База ГОСТовallgosts.ru » 01. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ. ТЕРМИНОЛОГИЯ. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. ДОКУМЕНТАЦИЯ » 01.040. Словари

ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения

Обозначение: ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016
Наименование: Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения
Статус: Действует

Дата введения: 07/01/2017
Дата отмены: -
Заменен на: -
Код ОКС: 01.040.07, 07.030
Скачать PDF: ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения.pdf
Скачать Word:ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения.doc


Текст ГОСТ ISO/TS 80004-8-2016 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения



МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СОВЕТ ПО СТАНДАРТИЗАЦИИ. МЕТРОЛОГИИ И СЕРТИФИКАЦИИ

{МГС)

INTERSTATE COUNCIL FOR STANDARDIZATION, METROLOGY AND CERTIFICATION

(ISC)

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ

СТАНДАРТ

ГОСТ

ISO/TS

80004-8—

2016

НАНОТЕХНОЛОГИИ

Часть 8

Процессы нанотехнологического производства Термины и определения

(ISO/TS 80004-8:2013, Nanotechnologies — Vocabulary — Part 8: Nanomanufacturing processes, IDT)

Издание официальное

Москва

Стамдартинформ

2016

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

Предисловие

Цели, основные принципы и основной порядок проведения работ по межгосударственной стандартизации установлены в ГОСТ 1.0—2015 «Межгосударственная система стандартизации. Основные положения» и ГОСТ 1.2—2015 «Межгосударственная система стандартизации. Стандарты межгосударственные. правила и рекомендации по межгосударственной стандартизации. Правила разработки, принятия. обновления и отмены»

Сведения о стандарте

1    ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении» (ВНИИНМАШ) на основе собственного перевода на русский язык документа, указанного в пункте 5

2    ВНЕСЕН Межгосударственным техническим комитетом по стандартизации МТК 441 «Нанотехнологии»

3    ПРИНЯТ Межгосударственным советом по стандартизации, метрологии и сертификации (протокол от 25 октября 2016 г. № 92-П)

За принятие проголосовали:

Краткое наименование страны по МК (ИСО Э1вв) 004—97

Код страны по МК <ИСО 3166) 004-97

Совращенное наименование национального органа по стандартизации

Беларусь

BY

Госстандарт Рвспубтки Беларусь

Киргизия

KG

Кыргызсгакдарт

Россия

RU

Россгандарт

Таджикистан

TJ

Таджиксгандарт

4    Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 9 ноября 2016 г. № 1648-ст межгосударственный стандарт ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016 введен в действие в качестве национального стандарта Российской Федерации с 1 июля 2017 г.

5    Настоящий стандарт идентичен международному документу ISO/TS 80004-8:2013 «Нанотехнологии. Словарь. Часть 8. Процессы нанолроиэводстеа» («Nanotechnologies — Vocabulary — Part 8: Nanomanufacturing processes». IDT).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного документа для приведения в соответствие с ГОСТ 1.5 (пункт 3.6).

Международный документ разработан техническим комитетом по стандартизации ISO/TC 229 «Нанотехнологии» Международной организации по стандартизации (ISO).

Стандарт подготовлен на основе применения ГОСТ Р 56662—201S/ISO/TS 80004-8:2013

6    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

II

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется е ежегодном информационном указателе «Национальные стандарты» (по состоянию на 1 янеаря текущего года), а текст изменений и поправок — е ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также е информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()

© Стандартинформ, 2016

8 Российской Федерации настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен. тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства ло техническому регулированию и метрологии

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

Содержание

1    Область применения..................................................................1

2    Термины и определения понятий, установленные

в других стандартах серии ISO/TS 80004...................................................1

3    Термины и определения основных понятий, относящихся

к процессам нанотехнологического производства............................................3

4    Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки..............4

5    Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки.......................4

6    Термины и определения понятий, относящихся к процессам

синтеза наноматериалов................................................................5

6.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения

из газовой фазы.....................................................................5

6.2    Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения

из газовой фазы.....................................................................6

6.3    Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза

в жидкой фазе.......................................................................7

6.4    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза

в жидкой фазе.......................................................................7

6.5    Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза

в твердой фазе......................................................................8

6.6    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза

в твердой фазе.....................................................................10

7    Термины и определения понятий, относящихся к процессам

изготовления продукции................................................................10

7.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии

в нанодиапазоне....................................................................10

7.2    Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения...................13

7.3    Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления...................15

7.4    Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати

и нанесения покрытий...............................................................18

Приложение А (справочное) Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов.

применяемых для производства конечной продукции...........................19

Алфавитный указатель терминов на русском языке.........................................22

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке..........................27

Библиография........................................................................32

IV

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Введение

Нанотехнологическое производство — это применение научных открытий и новых знаний в обла-сти нанотехнологий для изготовления продукции наноиндустрии.

Продвижение нанотехнологий из научных лабораторий в массовое производство требует тщательного изучения стадий жизненного цикла продукции наноиндустрии, включая разработку и постановку продукции на производство, ее надежность и качество, управление производственными процессами и их контроль, а также вопросов обеспечения безопасности при производстве, поставке, применении и утилизации продукции наноиндустрии для сотрудников предприятий, потребителей и окружающий среды. S рамках нанотехнологического производства осуществляется освоение в промышленных масштабах процессов самосборки и направленной самосборки, синтеза наноматериалов и изготовления на их основе продукции, например, с применением литографии или биологических процессов, в нанотехнологическом производстве применяют технологии «снизу вверх» и «сверху вниз», позволяющие изготавливать объекты или системы объектов на молекулярном уровне с последующим их встраиванием в более крупные объекты или системы объектов.

Объекты и материалы при их преобразовании с помощью нанотехнологий изменяют свои свойства. Свойства конечной продукции наиоиндусгрии зависят от совокупности свойств нанообъектов и наноматериалов, использованных при ее изготовлении.

6 настоящий стандарт не включены термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства, основанным на применении законов биологии в нанотехнологиях. Однако, учитывая быстрое развитие нанобиотехнологий, в дальнейшем настоящий стандарт будет дополнен новыми терминами или будет разработан отдельный стандарт серии ISO 80004. включающий термины и определения понятий, относящихся к процессам обработки биологических каномагериалов и применению законов биологии при производстве новых наноматериалов. Также будут установлены термины и определения понятий, относящихся к другим развивающимся отраслям наноиндустрии, например. к изготовлению нанокомпоэиционных материалов и электронных устройств на рулонах из гибкого пластика или металлической фольги (изготовление roll-to-roll).

Понятие «нанотехнологическое производство» следует отличать от понятия «наноизготоаление». так как понятие «нанотехнологическое производство» включает не только способы изготовления наноматериалов. в том числе синтез, но и методы их обработки.

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий, относящихся к процессам, применяемым на стадиях разработки и постановки продукции на производство, например, к синтезу наноматериалов с заданными свойствами. Наноматериалы изготавливают как продукцию производственно-технического назначения для выпуска конечной продукции, например, наноматериалы применяют при производстве композиционных материалов или в качестве компонентов различных систем или устройств. Процессы нанотехнологического производства являются большой и разнообразной группой производственных процессов, применяемых в следующих отраслях:

•    полупроводниковая промышленность (цель которой — создание микропроцессоров меньшего размера, более эффективных и быстродействующих, с элементами размером менее 100 нм);

•    производство электроники и телекоммуникационного оборудования:

•    аэрокосмическая и оборонная промышленность;

-    энергетика и транспорт;

> химическая промышленность, включая производство пластмассы и керамики;

•    лесная, деревообрабатывающая и целлюлозно-бумажная промышленность:

•    пищевая промышленность и производство упаковки для пищевых продуктов;

•    биомедицина, биотехнологии и фармацевтическая промышленность:

•    биологическая рекультивация;

-    легкая и парфюмерно-косметическая промышленность, включая производство одежды и товаров личной гигиены.

Ежегодно в обращение на мировой рынок поступают тысячи тонн наноматериалов, применяемых в вышеуказанных отраслях, например, технический углерод и коллоидный диоксид кремния. В ближайшем будущем будут разработаны новые наноматериалы, которые внесут существенные изменения в развитие таких отраслей, как биотехнологии, технологии очистки воды и энергетика.

в настоящем стандарте термины и определения понятий объединены в разделы и подразделы, относящиеся к определенной группе или подгруппе процессов нанотехнологического производства.

V

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

Раздел 6 состоит из подразделов, включающих термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства в зависимости от агрегатного состояния исходного материала. Например, на этапе, предшествующем изготовлению наночастиц, исходный материал находится в газовой/жидкой/твердой фазе, при этом агрегатное состояние материала подложки и вспомогательных материалов в данной классификации процессов не учитывают. 8 качестве примера можно привести термин «формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл», который в настоящем стандарте помещен в подраздел 6.2 «Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы», так как исходным материалом в данном процессе является газообразное углеродное вещество. Вспомогательный материал — частицы железа, содержащиеся в растворе (жидкий катализатор), адсорбируют на своей поверхности исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, формируя углеродные нановолокна. Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных каноматериалое или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции, приведена в приложении А.

Стандартизованные термины, относящиеся к процессам нанотехнологического производства, позволят обеспечить взаимопонимание между организациями и отдельными специалистами из разных стран, будут способствовать скорейшему переходу нанотехнологий из научно-исследовательских лабораторий к серийному выпуску и коммерциализации продукции наноиндустрии.

Сведения о ранее разработанной терминологии, относящейся к нанотехнологическому производству. представлены в библиографии (1).

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессам нанотехнологического производства.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Помета, указывающая на область применения многозначного термина, приведена в круглых скобках светлым шрифтом после термина. Помета не является частью термина.

Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них произвольные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, относящиеся к определенному понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке, а также алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, и иноязычные эквиваленты — светлым, синонимы — курсивом.

VI

ГОСТ Ison'S 80004-8—2016

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

НАНОТЕХНОЛОГИИ Часть 8

Процессы нанотехнологического производства

Термины и определения

Nanotechnologies. Part 8. Nanomanufactunng processes.

Terms and definitions

Дата введения — 2017—07—01

1    Область применения

Настоящий стандарт является частью серии стандартов ISO/TS 80004 и устанавливает термины и определения понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессами нанотехнологического производства.

Не все процессы, термины и определения которых установлены в настоящем стандарте, осуществляют е нанодиапазоне. 8 зависимости от возможностей управления такими процессами для изготовления продукции в качестве исходных материалов применяют и наноматериалы, и обычные материалы.

Настоящий стандарт не распространяется на оборудование, вспомогательные материалы и методы контроля, применяемые в процессах нанотехнологического производства.

2    Термины и определения понятий, установленные

в других стандартах серии ISO/TS 80004

8 настоящем разделе приведены термины и определения, установленные в других стандартах серии ISO/TS 80004, необходимые для понимания текста настоящего стандарта.

2.1

углеродная нанотрубка; УНТ; Нанотрубка (2.9). состоящая из углерода.    carbon nanotube;

CNT

Примечание — Углеродные нанотрубки обычно состоят из свернутых слоев графена, в том числе одностенные углеродные нанотрубки и многостенные углеродные нанотрубки.

[ISO/TS 80004-3:2010. статья 4.3]

2.2

нанокомпозиционный материал: нанокомлозит: Твердое вещество, состоящее из nanocomposite

двух или более разделенных фаз. из которых одна или более являются нанофазами.

Примечания

1    Нанокомлозит не содержит газовую нанофазу. Газовую нанофазу содержит нанопористый материал.

2    Материал, нанофаза которого получена только методом осаждения, не является нанокомпоэиционным.

[ISO/TS 80004-4:2011. статья 3.2]

Издание официальное

1

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

2.3

наковолокно. Нанообъект, линейные размеры которого по двум измерениям на- nanofibre ходятся в нанодиапазоне (27). а по третьему измерению значительно больше.

Примечания

1    Нановолокно может быть гибким или жестким.

2    Два сходных линейных размера по двум измерениям не должны отличаться друг от друга более чем в три раза, в размеры по третьему измерению должны превосходить размеры по первым двум измерениям более чем в три раза.

3    Наибольший линейный размер может находиться вне нанодиалаэона (2.7).

[ISO/TS 27687:2008. статья 4.3]

2.4

наноматериал: Твердый или жидкий материал, полностью или частично состо- nanomateriai ящий из структурных элементов, размер которых хотя бы по одному измерению находится в нанодиапазоне (2.7).

Примечания

1    Наноматериал является общим термином для таких понятий, как «совокупность нанообьектовв (2.5) и «на-неструктурированный материал» (2.8).

2    См. таюке «технический наноматериал». «промышленный наноматериал» и «побочный наноматериал».

[ISO/TS 80004-1:2010. статья 2.4]

2.5

нанообъект: Материальный объект, линейные размеры которого по одному, двум nano-object или трем измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — Данный термин распространяется на все дискретные объекты, линейные размеры которых находятся е нанодиапазоне.

[ISO/TS 80004-1:2010. статья 2.5]

2.6

наночастица: Нанообъект (2.5). линейные размеры которого по всем трем измере- nanopartide ниям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — Если по одному или двум измерениям размеры нанообъекта (2.5) значительно больше, чем по третьему измерению (как правило, более чем в три раза), то вместо термина «наночастица» можно использовать термины «наноаолокмо» (2.3) ww «нанолластима».

[ISO/TS 27687:2008. статья 4.1]

2.7

нанодиапазон: Диапазон линейных размеров приблизительно от 1 до 100 нм. nanoscale

Примечания

1    Верхнюю границу этого диапазона принято считать приблизительной, так как в основном уникальные свойства нанообъектов за ней не проявляются.

2    Нижнее предельное значение в этом определении (приблизительно 1 нм) введено для того, чтобы исключить из рассмотрения в качестве нанообъектов (2.5) или элементов наноструктур отдельные атомы или небольшие группы атомов.

[ISO/TS 80004-1:2010, статья 2.1]

2.8

наноструктурированкый материал: Материал, имеющий внутреннюю или по- nanostructured верхностную наноструктуру.    material

2

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Примечание — Настоящее определение не исключает наличия у нанообъекта (2.5) внутренней или поверхностной структуры. Рекомендуется применять термин «нанообъект» к элементу нанострухтурированного материала, если его линейные размеры по одному, двух! или трем измерениям находятся в нанодиапаэоне.

(ISO/TS 80004-4:2011. статья 2.11]

2.9

нанотрубка: Полое нановолокно (2.3). (ISO/TS 27687:2008. статья 4.4]

nanotube

3 Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства

3.1 нанотехнологическое производство «снизу вверх»: Технология, основанная на применении атомов, молекул и/или нанообъектов в качестве исходного материала для формирования болев крупных и функционально сложных структур или конструкций различных объектов.

bottom up nanomanufacturing

3.2 соосаждение: Осаждение одновременно двух или более исходных материалов.

co-deposition

Примечание — К основным методам соосаждения относят: вакуумное напыление, термическое напыление. электроосаждение и осаждение твердых частиц суспензии.

3.3 истирание: Процесс дробления или измельчения исходного материала с целью уменьшения размеров его частиц.

communition

3.4 направленная сборка (нанотехнологии): Процесс формирования конструкций объекта в соответствии с заданным шаблоном, основанный на применении управляемых внешних воздействий к исходным нанообъектам.

directed

assembly

3.5 направленная самосборка: Процесс самосборки (3.11) в соответствии с за-

directed

данным шаблоном, происходящий под управляемыми внешними воздействиями. serf-assembly

Примечание — Процесс направленной самосборки может происходить под действием приложенного силового поля, сил потока жидкости, введенного в исходное вещество химического реагента или по заданному шаблону.

3.6 литография: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изо- lithography бражения путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

Примечание — Шаблон изготавливают из материала, чувствительного к излучению, и осуществляют его перенос на подложку для формирования нужной структуры методами контактной печати или прямой записи.

3.7 многослойное осаждение: Процесс получения композиционных материалов со слоистой структурой путем последовательного осаждения на подложку двух или более исходных материалов.

multilayer

deposition

3.8    нанотехнологическое изготовление: Совокупность действий, направленных на преднамеренное изготовление объектов, устройств или их элементов, размеры которых находятся в нанодиапаэоне (2.7), для коммерческих целей.

3.9

nanofabrication

нанотехнологическое производство. Преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматериалов, а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапаэоне (2.7) для коммерческих целей.

[ISO/TS 80004-1:2010. статья 2.11]

nanomanufac

turing

3

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

3.10

процесс нанотехнологического производства: Совокупность мероприятий, направленных на преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматери-алое (2.4), а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапазоне (2.7) для коммерческих целей.

[ISO/TS 80004-1:2010. статья 2.12]

3.11    самосборка: Автономный процесс формирования структуры объекта в результате взаимодействия компонентов исходной структуры объекта.

3.12    функционализация поверхности: Процесс придания поверхности объекта заданных химических или физических свойств путем химического или физико-химического воздействия.

3.13    нанотехнологическое производство «сверху вниз»: Технология получения нанообъектов из макроскопических объектов.

4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки

4.1    сборка в электростатическом поле (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил электростатического поля.

4.2    распределение в потоке жидкости (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил потока жидкости.

4.3    иерархическая сборка (нанотехнологии): Технология, основанная на применении более одного процесса нанотехнологического производства (3.9) для управления сборкой объекта, осуществляемой в любой последовательности.

4.4    сборка в магнитном поле (нанотехнологии): Процесс изготовления объектов в соответствии с заданным шаблоном в нанодиапазоне (2.7) под действием сил магнитного поля.

4.5    сборка с учетом формы наночастиц (нанотехнологии): Процесс получения заданной структуры или конфигурации объекта, основанный на применении наночастиц (2.6) определенной геометрической формы.

4.6    супрамолекулярная сборка. Процесс сборки объекта из молекул или наночастиц (2.6) за счет нековалентных связей.

4.7    перенос «поверхность — поверхность» (нанотехнологии): Процесс перемещения наночастиц (2.6) или объектов с поверхности одной подложки, на которой они были сформированы или собраны, на поверхность другой подложки.

5 Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки

5.1 коллоидная кристаллизация (нанотехнологии): Процесс получения вещества. состоящего из плотно расположенных по отношению друг к другу элементов, упорядоченных в периодические пространственные структуры, путем седиментации наночастиц (2.6) из раствора с образованием твердого осадка.

nanomanufac

turing

process

self-assembly

surface

functionalization

top-down nanomanufacturing

electrostatic driven assembly

fluidic alignment

hierarchical

assembly

magnetic driven assembly

shape-based

assembly

supramotecular

assembly

surface-

to-surface

transfer

colloidal

crystallization

4

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

5.2 графоэпитаксия (нанотехнологии): Процесс направленной самосборки (3.5) graphtoepitaxy на поверхности объектов, имеющей неоднородности, размеры которых находятся в нанодиапаэоне (2.7).

Примечание — К понятию «грзфоэпигаксия» относят процессы последовательного формирования пленок с одинаковой или отличной структурой на поверхности одной и той же кристаллической подложки.

5.3 ионно-лучевое модифицирование поверхности (нанотехнологии): Процесс ion beam surface изменения поверхности объекта пучком ускоренных ионов с целью формирования reconstruction на ней неоднородностей, в том числе размерами в нанодиапаэоне (2.7).

5.4 формирование пленки Ленгмюра — Блоджетт: Процесс получения моле- Langmuir — кулярного монослоя на границе раздела двух сред (газовой и жидкой) с помощью Blodgett специальной кюветы, разработанный Ирвингом Ленгмюром и Катариной Блоджетт, film formation

5.5 перенос пленки Ленгмюра — Блоджетт. Процесс перемещения молекуляр- Langmuir — нота монослоя, сформированного на границе раздела двух сред (газовой и жид- Blodgett кой), на твердую поверхность путем погружения в жидкость с данным монослоем и film transfer последующего извлечения из нее твердой подложки.

5.6 послойное электростатическое осаждение: Процесс последовательного на- layer-by-layer несения на поверхность подложки слоев полимерных материалов с противопопож- deposition: ными знаками электрических зарядов.    LbL deposition

5.7 модулированное осаждение веществ: Процесс формирования чередующих- modulated ся слоев двух или более веществ путем последовательного осаждения из газовой elemental фазы каждого из исходных веществ на заданных участках подложки.    reacted method

5.8 самосборка монослоя: Процесс формирования упорядоченного молекулярного слоя вещества, осаждаемого на твердую подложку из жидкой или газовой фазы под воздействием сил молекулярного сцепления с поверхностью подложки и сил слабого межмолекулярного взаимодействия.

self-assembled

monolayer

formation;

SAM formation

5.9 механизм роста пленки Странского — Крастанова. механизм «послойного- Stranski — плюс-остроекоеого» роста пленхи: Процесс формирования пленки на подложке. Krastanow начинающийся с образования двухмерного слоя и завершающийся образованием growth на нем групп связанных между собой атомов (островков).

6 Термины и определения понятий, относящихся к процессам синтеза наноматериалов

6.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой фазы

6.1.1 холодное газодинамическое напыление: Процесс получения покрытия из cold gas dynamic холодных и ускоренных частиц или наночастиц напыляемого порошка, при соуда- spraying рении которых с подложкой происходит их соединение, с применением сверхзвуковой струи инертного газа.

6.1.2 электронно-лучевое испарение: Процесс получения материала путем пре- electron-beam образования исходного материала в газообразное состояние под воздействием evaporation потока электронов в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего осаждения материала на подложку.

6.1.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам электроискрового осаждения

6.1.3.1 электроискровое осаждение: Процесс получения покрытий импульсно- electro-spark дуговой микросваркой, основанный на изменении физико-химических свойств по- deposition верхности под воздействием импульсных искровых разрядов, сопровождаемых отделением от обрабатывающего электрода вещества и переходом его на обрабатываемую поверхность (катод).

5

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

6.1.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам высушивания вещества 6.1.4.1 сублимационная сушка: Процесс обезвоживания вещества или удаления freeze drying

из него растворителя путем быстрого замораживания вещества и дальнейшего выпаривания затвердевших воды или растворителя в условиях вакуума.

6.1.4.2 распылительная сушка: Процесс получения сухого порошка из жидкости или суспензии, основанный на впрыскивании капель жидкости или суспензии в поток нагретого до необходимой температуры газа и последующем осаждении твердых частиц.

spray drying

6.1.5 быстрое расширение сверхкритических растворов: Процесс извлечения вещества, основанный на распылении исходного вещества при температуре и давлении выше критических точек и последующем осаждении нанообъектов (2.5).

supercritical

expansion

6.1.6 суспензионное термическое напыление: Процесс получения покрытия термическим напылением (7.2.16), вкотором в качестве исходного материала применяют суспензию.

suspension combustion thermal spray

6.1.7 электрический взрыв проволоки: Процесс получения наночастиц (2.6) путем испарения исходного полупроводникового или проводникового материала в виде проволоки под действием импульса электрического тока высокой плотности с последующей конденсацией наночастиц.

wire electric explosion

6.1.8 испарение: Процесс перехода вещества из твердой или жидкой фазы в газовую или плазменную фазы.

vaporization

Примечания

1    Процесс испарения применяют для осаждения материала ка подложху. Процесс испарения лежит е основе процессов физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ) [7].

2    Процессы ФОГФ е условиях высокого вакуума происходят при давлении в диапазоне от 10~* до 10'9 торр. в условиях сверхвысокого вакуума — при давлении ниже 10'9 торр.

6.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы

6.2.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения в условиях

воздействия пламени 6.2.1.1

экзотермическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку в результате экзотермической реакции окисления раствора исходного материала.

[ISO 19353, статья 3.3. определение термина изменено]

liquid precursor combustion

6.2.1.2 плазменное распыление: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого на подложку, с применением плазменной струи, образованной источником ионизированного газа.

plasma spray

6.2.1.3 пиролиз аэрозоля: Процесс получения твердого агрегированного материала. в том числе наноматериала (2.4). осаждаемого на подложку в результате сжигания или нагревания до заданной температуры распыляемого исходного материала в виде аэрозоля.

pyrogenesis

6.2.1.4 плазменное распыление жидкого вещества: Процесс получения твердого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4). осаждаемого на подложку в результате воздействия струи термической (равновесной) плазмы на распыляемый раствор исходного материала и его последующего охлаждения.

solution precursor plasma spray

6

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

6.2.1.5 термическое разложение жидкого вещества: Процесс получения твер- thermal spray дого агрегированного материала, в том числе наноматериала (2.4), осаждаемого pyrolysis на подложку в результате нагревания до заданной температуры распыляемого исходного жидкого материала.

6.2.2 термическое разложение в трубчатой печи: Химическое осаедение из га- hot wall зовой фазы (7.2.3), осуществляемое в трубчатой лечи при заданной и контролиру- tubular reaction емой температуре поверхности подложки с исходным материалом.

6.2.3 термическое разложение инфракрасным излучением: Процесс получения photothermal твердого материала, состоящего в том числе из наночастиц (2.6). осаждаемого на synthesis подложку в результате нагревания инфракрасным излучением до заданной температуры исходного газообразного вещества.

6.2.4 формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — vapour-tiquid-so-кристалл»; ПЖК: Процесс получения на подложке нановолокон (2.3) из исходного lid газообразного материала с применением жидкого катализатора.    nanofibre

synthesis;

VLS

Примечание — Формирование наноеопокон по механизму роста «пар — жидкость—кристалл» происходит при наличии на кончиках формирующихся наноеопокон капель жидкого катализатора, адсорбирующего исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, из которого е дальнейшем происходит рост нановолокон.

6.3 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в жидкой фазе

6.3.1 электропрядение: Процесс вытягивания волокон из исходного жидкого мате* electrospinning риала под действием сил электрического поля.

6.3.2 интеркаляциокная полимеризация in-sltu: Процесс получения нанокомпо- in-situ intercala-

зита (2.2), основанный на введении мономера в исходный слоистый неорганиче- live

ский материал и последующей его полимеризации.    polymerization

6.3.3 диспергирование нанодисперсной системы: Процесс получения наносу- nanoparticle спензии. основанный на предотвращении или замедлении скорости осаждения dispersion наночастиц (2.6) за счет внутреннего или внешнего воздействия (например, сил молекулярного взаимодействия, электрического поля или наличия лиганд) на исходный материал.

6.3.5 литье керамической ленты. Процесс получения керамической ленты путем tape casting заполнения поверхности подложки, имеющей заданные формы и размеры, макро-скопическим слоем суспензии из керамического материала.

Примечание — Макроскопический слой может содержать наночастицы (2.6).

6.3.6 мокрый помол в шаровой мельнице: Процесс получения суспензии из- wet ball milling мельчением (6.5.6) исходного материала под действием ударов движущихся шаров. изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости. и с добавлением жидкости.

6.4 Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в жидкой фазе

6.4.1 кислотный гидролиз целлюлозы: Химическая реакция с применением кис- acid hydrolysis лоты, в процессе которой происходит извлечение нанокристаллической целлюло- of cellulose зы из целлюлозы.

6.4.2 осаждение наночастиц из раствора: Процесс получения наночастиц (2.6) в nanoparticle результате протекания химических реакций в растворе с возможностью влияния на precipitation размеры получаемых частиц за счет кинетических факторов.

7

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

6.4.3 быстрая конденсация неорганических материалов: Процесс получения prompt inorganic атомарно гладкой и плотной пленки из исходного металлоорганического матери- condensation ала методом центробежного осаждения (7.2.17) и последующего отверждения на подложке при заданной температуре.

6.4.4 синтез в обратных мицеллах: Процесс формирования наночастиц (2.6) тре- reverse micelle буемых размеров и формы в растворе исходного материала с применением coot- process ветстеующего реагента, основанный на образовании в ядре мицеллы наночастиц, рост которых ограничен оболочкой мицеллы.

6.4.5    золь-гель-технология: Процесс получения материалов путем преобразова- sol-gel ния исходного раствора или суспензии (золя) в коллоидную систему (гель), состо- processing ящую из жидкой дисперсионной среды, заключенной в пространственную сетку, образованную соединившимися частицами дисперсной фазы.

6.4.6    матричный синтез: твмплатный синтез: Процесс получения наноматери- surfactant ала путем самосборки, происходящий с добавлением в исходный материал по- templating верхностно-активного вещества, молекулы которого выступают в качестве структурообразующего агента, и формирование структурных элементов размерами в нанодиапазоне (2.7) при последующем отверждении этого материала.

Пример — силикатные и алюмосиликатные материалы с ксамоформирующейся структурой» (структурой типа МСМ-41).

6.4.7 метод Стобера: Процесс получения наночастиц силикатного материала Stober process из тетраалкилортосиликата. который подвергают гидролизу путем его обработки спиртом и аммиаком.

Примечание — Термин «метод Стобера» — это наименование эоль-гель-технопогии (6.4.5). применяемой для получения диоксида кремния.

6.5 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе

6.5.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам блок-сополимеризации

6.5.1.1    блок-сополимеризация. Процесс получения блок-сополимерного материала. основанный на формировании чередующихся двухмерных (20) или трехмерных (3D) структур из блоков различных несовместимых полимерных цепей.

6.5.1.2    наноструктурироваиие блок-сополимера: Процесс формирования наноструктур в блок-оополимерном материале путем добавления в определенную его фазу соответствующего вещества.

6.5.2    диспергирование глины в жидкой полимерной матрице: Процесс получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания частиц глины с жидким полимерным материалом и последующего его отверждения.

6.5.3    холодное прессование (нанотехнологии): Процесс обработки материала давлением с целью его уплотнения за счет уменьшения расстояния между частицами материала до размеров нанодиапаэона (2.7). происходящий без нагревания.

6.5.4    непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом: НОППС: Процесс улучшения механический свойств металла за счет изменения размеров его зерен в результате интенсивного пластического деформирования при вальцовке со сдвигом, происходящий без значительных изменений габаритных размеров исходного материала.

Ыоск copolymer

phase

segregation

block copolymer templating

clay dispersion

cold pressing

conshearing continuous confined strip shearing: C2S2

Примечание — Метод НОППС позволяет получать материалы и изделия из них с улучшенными механическими свойствами.

8

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

6.5.5 расстекловывание (нанотехнологии): Процесс кристаллизации исходного ма- devitrification териала. имеющего стекловидную консистенцию, происходящий с образованием в нем намообъектов и/или пустот, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7).

6.5.6    измельчение (нанотехнологии): Процесс получения наночастиц (2.6) меха- grinding ническим истиранием исходного вещества с применением материала, имеющего

более высокий показатель твердости.

6.5.7    высокоскоростная микрообработка: Процесс изготовления двухмерного или high-speed трехмерного прецизионного изделия путем отделения изделия в качестве части от ис- micromachining ходной заготовки и/w вырезания изделия на поверхности исходной заготовки с помощью специального инструмента при скорости вращения шпинделя более 30 000об/мин.

Примечания

1    Прецизионные изделия получают в процессе михрообрабочки за счет высокой старости (ог30 000 до 100 000 об/мин) вращения шпинделя.

2    Виды высокоскоростной микрообработки: лазерная, электронно-лучевая, ультразвуковая, фрезерование, обработка ионным пучком. Для выполнения высокоскоростной микрообработки применяют оборудование с числовым программным управлением (ЧПУ).

3    Скорость вращения шпинделя устанавливают а зависимости от применяемого вида микрообработки,

6.5.8 ионная имплантация: Процесс изменения свойств поверхности объекта пу- ion implantation тем ее разрушения или перекристаллизации под воздействием ионного пучка.

6.5.9 Термины и определения понятий, относящихся к процессам измельчения

6.5.9.1 криогенное измельчение: Измельчение (6.5.6) при криогенной температу- cryogenic milling ре (то есть температуре ниже -150 *С или 123 К).

6.S.9.2

сухой помол в шаровой мельнице (нанотехнологии): Процесс получения матери- dry ball milling ала. содержащего наночастицы (2.6). измельчением и смешиванием исходных материалов различного химического и гранулометрического составов под действием ударов движущихся шаров, изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и последующим нагреванием до температуры спекания.

[ISO 11074:2005, статья 4.6.2. ISO 3252:1999. статья 1303. определение и наименование термина изменены)

6.5.10 многократная штамповка с кручением: Процесс улучшения свойств ме- mutu-pass талла за счет уменьшения его зерен до размеров на под на па зона (2.7) в результате coin forging интенсивного пластического деформирования, происходящего при неоднократном последовательном повторении операций сжатия заготовки в виде листового проката между двумя пуансонами, имеющих рельефную поверхность, и вращения пуансонов на заданный угол, с последующей обработкой заготовки ковкой или вальцовкой.

6.5.11 осаждение в соответствии с наношаблоном. Процесс формирования nanotempiated объекта заданной формы, в том числе с замкнутым внутренним пространством, growth путем осаждения исходных наноструктурированных материалов (2.8) или наночастиц (2.6) из жидкой или газовой фазы на подложку.

6.5.12 диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице: Процесс polymer получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешива- nanoparticle ния наночастиц (2.6) исходного вещества с жидким полимерным материалом и по- dispersion следующего его отверждения.

6.5.13 Термины и определения понятий, относящихся к процессам спекания

6.5.13.1 горячее прессование. Процесс получения металлического материала фор- hot pressing моеанием металлического порошка в пресс-форме под воздействием давления и температуры. превышающей температуру рекристаллизации основного компонента.

Примечание — Процесс горячего прессования провозят при давлении выше 50 МПа и температуре 2400 *С.

9

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

6.5.13.2

спекание наночастиц: Процесс соединения наночастиц путем термической обра* nanoparticte ботки исходного материала, а процессе которой происходит активизация взаимо- sintering действия наночастиц вследствие движения атомов внутри и между наночастицами.

[ISO 836:2001. определение термина приведено из статьи 120]

6.5.13.3    электроимпульское плазменное спекание: Процесс уплотнения по- spark plasma рошка проводникового или полупроводникового материала, помещенного е пресс- sintering форму под воздействием давления, нагреванием со скоростью до 1000 К/мин

путем пропускания через него импульса постоянного тока и последующим охлаждением со скоростью до 1000 К/мин. без изменения размеров зерен.

6.6 Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в твердой фазе

6.6.1    прививочная блок-сополимеризация: дериватизация блок-сополимеров: Ыоск copolymer Процесс модификации твердого блок-сололимерного материала путем добавле- chemical

ния соответствующего вещества, атомы или молекулы которого взаимодействуют derivatization только с одной фазой модифицируемого материала.

6.6.2    анодное окисление металла (нанотехнологии): Процесс получения неме- electrochemical талличесхого неорганического покрытия на металлической подложке (аноде) элек- anodization трохимическим способом с контролем образования нанопор.

Примечание — Термин «анодное окисление металла» является синонимом термина «анодное травление».

6.6.3    интеркалирование: Процесс обратимого встраивания атомов или молекул intercalation одного вещества в кристаллическую структуру другого вещества.

6.6.4    синтез двухфазных нанокомпозиционкых материалов: Процесс получе- two-phase ния нанокомпозиционного материала, состоящего из двух разделенных фаз. путем methods нагревания и быстрого охлаждения до заданных температур исходной смеси из

двух компонентов.

7 Термины и определения понятий, относящихся к процессам изготовления продукции

7.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в нанодиапазоне

7.1.1    трехмерная литография: ЗО-литография: Процесс формирования структу- 3D lithography ры объекта, линейные размеры которой или ее составных частей по одному, двум

или трем измерениям могут находиться в нанодиапазоне (2.7). путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

7.1.2    аддитивная печать: Процесс формирования рельефного изображения no- additive proces-слойным нанесением материала на подложку в соответствии с заданным шаблоном, sing

Примечание — В случав применения резиста в качестве шаблона различают два вида аддитивной печати: обратная литография и аддитивная печатьс применением трафарета. В процессе обратной литографии на резист наносят спой материала, из которого необходимо сформировать рисунок, а затем удаляют резист таким образом, чтобы нанесежый материал остался в отверстиях, не защищенных резистом, а материал, попавший на резист, убирается вместе с ним. В процессе аддитивной печати с применением шаблона материал только добавляют в отверстия, не защищенные резистом [допусхается применять совместно с процессом электроосаедения (7.2.7)].

7.1.3    блок-сополимерная литография: Процесс формирования рельефного изобра- block copolymer жения из наночастиц материала, оставшихся на подложке после удаления полимер- lithography нога шаблона, полученного за счет микрофазмого расслоения дибпок-сопопимеров.

ю

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

7.1.4 литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процесс формирования заданного объекта методами осаждения или травления в соответствии с шаблоном, представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структуру из частиц коллоидного кристалла.

colloidal crystal

template

lithography

7.1.5    фотолитография в глубоком ультрафиолете: ФГУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетовою излучения в диапазоне длин волн от 100 до 280 нм.

7.1.6

deep ultraviolet

lithography;

DUV

перьевая нанолитография: Процесс формирования рельефного изображения размерами менее 100 нм в соответствии с заданным шаблоном путем переноса специального материала на подложку с помощью эонда атомносилового микроскопа. происходящего за счет диффузии через водный мениск между поверхностью подложки и зондом.

dip-pen

nanoiithography

Примечания

1    На острие эонда атом но-силового микроскопа наносят молекулы или наночасгицы (2.6) специального материала и переносят их на подложку, формируя рельефное изображение, состоящее из одного или нескольких слоев наносимого материала.

2    Dip-Pen Nanoiithography — торговая марка чернил, выпускаемых компанией Nanoink Inc. Данные сведения приведены как пример для правильного понимания текста настоящего стандарта. В стандартах Международной организации по стандартизации (ИСО) термин dip-pen nanoiithography не обозначает понятие «чернила». Термин «перьевая нанолитография» допускается применять для обозначения аналогичной продукции.

(ISO 18115-2:2010. статья 6.40)

7.1.7 электронно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированною электронною пучка.

electron-beam

lithography

7.1.8 фотолитография в экстремальном ультрафиолете: ФЭУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин

extreme ultraviolet

lithography:

волн от 10 до 20 нм.    EUV

Примечание — В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют системы специальных зеркал.

7.1.9 ионно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированного ионного лучка.

focused ion-beam lithography;

FIB

7.1.10 иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного промежутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жидкостью с соответствующим показателем преломления.

immersion optics

7.1.11 интерференционная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки облученного резиста, на поверхности которого с помощью дифракционных решеток получена интерференционная картина.

interference

lithography

7.1.12 ионно-стимулированное осаждение: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул осаждаемого материала на заданных участках подложки с помощью фокусированного ионного пучка.

ion induced deposition

7.1.13 ионно-стимулированное травление: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем уменьшения концентрации молекул на заданных участках обрабатываемого материала, покрывающего подложку, с помощью фокусированного ионного пучка.

ion induced etching

11

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

7.1.14 ионно-проекционная литография: Процесс получения рельефного изо- ion projection бражения размерами а нанодиапазоне (2.7) в слое резиста путем вослроизведе- lithography ния заданною шаблона с помощью пучка ускоренных ионов.

7.1.15 микроконтактиая печать: Вид мягкой литографии (7.1.25), в которой ша- micro-contact блон после нанесения на него чернил вдавливают в слой материала, покрываю- printing щего подложку.

Примечание — Точность воспроизведения и»бражения зависит от особенностей поверхности подложки и материала, используемого в качестве чернил.

7.1.16 микрожидкостная печать. Процесс получения рельефного изображения microfluidic путем нанесения жидкою материала на поверхность подложки с помощью печат- deposition ной головки с каналами, размеры которых находятся в микро- или нанодиапазоне (2.7), и последующего его отверждения при заданной температуре.

7.1.17 нанотиснение: Процесс получения рельефного изображения путем вдавли- nano-embossing вания шаблона с заданным рисунком, размеры которого находятся в нанодиалаэо не (2.7). в слой резиста, покрывающего подложку.

Примечания

1    Термин внаногиснение» также распространяется на процесс формирования трехмерных наноструктур.

2    При нанотиснении физические свойства материала резиста не изменяются. Процесс нанотиснения отличается от процесса нанопечагной литографии тем. что получаемое изображение в слое резиста не требует дополнительной обработки.

7.1.18 нанопечатная литография: НПЧ: Процесс получения рельефною иэобра- nano-imprint жения путем вдавливания шаблона (обычно называемого клише, штамп, маска или lithography: NIL трафарет) с заданным рисунком, размеры элементов которою находятся в нано-диапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающею подложку, и последующею ею отверждения при заданной температуре или под воздействием светового излучения.

Примечания

1    Нанолечаткую литографию относят к процессам печати, а не к процессам литографии (3.6). так как получаемое изображение зависит от формы и рельефа шаблона.

2    Нанолечаткую литографию различают по видам материалов, используемых в качестве резиста. Резист из термопластичного полимерного материала сначала нагревают до температуры плавления, а затем надавливают на него шаблоном. Резист из термореактивного материала сначала используют в жидком виде, прикладывая к нему шаблон, а потом нагревают до температуры его отверждения. На негативном фоторезисте изображение формируют с помощью светового излучения и прозрачного шаблона. Процессы нанопечагной литографии с использованием фоторезистов некоторые специалисты называют «оптическим импринтингом», «оптическим наноимпринтингом» или «печатной литографией «шаг-вспышка».

7.1.19 естественная литография: Процесс формирования структуры объекта или natural lithogra*

рельефного изображения путем воспроизведения шаблона, происходящий в при- phy

роде.

Пример — Полосы, образованные на коллагеновых волокнах соединительной ткани, или структуры, сформированные из нитей рибонуклеиновой кислоты (РНК).

Примечание — Термин «естественная литография» относят к процессам, в которых воспроизведение изображения происходит с помощью шаблона без применения фокусированного пучка излучения (12].

7.1.20 фотолитография: оптическая литография: Процесс получения иэображе- photolithography: ния на подложке путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электро optical litho-магнитным излучением через заданный шаблон.    graphy

Примечание — Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

7.1.21 фазоконтрастная фотолитография: Процесс получения изображения раз- phase-contrast мерами в нанодиапаэоне (2.7) и улучшенным разрешением путем облучения фото photolithography резиста, покрывающею подложку, электромагнитным излучением через шаблон (фотошаблон) со структурой, сдвигающей фазу проходящею излучения.

12

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

7.1.22    плазмонная литография. Процесс формирования рельефного иэображе-ния размерами в нанодиапазоне (2.7) путем облучения фоторезиста, покрываю* щего подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой металлическую плазмокную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполе* вого возбуждения, вызывающего изменения в фоторезисте.

7.1.23    рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа: Процесс получения рельефного изображения, заключающийся в изменении заданных участков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) с чернилами или без них.

7.1.24    химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего туннельного микроскопа: ХОГФ СТМ: Процесс получения рельефного изобра* жения размерами в нанодиапазоне (2.7) с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). в котором нанесение материала на подложку происходит за счет химического осаждения из газовой фазы, происходящего под действием электрического напряжения.

7.1.25    мягкая литография. Процесс получения изображения, заключающийся в нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов (например, эластомерных материалов).

7.1.27    субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключающийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с заданным шаблоном.

7.1.28    рентгеновская литография. Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью рентгеновского излучения.

plasmonic

lithography

scanning force probe writing

scanning tunnelling

microscope chemical vapour deposition;

STM CVD

soA lithography

subtractive

processing

x-ray lithography

Примечание — Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого находятся в нанодивлаэоне (2.7) (в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.8)], поэтому термин «рентгеновская литография» применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального шаблона с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на нее изображением из материала с высоким поглощением рентгеновского излучения, например, из металла. Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения

7.2.1

адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества no- adsorption верхностным слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за счет физических или химических взаимодействий.

[ISO 14532:2001. статья 2.2.2.7J

7.2.2    атомно-слоевое осаждение; АСО. Процесс получения однородных кон* atomic layer формных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на лодлож* deposition; ку е ходе самоограниченных химических реакций, позволяющих контролировать ALD толщину нанесенного слоя.

Примечание — В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включагь не менее двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины.

7.2.3

химическое осаждение из газовой фазы. ХОГФ: Процесс получения пленок или chemical порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия vapour deposi-одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.    tion;

CVD

[ISO 2080:2008. статья 2.2. определение термина изменено]

13

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

7.2.4 каталитическое химическое осаждение из газовой фазы: КХОГФ: Процесс ХОГВ (7.2.3). основанный на термическом разложении газообразных веществ с применением катализатора.

catalytic chemical vapour deposition;

CCVD

Примечания

1    Процесс КХОГФ применяют для получения углеродных нанотрубок (2.9) из исходных углеводородных материалов (например, метан) с использованием катализаторов, например, железо (Fe), никель (Ni) или кобальт (Со).

2    Термин «каталитическое химическое осаждение из газовой фазы» относят к терминам, обозначающим процессы катализа.

7.2.5    нанесение покрытия кластерным пучком: Процесс получения структурированной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использованием источника кластерного пучка.

7.2.6    нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки путем погружения подложки в специальный раствор и ее последующего извлечения из него.

7.2.7    электроосаждение: электролитическое осаждение: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

7.2.8    осаждение методом химического восстановления: Процесс получения л^ крытия путем автокаталитичесхого осаждения ионов материала из специального раствора в результате реакции взаимодействия ионов материала с растворенным восстановителем на поверхности подложки.

7.2.9    электрораспыление. Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к которому приложено напряжение.

7.2.10    выпаривание. Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до заданной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего охлаждения.

7.2.11    осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентрированного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

7.2.12    осаждение фокусированным ионным пучком. ОФИП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

duster beam coating

dip coating

electrodeposition;

electroplating

electroless

deposition

electro-spray

evaporation

focused

electron-beam

deposition

focused ion-beam deposition;

FIB

Примечание — ОФИ П применяют, например, для осаждения газообразного карбонила вольфрама (W(CO)g). В вакуумной камере под воздействием ионного пучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и нелетучие компоненты: нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на подложку. ОФИП применяют также для осаждения других металлических материалов, например, плагины. Осажденный таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты объекта от разрушающего воздействия ионного пучка.

7.2.13 молекулярно-лучевая эпитаксия. Процесс получения монокристалличе- molecular beam ской пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул ис- epitaxy ходного материала (материалов) на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1 Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.

14

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

2    Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия (InAs) и подложку из арсенида галлия (GaAs). получают структуры размером в нанодиапаэоне (2.7).

3    См. библиографию [13].

7.2.14

физическое осаждение из газовой фазы: ФОГФ: Процесс нанесения покрытия physical vapour испарением исходного материапа с последующей его конденсацией на подложке deposition; в условиях вакуума.    PVO

[ISO 2080. статья 2.12]

7.2.15 послойное электростатическое осаждение полиэлектролитов: Про- polyelectrolyte цесс получения покрытия путем последовательного нанесения на поверхность layer-by-layer: подложки слоев полиэлектролитов с противоположными знаками электрических LbL зарядов.

7.2.16 термическое напыление (нанотехнологии): Процесс получения покрытия thermal spray из наночастиц (2.6) напыляемого материала, при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением плазменной струи или в результате сгорания примесей напыляемого материала.

7.2.17 центробежное осаждение: Процесс получение пленки осаждением из жид- spin coating кого исходного материала твердой дисперсной фазы на вращающуюся подложку под действием центробежных сил.

7.2.1 б осаждение распылением: Процесс получения покрытия из исходного жид- spray deposition кого материала, преобразованного соплом в аэрозоль и нанесенного на поверхность подложки.

7.2.19 осаждение напылением: Физическое осаждение из газовой фазы (7.2.14) sputter deposition с применением источника высокоэнергичных частиц, бомбардирующих исходный материал (мишень), для перемещения атомов исходного материала на поверхность подложки.

7.2.20 полимеризация на поверхности: Процесс получение полимерной пленки surface на поверхности подложки из газовой или жидкой фазы исходного мономера.    polymerization

7.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления

7.3.1    анизотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного anisotropic слоя материала с подложки, происходящий в вертикальном направлении со скоро- etching стью выше, чем в горизонтальном направлении.

7.3.2    Бош-травление; пассивационное травление: Процесс управляемого удале- Bosch etching ния поверхностного слоя материала с подложки неоднократным чередованием циклов травления и пассивации, обеспечивающих формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

7.3.3    химическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного chemical

слоя материала с подложки под действием химических веществ.    etching

Примечание — В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газообразные (сухое травление) химические вещества.

7.3.4    химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления по- chemically верхностного слоя материала с подложки пучком ионов химически активного газа. assisted

ion beam etching

15

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

7.3.5 криогенное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя cryogenic etch-материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже, при ко- ing торой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание — Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объекта.

7.3.6 кристаллографическое травление. Процесс управляемого удаления по- crystallographic верхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью no etching различным кристаллографическим направлениям.

7.3.7 глубокое реактивное ионное травление; ГРИТ: Процесс анизотропного травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.

deep reactive ion

etching;

ORIE

Пример — Отверстия и канавки с вертикальными стенками.

Примечание — К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление (7.3.2) и криогенное травление (7.3.5).

7.3.8 сухое озоление: Вид химического травления (7.3.3) с применением газо- dry-ashing образных химических веществ, в процессе которого происходит преобразование материала в области, подвергаемой травлению, в летучее удаляемое соединение.

Пример — Удаление с подложки шаблона из фоторезиста с применением кислорода.

7.3.9 сухое травление; Процесс управляемого удаления поверхностного слоя ма- dry-etching териала с подложки с применением частично ионизированных газов.

7.3.10 травление фокусированным ионным пучком: ТФИП: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокусированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.

focused ion-

beam

etching;

FIB

Примечания

1    Травление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздействуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.

2    ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.

7.3.11 травление плазмой высокой плотности. Плазменное травление (7.3.18) high-density потоком ионов плотностью от 10" до 1012 ион/см3 с применением источника ионов plasma etching на основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы.

Примечание — В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осаждение. Подложка е реакторе должка быть расположена соответственно осуществляемому процессу.

7.3.12 травление индуктивно связанной плазмой: ТИСП: Плазменное травление (7.3.18) с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля.

inductive coupled plasma;

ICP

7.3.13 ионно-лучевое травление; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управ- ion beam ляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, по- etching; лученным с помощью источника плазмы.    ion beam milling

7.3.14 изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного isotropic etching слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям.

16

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

7.3.15    лазерная абляция. Процесс управляемого удаления поверхностного слоя laser ablation материала с подложки лазерным импульсом.

Примечание — Лазерную абляцию применяют для формирования неоднородностей размерами в нанодиапазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку.

7.3.16    травление световым излучением; фотохимическое травление: Процесс light-assisted

управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым из- etching; лучением.    photochemical

etching

Примечание — Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами.

7.3.17    физическое травление, травление распылением: Процесс управляемого physical etching; удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под sputter etching действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).

Примечание — Физическое травление относят к анизотропным и нвизбирательным процессам травления.

7.3.18    плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плазмы — plasma etching ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в газовой среде.

Примечания

1    К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами. в который помещают материал, подлежащий травлению.

2    В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.

7.3.19    травление по трекам излучения: Процесс управляемого удаления поверх- radiation track ностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирова- etching

ния узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами.

Пр им ер — Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем.

7.3.20    реактивное ионное травление: РИТ: Плазменное травление (7.3.18) лото- reactive ion ком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом на пряже- etching: ния. возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена подлож- RIE

ка. высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.

Примечание — Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специагъных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое относят к изотропным процессам травления. РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью.

7.3.21    избирательное травление. Процесс управляемого удаления ловерхност- selective etching ного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных

участках поверхности с различным химическим составом.

Пример — Водные растворы под воздействием высокочастотных электромагнитных полей удаляют с подложки оксид кремния (SiO^ и не удаляют кремний.

7.3.22    жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного wet etching слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ.

17

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

7.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения покрытий

7.4.1    тиснение; импринтинг: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком в слой обрабатываемого материала.

7.4.2    формирование многослойной пленки (нанотехнологии): Процесс получения многослойной пленки путем соединения вальцовкой нескольких отдельных пленок на подложке.

7.4.3    осаждение нановолокон: Процесс получения покрытия или структуры объекта осаждением нановолокон (2.3) из раствора на подложку или ее заданные участки.

7.4.4    напыление наночастиц: Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6), при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением распыляемого раствора, плазмы, кластерного пучка или из другого источника наночастиц.

embossing;

imprinting

multilayer film process

nanofibre

precipitation

nanopartide

spray

coating

18

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Приложение А (справочное)

Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции

Группа

процессов

Подгруппе

процессов

Процесс

Процесс с приыене* имен нано* объектов

Процесс на* нострукту* рироеания материала

Физическое осаждение из газовой фазы

Холодное газодинамическое напыление

V

Электронно-лучевое испарение

N

Электроискровое

осаждение

Электроискровое осаждение

Ч

Термическое разложение инфракрасным излучением

V

Плазменное распыление жидкого вещества

V

Напыление

V

Высушивание вещества

Сублимационная сушка

V

Высушивание вещества

Распылительная сушка

ч'

Быстрое расширение сверхкритичв-ских растворов

ч'

Суспензионное термическое напыление

ч>

Электрический взрыв проволоки

■i

Испарение

ч'

Химическое осаж-

Атомно-слоевое осаждение (АСО)

V

дение из газовой фазы

Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ)

ч<

V

Каталитическое химическое осаждение из газовой фазы (КХОГФ)

ч'

V

Осаждение в условиях воздействия пламени

Экзотермическое разложение жидкого вещества

ч>

\

Осаждение в условиях воздействия пламени

Плазменное распыление

\

Осаждение в условиях воздействия пламени

Пиролиз аэрозоля

ч!

19

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

Продолжение таблицы

Группа

процессов

Подгруппа

процессов

Процесс

Процесс с применением нано-объектов

Процесс явное трукту* рироввния материале

Химическое осаждение из газовой фазы

Осаждение в условиях воздействия пламени

Термическое разложение жидкого вещества

4

%■

Графоэпитаксия

■4

Термическое разложение в трубчатой печи

V

■4

Термическое разложение инфракрасным излучением

4

Термическое распыление жидкого вещества

4

■4

Формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл» (ПЖК)

4

Физические методы синтеза в жидкой фазе

Истирание

4

4

Электролрядение

4

4

Интеркаляционная полимеризация in-situ

4

4

Диспергирование нанодисперсной системы

4

Лигье керамической ленты

4

Мокрое измельчение

Мокрый помол в шаровой мельнице

и

4

Химические методы

Кислотный гидролиз целлюлозы

4

синтеза в жидкой фазе

Осаждение наночастиц из раствора

4

Быстрая конденсация неорганических материалов

4

Синтез в обратных мицеллах

■4

■4

Золь-гель-технология

4

4

Матричный синтез

4

Метод Стобера

4

4

Физические методы синтеза в твердой фазе

Интенсивное пластическое деформирование

Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом

4

Блок-

сополимвризаиия

Прививочная блок-сооолимеризация

4

Блок-

сополимеризация

Блок-сололимериэация

4

Блок-

сополимеризация

Наноструктурирование блок-сополимера

4

Холодное прессование

4

20

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Окончание таблицы

Группа

процессов

Подгруппа

процессов

Процесс

Процесс с применением мано-обьекюв

Процесс на* иострукту* рироеаиия материала

Физические методы синтеза в твердой фазе

Непрерывная обработка полосового проката металла сдвигом

Расстекпоеываиие

Измельчение

Ч

Высокоскоростная микрообработка

4

Ионная имплантация

4

Измелдеение

Криогенное измельчение

>'

Сухой помол в шаровой мельнице

V

Многократная штамповка с кручением

4

Осаждение а соответствии с наноша-бооном

4

4

Спекание

Горячее прессование

4

Спекание наночастиц

4

Электроимлульсное плазменное спекание

4

\

Химические методы синтеза в твердой фазе

Диспергирование глины в жидкой полимерной матрице

\

Анодное окисление металла

4

(Фгтеркалирование

4

4

Диспергирование наночэстиц в жидкой полимерной матрице

4

Синтез двухфазных нанокомпозицион-ных материалов

4

21

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

Алфавитный указатель терминов на русском языке

абляция лазерная    7.3.15

адсорбция    7.2.1

АСО    7.2.2

блок-сололимеризация    6.5.1.1

блок-сололимеризация прививочная    6.6.1

Бош-травление    7.3.2

взрыв проволоки электрический    6.1.7

выпаривание    7.2.10

гидролиз целлюлозы кислотный    6.4.1

графоэлитаксия    5.2

ГРИТ    7.3.7

дериватизация блок-сополимеров    6.6.1

диспергирование глины в жидкой полимерной матрице    6.5.2

диспергирование нанодисперсной системы    6.3.3

диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице    6.5.12

золь-гель-технология    6.4.5

изготовление нанотехнологическое    3.8

измельчение    6.5.6

измельчение криогенное    6.5.9.1

имплантация ионная    6.5.8

импринтинг    7.4.1

интеркалироваиие    6.6.3

испарение    6.1.8

испарение электронно-лучевое    6.1.2

истирание    3.3

конденсация неорганических материалов быстрая    6.4.3

кристаллизация коллоидная    5.1

КХОГФ    7.2.4

литография    3.6

литография блок-сололимерная    7.1.3

литография естественная    7.1.19

литография интерференционная    7.1.11

литография ионно-лучевая    7.1.9

литография ионно-проекционная    7.1.14

литография мягкая    7.1.25

литография нанопечатная    7.1.18

литография оптическая    7.1.20

литография оптическая иммерсионная    7.10

литография плазменная    7.1.22

литография рентгеновская    7.1.28

22

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном    7.1.4

литография трехмерная    7.1.1

литография электронно-лучевая    7.1.7

литье керамической ленты    6.3.5

материал нанокомпозиционный    2.2

материал наноструктурированный    2.8

метод Стобера    6.4.7

микрообработка высокоскоростная    6.5.7

механизм япослойкого-плюс-островхового» роста пленки    5.9

механизм роста пленки Странского — Крастанова    5.9

модифицирование поверхности ионно-лучевое    5.3

нанесение покрытия кластерным пучком    7.2.5

нанесение покрытия методом погружения    7.2.6

нановолокно    2.3

нанодиапазон    2.7

нанокомпозит    2.2

нанолитография перьевая    7.1.6

наноматериал    2.4

нанообъект    2.5

наноструктурирование блок-сополимера    6.5.1.2

нанотиснение    7.1.17

нанотрубка    2.9

нанотрубка углеродная    2.1

наночастица    2.6

напыление газодинамическое холодное    6.1.1

напыление наночастиц    7.4.4

напыление термическое    7.2.16

напыление термическое суспензионное    6.1.6

НОППС    6.5.4

НПЧ    7.1.18

обработка полосового проката металла сдвигом непрерывная    6.5.4

обработка субтрактивная    7.1.27

о золение сухое    7.3.8

окисление металла анодное    6.6.2

осаждение атомно-слоевое    7.2.2

осаждение веществ модулированное    5.7

осаждение в соответствии с наношаблоном    6.5.11

осаждение из газовой фазы физическое    7.2.14

осаждение из газовой фазы химическое    7.2.3

осаждение из газовой фазы химическое каталитическое    7.2.4

осаждение из газовой фазы химическое с применением сканирующего туннельного микроскопа 7.1.24 осаждение ионно-стимулированное    7.1.12

осаждение методом химического восстановления    7.2.8

осаждение многослойное    3.7

23

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

осаждение нановолокон

7.4.3

осаждение наночастиц из раствора

6.4.2

осаждение напылением

7.2.19

осаждение распылением

7.2.18

осаждение фокусированным ионным пучком

7.2.12

осаждение фокусированным электронным пучком

7.2.11

осаждение центробежное

7.2.17

осаждение электроискровое

6.1.3.1

осаждение электролитическое

7.2.7

осаждение электростатическое послойное

5.6

осаждение электростатическое полиэлектролитов послойное

7.2.15

ОФИП

7.2.12

ОФЭП

7.2.11

перенос пленки Ленгмюра — Блоджетт

5.5

перенос «поверхность — поверхность»

4.7

печать аддитивная

7.1.2

печать микрожидкостная

7.1.16

печать микроконтактная

7.1.15

ПЖК

6.2.4

пиролиз аэрозоля

6.2.1.3

полимеризация интеркаляционная in-sttu

6.3.2

полимеризация на поверхности

7.2.20

помол в шаровой мельнице мокрый

6.3.6

помол в шаровой мельнице сухой

6.S.9.2

прессование горячее

6.5.13.1

прессование холодное

6.5.3

производство нанотехнологическое

3.9

производство нанотехнологическое «сверху вниз»

3.13

производство нанотехнологическое «снизу вверх»

3.1

процесс нанотехнологического производства

3.10

разложение в трубчатой печи термическое

6.2.2

разложение жидкого вещества термическое

6.2.1.5

разложение жидкого вещества экзотермическое

6.2.1.1

разложение инфракрасным излучением термическое

6.2.3

распределение в потоке жидкости

4.2

распыление плазменное

6.2.1.2

распыление жидкого вещества плазменное

6.2.1.4

расстекловывание

6.5.5

расширение сверхкритических растворов быстрое

6.1.5

рисование с помощью сканирующего зоидового микроскопа

7.1.23

РИТ

7.3.20

самосборка

3.11

самосборка монослоя

5.8

самосборка направленная

3.5

24

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

сборка иерархическая    4.3

сборка в магнитном поле    4.4

сборка в электростатическом поле    4.1

сборка направленная    3.4

сборка сулрамолекулярная    4.6

сборка с учетом формы ианочастиц    4.5

синтез в обратных мицеллах    6.4.4

синтез двухфазных наиокомпозиционкых материалов    6.6.4

синтез матричный    6.4.6

синтез темплатный    6.4.6

соосзждение    3.2

спекание ианочастиц    6.5.13.2

спекание плазменное электроимпульс нов    6.5.13.3

сушка сублимационная    6.1.4.1

сушка распылительная    6.1.4.2

тиснение    7.4.1

ТИСП    7.3.12

травление анизотропное    7.3.1

травление жидкостное    7.3.22

травление избирательное    7.3.21

травление изотропное    7.3.14

травление индуктивно связанной плазмой    7.3.12

травление ионное реактивное    7.3.20

травление ионно-лучевое    7.3.13

травление ионно-лучевое химическое    7.3.4

травление ионно-стимулированное    7.1.13

травление криогенное    7.3.5

травление кристаллографическое    7.3.6

травление лассивациомное    7.3.2

травление плазменное    7.3.18

травление плазмой высокой плотности    7.3.11

травление по трекам излучения    7.3.19

травление распылением    7.3.17

травление реактивное ионное глубокое    7.3.7

травление световым излучением    7.3.16

травление сухое    7.3.9

травление физическое    7.3.17

травление фокусированным ионным пучком    7.3.10

травление фотохимическое    7.3.16

травление химическое    7.3.3

ТФИП    7.3.10

УНТ    2.1

ФГУ    7.1.5

ФОГФ    7.2.14

25

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

формирование многослойной пленки    7.4.2

формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл»    6.2.4

формирование пленки Ленгмюра — Блоджетт    5.4

фотолитография    7.1.20

фотолитография в глубоком ультрафиолете    7.1.5

фотолитография в экстремальном ультрафиолете    7.1.8

фотолитография фазоконтрастная    7.1.21

фрезерование ионно-лучевов    7.3.13

функционализация поверхности    3.12

ФЭУ    7.1.8

ХОГФ    7.2.3

ХОГФСТМ    7.1.24

штамповка с кручением многократная    6.5.10

электроосаждение    7.2.7

электролрядение    6.3.1

электрораспыление    7.2.9

эпитаксия молекулярно-лучевая    7.2.13

ЗО-литография    7.1.1

26

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке

acid hydrolysis of cellulose    6.4.1

additive processing    7.1.2

adsorption    7.2.1

ALD    7.2.2

anisotropic etching    7.3.1

atomic layer deposition    7.2.2

block copolymer chemical derivatizabon    6.6.1

block copolymer lithography    7.1.3

block copolymer phase segregation    6.5.1.1

block copolymer templabng    6.5.1.2

Bosch etching    7.3.2

bottom up nanomanufacturing    3.1

carbon nanotube    2.1

catalytic chemical vapour deposition    7.2.4

CCVD    7.2.4

chemical etching    7.3.3

chemical vapour deposition    7.2.3

chemically assisted ion beam etching    7.3.4

day dispersion    6.5.2

duster beam coating    7.2.5

CNT    2.1

со-deposition    3.2

cold gas dynamic spraying    6.1.1

cold pressing    6.5.3

oolloidat crystal template lithography    7.1.4

oolloidat crystallization    5.1

oommunition    3.3

oonshearing continuous confined strip shearing    6.5.4

cryogenic etching    7.3.5

cryogenic milling    6.5.9.1

crystallographic etching    7.3.6

CVO    7.2.3

C2S2    6.5.4

deep reactive ion etching    7.3.7

deep ultraviolet lithography    7.1.5

devitrification    6.5.5

dip coating    7.2.6

dtp-pen nanolithography    7.1.6

27

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

directed assembly

3.4

directed self-assembly

3.5

ORIE

7.3.7

dry-ashing

7.3.8

dry bait milling

6.S.9.2

dry-etching

7.3.9

OUV

7.1.5

electron-beam evaporation

6.1.2

electron-beam lithography

7.1.7

electrochemical anodization

6.6.2

electrodeposition

7.2.7

electroless deposition

7.2.8

electroplating

7.2.7

electro-spark deposition

6.1.3.1

electrospinning

6.3.1

electro-spray

7.2.9

electrostatic driven assembly

4.1

embossing

7.4.1

EUV

7.1.8

evaporation

7.2.10

extreme ultraviolet lithography

7.1.8

FIB

7.1.9

FIB

7.2.12

FIB

7.3.10

fluidic alignment

4.2

focused electron-beam deposition

7.2.11

focused ion-beam deposition

7.2.12

focused ion-beam etching

7.3.10

focused ion-beam fthography

7.1.9

freeze drying

6.1.4.1

graphioepitaxy

5.2

grinding

6.5.6

hierarchical assembly

4.3

high-density plasma etching

7.3.11

high-speed micromachining

6.5.7

hot pressing

6.5.13.1

hot wall tubular reaction

6.2.2

ICP

7.3.12

immersion optics

7.1.10

imprinting

7.4.1

inductive coupled plasma

7.3.12

insitu intercalative polymerization

6.3.2

intercalation

6.6.3

interference lithography

7.1.11

28

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

юп beam etching

7.3.13

ion beam milling

7.3.13

ion beam surface reconstruction

5.3

ion implantation

6.5.8

ion induced deposition

7.1.12

•on induced etching

7.1.13

ion projection lithography

7.1.14

isotropic etching

7.3.14

Langmuir— Blodgett film formation

5.4

Langmuir — Blodgett film transfer

5.5

laser ablation

7.3.15

layer-by-layer deposition

5.6

LbL

7.2.15

LbL deposition

5.6

light-assisted etching

7.3.16

liquid precursor combusbon

6.2.1.1

lithography

3.6

magnetic driven assembly

4.4

micro-contact printing

7.1.15

microfluidic deposition

7.1.16

modulated elemental reacted method

5.7

molecular beam epitaxy

7.2.13

multilayer deposition

3.7

multilayer film process

7.4.2

multi-pass coin forging

6.5.10

nanocomposite

2.2

nano-embossing

7.1.17

nanofabrication

3.8

nanofibre

2.3

nanofibre precipitation

7.4.3

nano-imprint lithography

7.1.18

nanomanufacturing

3.9

nanomanufacturing process

3.10

nanomaterial

2.4

nano-object

2.5

nanopartide

2.6

nanopartide dispersion

6.3.3

nanopartide precipitation

6.4.2

nanopartide sintering

6.5.13.2

nanopartide spray coating

7.4.4

nanoscale

2.7

nanostructured material

2.8

nanotemplated growth

6.5.11

nanotube

2.9

29

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

natural lithography    7.1.19

NIL    7.1.18

optical lithography    7.1.20

phase-contrast photolithography    7.1.21

photochemical etching    7.3.16

photolithography    7.1.20

photothermal synthesis    6.2.3

physical etching    7.3.17

physical vapour deposition    7.2.14

plasma etching    7.3.18

plasma spray    6.2.1.2

plasmonic lithography    7.1.22

polyelectrolyte layer-by-layer    7.2.15

polymer nanoparticle dispersion    6.5.12

prompt inorganic condensation    6.4.3

PVD    7.2.14

pyrogenesis    6.2.1.3

radiation track etching    7.3.19

reactive ion etching    7.3.20

reverse micetie process    6.4.4

RiE    7.3.20

SAM formation    5.8

scanning force probe writing    7.1.23

scanning tunneling microscope chemical vapour deposition    7.1.24

selective etching    7.3.21

self-assembled monolayer formation    5.8

self-assembly    3.11

shape-based assembly    4.5

soft lithography    7.1.25

sol-gel processing    6.4.5

solution precursor plasma spray    6.2.1.4

spark plasma sintering    6.5.13.3

spin coating    7.2.17

spray deposition    7.2.18

spraydrying    6.1.4.2

sputter deposition    7.2.19

sputter etching    7.3.17

STMCVD    7.1.24

Stober process    6.4.7

Stranski — Krastanow growth    5.9

subtractive processing    7.1.27

supercritical expansion    6.1.5

supramolecular assembly    4.6

surface functionalization    3.12

30

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

surface polymerization

7.2.20

surface-to-surface transfer

4.7

surfactant temptating

6.4.6

suspension combustion thermal spray

6.1.6

tape casting

6.3.5

thermal spray

7.2.16

thermal spray pyrotysis

6.2.1.5

top-down nanomanufacturing

3.13

two-phase methods

6.6.4

vaporization

6.1.8

vapour-liquid-solid nanofibre synthesis

6.2.4

VLS

6.2.4

wet ball milling

6.3.6

wet etching

7.3.22

wire electric explosion

6.1.7

x-гзу lithography

7.1.28

3D lithography

7.1.1

31

ГОСТ ISO/TS 80004-8—2016

ш

(2]

(3]

{4]

(5]

16]

17]

(8]

{9]

110]

111]

(12]

(13]

Библиография

BSI PAS 135 ISO/TS 80004-6

ISO/TS 80004-3:2010

ISO/TS 80004-4:2011

ISO/TS 27687:2008

ISO/TS 80004-1:2010 ISO 2080:2008

ISO 19353

ISO 11074:2005 ISO 3252:1999 ISO 836:2001

Terminology (or nanofabrication (Терминология нанопроиэводства)

Nanotechnologies — Vocabulary — Part 6: Nano-object characterization (Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики на ко объектов. Термины и определения} Nanotechnologies — Vocabulary — Part 3: Carbon nano-objects (Нанотехнологии. Словарь. Часть 3. Углеродные нанообъекты)

Nanotechnologies — Vocabulary— Pari 4: Nanostructured materials (Нанотехнологии. Словарь. Часть 4. Материалы с наноструктурой)

Nanotechnologies — Terminology and definitions for nano-objects — Nanoparticle, nanofibre and nanoplate (Нанотехнологии. Термины и определения нанообъектов. Наночастица, наноаолокно и нанопластина)

Nanotechnologies — Vocabulary — Part 1: Core terms (Нанотехнологии. Словарь. Часть 1. Основные термины)

Metallic and other inorganic ooabngs — Surface treatment, metallic and other inorganic coatings — Vocabulary (Металлические и другие неорганические покрытия. Поверхностная обработка. Словарь)

Safety of machinery — Fire prevention and protection (Безопасность машин. Предотвращение пожаров и защита от них)

Soil quality — Vocabulary (Качество почвы. Словарь)

Powder metallurgy — Vocabulary (Порошковая металлургия. Словарь)

Terminology for refractories (Материалы огнеупорные. Терминология)

Appl.Phys. Lett. 1982. 41 рр. 377—379

McGraw-Hill Dictionary of Scientific and Technical Terms. 6th ed. September 2002

32

ГОСТ ISO/TS 80004*8—2016

УДК 53.04:006.354    МКС 01.040.07    IDT

07.030

Ключевые слова: нанотехнологии, процессы нанотехнологического производства, нанообъект, наночастица

Редактор АС. Бубнов Корректор Е.Р. Ароян Компьютерная верстка Ю.В. Поповой

Сдано е набор 10.11.2016. Подписано а печать 25.11.2016. Формат $0 * 64 Vg. Гарнитура Ариэл.

Уел. печ. л. 4.66.

Набрано а ИЛ «Юриспруденция». 115419, Москва, ул. Орджоникидзе, 11

Издано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ». 123995. Москва. Гранатный пер.. 4.