСТ Р 71074—2023
31 сопротивление переключателя ввода (микросхемы ЗУ ЦМД) ^Вег
32 сопротивление переключателя вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) rb'~
33 сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) ЯВв.в: —
34 сопротивление переключателя-репликатора (микросхемы ЗУ ЦМД) Яр: -
35 сопротивление переключателя обмена (микросхемы ЗУ ЦМД) ^об: —
36 сопротивление комбинированного переключателя (микросхемы ЗУ ЦМД) Яком: —
37 сопротивление детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) Яд: —
38 разность сопротивлений (детекторов микросхемы ЗУ ЦМД) АЯд: Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов узла регистрации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД.
transfer in gate resistance RTD
transfer out gate
resistance RQ
transfer gate resis
tance Rtg
replicate gate resis
tance Rtr
swap gate resistance
RTS
combined gate
resistance RycoM
detector resistance
Rd
resistance difference
bRd
39 сопротивление узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) Rx> ry- —
40 индуктивность узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) LX’ ly‘ —
control scheme resistance Rx, Ry control scheme inductance Lx, LY
4
ГОСТ Р 71074—2023
Алфавитный указатель терминов на русском языке
время выборки микросхемы ЗУ ЦМД среднее 5
время выборки среднее 5
время задержки импульса тока ввода 26
время задержки импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД 26
время задержки импульса тока вывода 27
время задержки импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД 27
время задержки импульса тока генерации 25
время задержки импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД 25
время задержки импульса тока обмена 28
время задержки импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД 28
время задержки импульса тока репликации 29
время задержки импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД 29
диапазон температур микросхемы ЗУ ЦМД рабочий 8
диапазон температур рабочий 8
диапазон температур хранения информации 9
диапазон температур хранения информации микросхемы ЗУ ЦМД 9
длительность импульса тока ввода 20
длительность импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД 20
длительность импульса тока вывода 21
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации 24
длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД 24 длительность импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД 21
длительность импульса тока генерации 19
длительность импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД 19
длительность импульса тока обмена 22
длительность импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД 22
длительность импульса тока репликации 23
длительность импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД 23
емкость 1
емкость информационная 1
емкость микросхемы ЗУ ЦМД 1
емкость микросхемы ЗУ ЦМД информационная 1
индуктивность узла управления 40
индуктивность узла управления микросхемы ЗУ ЦМД 40
мощность интегральной микросхемы ЗУ ЦМД потребляемая 7
мощность потребляемая 7
напряжение высокого уровня выходное 3
напряжение высокого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное 3
напряжение низкого уровня выходное 4
напряжение низкого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное 4 отношение сигнал — помеха Ю
5
ГОСТ Р 71074—2023
отношение сигнал — помеха микросхемы ЗУ ЦМД Ю
разность сопротивлений 38
разность сопротивлений детекторов микросхемы ЗУ ЦМД 38
скорость передачи 2
скорость передачи данных микросхемы ЗУ ЦМД 2
сопротивление генератора 30
сопротивление генератора микросхемы ЗУ ЦМД 30
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода 33
сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода микросхемы ЗУ ЦМД 33
сопротивление детектора 37
сопротивление детектора микросхемы ЗУ ЦМД 37
сопротивление комбинированного переключателя 36
сопротивление комбинированного переключателя микросхемы ЗУ ЦМД 36
сопротивление переключателя ввода 31
сопротивление переключателя ввода микросхемы ЗУ ЦМД 31
сопротивление переключателя вывода 32
сопротивление переключателя вывода микросхемы ЗУ ЦМД 32
сопротивление переключателя обмена 35
сопротивление переключателя обмена микросхемы ЗУ ЦМД 35
сопротивление переключателя-репликатора 34
сопротивление переключателя-репликатора микросхемы ЗУ ЦМД 34
сопротивление узла управления 39
сопротивление узла управления микросхемы ЗУ ЦМД 39
ток ввода 13
ток ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД 13
ток вывода 14
ток вывода информации в режиме репликации 17
ток вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД 17
ток вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД 14
ток генерации 12
ток генерации микросхемы ЗУ ЦМД 12
ток детектора 18
ток детектора микросхемы ЗУ ЦМД 18
ток обмена 15
ток обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД 15
ток репликации 16
ток репликации микросхемы ЗУ ЦМД 16
ток управления 11
ток управления микросхемы ЗУ ЦМД 11
частота микросхемы ЗУ ЦМД рабочая 6
частота рабочая 6
6
ГОСТ Р 71074—2023
Алфавитный указатель терминов на английском языке
average access time 5
bubble generator resistance 30
combined gate resistance 36
control current 11
control scheme inductance 40
control scheme resistance 39
data capacity 1
data transfer-rate 2
detector current 18
detector resistance 37
drive frequency 6
generate current 12
generator length 25
generator width 19
high-level output voltage 3
low-level output voltage 4
non-volatility storage temperature range 9
operating temperature range 8
power consumption 7
replicate gate resistance 34
replication current 16
replication length 29
replication width 23
resistance difference 38
signal-to-noise ratio 10
swap current 15
swap gate resistance 35
swap length 28
swap width 22
transfer gate resistance 33
transfer in gate resistance 31
transfer out gate resistance 32
transfer-incurrent 13
transfer-in length 26
transfer-in width 20
transfer-out current 14
transfer-out current in replication mode 17
transfer-out length 27
transfer-out width 21
transfer-out width in replication mode 24
7
ГОСТ Р 71074—2023
Приложение А (справочное)
Термины и определения общих понятий, буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД
Общие понятия
А.1 интегральная микросхема запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах; микросхема ЗУ ЦМД: Интегральная микросхема с функциональными узлами, обеспечивающими передачу и хранение информации, представленной ЦМД.
magnetic bubble
microcircuit memory
A.2 структура управления (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы control structure
ЗУ ЦМД, предназначенная для осуществления операций записи и считывания, а также хранения информации, представленной последовательностью ЦМД.
А.З массив хранения (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ storage array ЦМД, содержащая совокупность информационных регистров, служащих для хранения и перемещения информации, представленной последовательностью ЦМД.
А.4 функциональный элемент (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть микросхемы functional element ЗУ ЦМД, которая выполняет определенную функцию и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
А.5 функциональный узел (микросхемы ЗУ ЦМД): Совокупность functional scheme функциональных элементов микросхемы ЗУ ЦМД, обеспечивающая выполнение определенной операции.
А.6 информационный регистр (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для хранения информации.
А.7 регистр ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам при записи информации и от информационных регистров к детектору при считывании информации.
А.8 регистр ввода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам
А.9 регистр вывода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от информационных регистров к детектору при считывании информации.
А. 10 генератор ЦМД зарождающего типа микросхемы ЗУ ЦМД; зарождающий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем их контролируемого зарождения
А. 11 генератор ЦМД репликаторного типа микросхемы ЗУ ЦМД; реплицирующий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем реплицирования базового домена.
А.12 переключатель ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет ввод информации из регистра ввода в регистры хранения.
А. 13 переключатель вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет вывод информации из регистров хранения в регистр вывода.
minor loop
input loop
input register
output register nucleate generator
replicating generator
transfer-in gate
transfer-out gate
8
ГОСТ Р 71074—2023
А. 14 переключатель ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции переключателя ввода и (или) переключателя вывода.
А. 15 переключатель обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет одновременный ввод и вывод информации.
А. 16 переключатель-репликатор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функцию деления ЦМД и вывода информации.
А.17 комбинированный переключатель (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции ввода информации, вывода информации, обмена информации, деления ЦМД и вывода информации.
А. 18 узел детектирования (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для регистрации ЦМД.
А. 19 рабочий детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для выделения сигнала от ЦМД.
А.20 компенсационный детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для компенсации сигналов помех.
Типы организации микросхем ЗУ ЦМД
А.21 последовательная организация: Организация микросхемы в виде одного автономного информационного регистра.
А.22 последовательно-параллельная организация: Организация микросхемы в виде некоторой совокупности информационных регистров, объединенных регистром (или регистрами) ввода и вывода информации.
А.23 организация с замкнутым регистром ввода-вывода информации: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены одним замкнутым регистром ввода-вывода информации.
А.24 организация с раздельными регистрами ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации.
А.25 организация с обменным переключателем: Последовательно-параллельная организация микросхемы с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации.
А.26 организация с разомкнутым регистром ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы с одним разомкнутым регистром ввода-вывода и переключателем комбинированного типа.
А.27 организация блочным реплицированием: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой совокупность информационных регистров разделена на определенное число блоков.
Основные сигналы для микросхем ЗУ ЦМД
А.28 Х-сигнал управления продвижением доменов X: —
А.29 Y-сигнал управления продвижением доменов У: —
А.30 сигнал выходной информации С: —
transfer gate
swap gate
replicate gate
combined gate
detector scheme
active detector
dummy detector
major loop organisation
major-minor loop organisation
closed Input loop organisation
separate Input loops organisation
swap gate organisation
open Input loop organisation
block replicate organisation
X-domain progress control signal X
Y-domain progress control signal Y
transfer-out signal О
9
ГОСТ Р 71074—2023
А.31 импульс генератора Г: — | generator pulse G |
А.32 импульс ввода информации Вв: — | transfer-in pulse D |
А.ЗЗ импульс вывода информации В: — | transfer-out pulse Q |
А.34 импульс обмена информации ОБ: — | swap pulse S |
А.35 импульс тока репликации Р: — | replication current pulse R |
А.36 импульс тока вывода в режиме репликации Р—В: — | transfer out pulse in replication mode RQ |
10
ГОСТ Р 71074—2023
УДК 621.38:006.354
ОКС 31.200
Ключевые слова: микросхемы интегральные, запоминающие устройства, цилиндрические магнитные домены, термины, определения, буквенные обозначения
11
Редактор М.В. Митрофанова Технический редактор В.Н. Прусакова Корректор О.В. Лазарева Компьютерная верстка М.В. Малеевой
Сдано в набор 08.11.2023. Подписано в печать 17.11.2023. Формат 60x84%. Гарнитура Ариал. Усл. печ. л. 1,86. Уч.-изд. л. 1,12.
Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта
Создано в единичном исполнении в ФГБУ «Институт стандартизации» , 117418 Москва, Нахимовский пр-т, д. 31, к. 2.
