ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО
ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ГОСТ Р
71068—
2023
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ
Система параметров
Издание официальное
Москва
Российский институт стандартизации 2023
ГОСТ Р 71068—2023
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 30 октября 2023 г. № 1302-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
©Оформление. ФГБУ «Институт стандартизации», 2023
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
II
ГОСТ Р 71068—2023
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ
Система параметров
Integrated microprocessor circuit.
Parameters system
Дата введения — 2024—03—01
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микропроцессорные микросхемы и устанавливает состав параметров и типовых характеристик интегральных микропроцессорных микросхем (далее — микросхемы), подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на микросхемы конкретных типов при их разработке или пересмотре.
Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации микросхем в соответствии с действующим законодательством.
2 Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использована нормативная ссылка на следующий стандарт:
ГОСТ Р 57441 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Примечание — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.
Издание официальное
1
ГОСТ Р 71068—2023
3 Термины, определения и сокращения
3.1 В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57441, а также следующие термины с соответствующими определениями:
3.1.1 ток нагрузки /н (/LD): Значение тока, протекающего в цепи нагрузки интегральной микросхемы.
3.1.2 время умножения t (tMPL): Интервал времени между входными импульсами и результатом умножения на выходе микросхемы, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
3.2 В настоящем стандарте применены следующие сокращения:
АЛУ —арифметико-логическое устройство;
И2Л — интегрально-инжекционная логика (структура);
МДП — металл-диэлектрик-полупроводник (структура);
ОЗУ —оперативное запоминающее устройство;
ПЗУ —постоянное запоминающее устройство;
ЭСЛ —эмиттерно-связанная логика (структура).
4 Система параметров
4.1 Состав параметров микросхем и способ задания норм приведены в таблице 1.
Таблица 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, под-лежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1 Параметры микросхем | |||||
1.1 Выходное напряжение | ^вых | ^0 | — | ОП, Р | — |
1.2 Выходное напряжение низкого уровня | Чых.н | U0L | + | ОП | — |
1.3 Выходное напряжение высокого уровня | ^вых.в | ион | + | ОП | — |
1.4 Выходное пороговое напряжение низкого уровня | ^пор.вых.н | U0TL | + | ОП, Р | Для ЭСЛ-микросхем |
1.5 Выходное пороговое напряжение высокого уровня | Чор.вых.в | иотн | + | ОП, Р | То же |
1.6 Напряжение инжектора | ^инж | UG | + | ОП, Р | Для И2Л-микросхем |
1.7 Прямое падение напряжения на антизвонном диоде | ипп пр | UCDI | — | ОП | — |
1.8 Помехоустойчивость при низком уровне | ^пом.н | ml | — | ОП | — |
1.9 Помехоустойчивость при высоком уровне | ^пом.в | Чу | — | ОП | — |
1.10 Отрицательное напряжение на выходе при заданном токе | Чых.отр | UCDO | — | ОП | — |
1.11 Ток потребления | ^пот | 'сс | + | ОП | — |
1.12 Ток потребления динамический | ^пот.дин | ^со | — | ОП | — |
2
Продолжение таблицы 1
ГОСТ Р 71068—2023
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1.13 Ток потребления в состоянии «Выключено» | пот.выкл | 'ccz | — | ОП | Для микросхем с тремя состояниями |
1.14 Входной ток | ^вх | 'l | — | ОП, Р | — |
1.15 Входной ток низкого уровня | ^вх.н | 'tL | + | ОП, Р | — |
1.16 Входной ток высокого уровня | ^вх.в | Ьн | + | ОП, Р | — |
1.17 Ток утечки на входе | ^ут.вх | 'и | — | ОП | Для МДП-микросхем |
1.18 Ток утечки низкого уровня на входе | ^утвх.н | 'lil | + | ОП | То же |
1.19 Ток утечки высокого уровня на входе | ^ут.вх.в | 'ин | + | ОП | » |
1.20 Ток утечки на выходе | ^ут.вых | 'oL | — | ОП | » |
1.21 Ток утечки низкого уровня на выходе | 'ут.вых.н | 'oLL | + | ОП | » |
1.22 Ток утечки высокого уровня на выходе | ^ут.вых.в | 'oLH | + | ОП | » |
1.23 Ток короткого замыкания на выходе | Асз.вых | 'os | — | ОП | — |
1.24 Выходной ток | ^вых | 'о | — | ОП, Р | — |
1.25 Выходной ток низкого уровня | ^вых.н | 'oL | + | ОП | Для И2Л-микросхем |
1.26 Выходной ток высокого уровня | ^вых.в | 'он | + | ОП | То же |
1.27 Выходной ток в состоянии «Выключено» | ^вых.выкл | 'oz | — | ОП | Для микросхем с тремя состояниями на выходе |
1.28 Выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено» | ^вых.выкл.н | 'OZL | + | ОП | То же |
1.29 Выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено» | ^вых.выкл.в | 'ozh | + | ОП | » |
1.30 Потребляемая мощность | р пот | PCC | + | ОП | — |
1.31 Динамическая потребляемая мощность | р ' пот.дин | pcco | — | ОП | — |
1.32 Рассеиваемая мощность | р рас | Ptot | — | ОП | — |
1.33 Время | t | t | + | оп, р HP | — |
1.34 Время задержки | ‘зд | 'd | — | ОП, Р | — |
1.35 Время задержки распространения сигнала | ^зд.р | 'p | — | ОП, Р | — |
1.36 Время задержки распространения сигнала при включении | ^зд.р.вкл | 'pHL | — | ОП, Р | — |
3
ГОСТ Р 71068—2023
Продолжение таблицы 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, под-лежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1.37 Время задержки распространения сигнала при выключении | ‘зд.р.выкл | ^LH | — | ОП, Р | — |
1.38 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено» | ^зд.р13 | ^HZ | — | ОП, Р | — |
1.39 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено» | ^зд.рОЗ | ^LZ | — | ОП, Р | — |
1.40 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня | ^зд.р31 | tpZH | — | ОП, Р | — |
1.41 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня | ^зд.рЗО | fPZL | — | ОП, Р | — |
1.42 Время задержки включения | ^зд.вкл | ^HL | — | ОП, Р | — |
1.43 Время задержки выключения | ^зд.выкл | ^LH | — | ОП, Р | — |
1.44 Время выбора | 'в | fCS | — | ОП | — |
1.45 Время цикла | ^Y | — | ОП | — | |
1.46 Время записи | 'зп | *WR | — | ОП | — |
1.47 Время считывания | ^сч | ^RD | — | ОП | — |
1.48 Время умножения | ^ум | {MPL | — | ОП | — |
1.49 Время выполнения операции | юп | 1ОР | — | ОП | — |
1.50 Длительность сигнала | т | tw | — | оп, р HP | — |
1.51 Длительность сигнала низкого уровня | тн | twL | — | оп, р HP | — |
1.52 Длительность сигнала высокого уровня | тв | fWH | — | оп, р HP | — |
1.53 Время фронта нарастания сигнала | ^нар.вх | fLH | — | ОП, Р | — |
1.54 Время фронта спада сигнала | ^сп.вх | t-HL | — | ОП, Р | — |
1.55 Период следования импульсов тактов сигналов | Тт | Tc | — | ОП, Р | — |
1.56 Длительность тактовых сигналов | Тт | tw(C) | — | ОП, Р | — |
1.57 Длительность импульсов строба | Тст | tw(STB) | — | ОП, Р | — |
4
Продолжение таблицы 1
ГОСТ Р 71068—2023
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1.58 Частота | f | f | + | ОП, Р, HP | — |
1.59 Частота следования импульсов тактовых сигналов | ^т | fC | — | ОП, Р | — |
1.60 Частота генерирования | fg | — | ОП, Р | — | |
1.61 Входное сопротивление | ^вх | Ч | — | ОП, HP | — |
1.62 Выходное сопротивление | ''вых | *0 | — | ОП, HP | — |
1.63 Сопротивление входа/выхода | р ^вх/вых | Rl/O | — | ОП, HP | Для комбинированных входов-выходов |
1.64 Сопротивление резистора, встроенного в микросхему | ^вн | rr | — | ОП, HP | — |
1.65 Входная емкость | Свх | С/ | + | ОП | — |
1.66 Выходная емкость | с вых | co | + | ОП | — |
1.67 Емкость входа/выхода | Г' ^вх/вых | Cl/O | + | ОП | Для комбинированных входов-выходов |
1.68 Разрядность данных | Ч | "d | + | Н | — |
1.69 Разрядность адреса | Ч | Na | — | Н | — |
1.70 Разрядность команды (микрокоманды) | ч I4J | nins {Nmins^ | — | н | — |
1.71 Разрядность каналов | Чн | NB | — | н | — |
1.72 Разрядность АЛУ | ^АЛУ | nalu | — | н | — |
1.73 Разрядность регистров общего назначения | Ч°н | Nrg | — | н | — |
1.74 Разрядность внутренних регистров состояния | Ч-сос | Nrg,sa | — | н | — |
1.75 Количество команд (микрокоманд) | "к | nINS lnMINs] | — | н | — |
1.76 Количество каналов ввода информации | ^вв | nl | — | н | — |
1.77 Количество каналов вывода информации | ^выв | no | — | н | — |
1.78 Количество каналов ввода/вывода информации | ^вв/выв | nl/O | — | н | — |
5
ГОСТ Р 71068—2023
Продолжение таблицы 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, под-лежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
1.79 Количество регистров общего назначения | пр.о.н | nRG | — | Н | — |
1.80 Количество внутренних регистров состояния | ^р.сос | nRG,SA | — | Н | — |
1.81 Количество каналов обмена | ^кн.об | пВ,ЕХС | — | Н | — |
1.82 Количество каналов запроса прерывания | ^кн.прер | nB,INR | — | Н | — |
1.83 Количество уровня прерывания | ^ур.прер | nINR | — | Н | — |
1.84 Количество режимов работы | ЛРР | nREG | — | Н | — |
1.85 Количество адресуемых устройств ввода/вывода | ла.вв/выв | ПА,1/О | — | Н | — |
1.86 Количество операций в секунду | ^оп/с | nOP/S | — | Н | — |
1.87 Скорость обмена информацией с внешними устройствами | ^об | ^EXC | — | Н | — |
1.88 Объем адресуемой памяти | ^ад.п | — | Н | — | |
1.89 Объем памяти внутреннего стека | ^стек | ^ST | — | Н | — |
1.90 Емкость ОЗУ | ООЗУ | ^RAM | — | Н | — |
1.91 Емкость ПЗУ | $ПЗУ | ^ROM | — | Н | — |
1.92 Вид адресации | — | — | — | — | — |
2 Параметры режима эксплуатации и (или) измерений | |||||
2.1 Напряжения питания | ucc | + | HP, Р | — | |
2.2 Напряжение смещения подложки | ^см.п | ^BS | — | HR Р | — |
2.3 Входное напряжение | ^БХ | — | ОП, Р | — | |
2.4 Входное напряжение низкого уровня | ^вх.н | “lL | + | ОП, Р | — |
2.5 Входное напряжение высокого уровня | ^вх.в | UIH | + | ОП, Р | — |
2.6 Пороговое напряжение низкого уровня | ^пор.н | UTL | — | ОП, Р | — |
2.7 Пороговое напряжение высокого уровня | ^пор.в | UTH | — | ОП, Р | — |
2.8 Ток инжектора | 'инж | 'g | + | HP | — |
2.9 Выходной ток низкого уровня | ^вых.н | lOL | + | ОП | — |
2.10 Выходной ток высокого уровня | 'вых.в | ^OH | + | ОП | — |
2.11 Ток нагрузки | — | ОП, Р | — | ||
6
Окончание таблицы 1
ГОСТ Р 71068—2023
Наименование параметра | Буквенное обозначение параметра | Параметры, под-лежащие обязательному включению в ТУ | Способ задания нормы | Примечание | |
русское | международное | ||||
2.12 Время сохранения сигнала | *cx | — | ОП, Р | — | |
2.13 Время хранения информации | ^хр | ^G | — | ОП | — |
2.14 Время установления сигнала | ^ус | ^U | — | ОП, Р | — |
2.15 Время восстановления | ‘вое | ^ЕС | — | ОП, Р | — |
2.16 Время удержания | — | ОП, Р | — | ||
2.17 Сопротивление нагрузки | — | ОП, HP | — | ||
2.18 Емкость нагрузки | Сн | Cl | — | ОП, HP | — |
Примечания 1 Для указания способа задания норм на параметры микросхем в настоящей таблице применены следующие обозначения: - Н — номинальное значение параметра; - HP — номинальное значение параметра с двухсторонним допускаемым отклонением (разбросом); - Р — двухсторонние границы значения параметра (разброс) без указания номинального значения; - ОП — односторонний предел значения параметра без указания номинального значения. 2 Необходимость включения в ТУ на конкретные типы микросхем параметров, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных параметров, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем микросхем. 3 В ТУ устанавливают состав параметров 1.34—1.49, 1.59, 1.60, 1.68—1.92 в зависимости от специфики микросхем и наиболее полно характеризующий их по быстродействию. 4 В ТУ могут включаться производные параметров 1.34—1.57, буквенные обозначения которых образовывают по способу, указанному в ГОСТ Р 57441. В этом случае способ задания норм на эти параметры следует брать из таблицы 1 для соответствующего параметра как основного. 5 Параметры 2.1, 2.4, 2.5, 2.9, 2.10, 2.18 дополнительно включают в таблицу предельно допустимых и предельных режимов эксплуатации ТУ. | |||||
4.2 Основные параметры микросхем
Основные параметры подлежат обязательному включению в ТУ или стандарты на микросхемы конкретных типов:
- количество регистров общего назначения;
- количество каналов обмена;
- скорость обмена информацией с внешними устройствами;
- разрядность регистров общего назначения;
- разрядность адреса;
- разрядность данных;
- разрядность команды (микрокоманды);
- количество команд (микрокоманд); объем адресуемой памяти;
- емкость ОЗУ;
- емкость ПЗУ;
- количество режимов работы;
- количество уровней прерывания;
- потребляемая мощность.
4.3 Параметры-критерии годности микросхем в различных видах испытаний установлены в таблице 2.
7
8
I 00 X X О о ° X О о s< о ° CD 75 a | ^< Ч X CD X СО "ОО^СТШсг О О =1 5 CD CD о о X сг z X а ъ ^,0X0^1 О 2 О ? О 5 3 •< 1 ® | *< ч I х m ■о о £ s щ О ^ z п 5 ГО I X X -о * х X о о о Л го § о * § о о ^ ? ° Д Х< TD X Q ° 2 О X X | 5§^ ° х ° х 2 х о ч g “г г т | ® М S Ш 5 го 2 2 CD ГО ° Ч го "О о I ш Ш ”1 пуф | ||||
+ | + | + | + | на теплостойкость при пайке | от S го S о го -1 0) S Sc | о ^ 7 ? | о X н о о о о го Ф о ч го S я ч ф СП о го го X S 2 | |
+ | + | + | + | на виброустойчивость | о о Sc О О ч S т; го ф Е X S 2 го о ф S< о ч го £ S -8- о 0) 2 | |||
+ | + | + | + | на вибропрочность | ||||
+ | + | + | + | на ударную прочность | ||||
+ | + | + | + | на воздействие одиночных ударов | ||||
+ | + | + | + | на воздействие линейного ускорения | ||||
о | о | о | о | на воздействие акустического шума | ||||
+ | + | + | + | на воздействие повышенной температуры среды при эксплуатации | ||||
+ | + | + | + | на воздействие пониженной температуры среды при эксплуатации | ||||
+ | + | + | + | на воздействие изменения температуры окружающей среды | ||||
+ | + | + | + | на воздействие повышенной влажности воздуха | кратковременное | |||
+ | + | + | + | длительное | ||||
+ | + | + | + | на воздействие атмосферного пониженного давления | ||||
+ | + | + | + | на воздействие повышенного давления | ||||
о | о | о | о | на воздействие инея и росы | ||||
о | о | о | о | на определение запасов устойчивости к воздействию механических, тепловых и электрических нагрузок | ||||
+ | + | + | + | на безотказность | X 0) ф X о о ч S | |||
+ | + | + | + | на долговечность | ||||
+ | + | + | + | на сохраняемость | ||||
о | о | о | о | на хранение при повышенной температуре | ||||
о | о | о | о | к воздействию специальных факторов | ||||
+ | + | + | + | к упаковке | ||||
Таблица
£303—890 LZ d ±OOJ
6
OZgHZIZfa 3 2 5 X £ 2 s о 5 ? ф m Z о Ф ^ Ф х - х ? Ф | а х □ о ч ф | 1 “ ф | ^ CD СП £ X ° о о ? о Ь 1 х I а о о о | 11 “ S Ф Л 2 g ф о ч 1 й -О о I ш ш О Л ¥ ч ■о s S Ф | ||||
+ | + | + | на теплостойкость при пайке | оз S (Г S о от -1 £0 X Sc | о х •Е -q х 7 F | ^ О X —1 О о о о от ф о н от S X ф о от X S 2 | ||
+ | + | + | на виброустойчивость | О о Sc О о S от X ф Е X S S от о ф Sc О н от £ S -8- X О г | ||||
+ | + | + | на вибропрочность | |||||
+ | + | + | на ударную прочность | |||||
+ | + | + | на воздействие одиночных ударов | |||||
+ | + | + | на воздействие линейного ускорения | |||||
о | о | о | на воздействие акустического шума | |||||
+ | + | + | + | на воздействие повышенной температуры среды при эксплуатации | ||||
+ | + | + | + | на воздействие пониженной температуры среды при эксплуатации | ||||
+ | + | + | на воздействие изменения температуры окружающей среды | |||||
+ | + | + | на воздействие повышенной влажности воздуха | кратковременное | ||||
+ | + | + | длительное | |||||
+ | + | + | на воздействие атмосферного пониженного давления | |||||
+ | + | + | на воздействие повышенного давления | |||||
о | о | о | на воздействие инея и росы | |||||
о | о | о | на определение запасов устойчивости к воздействию механических, тепловых и электрических нагрузок | |||||
+ | + | + | + | на безотказность | I Ф £ О о S | |||
+ | + | + | + | на долговечность | ||||
+ | + | + | + | на сохраняемость | ||||
о | о | о | на хранение при повышенной температуре | |||||
о | о | о | о | к воздействию специальных факторов | ||||
+ | + | + | к упаковке | |||||
Продолжение таблицы 2
£303—890 kZ d 1OOJ
ГОСТ Р 71068—2023
Окончание таблицы 2
10
2 I 03 00 о ю ф н □; со о со о о о о н о хг | эяаоявиАя | + | О 2 О & с i “ X ГО Л “ о и 8 * =г >х о X О. ф ГО 5 2 >< ф X х О -0 о q О. ГО ОС I 5 £ >х q X ЕС 8 i £ го 2 О ГО S 1 “ х 2 1 ! го го с °- со х го х о- ф г СО X ф ГОГ Р X X t CL q о. Ф X £ ГО со ла ° ¥ х т н го 2 2 2 го ГО ф CL Cl х X ГО ф ю с О. X X ГО т о с к о £ § о ^ Ф X I го q S О I |8s го о-О Го го го о ? 8 ?г° S ®т | О го го X К о го “ $ S ° о о Гото rot ° го О- ф О * X 2 s го ^ о О 2-о- со Q ^ ^ ^ Ст- s Щ Го СМ 2 2 О о | |||
аоботяеф хнннивиЬэиэ ошаюиеИЕоа я | 1 | |||||
X о о I * ф Ч го I | >5 03 н с о S со | adXiedauwai ионнэгшааои ndu SHHQHBdx вн | ||||
aioowabHBdxoo вн | + | |||||
qiooHhasojLrotf вн | + | |||||
qlэoн£вя±OEэg вн | + | |||||
2 ГО о н 05 •е- 2 X 2 h О ф о со 2 I 3 ф со S о о о о | яoEAdJвн xияэehиdlяэLre и xiqaoLfusi ‘хияэекинвхэ1/м сниаюиэЬ'Еоа я июоаикиоюА аоэвивЕ anHaustZaduo вн | |||||
wood и вени эиаюиеУЕоа вн | о | |||||
ьинеиавУ ojoHHamiqaou эиаюиаУвоа вн | ||||||
ьинэиавй1 сионнэж -иной ojoHda0ooNiB эиаюиэйЕоа вн | + | |||||
eoHaueiHLftf | вхА^еоэ июонжвиа ионнэтмаои эиаюиэйЕоа вн | + | ||||
эoннэlлlэdaoяlвdя | + | |||||
iqtfado иэ^пo^вжAdяo iqd -AiBdauwai йинэнэиеи эиаюиэИеоа вн | ||||||
ииЬв1вАииэяе ndu iqtfedo iqdAi -Bdauwei ионнэжинои эиаюиэИЕоа вн | + | |||||
ииПвхвАииэяе ndu iqtfada iqdAi -Bdeuwai ионнэтнаои эиаюиайвоа вн | + | |||||
BwAm 0J0яээhИlэAяв эиаюиаУЕоа вн | ||||||
ьинэdoяэA озониэнии эиаюиаУЕоа вн | ||||||
aodB^A ханкониУо эиаюивУвоа вн | ||||||
qiooHhodu CHAHdBbA вн | | | |||||
qiooHhoduodgna вн | 1 | |||||
qiooanhnoioAodgna вн | 1 | |||||
± i s ° 1 * о | эяиви ndu аюояиоюоииэ! вн | | | ||||
Ф S ш ш го го т Н О Ф 5 s к ё ГО X га сх о. I g р | hi о о о 2 хоз .0 ° СО СО со « | |||||
ГОСТ Р 71068—2023
4.4 Состав типовых характеристик микросхем установлен в таблице 3.
Таблица 3
Наименование типовой характеристики | Обозначение характеристики | Характеристики, подлежащие обязательному включению в ТУ |
Зависимость мощности потребления от температуры | ^ОТ^^) | + |
Зависимость тока потребления от напряжения питания | /noT = W | + |
Зависимость тока потребления от частоты следования импульсов тактовых сигналов | 'пот = ^т) | + |
Зависимость выходного напряжения от напряжения питания | Цзых^п) | — |
Зависимость выходного напряжения от температуры | ^вых^^) | — |
Зависимость выходного напряжения от выходного тока в диапазоне температур | ^ВЫХ ~ Г ^вых^ | + |
Зависимость входного тока от входного напряжения в диапазоне температур | /вх = f(t4x) | + |
Зависимость тока утечки на входе от температуры | — | |
Зависимость тока утечки на выходе от температуры | / ут.вых ' ' | — |
Зависимость основных динамических параметров от температуры | t^f^l | + |
Зависимость основных динамических параметров от напряжения питания | t = fW | + |
Зависимость основных динамических параметров от емкости нагрузки | t = f(cj | + |
Примечание — Необходимость включения в ТУ характеристик, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных характеристик, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем интегральных микропроцессорных микросхем. | ||
11
ГОСТ Р 71068—2023
УДК 621.316.8:006.354 ОКС 31.200
Ключевые слова: микропроцессорные интегральные микросхемы, система параметров, параметры-критерии годности, типовые характеристики
12
Редактор Л.В. Каретникова Технический редактор В.Н. Прусакова Корректор М.И. Першина Компьютерная верстка М.В. Малеевой
Сдано в набор 01.11.2023. Подписано в печать 17.11.2023. Формат 60x84%. Гарнитура Ариал. Усл. печ. л. 1,86. Уч.-изд. л. 1,30.
Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта
Создано в единичном исполнении в ФГБУ «Институт стандартизации» , 117418 Москва, Нахимовский пр-т, д. 31, к. 2.
