УДК 621.316.8 : 621.317.332 : 006.354 Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
РЕЗИСТОРЫ
Метод определения изменения сопротивления от изменения напряжения
Resistors.
Test method for resistance change depenuing upon voltage
ГОСТ
21342.17—78*
(СТ СЭВ 2748—80)
ГОСТ 3223—67 В части метода определения изменения сопротивления от напряжения
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 21 февраля 1978 г. № 508 срок введения установлен
с 01.07.79
Проверен в 1983 г. Постановлением Госстандарта от 20.04.84 № 1372
срок действия продлен до 01.07.88
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на постоянные непроволочные резисторы и устанавливает метод определения изменения сопротивления от изменения напряжения.
Общие условия при определении изменения сопротивления от изменения напряжения и техники безопасности — по ГОСТ 21342.0—75, измерение сопротивления — по ГОСТ 21342.20—78.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2748—80.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
1. АППАРАТУРА
1.1. (Исключен, Изм. № 1).
1.2. Установки питающего напряжения должны обеспечивать одачу напряжения не менее 100% номинального или предельного
рабочего напряжения в зависимости от того, какое из значений меньше.
Мощность установки должна быть не менее номинальной мощности рассеяния или мощности, соответствующей предельному рабочему напряжению, в зависимости от того, какое из этих значений меньше.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (ноябрь 1984 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными в сентябре 1981 г., марте 1982 г., апреле 1984 г. (ИУС 12—81, 6—82, 7—84).
Погрешность установления и поддержания напряжения должна быть в пределах:
±5% —для резисторов с испытательным напряжением до 1 кВ включительно;
±10% —для резисторов с испытательным напряжением св. 1 кВ.
Установки питающего напряжения для высоковольтных высо-комегомных композиционных резисторов должны соответствовать требованиям, установленным в стандартах на резисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИИ
2.1. Перед измерением резистор высушивают согласно методу I или II.
Метод I. Резистор высушивают в эксикаторе с влагозащищающим веществом при температуре (328±2) К [(55±2)°С] в течение (24±4) ч с последующим охлаждением до температуры (298± ±10) К [(25±10)°С], при которой выдерживают в течение 2 ч*
Метод II. Резистор выдерживают в течение (96±4) ч в термостате при температуре (373±2) К [(100±2)°С].
Затем резистор охлаждают в эксикаторе до температуры (298± 10) К [(25±10)°С], с применением высушивающих средств (например, активированные соединения алюминия — алюмо гель или силикагель).
При необходимости резистор следует хранить в эксикаторе до-начала испытаний.
Необходимость высушивания пленочных композиционных резисторов перед испытанием указывают в стандартах на резисторы конкретных типов.
Метод высушивания резисторов перед испытанием указывают в стандартах на резисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).
2.2. Сопротивление измеряют при напряжениях на измеряемом резисторе, равных 10 и 100% напряжения, соответствующего номинальной мощности рассеяния резистора, или предельного рабочего напряжения в зависимости от того, какое из этих значений меньше.
Для высоковольтных высокомегомных композиционных резисторов значения напряжений, при которых производят сопротивления, устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.
2.3. Время приложения 100% напряжения, соответствующего номинальной мощности рассеяния резистора, или предельного рабочего напряжения должно быть не более 5 с. При этом нагрев
резисторов током при измерениях не должен искажать результаты измерений сопротивления. В противном случае напряжение следует подавать кратковременно не более чем на 1 с с необходимым для отсчета числом повторений.
Интервалы между включениями устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.
2.2,, 2.3. (Измененная редакция, Изм. № 1).
3. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
3.1. Относительное изменение сопротивления от изменения напряжения (би), выраженное в процентах, определяют по формуле
6и = . jffii-100,
где R1 — сопротивление, измеренное при напряжении, равном 10% напряжения, соответствующего номинальной мощности рассеяния, или предельного рабочего напряжения;
/?2— сопротивление, измеренное при напряжении, равном 100% напряжения, соответствующего номинальной мощности рассеяния резистора или предельного рабочего напряжения.
Для высоковольтных высокомегомных композиционных резисторов значения напряжений, при которых производят измерение сопротивлений Ri и устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.
3.2. Коэффициент напряжения (Ки), выраженный через относительное изменение сопротивления в процентах, рассчитанное на 1 В, определяют по формуле
Ки=*
R 2—R1 (U2~Ui)Ri
100,
где U1 — напряжение, при котором сопротивление резистора равно Ru
U2— напряжение, при котором сопротивление резистора равно R2.
3.3. При использовании прибора с непосредственным отсчетом значения относительного изменения сопротивления коэффициент напряжения определяют по формуле
J
к — °°
Аи (и2~ио •
3.1—3.3. (Измененная редакция, Изм. № 1).
