31.080 Полупроводниковые приборы
- ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия
- ГОСТ 15172-70 Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров
- ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры
- ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
- ГОСТ 17772-88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
- ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры
- ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
- ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
- ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления
- ГОСТ 18604.11-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах
- ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
- ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте
- ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока
- ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
- ГОСТ 18604.19-88 Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
- ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
- ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
- ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
- ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих
- ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора
- ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
- ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
- ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
- ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
- ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
- ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера
- ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока
- ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости
- ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока
- ГОСТ 18986.0-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
- ГОСТ 18986.1-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
- ГОСТ 18986.10-74 Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности
- ГОСТ 18986.11-84 Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь
- ГОСТ 18986.12-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода
- ГОСТ 18986.13-74 Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора
- ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений
- ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации
- ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
- ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
- ГОСТ 18986.18-73 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости
- ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности
- ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим
- ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
- ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления
- ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума
- ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения
- ГОСТ 18986.3-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока
- ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости
- ГОСТ 18986.5-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения
- ГОСТ 18986.6-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления
- ГОСТ 18986.7-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда
- ГОСТ 18986.8-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления
- ГОСТ 18986.9-73 Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления
- ГОСТ 19138.0-85 Тиристоры. Общие требования к методам измерения параметров
- ГОСТ 19138.1-85 Тиристоры. Метод измерения напряжения переключения
- ГОСТ 19138.2-85 Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления
- ГОСТ 19138.3-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения
- ГОСТ 19138.4-73 Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
- ГОСТ 19138.5-85 Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
- ГОСТ 19138.6-86 Тиристоры. Методы измерения электрических параметров
- ГОСТ 19138.7-74 Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока управления, импульсного запирающего напряжения управления, импульсного коэффициента запирания
- ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
- ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению
- ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
- ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления
- ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
- ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
- ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления
- ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
- ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока
- ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте
- ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования
- ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения
- ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума
- ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току
- ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
- ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
- ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
- ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
- ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
- ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
- ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
- ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
- ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
- ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
- ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
- ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
- ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
- ГОСТ 20398.14-88 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
- ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
- ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
- ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
- ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
- ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
- ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
- ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
- ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
- ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
- ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
- ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры
- ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры
- ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
- ГОСТ 28578-90 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
- ГОСТ 28623-90 Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы
- ГОСТ 28624-90 Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
- ГОСТ 28625-90 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
- ГОСТ 29209-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды
- ГОСТ 29210-91 Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
- ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия
- ГОСТ Р 50471-93 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения
- ГОСТ Р 57394-2017 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность
- ГОСТ Р 57439-2017 Приборы полупроводниковые. Основные размеры
- ГОСТ Р 59605-2021 Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
- ГОСТ Р 59606-2021 Оптика и фотоника. Устройства фотоприемные второго и последующих поколений. Методы измерений фотоэлектрических параметров и определения характеристик
- ГОСТ Р 59607-2021 Оптика и фотоника. Приемники излучения полупроводниковые. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерений фотоэлектрических параметров и определения характеристик
- ГОСТ Р 70743-2023 Варикапы. Система параметров
- ГОСТ Р 70744-2023 Диоды полупроводниковые туннельные. Система параметров
- ГОСТ Р 70965-2023 Тиристоры. Система параметров
- ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров
- ГОСТ Р 71014-2023 Приборы полупроводниковые и оптоэлектронные. Октроны. Система параметров
- ГОСТ Р 71015-2023 Микросхемы интегральные. Фильтры. Система параметров
- ГОСТ Р 71047-2023 Микросхемы интегральные. Формирователи и генераторы импульсов напряжения прямоугольной формы. Система параметров
- ГОСТ Р 71054-2023 Транзисторы биполярные. Система параметров
- ГОСТ Р 71055-2023 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений
- ГОСТ Р 71056-2023 Транзисторы полевые. Система параметров
- ГОСТ Р 71067-2023 Стабилитроны и ограничители напряжения полупроводниковые. Система параметров
- ГОСТ Р 71069-2023 Излучатели полупроводниковые. Система параметров
- ГОСТ Р 71081-2023 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров