База ГОСТовallgosts.ru » 01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ » 01.040. Словари

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Обозначение: ГОСТ Р 57436-2017
Наименование: Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Статус: Действует

Дата введения: 08/01/2017
Дата отмены: -
Заменен на: -
Код ОКС: 01.040.31, 31.080
Скачать PDF: ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.pdf
Скачать Word:ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.doc


Текст ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения



ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ

1 СТАНДАРТ V 11 V ? у РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

ГОСТР

57436—

2017

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

Издание официальное

Стшдфттфцм

2И7

ГОСТ Р 57436—2017

Предисловие

1    РАЗРАБОТАН Акционерным обществом к Росси некий научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт») совместно с Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»)

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 249-ст

4    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()

© Стамдартинформ. 2017

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

II

ГОСТ Р 57436—2017

Содержание

1    Область применения.................................................................1

2    Термины и определения...............................................................1

Алфавитный указатель терминов на русском языке........................................15

Алфавитный указатель терминов на немецком языке.......................................20

Алфавитный указатель терминов на английском языке.....................................24

Алфавитный указатель терминов на французском языке....................................28

Приложение А (справочное) Термины и определения общегехнических понятий.................32

ГОСТ Р 57436—2017

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в крутых скобках после стан* дартизованного термина и обозначены пометкой «Нрк».

Заключенная в крутые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина. имеющие общие терминоэлвменты.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (<Je), английском (еп) и французском (fr) языках.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта. приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым, синонимы — курсивом.

IV

ГОСТ Р 57436—2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

Semiconductor devices. Terms and definitions

Дата введения — 2017—08—01

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке. производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

Виды полупроводниковых приборов

de

ел

fr

2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводни- de коеый прибор, предназначенный для применения в силовых целях электротехнических устройств с рассеиваемой мощно- ^ стью более 1.5 Вт.

1

полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.

[ГОСТ (ЕС 60050-151—2014. статья 151-13-63]

halbJeiterbauelement semiconductor device dispositif ё semiconducteurs

halbfeiter-power-gerat semiconductor power device semiconducteurs d'atimenta* tion de I'appareil

3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводни- de ковых приборов, соединенных по определенной электриче- еп ской схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую ^ более двух выводов.

halbieiter-einheit semiconductor assembly bloc de semioonducteur

Издание официальное

1

ГОСТ Р 57436—2017

4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность по* de лупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию. не соединенных электрически или соединенных по од- еп поименным выводам.    .

5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупрово- de дниковый прибор, предназначенный для выполнения эле- еп ментарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты.    fr

6    (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый при- de бор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт- еп амперную характеристику.

Примечание —Если не указано особо, эгим термином обозна- ^ чают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного р-п перехода.

7    смесительный диод: Полупроводниковый диод, предна- de значенный для преобразования входящих высокочастотных еп сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты вхо- ^ дящих сигналов.

8    детекторный (полупроводниковый) диод: Полупрово- de дникоеый диод, предназначенный для детектирования сигна-

ла.    еп

fr

9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полу- de проводниковый диод, предназначенный для преобразования еп переменного тока.

fr

10    лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный de полупроводниковый диод с заданными характеристиками еп минимального напряжения пробоя, предназначенный для ^ рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.

11    выпрямительный полупроводниковый диод с контро- de лируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя р-п перехода, еп предназначенный для работы е установившемся режиме в области пробоя р-п перехода обратной ветви вольт-амперной ^ характеристики.

satz von halbteiterfcauelemen-ten

semiconductor assembly set

s£rie de dispositifs semi-conducteurs

diskretes halbfeiterbaueiement discrete semiconductor device; discrete device

discret dispositifs semi-conducteurs

halbleiterdiode; diode semiconductor diode; diode

diode £ semiconducteurs; diode

mischerdiode mixer diode diode mOlangeuse

halbleiter-detektordiode;

detektordiode

detector diode dude dOtectrice

halbleiter-gleichter diode

semiconductor rectifier diode;

rectifier diode

diode de redressement a

semiconducteurs;

diode de redressement

lawinen gleichrichter diode avalanche rectifier diode

diode de redressement a avalanche

halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avaianched-urchbruch

controlled-avalanche rectifier diode

diode de redressement £ semiconducteurs de rupture en avalanche controlee: diode de redressement de rupture en avalanche controlee

2

ГОСТ Р 57436—2017

12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Соео- de купность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструк* цию. имеющую два вывода.

fr

13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полу* de проводниковый блок, собранный из полупроводниковых вы* прямительных диодов.    еп

fr

14    ограничитель (полупроводниковый) напряжения; de

ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для огра* еп ничения амплитуды импульсов перенапряжения.    ^

15    умножительный диод: Полупроводниковый диод, пред* de

назначенный для умножения частоты входного сигнала.    вП

fr

16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроео* de дниковый диод, предназначенный для преобразования энер* еп гии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.

17    импульсный (полупроводниковый) диод: Полупро* de водниковый диод, предназначенный для применения в им- еп пульсных режимах работы.

fr

18    коммутационный (полупроводниковый) диод: Полу- de проводниковый диод, предназначенный для коммутации вы* еп сокочастотных цепей.

fr

19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямитель* de ные свойства которого обоснованы созданием выпрямляю- еп щего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника. .

20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого oo    de

новано на зависимости емкости его р-п перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве еп элемента с электрически управляемой емкостью.    .

halbeiter-gleichrichterbaugrup*

ре

semiconductor rectifier stack: rectifier stack

bloc de redressement semi*

conducteur;

bloc de redressement

gleichrichter halbleiter block: gleichrichter block semiconductor rectifier assembly

assemblage de edressement ё semiconducteurs: assemblage de edressement

begrenzerdiode limiting diode diode de limitation

frequenzvervielfacherdiode frequency-multiplication diode

diode pour multiplication de frequence

produzent halbleiterdiode generation semiconductor diode: generation diode producteur diode ё semiconducteurs; producteur diode

halbfeiterimpulsdiode pulse semiconductor diode; pulse diode

diode d'impulsion

shaken halbleiterdiode switching semiconductor diode:

switching diode commutation diode ё semiconducteurs; commutation diode

Schottky-diode Schottky barrier diode

diode a barriPre Schottky: diode Schottky

kapazitatsdiode: kapazitatsvariationsdiode variable-capacitance diode diode a capacity variable

3

ГОСТ Р 57436—2017

21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. еа- de рактор): Варикап, предназначенный для применения в диа- еп паэоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

fr

22    шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

23    туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий р-п переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики.

24    обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

25    сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов.

Примечание — СВЧ-сигнал — сигнал с частотой более 300 МГц.

26    переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения.

27    точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным р-п переходом.

28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным р-п переходом.

29    диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения.

30    лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического переходе, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

parametrischer halbfeiterdiode

parametric semiconductor diode; parametric diode

param6trique diode ё semi-conducteurs; paramOtrique diode

stichhaltiger diode noise diode diode bruit

tunneldiode tunnel diode diode tunnel

unitunneldiode unitunnel diode; backward diode diode inversd

UHF-halbeiteriode microwave diode diode en hyperfr6quences

haibeitererschaltdiode gating diode diode de commutation

halbeiterspitzediode point contact diode diode ё point©

ha Ibeterflachendiode junction diode diode ё jonction gespeicherte ladung diode snap-off diode diode charge

lawinenlauf2eitdiode impact avalanche-transit time diode

diode ё avalanche ё temps de transit

4

ГОСТ Р 57436—2017

31 инжокционко-пропотный диод: Полупроводниковый de диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в еп область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.    ^

32    сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделе* ния или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым.

33    диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

34    диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс.

35    модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов.

36    обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенною состояния за счет переходных процессов в схеме применения.

Примечание — Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами.

37    СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкою сопротивления и. наоборот, е зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.

Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением. что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию.

36 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и. наоборот. в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод.

Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание.

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

BARITT-dtode

barrier-injection and transit-time diode

diode f ё temps de transit ё barridre injected

signal diode signal diode signal diode

Gunn diode Gunn diode diode Gunn

hochwiederkehiend diode

fast-recovery diode

diode ё retabtissement rapide

halbfeitermodulatordiode modulator diode diode modulatrice

rucken diode reverse diode inverse diode

mikrowelle begrenzung diode microwave limiting diode micro-ondes diode limiteuse

mikrowelle scbattdioden microwave switching diode micro-ondes diode de commutation

5

ГОСТ Р 57436—2017

39    (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский de диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором со* еп храняется с определенной точностью при протекании через ^ него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для ста* билизации напряжения.

40    диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый de

диод, на выводах которого возникает практически постоянное еп напряжение в заданном диапазоне токов.    fr

41    транзистор: Полупроводниковый прибор, способный соз* de

давать усиление электрической мощности и имеющий три еп или более вывода.    ^

42    биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с de

двумя взаимодействующими переходами и тремя или более еп выводами, усилительные свойства которого обусловлены яв*    ^

пениями инжекции и экстракции неосновных носителей за* ряда.

Примечание — Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.

43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в de котором перенос неосновных носителей заряда через базы еп осуществляется в основном посредством диффузии.    fr

halbeiter-Z*diode voltage reference diode diode de tension de reference

voltage-regulator diode voltage-regulator diode la tension r6gulateur & diode

transistor

transistor

transistor

bipolarer transistor bipolar junction transistor transistor bipolaire

diffusiontransistor diffusion transistor transistor d diffusion

44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в кото* de ром перенос неосновных носителей заряда через базы осу* еп ществляется е основном посредством дрейфа.    ,

drifttransistor drift transistor transistor en derive

45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами.

46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

de flachentransistor еп junction transistor fr transistor a jonctions de lawinentransistor en    avalance transistor

fr    transistor a avalanche

47 биполярный транзистор с изолированным затвором de (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл*окисел*полу* еп проводник.

bipolartransistor

gatedielektrikum

insulated-gate bipolar transistor

fr bipolaire di6lectrigue

48 униполярный транзистор: Транзистор, функционировав de ние которою основано на носителях зарядов одной поляр* еп ности.    .

unipolarer transistor unipolar transistor transistor unipolaire

49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): По* de лупроводниковый прибор, усилительные свойства которою еп обусловлены переносом основных носителей заряда, проте- ^ кающим через канал и управляемый электрическим полем.

Примечание — Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

fefdeffekttransistor field-effect transistor transistor a effet de champ

6

ГОСТ Р 57436—2017

50    полевой транзистор с управляющим р-n переходом: de Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала р*п переходом, смещен* еп ным в обратном направлении.

fr

51    полевой транзистор с изолированным затвором: По- de

левой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала.    вп

fr

52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор. de у которого канал проводимости N-типа.    еп

fr

53 Р-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор. de у которого канал проводимости P-типа.    еп

fr

54 полевой транзистор типа металл-оксид-пол у прово-    de

дник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя еп между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид.    .

55    полевой транзистор со структурой металл-диэлек- de трик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор

с изолированным затвором, в котором в качестве изоляцион- еп ного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.    *г

56    полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой тран- de

эиcrop, имеющий один или несколько затворов, которые вы* полнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.    еп

fr

57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой тран- de эистор. имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно еп снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины.    .

sperrschicht-feldeffekttransistor junction-pate field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё junction de grille

isolierschicht-feldeffekt-transistor; IGFET

insulated-gate field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё grille isole

N-kanat-feldeffekttranssistor N-channel field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё canal N

P-kanal-feldeffekttranssistor P-channel field-effect transistor

transistor ё effet de champ a canal P

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter metal-oxide-semiconductor field effect transistor

transistor ё effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs

feldeffekttransistor mit

metall-halbleiter

MIS-transistor

transistor ё effet de champ

metal-semioonducteurs

feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere field-effect transistor with Schottky barrier transistor ё effet de champ ё barri&re de Schottky

feldeffekttransistor vom verarmungstyp

depletion type field-effect transistor

transistor a effet de champ ё appauvrissement

7

ГОСТ Р 57436—2017

58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой тран- de эистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим    еп

при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности.    ж.

59    симметричный биполярный [полевой] транзистор: Би- de полярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме вклю- еп чения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока. ^

60    переключательный биполярный [полевой] транэи- de

стор: Биполярный (полевой) транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закры- еп том состоянии и минимальным — в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени.    fr

61    тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзи- de

стор. имеющий два отдельных базовых электрода и два ба- еп зовых вывода.    ^

62    тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчи- de

аыми состояниями, имеющий три или более перехода, ко- еп торый переключается из закрытого состояния    в открытое    и    ^

наоборот.

63    диодный тиристор (димистор): Тиристор,    имеющий два    de

вывода, через которые протекает как основной ток. так и ток еп управления.    fr

64    диодный тиристор, не проводящий в обратном на- de правлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непро- еп водящем состоянии.

fr

65 диодный тиристор, проводящий в обратном направ- de лении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напря* еп жениях. сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.    fr

66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный ти- de ристор. который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях.

еп

fr

feldeffekttransistor vom anreicherungstyp enhancement type field-effect transistor

transistor a effet de champ a emichissement

zweirichtungstransistor; bidirektionaler transistor bidirectional transistor transistor bidirectionnel

fetdeffekt bipolarer-schalttransi* stor; feldeffekt-schalttransistor field-effect bipolar switching transistor:

field-effect switching transistor transistor к commutation bipolaire к effet de champ: transistor к commutation bipolaire

transistortetrode tetrode transistor transistor tetrode

thyristor

thyristor

thyristor

thyristordiode diode thyristor thyristor diode

ruckwarts sperrende thyristordiode reverse Mocking diode thyristor

thyristor diode bloqud en inverse

ruckwarts leitende thyristordiode reverse conducting diode thyristor

thyristor diode passant en inverse

zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode: diac

bidirectional diode thyristor; diac

thyristor diode bidirectionnel; diac

8

ГОСТ Р 57436—2017

67 триодмый тиристор (тринистору. Тиристор, имеющий

Де

thyristortriode

три вывода: два основных и один управляющий.

еп

fr

triode thyristor thyristor triode

66 триодиый тиристор, не проводящий в обратном на* правлении: Триодный тиристор, который при обратном на*

de

ruckwarts sperrende thyristortriode

пряжении на аноде не переключается, а находится в обрат* ном непроводящем состоянии.

еп

fr

reverse blocking triode thyristor

thyristor triode bloqud en inverse

69 триодный тиристор, проводящий в обратном направ* лении: Триодный тиристор, который при отрицательном

Де

ruckwarts leitende thyristortriode

анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым на

еп

reverse conducting triode thyristor

пряжением в открытом состоянии.

fr

thyristor triode passant en inverse

70 симметричный триодный тиристор {триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий

Де

zweirichtungs-thyristortriode;

triac

вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.

еп

fr

bidirectional triode thyristor triac

thyristor triode bidirectionnel; triac

71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и. наоборот, путем

Де

ausschaltthyristor:

GTO-thyristor

подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соот

еп

turn-off thyristor

ветствующей полярности.

fr

thyristor biocable

72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод со

Де

kathodenseitig steuerbarer thyristor

единен с р-областью, ближайшей к катоду, который перево

еп

P-gate thyristor

дится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.

fr

thyristor P

73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод

Де

anodenseitig steuerbarer thyristor

соединен с п-областью, ближайшей к аноду, который пере

еп

N-gate thyristor

водится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

fr

thyristor N

74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в об

Де

lawine reverse ruckwarts

ратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряже

еп

avalanche reverse Mocking triode thyristor

ния пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния.

fr

thyristor triode ё avalanche blocud en inverse

75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обрат

Де

asymmetrischer thyristor

ной блокировкой, номинальное обратное напряжение которо

еп

asymmetrical thyristor

го ниже номинального напряжения в закрытом состоянии.

fr

thyristor asymetrique

9

ГОСТ Р 57436—2017

76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления лри одновременном воздействии обратного анодною напряжения.

77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

76 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия ею элементов.

79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитною излучения.

60 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель. предназначенный для отображения визуальной информации.

81

полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.

(ГОСТ 25066—91. статья 15)

82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним.

de

еп

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод.    de излучающий энергию в видимой области спектра в реэульта- ел те электрической стимуляции и рекомбинации электронов и ^ дырок.

84    полупроводниковый экран: Полупроводниковый при- de бор. предназначенный для использования в устройствах еп отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали ^ экрана.

85    инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлу- de чающий диод, который испускает инфракрасное излучение.

еп

fr

gemischte-ausschalten

thyristor

mixed-off thyristor thyristor mixte-arr6t impuis thyristor pulsed thyristor thyristor signal

optoelektromsches halbleiter-bauelement

optoelectronic device dispositif optodlectronique

halbleiterstrahter

semicondictor photocoupler radiator

radiator d semiconducteurs optoelektronische displays optoelectronic display photoelectric} ue affichage

halbleiter-zeichen-display semiconductor character display

semiconducteurs de caracteres d'affichage

der empfanger strahlung optokoppler

receiver radiation photocoupler

le recepteur radiation optocoupler

lichtemittierende diode; LEO light-emitting diode; LED

diode eiectroluminescente; DEL

halbleiter-anaioge anzeige semiconductor analog indicator

semiconducteurs analogiques en dicator

infrarotemittierende diode; IRED

infrared-emitting diode diode infrarouge

10

ГОСТ Р 57436—2017

66 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый при- de бор. который излучает энергию когерентного излучения с еп помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации ^ электронов и дырок.

87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который из* de лучает когерентное оптическое излучение, являющееся ре- еп эультатом рекомбинации проводящих электронов и дырок ^ при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода.

86 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду de с лазерным диодом средства для автоматической оптической    еп

и (или) тепловой стабилизации выходного источника иэлуче- ^ ния.

89

фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.

[ГОСТ 21934—83. статья 1]

90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении.

de

еп

fi

de

еп

fr

de

еп fr

92

de еп fr

de

еп

fr

фотодиод: Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

[ГОСТ 21934—83. статья 11]

93

лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.

[ГОСТ 21934—83. статья 15]

91

фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.

[ГОСТ 21934—83. статья 10]

halbleiter-laser semiconductor laser laser £ semiconducteurs

iazerdiode laser diode diode laser

laser-dioden modul laser-diode module laser £ diode module

lichtempfindliche gerat halblei-terdiode

semiconductor photosensitive device

photosensibie appareil emi-conducteurs

photoelektrischer

halbieiterempf£nger

semiconductor photoelectric detector:

photoelectric detector rdcepteur photodfectrique £ semiconducteur; rdcepteur photoelect rique

photowiderstand: photoleit-fahige halbleiterzelle

photoresistor

photor£sistance

photodiode

photodiode

photodiode

iawinen-photodiode a valance photodiode photodiode £ avalanche

11

ГОСТ Р 57436—2017

de en fr

de en fr

96    фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в de

котором используется эффект фотопроводимости.    еп

fr

97    фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в de котором используется фотовольтовый эффект.

еп

fr

98    оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор. de состоящий из излучателя и приемника излучения, между ко- еп торыми имеется оптическая связь и обеспечена электриче- ^ ска я изоляция.

99    резисторная оптопара: Оптопара с приемником излуче- de

ния. выполненным на основе фоторезистора.    еп

fr

94

фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект.

[ГОСТ 21934—83. статья 17]

95    фототиристор: Тиристор, предназначенный для переключения посредством воздействия оптическим излучением.

100    диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения. de

выполненным на основе фотодиода.    еп

fr

101    дифференциальная диодная оптопара: Диодная опто- de пара, в которой два близких по определяющим параметрам еп фотодиода принимают световой поток от одного излучателя. fr

102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводнико- de вым приемником излучения, выполненным на основе фото- еп транзистора.    fr

103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излуче- de ния. выполненным на основе фототиристора.    еп

fr

104    оптопреобразователь: Оптоэлектронный полулрово* de дниковый прибор с одним или несколькими р-п переходами, еп работающими в режиме передачи и (или) приема оптическо- ^ го излучения.

105    прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор, de работающий на основе физического явления возникновения еп разности потенциалов между краями проводящей пластинки. ^ помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока.

phototransistor

phototransistor

phototransistor

photothyristor

photothyristor

photothyristor

photoleitfahiger zelle photoconucting cell cellule photoconducteur

photoelement; photovoltaische zelle

photovaltic cell

cellule & effet photovoltaFque

optokoppler

photocoupler; optocoupler photocoupleur; optocoupteur

widerstandoptokoppler resistive optocoupler optocoupleur rOsistif

diode optokoppler diode photocoupler optocoupleur diode differenz diode optokoppler difference diode photocoupler optocoupleur diode differential

transistor optokoppler transistoroptocoupler optocoupleur transistor

thyristoroptokoppler thyristor optocoupler optocoupleur thyristor optische wandler optoconverter optoconvertisseur

haileffekt-bauelement hall effect device dispositif d effet hall

12

ГОСТ Р 57436—2017

106 преобразователь Холла: Прибор на аффекте Холла.

Ре

Hall-sensor

преобразующий индукцию внешнего магнитного поля в элек

еп

Hall effect sensor

трическое напряжение.

fr

transducteur a effei Hall

107 преобразователь Холла измерительный: Преобразо

Ре

Hall transPucer

ватель Холла, предназначенный для измерения физических

еп

Hall probe

величин, однозначно зависящих от магнитного поля.

fr

transPucteur Pe mesure £ effet Hall

108 преобразователь Холла индикаторный: Преобразова

Ре

Hall anzeigetnansPucer

тель Холла, предназначенный для обнаружения магнитного

еп

Hall effect inPicator

поля в данной точке пространства.

fr

transPucteur Pe mesure £ effet Hall

109 зонд Холла: Прибор на эффекте Холла для измерения

Ре

Per hall-sonPe

плотности магнитного потока.

еп

hall probe

fr

sonPe £ effet hall

110 магниторезистор: Полупроводниковый прибор, облада

Ре

magnetowiPerstanP

ющий способностью изменять свое электрическое сопротив

еп

magnetoresistor

ление под действием магнитного поля.

fr

magnetoresistance

111 терморезистор: Полупроводниковый прибор, обладаю

Ре

thermistor

щий способностью изменять свое электрическое сопротивле

еп

thermistor

ние при изменении ею температуры.

fr

thermistance

112 позистор: Терморезистор с положительным ТКС.

Ре

posister

Примечание — ТКС — температурный коэффициент

еп

posistor

сопротивления.

fr

fhgistance

113 термистор: Терморезистор с отрицательным ТКС.

Ре

thermistor

еп

thermistor

fr

thermistance

Элементы конструкции

114 вывод (полупроводникового прибора): Элемент кон

Ре

anschluss: anschluss-punkt

струкции корпуса полупроводникового прибора, предназна

еп

terminal of a semiconductor

ченный для соединения с внешней электрической целью.

Pevice:

terminal

fr

borne P un Pispositif &

semioonducteurs:

borne

115 основной вывод полупроводникового прибора: Вы

Ре

hauptanschluss

вод полупроводникового прибора, через который протекает

еп

main terminal

основной ток.

fr

borne maftresse

116 катодный вывод диода (тиристора): Вывод диода (ти

Ре

thyristor PioPen

ристора). через который прямой ток протекает во внешнюю

KatoPenenanschluss

электрическую цепь.

еп

cathode leed of thyristor diode

fr

borne cathodique Pe thyristor

13

ГОСТ Р 57436—2017

117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [ти-

de

thyristor dioden anode*

ристора]. через который прямой ток протекает из внешней

nauschluss

электрической цепи.

еп

anode leed of thyristor diode

fr

borne anodique de thyristor

118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, че

de

thyristor steuerausgang

рез который протекает только ток управления.

en

control lead of thyristor

fr

borne commande de thyristor

119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности кото

de

substrat

рого формируют или монтируют полупроводниковый прибор.

en

substrate

fr

substrat

120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового мате

de

wafer

риала, на поверхности которой с помощью технологических

en

wafer

операций формируется массив дискретных полупроводниковых структур.

fr

plaquette: wafer

121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности

de

chip

которой сформированы элементы, межэлементные соедине

en

chip die

ния и контактные площадки полупроводникового прибора.

fr

puce: pastille

122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент кон

de

gehause

струкции полупроводникового прибора, предназначенный

en

package

для установки в нею кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик полупроводникового прибора и применения его по назначению.

fi

boftier

123 бескорпусной полупроводниковый прибор (Нрк. по

de

gehauseloses

лупроводниковая структура): Полупроводниковый прибор.

halbleiterbauelement

не защищенный корпусом и предназначенный для использо

en

beam lead semiconductor

вания в гибридных интегральных микросхемах, герметизиру

device

емых блоках и аппаратуре.

fi

dispositif semiconducteur sans boitier

124 контактная площадка (полупроводникового прибо

de

8oudstelle

ра): Металлизированный участок на подложке, кристалле

en

bond pad

или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек. а также для контроля его электрических параметров и режимов.

fr

plot de soudure

14

ГОСТ Р 57436—2017

Алфавитный указатель терминов на русском языке

блок выпрямительный    13

блок выпрямительный полупроводниковый    13

блок полупроводниковый    3

варактор    21

варикап    20

вывод    114

вывод диода анодный    117

вывод диода катодный    116

вывод полупроводникового прибора основной    115

вывод прибора полупроводникового    114

вывод тиристора анодный    117

вывод тиристора катодный    116

вывод тиристора управляющий    118

детектор фотоэлектрический    90

детектор фотоэлектрический полупроводниковый    90

диак    66

дитхтор    63

диод    6

диод быстровосстана вливающий    34

диод выпрямительный    9

диод выпрямительный полупроводниковый    9

диод Ганна    33

диод генераторный    16

диод генераторный полупроводниковый    16

диод детекторный    8

диод детекторный полупроводниковый    8

диод Зенеровский    39

диод импульсный    17

диод импульсный полупроводниковый    17

диод инжекционно-лролетный    31

диод инфракрасный излучающий    85

диод коммутационный    18

диод коммутационный полупроводниковый    18

диод лавинно-пролетный    30

диод лавинный выпрямительный    10

диод лазерный    87

15

ГОСТ Р 57436—2017

диод модуляторный    35

диод обратный    36

диод обращенный    24

диод параметрический    21

диод параметрический полупроводниковый    21

диод переключательный    26

диод плоскостной    26

диод полупроводниковый    б

диод полупроводниковый выпрямительный с контролируемым лавинным пробоем    11

диод с накоплением заряда    29

диод сверхвысокочастотный полупроводниковый    25

диод светоизлучающий    83

диод СВЧ ограничительный    37

диод СВЧ переключательный    36

диод сигнальный    32

диод смесительный    7

диод точечно-контактный    27

диод точечный    27

диод туннельный    23

диод умножительный    15

диодШоттки    19

диод шумовой    22

дисплей оптоэлектронный    80

зонд Холла    109

излучатель    79

излучатель полупроводниковый    79

ИК-диод    85

индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый    81

индикатор полупроводниковый    81

корпус    122

корпус прибора полупроводникового    122

кристалл    121

лазер полупроводниковый    86

магниторезистор    110

МДП-гранзистор    55

модуль лазерно-диодный    86

МОП-транзистор    54

16

ГОСТ Р 57436—2017

набор приборов полупроводниковых    4

ограничитель напряжения    14

ограничитель напряжения полупроводниковый    14

оптопара    98

оптопара диодная    100

оптопара дифференциальная диодная    101

оптопара резисторная    99

оптопара тиристорная    103

оптопара транзисторная    102

оптопреобразователь    104

пластина    120

площадке контактная    124

площадка прибора полупроводникового контактная    124

подложка    119

поэистор    112

ПОН    14

преобразователь Холла    106

преобразователь Холла измерительный    107

преобразователь Холла индикаторный    108

прибор бескорпусной полупроводниковый    123

прибор дискретный    5

прибор дискретный полупроводниковый    5

прибор мощный полупроводниковый    2

прибор на эффекте Холла    105

прибор оптоэлектронный полупроводниковый    78

прибор полупроводниковый    1

прибор фоточувствительный полупроводниковый    89

приемник излучения    82

приемник излучения полупроводниковый    62

регулятор напряжения диодный    40

СВЧ-диод    25

СИД    83

стабилитрон    39

стабилитрон полупроводниковый    39

столб выпрямительный    12

столб полупроводниковый выпрямительный    12

структура полупроводниковая    123

17

ГОСТ Р 57436—2017

термистор    113

термореэистор    111

тиристор    62

тиристор диодный    63

тиристор запираемый    71

тиристор импульсный    77

тиристор комбинированно—выключаемый    76

тиристор лавинный    74

тиристор несимметричный    75

тиристор с инжектирующим управляющим электродом п-типа    73

тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа    72

тиристор симметричный триодиый    70

тиристор симметричный диодный    66

тиристор триодный    67

тиристор, не проводящий в обратном направлении диодный    64

тиристор, не проводящий в обратном направлении лавинный триодный    74

тиристор, не проводящий в обратном направлении триодный    68

тиристор, проводящий в обратном направлении диодный    65

тиристор, проводящий в обратном направлении триодный    69

транзистор    41

транзистор IGBT    47

транзистор N-канальный полевой    52

транзистор Р-канальный полевой    53

транзистор бездрейфовый    43

транзистор БИМОП    47

транзистор биполярный    42

транзистор дрейфовый    44

транзистор канальный    49

транзистор лавинный    46

транзистор обедненного типа полевой    57

транзистор обогащенного типа полевой    58

транзистор переключательный биполярный    60

транзистор переключательный полевой    60

транзистор плоскостной    45

транзистор полевой    49

транзистор с барьером Шоттки полевой    56

18

ГОСТ Р 57436—2017

транзистор с изолированным затвором биполярный    47

транзистор с изолированным затвором полевой    51

транзистор с управляющим р-п переходом полевой    50

транзистор симметричный биполярный    59

транзистор симметричный полевой    59

транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник полевой    55

транзистор тетродный    61

транзистор типа металл-оксид-полупроводник полевой    54

транзистор униполярный    48

триак    70

тринистор    67

фотодиод    92

фотодиод лавинный    93

фоторезистор    91

фототиристор    95

фототранзистор    94

экран полупроводниковый    84

ячейка фотовольтовая    97

ячейка фотолроводящая    96

19

ГОСТ Р 57436—2017

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

anodensertig steow barer thyristor

73

anschluss

114

anschluss-punkt

114

asymmetrischer thyristor

75

ausschaltthyristor

71

BARITT-diode

31

begrenzerdiode

14

bidirektionater transistor

59

bipotarer transistor

42

bipoiartransrstor gatedielektrikum

47

Boudstelle

124

chip

121

der empfanger strahJung optokoppler

62

der hall-sonde

109

detektordiode

6

diac

66

differenz diode optokoppler

101

diffusiontransistor

43

diode

6

diode optokoppler

100

diskretes halblefterbauelement

5

doppeltgerichtete thyristordiode

66

dnfttransistor

44

feldeffekt bipotarertransistor

60

feldeffekt schalttransistor

60

feldeffekttransistor

49

feldeffekttransistor mit metall-halblerter

55

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter

54

feldeffekttransistor mit SCHOTT KY-barriere

56

feldeffekttransistor vom anreicherungstyp

58

feldeffekttransistor vom verarmungstyp

57

fidchentransistor

45

frequenzvervrelfachercfiode

15

gehause

122

gehduseloses halbleiterbauelement

123

gemischte-eusschalten thyristor

76

20

ГОСТ Р 57436—2017

gespetcherte ladung diode    29

gtetchnchter block    13

gteichrichter halbteiter block    13

GTO-thyrislor    71

Gunn diode    33

halbestererschattdiode    26

halbefterfldchendiode    26

halbeiter-gleichrichterbaugruppe    12

halberterspitzediode    27

halbeiter-Z-dtode    39

halbleiler-anatoge anzeige    64

halbleiterbauelement    1

halbleiler-detektordiode    8

halbleiterdiode    6

halbleiter-emhetl    3

halbleiler-gleichncbter diode    9

halbleiler-gteichter diode mil kontrollierbare avalanchedurchbruch    11

halbleiterimpulsdiode    17

halbleiter-laser    86

halbleitermodulatordiode    35

halbleiter-power-gerat    2

halblerferstrahter    79

halbleiler-zechen-dtsplay    81

Hall anze*getnansducer    108

Hall transducer    107

halleffekt-bauelement    105

Hall-sensor    106

hauptanschluss    115

hochwiederkehiertd diode    34

IGFET    51

imputs thyristor    77

infrarotemittierende diode    85

IRED    85

isolierschicht-feldeffekt-transistor    51

kapazilatsdtode    20

kapazitatsvariationsdiode    20

kathodenseitig steuerbarer thyristor    72

21

ГОСТ Р 57436—2017

laser-dioden modul

88

lawine reverse ruckwarts

74

lawinen gleichrichter diode

10

lawinenlaufzeitdiode

30

lawinen-photodiode

93

lawinentransistor

46

lazerdiode

87

LED

83

lichtemittierende diode

63

lichtempfindliche gerdt halbtetterttode

69

magnetowiderstand

110

mikrowelle begrenzung (bode

37

mikrowelle schaltdioden

38

mischerdiode

7

N-k&nal-feWeffekttranssistor

52

opbsche wandter

104

optoelektronische displays

80

optoeiektrorvsches halbleiterbauetement

78

optokoppter

98

parametrischer halbleiterdiode

21

photodiode

92

photoelektrischer haibieiterempfcnger

90

photoelement

97

phototeitfahige halbteiterzele

91

photolettfahiger zelle

96

photothyristor

95

phototransistor

94

photovoltaische zefie

97

photowiderstand

91

P-kanal-feldeffekttranssistor

53

posister

112

produzent halbleiterdiode

16

rucken diode

36

ruckwirts leitende thyristordiode

65

ruckwarts leitende thyristorthode

69

ruckwdrts sperrende thyristordiode

64

ruckwarts sperrende thyristorlriode

68

22

ГОСТ Р 57436—2017

satz von halbleiterbauelementen

4

Schottky-diode

19

shalten halbleiterdiode

16

signal diode

32

sperrschicbt-fekJeffekttransistor

SO

stichhaitiger diode

22

substral

119

thermister

113

thermistor

111

thyristor

62

thyristor dioden anodenauschluss

117

thyristor dioden Katodenenanschluss

116

thyristor steuerausgang

118

thyristordiode

63

thyristoraptokoppter

103

thyristorlriode

67

transistor

41

transistor optokoppler

102

transistortetrode

61

triac

70

tunneldiode

23

UHF-halbeitenode

25

unipotarer transistor

48

unitun neldiode

24

voltage-regulator diode

40

wafer

120

widerstandoptokoppter

99

zweibcMungs-thynstor-diode

66

zweihchtungs-thyristortnode

70

zweiricbtungs transistor

59

23

ГОСТ Р 57436—2017

Алфавитный указатель терминов на английском языке

anode leed of thyristor diode    117

asymmetrical thyristor    75

avalance photodiode    93

avals nee transistor    46

avalanche rectifier diode    10

avalanche reverse blocking triode thyristor    74

backward diode    24

barrier-injection and transit-time diode    31

beam lead semiconductor device    123

bidirectional diode thyristor    66

bidirectional transistor    59

bidirectional triode thyristor    70

bipolar junction transistor    42

bond pad    124

cathode leed of thyristor diode    116

chip die    121

control lead of thyristor    118

controfled-avalanche rectifier diode    11

depletion type field-effect transistor    57

detector diode    8

diac    66

difference diode photocoupler    101

diffusion transistor    43

diode    6

diode photocoupter    100

diode thyristor    63

discrete device    5

discrete semiconductor device    5

drift transistor    44

enhancement type field-effect transistor    58

fast-recovery diode    34

field-effect bipolar switching transistor    60

field-effect switching transistor    60

field-effect transistor    49

field-effect transistor with Schottky barrier    56

frequency-mutbphcation diode    15

24

ГОСТ Р 57436—2017

gating d>ode    26

generation diode    16

generation semiconductor diode    16

Gunn diode    33

hall effect device    105

Hall effect indicator    108

Hall effect sensor    106

Hall probe    107

hall probe    109

impact avalanche-transit time diode    30

infrared-emitting diode    85

insulated-gate bipolar transistor    47

insulated-gate field-effect transistor    51

junction diode    28

junction transistor    45

junction-gate field-effect transistor    50

laser diode    87

laser-diode module    88

LED    83

light-emitting diode    83

limiting diode    14

magnetoresistor    110

main terminal    115

metal-oxide-semiconductor field effect transistor    54

microwave diode    25

microwave limiting diode    37

microwave switching diode    38

MIS-transistor    55

mixed-off thyristor    76

mixer diode    7

modulator diode    35

N-channel field-effect transistor    52

N-gate thyristor    73

noise diode    22

optoconverter    104

optocoupler    98

optoelectronic device    78

25

ГОСТ Р 57436—2017

optoelectronic display

80

package

122

parametric diode

21

parametric semiconductor diode

21

P-channel field-effect transistor

53

P-gate thyristor

72

photooonucting ceil

96

photocoupler

98

photodiode

92

photoelectric detector

90

photoresistor

91

photothyristor

95

phototransistor

94

photovaltic ceil

97

point contact diode

27

posistor

112

pulse diode

17

piise semiconductor diode

17

pulsed thyristor

77

receiver radiation photocoupler

82

rectifier diode

9

rectifier stack

12

resistive optocoupler

99

reverse Mocking diode thyristor

64

reverse blocking triode thyristor

68

reverse conducting diode thyristor

65

reverse conducting triode thyristor

69

reverse diode

36

Schottky barrier diode

19

semiconductor photocoupler radiator

79

semiconductor assembly

3

semiconductor assembly set

4

semiconductor power device

2

semiconductor analog indicator

84

semiconductor character display

81

semiconductor device

1

semiconductor diode

6

26

ГОСТ Р 57436—2017

semiconductor laser

86

semiconductor photoelectric detector

90

semiconductor photosensitive device

89

semiconductor rectifier assembly

13

semiconductor rectifier diode

9

semiconductor rectifier stack

12

signal diode

32

snap-off diode

29

substrate

119

switching diode

18

switching semiconductor diode

18

terminal

114

terminal of a semiconductor device

114

tetrode transistor

61

thermistor

111

thermistor

113

thyristor

62

thyristor optocoupter

103

transistor

41

transistoroptocoupler

102

triac

70

triode thyristor

67

tunnel diode

23

turn-off thyristor

71

unipotar transistor

48

unitunnel diode

24

variable-capacitance diode

20

voltage reference diode

39

voltage-regulator diode

40

wafer

120

27

ГОСТ Р 57436—2017

Алфавитный указатель терминов на французском языке

assemblage de redressemenl    13

assemblage de redressemenl a semtoonducteurs    13

bipolaire d»6tectnque    47

bloc de redressemenl    12

bloc de redressemenl semicondocteur    12

bloc de semicondocteur    3

boilier    122

borne    114

borne anodique de thyristor    117

borne cathodique de thyristor    116

borne commande de thyristor    116

borne d'un dispositrt a semiconducteurs    114

borne maftresse    115

cellule к effet photovottarque    97

cellule photooorvducteur    96

commutation diode    16

commutation diode a semiconducteurs    18

DEL    83

diac    66

diode    6

diode a avalanche a temps de transit    30

diode a barri&re Schottky    19

diode a capacity variable    20

diode a jonction    28

diode a pointe    27

diode a ratablissement repide    34

diode a semiconducteurs    6

diode bruit    22

diode charge    29

diode d'impulsion    17

diode de commutation    26

diode de limitation    14

diode de redressemenl    9

diode de redressemenl a avalanche    10

diode de redressemenl a semiconducteurs    9

diode de redressemenl a semiconducteurs de rupture en avalanche controtee    11

28

ГОСТ Р 57436—2017

diode de redressement de rupture en avalanche controtee    11

diode de tension de reference    39

diode ddtectrice    8

diode dlectroluminescente    83

diode en hyperfrdquences    25

diode f ё temps de transit & barridre injected    31

diode Gunn    33

diode infrarouge    85

diode inverse    24

diode laser    87

diode mdlangeuse    7

diode modutatrice    35

diode pour multiplication de frequence    15

diode Schottky    19

diode tunnel    23

Л sc ret dispositif ё semiconducteurs    5

dispositif ё effel hall    105

dispositif ё semiconducteurs    1

dispositif optodiectronique    78

dispositif semconducteur sans boitier    123

frigistance    112

inverse diode    36

la tension rdguiateur ё diode    40

laser d diode module    68

laser ё semiconducteurs    86

le rdcepteur radiation optocoupler    62

magndtordsistance    110

micro-ondes diode de commutation    38

micro-ondes diode limiteuse    37

optoconvertisseur    104

optoooupleur    98

optoooupleur diode    100

optoooupleur diode diffdrentiel    101

optoooupleur rdsistif    99

optoooupleur thyristor    103

optoooupleur transistor    102

paramdtrique diode    21

29

ГОСТ Р 57436—2017

paramgtrique diode ё semiconducteurs

21

pastille

121

photoooupleur

98

photodiode

92

photodiode ё avalanche

93

photo6lectrique affichage

80

photoresistance

91

photosensibte appareil emioonducteurs

89

photothyristor

95

phototransistor

94

plaque tte

120

plot da soudure

124

producteur diode

16

producteur diode ё semiconducteurs

16

puce

121

radiator ё semiconducteurs

79

rdcepteur photo6lectrique

90

rOcepteur photodlectrique ё semiconducteur

90

semiconducteurs anaiogiques en dicator

84

semioonducteurs d'alimentation de fappareil

2

semiconducteurs de caract&es d'affichage

81

sOrie de dispositifs semioonducteurs

4

signal diode

32

sonde ё effet halt

109

substrat

119

thermistance

111

thermistance

113

thyristor

62

thyristor asymdtrique

75

thyristor ЫосаЫе

71

thyristor diode

63

thyristor diode btdirectiormel

66

thyristor diode bloqud en inverse

64

thyristor diode peasant en inverse

65

thyristor mixte-arrdt

76

thyristor N

73

thyristor P

72

30

ГОСТ Р 57436—2017

thyristor signal    77

thyristor triode    67

thyristor trade ё avalanche Ыосие en inverse    74

thyristor trade bidirectionnel    70

thyristor trade bioqite en inverse    68

thyristor trade passant en inverse    69

transducteur ё effet Hall    106

transducteur de mesure ё effet Hall    107

transducteur de mesure ё effet Hall    108

transistor    41

transistor d avalanche    46

transistor d commutation 4 effet de champ    60

transistor ё commutation bipolaire    60

transistor ё diffusion    43

transistor d effet de champ    49

transistor ё effet de champ ё barrier© de Schottky    56

transistor ё effet de champ ё appauvnssement    57

transistor ё effet de champ ё canal N    52

transistor ё effet de champ ё canal P    53

transistor d effet de champ й enrichtssement    58

transistor ё effet de champ ё grifte isote    51

transistor d effet de champ 4 (unction de grille    50

transistor d effet de champ metaf-oxyde-senuconducteurs    54

transistor ё effet de champ metat-semtconducteurs    55

transistor ё jondiORS    45

transistor bidirectionnel    59

transistor bipolaire    42

transistor en derive    44

transistor tetrode    61

transistor unipolaire    48

triac    70

wafer    120

31

ГОСТ Р 57436—2017

Приложение А (справочное)

Термины и определения общетехнических понятий

Физические элементы полупроводниковых приборов

1    электрический переход: Переходный слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями электрической проводимости.

Примечание — Одна из областей может быть металлом.

2    р-л переход (Нрк. электронно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность п-типа. а другая р-тнпэ.

3    прямое направление (для р-п перехода): Направление тока, в котором р-n переход имеет наименьшее сопротивление.

4 обратное направление (для р-п перехода): Направление тока, в котором р-п переход имеет наибольшее сопротивление.

5    п-п* переход (Нрк. электронно-электронный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника п-типа. обладающими различными значениями электрической проводимости.

6    р-р* переход (Нрк. дырочно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника р-тила. обладающими различными значениями электрической проводимости.

Примечание к терминам 5и6 — Знак •+» условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

7    резкий переход: Р-п переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание — Толщиной области считают ее размер е направлении градиента концентрации примеси.

6 плавный переход: Р-п переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.

9 плоскостной переход: Р-п переход, у которого линейные размеры. определяющие его площадь, значительно больше толщины.

de    Obergang

еп    junction

fr    joncbon

de    PN-Obergang

en    PN junction

fr    jonction PN

de    vorwartsrictitung    eines

PN-Obergangs: vorwartsrichtung

en    forward direction of a    PN junction:

forward direction

fr    sens direct d'une    jonction PN:

sens direct

de    ruckwirtsnchtung eines

PN-Obergangs: ruckwartsnchtung

en    reverse direction of a    PN junction:

reverse direction

fr    sens inverse (Tune jonction PN:

sens inverse

de    NN4-Dbergang

en    NN4 junction

fr    jonction NN4

de    PP4-0bergang

en    PP4 junction

fr    jonction PP4

de    abrupter Obergang

en    abrupt junction

fr    jonction abrupte

de    allmahlicher Obergang

en    progressive junction

fr    jonction progressive

de    hatbleiter-gteicbnchter diode

en    rectifier diode

fr    diode de redressement

32

ГОСТ Р 57436—2017

10 точечный переход: Р-п переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Примечание — Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т. д.

ОД

еп

fr

Spitzeniibergang point-contact junction jonction ponctuele

11 диффузионный переход: Р-п переход, полученный в результате диффузии атомов примеси 8 полупроводнике.

ОД

еп

diffundierter Obergang diffused junction

fr

jonction par diffusion

12 планарный переход: Р-п переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.

ОД

еп

fr

Plana rubergang planar junction jonction planar

13 конверсионный переход: Р-п переход, образованный в результате конверсии полупроводжка. вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси.

ОД

еп

fr

konversionsubergang conversion junction jonction de conversion

14 сплавкой переход {Нрк. вппаеной переход): Р-п переход, образованный в результате вплавпекия в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

ОД

еп

fr

tegierter Obergang alloyed junction jonction par aiiiage

15 микросплавной переход (Нрк. микровплавной переход): Сплавной переход, образованный в результате вплавпения на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.

ОД

еп

fr

mikrolegieiter Obergang microalloy junction microjonction par aiiiage

16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): Р-п переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.

ОД

еп

gezogener Obergang grown junction

fr

jonction par tirage

17 эпитаксиальный переход: Р-п переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание — Эпитаксиальное наращивание — создание на монокрисгаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.

ОД

еп

fr

Epitaxiattbergang epitaxial junction jonction dpitaxiale

16 гетерогенный переход: гетеропереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.

ОД

еп

fr

Heteroubergang heterogeneous junction

jonction hdtdrogdne; hdldrojonction

19 гомогенный переход: гомопереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.

ОД

еп

fr

Homoubergang homogeneous junction jonction homog&ne

20 переход Шоттки: Р-п переход, образованный 8 результате контакта между металлом и полупроводником.

ОД

еп

Schottky-Obergang Schottky junction

fr

Schottky jonction

21 выпрямляющий переход: Р-п переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше. чем при обратном.

ОД

еп

fr

gteichrichtender Obergang rectifying junction jonction rdcbfiante

22 эмиттерный переход: Р-п переход между областями эмиттера и базы транзистора.

ОД

emrtterubergang;

emitter-basis-zonenubergang

еп

emitter junction

fr

jonction bmetteur

33

ГОСТ Р 57436—2017

23 коллекторный переход: Р-п переход между базой и коллектором транзистора.

24    полупроводник: Материал, величина электропроводности которого. обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов. а концентрация носителей заряда мажет изменяться под воздействием внешних факторов.

25    полупроводник п-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью п-типа.

26 полупроводник р-тила: Полупроводник с преобладающей электропроводностью р-типа.

27 база {Нрк. базовая область): Область транзистора между эмиттер ным и коллекторным переходами.

26 эмиттер (Нрк. эмиттерная область): Область транзистора между эмиттерным переходом и эмиттерным электродом.

29 коллектор (Нрк. коллекторная область): Область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом.

30    активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, е которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерното перехода к коллекторному переходу.

31    пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, е которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмигтерного перехода к коллекторному переходу.

32    канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда.

Примечания

1    Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.

2    Канал может быть п или p-типа. в зависимости от типа электропроводности полупроводника.

33    исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который 8 канал втекают носители заряда.

de

еп

de

еп

fr

de

еп

de

еп

fr

de

еп

de

еп

fr

de

еп

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr

kollektorubergang; kollektor-basis-zonenubergang collector junction jonc&on collecteur

halbleiter

semiconductor

semiconducteur

N-halbieiter N-type semiconductor semiconducteur type N

P-halbleiter

P-type semiconductor

semiconducteur type P

basis: basiszone

base

base

emitter: emitterzone

emitter

6metteur

koilektor: koilektorzone

collector

collecteur

Aktivteit der Basis active part of the base partie de base actif

Passtvteil der Basis passive part of the base partie de base passif

kanal ernes feldeffekttransistors: kanal

channel of a field-effect transistor; channel

canal d'un transistor £ effet de champ: canal

source eines feldeffekttransistors: source

source of a field-effect transistor: source

source d'un transistor ё effet de champ: source

34

ГОСТ Р 57436—2017

34    сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора. de через который из канала вытекают носители заряда.

еп

fr

35    затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транэисто- de ра. на который подается электрический сигнал.

еп

fr

36    структура (полупроводникового прибора): Последователь-    de

носгь граничащих друг с другом областей полупроводника с раэлич-    еп

ными типами электропроводности или значениями электрической проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым    ^

прибором его функций.

Примечания

1    Примеры структур полупроводниковых приборов: p-n; п-р-п; р-п-р; p-i-n: р-л-р-n и др.

2    В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.

37    структура металл-ди электрик-полупроводник: структура    de

МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла. диэлектрика и полупроводника.    еп

fr

36 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП:    de

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника.    еп

fr

39    мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образо- de

ванного удалением периферийных участков кристалла полупроао- еп дника. либо наращиванием полупроводникового материала.    ^

40    обедненный слой: Спой полупроводника. в котором концентра- de

ция основных носителей заряда меньше разности концентраций ио- вп киэоеанных доноров и акцепторов.    .

41    запирающий слой (Нрк. запорный слой): Обедненный слой меж- de ду двумя областями полупроводника с различными типами электро- еп проводносги или между полупроводником и металлом.

fr

42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концен-    de грация основных носителей заряда больше разности концентраций вп ионизованных доноре» и акцепторов.

fr

drain eines feideffekttransistors: drain

drain of a field-effect transistor: drain

drain d un transistor £ effet de champ; drain

gate eines feldeffekttransistors: gate

gate of a field-effect transistor gate

grille d'un transistor й effet de champ; grille

Aufbau der Halbleiterbauelement structure of a semiconductor device: structure structure de dispositif serrucooducteur

Metall-lsolator-Halbteiter-Struktur,

MIH-Struklur

metal-insulator-semiconductor

structure:

MIH structure:

structure me!ai-di6tectrique-serrucooducteur

Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur. MOH-Struktur metal-oxide-semrcooductoc structure:

MOS structure: structure metai-oxyde-semi-oonducteur. MOS

Mesastruktur mesastructure structure mesa

verarmungsschicht depletion layer couche d'appauvrisse-ment: oouche de ddp&tion

Sperrschficht barrier layer couche Ьагпёге Anreicherungsschlicht enriched layer oouche enrichie

35

ГОСТ Р 57436—2017

43    инверсный слой: Слой у поверхности полупроводника, в кото- de

ром тип электропроводности отличается от типа электропровод но-    ^

сти в объеме полупроводника в связи с наличием электрического ^ поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактной разности потенииалов.

Явления в полупроводниковых приборах

44    пробой р-л перехода: Явление резкого увеличения дифферен- de ииальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупро- ^ эодникового прибора.

Примечание —Необратимые изменения в р-п переходе не яв- ^ ляются необходимым следствием пробоя.

45    электрический пробой р-л перехода: Пробой р-п перехода. de обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения.

ел

fr

46 лавинный пробой р-п перехода: Электрический пробой р-п de перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне р-п перехода (запирающем слое) под действием электрического поля.    ет

fr

47 туннельный пробой р-л перехода: Электрический пробой р-п de перехода, вызванный переносом носителей заряда.

ел

fr

48 тепловой пробой р-л перехода: Пробой р-п перехода, вызван- de ный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в р-л переходе и отводимым от него теплом.    ет

fr

49    модуляция толщины базы: Изменение толщины базы, вызван- de нов изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного

к коллекторному переходу.    г

50    эффект смыкания (Нрк. прокол базы): Смыкание обедненно- de го слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на ^ всю толщину базы.

InversionsschUcht Inversion layer couche diversion

durchbruch eines PN-Obergangs: durchbruch

breakdown of a PN junction: breakdown

claquage dune jonction PN: claquage

elektnscher Durchbruch eines

PN- Obergangs:

elektnscher Durchbruch

p-n junction electrical breakdown

claquage d'une jonction PN:

claquage

lawinendurchbruch eines PN-Obergangs: lawinendurchbruch avalanche breakdown of a PN junction: avalanche breakdown claquage par avalanche (Tune jonction PN: claquage par avalanche

zener-durchbruch eines PN-Obergangs: zener-durchbruch zener breakdown of a PN junction: zener breakdown claquage par effet zener d'une jonction PN; claquage par effet zener

thermischer durchbruch eines PN-Obergangs; thermischer durchbruch thermal breakdown of a PN junction: thermal breakdown claquage par effet thermique d'une joncboo PN: claquage par effet thermique

Modulation der Basisdicke base thickness modulation effet Early

durchgriff

punch-through

pdndtration

36

ГОСТ Р 57436—2017

51 накопление (неравновесных носителей) заряда в базе: Уве- de личение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате увеличения инжек- еп ции или в результате генерации носителей заряда.

fr

Nichtgleichgewichtsladungstrager speicherung der Basis nonequilibrium charge carrier storage in the base accurmiation (de porteur tfexces) dans la base

52 рассасывание (неравновесных носителей) заряда в базе: Уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.

de    Nichtgleichgewichtstadungstrager

Ausraumen der Basis ел    nonequilibrium charge carrier

resorption in the base fr    resorption (de porteur d'exces)

dans la base

53 закрытое состояние тиристора: Состоите тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-вмлерной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.

54 открытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики.

de    vorwdrts-sperrzustand eines

thyristors

en    off-state of a thyristor

fr    6tat bioqud de thyristor

de    durchiasszustand eines thyristors

en    on-state of a thyristor

fr    6tat passant de thyristor

55 непроводящее состояние тиристора в обратном направ-    de

пении: Состояние тиристора, соответствующее участку вольт-    еп

амперной характеристики при обратных токах, по значению метших тока при обратном напряжении пробоя.

fr

sperrzustand eines thyristors reverse blocking state of a thyristor

dtat btoqud en inverse de thyristor

56 переключение тиристора: Переход тиристора из закрытого со- de стояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигна- вп лов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигна-ла в цепи управляющего вывода.

Thyristorunchaltung thyristor switching commutation de thynstor

57 включение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления.

de    Thyristorchaltung

en    turn-on of a thyristor

fr    enclenchement de thyristor

56 выключение тиристора: Переход тиристора из открытого со- de стояния в закрытое при приложении обратного напряжения и (или) еп изменении сигнала управления.    ^

Thynstorausschalten turn-off of a thyristor ddclenchement de thyristor

59 эффект Холла: Создание e проводнике или полупроводнике de электрического поля, пропорционального векторному произвеле-    еп

кию плотности тока на магнитную индукцию.    .

halleeffekt hall effect effet hall

37

ГОСТ Р 57436—2017

УДК 001.4:621.382:006.354    ОКС 01.040.31. 31.080

Ключевые слова: полупроводниковые приборы, термины, определения

БЗ—2—2017/27

Редактор Я. В. Кожаринова Технический редактор АН. Прусакова Корректор Е.Ю. Митрофанова Компьютерная верстка Е.А. Кондрашовой

Сдано а набор 0S.04.2017. Подписано а печать 02.05.2017.    Формат 60*64% Гарнитура Ариал

Уел. печ. п. 4.65. Уч.-изд. п. 4.20. Тираж 47 ж. Зах 710.

Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта

Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИКФОРМ». 123995 Москва. Гранатный пер.. 4 wwwposlinto.ru